산업기술 통합검색
본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동방법에 관한 것으로, 특히 휘도 및 효율을 향상하도록 한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동방법에 관한 것이다.- 특징전극간 거리를 최대한 멀게 하여 방전시 하전입자의 운동경로가 증가함으로써 전자의 손실을 줄이고 충돌 여기에 의한 진공자외선양을 충분히 방출하여 휘도 및 진공자외선 효율을 증대시킨다.상부기판에 형성되는 전극면적이 작기 때문에 광 투과율이 증가되어 휘도와 효율을 증대시킬 수 있다.전극면적이 작아지기 때문에 패널의 정전용량값을 낮추어 변위전류와 방전시 전극에 흐르는 전류의 양을 줄일 수 있으므로 소비전력을 낮추고 구동효율을 향상시킬 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 발광층을 3층 구조로 성막하여 발광층이 갖는 저항값을 저하시킴으로써 전계 발광 소자의 구동 전압을 감소시켜 소비 전력을 줄일 수 있도록 한 박막 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 이는 소자의 발광 특성이 균일하지 못한 종래의 문제점을 해결하고자 한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 발광층을 3층 구조로 성막하여 발광층이 갖는 저항값을 저하시킴으로써, 전계 발광 소자의 구동전압을 감소시켜 소비 전력을 줄이는 동시에 보다 안정된 발광 특성을 얻을 수 있다.
- 개요 본 기술은 셋톱박스에 사용되는 스마트카드를 자동적으로 갱신하는 방법 및 장치에 관한 것임.- 특징 스마트카드의 인터페이스부에 구 카드를 자동으로 삽입하는 단계, 구 카드의 정보를 시스템 메모리에 저장하는 단계, 구 카드를 자동으로 배출하는 단계, 신 카드를 자동으로 삽입하는 단계 및 저장된 구 카드 정보를 신 카드에 복사하는 단계로 구성됨.- 효과 스마트카드의 교체(chaining)가 수동에서 자동으로 변경됨으로써, 카드의 교체 과정에서 사용자의 부주의 등으로 발생할 수 있는 카드의 이탈 및 이로 인한 데이터의 복구불능을 완전히 방지할 수 있음.
본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 특히 프라이밍 전극을 이용하여 고속 어드레스 구동을 가능케 한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 고속 어드레스 방법에 관한 것이다.- 특징프라이밍 방전 횟수를 줄임으로써 어드레스 방전에 도움을 주는 프라이밍 입자들을 형성하면서도 두 주사라인마다 프라이밍 방전을 일으키는 종래보다 어드레스 기간을 단축할 수 있다.고속 어드레스 구동이 가능하게 되므로 적절한 유지방전 시간을 확보할 수 있고, 나아가 VGA급 이상에서도 단일 스캔을 가능하게 하여 데이터 구동회로의 수를 줄임으로써 PDP의 가격을 저감시킬 수 있다.
- 개요 본 기술은 네트워크 인터페이스 회로에 관한 것임.- 특징 디멀티플렉서가 직,병렬 모드를 모두 지원하는 장치를 제공하여 엠펙 칩의 능력을 최대한 이용함으로써, 다양한 형태의 서버에서 데이터 형식을 지원할 수 있어 하드웨어 설계시 보드의 크기가 줄어들고, 데이터 스트림모드의 불일치와 엠펙 데이터를 직교 진폭 변조(QAM)하여 무선 주파수(RF) 레벨의 데이터를 구성함.- 효과 모드가 일치하지 않는 것을 방지할 수 있음.
본 기술은 음성 인식 시스템에 있어서, 새로운 단어의 추가에 따라 등록 클래스를 생성하여 언어학적 모델을 처리하는 방법에 관한 것이다.- 특징음성인식 시스템에서 새로운 추가 단어에 대한 단어간 연결확률을 결정할 시 새로운 단어의 추가에 따라 등록클래스를 생성하여 문장을 이용한 별도의 학습없이도 음성인식률을 향상시킬수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 형성되는 n형 GaN층과, n형 GaN층상의 일정영역에 형성되는 활성층, 활성층상에 형성되는 p형 GaN층, n형 GaN층상의 일정영역에 형성되고, In, Si, Ge 중 어느 하나로 이루어진 제 1 층, Ni, Pd, Pt 중 어느 하나로 이루어진 제 2 층, Ti로 이루어진 제 3 층, Au으로 이루어진 제 4 층이 적층되어 형성되는 n형 전극과, p형 GaN층상의 일정영역에 형성되고 Be, Mg, Zn 중 어느 하나로 이루어진 제 1 층, Ni, Pd, Pt 중 어느 하나로 이루어진 제 2 층, Cr로 이루어진 제 3 층, Au으로 이루어진 제 4 층이 적층되어 형성되는 p형 전극으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 전극과 반도체층과의 콘택 저항을 크게 줄일 수 있으므로 소자의 전기적 특성이 매우 우수하고, 전극 표면의 모폴로지가 매우 좋으므로 본딩공정에 유리한 효과를 도출한다.
- 개요 본 기술은 평판표시장치의 스캔 방법에 관한 것임.- 특징 하나의 패시브형 평판표시장치의 패널을 저항성분을 고려하여 제1,제2패널로 분리하여 각 스캔라인을 스캐닝하는 평판표시장치의 스캔방법에 있어서, 제1패널과 제2패널에 구비된 스캔라인을 각각 교번하여 구동하며, 각 스캔라인과 인접한 스캔라인이 스캐닝되는 시간간격이 사람의 시각이 느끼지 못하는 시간내에 있도록 조절하여, 제1패널과 제2패널의 스캔라인을 서로 반대의 스캔방향으로 스캐닝하여 싱글 스캔 모드를 구현하여, 듀얼 스캔 모드를 지원하는 구동회로에서 싱글 스캔 모드를 지원함이 가능함.- 효과 평판표시장치의 구동에 필요한 회로의 개발비용을 줄일 수 있는 효과가 있으며, 싱글 스캔 모드의 지원을 위한 하드웨어의 구성량을 줄여 박형화가 용이함.
본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널의 의사윤곽 감소방법에 관한 것으로, 특히 동화상에서 의사윤곽의 발생을 방지하기 위해 보상 등화펄스를 가감하여 플라즈마 디스플레이 패널의 의사윤곽 감소방법 및 그 감소장치에 관한 것이다.- 특징플라 즈마 디스플레이 패널의 모든 프레임을 발광시키지 않고 발광되지 않는 기간에 의사윤곽을 감소시키는 보상 등화펄스를 가감하게 함으로써 선명한 영상을 나타낼 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 3족-나이트라이드/사파이어(Ⅲ-Nitrides/Sapphire) 구조를 갖는 칩 분리방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 사파이어 기판의 뒷면을 소정 두께 만큼 래핑(lapping) 및 폴리싱(polishing)하고, 폴리싱된 사파이어 기판의 뒷면을 3족-나이트라이드층의 클리빙 면(cleaving plan)방향으로 스크라이빙(scribing)한 후, 3족-나이트라이드층에 일정 힘을 가하여 칩을 절단하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 수율을 두 배 이상 증가시킬 수 있으며, 공정이 간단하고 소자의 생산성을 높일 수 있다.
- 개요 본 기술은 금속-인슐레이터-금속 전계방출 디스플레이의 매트릭스 구조에 관한 것임.- 특징 다수의 데이터전극과, 다수의 데이터전극과는 수직으로 교차하는 다수의 스캔전극과, 다수의 데이터전극과 다수의 스캔전극이 이루는 영역내에서 스캔전극에 인가되는 구동전압에 따라 제1트랜지스터를 도통하여 데이터전극의 데이터를 커패시터에 저장하며, 커패시터에 저장된 데이터에 의해 제2트랜지스터를 도통하여 일측에 공통전압을 인가받는 금속-인슐레이터-금속 구조의 셀을 구동함과 아울러 리셋펄스를 사용하지 않고 저항을 통한 고전압으로 그 금속-인슐레이터-금속 구조의 셀을 리셋시키는 다수의 픽셀로 구성함.- 효과 매트릭스를 액티브 매트릭스 형으로 변환하여, 스캔전극 및 셀에 인가되는 전류를 저감하고, 스캔전극의 저항에 의해 전압이 저하되는 것을 방지하여, 화면의 밝기를 향상시킴과 아울러 그 밝기의 균일성을 확보할 수 있음.
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판 위에 제1 도전형 버퍼층, 제1도전형 클래드층, 언도프트된 활성층, 제2도전형 클래드층, 제1도전형 양자 우물층이 차례로 형성되고, 제1도전형 양자 우물층위의 리지 양 바깥측 제1도전형 전류 제한층이 형성되고 제1도전형 전류 제한층 사이 및 상부에 제3도전형 클래드층이 형성되고, 제1도전형 전류 제한층 위에 형성된 제3도전형 클래드층 위에 제1도전형 접촉층이 형성되고, 제1도전형 전류 제한층과 제1도전형 양자 우물층 및 제3도전형 클래드층 사이에 공기층이 형성되는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 리지 이외의 일부분을 굴절율(n0=1)을 갖는 공기중에 노출시켜 구체적인 래터럴 방향의 인덱스 차를 두고, 활성층을 구조적으로 제한하며, 클래드층의 두께 변화를 동시에 적용하여 광가이드 최대화와 빔 사이즈 최소화를 실현하는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판의 소정영역을 일정깊이로 식각하여 띠(stripe) 형태를 갖는 다수개의 리세스(recess)들을 형성하고, 기판에 형성된 리세스내에 물리적 기상 증착법, 화학적 기상 증착법, 전기도금, 무전해 도금, 졸-겔법 중 어느 한 방법을 이용하여 전도성 광반사물질을 채워 보조전극을 형성한 후, 보조전극이 형성된 기판상에 양극, 유기발광층, 음극, 보호막을 순차적으로 적층하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 아웃풋 커플링을 크게 향상시키고, 공정이 단순하여 대량생산이 가능하다.
- 개요 본 기술은 근접장 기록 광학 헤드용 자장형성장치 및 그 제조방법에 관한 것임.- 특징 웨이퍼의 상면에 하부절연막을 형성하고, 그 하부절연막의 상면에 하부금속층을 형성하고, 그 하부금속층을 패터닝하여 좌,우측패드형성부와 연장부를 형성하는 1차 패터닝공정을 수행하는 단계와, 좌,우측패드형성부와 연장부를 포함한 전체 상면에 상부절연막을 형성하고, 그 상부절연막을 패터닝하여 좌,우측패드형성부와 연장부 상측에 형성되는 부분노출부 및 중앙부에 홀형성부를 노출시키는 2차 패터닝공정을 수행하는 단계 등을 순차적으로 수행하는 반도체 일관공정을 이용하여 제조됨.- 효과 웨이퍼 레벨에서 반도체 일관공정을 이용하여 자장형성장치를 제작하는 것이 가능하여 크기가 아주 작은 자장형성장치를 일시에 대량으로 제조할 수 있고, 이러한 정밀한 반도체 공정을 이용하여 제작되기 때문에 마이크로 코일의 중심부와 광통과 홀의 중심부가 설계오차를 벗어나지 않게되어 정밀한 자장형성장치의 제작이 가능함.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판상에 일정간격으로 다수의 제 1 전극들을 형성하고, 제 1 전극들상에 유기발광층을 형성한 다음, 유기발광층상에 제 1 전극들에 수직한 방향으로 다수의 제 2 전극들을 형성한다. 그리고, 제 2 전극상에 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적층하여 내부의 열을 방출시키고 하부와 전기적으로 절연되도록 제 1 방열층을 형성하고, 제 1 방열층상에 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어져 산소 및 수분을 막아주는 제 2 방열층을 형성한 후에 제 2 방열층상에 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 방열특성을 향상시키고 외부의 수분 및 산소의 칩입을 방지하는 효과를 도출한다.
- 개요 본 기술은 진화 알고리즘을 이용한 직류/직류 컨버터 최적화 장치 및 방법에 관한 것임.- 특징 사용 시간 계산 결과에 진화 알고리즘을 적용하여 직류/직류 컨버터의 소자값을 변화시켜 출력하는 소자 최적화부와, 소자 최적화부로부터 출력되는 직류/직류 컨버터의 소자값을 입력받아 설계자가 반영한 모델에 적용하여 예상 사용 시간을 계산하고 그 결과를 소자 최적화부로 출력하는 시간 계산부로 구성되어 진화 알고리즘을 적용하여 소자값을 구함.- 효과 휴대 정보 기기의 사용 시간을 최대화할 수 있음.
- 개요 본 기술은 나노 입자를 이용하여 제조된 핵산 마이크로어레이(NUCLEIC ACID MICROARRAY) 및 이의 제조방법에 관한 것임.- 특징 기판 상에, 원판 핵산 마이크로어레이 상의 핵산과 상보적 염기 서열을 갖는 핵산을 포함하는 핵산 마이크로어레이로서, 원판 핵산 마이크로어레이 상의 핵산과 상보적 염기 서열을 갖는 핵산은 나노 입자와 결합되어 있으며, 나노 입자에 의하여 하이드로겔 내에 고정되어 기판에 결합되어 있는 것이고,원판 핵산 마이크로어레이 상의 핵산과 상보적 염기 서열을 갖는 핵산이 원판 핵산 마이크로어레이 상의 핵산 분자의 공간적 배열과 거울상의 대칭 배열 상태를 유지하면서 고정되어 있음.- 효과 원판 핵산 마이크로어레이에 고정된 핵산과 상보적으로 결합 할 수 있는 핵산 조각이 고정된 나노입자를 혼성화시켜 나노입자를 원판 마이크로어레이 상에 위치시키고, 나노입자의 위치정보를 유지시킨 상태에서 하이드로 겔을 이용하여 새 기판으로 이동시켜서 복제된 핵산 마이크로어레이를 제작할 수 있음.
- 개요 본 기술은 중합 반응을 이용하여 복제된 핵산 마이크로어레이(NUCLEIC ACID MICROARRAY) 및 그의 제작 방법에 관한 것임.- 특징 핵산 분자를 2 차원 상으로 배열시킨 핵산 마이크로어레이를 원판으로 하여, 여기에 원판 핵산 마이크로어레이 상의 핵산과 상보적 염기 서열을 가지며 중합 반응기를 갖는 핵산 조각을 혼성화시키고, 혼성화된 핵산 조각을 원판 상에서의 위치정보를 유지시킨 상태에서 중합 반응에 의하여 새 기판에 이동시킴.- 효과 복제된 핵산 마이크로어레이를 제작할 수 있음.
기술의 개요 - 본 기술은 엘씨디(LCD)의 구동장치에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 수평 동기신호 및 수직 동기신호를 입력받아 전체 시스템을 제어하기 위한 클럭 및 제어신호를 출력하는 제어부와, 외부에서 입력되는 수평 비디오 신호의 개수만큼의 시프트 레지스터들을 가지며 제어부의 클럭에 따라 외부 입력 비디오 신호에 맞는 시프트된 라이트 수평 화소 시프트 클럭을 각각 출력하는 다수개의 입력 시프트 레지스터, 디스플레이할 LCD 수평 비디오 신호 개수만큼의 시프트 레지스터들을 가지며 제어부의 클럭에 따라 시프트된 리드 수평화소 시프트 클럭을 각각 출력하는 다수개의 출력 시프트 레지스터와, 다수개의 출력 시프트 레지스터와 각각 일대일 대응하여 다수개의 출력 시프트 레지스터에서 각각 출력된 시프트된 리드 수평 화소 시프트 클럭과 제어부를 통해 출력된 제어신호들에 따라 제어신호를 출력하는 다수개의 제어신호 합성부, 다수개의 제어신호 합성부와 각각 일대일 대응되며 제어부를 통해 출력된 제어신호들과 다수개의 입력 시프트 레지스터에서 각각 출력된 시프트된 라이트 수평 화소 시프트 클럭에 따라 비디오 신호의 입력을 제어하고, 다수개의 제어신호 합성부에서 출력된 해당 제어신호에 따라 샘플링 및 홀드된 비디오 신호를 각각 출력하는 다수개의 샘플/홀드부로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 포맷이 다른 비디오 신호를 디스플레이 할 수 있다.
- 개요 본 기술은 광자기 매체용 홀로그램 픽업 모듈의 반사미러에 관한 것임.- 특징 기판의 상면에 빛을 발광하는 레이저 다이오드가 설치되어 있고, 그 레이저 다이오드에서 발생되는 빛의 광경로상에는 반사면을 가지는 반사미러가 설치되어 있음.- 효과 광자기 매체용 홀로그램 픽업 모듈의 반사미러는, 레이저 다이오드에서 발생되는 빛이 반사미러에서 반사되는 과정에서 편광상태가 보존이 되어 편광비의 증가에 따른 신호비가 증가됨.