일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.1. 흑연을 주재질로 하여 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.2. a) 시판되는 흑연을 기계 가공하여 원하는 모양으로 성형하는 단계, b) 성형된 흑연을 화학증착 반응기에서 먼저 규소막으로 증착시킨 후 열처리하여 반응물 확산 방지막을 형성함으로써 코팅시키는 단계, 및 c) 코팅 작업이 완결되면 기체 분위기를 막의 증류에 따라 질소 혹은 산소로 맞추고 약 1시간 동안 600~900℃에서 열처리하여 존재할 수 있는 핀 홀(pin hole)을 제거하는 단계로 이루어진 흑연 실험 용기의 제작 방법.3. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 저압 화학증착(low pressure dhemical vapor deposition) 반응기이고, SiH₄/H₂ 기체를 사용하여 기판 온도 250~400℃ 및 압력 1~10torr에서 승착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 산화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.4. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 플라즈마 화학증착(plasma enhanced chemical vapor depostition) 반응기이고, SiH₄/H₂/NH₃ 기체를 사용하여 기판 온도 300~400℃, 압력 0.1~0.5torr 및 전력 50~100W의 조건에서 증착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 질화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.5. 제3항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 600~800℃의 온도에서 산소 분위기하에 행하여 산화 규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제4항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 750~900℃의 온도에서 질소 분위기하에 행하여 질화규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.7. 흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막을 형성시킨 열전대용 흑연 캡.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
다음의 조성식, DyxFeBz 이때, x,y,z는 원자%로서 25<=x<=30, 56<=y<=70, 0<=z<=15, (단, x+y+z=100)으로 이루어진 희토류-철계 자기변형 합금.1. 일반식(1)로 표시되는 신규한 유기주석 말로네이트 유도체. 일반식(1)에 있어서 R은 페닐, 시클로헥실, n-부틸, 3-메톡시-3-옥소프로필, 메틸, t-부틸, 염소기등을, x는 2 또는 3을, R`는 비고리치환기가 치환될 때에는 티오메톡시, 메틸기를, 고리치환기가 치환될 때에는 에틸렌디티오, 메틸렌디티오, 아세틸렌디티오기를 표시한다.2. 일반식(2)의 유기주석 할라이드와 일반식(3)의 말로네이트 유도체의 금속염을 할로메탄, 알콜 또는 물등의 용매존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 유기주석 말로네이트 유도체의 제조방법. 일반식(2)에 있어서 R은 페닐, 시클로헥실, n-부틸, 3-메톡시-3-옥소프로필, 메틸, t-부틸, 염소기등을, x는 2 또는 3이어야 한다. 일반식(3)에 있어서 나트륨, 칼륨등을 R`는 비고리치환기가 치환될 때에는 티오메톡시, 메틸기를, 고리치환기가 치환될 때에는 에틸렌디티오, 메틸렌디티오, 아세틸렌디티오기로 구성된다. 3. 제2항에 있어서, 용매로 디클로로메탄, 클로로포름, 에틸알콜, 메틸알콜 또는 물중에서 ㅂ나응시키거나, 이들의 혼합용매중에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 유기주석 말로네이트 유도체의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 반응온도를 -25℃~60℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 유기주석 말로네이트 유도체의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 고분자재료
이온 중합법에 의하여 친수성과 소수성 고분자 블록 공중합체 제조법1. (가) 벤젠, 톨루엔, 시클로헥산 및 헥산으로 이루어진 군으로부터 선택된 비극성 용매 중에서, 알킬리튬을 개시제로 사용하여 하기 식 (3)의 비닐계 단량체 또는 하기 식(4)의 디엔계 단량체를 리빙중합하는 단계 및 (나) 알칼리 금속 알콕사이드와 알킬리튬과의 몰비가 10~0.5로 되는 양의 알칼리금속 알콕사이드를 (가) 단계에서 제조된 리빙 고분자와 혼합한 다음, 하기식(1)로 나타내는 에폭사이드계 단량체를 연속 첨가하여 블럭 공중합시키는 단계로 이루어진 것이 특징인 알킬렌옥사이드와 비닐계 또는 디엔계 단량체와의 블럭공중합 방법. 상기 식에서, R1,R2,R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 저급 알킬 또는 페닐기이고, R`1 및 R`3는 각각 독립적으로 수소 원자, 페닐기, 에스테르기, 아크릴레이트기 또는 치환된 페닐기이며, R`3,R`4,R`6,R`7 및 R`8은 수소 원자 또는 메틸기이고, R`5는 수소 원자, 메틸기 또는 클로로기이다.2. 제1항에 있어서, 에폭사이드계 단량체가 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드인 방법.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알킬 리튬은 n-부틸 리튬, sec-부틸 리튬 또는 tert-부틸 리튬이고, 알칼리금속 알콕사이드는 하기 식(2)로 나타내는 것인 방법. R5- O-Mt+상기 식에서, R5는 메틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸 또는 아밀기이며, Mt는 피튬, 나트륨 또는 칼륨이다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
VTR 자기헤드용 접합유리에서 요구되는 제반특성을 동시에 만족시킬 수 있는 새로운 접합유리 조성을 제공하는데 목적이 있다. PbO 47-57wt%, SiO2 24-32wt%, B2O3 5-9wt%, ZnO 4-8wt%, Na2O 0-6wt%, K2O 0-6wt%, Al2O3 0-4wt%의 조성으로 구성한다. 열팽창 계수 차이에 따른 유리균열이나 출력저하 화학적 반응에 의한 유효트랙폭 감소로 생기는 출력저하 기포생성으로 인한 제반 문제, 내화학성, 내마모성 저하에 따른 제반 문제등이 제거된 신뢰성이 높은 고품위 자기헤드의 제작이 가능하다.1. PbO 47~57wt%, SiO2 24~32wt%, B2O3 5~9wt%, ZnO 4~8wt%, Na2O 0~6wt%, K2O 0~6wt%, Al2O3 0~4%의 조성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기헤드용 접합유리.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 고분자재료
폴리페닐렌 설파이드, 2,6-히드록시나프토산과 히드록시벤조산의 축합 또는 2,6-히드록시나프토산, 테레프탈산 및 아미노페놀의 축합으로 생성되는 열방정 액정 고분자 및 폴리설폰을 배합한 기계적 물성이 월등하게 향상된 현장 복합 성형품 제조용 조성물 및 그 성형품을 제공하는 것이다. 70중량%의 2,6-히드록시나프토산 및 30중량%의 히드록시벤조산의 축합물인 5-10중량% 열방성 액정 고분자, 60-80중량%의 폴리페닐렌 설파이드 및 15-30중량%의 폴리설폰으로 구성된다.285-290도에서는 용융 압출이, 또한 320-350도에서는 용융 사출 성형이 가능하며, 얻어진 성형품은 기존의 그성분계 복합 제품에 비해 기계적 강도가 월등히 개선된다.1. 60-80중량%의 폴리페닐렌 설파이드 5-10중량%의 열방성 액정 고분자 및 15-30중량%의 폴리설폴으로 이루어짐을 특징으로 하는 현장 액정 복합 제품 성형용 조성물.2. 제1항에 있어서, 열방성 액정 고분자가 70중량%의 2,6-히드록시나포토산 및 30중량%의 히드록시벤조산의 촉합물임을 특징으로 하는 조성물.3. 제2항에 있어서, 열방성 액정 고분자가 73중량%의 2,6-히드록시나포토산 및 27중량%의 히드록시벤조산의 축합물임을 특징으로 하는 조성물.4. 제1항에 있어서, 열방성 액정 고분자가 60중량%의 2,6-히드록시나포토산, 20중량%의 데레프탈산 및 20중량%의 아미노페놀의 축합물임을 특징으로 하는 조성물.5. 제1항에 있어서, 조성물이 285-290℃ 및 320-350℃에서 각각 용융 압출 및 용융 사출 성형이 가능한 것임을 특징으로 하는 조성물.6. 60-80중량%의 폴리페닐렌 설파이드, 5-10중량%의 열방성 액정 고분자 및 15-30중량%의 폴리설폰으로 이루어진 조성물을 사출성형하여 제조한 성형품.7. 60-80중량%의 폴리페닐렌 설파이드, 5-10중량%의 열방성 액정 고분자 및 15-30중량%의 폴리설폰으로 이루어진 조성물로부터 제조된 복합 섬유.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
저가의 니켈 또는 니켈합금을 내부전극으로 사용한 적층 자기 콘덴서용 유전체 자기로서 저산소분압의 환원분위기 소결후에도 높은 유전상수,낮은 유전손실 및 높은 절연저항이 유지되기 위한 것이다. Ba1-XSrXTi-Y-ZMTYZr2O3-Y로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물을 사용하여 제조한 유전체 시이트에 니켈전극 페이스트를 도포한 후 다수매 순차 적층하여 산소분압 10-Mpa 내지 10-8MPa 범위의 환원분위기에서 소결하는 것으로 이루어지되 0신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있고 내부전극으로 니켈이외의 철 또는 코발트를 사용하여 적층 자기 콘덴서를 제조하는 경우에도 니켈을 내부전극으로 사용하는 것과 동등한 특성과 효과를 나타낸다.1. 내부전극으로 니켈 또는 니켈 합금을 사용하여 저산소 분압의 환원분위기에서 소결함으로써 이루어지는 적층 자기 콘덴서를 제조하기 위한 아래의 식으로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물 : Ba(1-x)SrxTi(1-y-x)NiyZrzO(z-y)이때 0≤x≤0.2이고 0.005≤y≤0.1이고, 0≤z≤0.2이다.2. 아래의 식으로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물을 사용하여 제조한 유전체 시이트에 니켈전극 페이스트를 도포한 후 다수매 순차 적층하여 산소분압 1/10exp8MPa 내지 1/10exp8MPa범위의 환원 분위기에서 소결하는 것으로 이루어지는 적층 자기 콘덴서의 제조방법; Ba(1-x)SrxTi(1-y-z)NiyZrzO(z-y)이 때0≤x≤0.2이고, 0.005≤y≤0.1이고, 0≤z≤0.2이다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 고분자재료
아크릴로니트릴 중합체의 흡수물을 용융 압출하고 이를 열안정화시킴으로써 제조한, 내열성 및 내화학성이 우수한 새로운 펄프상의 아크릴 단섬유를 제공하는 것이다. 무게비로 70%이상의 아크릴로니트릴 및 무게비로 30%이하의 공중합 가능한 단량체로 이루어진, 아크릴로니트릴 단독 중합체 또는 공중합체에, 물을 혼합한 혼합물을 밀폐 하에서 수화 용융 온도 이상으로 가열하여 무정형 용융체를 만들고, 냉각시켜 과냉각 용융상을 얻은 다음, 상온 상압 중으로 압출시켜 X선 회질 패턴에서 섬유상 결정 구조와 70% 이상의 배향도를 나타내는 압출물을 얻고, 이 연속 압출물을 100도C 내지 180도C로 유지되고 압축력이 가해지는 롤러 사이를 인장하에서 통과시켜 건조 및 연신 처리를 행한 다음 열안정화를 시킨 후, 적당한 길이로 절단하여 구성한다. 제조원가가 크게 절감되고 공해문제도 자동 해결된다.1. 적어도 무게비로 70%이상의 아크릴로니트릴 및 무게비로 30%이하의 공중합 가능한 단량체로 이루어진, 절도 평균 분자량이 10,000 내지 500,000 사이인 아크릴로니트릴 단독 중합체 또는 공중합체에, 무게비로 5% 내지 100% 사이의 물을 혼합한 혼합물을 밀폐 하에서 시차 주사 열량계(DSC)로 관찰되는 수화 용융 온도 이상으로 가열하여 무정형 용융체를 만들고, 이를 용융 온도와 고화온도 사이의 온도로 냉각시켜 과냉각 용융상을 얻은 다음, 이것을 일자형 또는 원형의 압출구를 통해 상온 상압 중으로 압출시켜 물이 압출 방향으로 자동 제거되면서 고화되어 형성되는, 밀폐된 표면 내부에 물이 빠져나간 압출 방향의 긴 공간들과 미세 피브린 둘이 나란히 배열된 단면 구조를 가지며, X선 회절 패턴에서 섬유상 결정 구조와 70% 이상의 배향도를 나타내는 압출물을 얻고, 이 연속 압출물을 100℃ 내지 180℃로 유지되고 압축력이 가해지는 롤러 사이를 인장하에서 통과시켜 건조 및 연신 처리를 행한 다음 180℃ 내지 300℃의 온도에서 1분 내지 4시간 동안 열안정화를 시킨 후, 적당한 길이로 절단하고 비터로 고해하연 0.1㎛ 내지 50㎛의 굵기 분포와 1mm내지 20mm의 길이 분포를 가지고 있고, 200℃이하에서 열적 전이 온도가 관찰되지 않는 내열성과 상온의 디메틸포름아미드에 대한 용해도가 5% 이하인 내화학성을 나타내는 것을 특징으로 하는 내열성 펄프상 아크릴 단섬유.2. 제1항에 있어서, 아크릴로니트릴 단독 중합체 및 공중합체가 무게비로 85% 이상의 아크릴로니트릴과 무게비로 15% 이하의 공중합체 가능한 단량체를 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 내열성 펄프상 아크릴 단섬유.3. 제1항에 있어서, 아크릴로니트릴 단독 중합체 및 공중합체의 점도 평균 분자량이 50,000 내지 350,000 사이인 것을 특징으로 하는 내열성 펄프상 아크릴 단섬유.4. 제1항에 있어서, 혼합물이 중합체에 대하여 무게비로 10% 내지 50% 사이의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 내열성 펄프상 아크릴 단섬유.5. 제1항에 있어서, 열안정화 온도가 200℃ 내지 280℃이고, 열안정화 처리 시간이 10분 내지 3시간인 것을 특징으로 하는 내열성 펄프상 아크릴 단섬유.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기 변형이 작아 고주파수 영역에서 사용 가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금 특히 자심 재료로 사용하기에 적합한 Fe계 비정질 합금을 제공한다. Fe 78-85 원자%, Hf 6-9 원자%, B 9-13 원자%를 주성분으로 모합금을 진공 아크 용해법 또는 고주파 유도 가열법을 이용하여 용해시키고, 이 모합금을 석영관에 넣고 진공 및 불활성 기체 분위기를 유지할 수 있는 단롤형 용탕 급냉 장치를 이용하여 약 1-1.5 kg/cm2 압력의 아르곤 기체를 분사하고, 노즐을 통하여 약 37.5+-5 m/초의 선속도로 회전하는 구리제 냉각 롤의 표면에 용탕을 분사시켜 두께 20 마이크로미터의 비정질 합금 리본을 제조한 후, 이 비정질 합금 리본을 10^-4 torr이하의 진공중에서 퀴리 온도 이상 결정화 온도이하의 적정 온도에서 열처리시킨 후, 수냉시켜 비정질의 합금을 제조한다.1. Fe 78 내지 85원자%, Hf 6 내지 9원자% 및 B 9 내지 13원자%로 이루어진 모합금을 마련하고, 이 모합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고, 이것을 열처리한 후 냉각시키는 것을 특징으로 하는 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금의 제조 방법.2. Fe 78 내지 85원자%, Hf 5 내지 9원자% 및 B 9 내지 13원자%를 주성분으로 하는 Fe-Hf-B 3원자계 비정질 연자성 합금.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
(1※Y-Z)PB(MG1/3NB2/3)O3 + XPBTIO3 + YCAO + ZCUO 여기서, X=1~15MOL%, Y=0.1~2.0MOL%, Z=1~15MOL% 으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저온소성용 세라믹 유전체 조성물.1. 다음의 조성으로 이루어지는 저온소성용 세라믹 유전체 조성물 :여기서, x=0.01∼0.15, y=0.001∼0.02, z=0.01∼0.15m
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
MaTiO3계에서 MgO의 양을 조절하고 섭씨 1400도 이상의 고온에서 소결함으로써 마이크로파 주파수 영역에서 낮은 손실값을 갖도록 한다. <구성>95% 이상의 순도를 갖는 MgTiO3에 3-30몰%의 MgO와 0.01-0.5몰%의 CaO를 첨가한 혼합 조성물에 증류수를 붓고 우레탄 용기중에서 우레탄 볼을 사용하여 습식으로 혼합 및 분쇄한 슬러리를 섭씨 100도에서 24시간동안 건조한다. 건조된 혼합물을 섭씨 1200도의 대기중에서 2시간 하소하여 혼합물에 화학 반응이 일어나도록한 후, 하소된 혼합물을 다시 습식 분쇄하고 건조시켜 미립으로 만든 다음, 하소 분말에 유기 바인더로서 1주량 분율의 폴리비닐알콜을 넣고 입상화시켜 분류하여 분말을 제조한다. <효과>섭씨1400도 이상의 고온에서 소결함므로써 기공의 발생을 크게 줄이고 소결 밀도가 높은 상태에서 평균 입경을 크게 함으로써 입계와 기공에 의한 유전손실을 줄일 수 있다.1. 압전 세라믹스 입자를 압전 고분자내에 분산시켜 복합화한 압전 세라믹-고분자 복합재료에 있어서, 압전고분자로 PVdF를 매트릭스로 하여 최대 5중량%의 실란이 첨가된 PZT 압전 세라믹스 입자가 10∼60용량% 분산됨과 아울러최대 3용량%의 카본이 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 압전 세라막-고분자 복합재료.2.압전 세라믹스 입자를 압전 고분자 내에 분산시켜 복합화한 압전 세라믹-고분자 복합재료의 제조방법에 있어서, PZT 압전 세라믹스에 최대 5중량%의 실란을 알콜과 함께 첨가하여 PZT 입자의 표면에 실란이 코팅되도록 한 후,PVdF 압전 고분자에 10∼60용량%의 실란처리된 PZT와 최대 3용량%의 카본 미립자를 첨가하여 건식 혼합한 다음 압출 성형법으로 50∼300㎛ 두께의 쉬트형으로 성형함을 특징으로 하는 압전 세라막-고분자 복합재료의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 압출성형시의 온도는 210℃인 것을 특징으로 하는 압전 세라믹-고분자 복합재료의 제조방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 고주파용 유존체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300∼1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특성을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다. 이에 1mol의 ZnO와 2mol의 TiO2를 조합으로 하는 ZnTi2O5에서 Zn2+이온을 Ca2+, Ba2+, Sr2+중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]Ti2O5 이때, x = 0.001∼0.90 mol인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1mol의 TiO₂대해 ZnO를 0.04∼1.00mol까지 첨가한 TiO2-x(ZnO)에서 Zn2+이온을 Ca2+, Ba2+, Sr2+중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]TiO₃이때, X = 0.01∼0.90 mol인 본 발명을 제공함으로써 900∼1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화를 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.1. 다음 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물:TiO2-x(ZnO), 이때 0.04≤x≤1.002. 제1항에 있어서, Zn<2+> 이온을 Ca<2+>, Ba<2+>, Sr<2+>로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 이온으로 치환한 다음의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물:[Zn(1-y)(Ca,Ba,Sr)yO]xTiO3-x, 이 때, 0.04≤x≤1.00이고, 0＜y≤0.90.3. 산화아연 및 산화티타늄과, 칼슘 카보네이트, 바륨 카보네이트 및 스트론튬 카보네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 종을 다음 조성을 만족하도록 혼합하고, 습식 분쇄한 후, 하소하고, 900~1250℃에서 2~4시간 소성하는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물의 제조방법:[Zn(1-y)(Ca,Ba,Sr)yO]xTiO3-x, 이 때, 0.04≤x≤1.00이고, 0＜y≤0.90.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 하기 구조식(IIa)의 3관능성 메타크릴산 에스테르 및 그의 이성체로 이루어진 치과 수복 재료용 광경화성 수지 프리폴리머 및 그를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 피상기 프리폴리머, 광개시제 시스템 및 무기 충전제 등을 함유하는 치과용 수복 재료로 사용되는 광경과성 복합 수지 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 조성물로부터 제조된 광경화물은 감소된 수분 홉수성으로 인해 종래의 수복 재료보다 우수한 물리적 특성 및 심미성을 갖는다.1. 프리폴리머 총중량을 기준으로 하여 하기 구조식(2a)의 메타크릴산 에스테르 60 중량% 이상과 그의 이성체인 하기 구조식(2b)의 메타크릴산 에스테르의 잔량으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3 관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머.2. 하기 구조식 (1a), (1b) 및 (1c)의 메타크릴산 에스테르로 이루어진 2 관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머를 유기 아민의 존재하에 등몰량의 메타크릴로일 클로라이드와 반응시키는 것을 특징으로 하는, 제1항 기재의 하기 구조식(2a) 및 (2b)의 메타크릴산 에스테르로 이루어진 3관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머의 제조 방법.3. 조성물 총중량을 기준으로 하여 제1항에 기재된 3관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머 5 내지 50중량%, 광개시제 0.1 내지 5 중량%, 환원제 0.1 내지 5 중량%, 무기 충전제 50 내지 90 중량% 및 희석제 5 내지 30 중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 치과 수복 재료용 광경화성 조성물.4. 제3항에 있어서, 광개시제는 캄포르퀴논이고, 환원제는 N,N-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트이며, 무기 충전제는 실란 커플링제로 표면 처리되고 입자크기가 0.01 내지 10μm인 석영, 바륨 글래스, 실리카, 지르코니아/실리카, 알루미노 실리 케이트, 리튬 알루미노 실리케이트 또는 바륨 알루미노 실리케이트이고, 희석제는 메틸 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트(TEGDMA), 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 1-메틸-1,3-프로판디올 디메타크릴레이트 또는 1,6-비스(메타크릴로일옥시-2-에톡시카르보닐아미노)-2,2,4-트리메틸헥산인 것인 조성물.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명에 의한 전계방출표시소자(field emission display:FED) 및 그 제조방법은,기판 상에 소정 패턴의 식각마스크를 형성하는 공정과; 식각마스크를 이용하여 기판을 식각하여, 기판의 중앙 부분에는 끝이 뾰족한 V형 모양의 홈이 형성되고, 그 좌/우측 부분에는 밑면이 평평한 V형 모양의 홈이 형성된 구조의 실리콘 모울드를 형성한 후, 식각마스크를 제거하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성 박막을 증착하여 모울드 내를 채우는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하여, 기능성박막 재질의 기판 상에 스페이서와 마이크로-팁 어레이를 동시에 형성하는 공정으로 이루어져. 1) 스페이서 제조를 위한 별도의 공정이 불필요하고, 2) 실리콘 모울드의 깊이나 폭 등의 조절에 의해 스페이서의 높이나 폭 등을 임의로 조절할 수 있고, 3) 스페이서-팁간의 거리를 최소화할 수 있어 소자의 패키징 밀도(packaging density)를 높일 수 있으며, 4) 형광층이 형상된 유리기판과의 접합을 통하여 용이하게 표시소자를 제작할 수 있게 된다.1. 임의의 깊이를 갖는 홈이 형성된 반도체기판과; 상기 홈 밑면의 반도체기판에 형성된 n형 우물과; 상기 n형 우물 상에 형성된 에미터와; 홈이 형성되지 않은 상기 반도체기판 상에 형성된 절연막과; 상기 절연막위에 접합된 투명전극과; 상기 에미터 상측부에 배열되도록 투명전극 내측에 형성된 발광층 및; 상기 투명전극 상에 형성된 유리기판으로 이루어짐을 특징으로 하는 전계방출표시소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체기판은(110)기준면에 대해 수직방향으로 스트라이프 모양의 홈이 현속교번되도록 형성된 특징으로 하는 전계방출표시소자.3. 제 1항에 있어서, 상기 반도체기판은 서로 소정간격 이격되고 사각형상을 가지는 공동 모양의 홈이 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.4. 제 1항에 있어서, 상기 에미터는 서로 소정간격 이격되도록 배열된 금속 팁 어래이나 실리콘 팁 어래이 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.5. 제 1항에 있어서, 상기 에미터는 박막 또는 후막 형상을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.6. 제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 유리기판 내측에 형성된 투명전극은 반도체기판 내에 형성된 공동 모양의 홈 폭보다 넓은 폭을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.7. 반도체기판 상에 절연막을 증착하고 선택 식각하는 공정과; 상기 절연막 패턴을 마스크로 기판을 소정 깊이 삭각하여 상기 기판 일부가 드러나도록 홈을 형성하는 공정과;상기 홈 밑면에 n형 우물을 형성하는 공정 및; 투명전극과 발광층이 형성된 유리기판을 상기 반도체기판과 접합시키는 공정을 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.8.제 7항에 있어서, 상기 절연막은 반도체 기판의 (11)기준면에 대해 수직방향으로 스트라이프 형상을 가지도록 식각하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법9. 제 7항에 있어서, 상기 절연막은 상기 반도체기판 표면이 서로 분리된 사각형상으로 드러나도록 식각하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.10. 제 7항 또는 제 9항에 있어서, 상기 투명전극은 반도체기판 내에 형성된 공동 모양의 홈 폭보다 넓은 폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.11.제 7항에 있어서, 상기 반도체 기판은 절연막 패턴을 마스크로 결정 의존성 식각처리하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.12. 제 11항에 있어서, 상기 반도체기판은 EPW용액, KOH수용액 및, 하이드라진 수용액 중 선택된 어느 하나로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.13. 제 7항에 있어서, 상기 n형 우물상기 홈 밑면에 5가 불순물인 인이나 비소등을 이온주입 또는 확산하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.14. 제 7항에 있어서 상기 에미터는 습식식각을 이용하여 실리콘 팁 어래이나 금속팁 어래이 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.15. 제 7항에 있어서, 상기 에미터는 박막 혹은 후막 형상을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.16. 제 7항에 있어서, 상기 반도체기판과 유리기판의 접합 공정은 정전 열접합, 저온 융점 유리물질을 이용한 접합, 저온기판 접합 및, 폴리머 접합중 선택된 어느 한 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
<목적>고집적 반도체 소자의 제조 공정중 금속 배선의 형성에 관한 것으로 특히 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 맞은 저항의 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 것이다. <구성>반응 기체인 WF6-H2 반응계의 H2:WF6 의 분압비를 15:1 이상으로 유지하고 0.1-1 torr의 증착 압력으로 250-500 도의 증착 온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 한다. <효과>텅스텐 박박을 제조할 때 급속 열처리 등의 번거러운 공정을 배제한 채 사용되는 반응 기체의 분압비를 분압비를 일정 범위내로 유지하여 증착이 이루어져 낮은 비저항값을 나타내는 텅스텐 박막을 얻을 수 있다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF4-H2반응계의 H2:WF6의 분압비를 15:1이상으로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250-500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.2. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF6-SiH4-H2반응계의 SiH4:WF6의 분압비를 0.5~1.5:1로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250~500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
고주파 영역에서 실효 투자율이 높고 낮은 자심 손실을 갖는 저렴한 Fe계 비정질 합금을 제공한다. 고투자율 및 저자심 손실의 FeE계 비정질 연자성 합금은 조성식 Fe(x)Zr(y)B(z)M(w) (식 중, M은 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo이고, x,y,z 및 w는 각각 원자%로 76.5<=x<=82.5, 7<=y<=9, 10<=z<=13, 0.5<=w<=1.5이며, 단 x+y+z+w=100임)으로 나타내고; 76.5-82.5 원자%의 Fe, 7-9원자%의 Zr, 10-13 원자%의 B, 0.5-1.5원자% Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo을 주성분으로 하는 모합금을 마련하고, 이 모 합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고 이것을 용해합금의 퀴리 온도에서 결정화 온도 사이의 온도 범위로 열처리 한 후 냉각시켜 제조한다1. 다음 조성식, FexZryBxMw (식 중, M은 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 조는 Mo이고 x,y,z 및 w는 각각 원자%로 76.5≤x≤82.5, 7≤y≤9, 10≤z≤13, 0.5≤w≤1.5이며, 단 x+y+z+w=100임)으로 나타내는 고투자율 및 저자심 손실의 Fe계 비정질 연자성 합금.2. 76.5~82.5원자%의 Fe, 7~9원자%의 Zr, 10~13원자%의 B, 0.5~1.5원자%의 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo을 주성분으로 하는 모합금을 마련하고, 이 모합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고, 이것을 열처리한 후 냉각시키는 것을 특징으로 하는 Fe계 비정질 연자성 합금의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 열처리를 용해 합금의 퀴리 온도에서 결정화 온도 사이의 온도 범위에서 행하는 것인 Fe계 비정질 연자성 합금의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
종래의 용매법에 의한 다이아몬드의 합성시 존재하는 다이아몬드 형성 밀도의 제어 한계를 극복하여 고품위 다이아몬드 분립체의 크기와 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하도록 한 다이아몬드 합성 방법을 제공하는 데 발명의 목적을 두고 있다. 흑연판 사이사이에 적층 배열되는 용매 금속판을 서로 다른 두 종류의 금속 물질로 이루어진 복합 구조로 형성한 것으로 중간층의 상하면에 중간층과는 다른 금속 물질로 이루어지고 내부에 일정 크기(직경 10 마이크로미터-2 MM)의 구멍이 형성된 바깥층을 겹쳐지게 하여 흑연판 사이에 위치하는 복합 구조의 용매 금속판에서 바깥층의 외면이 흑연판과 직접 접촉하도록 하여 다이아몬드를 형성토록 함으로써 다이아몬드 분립체의 크기 및 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하며, 원하는 크기를 갖는 고품위의 다이아몬드를 소정의 형성 밀도로 제조할 수 있다. 이와 같이 중간층을 사이에 두고 다공성의 바깥층이 겹쳐진 복합 용매 금속판과 흑연판을 교대로 적층 배열한 다음 이를 고압 용기 중에 장입하여 고압을 가한 상태에서 고온으로 가열하게 되면 복합 용매 금속판의 구멍이 뚫린 부분에서는 두 종류의 용매 금속(중간층과 바깥층)과 탄소(흑연판)의 공정 반응에 의해 다른 부분보다 빨리 용해되고, 이에 따라 각 구멍 형성 부위에서 다이아몬드 결정의 성장이 일어나게 된다.1. 흑연판과 용매금속판을 교대로 적응배열하여 고온, 고압하에서 다이아몬드를 형성시키는 합성방법에 있어서, 용매금속판을 이중금속으로 이루어진 중간층과 내부에 통공이 형성된 양 바깥층이 겹쳐진 복합 용매 금속판을 구성하여 봉공형성부위에서의 우선적인 용해에 이은 다이아몬드의 형성이 이루어지도록 함으로써 다이아몬드의 형성밀도를 조절할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법.2. 제1항에 있어서, 바깥층에 형성된 통공의 직경은 10㎛~2mm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 2-알킬-2-옥사졸린 단량체를 출발물질로 히드록실기가 말단에 존재하는 일반식(I)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)을 제조한 후 여기에 락타이드 또는 글리콜라이드 등의 락톤계 고리 화합물과 공중합시킴으로써 신규한 일반식(II)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화 화합물의 블록 공중합체를 제조하는 새롭고도 진보된 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 블록 중합체는 인체, 동물 등의 체내에 삽입된 약물을 일정 시간마다 지속적으로 조절 방출하도록 조절할 수 있는 약물 조절 방출 재료로 이용되는 유용한 고분자 재료이다.상기식에 있어서, R은 메틸, 에틸 또는 프로필을 표시하며, n은 10∼100까지의 정수이고, m은 10∼200까지의 정수이며, R은 지방족 탄화수소로서 -CH2-, -CH(CH3)-. -CH2CH2-, -CH2CH(CH3)-, -CH2CH2CH(CH3)-, -(CH2)5-로 표시되며, R는 -CH2CH2CH2-로 표시되며,(추가) 평균 분자량이 1,000∼50,000 범위이다.1. 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체.일반식(Ⅱ)에 있어서, R은 메틸, 에틸 또는 프로필을 표시하며, n은 10~100까지의 정수이고, m은 10~200까지의 정수이며, R`은 -CH2-,-CH(CH3)-,-CH2CH2-,-CH2CH(CH3)-,CH2CH2C(CH3)-또는 -(CH2)5-로 표시되며, R″는 -CH2CH2CH2-로 표시되며, (추가)평균 분자량이 1,000~50,000범위이다.2. 2-알킬-2-옥사졸린 클로로벤젠 용매하에 중합하고 염기를 기하여 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)의 말단에 작용기를 갖는 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)블록을 제조하는 제 1공정과, 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)블록과 락톤계 고리 화합물을 공중합체시키는 제 2공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.상기 식에 있어서, R은 메틸, 에틸 또는 프로필을 표시하며, n은 10~100까지의 정수이고, m은 10~200까지의 정수이며, R`은 -CH2-,-CH(CH3)-,-CH2CH2-,-CH2CH(CH3)-,CH2CH2C(CH3)-또는 -(CH2)5-로 표시되며, R″는 -CH2CH2CH2-로 표시되며, (추가)평균 분자량이 1,000~50,000범위이다.3. 제 2항에 있어서, 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)의 알킬이 메틸, 에틸, 프로필기 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체에서 알킬이 메틸, 에틸, 프로필기 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.5. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 중합 개시제가 메틸-파리-토루엔설포네이트, 메틸 노실레이트, 벤질 클로라이드, 벤질 브로마이드, 메틸아이오다이드 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 신류한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.6. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 용매가 아세토니트릴을 사용하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.7. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 용매가 아세토니트릴을 사용하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.8. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 중합온도가 40~81℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.9. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 2~100시간인 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.10. 제 2항에 있어서, 제 2공정에서 락톤계 고리 화합물 단량체가 L형 락타이드, D형 락타이드, L형과 D형이 혼합된 라세미형 락타이드, ...-부티로락톤, ....-발레로락톤, 글라이콜라이드, 트리메틸렌 카르보네이트,...-카프로락톤 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.11. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 조성비가 1:0.05~1:10의 몰비로 이루어진 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.12. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 개환 중합용 촉매가 옥토산 주석 디부틸디메톡시 주석, 디에틸 아연, 디클로로 아연, 트리클로로 철, 트리클로로 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 트리이소프로폭시 알루미늄 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.13. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 클로로벤젠을 용매로 하는 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.14. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 50~137℃의 중합온도에서 반응시키
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은, 액상 소결시 생길 수 있는 성형체의 불균일한 수축을 없애고, 저비용으로 단순히 텅스텐 분말만을 사출 성형함으로써, 텅스텐 골격 구조 및 상기 골격 구조를 포함하는 텅스텐-구리 복합 재료를 제공하기 위하여, 크기가 2 내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9 이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm) 미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와; 상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계;로 이루어지는텅스텐 골격 구조의 제조 방법 및 상기 텅스텐 골격 구조를 이용한 텅스텐-구리 복합재료의 제조 방법을 제공한다.1.크기가 2내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9%이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm)%미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와;상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와;상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 텅스텐 골격 구조의 제조방법.2.크기가 2내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9%이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로0.06(600ppm)%미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와;상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와;상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 텅스텐 골격 구조를 1000~1500℃의 온도범위에서 0.5내지 5시간 동안 소결하여 15~40%기공도를 가지는 텅스텐 골격 구조를 제조하는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면위에 동판애를 올려놓고 1150~1250℃에서 2시간 이하 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 텅스텐-구리 복합재료의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 시료를 위치시키고, 진공조 내에 가스를 도입하여 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키고, 부(-)의 고전압 펄스를 시료에 가臼 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 고분자 시료의 표면에 주입되도록 하는 것이 특징인 고분자 소재의 표면 개질 방법 및 그를 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 따르면, 입사되는 이온의 에너지가 종래의 플라즈마를 이용한 고분자 표면 개질 방법에서의 이온 에너지보다 매우 높으므로 표면 개질 효율이 탁월하고 표면 이하 깊은 층까지 개질시 킬 수 있어 처리 후 시간에 따른 표면 특성 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 고분자 표면 개질 방법은 대면적의 시료를 단시간내에 용이하게 균일 처리할 수 있으며, 고전압 펄스를 조절하여 이온 에너지를 쉽게 변화시킬 수 있을 뿐 아니라 장치의 구조 또한 매우 단순화시키므로 대량 생산 장치에 유리하다.1. 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 소재를 위치시키는 단계, 진공조 내에 플라즈마원 가스를 도입하는 단계, 도입된 플라즈마원 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키는 단계, 펄스 전압이 -1kV내지 -20kV이고, 펄스-오프 시의 전압이 0V내지 -1kV이면, 펄스 폭이 1μsec내지 50μsec이고, 펄스 주파수가 10Hz내지 500kHz인 부(負)의 고전압 펄스를 상기 고분자 소재 시료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 상기 시료의 표면에 주입되도록 하는 단계로 이루어진 것이 특징인 고분자 소재의 표면 개질 방법.2.제 1항에 있어서, 고분자 소재 시료의 표면을 플라즈마원 가스로서의 질소, 산소,아르곤 일산화탄소, 헬륨 또는 그들의 혼합가스를 사용하여 처리함으로써 친수 특성을 향상시키는 것이 특징인 방법.3. 제 1항에 있어서, 고분자 소재 시료의 표면을 플라즈마원 가스로서의 메탄 또는 CF₄가스를 사용하여 처리함으로써 소수 특성을 향상시키는 것이 특징인 방법.4. 제 1항에 있어서, 플라즈마원 가스로서 상기 제2항 및 제 3항에 기재된 가스들의 혼합 가스르르 사용하거나 교대로 사용하여 고분자 소재 시료의 표면을 처리하는 것이 특징인 방법.5. 접지된 진공조(1)및 진공 펌프(2), 이 진공조 내에 가스를 도입하는 가스 도입 장치(3), 진공조 내에 시료를 지지하는 시료대(8), 시료에 가할 부(負)의 호전압 펄스를 발생시키는 고전압 펄스 발생 장치(9)로 이루어진 고분자 표면 개질용 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 시료대(8)의 고분자 시료 상면에만 플라즈마 이온이 대면적으로 균일하게 주입되도록 시료대가 플레이트 모양인 것이 특징인 고분자 표면 개질용 플라즈마 이온 주입 장치.6. 제 5항에 있어서, 플라즈마가 진공조 내의 안테나(5)와 RF전력 공급 장치(7)및 매칭 네트워크(6)에 의해 진공조 내에 도입된 가스로부터 발생되는 것이 특징인 장치.7. 제 5항에 있어서, 플라즈마가 시료에 대향하여 접지된 진공조의 내벽을 이용하여 시료에 고전압 펄스가 가해질 때 시료와 접지체 사이에 형성되는 강한 전기장에 의해 진공조 내에 도입된 가스로부터 발생되는 것이 특징인 장치.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
이중 모드의 고전압 펄스를 사용하는 플라즈마 이온 주입 장치와 이 장치를 이용한 물체의 표면개질방법이 제공된다.1. 접지된 진공조, 이 진공조 내에 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 형성하기 위한 수단, 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 전도성 시료대, 시료에 부(-)의 이중 모드 고전압 펄스를 가하기 위한 고전압 펄스 발생 장치, 및 상기 플라즈마 형성 수단을 사이에 두고 상기 시료대와 대향하여 위치하는 코팅원 및 이 코팅원의 전원 장치로 이루어진 것이 특징인 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치.2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 수단이 안테나인 것인 장치.3. 접지된 진공조, 이 진공조 내에 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 형성하기 위한 수단, 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 전도성 시료대, 시료에 이중 모드의 고전압 펄스를 가하기 위한 고전압 펄스 발생 장치, 및 상기 플라즈마 형성 수단을 사이에 두고 상기 시료대와 대향하여 위치하는 코팅원 및 이 코팅원의 전원 장치로 이루어진 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치의 시료대에 시료를 위치시키는 단계, 진공조 내에 주입 이온원을 도입하는 단계, 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 발생시키는 단계, 플라즈마 발생과는 별도로, 발생된 플라즈마 이온이 시료에 충돌하여 시료 표면에 이온을 주입시키기에 충분한 이온 에너지를 가지고 시료를 향해 가속되도록 시료에 부(-)의 이중 모드 고전압 펄스를 가하는 단계, 및 시료에 가해지는 고전압 펄스를 오프시켜 시료에 가해지는 전압을 단순 직류 전압으로 전환시키고 코팅원에 전원을 연결하여 이온 주입된 시료 표면에 코팅층을 형성하는 단계로 이루어진 것이 특징이 ㄴ물체의 표면 개질 방법.4. 제3항에 있어서, 상기 이중 모드의 고전압 펄스가 펄스 전압-10kV~-150kV, 펄스-오프시 전압 -50V~-10kV, 펄스폭 5μsec~50μsec 및 펄스 주파수 10Hz~1kHz를 갖는 것인 표면 개질 방법.5. 제3항에 있어서, 상기 코팅원이 전자빔원, 스퍼터원 또는 ECR 이온원인 표면 개질 방법.6. 제3항에 있어서, 질소 주입 이온원으로부터 질소 가스를, 탄소 주입 이온원으로서 메탄 가스가 사용되는 것인 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기