일반기술
재료 > 기타 재료
본 제품은 파일펀치만 있으면 손쉽게 제본하도록 만들었다.1. 제본한 서류를 추가 및 삭제할 수 있다.2. 기존 철 바인더로는 제본이 어려운 13센티미터 이상의 서류도 제본을 할 수 있다.3. 남은 밴드를 계속 사용할 수 있도록하여 소비자에게 경제적이다.4. 재활용 가능.5. 현재 시제품 생산중이며 OEM방식에 의해 사업화를 희망하고 있음.6. 현재 특허 출원 중으로 기술평가 신청 고려 중._________________________1. 화스너의 몸체의 양측에 끼움구멍과 경사방향이 반대인 톱니이빨을 형성 : 화스너의 몸체와 Tie의 톱니이빨을 서로 이맞춤시키고 화스너 몸체를 위아래 같이 사용하기 위해 양측에 톱니이빨이 형성.2. 화스너의 몸체의 중간 좁은 부분을 따라 양쪽 넓은 부분으로 화스너의 몸체 아래쪽에 형성 : 서류 추가 삭제시 화스너 ㄷ 자형의 이동을 자유롭게 하기위해3. Tie양면에는 경사방향이 서로반대인 톱니이빨을 형성 : 하나의 화스너의 몸체로 위아래 같이 사용하고, 제본 후 남은 Tie는 재사용.4. 화스너 ㄷ 자형에 안내턱이 형성 : 화스너 몸체 중간 부분에 화스너 ㄷ 자형을 끼워 화스너 ㄷ 자형의 안내턱을 화스너 몸체의 안내부를 따라 이동시켜 화스너 몸체와 Tie를 고정시키기 위해5.Cap 안에 안내구멍에 걸림이빨이 형성 : 밴드의 양면의 톱니이빨을 고정시키기 위해본 제품은 파일펀치만 있으면 손쉽게 제본하도록 만들었다.1. 제본한 서류를 추가 및 삭제할 수 있다.2. 기존 철 바인더로는 제본이 어려운 13센티미터 이상의 서류도 제본을 할 수 있다.3. 남은 밴드를 계속 사용할 수 있도록하여 소비자에게 경제적이다.4. 재활용 가능.5. 현재 시제품 생산중이며 OEM방식에 의해 사업화를 희망하고 있음.6. 현재 특허 출원 중으로 기술평가 신청 고려 중._________________________1. 화스너의 몸체의 양측에 끼움구멍과 경사방향이 반대인 톱니이빨을 형성 : 화스너의 몸체와 Tie의 톱니이빨을 서로 이맞춤시키고 화스너 몸체를 위아래 같이 사용하기 위해 양측에 톱니이빨이 형성.2. 화스너의 몸체의 중간 좁은 부분을 따라 양쪽 넓은 부분으로 화스너의 몸체 아래쪽에 형성 : 서류 추가 삭제시 화스너 ㄷ 자형의 이동을 자유롭게 하기위해3. Tie양면에는 경사방향이 서로반대인 톱니이빨을 형성 : 하나의 화스너의 몸체로 위아래 같이 사용하고, 제본 후 남은 Tie는 재사용.4. 화스너 ㄷ 자형에 안내턱이 형성 : 화스너 몸체 중간 부분에 화스너 ㄷ 자형을 끼워 화스너 ㄷ 자형의 안내턱을 화스너 몸체의 안내부를 따라 이동시켜 화스너 몸체와 Tie를 고정시키기 위해5.Cap 안에 안내구멍에 걸림이빨이 형성 : 밴드의 양면의 톱니이빨을 고정시키기 위해
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- 한국발명진흥회
- 등록일
- 2004-05-25
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일반기술
재료 > 기타 재료
본 발명은 칩 접합방법에 관한 것으로, 융점이 서로 다른 솔더범프 간, 또는 솔더범프와 금속범프 간의 상호확산을 통해 조성의 변화를 가져와 두 범프의 융점 이하의 온도에서 부분적인 용융반응에 의해 칩을 기판(또는, 다른 칩)에 접합시킴으로써 공정온도와 접합하중(압력)을 낮추어 신뢰성있는 칩 접합부를 형성할 수 있는 방법이 개시된다. 솔더범프를 이용하여 저온에서 저하중의 공정으로 칩을 접합하는 기술원천기술로서 광범위한 정보디스플레이기기의 적용 가능 공정의 용이하며 전기적, 기계적 특성이 우수한 저가격 기술【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 상기에서 설명한 종래기술에 따른 플립 칩 접합기술들에서 발생되는 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 특히 종래기술에 따른 플립 칩 접합기술들에서 필수 불가결하게 접합공정에서 적용하고 있는 고온 및 고하중(고압력)의 공정조건에 의해 발생되는 칩 접합의 신뢰성의 저하를 개선시키는데 그 목적이 있다. 또한, 본 발명은 솔더범프를 이용한 금속학적인 접합방법을 개선하여 솔더범프 및/또는 금속범프 간의 상호확산을 통해 조성의 변화를 가져와 두 범프의 융점 이하의 온도에서 부분적인 용융반응에 의해 칩을 기판에 접합시킴으로써 종래기술에 비해 공정온도와 접합하중(압력)을 낮추어 신뢰성있는 칩 접합방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 기타 재료
본 발명은 화학기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 형성되는 나노토포그라피(nanotopography)의 효과를 보상할 수 있는 슬러리 조성물과 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법에 관한 것이다.화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)는 가압된 웨이퍼와 연마패드 사이에 존재하는 연마제에 의한 기계적인 가공과 슬러리의 케미컬에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 반도체 가공기술의 한 분야로서, 서브마이크론 스케일의 반도체 칩의 제조에 있어서 광역평탄화(Global Planarization) 기술의 필수 공정으로 자리잡고 있다.슬러리 조성물을 사용하여 반도체소자의 표면을 평탄화하는 방법을 제공하는 데【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 표면에 존재하는 나노토포그라피 효과를 최대로 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 상기 본 발명의 슬러리 조성물을 사용하여 반도체소자의 표면을 평탄화하는 방법을 제공하는 데 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 기타 재료
【요약】본 발명은 잉크 경화식 인쇄 방법 및 이를 이용하여 제작된 컬러 필터에 관한 것으로서, 기판에 컬러 필터의 R, G, B컬러 패턴 등을 정밀하게 인쇄할 수 있는 인쇄 방법 및 이를 이용한 컬러 필터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 전술된 본 발명의 목적을 달성하기 위한 인쇄 방법은, 주형을 마련하는 단계, 상기 주형의 오목면에 잉크를 도포하는 단계, 상기 주형에 도포된 잉크를 기판에 전사 및 경화시키는 단계, 상기 주형을 기판에서 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명은 마이크로 트랜스퍼 몰딩방법을 이용하여 LCD용 칼라필터의 제조방법에 대한 것이다. 기존에 칼라필터는 고가의 장비와 까다로운 조작 조건 등을 요하는 광식각(photolithography) 방식에 의하여 제조해 왔으나 본 발명의 몰딩 공정을 이용하면 저비용으로 칼라패턴의 제작이 가능하다.대용량 칼라필터의 구현이 가능.제작이 간단하다.제작 단가가 낮다.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명의 목적은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에 컬러 필터의 R, G, B컬러 패턴 등을 정밀하게 인쇄할 수 있는 인쇄 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 기존에 알려진 컬러 필터의 복잡한 제조 방식에서 탈피하여 간단한 제조 공정에 의하여 저가로 패턴의 형성을 가능하게 하는 방식을 제공하고, 이 방식을 이용하여 제조한 컬러 필터를 제공하는 것이다.
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- 한양대학교
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- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 기타 재료
본 발명은 금속산화물을 전기화학적으로 환원처리함으로써 입자성장이 억제된 나노금속분말을 환경친화적으로 얻을 수 있는 나노금속분말의 제조방법에 관한 것으로서, 금속산화물 분말을 준비하는 시료준비단계와; 환원제가 용해된 수용액이 담겨진 반응조 내에서, 상기 금속산화물과 음극전극을 직접 접촉시킨 후, 상기 반응조에 전압을 인가하여 상기 금속산화물 분말을 환원반응시키는 환원단계와; 상기 환원단계에서 얻어진 수득물을 여과 및 건조하는 건조단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.전기화학을 이용하여 환경친화적으로 나노금속분말을 제조기존 공정의 단점들을 보완한 공정이며 다양한 응용가능성을 가지고 있다【발명의 구성】상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기화학적 환원에 의한 나노금속분말의 제조방법은, 금속산화물 분말을 준비하는 시료준비단계와; 환원제가 용해된 수용액이 담겨진 반응조 내에서, 상기 금속산화물과 음극전극을 직접 접촉시킨 후, 상기 반응조에 전압을 인가하여 상기 금속산화물 분말을 환원반응시키는 단계와; 상기 환원단계에서 얻어진 수득물을 여과 및 건조시키는 건조단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.여기에서, 상기 음극전극은 상기 금속산화물 분말에 의해 전체적으로 덮여진 상태로 유지되는 것이 바람직한데, 그 이유는, 음극전극이 수용액에 직접적으로 노출될 경우 음극전극면에 발생하는 기공에 의해 금속산화물이 날려서 환원반응이 제대로 이루어지지 않기 때문이다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 기타 재료 공정기술
본 발명은 세리아 슬러리와 폴리머타입과 모노머타입을 혼합 합성하여 2가지 이상의 관능기를 가지는 화학적 첨가제를 포함하는 CMP용 연마제에 관한 것이고, 또한 본 발명은 세리아 슬러리를 준비하는 단계, 폴리머타입 물질과 모노머타입 물질을 반응기에서 혼합하고 합성하여 2가지 이상의 관능기를 가지는 합성물로서 화학적 첨가제를 제조하는 단계, 및 상기 슬러리와 상기 화학적 첨가제를 혼합하는 단계를 포함하는 CMP용 연마제의 제조 방법에 관한 것이다. 이로써, 본 발명의 연마제를 STI CMP용 연마제로서 사용할 경우, 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에 대한 적용이 가능하고, 또한, 본 발명에 의한 CMP용 연마제는 연마율(Removal rate), 연마 선택비, 및 면내 불균일성(WIWNU)이 우수하며, 마이크로-스크래취를 최소화하는 효과가 있다.다양한 디자인룰에 적용이 가능하고 산화막과 질화막에 대한 연마율비가 크며 디싱 및 잔류 입자제어에 탁월한 성능을 가짐【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 고려하여, 종래 기술에 속하는 공지된 여러 분산장비 및 분산기술을 적정하게 운용하여 0.25㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 화학적 기계적 연마공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리의 구체적인 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 상기에서 제조된 슬러리에 화학적 첨가제를 혼합하여 고선택비의 연마특성을 가져 다양한 패턴에 적용이 가능하고, 최근까지도 규격이 명확하게 설정되어있지 않으면서 CMP 공정후 반도체 제조공정에 가장 치명적인 마이크로-스크래취를 억제하기 위한 CMP용 연마제 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
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- 한양대학교
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- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 화학·환경기능재료
본 발명은 금속 분말을 이용한 양자점 형성방법에 관한 것으로서, (a) 금속 분말을 절연전구체 용액과 교반하여 반응시키는 단계; (b) 상기 금속 분말이 용해된 절연전구체 용액을 원하는 모양으로 형성하는 단계; 및 (c) 원하는 모양으로 금속 분말이 용해된 절연체전구체를 단계적으로 최고온도가 200℃ 내지 500℃가 되도록 열처리하여 절연체내에 금속산화물 양자점을 형성하는 단계; 를 포함한다. 바람직하게는 상기 절연체 전구체는 구리, 아연, 주석, 코발트, 철, 카드늄,납, 마그네슘, 베륨, 몰리브덴, 인듐, 니켈, 텅스텐, 비스무트, 은 으로 이루어지는 금속분말과 이들의 합금을 특징으로 하는 양자점 형성 방법이다.바람직하게는 상기 절연체전구체는 금속을 용해할수 있는 산성 전구체로 한다. 바람직하게는 상기 (b) 단계 이후에 금속 분말이 용해된 절연체 전구체 교반된 용액이 도포된 기판을 80℃ 내지 150℃로 중간 열처리를 수행하는 단계를 더 포함한다.공정의 용이하며 원천기술로서 응용 가능성이 높음【발명이 이루고자하는 기술적 과제】 본 발명의 목적은, 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기존 기술과 비교할 때 공정단계가 간단하여 경제적으로 양자점을 형성 하고자 하는 것으로 금속 박막을 형성할 필요가 없으며 액체상에서 도포가 가능하므로 스핀코팅(Spin coating), 스프레이(Spray), 캐스팅(casting) 등의 방법을 통해 양자점을 포함하는 재료를 원하는 형상으로 제조 가능하며 동시에 대면적에 도포가 가능하다. 또한 평평한 기판 이외에 굴곡이 있는 면 뿐만 아니라 제팅(jetting), 디스펜싱(dispencing) 방법 등을 이용하면 선택된 부분만 양자점 형성이 가능하다.본 발명의 또 다른 목적은, 열처리 조건, 용매의 비율, 금속 분말의 양을 조절하여 생성되어지는 나노 입자의 크기와 밀도를 제어함에도 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 금속 분말의 양 조절, 용매의 종류와 양을 조절, 미리 금속분말과 전구체를 반응시키는 방법들에 의하여 생성되는 양자점들의 밀도를 제어함에도 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 용이하게 극미세 및 균일한 양자점을 형성함에도 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 기술은 경수로 원자력 발전소의 핵연료 피복관 재료로 쓰이는 보호성 산화피막 형성을 통한 내 부식성이 향상된 지르코늄 신 합금이다. 본 기술의 우수한 부식 저항성을 갖는 지르코늄 합금은:1) 두께 0.5 μm의 지르코늄 산화 피막(ZrO2)을 700℃에서 형성한 Zr로 이루어진 합금계, 2) 두께 1.0 μm의 지르코늄 산화 피막(ZrO2)을 700℃에서 형성한 Zr로 이루어진 합금계, 3) 두께 1.3 μm의 지르코늄 산화 피막(ZrO2)을 700℃에서 형성한 Zr로 이루어진 합금계, 4) 두께 2.3 μm의 지르코늄 산화 피막(ZrO2)을 700℃에서 형성한 Zr로 이루어진 합금계,5) 두께 2.5 μm의 지르코늄 산화 피막(ZrO2)을 700℃에서 형성한 Zr로 이루어진 합금계,6) 두께 3.7 μm의 지르코늄 산화 피막(ZrO2)을 1100℃에서 형성한 Zr로 이루어진 합금계의 여섯 종류이다. 기존 상용 피복관용 지르코늄 합금에 대하여 700-1100 ℃의 온도범위에서 보호성 산화피막을 형성함으로써 내부식성이 향상된 신 합금을 제조하는 것을 발명의 요지로 한다. 기존에 시도되지 않았던 보호 산화피막을 피복관용 지르코늄 합금에 형성하여 내부식 성능을 향상하였다. 본 기술의 피복관은 핵연료를 수용하기 위한 신장된 중공의 금속성 관으로, 상기 금속성 관은 지르코늄 합금재이며, 지르코늄 합금재관의 외측면에는 두께 0.5~3.7㎛의 지르코늄 산화피막이 형성되는 것을 포함하여 구성된다. 또한, 본 기술의 피복관 제조방법은 지르코늄 합금재의 중공의 튜브형인 핵연료 피복관을 산화성 분위기의 650~1100℃에서 열처리하여 피복관의 외측면에 두께 0.5~3.7㎛의 산화피막을 형성하는 것이다. 지르코늄 합금은 활성이 강한 금속이므로 공기 또는 물의 존재하에서 표면에 산화피막이 형성된다. 따라서, 원자로내 약 350℃ 가압수의 환경에서 지르코늄 합금의 피복관에는 자연적으로 산화피막이 형성된다. 그러나, 원자로내에서 피복관의 사용중에 피복관의 외측면에 형성된 산화피막은 내식성이 떨어지고 부식진행이 현저하게 되면서 산화피막의 박리가 일어난다. 따라서, 피복관의 내부식성 측면에서 그 외측면에서의 산화피막의 형성은 긍정적으로 보고 있지 않다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2004-06-11
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일반기술
재료 > 기타 재료
본 발명은 비정질 실리콘 TFT-LCD array 기판에 소스와 연결되어 있는 데이터 라인과 드레인과 연결 되어 있는 ITO 공통 전극을 통해 전압을 인가하면서 열처리를 하는 전계 유도 방향성 결정화를 통한 다결정 실리콘 TFT-LCD array 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 현재 양산 중에 있는 비정질 LCD 공정 중에 나노 두께의 금속층이 소스 및 드레인에 선택적으로 증착하는 추가 공정을 도입하여 소스와 연결 되어 있는 데이터 라인과 드레인과 연결 되어 있는 ITO 공통전극 라인을 이용하여 양단에 전기장을 형성시키면서 동시에 열적 어닐링을 수행하여 다결정 실리콘 TFT-LCD array 기판을 제작함으로써, 종래의 다결정 실리콘 박막 제조방법에 비해 비정질 실리콘 TFT-LCD 기술과 친화적이므로 수율이 높아지고 원가가 절감되는 효과를 기대 할 수 있을 것이다. 또한 나노 제어 기술 및 전계인가를 통해 원하는 형태와 크기의 결정질 실리콘을 형성할 수 있고, 또한 공정 시간을 단축하여 양산 공정에 응용 시 기존의 비정질 실리콘 및 금속을 이용한 다른 결정화 방법보다 높은 전계 효과와 이동도를 가지고 있어 빠른 응답속도와 고해상도의 구현이 가능하도록 하는 다결정 실리콘 TFT-LCD array 기판 제조방법에 관한 것이다.다결정 실리콘막을 형성하기 위해 상용화된 비정질 실리콘 TFT에 공통전극을 통한 전기장을 인가하면서 열처리 시행.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】 본 발명은 한국출원 10-1998-0036208의 개량 발명으로서, 종래의 기술에 대한 문제점을 해결 할 수 있는 비정질 실리콘 TFT를 현재 상용중인 양산 공정에 적용하여 다결정 실리콘 TFT를 제조하고자 한다. 또한, 전계를 인가할 전극을 따로 형성하지 않고 기존 공정뿐만 아니라 양산 공정에 있어 신호배선 설계 및 화소전극과 축적용량 설계 시 소스 및 드레인 영역에 선택적으로 금속 증착 공저을 도입하여 공통으로 묶여있는 데이터 라인 및 투명 전도막인 ITO(indium tin oxide)를 이용하여 (+)와 (-)전압을 인가하여 열처리와 동시에 채널지역을 비정질 실리콘을 측면 결정화 빠르게 진행할 수 있는 방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 N형, P형, CMOS형태의 TFT를 제작하기 위하여 효과적으로 사용될 수 있다. 따라서 본 발명은 기존 양산공정에 사용되는 비정질 실리콘 TFT; Top Gate 구조, Bottom Gate 구조뿐만 아니라 어떠한 형태의 TFT 구조에 적용가능함을 제공하고자 한다. 또한 새로운 마스크 설계를 하여 전압을 소스 및 드레인에 직접 인가하는 방식의 TFT 제조에 적용하고자 한다. 한국특허 제232100호 및 출원 10-1998-0036208은 대면적에 적용 시 전계 분포에 의한 고르지 않은 결정화 거동이 초래되는 바, 따라서 본 발명은 종래 방법에 비해 직접접촉의 전계 효과와 열처리를 이용해 보다 나은 원하는 형태와 크기의 결정질 실리콘을 형성하는 효과뿐만 아니라 이로써 제작된 다결정 실리콘 TFT가 다른 결정화 방법보다 높은 전계 효과와 이동도를 가지고 있어 빠른 응답속도와 고해상도의 구현이 가능한 개선된 다결정 실리콘 TFT를 제공하는데 그 목적이 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 기술은 패턴화된 제올라이트층을 포함하는 제올라이트-기질 복합체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 복합체에 관한 것이다.① 표면에 히드록실기를 가지는 셀룰로오스, 면(cotton), 대마(hemp), 아마(linen) 등과 같은 천연 섬유를 기질로 사용하여 ② 전술한 기질을 히드록실기 상태대로 사용하거나 또는 유기 연결화합물을 이용해 기질 표면을 변형시키고 ③ 제올라이트 및 유사 다공성 분자체를 공유, 이온 및/ 또는 배위 결합의 형태로 단층 또는 다층으로 접합시킨 복합체의 제조방법을 제공한다.본 기술은 기질 및 분자체 말단에 기능기를 변형시킴으로써 접합시키는 방법에 다양성을 줄 수 있으며, 다양한 기질에 제올라이트 입자들을 화학결합을 통해 단단하게 결합시키면 산업적으로 다양한 유용성을 가지며, 또한 분자체 입자가 기질에 대해 일정한 배향을 가지도록 조절하게 되면, 이는 신소재 분야에서 획기적인 발전을 기대할 수 있다. 본 기술 분야는 석유화학 산업에서 원유의 크래킹 촉매로서 널리 사용되고 있으며, 탈수건조제, 흡착제, 기체정화제, 이온교환제, 세제첨가제, 토양개량제 등에 광범위하게 이용되고 있다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2004-06-22
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 기술은 제올라이트 또는 유사분자체의 패턴화된 단층 또는 다층 복합체 및 제조방법에 관한 것이다. 표면에 히드록시기를 가지는 물질, 타올기 또는 아미노기와 반응할 수 있는 금속, 그리고 반응성 관능기를 갖는 고분자 중합체로부터 선택된 기질을 사용하여 기질 표면에 연결화합물을 결합한 후 자외선을 선택적으로 조사하거나, 기질 표면의 일부에 연결화합물 또는 옥타데실트리클로로실란과 같은 차폐화합물을 선택적으로 도포하거나, 또는 기질 표면의 일부에 백금과 같은 금속을 증착법에 선택적으로 도포한 후 연결화합물을 결합시킴으로써 연결화합물의 패턴을 기질 표면에 주형하고 및 상기 패턴을 따라 제올라이트 또는 유사분자체를 선텍적으로 결합시키는 것으로 구성된 패턴화된 단층 또는 다층 복합체의 제조방법 및 이렇게 제조된 복합체에 관한 것이다.필요에 따라 패턴의 형태, 다층막에서 각층의 패턴 형태 및 패턴을 구성하는 분자체 유형의 조절 및 변형이 가능하며, 따라서 분자체 입자들이 패턴을 형성함으로 인해 나타나는 새로운 물성을 기대할 수 있다. 제올라이트와 같은 다공성 분자체들이 화학결합을 통하여 단층막 및 다층막으로 패턴화된 복합체를 제조할 수 있으며 또한 기질 및 분자체 말단에 기능기를 변형시킴으로써 접합시키는 방법에 다양성을 줄 수 있기 때문에 실용성 측면에서 유리하다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2004-06-22
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일반기술
재료 > 특수기능재료
본 기술은 산화철, 희토류계 합금분말 및 수지가 함유된 액상의 자력물질을 얇게 다수번 도포하는 방법으로 다양한 두께, 길이 및 폭을 가지고 유연성이 있는 박막형 희토류계 수지자석을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 산화철 분말, 희토류계 금속분말 및 액상 합성수지가 함유된 액상 자력물질을 교반기에서 혼합시키는 과정, 혼합된 액상 자력물질을 도메인 마다의 비율이 일정하도록 믹싱하는 과정, 믹싱된 액상 자력물질의 자화방향을 정렬시키기 위한 전자석 투과과정, 액상 자력물질을 롤러를 이용하여 리랩스 페이퍼 (relapse paper,120)에 수회 도포시키는 과정, 각각의 도포 과정 후 소정 온도에서 숙성하여 경화시키는 과정, 도포 및 숙성 경화과정을 최종 거친 고상 자력물질을 상기 리랩스 페이퍼(relapse paper,120)로 부터 박리하는 과정, 박리과정을 마친 박막형의 고상 자력물질에 착자 시키는 과정을 거쳐 제조된다.- 본 기술에 따른 박막형 희토류계 수지자석은 혼합하는 희토류계 금속분말의 성질에 따라 용도에 적합한 자속밀도를 가지는 수지자석을 다양하게 제조하는 효과가 있음- 희토류계 수지자석은, 도포과정의 회수에 따라 다양한 두께, 길이 및 폭을 가지는 자석을 제작할 수 있음- 제작된 박막형 희토류계 수지자석은 유연성을 가지므로 화분을 감싸거나 수분이 공급되는 파이프를 감싸므로써, 식물 성장을 촉진하는 효과가 있음-자석을 절단하여 다양한 용도로 사용되는 효과가 또한 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 응고·주조기술
본 기술은 중공튜브의 내외면에 헬리컬방향의 핀이 부착된 중공튜브를 가공하기 위해서 압출가공과 전조가공을 복합한 소성가공법인 압출전조가공방법과 전기의 가공방법에 소재를 연속적으로 공급할 수 있는 연속압출가공방법에 관한 것이다. 본 기술은 헬리컬핀을 가진 중공튜브를 압출가공하기 위하여 기존의 압출기와는 달리 평금형형태의 고정된 압출다이를 사용하는 대신에 회전하는 경사형압출다이, 고정된 직선형멘드렐를 사용하는 대신에 회전하는 경사형멘드렐, 사용되는 소재의 형태에 따른 콘테이너의 특수한 구조, 사용되는 소재를 연속적으로 공급하는 소재공급장치, 경사형압출다이와 경사형멘드렐의 경사면 표면상의 비틀어진 헬리컬치형의 구조와 같은 방향의 같은 속도로 회전하는 경사형압출다이와 경사형멘드렐의 회전작동으로써 중공튜브내외면 또는 외면에 또는 내면에 헬리컬방향의 핀을 가진 중공튜브를 제조하는 압출전조가공장치와 압출전조가공방법이다.- 기존의 압출기의 구성요소인 압출다이와 멘드렐의 형상과 달리 경사형압출다이와 경사형멘드렐로 바꾸고 그 경사면의 표면형상을 비틀어진 헬리컬치형으로 구성하여 경사형압출다이와 경사형멘드렐이 회전하면서 중공튜브의 내외표면에 높은 헬리컬핀을 형성하며 또한 중실환봉의 외부표면에 높은 헬리컬핀을 형성할 수 있음- 압출가공을 통하여 미세한 튜브에 얇고 높은 핀을 가공 할 수 있어 고효율 미세전열관의 가공이 가능하여 열발생이 많은 미세한 정밀기계의 냉각부품 또는 열발생 초정밀 전자제품의 냉각장치에도 활용될 수 있음- 경사형압출다이의 헬리컬치형과 경사형멘드렐의 헬리컬치형의 조합으로 내외면상에 헬리컬핀이 동시에 부착된 중공튜브와 원주방향으로 주름진 형태 즉 벨로즈형의 주름관을 압출가공으로 가공할 수 있을 뿐아니라 중실환봉의 외부표면에 헬리컬 인볼루트 치형을 가공할 수 있어 헬리컬치차를 만들 수 있음- 압출제품의 단면이 나선형인 제품을 열간금속 압출전조기를 통해 가공하게되면 추가적인 전조가공이 없이도 임의 단면형상의 헬리컬핀을 가진 제품을 압출가공할 수 있음- 경사형멘드렐을 회전시킴과 동시에 코일형 빌렛을 연속적으로 공급하기 위하여 와이어빌렛공급부에서 공급된 가열된 와이어빌렛을 코일형빌렛성형부에서 코일형빌렛으로 성형한 다음 한 개의 구멍을 가지고 있는 콘테이너 구멍의 내면과 코일형빌렛 압출스크류사이의 소재공급부에 연속적으로 삽입하여 코일형빌렛 압출스크류에 연결된 압출스크류 회전구동부의 회전력에 의해 전기의 코일형빌렛를 연속적으로 공급할 수 있도록 함으로써 압출가공의 생산성향상에 기여 할 수 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 원료제조 공정기술
본 기술은 금속압출가공중 발생하는 굽힘원리를 이용하여 금속굽힘가공이 가능한 금속압출굽힘기에 관한 것이다. 종래의 회전굽힘가공에 의한 굽힘가공의 한계를 들면 이형재 단면형상을 굽힐 때 발생하는 단면형상의 변화 및 얇은 곡관의 굽힘가공시에 발생하는 주름발생 및 접힘발생, 두께 및 비틀림발생등이 있다. 본 기술의 열간금속압출굽힘기는 동기형유압실린더, 동기형램크로스헤드, 가변속도유압실린더, 가변속도램크로스헤드, 다구멍가열콘테이너홀더, 다이홀더, 지지대, 펀치상대속도조절장치, 유압장치와, 다지형펀치, 가변속도펀치, 다구멍콘테이너, 경사형다이, 경사형프러그로 구성된다.- 본 기술은 임의의 단면을 가진 금속봉이나 금속관을 압출가공과 동시에 굽힘이 발생하도록 하는 새로운 열간금속압출굽힘기임- 단면의 변화와 표면의 주름이 없는 금속곡봉이나 금속곡관을 제조할 수 있음- 압출굽힘기에서 각각의 압출펀치의 상대속도의 조절을 통하여 압출제품의 곡률 및 굽힘방향의 조절이 가능하게 하여 다양한 단면을 가진 압출제품의 곡선화가 가능하여 응용할 수 있음- 본 기술은 압축가공과 굽힘가공을 동시에 가능하게 하여 일반적인 회전굽힘가공기로써, 가공할 때 생기는 제품상의 결점을 획기적으로 개선할 수 있음.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 응고·주조기술
본 기술은 임의 단면형상으로서 일정한 각도로 휘어진 중공상태의 곡관이나 곡봉 및 내외면에 다수의 핀을 가지는 다양한 형상과 모양의 곡관과 곡봉을 압출굽힘가공에 의하여 매우 간단하게 제조하는 임의의 단면형상을 가진 금속곡관 및 금속곡봉의 제조장치에 관한 것이다. 본 기술은 사각단면을 가진 곡관의 제조장치를 일부 절개하여 분해한 본 발명의 실시예로서 한개 이상의 펀치로 이루어지는 압출펀치, 한개 이상의 가열된 환봉소재, 전기 환봉소재가 삽입되는 한개 이상의 구멍과 상부는 원통형이면서 하부는 압출할 임의의 단면형상을 가진 경사형 프러그를 일체로 부착시킨 한개 이상의 구멍을 가진 콘테이너, 전기 경사형 프러그가 삽입되는 경사형 중공을 가지고 입구측의 중공단면 중심과 출구측의 중공단면 중심이 편심으로 형성된 압출굽힘금형으로 구성된다.- 본 기술은 한번의 압출가공으로 곡관과 곡봉을 제작할 수 있으므로 생산원가가 대폭 절감되며 또 금속소성가공법의 종류인 압출가공과 굽힘가공을 동시에 할 수 있어 생산성 향상에 크게 기여할 수 있음- 단면형상이 전혀 변화되지 않고 표면에 주름이 없는 정밀성이 요구되는 곡관의 제작이 가능함- 다양한 단면형상을 비롯하여 내외부 표면에 돌출핀이 있는 곡관이 가능- 다양한 단면형상을 비롯하여 내외부 표면에 돌출핀이 있는 곡판까지 한번의 압출가공으로 단면형상이 일정한 정밀한 제품을 가공할 수 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-06-08
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일반기술
재료 > 고강도재료
본 기술은 하소시킨 세라믹조성물을 분쇄하는 과정에서 일반적인 볼밀(ball mill)로 밀링하는 방법 대신 어트리션 밀(attrition mill)을 사용하여 분쇄효과를 높여 그레인 크기를 작게하고 기계적 품질계수등의 압전특성을 향상시킬 수 있도록 한 압전트랜스포머용 조성세라믹스의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술에 있어서는 이러한 세라믹조성물을 이용하여 압전트랜스포머용 조성세라믹스를 제조하는 방법으로, 세라믹조성물을 혼합분쇄하는 혼합분쇄단계, 혼합분쇄된 세라믹조성물을 하소하는 하소단계, 하소단계가 끝난 세라믹조성물을 재분쇄하는 어트리션 밀링단계, 세라믹스 성형물을 얻기 위하여 재분쇄된 세라믹조성물을 성형하는 단계, 성형물을 소결열처리하는 소결단계로 구성된다.- 본 기술에 있어서는 그레인 크기를 작게하고 기계적 품질계수가 높으면 압전트랜스포머의 발열에 의한 온도상승을 억제할 수 있다는 점을 감안하여 종래기술의 문제점을 해결하고자 하였음.- 본 기술은 그레인 크기를 작게하고, 기계적품질계수를 높이기 위해서 하소시킨 세라믹조성물을 다시 분쇄하는 과정에서 일반 볼밀로 밀링하는 방법 대신 어트리션 밀을 사용하여 분쇄효과를 높여 기계적 품질계수등의 압전특성을 향상시킴
- 보유기관
- 한국기술거래사회
- 등록일
- 2004-11-11
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일반기술
재료 > 전자기기능재료
본 기술은 전기에너지 변환용 세라믹스 조성물 제조방법에 관한 것이다. 본 기술의 전기에너지 변환용 세라믹스 조성물 제조방법은, 평량된 원료를 지르코니아 볼밀에서 아세톤으로 20시간 동안 혼합분쇄하는 1차 혼합 및 분쇄한 뒤, 1차 혼합 및 분쇄과정에서 혼합분쇄가 완료된 시료는 80℃에서 10시간동안 전기오븐에서 완전히 건조시키고, 건조과정 이후 알루미나 도가니에서 850℃의 온도로 2시간 동안 하소한다. 하소된 시료를 지르코니아 볼밀에서 아세톤으로 15시간동안 2차 혼합분쇄하고, 2차 혼합 및 분쇄과정후 전기오븐에서 80℃에서 10시간동안 건조하고, 2차 건조된 시료를 알루미나 유발에서 분쇄한 뒤 100 메쉬를 사용하여 고르게 통과시켜 5% PVA용액을 시료에 5wt% 첨가하여 유발에서 균일하게 혼합한다. 이후 직경 21mmØ 강철 몰더를 사용하여 1 ton/㎠의 압력을 가하여 성형하는 성형하여, 성형된 시료를 소결도중 PbO의 증발을 방지하기 위하여 시편조성과 동일한 분위기 분말을 알루미나 도가니에 넣어 밀폐시키고 승하강 온도를 300℃/h로 하여 소정의 소성온도에서 1시간 동안 유기하여 소성시키고, 소성이 끝난 시편을 샌드페이퍼와 SiC 분말을 써서 제반 물성특성을 측정하기 위해 1mm의 두께로 연마하는 연마한 뒤, 연마된 시편을 초음파 세척기로 아세톤 속에서 세척한 다음 듀퐁사의 실버페이스트 #7095를 600℃에서 10분동안 열처리하여 전극을 형성하고 전극부착이 완료된 시편들을 실리콘 유속에서 25kV/㎝의 전계를 30분간 가하여 분극처리하는 단계들로 구성된다.- 에너지 변환 효율이 높아짐으로 인해서 압전트랜스포머의 승압비가 높아짐- 보조 전극에 의해서 높은 분극효율이 얻어질 수 있음- 구동부와 발전부 경계선에서의 응력을 줄일 수 있음- 백라이트 구동용 트랜스포머의 크기가 작아짐- 백라이트 구동용 트랜스포머의 전력소모가 줄어들 수 있음- 유전상수가 비교적 낮고, 전긱계결합계수의 이방성이 크며, 큐리온도가 높고, 경시변화율이 낮은 세라믹스 조성물의 제조가 가능함- 분극효율을 향상시키고 전계를 고르게 걸리도록 함
- 보유기관
- 한국기술거래사회
- 등록일
- 2004-11-11
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일반기술
재료 > 응고·주조기술
본 기술은 주조가능한 열간 및 냉간 단조용 금형 합금주조강 및 그 제조방법에 관한 것이다. 일반적으로 금형은 선철을 제강과정에서 거친 후 얻어지는 철에 여러 특수원소를 인위적으로 함유 시켜 얻은 금형용 특수강을 이용하여 제작된다. 금형용 특수강의 제작을 위해서는 단조공정, 황삭과 정삭이라는 두 단계의 절삭공정 그리고 열처리 공정을 사용한다. 이 과정에서 단조 공정에서 소비되는 경제적 비용과 제작기간 및 복잡성 및 황삭 가공에서 발생되는 재료의 손실이 불합리한 요소로 지적되고 있다. 현재까지 금형을 제작하기 위한 방법을 자세히 설펴보면 철금속을 단조 공정을 통해 조성을 미세하고 조밀하게 만든 후 황삭 공정을 거친다. 이 과정에서 금형의 대략적인 형상이 갖추어지며 그 이후에는 정밀 절삭 가공을 거쳐 금형이 완성된다. 이 과정에서 단조의 공정은 금형 재료의 조직의 미립화를 구현하기 위해 필요 불가결하게 요구되는 공정이지만 그 공정상의 고비용과 복잡성 때문에 생산성의 향상의 저하와 원가의 상승을 초래하였다. 아울러 단조 공정 이후의 황삭(荒削 : rough cutting)과정은 금형 재료의 불필요한 손실을 유발한다. 본 기술은 철을 주재로 하는 금형용 합금강에 있어서, Ce 및 Ca를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 금형용 합금강을 제조한다.- 본 기술의 금형강은 주조에 의해 금형의 제조가 가능하기 때문에 금형의 제작 단계에서 단조 및 기계적 가공단계를 제거할 수 있음- 공정의 단순화 및 재료의 낭비의 방지로 경제성이 크게 향상됨- 금형강의 조질성 및 소모특성을 포함하는 물리적 특성이 종래의 합금강에 비해 크게 개선되었으며, 열간 및 냉간 단조용 금형강으로 사용될 수 있어 실용성이 매우 높음- 단조 및 기계적 황삭 가공단계 없이 금형을 제조할 수 있음- 열적 안정성, 열금속피로강도, 내마모성 및 주조성 등의 물리적 특성이 크게 향상됨
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-06-15
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일반기술
재료 > 비철재료
본 기술은 새로운 비평형 합성법을 사용하여 반도체분말을 산업 폐기물 내에 존재하는 유가 금속의 회수 효율이 매우 뛰어난 고순도 초미세 나노분말로 대량 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 현재, 산화아연의 제조방법으로는 기상법과 졸-겔 법 등이 있으나, 기상법의 경우 공정반응조건의 조절이 현실상 불가능하여 응집체로 형성되기 때문에, 나노크기의 ZnO 개발에 있어서는 적용이 불가능하고, 졸-겔 법의 경우 균일한 산화아연분말을 형성하지만, 공기 중에서의 격렬한 가수분해 반응이 일어나기 때문에, 반응 조건의 엄격한 조절이 요구되며, 알콕사이드의 비싼 단가로 인하여 현재 상업화가 매우 어렵고 단지 실험실 규모로만 시도되고 있는데, 현재까지의 제조기술로는 대량 제조가 거의 불가능한 실정이다. 본 기술에서는 글리신을 포함한 그 외의 연료를 이용하여 산화제와 연료의 산화수에 따른 혼합비를 평형상태(산화수에 따른 산화제와 연료의 비=1)로 하여 수용액을 제조하지 않고 각각의 산화제와 연료의 산화수 계산 후 산화수에 따른 산화제와 연료의 비가 1이 아닌 비평형 상태(즉, 산화제 또는 연료의 과잉 첨가)로 수용액을 제조하여 자발연소 시키는 방법을 취한다. 이 때, 각각의 시약의 첨가량은 화학반응식에 따라 정량으로 계산하고, 이를 기준으로 하여적절히(상기한 비평형의 관점에서) 그 범위를 두어 수행한다. 제조된 혼합용액을 핫 플레이트 위에 놓고 마그네틱 바를 이용하여 교반하면서 대략 물이 끓을 정도(80∼200℃ 정도)로 가열한다. 가열에 의하여 증류수가 증발하면 상기 혼합용액은 점성이 있는 액상으로 되면서 작은 거품이 생기고 가스를 방출한다. 이 때, 포집을 위하여 미리 준비된 장치에 위치시키면 질산기가 연료와 반응하여 순간적으로 매우 높은 열(약 1500 - 1700℃)을 제공하고 큰 압력이 발생하면서 폭발하고, 그 결과 금속산화물이 산화아연(ZnO) 분말이 제조된다.- 기존의 산화아연의 제조방법으로는 기상법과 졸-겔 법 등이 있으나, 기상법의 경우 공정반응조건의 조절이 현실상 불가능하여 응집체로 형성되기 때문에, 나노크기의 ZnO 개발에 있어서는 적용이 불가능하고, 졸-겔 법의 경우 균일한 산화아연분말을 형성하지만, 공기 중에서의 격렬한 가수분해 반응이 일어나기 때문에, 반응 조건의 엄격한 조절이 요구되며, 알콕사이드의 비싼 단가로 인하여 현재 상업화가 매우 어렵고 단지 실험실 규모로만 시도되고 있는데, 현재까지의 제조기술로는 대량 제조가 거의 불가능한 실정이나, 본 기술에 의한 ZnO 분말의 제조방법은 기존의 광촉매용 분말과 비교하여, 산업 폐수 내에 존재하는 유가 금속의 회수 및 유해한 유기물질의 분해효율이 기존의 광촉매용 분말에 비하여 월등하게 우수한 고순도의 ZnO 나노분말을 대량으로 생산할 수 있는 효과가 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-06-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
리튬이온 전지의 성능 향상을 위해 새로운 양극 재료를 합성하고, 전기적 특성 향상에 관한 것이다.새로운 전극 재료로서 이원계 금속산화물에 대한 연구가 진행되고 있으나, 삼원게 금속산화물에 대한 연구는 진행되지 못하였다. 하지만, 본 발명에서는 삼원계 리튬 금속산화물을 합성하여 전기적 특성을 측정함으로 전지의 고효율, 고율특성, 저온특성 및 수명특성을 향상시킬 수 있다.LiNi0.81 Co0.16 Al0.03 O2, 그리고 LiNi0.18 Co0.18 Ga0.02 O2를 고상법으로 합성하고, 이들을 전극으로 사용하여 전기적 특성을 알아보았다. 사용된 전극은 모두 기존에 사용되는 전극 물질에 비해 우수한 특성을 나타냈다.Al이 첨가된 물질의 경우, 용량이 191 mAh/g 으로 순수 LiNiO2 보다 6% 증가 하였고, Ga가 첨가된 전극은 17% 증가하였다.또한 고율 충방전과 저온 방전에서도 기존 재료들에 비해 우수한 특성을 보였다.특히 Ga 가 첨가된 전극에서는 용량 향상 뿐 아니라, 싸이클 당 열하율이 0.09% 로 기존 전극의 0.14%와 비교하여 향상된 결과를 얻었다.리튬이온 전지의 성능 향상을 위해 새로운 양극 재료를 합성하고, 전기적 특성 향상에 관한 것이다.새로운 전극 재료로서 이원계 금속산화물에 대한 연구가 진행되고 있으나, 삼원게 금속산화물에 대한 연구는 진행되지 못하였다. 하지만, 본 발명에서는 삼원계 리튬 금속산화물을 합성하여 전기적 특성을 측정함으로 전지의 고효율, 고율특성, 저온특성 및 수명특성을 향상시킬 수 있다.LiNi0.81 Co0.16 Al0.03 O2, 그리고 LiNi0.18 Co0.18 Ga0.02 O2를 고상법으로 합성하고, 이들을 전극으로 사용하여 전기적 특성을 알아보았다. 사용된 전극은 모두 기존에 사용되는 전극 물질에 비해 우수한 특성을 나타냈다.Al이 첨가된 물질의 경우, 용량이 191 mAh/g 으로 순수 LiNiO2 보다 6% 증가 하였고, Ga가 첨가된 전극은 17% 증가하였다.또한 고율 충방전과 저온 방전에서도 기존 재료들에 비해 우수한 특성을 보였다.특히 Ga 가 첨가된 전극에서는 용량 향상 뿐 아니라, 싸이클 당 열하율이 0.09% 로 기존 전극의 0.14%와 비교하여 향상된 결과를 얻었다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-06-08
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