단이온전도성 고분자 전해질
본 기술은 새로운 단이온 전도성 고분자 전해질 조성물에 대한 것이다.제조된 단이온 전도성 고분자 전해질은 기계적 물성과 유기용매와의 친화성을 갖는 다른 종류의 이오노머를 블렌드를 기초로 한 것이다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2004-12-10
산업기술 통합검색
본 기술은 새로운 단이온 전도성 고분자 전해질 조성물에 대한 것이다.제조된 단이온 전도성 고분자 전해질은 기계적 물성과 유기용매와의 친화성을 갖는 다른 종류의 이오노머를 블렌드를 기초로 한 것이다.
본 기술은 이온 전도 특성, 전기화학적 안정성 및 계면특성이 새로운 고분자 전해질의 개발에 관한 것이다.본 기술로부터 제조된 고분자 전해질은 기계적 물성이 우수한 다공성 고분자막내에 액체전해질을 담지시켜 제조한 새로운 고분자 전해질이다.
고전류 및 고온의 환경하에서 기존의 이방성 전도필름/접착제를 이용한 high power device 플립 칩 접속구조의 전류운반능력 및 전기적/기계적 신뢰성을 개선시키기 위해 접속저항을 낮추고 열전도도를 증가시키며 열팽창 계수를 낮춘 이방성 전도필름을 사용할 경우, 고전류 소자의 작동시 문제가 되는 임계전류밀도의 한계와 열과 열응력 발생을 최대한 극복할 수 있다. 저저항/고임계전류밀도용 이방성 전도필름/접착제는 이방성 전도필름/접착제 내에 도전입자로써 전기전도도가 높은 입자를 사용하며 비도전입자로 열전도도가 높고 열팽창 계수가 낮은 입자를 사용한다.- 기존의 이방성 전도필름/접착제의 임계전류밀도 특성의 향상- 최소의 플립 칩 공정, 최저 가격의 플립 칩 패키지 방법- high power module접속시 기존의 이방성 전도필름/접착제를 이용한 플립칩 기술보다 신뢰성 향상
"도전입자(Ni, Au-coated polymer ball), 비도전입자(SiO2, Teflon, nano-void) 그리고 에폭시 레진을 혼합하여 고주파 패키지의 접속재료로 사용할 수 있는 전도성 접착제를 개발하였다. 전도성 접착제와 관련한 지금까지의 연구들이 전기적 접속을 위해 도전입자와 에폭시 레진만을 혼합한 반면, 본 기술은 도전입자와 에폭시 레진 이외에 비도전입자(SiO2, Teflon, nano-void)를 첨가하여 저 유전상수 전도성 접착제를 형성시켰다. "·고속 고주파용 플립칩 접속재료 개발·저가이면서 환경 친화적인 패키지의 구현·대량생산 가능·고부가가치 산업
본 기술은 연소로내 연소작용에 의해 발생되는 다양한 공해물질들을 혼합의 극대화를 통한 종합적이고 효과적인 제거가 가능하도록 제작되었다. 2차 공기 또는 재활용 가스의 엇갈림 제트유동을 발생시킴으로써 혼합 및 유동 체류시간을 극대화하였으며 다양한 공해저감약품을 제트에 실어 투입함으로써 공해물질 제어를 극대화할 수 있게 하였다.공기 및 재활용된 가스의 고속 엇갈림 제트유동에 의한 혼합의 극대화 및 이로부터 발생하는 반응의 최적화를 이용한 효율적 연소 및 공해물질 제어할 수 있다.
웨이퍼 차원에서 금, 무전해 니켈 등 비솔더 범프를 형성하고 각 개별 칩을다이싱한 후, 비전도성 접착제를 기판에 도포한다. 그리고 칩과 기판의 패드를 정렬한 후 열과 압력을 동시에 가하여 접속한다. 이 때 비전도성 접착제는 필름 타입과 접착제 타입으로 구분할 수 있으며, 열팽창계수를 낮추기 위해 비전도성 입자를 포함하고 있다.·비솔더 플립 칩 범프를 각 칩의 I/O에 형성·비전도성 접착제를 기판에 도포·NCA 접속을 이용한 플립 칩 패키지 제조·최소의 플립 칩 공정, 최저 가격의 플립 칩 패키지 방법·기존의 NCA flip chip보다 신뢰성 향상
본 기술은 담지체에 메탈로센 촉매를 담지하여 일반적인 알루미녹산의 사용 없이 알루미늄알킬을 조촉매로 하여 폴리올레핀을 중합하고, 이를 이용하여 초고분자량의 폴리에틸렌을 중합하는 것에 관한 것이다.몬트모릴로나이트를 무기화합물로 이온교환시켜 기존의 메탈로센 촉매의 중합에 이용될 수 있도록 몬트모릴로나이트를 변경시키는 것이다.
하이드레이트 촉진제를 0.5에서 6 mol% 포함하는 수용액을 -1에서 30oC, 1에서 6.0MPa의 온도, 압력조건에서 혼합가스와 반응시켜 가스 하이드레이트를 형성시키고, 이를 다시 해리시켜 농축된 가스를 얻으며 이 과정을 2내지 4회 반복하여 특정성분의 가스를 순도 99.7% 이상으로 분리/회수한다.공정의 운전을 위해서 0.5에서 6.0 mol%의 촉진제를 포함하는 물만이 사용되므로 무해공정이고 추가적 운전비용이 거의 없는 저에너지 소모형 공정이다. 99.7%이상의 고순도 가스를 얻을 수 있다.
본 기술은 체내분해성 고분자인 Poly(-caprolactone)를 효소(Novozym 435)을 이용하여 고체표면에 Coating 하는 방법이다.기존의 Coating 방법에 비해 공유결합으로 이루어져 고체표면에서의 고분자 밀도, 두께, 화학 작용기의 조절이 가능하다. 효소를 이용한 유기반응은 첫째, 온도, 압력, PH 등 온화한 조건에서 사용 될 수 있는 촉매 이며 에너지 효율 면에서 높게 평가된다. 둘째, 제약이나 농예화학에서 규칙적인 입체 화학을 통하여 새로운 반응의 개발이 가능하다. 셋째, 그린화학에서 요구 하는인체에 무해한 자연 촉매 이다.
본 기술은 체내분해성 고분자인 Poly(1,4-Dioxan-2-one)을 고체표면에 Coating 하는 방법이다.기존의 Coating 방법에 비해 공유결합으로 이루어져 고체표면에서의 고분자 밀도, 두께, 화학 작용기의 조절이 가능하다.
본 기술은 탄소 나노선 또는 탄소 나노튜브로 형성된 탄소분자체의 직경을 조절할 수 있는 제조 방법에 관한 것으로 주형으로 사용하는 중형다공성 실리카의 제조시 사용하는 계면활성제의 종류 및 질량비, 탄소 분자체 제조시 탄소 전구체의 추가 주입 등에 의해 탄소 분자체의 내.외경을 조절하는 것이다.탄소 분자체를 합성하기 위한 주형으로 사용된 중형다공성 실리카 물질을 단가가 저렴한 규산염 나트륨을 사용하여 제조하였으며, 탄소 분자체의 합성조건을 변화시켜 탄소 막대나 튜브의 직경을 조절하였으며 직경 크기 조절로 인해 분자를 선택적으로 흡착 분리 및 촉매 작용을 할 수 있게 하는 효과가 있다.
본 기술은 균일한 직경의 기공을 입체적으로 정렬시킨 구조규칙성 탄소분자체 물질의 최초 합성에 대한 것으로, 무기물 분자체의 기공 내부에 유기물질을 촉매 첨가 하에 중합 및 열분해하여 탄소 골격을 형성시킨 후 원래 분자체의 골격을 제거하여 탄소 분자체를 얻는 촉매탄화공정 신기술을 개발하고 이 기술로 제조한 구조 규칙성 탄소 분자체 물질 및 이 물질을 촉매, 흡착제, 담지체, 센서, 전극물질로 이용하는 응용에 관한 것이다.탄수화물을 포함하는 유기물들을 산을 촉매로 사용하여 무기물 분자체 내에서 분해시키는 새로운 촉매 탄화 공정을 이용하였다.
본 기술은 점토를 함유한 폴리올레핀 나노복합체의 제조에 관한 것이다. 폴리올레핀은 층상구조를 가지는 점토와 친화력이 좋지 않기 때문에 나노복합체 제조가 쉽지 않다. 그러므로 점토와 상용성이 좋은 물질을 사용하여 폴리올레핀을 개질시킨 후 점토와 개질된 폴리올레핀을 혼합하여 나노복합체를 제조하였다.폴리올레핀은 층상 구조를 가지는 점토와 상용성이 좋지 못하기 때문에 나노복합체를 제조하기 어렵다. 본 기술에서는 이러한 문제점을 극복하기 위하여 점토와 친화력이 좋은 물질로 폴리올레핀을 개질하여 층상 구조를 가지는 점토와 혼합하여 나노복합체를 제조하였다.
변성시키지 않은 층상 실리케이트를 반응형 유화제를 이용하여 유화중합법으로 박리형 고분자/실리케이트 나노복합체를 제조한다.대규모 생산 방법인 유화중합법을 토대로 비변성 실리케이트로 박리형 고분자/실리케이트를 쉽게 생산이 가능하다.
글루타릭 디알데히드로 변성시킨 층상 실리케이트를 사용하여 박리형 페놀수지-층상실리케이트나노복합체 제조에 관한 기술이다.본 기술은 기존의 고분자 성형방법에 적용 가능한 용융 삽입 방법을 사용하여 상업화에 유리하다. 또한 나노 크기의 층상 실리케이트를 소량 사용하여도 우수한 물성을얻을수 있어 성형시 점도가 크게 증가하지 않아 성형시 유리하다.
화학반응에 유용한 다공 평판 돌기전극 구조와, 다공 전극의 또 다른 면에 반응물질 저장소를 일체형으로 형성할 수 있게 함으로써 소형화에 유리하도록 한 미소 화학 반응기 구조다.평판의 전극에 매트릭스 형태로 미소돌기와 채널을 형성함으로써 화학 반응이 일어나는 면적을 최대화 하였다.
양자화된 헥사메틸렌테트라민으로 변성시킨 층상 실리케이트를 사용하여 말단 결합 구조를 가지는 박리형 페놀수지 나노복합체 제조에 관한 기술이다.본 기술은 기존의 고분자 성형방법에 적용 가능한 용융 삽입 방법을 사용하였다. 또한 층상실리케이트가 완전히 박리되고 페놀수지의 말단이 실리케이트의 표면과 이온결합으로 연결되어 둘 사이의 계면력이 크게 향상되어 실리케이트를 소량 첨가하여도 매우 우수한 물성을얻을 수 있다.
본 기술은 리튬이차전지의 전극활물질로 사용 가능한 니켈.황 화합물(NiS, NiS2, Nickel Sulfide)에 관한 것이다. 본 기술은 전극용 니켈.황 화합물(NiS, NiS2)을 양극으로 사용하고, 전해질로서 고체 폴리머 전해질이나 액체 전해질을 사용하여 전지를 제조한다.니켈.황화합물을 리튬이차전지의 전극재료로 사용함으로서 큰용량과 좋은 전극수명의 리튬이차전지를 제조할 수 있다.
변성시키지 않은 층상 실리케이트와 알킬 암모늄과 아미노산으로 변성시킨 층상 실리케이트를 사용하여 레졸형 페놀수지-층상실리케이트나노복합체 제조에 관한 기술이다.본 기술은 기존의 고분자 성형방법에 적용 가능한 용융 삽입 방법을 사용하여 상업화에 유리하다. 또한 나노 크기의 층상 실리케이트를 소량 사용하여도 우수한 물성을얻을수 있어 성형시 점도가 크게 증가하지 않아 성형시 유리하다.
본 기술은 다이아조 케토 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체, 그리고 메타아크릴레이트 단량체, 이들 단량체를 포함하는 중합체, 이 중합체를 포함하는 포토레지스트에 대한 그 제조 방법과 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.기존의 포토레지스트의 매트릭스 중합체로 사용되는 것들과는 달리 광산발생제가 필요없어, 광산발생제로 인한 문제점들을 예방할 수 있다. 또한 노광전후 흡광도 차이 효과 (photo bleaching effect)로 빛이 코팅된 바닥까지 도달하지 못해 발생하는 경사진 패턴 (sloped profile) 형성을 피할 수 있다.