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기부·나눔 기술 전기·전자

적분구 광원

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보유기관
한국표준과학연구원
등록일
2021-03-03
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

메모리 오류 정정을 위한 비동기 회로 기술

본 기술은 디지털 반도체 메모리에서 읽기 및 쓰기 데이터 오류를 신속하고 효율적으로 정정하기 위한 회로 기술에 관한 것이다. 반도체 메모리가 소형화됨에 따라, 메모리셀의 제조 결함과 소프트한 오류의 확률이 높아지고 있다. 이러한 오류와 결함은 철저한 테스트와 결함이 있는 메모리셀을 교체하는 리던던시 메모리셀을 이용하여 치유할 수 있다. 소프트 오류를 감지하여 정정하는 것은 매우 어려우며, 가장 간단한 방법으로는 패리티 체크 코드를 이용하는 것이다. 지연시간과 계산의 복잡성 측면에서의 비용은 오류 정정 회로의 구현에 장애물이다. 본 기술은 지연시간이 매우 짧으며 구현에 있어서 하드웨어의 복잡도를 최소화할 수 있는 장치를 제공한다.본 기술은 지연시간이 짧으며 구현에 있어서 하드웨어의 복잡도를 최소화할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한 본 기술은 오류 정정 회로(Error Correction Circuit)의 설계시, NOR 플래시와 DRAM과 같은 밀도가 높고 지연시간이 짧은 메모리뿐만 아니라, 모든 종류의 디지털 메모리 또는 디지털 통신 채널에도 적용할 수 있는 메모리 오류 정정을 위한 비동기 회로 기술을 특징으로 한다. 즉, 본 기술은 읽기 및 쓰기 데이터 오류를 지연시간이 짧고 회로의 구성이 간단한 장치를 이용하여 신속하고 효율적으로 정정할 수 있음을 특징으로 한다.

보유기관
(주)피앤아이비
등록일
2005-07-20
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일반기술 전기·전자 > 기타 전자요소 기술

넓은 동작범위를 가지는 광센서

본 기술은 단일 칩 상에 형성된 간단한 센싱 회로를 이용한 광센서에 관한 것이다. 본 기술에 따른 광센서는 넓은 동작범위로 변경 가능한 입력 신호(예를 들어, 광)를 정확하게 측정할 수 있는 다수의 효과를 가지고 있다. 이 센서는 입력 신호의 세기에 비례하는 주파수를 가지는 출력 펄스들을 생성한다. 다수의 센서들이 단일 칩 상에 같이 위치하여 넓은 동작범위의 센서 어레이를 구성할 수 있다. 이 어레이의 각 센서들은 매우 소형인 간단한 센싱 회로를 이용하기 때문에 큰 어레이의 구현에 용이한 장점을 가지고 있다.이 기술에 의한 64×64 픽셀 촬상소자는 우수한 신호대잡음비(SNR)를 가지는 5-6차 크기의 동적범위를 갖도록 형성할 수 있다. 다른 이미지 센서의 경우 전 동작범위에 걸쳐 신호대잡음비를 일정하게 제공할 수 없었으며 낮은 조도 레벨에서 매우 낮은 신호대잡음비를 제공하였다. 그러나, 본 기술에 의한 이미지 센서는 주파수영역/시간영역을 이용함으로써 전 동작범위에 걸쳐 매우 일정한 신호대잡음비를 제공할 수 있으며, 낮은 조도 레벨에서도 매우 높은 신호대잡음비를 제공함으로써 광센서분야에서 유용하게 이용할 수 있는 기술을 제공한다.

보유기관
(주)피앤아이비
등록일
2005-07-20
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

광을 이용한 다중 정렬된 자기조립 단층막을 패터닝하는 방법

본 기술은 서로 다른 형태의 계면 화학에서 패터닝 방법을 제공한다. 새로운 금속 기판 상에 형성된 자기조립 단층막(SAM)은 원래의 SAM과 서로 다른 두 형태의 SAM을 포함하는 혼합 SAM으로 광화학적으로 변형된다. 이 다중 SAM은 빛이 다중 파장을 위한 영역 선택 필터로서 역할을 하는 포토마스크를 통과할 때 기판 상에서 패터닝된다. 분자들을 이용하여 표면을 패터닝할 수 있는 능력은 의약품 개발과, 생체분자학과, 세포 기반 분석에서의 도구로서 중요한 기술이다. 이러한 방법은 근자외선(near-UV)을 사용하여 SAM을 변형시키며 원자외선(deep-UV)을 이용하여 SAM을 제거한다.포토패터닝된 SAM은 합성 화학을 이용하여 생체분자들(예를 들어, DAN, 펩티드 등)에 의해 화학적으로 변형될 수 있다. 또한, 단백질학에 있어서 고충실도 마이크로 어레이를 개발하는 데 중요한 단백질의 흡착을 저지하는 다중 SAM의 패터닝을 가능케 한다. 포토패터닝된 SAM은 에칭 레지스트로서 역할을 하며, 원래 SAM이 완전히 제거된 기판영역은 선택적으로 에칭될 수 있다. 본 기술에 따르면, 정렬 또는 다중 노출없이 다중의 정렬된 SAM을 제조할 수 있으며, 단일의 포토마스크로 많은 SAM을 패너닝할 수 있다.

보유기관
(주)피앤아이비
등록일
2005-07-20
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일반기술 전기·전자 > 기타 전자요소 기술

광섬유 상에 포토마스크로서 소형 코일 및 밴드를 제조하는 방법

본 기술은 광섬유와 도파관에서 신뢰성있는 회절격자(diffraction gratings)를 만들기 위한 간단하고 비용이 적게 드는 공정을 제공하는 것이다. 본 기술은 광대역의 산광을 사용할 수 있으며, 광섬유 코어로 다양한 격자를 광학적으로 기록하기 위한 입수가 용이한 물질을 사용할 수 있다. 또한, 본 기술은 기록하는 동안 진동으로부터 광섬유, 광원 및 다른 장치들을 보호할 필요성을 제거해준다. 코일과 스텐트(stent)와 같은 소형 금속 구조를 원기둥체의 외부표면 상에 원하는 위치에 형성할 수 있다.본 기술은 파장 선택, 가변성, 모드 선택도, 노이즈 억제, 브래그(Bragg) 공진 및 온도/압력 검출을 위하여 광섬유 모드 변환기, 파장 역다중화기, 필터, 반사기, 격자 등을 포함하여 많은 응용분야에 이용될 수 있다. 또한, 본 기술은 양자 마이크로 NMR 분광기를 위한 마이크로 코일, 스텐트(혈관 속으로 인도될 수 있는 확장가능한 스캐폴드(scaffold)) 및 다양한 마이크로 일렉트로닉스 장치(마이크로 인덕터, 마이크로 트랜스포머 등)와 같은 원통형 3차원 소형구조를 용이하게 제작할 수 있다.

보유기관
(주)피앤아이비
등록일
2005-07-20
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일반기술 전기·전자 > 광전자

포토닉스 크리스탈 캐비티에서 전자기 유도 투과의 이용

본 기술은 포토닉스 크리스탈 캐비티에서 비선형 매질로써 EIT(electro-magnetically induced transparency)를 이용하는 포토닉스 크리스탈 시스템에 관한 것으로써, 대부분의 비선형 광학장치에서 보다 매우 작은 크기의 전력으로 동작하는 새로운 비선형 감도를 가지는 장치를 얻을 수 있다. 본 기술은 EIT에만 한정되지 않으며 어떠한 종류의 캐비티 양자전기역학도 이용할 수 있다. 본 기술은 또한 포토닉스 크리스탈의 비선형 특성을 증대시키기 위해 EIT를 나타내는 물질로 도핑된 포토닉스 크리스탈의 내부에 마이크로 캐비티 구조를 형성하는 방법을 제공한다.매우 큰 광학 비선형성이 중요한 역할을 하는 응용분야는 양자정보 및 양자계산의 분야이다. 주변환경과 최소한의 상호작용과 많은 매질에서 낮은 흡수 손실로 인하여, 광자들은 양자정보를 원거리까지 운반할 수 있는 가장 바람직한 캐리어이다. 양자정보는 한 시스템에서 다른 시스템으로 (양자에서 전자로) 전송될 수 있지만, 이와 같은 전송은 매우 어렵다. 이를 해결하기 위해, 단일의 양자 전력레벨로 유발될 수 있을 정도로 층분히 큰 비선형효과를 가져야만 한다. 낮은 디코헤어런스 속도로 인해 광자는 또한 양자계산을 구현하는 데 바람직한 방법이다.

보유기관
(주)피앤아이비
등록일
2005-07-20
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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

격자 미스매치된 기판 상에 GaN박막을 형성하는 공정

본 기술은 GaN 박막의 막질을 제어하는 진전된 방법을 제공한다. 사파이어와 같이 격자 미스매치(mismatched)된 기판 상에 양질의 GaN 에피텍셜층이 성장되도록 금속 액체인 Ga의 버퍼층이 최적화된다. 본 기술의 새로운 버퍼층은 GaN막의 전기적 또는 구조적 특징을 개선시킨다. 이러한 새로운 금속 액상 Ga 버퍼층은 GaN 소자 기술에서 주 장애물을 제거하는데 도움을 주고, 전류 밀도 및 소자 개발 기술에 도움을 준다. 부가적으로, 이러한 금속 Ga 버퍼층은 고온(1000K 또는 MBE (Molecular Beam Epitaxy)에서는 그 이하 온도)에서 GaN 주요 박막의 연속적인 2차원 핵생성 조건을 제공한다.본 기술은 기판 상에 III족 금속의 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 III-N(nitride)막을 형성하는 방법을 특징으로 한다. 예를 들어, 본 기술에 따른 GaN 성장은, 에피텍셜 공정에 의해 생성되는 GaN 박막의 개선된 전기 또는 구조적 특성을 개선시킴과 동시에 격자 구조가 잘 맞지 않은 기판 상에서도 사용될 수 있다는 잠정이 있다. 또한, III-N족 박막 성장 공정에 있어서도 본 기술의 Ga버퍼층의 사용이 기대될 수 있는 효과가 있다. 이러한, 본 기술의 GaN막은 1)평판 디스플레어 2) 전계효과트랜지스터(FET) 3) 청색 및 그린 반도체 레이저 4)청색 및 그린 발광 다이오드에 적용이 가능하다.

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(주)피앤아이비
등록일
2005-07-20
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일반기술 전기·전자 > 무선통신소자

모바일폰용 카드 접속장치

EMV(Europay, Master Card, Visa Card) 발표에 따라 전세계적으로 기존의 마그네틱 카드가 IC Card(칩카드)로 2008년 까지 바뀌게 된다.기존의 마그네틱 카드가 수십년 사용되어 오면서 위조, 변조 문제가 심각한 사회문제로대두되게 되었다. 또한 메모리 용량의 한계 때문에 여러장의 카드를 소지해야 하는 불편이있었다. 그래서, 나온 방안이 위조, 변조가 불가능한 대용량인 칩카드 형태로의 교체이다.우리나라 뿐만 아니라 전세계가 2008년 까지 칩카드로 교체하게 된다.본 발명은 칩카드에 저장된 정보를 읽어내고, 쓸때 신분인증 카드인 심카드를 읽어내는핵심부품인 모바일폰용 심 카드리더의 접속장치에 관한 것이다.당사는 본기술을 개발 실용화 하여 국내외의 초기시장에 인프라 구축용으로 공급중에 있다.그 시장은 Mobile Phone, EFT/POS Terminal, PC/SC Terminal, Electronic Wallet, Transportation System 등 이 있으며, 향후 수십년간 수요창출이 예상된다.본발명은 모바일폰용 심 카드리더의 접속장치에 관한 것으로, 첫째, 모바일폰의 소형화 추세에 따라 인쇄회로기판의 면적을 작게 차지하는 초소형 모바일폰용 심 카드 접속장치의특징을 가지고 있다. 또한, 본체와 가이드 플레이트를 결합하여 형성된 슬라이드 안내홈에 심 카드를 삽입하여 카드의 아이씨 칩과 접속단자의 둥근 접접부가 확실히 접속되고 카드가 상하,좌우,전후로 유동됨이 없이 안정되게 유지되므로 전기적 접속이 안정되게 유지되어 정보읽기의 건너뜀 문제가 발생되지 않으며, 심 카드에 부착된 아이씨 칩이 접속단자와 마찰되어 금코팅이 벗겨지지 않는 특징이 있다.둘째, 가이드 플레이트는 금속재질로 형성되어 카드를 반복적으로 삽입, 인출하는 경우에도 헐거워짐이나 파손됨이 없이 안정하게 사용할 수 있으며 또한, 심카드나 메모리 카드 등의 모든카드를 하나의 접속장치로 공용화 할 수 있는 특징이 있다.셋째, 모바일폰용 심 카드 접속장치의 후방 일측 연장부에는 심 카드 삽입감지용 스위치 L과 R이 설치되어 심 카드의 삽입과 인출을 정확하게 인식하는 것을 신호로 보내줄 수 있는 특징을 가지고 있다.

보유기관
(재)충남테크노파크
등록일
2005-07-12
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