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일반기술 화학공정 > 촉매제조 기술 (C38)

티탄 산화물 박막의 제조방법

본 발명은 티탄산화물 박막의 투명도 및 광촉매 효율의 문제를 해결하기자 한다.본 발명은 티탄산화물 박막의 제조방법에 관한 것이다.구체적으로는 티탄산화물 또는 티탄산화물 관련물질 분말의 표면을 산도가 높은 친수성 산화물인 WO3, MoO3, 또는 Nb2O5 또는 이들의 전구체로 코팅한 후 이것의 분산액을 사용하여 고체표면에 티탄산화물 박막을 형성하는 것이다.본 발명에 따라, 산도가 높은 친수성 산화물인 WO3, MoO3, 또는 Nb2O5를 사용하여 티탄산화물의 표면산도 및 분산성이 향상되어 입자 크기가 감소되므로 이를 이용하여 제조한 티탄산화물 박막의 투명도를 증진시킬 수 있으며 티탄산화물 광촉매 효율도 증진시킬 수 있다.표면산도가 높은 산화물을 티탄산화물 나노입자의 표면에 단분자층으로 코팅한 것으로, 용액에서의 분산성이 뛰어나다. 상기 분산액을 이용하면, 저온에서 저렴한 비용으로 광촉매의 박막화가 가능하다.본 특허의 자세한 내용은 세계적으로 저명한 학술저널인 Chemistry of Materials, 13, 2349 (2001)와 Journal of Catalysis, 191, 192 (2000)에 기술되어 있음. 미국화학회에서도 이 기술에 대해 커다란 관심을 보인 바 있음.제조된 광촉매 박막의 오염물질 분해능력 및 초친수성은 기존의 순수한 티탄산화물 박막보다 3-4배 가량 뛰어남. 투명박막의 제조가 가능함. 광촉매 박막의 적용이 가능한 부문은 매우 다양하며, 이를 열거하면 다음과 같다.1. 유리표면: 창문, 자동차 실내유리, 백미러, 고층건물의 실외 유리, 환기구, 전등, TV 모니터2. 타일3. 벽 : 벽지표면, 벽 표면(페인트칠 후 티탄산화물 코팅하면 벽이 깨끗한 상태를 오랫동안 유지함.)4. 플라스틱 표면5. 섬유일본의 경우, 년간 2조엔의 시장성을 예측함.현재, 티탄산화물 광촉매를 활용하는 벤쳐 기업이 국내에도 30-50개 가량 만들어진 상태이다. 현재의 국내사정은 광촉매 관련산업이 시작되고 있는 시점에 있으므로, 앞으로의 시장성은 매우 크다고 할 수 있다. 이 기술은 산업에 적용이 가능하고, 매우 우수한 특성을 가지고 있으므로 기업화의 전망이 밝다고 하겠다.

보유기관
인하대학교
등록일
2006-05-12
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일반기술 화학공정 > 고분자 가공공정 기술

내전극 정전 결합형 고분자 박막 제조 장치

본 발명은 가스를 이온화시키거나 전자 충돌을 발생시키기 위한 방전 에너지 문제, 박막 퇴적 문제 및 퇴적된 박막이 온도 상승으로 변질되거나 활성화되는 것을 해결하고자 한다.본 발명은 가스를 이온화시키기거나 전자 충돌을 발생시키기 위한 방전 에너지를 최소화하고 박막의 퇴적을 고르게 하며 퇴적된 박막이 온도 상승으로 변질되거나 활성화되는 것을 방지할 수 있도록 한 내전극 정전 결합형 고분자 박막 제조 장치에 관한 것으로서, 최저의 방전 에너지 수준에서 안정한 방전을 수행하도록 하기 위해서 방전 전극을 방전 가스에 노출시키고, 이온화된 입자들이 반응 영역에서 방전 영역으로 역류되는 것을 막기 위해서 알루미늄 노즐을 방전 영역과 반응 영역의 연통 부위에서 반응 영역으로 돌출되도록 형성하고, 박막이 퇴적되는 기판에 냉각수 유로를 형성하여 퇴적된 입자가 기판의 온도 상승에 의해 변질되거나 활성화 되는 것을 최소화함으로써, 단량체인 모노머의 분해를 최소화 할 수 있으며 따라서 제작된 박막 자체가 모노머 고유의 특성을 유지하여 센서용 감지막이나 리소그래피용 레지스트 및 광학 박막 등을 용이하게 제조할 수 있는 것이다.본 발명은 캐리어 가스를 유입하여 방전시키는 방전관과 상기 방전관 하부에 상기 방전관과 연통되도록 설치되고 단량체인 모노머 가스를 유입하여 소정 기판틀 위에 놓여지는 기판에 고분자 박막을 퇴적 형성시키는 반응기를 구비하는 플라즈마 중합 장치에 있어서, 상기 캐리어 가스를 방전시키기 위하여 상기 방전관 상하의 양단 부위에 상기 캐리어 가스에 노출되도록 방전 전극을 형성한 것을 특징으로 하는 내전극 정전 결합형 고분자 박막 제조 장치를 특징으로 한다.본 발명은 단량체의 분해를 최소화하여 단량체의 고유의 특성을 유지하는 박막의 제작이 가능하여 물리적으로 화학적으로매우 안전된 박막을 형성할 수 있는 효과가 있으며, 따라서 단량체 자체의 특성을 고려하여 센서용 감지막이나 리소그래피용 레지스트 및 광학 박막등을 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다본 발명은 물리적 화학적으로 안전된 박막을 형성할 수 있으며, 센서용 감지막이나 리소그래피용 레지스트 및 광학 박막을 제조할 수 있어 그 시장성은 매우 크다.

보유기관
인하대학교
등록일
2006-05-12
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일반기술 화학공정 > 고분자 중합공정 기술

고분자 박막 증착을 위한 개량된 크루드센 셀

열증발법의 열증발기로서 시료용기의 하단부에 텅스텐 증발원을 설치하는데 이로 인해 시료용기의 측면에 시료의 잔존 문제점과 증발원 온도의 조절이 어렵기 때문에 고분자 시료의 증착 효율이 저하되는 단점, 시료용기의 바닥 부분은 상대적으로 온도가 낮아 원료의 증발성이 저하되는 것과 작업종료 후에는 고분자 물질이 용기의 바닥 부분에 잔류되는 문제점 및 기능성 고분자 박막을 진공 증착하는 경우, 증발효율이 저하되는 문제점을 해결하고자 한다.본 발명은 고분자재료를 기판에 증착하기 위한 진공증착장치의 핵심적인 구성품의 하나인 크루드센 셀(Knudsen, K-cell)에 관한 것이다. 상기 크루드센 셀(Knudsen cell; 이하 케이-셀이라 함)은 고분자 시료를 가열하여 기판에 증착되도록 하는 역할을 한다.본 발명은 특히 온도제어가 가능하고 시료를 충분히 증발시킬 수 있도록 시료가열방식이 개량된 크누드센 셀(에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 시료가 적층되는 부분과 그 측면을 동시에 가열하는 복수가열 방식을 수행함으로써, 시료의 잔류현상을 제거할 수 있음은 물론, 고분자 재료의 증착효율을 증가시킬 수 있게 되는 것이다.따라서 본 발명의 목적은 기능성 고분자 박막을 증착하기 위한 진공증착장비에 있어서, 온도제어가 가능하면서도 시료를 충분히 증발시킬 수 있도록 시료가열방식이 개량된 케이-셀을 제공한다.상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 시료의 가열방식이 단일가열이 아닌 복수가열방식 즉, 시료가 적재되는 부분과 그 측면부를 동시에 가열하는 방식을 채택함을 특징으로 한다. 즉, 본 발명의 케이-셀에서는 시료가 적재되는 부분과 그 측면에 각각 발열원을 설치할 수 있도록 시료용기를 제작하고, 가열온도가 시료용기의 모든 부위에 고르게 전달되도록 하여 시료용기 전체의 온도편차를 최소화함을 특징으로 한다.본 발명은 시료용기의 가열방식이 시료가 적층되는 부분과 그 측면을 동시에 복수가열방식을 수행함으로써, 시료의 잔류현상을 제거할 수 있을 뿐 아니라, 고분자 재료의 증착효율을 증가시킬 수 있다. 본 발명에 따른 개량된 케이-셀은 고분자 박막을 제작하는 생산성을 증대시키고 시료의 낭비를 막아 생산원가를 절감시킬 수 있는 효과가 있다.박막의 성형 및 합성기술의 발달은 컴퓨터 영상기기 및 사무 자동화기를 포함하는 전자, 정보산업기기의 소형화 및 고성능화으로 발전하고 있다.특히, 고집적 및 고정밀성을 필요로 하는 초전소자, 광학소자, 통신소자 등의 분야에서 첨단분야의 핵심부품으로 대두되고 있다.

보유기관
인하대학교
등록일
2006-05-12
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일반기술 화학공정 > 유기합성 공정 기술 (C23)

졸-겔 공정을 위한 용액 합성장치

본 발명은 종래의 졸-겔 용액의 제작에 있어 재현성의 문제를 해결하고 졸-겔 공정에 필요한 최적의 수분 및 습도를 유지시키고자 한다.본 발명은 졸-겔(sol-gel) 공정에 의한 강유전체 박막의 용액 합성장치에 관한 것이다.보다 상세하게는 본 발명의 용액 합성 장치를 이용하므로써 졸-겔 용액합성에 사용되는 출발물질인 금속 알콕사이드(metal-alkoxide)와 외부공기의 접촉을 최소화하여 공기중의 수분이나 불순물에 따른 오염등 원치 않는 공정인자들을 초기에 제거하므로써 최적의 졸-겔 용액을 얻을 수 있다.또한, 용액 합성시 가열에 의해 발생되는 기체 부산물을 액체 질소의 순환을 통해 냉각 증류함으로써 졸-겔 공정에 필요한 최적의 수분 및 습도를 유지시킬 수 있는 졸-겔 공정을 위한 용액 합성장치에 관한 것이다기존의 졸-겔 용액합성 방법과는 달리, 개폐수단을 구비한 실린더를 이용함으로써 출발물질인 금속 알콕사이드(metal-alkoxide)가 외부공기와 접촉을 최소화하여 공기중의 수분이나 불순물에 따른 오염등을 초기에 제거할 수 있고, 용액 합성시 가열에 의해 발생되는 기체 부산물을 액체 질소의 순환을 통해 냉각 증류함으로써 졸-겔 공정에 필요한 최적의 수분 및 습도를 유지시킬 수 있다.본 발명은 개폐수단을 구비한 실린더를 이용함으로써 농축 용액합성에 사용되는 출발물질인 금속 알콕사이드와 외부공기의 접촉을 최소화하여 공기중의 수분이나 불순물에 따른 오염등을 제거하므로써 재현성있는 최적의 졸-겔 용액을 제작할 수 있게 된다.또한, 본 발명은 용액 합성시 가열에 의해 발생되는 기체 부산물을 액체 질소의 순환을 통해 냉각 증류함으로써 졸-겔 공정에 필요한 최적의 수분 및 습도를 유지시킬 수 있게 된다.따라서, 본 발명은 강유전체 박막 제조시 박막의 질을 높일 수 있는 최적의 농축 용액을 얻을 수 있게 된다.강유전체 박막을 제조할 수 있는 방법으로는 전자 빔 증착(electron beam deposition), rf-마그네트론(rf-magnetron), 이온 빔 스퍼트링(ion beam sputtering), 레이저 애블레이션(laser ablation), 금속유기화합물 열 분해(metallorganic compound thermal decompositon, MOD), 졸-겔과 MOCVD 등이 있다.상기 방법에서, 졸-겔 방법이 조성비의 제어와 조성비의 변화에 따른 박막 특성의 연구에 적합하며, 고가의 진공 장비가 필요하지 않아 제작이 간편하고 넓은 면적의 박막을 균일하게 증착시킬 수 있는 것으로 각광받고 있다. 특히, 졸-겔 방법이 갖는 문제점인 대기중의 수분, 먼지나 불순물 등의 영향을 최소화하기 위한 조건을 만족시켜 강유전체 박막의 제조에 이용하는 것이 과제이다.최적의 수분 및 습도를 유지하여 제조된 본 발명의 졸-겔 합성방법을 통해 제작된 강유전체 박막은 메모리 소자, 적외선 검출소자, 전기 광학 소자 등의 다양한 분야에 응용될 수 있는 우수한 초전성, 압전성, 유전성 및 광학적 특성을 가지고 있어 그 활용범위가 점차 확대되고 있다.

보유기관
인하대학교
등록일
2006-05-22
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일반기술 화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술

덴드론 혹은 덴드론 유도체로 안정화된 금속 나노 입자 및 그 제조 방법

본 기술은 덴드론 혹은 덴드론 유도체로 안정화된 금속 나노 입자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 나노 입자의 표면에 도입하는 유기 화합물로서 덴드론 혹은 덴드론 유도체를 사용하여 안정화된 금속 나노 입자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.지금까지 알려진 금속 나노 입자들의 합성 방법에는 진공 상태에서 높은 전압을 이용하여 합성하는 건식 합성 방법과 유기 용매와 수용액 중에서 합성하는 습식 합성 방법 등이 있으며, 이중에서 습식 합성 방법이 비교적 쉽고 비용이 상대적으로 싸다는 장점 때문에 주로 이용되고 있다. 금속 나노 입자의 합성은 금, 은, 백금, 팔라듐, 철, 구리, 코발트, 카드뮴, 실리콘 등의 금속 나노 입자 합성이 보고되어져 있다.그러나, 이러한 금속 나노 입자들은 그 자체로는 불안정하여 시간이 지남에 따라 응집하여 나노 입자로서의 성질을 잃어버리기 때문에, 용액 중 및 건조 후에도 안정한 나노 입자의 합성에는 이들 나노 입자의 응집을 막을 수 있는 방법이 필요하다.본 기술은 금속 나노 입자의 합성에 있어 안정화 리간드로 덴드론 혹은 덴드론 유도체를 사용함으로써 입자의 크기가 매우 일정한 금속 나노 입자를 제공하고, 그 합성하는 방법을 제공한다.본 기술에서는 금속 나노 입자를 안정화하기 위해 표면에 도입하는 화합물을 입체적 장애효과를 효율적으로 나타낼 수 있는 덴드론이라고 하는 나무가지 모양의 유기화합물을 사용함으로써, 금속 나노 입자의 크기를 조절할 수 있을 뿐 아니라, 덴드론의 입체적 장애 효과에 의해 금속 나노 입자의 표면에 촉매로서 이용할 있는 비어 있는 금속 표면을 효과적으로 제공하여 균일상 촉매로 금속 나노 입자를 사용하는 것을 가능케 한다.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2006-05-12
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일반기술 화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술

나노 입자 제조 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법

기존에 가장 많이 사용되고 있는 나노 입자의 제조 방법은 "불활성 기체 응축법(Inert Gas Condensation)"이다. 이는 불활성 기체 분위기를 조성한 챔버내에서 원재료를 저항열을 이용, 가열하여 증발시킴으로써 고체상태의 나노 입자를 제조하는 방법이다. 불활성 기체 응축법은 비교적 공정이 간단하면서 제조 공정 변수를 조절하기 용이한 장점을 가지고 있으나, 저항열을 이용함으로써 녹는점이 높은 재료의 나노 입자 제조에 제약을 받으며, 제조 시간 또한 길어 대량 생산에는 적합하지 못하다. 그리고, 필라멘트에 의한 저항열을 열원으로 사용함으로써 필라멘트가 불순물원으로 작용하여 고순도의 나노 입자 제조에 적합하지 못하고 제조 원가 또한 높은 편이다.본 기술은 상술한 기존의 나노 입자 제조법이 가지고 있던 문제점들을 보완하여 균일한 크기와 형상을 가지며, 고순도의 나노 크기 입자를 대량으로 제조할 수 있는 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법을 제공한다.본 기술은 원재료를 수용하기 위한 챔버, 상기 챔버내에 고에너지 전자 가속빔을 주입하는 전자빔 가속기, 상기 챔버 내부를 진공으로 만드는 진공펌프, 상기 챔버 내의 분위기를 조장하는 가스를 주입하는 고압 조절기, 및 생성된 나노 입자를 수집하는 냉각판을 구비하는 나노 입자 제조 장치를 제공한다. 본 기술에 따른 나노 입자 제조 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법은 단시간 내에 나노 입자의 대량 생산을 가능케 하고, 이렇게 제조된 입자의 크기가 균일하며 형상이 구형에 가깝다. 또, 제조 공정상 변수들의 제어가 용이하고 고순도의 제품을 생산할 수 있다. 순수한 나노 입자뿐 아니라 챔버 내부를 산화 분위기로 조장함으로써 산화물 나노 입자의 제조에도 응용될 수 있다.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2006-05-24
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일반기술 화학공정 > 기타 분리·정제 기술

붕소 도핑 다이아몬드 전극을 이용한 전기화학적 폐수처리 방법

본 발명은 붕소 도핑 다이아몬드 전극을 이용한 전기화학적 방법을 통해 폐수 내 주요 오염물질인 질산성 질소 및 미생물을 보다 효과적으로 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 BDD 전극을 이용한 전기화학적 폐수처리 방법에 의하면, 별도의 첨가제의 사용 없이 상기 BDD 전극에 전류를 인가하는 것만으로 수중의 질산성 질소를 질소 가스로 환원시켜 효과적으로 제거할 수 있고, 동시에 물의 전기분해에 의해 생성되는 강력한 산화제로부터 물의 살균 및 소독 효과도 얻을 수있다. 또한, 상기 BDD 전극은 불용성 전극으로서 반응에 직접적으로 참여하지 않기 때문에, 증착된 붕소-다이아몬드 층이 물리적 충격 등으로 제거되지 않는 한, 반영구적으로 사용할 수 있어 비용 절감 효과면에서도 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 BDD 전극을 이용한 전기화학적 폐수처리 방법은 친환경적이고, 물의 정화 효과가 우수하며, 시간 및 비용 면에서도 경제적인 방법으로서 폐수처리를 위한 다양한 장치 및 방법에 널리 응용될 수 있다.본 발명은 붕소 도핑 다이아몬드(boron-doped diamond) 전극을 이용하여 폐수를 처리하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 붕소 도핑 다이아몬드 전극을 이용한 전기화학적 방법을 통해 폐수 내 주요 오염물질인 질산성 질소 및 미생물을 보다 효과적으로 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 폐수 중의 질산성 질소와 미생물을 보다 경제적이고 효과적으로 제거할 수 있는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 BDD 전극을 이용한 전기화학적 폐수처리 방법에 의하면, 별도의 첨가제의 사용 없이 상기 BDD 전극에 전류를 인가하는 것만으로 수중의 질산성 질소를 질소 가스로 환원시켜 효과적으로 제거할 수 있고, 동시에 물의 전기분해에 의해 생성되는 강력한 산화제로부터 물의 살균 및 소독 효과도 얻을 수 있다.또한, 상기 BDD 전극은 불용성 전극으로서 반응에 직접적으로 참여하지 않기 때문에, 증착된 붕소-다이아몬드 층이 물리적 충격 등으로 제거되지 않는 한, 반영구적으로 사용할 수 있어 비용 절감 효과 면에서도 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 17-11 BDD 전극을 이용한 전기화학적 폐수처리 방법은 친환경적이고, 물의 정화효과가 우수하며, 시간 및 비용 면에서도 경제적인 방법으로서 폐수처리를 위한 다양한 장치및 방법에 널리 응용될 수 있다.

보유기관
인하대학교
등록일
2006-05-18
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일반기술 화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술

나노입자가 충진된 나노구조

* 원리 및 구성본 기술은 나노틀(NANO TEMPLATE)에 나노입자를 충진하는 충진방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. 구체적으로는 다수의 기공(PORE)을 갖는 양극 산화 알루미나(ANODIC ALUMINIUM OXIDE, AAO)와 같은 나노틀에 초음파진동 방법이나 마그네틱 스터링 방법으로 지름이 1-100NM인 나노입자(NANO PARTICLE)를 충진하는 방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. * 개발배경다수의 기공을 가지는 나노틀을 초음파 발생기 상부에 위치하는 용기에 제공하는 단계; 상기 용기에 분산되어 있는 다수의 나노입자를 포함하는 나노입자 분산액을 제공하는 단계 및 상기 초음파 진동기를 이용하여 초음파를 발생하고 일정한 시간동안 유지하여 상기 나노틀의 상기 다수의 기공에 상기 나노입자를 장입하는 단계를 포함하는 나노입자 배열방법을 활용하는 것을 사용한다.* 적용제품 및 경쟁제품다수의 기공을 가지는 나노틀을 초음파 발생기 상부에 위치하는 용기에 제공하는 단계, 상기 용기에 분산되어 있는 다수의 나노입자를 포함하는 나노입자 분산액을 제공하는 단계 및 상기 초음파 진동기를 이용하여 초음파를 발생하고 일정한 시간동안 유지하여 상기 나노틀의 상기 다수의 기공에 상기 나노입자를 장입하는 단계를 포함하는 나노입자 배열방법. 본 기술은 나노틀(NANO TEMPLATE)에 나노입자를 충진하는 충진방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. 구체적으로는 다수의 기공(PORE)을 갖는 양극 산화 알루미나(ANODIC ALUMINIUM OXIDE, AAO)와 같은 나노틀에 초음파진동 방법이나 마그네틱 스터링 방법으로 지름이 1-100NM인 나노입자(NANO PARTICLE)를 충진하는 방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. *주요적용제품- 나노 소재 제품*특징 및 장점- 다른 나노구조보다 빠르고 신속한 방법으로 처리가능

보유기관
고려대학교
등록일
2006-05-24
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일반기술 화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술

친핵성 그룹 표면을 갖는 기질상에 직접 고밀도의 아민기를 함유하는 분자층의 형성 방법

본 기술은 단일공정을 통해 기질 상에 고밀도의 아민기 함유 분자층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기질 표면의 친핵성 작용기인 히드록시기와 아지리딘 동등체(equivalent)를 직접 반응시켜 기질 상에 고밀도의 아민기 함유 분자층을 형성하는 방법에 관한 것이다.현재까지 유리판 또는 용융실리카와 같은 기질에 아미노실란화와 같이 실리콘화합물을 이용해서 일단 표면을 활성화시킨 후 다시 아지리딘과 같은 고반응성 화합물을 이용하여 고밀도의 아민작용기를 같은 기질을 형성하는 방법을 개선하여 직접, 한단계에 의하여 위와 같은 기질을 활성화하는 동시에 고밀도 아민작용기를 갖도록 하는 신제법이다.본 기술인 기질상에 고밀도의 아민기 함유 분자층을 형성시키는 방법은, 기질상에 고밀도의 아민기 함유 분자층이 도입되어 바이오칩을 개발하는데 매우 중요한 기능을 수행할 수 있으며, 이밖에도 기질 표면에 원하는 분자들을 고정하고, 이들의 성질을 밝히는 표면 연구에도 중요한 표면 기질로 사용이 가능하다. 또한, 본 기술은 기질의 친핵성 작용기 표면에 아지리딘을 직접 반응시키는 단일공정을 통해 기질 표면에 높은 밀도의 아민기를 가지는 표면을 간단히 제조할 수 있고, 기존의 두 단계 또는 그 이상을 거치는 공정을 보다 단순화시킨 방법으로서, 바이오칩의 개발 및 표면연구에 소요되는 시간 및 비용을 절감시키는 효과를 가져올 수 있다.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 추출 공정 기술

황화수소 제거용 재생 가능한 망간계 탈황제(엠티) 및 이의 제조방법

본 발명의 황화수소 제거용 탈황제는 MnCO3 75중량%와 TiO2 20중량% 및 벤토나이트 5중량%로 이루어지고, 분말상태의 각 시료를 혼합하는 단계; 항량이 될 때까지 건조하는 단계; 소성하는 단계; 경화하는 단계; 및 경화된 탈황제를 분쇄 및 체거름 하는 단계를 포함하므로써 이루어지는 것으로, 본 발명의 탈황제는 고온에서 우수한 황화수소 제거효과가 있다. 본 발명에서는 석탄가스화 복합발전에서 발생하는 황화수소를 고온에서 흡착 제거할 수 있는 망간계 탈황제 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 탈황제 조성은 MnCO3 75중량%와 TiO2 20중량% 및 벤토나이트 5중량%로 이루어지며, 본 발명의 탈황제 제조방법은 분말상태의 각 시료를 혼합하는 단계; 항량이 될 때가지 건조하는 단계; 소성하는 단계; 경화하는 단계; 및 경화된 탈황제를 분쇄 및 체거름 하는 단계를 포함하므로써 이루어진다.본 발명은 황화수소를 고온에서 흡착 제거하는 망간계 탈황제 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 모든 연료가스에 적용하여도 원소망간으로서의 환원저항이 크고, 고온에서도 조업할 수 있으며, 특히 반응속도가 빠른 장점이 있다.본 발명의 특징은 550-800℃에서 황화수소와 반응하는 망간계 탈황제 물질인 MT 탈황제는 MnCO 3 75중량% + TiO2 20중량% + 벤토나이트 5중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 황화수소 제거용 탈황제이고, MnCO3 , 75중량%, TiO 2 20중량%, 벤토나이트 5중량% 를 원료로 하는 탈황제는 구성원료를 혼합하는 혼합단계; 상기 시료를 항량이 될 때까지 110℃에서 건조하는 건조단계; 건조된 시료를 400℃에서 소성하는 소성단계; 소성된 시료를 1100℃에서 경화하는 경화단계; 경화된 탈황제를 분쇄 및 체거름 하는 분쇄단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.

보유기관
부산대학교
등록일
2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술

나노미터 수준의 고정밀 패턴 형성 방법

본 기술은 나노미터 수준의 고정밀 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 자기조립 단분자층을 이용하여 표면에 나노미터 수준의 고정밀 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.기존의 광전사법에서 사용하던 딥 UV 영역의 빛이 아니라, 보다 파장이 짧은 소프트 X-선에 의해 선택적인 화학적 변환을 일으키는 새로운 형태의 안정한 자기조립 분자 박막을 사용하여 나노미터 수준의 패턴을 단시간 내에 형성하는 방법을 제공하는데 있다.기질 표면에 친수성과 소수성으로 구별되는 고정밀 나노패턴을 단시간 내에 원하는 모양으로 형성할 수 있다. 이와 같이 만들어진 나노패턴은 고분자 공중합체의 코팅과 선택적인 표면의 에칭을 수반하는 기초 표면으로 사용되어, 반도체 재료분야에 유용성이 크다. 또한 반응성이 좋은 아민기를 가지고 있어, 효소 혹은 갖가지 기능성 물질을 나노 수준에서 조절하여 도입할 수도 있으므로, 고집적 바이오 칩이나, 센서를 개발하는 데 매우 중요한 기능을 수행할 수 있다.

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포항공과대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술

(TI,AL)N의플라즈마화학증착방법

본 발명은 플라즈마 화학증착법을 이용하여 (Ti, Al)N막을 증착시키는 방법에 관한 것이다. (Ti, Al)N막은 기존의 TiN에 Al의 원소를 첨가시킨 새로운 공구코팅재료이며 정밀저항등의 전자재료로서도 활용가치가 인정되고 있다. 이 재료를 대량생산 및 복잡한 형상의 공구에도 적용가능한 플라즈마 화학증착법을 이용하여 500℃ 근처의 저온에서 코팅시키는 기술에 관한 것이다.TiCl4, AlCl3, N2, H2, Ar의 혼합가스를 이용하고 반응온도 400-600℃, 증착압력 6.1-5Torr 범위에서 R.F.플라즈마를 사용하여 (Ti, Al)N박막을 증착시켰다. 증착된 (Ti, Al)N막은 Al 함량이 10%정도에서 경도가 2800㎏/㎟ 이상으로 크게 증가함을 보여주었으며 700℃까지의 공기중의 열처리에서도 우수한 내산화성을 보였다. 발명은 새로운 코팅재질의 (Ti, Al)N을 일반 강재공구에도 적용가능하도록 플라즈마를 부에너지원으로 사용하여 증착반응물을 활성화시킴으로서 대략 500℃의 온도에서 (Ti, Al)N의 증착이 가능하도록 한 (Ti, Al)N의 플라즈마 화학증착법을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명은 TiCl4, AlCl3, N2 및 H2를 반응기체로 사용하고 Ar 기체를 운반기체로하여 이들 기체를 반응로 내부로 공급하고 RF플라즈마에 의한 글로우 방전으로 피증착물의 표면에 (Ti, Al)N 보호피막을 형성시키는 방법에 있어서, 증착온도 400~600℃, 증착압력 0.1~5Torr, RF플라즈마 밀도:0.0008~0.25Watt/㎤의 증착조건에서 증착시킴을 특징으로 하는 (Ti, Al)N의 플라즈마 화학증착법을 사용한다.

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부산대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

티아이 에이엘 에스아이 엔계 경질코팅막의 증착방법

본 발명은 Ti-Al-Si-N의 4성분계 경질코팅막의 증착방법에 관한 것이다.본 발명의 증착방법은, 금형, 공구 등이 설치된 챔버내에 진공을 가하고 가열하는 제1 단계와, 상기 챔버내에 Ar가스를유입하고 바이어스를 인가하여 상기 금형, 공구 등을 세정하는 제2 단계와, 상기 챔버내로의 Ar가스 유입을 차단하고 상기챔버내를 재차 진공을 가하고 가열하는 제3 단계와, 상기 챔버내에 Ar가스 및 N2가스를 유입하고 바이어스를 인가하는 제4 단계 및, 상기 AIP법을 사용하는 Ti-Al 타겟과 상기 스터퍼법을 사용하는 Si 타겟에 전원을 각각 인가하여 상기 금형, 공구 등의 표면에 Ti-Al-Si-N계 경질코팅막을 증착하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 증착방법은AIP법과 스퍼터법의 하이브리드 공정을 통해 복잡한 형상을 갖는 금형, 고속도공구나 초경합금공구 등에 균일한 표면 도포성을 갖는 초고경도의 Ti-Al-Si-N계 경질코팅막을 증착할 수 있다.본 발명의 증착방법은 AIP법과 스퍼터법의 하이브리드 공정을 통해 복잡한 형상을갖는 금형, 고속도공구나 초경합금공구 등에 균일한 표면 도포성을 갖는 초고경도의 Ti-Al-Si-N계 경질코팅막을 증착할수 있다.또한, 본 발명의 증착방법은 AIP법에 적용하기 어려운 세라믹 타겟을 스퍼터법에 사용하고 다른 타겟을 AIP법에 사용함으로써 다원계 및 다층박막 합성도 가능하다.또한, 본 발명의 증착방법은 금형, 고속절삭공구, 베어링, 바이트, 드릴, 엔드밀 등 복잡한 형상의 표면에 초고경도의 Ti-Al-Si-N계 경질코팅막을 증착함으로써 공구의 수명을 연장함과 아울러, 다방면의 고부가가치 기술산업에 적용할 수 있는효과가 있다.

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부산대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 섬유공학 기술

섬유 단열재의 보온 성능 향상을 위한 표면처리 및 그의제조방법

본 발명은 보온 단열재의 성능과 가공성 향상을 목적으로 기존의 단열재에 단열 물질을 표면 처리하는 방법과, 고온에서도 견디는 표면 처리 물질을 사용하여 내 고온성을 향상시키는 물질의 개발 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 보온 단열재 제조에 가공성이 현저히 개선된 표면 처리제의 개발 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 보온 단열재에 제조에 있어서, 보온 및 내 고온성이 탁월한 단열 페인트로 단열재의 표면 처리하는 기술과 그 제조 방법을 목적으로 한다.보온 단열재에 제조에 있어서, 보온 및 내 고온성이 탁월한 단열 페인트로 단열재의 표면 처리하는 기술과 그 제조 방법 이며 보온 단열재의 성능과 가공성 향상을 목적으로 기존의 단열재에 단열 물질을 표면 처리하는 방법과, 고온에서도 견디는 표면 처리 물질을 사용하여 내 고온성을 향상시키는 물질의 개발 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 보온 단열재 제조에 가공성이 현저히 개선된 표면 처리제의 개발 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

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순천대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

스테인레스강 표면 발색을 위한 제조 공정 기술

본 발명은 스테인레스강 표면 발색을 위한 제조 공정 기술에 관한 것이다. 스테인레스강은 크롬합금 재질로서 내구성과 내식성 등의 기계적, 화학적 성질 외에 표면 처리에 의한 깨끗하고 아름다운 표면을 얻을 수 있어 구조용재료 및 기계 부품등의 산업용으로도 중요한 비중을 차지하고 있고, 자동차, 가전제품 및 건축자제, 기념품 등의 장식용 재료로도 사용이 크게 늘어나고 있다. 이에 최근 불어오는 금속제품의 패션화에 따라 스테인레스강 제품에도 단조로운 금속 색상에서 벗어나 다양한 칼라의 스테인레스 제품을 원하게 되었다. 본 발명은 1979년 영국 INCO사에서 개발한 INCO법으로 착색 스테인레스를 생산함에 있어 고온의 산성 CR 용액을 이겨낼 수 있고, 균일하게 온도를 제어 할 수 있는 용기와 단단한 피막 형성하고 온도를 가하면서 발생하는 수증기를 제거하는 공정 기술이다.공정의 BOX와 착색조, 전해조 탕세조의 온도 및 반은 시간을 조절하는 CONTROL BOX와 고온의 강산 CR액을 이길 수 있도록 스테인레스 재질의 조의 내부에 납땜을 하고 온도를 일정하게 유지시킬 수 있도록 단열재를 그 사이에 넣어 만든 착색조 및 전해조와 착색조, 전해조의 강산의 CR액을 순환시킬 수 있는 내산 펌프와 CONTROL BOX에서 설정한 온도로 빠른 시간 내에 올릴 수 있는 열선과 열선을 강산으로부터 보호하기 위한 석영관과 고온의 강산 CR액의 온도를 감지하는 온도 센서와 경막 처리할 때 전류의 양과 시간을 설정하고 흘러 보낼 수 있는 정류기 및 고온에서 반응할 때 발생되는 유독가스를 배출시키는 환풍 시설과 착색처리, 경막 처리 과정 중에 바로 탕세 할 수 있는 탕세조와 손쉽게 이용할 수 있는 수도 시설 및 폐수 처리 장치.

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순천대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술

강제산화법에 의한 스텐레스 표면 착 발색 처리기술

본 발명은 종래의 연구는 영국의 INCO법(UK PAT, 275, 781)으로 스테인레스를 산성CR용액에 침지시켜서 FE, NI, CR의 산화물로 이루어진 1㎛전후의 산화물 층을 형성시키고 이 산화물 층의 두께,높이 차에 의한 빛의 간접작용에 의해서 여러 가지 색이 나타나게 된다. 이와 같이 처리한 스테인레스의 표면에는 무수한 미세 동공들이 형성되므로 이를 CR도금액에 침지시켜서 음극 처리함으로서 동공 속에 CR을 석출시켜 메워주고 아울러 산화물 층에 대한 부착력을 증가시켜준다. 이 후에는 AUTO INCO법의 발전으로 산화전위차에 따라서 표면의 색이 달라지는 현상을 알게 되었다. 이로서 스테인레스의 표면색을 MONITOR하고, 변화양상을 조사할 수 있게 되었다. 그러나 앞의 방법들은 산성CR용액의 농도와 조성이 시험시 마다 변화되기 쉬우므로 제어가 어려웠다. 또한, 스테인레스의 조성과 입자의 크기(GRAIN SIZE)등에 따라서 재현성이 있는 실험이 불가능했다. 즉 재현성 있는 실험 수행을 위한 정확한 실험데이타와 고도의 숙련된 기술이 중요한 변수가 되었다. 앞세대의 착색법의 재현성부족의 문제점 해결과 더불어 다양한 착·발색을 이끌어내기 위해서 실험을 단색 착색법에서 실시하여 그 결과로 얻은 DATA를 기초로 다색착발색법으로 진행하였다. [도1] 단색착색법에서는 2가지 처리액인 산화액과 CR도금액을 사용하였다. [도2] 다색 착색법은 단색착색법의 주 변인이였던 처리시간 이외에도 각 처리액의 처리순서가 덧붙여졌다.이 기술은 산업이 발달하고 생활이 윤택해지면서 금속의 고유한 특성을 갖으면서도 고기능, 고부가가치를 얻을 수 있는 신소재와 더불어 다양한 색조개념을 반영한 칼라금속에 대한 수요가 증가되고 때문이다. 이로서 각종 생활용품이나 장신, 장식, 금속공예품 등에 적용이 가능하다. 이를 위하여 스테인레스강 소재에 표면처리기술을 응용하여 다양한 색상을 착·발색시킨 소재를 개발하게 되었다. 칼라금속의 안정적 생산을 위한 재현성있는 실험데이타를 필요하게되었고, 위의 필요성에 의해서 실험을 실시하게 되었다.

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순천대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)

소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법

세라믹 재료나 고분자 재료는 표면이 소수성을 나타낸다. 이러한 소수성을 띠는 소재의 응용 분야를 더욱 넓히기 위한 방법으로, 소수성 표면을 친수성으로 개질시키려는 연구가 진행되고 있다. 본 기술은 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 양이온 고분자층 및 음이온 고분자층을 교대로 형성함으로써 소수성 기재 위에 친수성 코팅층을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 기술에서는 기재를 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재의 표면에 양이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 코팅층이 형성된 상기 기재를 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 상기 양이온 코팅층 위에 음이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 것을 포함하는, 기재 표면에 친수성 코팅층을 형성하는 방법을 제공한다.본 기술에 따른, 양이온 고분자 수용액 및 음이온 고분자 수용액에 침지시킴으로써 기재의 표면에 양이온 고분자층 및 음이온 고분자층을 교대로 형성하는 것을 포함하는, 친수성 코팅층의 제조방법은 기재의 크기 및 형태의 제한이 없고, 코팅층이 투명하여 기재의 원색 및 투명도를 그대로 유지시킬 수 있으며, 또한 수용액상에서의 침지법을 이용하므로 환경 친화적이며, 기재로서 유리, 세라믹, 금속 등의 무기 재료, 및 플라스틱, 고무 등의 범용 고분자 재료가 모두 사용될 수 있으므로 광범위한 산업분야에 유용하게 적용될 수 있다.

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포항공과대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 고분자 가공공정 기술

분자 전해질 막 제조방법

고분자전해질 막(SPE, SOLID POLYMER ELECTROLYTE)은 2차전지, 커패시터, 센서, 연료전지 등의 구성요소로서 이온전도체와 분리막의 역할을 동시에 하며 여러 장점이 있어 많은 연구개발이 진행되고 있으나 건성 SPE(DRY SPE)에서는 낮은 이온전도도, 겔 SPE에서는 약한 기계적 강도, 다공성 SPE(POROUS SPE)에서는 전해질액의 누수(LEAK) 등이 해결해야할 점들로 남아 있다. 이런 문제점을 개선하기 위한 본 발명은 다공성고분자막에 겔을 투입한 새로운 형태의 고분자전해질 막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제조된 SPE는 겔 SPE와 다공성 SPE의 단점들을 보완해 기계적 강도가 겔 SPE보다 강화되고 전해질 누수문제가 감소되었으며 이온전도도가 다른 형태의 막보다 높아 여러 용도에 효과적으로 사용될 수 있다.고체고분자전해질 막을 제조하는 과정에서 다공성 고분자 막을 제조한 후 이 막에 전해질 용액을 흡입 시 고분자를 용해시키는 용매를 전해질 용액에 첨가하여 용액을 흡입한 다음 용액 밖에서 고분자막 내부 기공에 흡입된 용매에 의해 고분자가 용해되어 겔화가 진행되게 한 후 막을 건조해 고분자전해질 막을 제조함으로써 건성 SPE의 단점인 낮은 전도성, 겔 SPE의 단점인 약한 기계적 강도, 다공성 SPE의 누수문제 등을 개선하는 것을 특징으로 하는 고체고분자전해질 막 제조방법.

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순천대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 신발 가공 공정 기술

UV/TiO2 광촉매를 이용한 항균·탈취 신발장

본 고안은 자외선과 산화티탄 광촉매를 이용한 신발장의 항균·탈취에 관한 것이며, 자외선을 발산하는 램프 주위에 산화티탄이 표면 코팅된 지지봉을 장착함으로서, 신발장 내부에서 자생하는 세균과 바이러스 및 곰팡이 등을 살균시키고, 신발에서 발생하는 발 냄새를 탈취하는 신발장의 UV/TIO 2 구조에 관한 것으로 신발 및 신발장 상태를 양호하게 할 수 있도록 한 것이다. 본 고안은 보통 주택의 출입구 측에 설치되는 신발장 본체(10)의 내부에 상하단으로 일정 간격을 유지한 상태로 산화티탄이 표면 코팅된 지지봉(31)을 이격시켜 형성하여 공기 이동홀(32)이 형성되도록 한 TIO 2 가 코팅된 신발 수납대(30)와 상기 신발 수납대(30)의 양측에 문 개폐상태를 파악하는 접촉스위치(20)를 이용한 UV램프(21)로 된 것이다.본 고안은 자외선과 산화티탄 광촉매를 이용한 신발장의 항균·탈취에 관한 것이며, 자외선을 발산하는 램프 주위에 산화티탄이 표면 코팅된 지지봉을 장착함으로서, 신발장 내부에서 자생하는 세균과 바이러스 및 곰팡이 등을 살균시키고, 신발에서 발생하는 발 냄새를 탈취하는 신발장의 UV/TIO 2 구조에 관한 것으로 신발 및 신발장 상태를 양호하게 할 수 있도록 한 것이다. 본 고안은 보통 주택의 출입구 측에 설치되는 신발장 본체(10)의 내부에 상하단으로 일정 간격을 유지한 상태로 산화티탄이 표면 코팅된 지지봉(31)을 이격시켜 형성하여 공기 이동홀(32)이 형성되도록 한 TIO 2 가 코팅된 신발 수납대(30)와 상기 신발 수납대(30)의 양측에 문 개폐상태를 파악하는 접촉스위치(20)를 이용한 UV램프(21)로 된 것이다. 신발장 본체(10)의 내부에 상·하단으로 일정 간격을 유지한 상태로 설치되고 광촉매 지지대(31)를 이격시켜 형성하여 공기 이동홀(32)이 형성되도록 한 광촉매 신발 수납대(30)로 된 신발장의 항균 ·탈취구조.

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순천대학교
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2006-05-10
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일반기술 화학공정 > 촉매제조 기술 (C38)

암모니아 및 물을 포함하는 황화수소 가스의 선택적 산화용 촉매 및 이를 이용한 황화수소의 제거방법

본 발명은 산화철이 비염기성의 다공성 담체에 담지되어 있는 황화수소의 선택적 산화용 촉매 및 이를 이용하여 암모니아와 물이 존재하는 조건하에서도 황화수소를 직접 선택적으로 높은 효율로 산화시켜 황 화수소를 효율적으로 제거할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 촉매는 암모니아와 물이 존재하는 조건에서도 높은 촉매활성을 유지하므로 정유공장이나 제철공장에서 다량으로 발생되는 황화수소를 무독 성의 원소 황이나 황산암모늄으로 쉽게 제거할 수 있으며, 이로 인해 황화수소로 인한 환경오염문제도 해결할 수 있게 된다.본 발명의 목적은 기존의 클라우스 공정의 후처리 공정에서는 전혀 고려되지 않았던 조건, 즉 촉매능을 저하시킬 수 있는 물과 암모니아에 대해 내성이 크고 저농도의 산소하에서도 활성이 높아서 황 화수소를 산화시켜 원소 황으로의 전화율을 높일 수 있는 촉매를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 물과 암모니아가 존재하는 경우에도 황화수소를 선택적으로 산화시켜 무독성의 원소 황 또는 황화합물로 제거하는 방법을 제공하는 것이다.본 발명에 따르면, 황화수소의 선택적 산화반응에 산화철이 비염기성의 다공성 담체에 담지되어 있는 촉매를 사용함으로써 암모니아와 물이 존재하는 조건하에서도 황화수소를 직접 선 택적으로 높은 효율로 산화시킬 수 있으므로, 정유공장이나 제철공장에서 다량으로 발생되는 황화수소를 무독성의 원소 황이나 황산암모늄으로 쉽게 제거할 수 있으며, 따라서 황화수소로 인한 환경오염문제도 해결할 수 있게 된다.

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부산대학교
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2006-05-10
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