일반기술
전기·전자 > 계측기기
[구성]본 발명은 로봇 등의 팔 등에 전달되는 동력원 매체의 에너지를 구체적인 움직임으로 변환하기 위한 액튜에이터(Actuator)에 사용되는 인조 근육 모듈에 관한 것이다. 본 발명에서는 직동·회전 전용의 액튜에이터의 개념을 벗어나 인간의 근육의 움직임과 유사한 움직임을 갖는 인간 근육의 특성을 갖는 전자석 방식의 인조 근육 모듈을 제공한다. 본 발명은 코일(30)을 통하여 전기를 공급함으로써 자력을 발생하는 전자석(60)의 양단을 씌우는 일정길이의 유연한 튜브(10)와, 그 튜브(10)의 중앙에 고정 설치되는 피자력체(40)와, 상기의 전자석(60)의 양단을 씌우고 있는 튜브(10)를 다수의 와이어(20)로 연결하여 상기의 양 튜브(10)에서 전자석(60)이 이탈되지 않도록 구성하고, 상기의 전자석(60)의 중앙에 고정간(50)을 부착하여 전자석(60)이 양 튜브(10)의 내측으로 삽입되는 길이가 일정하게 되도록 하고, 코일(30)에 인가되는 전력에 따라 상기의 전자석(60)에 의해 쇠구슬(40)이 당겨져서 전자석(60)의 양단이 양 측의 튜브(10) 내로 삽입되어 당겨지도록 한 구성의 액튜에이터에 사용되는 전자석을 이용한 인조 근육 모듈이다.1. 코일이 권선된 전자석과, 상기의 전자석의 양단에 끼워지고, 와이어로 상호 연결되는 유연한 재질의 튜브와, 상기 튜브 내부의 일정부위에 고정 설치되어 상기 전자석으로부터 자력을 받는 피자력체가 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르면 상기 전자석이 자화되고, 이에 따라 피자력체에 흡인력을 작용하여 상기 튜브가 전자석의 중심부로 흡인됨으로서 수축작용하는 것을 특징으로 하는 전자석을 이용한 인조 근육 모듈.2. 제 1항에 있어서, 상기 전자석이 양측의 튜브 중, 어느 한측으로 치우쳐서 삽입되는 것을 방지하기 위해서 전자석의 일정부위에 고정 설치되는 튜브의 직경보다 큰 고정간을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자석을 이용한 인조 근육 모듈.3. 제 1항에 있어서, 상기의 튜브에 고정 설치되는 비자력체는 튜브의 유연성을 방해하지 않는 구형상인 것을 특징으로 하는 전자석을 이용한 인조 근육 모듈.4. 코일이 권선된 전자석과, 상기의 전자석의 양단에 끼워지고, 와이어로 상호 연결되는 유연한 재질의 튜브와, 상기 튜브 내부의 일정부위에 고정 설치되어 상기 전자석으로부터 자력을 받는 피자력체가 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르면 상기 전자석이 자화되고, 이에 따라 피자력체에 흡인력을 작용하여 상기 튜브가 전자석의 중심부로 흡인됨으로서 수축 작용하도록 구성한 제 1인조 근육 모듈과, 상기 제 1인조 근육 모듈과 동일한 구성의 복수개의 인조 근육 모듈을 직렬로 연결하여 유연성과 변위증대를 향상시킨 것을 특징으로 하는 전자석을 이용한 인조 근육 모듈.5. 제 4항에 있어서, 상기 전자석이 양측의 튜브 중, 어느 한측으로 치우쳐서 삽입되는 것을 방지하기 위해서 전자석의 일정부위에 고정 설치되는 튜브의 직경보다 큰 고정간을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자석을 이용한 인조 근육 모듈.6. 바이오 로봇 등의 팔을 형성하는 제 1링크(100)및 제 2링크(200)와, 상기의 제 1링크(100)와 제 2링크(200)를 결합시키는 직동 또는 회동이 가능한 구조의 관절(300)과, 상기의 관절(300)를 포함하며 일단이 제 1링크(100)의 일정부위에 고정되고 타단이 제 2링크(200)의 일정 부위에 고정하여 연결되는 복수개의 전자석을 이용한 인조 근육 모듈의 직렬연결체의 복수개로 구성되는 액튜에이터(400)와, 상기의 액튜에이터(400)의 양단에 접속되어 전력을 공급하는 리드선(500)을 포함한 것을 특징으로 하는 로봇의 팔.7. 제 6항에 있어서, 상기의 전자석을 이용한 인조 근육 모듈을 코일이 권선된 전자석과, 상기의 전자석의 양단에 끼워지고 와이어로 상호연결되는 유연한 재질의 튜브와, 상기 튜브 내부의 일정부위에 고정 설치되어 상기 전자석으로부터 자력을 받는 피자력체가 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르면 상기 전자석이 자화되고, 이에 따라 피자력체에 흡인력을 작용하여 상기 튜브가 전자석의 중심부로 흡인됨으로서 수축 작용하도록 구성한 것을 특징으로 하는 로봇의 팔.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
기계 > 기타 자동화 기술
[구성]본 발명은 금형연마용 2자유도 작동장치에 관한 것이다. 일반적으로 금형제작공정에서 최종 단계로 연마공정이 수행되는 바, 이러한 연마공정을 자동화할 경우 연마품질이 수작업에 의한 연마품질에 비하여 크게 뒤떨어지는 실정이다. 본 발명은 로봇의 끝축에 결합되며 1축 방향으로 작동되는 1축 작동편과 이 1축 작동편을 1축 방향으로 구동시키는 1축 구동수단을 가지는 1축 작동부와, 1축 작동부의 1축 작동편에 결합되어 전체적으로 1축 방향으로 이동가능하며 2축 방향으로 작동되는 2축 작동편과 이 2축 작동편을 2축 방향으로 구동시키는 2축 구동수단을 가지는 2축 작동부로 구성되며, 2축 작동편에는 연마공구가 결합되어 구성된다. 이러한 구성에 의하여 금형 제작 공정중 가장 자동화가 어려운 공정중의 하나인 연마공정을 자동화할 수 있으면서도 연마면의 품질을 수작업 수준 이상으로 높일 수 있게 되는 것이다. 또한 2축 자유도 작동장치 자체만의 다양한 패턴의 프로그래밍에 의하여 로봇이 담당해야할 이송량을 줄일 수 있게 되어 교시가 용이하게 되는 효과가 있는 것이다.1. 로봇의 끝축에 결합되며 1축 방향으로 작동되는 1축 작동편과 이 1축 작동편을 1축 방향으로 구동시키는 1축 구동수단을 가지는 1축 작동부와, 상기 1축 작동부의 1축 작동편에 결합되어 전체적으로 1축 방향으로 이동가능하며 2축 방향으로 작동되는 2축 작동편과 이 2축 작동편을 2축 방향으로 구동시키는 2축 구동수단을 가지는 2축 작동부로 구성되며, 상기 2축 작동편에는 연마공구가 결합되어 구성됨을 특징으로 하는 금형연마용 2자유도 작동장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 1축 작동부의 고정편과 2축 작동부의 고정편들은 각 한쌍의 지지봉 및 안내봉에 의하여 일정 간격을 유지하도록 결합되며 상기 1축 작동편과 2축 작동편은 각각 상기 안내봉에 의하여 각각 1축 및 2축 방향으로 안내 지지됨을 특징으로 하는 금형연마용 2자유도 작동장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 1축 구동수단은 상기 1축 작동편의 상면 중앙에 고정되는 너트박스와 상기 한쌍의 고정편 사이에 회전가능하게 지지되어 상기 너트박스에 나사결합되는 볼스크류와 상기 고정편중 어느 한쪽에 고정되는 1축 구동모터와 1축 구동모터의 회전력을 볼스크류에 전달하는 전동기구로 구성되며, 상기 2축 구동수단은 상기 2축 작동편의 상면 중앙에 고정되는 너트박스와 상기 한쌍의 고정편 사이에 회전가능하게 지지되어 상기 너트박스에 나사결합되는 볼스크류와 상기 고정편중 어느 한쪽에 고정되는 2축 구동모터와 2축 구동모터의 회전력을 볼스크류에 전달하는 전동기구로 구성됨을 특징으로 하는 금형연마용 2자유도 작동장치.4. 제 3항에 있어서, 상기 전동수단들은 각각 볼스크류들과 구동모터의 축에 고정된 타이밍 풀리와 이들 타이밍 풀리 사이에 걸쳐지는 타이밍 벨트로 구성됨을 특징으로 하는 금형연마용 2자유도 작동장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
[구성]본 발명은 광학적으로 순수한 다음 일반식(I)로 표시되는 비스(오르토-디아릴포스피노페닐)-테트라히드로-비(1,3-옥사졸) 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 일반식(I)의 화합물은 다시, 일반식(Ia)로 표시되는 (4S,4S)-2,2-비스(오르토-디아릴포스피노페닐)-4,4,5,5-테트라히드로-4,4-비(1,3-옥사졸) 화합물과 이의 거울상 이성체인 일반식(Ib)로 표시되는 (4R,4R)-2,2-비스(오르토-디아릴포스피노페닐)-4,4,5,5-테트라히드로-4,4-비(1,3-옥사졸)을 포함한다. 본 발명의 화합물은 비대칭 히드로실릴화 반응, 수소화 반응, 시클로프로판화 반응, 알킬화반응 등에 유용하게 사용될 수 있다.본 발명은 광학적으로 순수한 일반식(I)로 표시되는 비스(오르토-디아릴포스피노페닐)-테트라히드로-비(1,3-옥사졸) 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 일반적으로, 광학 이성체는 서로 다른 생물학적 성질을 나타내기 때문에 최근에는 광학적으로 순수한 화합물에 대한 요구가 급속히 증가되고 있다. 따라서, 광학적으로 순수한 화합물을 제조하기 위한 제조방법의 개발이 절실히 요구되고 있다. 특히 Rh, Ru, Ir, Co, Cu, Pd 등의 금속촉매를 이용한 비대칭 히드로실릴화 반응, 수소화 반응, 시클로프로판화 반응,알킬화반응 등은 광학적으로 순수한 화합물 제조에 많이 이용되는 반응이며, 이들 반응에 효과적인 리간드 개발은 광학적으로 순수한 의약, 농약 및 식품 첨가제, 향료 등의 개발을 위해서는 절대적으로 필요하고도 중요하다. 지금까지 이들비대칭촉매화 반응을 위해서 가장 많이 개발 되고 있는 키랄 리간드들은 대별하여 인(P) 원자를 포함한 포스핀계와 질소(N) 원자를 포함하는 옥사졸린계 리간드로 나누어진다. 그러나 이미 개발된 일부 키랄 리간드는 개선 되어야 할 부분이많다.본 발명에서는 상기 공지기술과는 달리, 포스핀과 옥사졸린 구조를 동시에 포함하는 화합물을 제조함으로써 이들 포스핀계 리간드와 옥사졸린계 리간드 양자가 가지고 있는 각 화합물의 단점을 극복한 새로운 키랄 리간드를 개발한 것이다
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
[구성]본 발명은, 금형 공간에 용탕이 충진되는 과정에 있어서 용탕의 충진 속도가 금형 내의 체적 변화에 대응하도록 사출 피스톤의 속도를 제어핀을 이용하여 제어하기 위한 것으로, 그에 가해지는 유체량(유압)에 의해 그 이동 속도가 결정되는, 금형내로 용융 금속을 주입하기 위한 사출 피스톤과; 상기 사출 피스톤과는 별도로 설치되며 금형내의 체적 변화에 대응할 수 있는 형상을 가지는 속도 제어핀과; 상기 속도 제어핀이 그 안에서 이동할 수 있도록 상기 속도 제어핀의 최대 직경부 보다 큰 구경을 가지는 오리피스;로 이루어지고, 상기 속도 제어핀이 상기 오리피스를 빠져나가면서 생기는 상기 오리피스와 상기 속도 제어핀 사이의 간격에 의해 상기 사출 피스톤에 가해지는 유량이 결정됨으로써 상기 피스톤의 속도가 제어되는 속도 제어핀을 가지는 사출 피스톤을 제공한다.1. 그에 가해지는 유체량(유압)에 의해 그 이동 속도가 결정되는 금형내로 용융 금속을 주입하기 위한 사출 피스톤과; 상기 사출 피스톤과는 별도로 설치되며 금형내의 체적 변화에 대응할 수 있는 형상을 가지는 속도 제어핀과; 상기 속도 제어핀이 그 안에서 이동할 수 있도록 상기 속도 제어핀의 최대 직경부 보다 큰 구경을 가지는 오리피스; 로 이루어지고, 상기 속도 제어핀이 상기 오리피스를 빠져나가면서 생기는 상기 오리피스와 상기 속도 제어핀 사이의 간격에 의해 상기 사출 피스톤에 가해지는 유량이 결정됨으로써 상기 피스톤의 속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 무단 가변 속도 제어 분리형 사출 피스톤.2. 제 1항에 있어서, 상기 사출 피스톤을 포함하는 실린더 및 상기 속도 제어핀을 포함하는 실린더는 구분되어 있고, 상기 오리피스를 통과한 유체가 도관을 통하여 상기 사출 피스톤을 포함하는 실린더로 도입되어 상기 사출 피스톤을 가압하는 것을 특징으로 하는 무단 가변 속도 제어 분리형 사출 피스톤.3. 제 1항에 있어서, 상기 속도 제어핀의 길이는 상기 사출 피스톤의 전 행정 거리에 대응할 수 있는 길이를 가져서, 상기 사출 피스톤의 전 행정 거리에 걸쳐서 상기 사출 피스톤의 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 무단 가변 속도 제어 분리형 사출 피스톤.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
정보 > 컴퓨터 본체
<목적>입력 영상의 특정영역으로 주어진 커널에 대응되는 화소입력과 커널변환함수에 의한 변환값들을 곱하고 누적한 후 병렬처리 하므로써 출력화면의 한 출력화소를 구할 수 있도록 한다. <구성>입력지연부(1-10,11-20,21-30)는 커널화소 발생부로부터 순차적으로입력되는 각각의 입력화소를 소정시간 지연시켜 병렬로 출력한다. 병/직렬변환부(31-40,41-50,51-60)는 분산연산을 위하여 입력지연부로부터 출력된병렬 화소 데이타를 직렬로 변환하여 출력한다. 그러면 메모리부(61-68)는그로부터 출력되는 직렬 화소 데이타를 그 각각의 화소에 정하여진 변환함수에 의해 결정되는 상수값들을 곱하고 더하여 출력한다. 누적부(69-76)는연산된 직렬 화소 데이타를 순차적으로 누적시켜 출력한다. 직/병렬 변환부(77-84)는 누적부의 직렬화소데이타를 병렬로 변환하여 출력한다. 출력지연부(85-92)는 병렬화소데이타를 소정시간 지연시켜 화면에 출력한다.1.영상신호처리 시스템에 있어서, 커널화소 발생부로부터 순차적으로 입력되는 각각의 입력화소를 소정시간 지연시켜 병렬로 출력하는 입력지연부(1-10),(11-20)(21-30)와, 분사연산을 위하여 상기 입력지연부(1-10),(11-20),(21-30)로부터 출력된 병렬 화소데이타를 직렬로 변환하여 출력하는 병렬/직렬변환부(31-40),(41-50),(51-60)와, 상기 병렬/직렬변환부(31-40),(41-50),(51-60)로부터 출력되는 직렬화소데이타를 그 각각의 화소에 정하여진 변환함수에 의해 결정되는 상수값들을 곱하고 더하여 출력하는 메모리부(61-68)와, 상기 메모리부(61-68)로부터 연산된 직렬화소데이타를 순차적으로 누적시켜 출력하는 누적부(69-76)와, 상기 누적부(69-76)의 직렬화소데이타를 병렬로 변환하여 출력하는 직렬/병렬변환부(77-84)와, 상기 직렬/병렬 변환부(77-84)로부터 추력되는 병렬화소데이타를 소정시간 지연시켜 화면에 출력하는 출력지연부(85-92)로서 구성함을 특징으로 한 메모리 지향적 실시간 영상신호 처리시스템.2. 제 1항에 있어서, 상기 입력지연부(1-10)및 병렬/직렬 변환부(31-40)는 상기 커널화소발생부로부터 발생된 8비트의 화소데이타를 순차적으로 래치시키는 입력지연부(1-10)의 래치(la-1h),(2a-2h)--(10a-10h)와, 상기 각 래치(1a-1h),(2a-2h)--(10a-10h)로부터 출력된 화소데이타를 외부의 콜럭펄스에 의해 인에이블되어 선택 출력하는 병렬/직렬 변환부(31-40)의 멀티플랙서(31a-31h),(32a-32h)--(40a-40h)와, 상기 멀티 플렉서로부터 선택된 화소데이타를 직렬로 입력받아 순차적으로 래치한 후 메모리부(61-68)에 직렬로 출력하는 래치(31L1-31L8)(32L1-32L8)---(40L1-40L8)로서 구성함을 특징으로 한 메모리 지향적 실시간 영상신호 처리시스템.3. 제 1항에 있어서, 상기 누적부(69)는 메모리부(61)로부터 출력되는 8비트의 화소데이타를 더하여 출력하는 전가산기(69a-69h)와, 상기 전가산기(69a-69h)의 캐리신호 및 섬신호를 순차적으로 래치시켜 직렬/병렬 변환부(77)로 출력하는 래치(69L1)(69L2)...(69L13)로서 구성함을 특징으로 한 메모리 지향적 실시간 영상신호 처리시스템.4. 제 3항에 있어서, 상기 전가산기(69a)는 클럭단자(CLK)및 입력단자(A-C)로부터 인가되는 클럴신호에 따라 온-오프 스위칭되어 캐리출력단자(Cout)로 캐리신호를 출력하는 캐리발생부(69a1)와, 상기 클럭단자(CLK)(CLK′)및 입력단자(A-C)로부터 인가되는 클럭신호에 따라 온=오프스위칭되어 섬출력단자(Sout)로 섬신호를 출력하는 섬발생부(69a2)로서 구성함을 특징으로 한 메모리 지향적 실시간 영상신호 처리 시스템.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
에너지·자원 > 에너지 이용 기술
<목적>본 발명은 에너지 저장에 이용되는 잠열 축열재에 관한 것으로, 고흡수성 고분자물질을 냉방을 주목적으로 하는 축열재인 물에 첨가함으로써 과냉각을 억제하여 축열 효율을 증대시키는 축열재에 관한 것이다. <구성>종래 물을 냉축열재로 사용할 경우 0℃근처까지 냉각시켜 현열을 이용할 때는 물의 소요량이 많아져 축열 용기의 부피가 증가하며, 결빙시켜 잠열을 이용할 때는 과냉각이 문제가 된다. 또 20℃이하의 융점을 갖는 무기염을 사용할 경우는 과냉각 및 상분리 현상의 문제가 있었다. <효과>본 발명의 냉축열용 잠열 축열재는 물에 고흡수성 고분자 물질을 첨가한 것이 특징이다. 고흡수성 고분자 물질은 전분-폴리아크릴산염계 가교물, 카르복시 메틸 셀룰로오스계 가교물, 비닐알콜-아크릴산소다 공중합체 가교물, 폴리아크릴산염 가교물,이소부틸렌-말레인산 공중합체 가교물 및 폴리에틸렌 옥사이드계 가교물중에서 선택된다. 본 발명의 냉축열용 잠열 축열재는 값싸고 쉽게 구입이 가능한 물에 고흡수성 고분자를 일정량 첨가시키며,주성분이 물에 비해 과냉각이 억제되어 열교환 효율을 증대시키며, 주성분이 물이므로 무기염에서 흔히 나타나는 상분리 현상이 없다. 또 고분자 물질이 완충 작용을 함으로써 물이 얼음으로 변화할 때 나타나는 부피 증가 현상을 줄일 수 있다.1. 물에 고흡수성 고분자물질을 첨가한 것을 특징으로 하는 냉축열용 잠열 축열재.2. 제 1항에 있어서, 고흡수성 고분자물질이 전분-폴리아크릴산염계 가교물, 카르복시메틸셀룰로즈계 가교물, 비닐알콜-아크릴산 소다 공중합체 가교물, 폴리아크릴산염 가교물, 이소부틸렌-말레인산 공중합체 가교물 및 폴리에틸렌 옥사이드계 가교물중에서 선택된 것이 특징인 잠열 축열재.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>본 발명은 소결시 소결 조건을 적절히 제어하여 소결체의 복소 투자율 허수부를 증가 시킴으로써 박판화와 광대역화를 도모한 Ni-Zn계 페라이트 전파 흡수체의 제조 방법에 관한 것이다. <구성>미국 특허 제 3720951호에는 판상 페라이트의 이면에 금속 재질의 반사파를 접착시킨 페라이트 전파 흡수벽에 관한 기술이 제시 되었으나, 전체적으로 20dB 이상의 전파 감쇠량을 보이는 밴드폭이 좁고 두께가 비교적 두꺼운 단점이 있다. <효과>Fe O 66.1g, ZnO 23.1g, NiO 8.8g, MnO 0.5g, Co O 0.5g 및 CuO 1.0g을 혼합하여 건조 및 분쇄한 후 900℃에서 2시간 하소하여 다시 분쇄하고 성형한 다음 2-12℃/분의 승온 속도로 1250℃까지 가열하여 2-6시간 동안 유지시킨 후 2-12℃/분의 냉각 속도로 냉각하여 페라이트 소결체를 제조함을 특징으로 하는 전파 흡수체의 제조 방법으로 최고 온도 유지 시간을 연장시키고 냉각 속도를 낮추어서 소결후 결정 입자 크기를 크게 불균일하게 성장시켜 소결체 조직의 불균일을 초래하여 미세 조직의 변화를 가져 옴으로써 손실을 극대화 시키고 있다.1. Fe2O3 66.g, ZnO 23.1g, NiO 8.8g, MnO2 0.5g, Co3O4 0.5g 및 CuO 1.0g을 혼합하여 건조 및 분쇄한 후 900℃에서 2시간 하소하여 다시 분쇄하고 성형한 다음 2-12℃/분의 승온속도로 1250℃까지 가열하여 2-6시간 동안 유지시킨 후 2-12℃/분의 냉각속도로 냉각하여 페라이트 소결체를 제조함을 특징으로 하는 전파흡수체의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
각기 서로 다르 주파수대역에서 전파흡수특성을 나타내는 전파흡 수재료로 이루어진 판상의 페라이트 소결체를 다수매 적층시켜 구성됨을 특징으로 하는 적총형 전파흡수체.1. 각기 서로 다른 주파수대역에서 전파흡수특성을 나타내는 전파흡수재료로 이루어진 환상의 페라이트 소결체를 다수맥 적층시켜 구성됨을 특징으로 하는 적층형 전파흡수체.2. 제 1항에 있어서, 적층페라이트 소결체가 내외층의 두겹으로 구성되되 적층체의 전체 입력임피던스ㅣZㅣ 다음의 식,Z=Cμ1d3÷Cμ2d2/[+C<2>μ1ε2d1d2여기서, C=j(2x/λ)λ=자유공간의 파장,μ1,ε1,d2은 내충 페라이트의 투자율, 유전율 및 두께, μ1,ε1,d2은 외층 페라이트의 투자율, 유전율 및 두께로 표시됨을 특징으로 하는 적층형 전파흡수체.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>본 발명은 광대역화와 박판화가 가능한 페라이트계 전파 흡수체에 관한 것이다. <구성>종래의 페라이트계 전파 흡수체는 자기 공진 현상을 이용함에 따라 흡수 가능한 주파수의 대역폭이 좁다는 문제가 있고, 이를 개선하기 위한 적층형 전파흡수체(일특개 소64-1289호)와 유전 물질을 포함하는 페라이트 전파 흡수체(미국특허 3,754,255호)는 두께가 두꺼워지는 단점이 결점이 있다. 따라서 광대역화와 박판화를 동시에 만족시키는 전파 흡수체가 필요하게 되었다. <효과>페라이트 조성물을 약 900도C에서 1시간 하소, 분쇄한 다음, CuO와 Fe O 를 하소 분쇄하여 얻어진 분말을 페라이트 분말에 첨가하여 대기 분위기나 질소 분위기의 1,200도C 정도에서 1시간 정도 소결한다. 이때 CuO와 Fe O 는 산화물 상태로 첨가되나 하소, 소결 공정중에 산화물로 전화될 수 있는 염이나 화합물을 이용할 수도 있다. 제조된 소결체는 페라이트의 입계에 전파 흡수성을 갖는 CuO-Fe O 의 액상이 존재하는 미세 구조를 띠게 된다.1. 메라이트에 페라이트의 소결온도 이하의 온도에서 액상을 형성하는 CuO-Fe2O3의 혼합조성이 첨가되어 CuO-F2O3가 소결페라이트의 임게에 분포된 것을 특징으로 하는 광대역 전파흡수체.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>프린팅 용지의 두께를 검출하여 인자판 두께를 최적값으로 자동 조정하는 프린터를 제공한다. <구성>기판에 고정되어 인자판 표면에 붙이고 떼는 것이 가능한 레버부재(26), 레버부재의 인자판 표면에서의 변위량을 광량으로 변환하는 발광소자(52)와 수광소자(53)로 된 변위 검출수단, 이들로부터 신호를 기준값과 비교하여 그 차이를 출력하는 광량 검출수단, 측정 동작시의 시정수가 크게 또는 측정 동작 해제시의 시정수가 작게 세팅된 시정수 세팅수단, 시정수 세팅수단을 사이에 두고 출력하는 광량 검출수단에서의 신호로 발광소자에의 전력을 조정하는수단을 갖추고 인자판으로부터 검출레버의 변위를 광량변화로 변환하여 프린팅 용지의 종이질에 상관없이 용지 두께를 광량으로 변환할 수 있고 또한 검출레버의 변위를 광량으로 변환하기 위해 용지 두께의 변화와 광량변화를 가급적으로 직선성을 갖게 한다.1. 용지 두께에 따라 프린팅 헤드와 판(platc)사이를 조정하도록 캐리지 가이드 축의 회전을 제어하는 수단(13,20,47:13,50,72).프린팅 헤드와 판 사이의 거리를 조정하도록 회전할 수 있는 캐리지 가이드 축(7)상에 징착되고 프린팅 헤드를 품는 캐리지(16),프린팅 헤드(17), 판(1), 지지 프레임(5,6,33)을 갖는 프린터에 있어서, 제어 수단은 판에 대한 레버의 위치를 표시하는 신호를 발생하는 감지 수단(37:54)과 함께 동장하도록 배열되고 판으로부터 떨어져 있으며 회전 방향에 대해 지지 프레임 상의 고정 위치에 장착된 레버(28)와, 제 1신호를 발생하는 감지 수단과 판을 연동하는 레버가 있는 제 1위치로 레버를 회전시키고 그 다음에 제 2신호를 발생하는 감지 수단과 판상에서 용지를 연동하는 레버가 있는 제 2위치로 레버를 회전시키는 솔레노이드 (30)오, 제 1 및 제 2신호에 응답하여 용지 두께를 결정하고 편심 축의 회전을 제어하는 출력을 발생하는 검출 수단(47:72)을 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터.2. 제 1항에 있어서, 감지 수단은 압력 감지 소자(37)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터. 3. 제 1항에 있어서, 감지 수단은 발광 소자(52)와 수광 소자(53)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터. 4. 제 3항에 있어서, 수광 소자의 출력을 감지하는 광랑 감지 회로(62), 감지 동안은 보다 큰 시정수 그리고 감지 완료후는 보다 작은 시정수를 발생하는 시정수 세팅 회로(64), 감지가 일어나지 않을때 수광 소자의 출력을 유지시켜서 발광 및 수광 소자 저하로 인한 에러를 회시시키도록 발광 소자로 사용시 전원을 조정하는 시정수 발생 수단과 감시 수단에 의해 제어된 수단(67,70,56)을 특징으로 하는 프린터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
<목적>용체화 처리와 시료 처리 공정을 생략하고 균질화 처리를 한 단계로 축소하여 공정 단축을 꾀하고, 고온 균질화 처리에 의해 균질화 처리 시간을 단축시키며, 구리를 함유한 공정상을 재고용함으로써 안정한 아결정의 하부 조직을 형성시키고, 균일하고 미세한 재결정을 형성한다. <구성>동(Cu) 2-3.3중량%, 리튬(Li) 1.9-3.3중량%, 마그네슘(Mg) 0.2-1.2중량%,지르코늄(Zr) 0.08-0.16중량%, 및 잔부 알루미늄(Al)으로 이루어진 Al-Li 합금을 500-550도C에서 10-30시간 균질화 처리를 실시한 다음, 300-500도C에서 2-20m/분의 압연 속도로 패스당 압하량을 2-18%로 하고 패스 사이의 재가열 유지 시간을 3-5분으로 하여 온간 압연한다.1. Cu 2-3.3%, Li 1.9-3.3%, Mg 0.2-1.2%, Zr 0.08-0/16%와 잔분 Al으로 이루어진 Al-Li합금을 500-550℃에서 10-30 시간 균질화 처리한 다음 300-500℃의 온도에서 2-20m/분의 압연속도로 패스당 입하량을 2-18%로 하여 온간압연함으로써 초소성 특성을 부여함을 특징으로 하는 Al-Li합금의 초소성화 가공열처리방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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재료 > 기타 세라믹재료
초록 정보 <목적>이 발명은 프린터 헤드, 압전부저, 스피커 등에 변환 소자로 사용되는 압전 엑츄에이터로 경사기능을 부여한 것이다. <구성>압전 액츄에이터는 Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-(x/4)O3의 일반조성식을 가진 aPbO+ bLa2O3+cZrO2+dTiO2 (0.89≤a≤0.94, 0.06≤b≤0.11, 0.55≤c≤0.70, 0.30≤d≤0.45)계 압전 세라믹 재료인 PLZT를 사용하고 서로 다른 두 조성의 PLZT 판간에 경계면이 경사적으로 존재하는 것이다. 그 제조방법은 압축성형에 의해 서로 다른 조성의 압전 세라믹(1)(2)을 적층하고, 고온 소결을 통해 두 층의 접합부에 열적확산에 의한 경사 조성층(3)을 형성하고, 압전 세라믹층의 표면에 전극(4)(4')을 형성시키는 공정으로 구성되어 있다.1. 서로 다른 조성을 갖는 압전 셰라믹 적층체의 접합부에 두께방향을 따라 완만하게 조성이 변화하는 경사 조성층이 형성되어 이루어지는 경사기능 압전 액츄에이터에 있어서, 상기 압전 세라믹 적층체는 PLZT계의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 PLZT계 경사기능 압전 액츄에이터2. 제 1항에 있어서, PLZT계의 조성은 Pb(1-x)La(x)(Zr(y)Ti(1-y)(1-x/4)O3의 일반조성식에 의거한 aPbO+bLa2O3+cZrO2+dTiO2로서 0.89≤a≤0.94, 0.06≤b≤0.11, 0.55≤c≤0.70, 0.30≤d≤0.45인 것을 특징으로 하는 PLZT계 경사기능 압전 액츄에이터.3. PbO, La2O3, ZrO2와 TiO2의 혼합, 분쇄, 건조에 이은 하소공정을 거쳐 얻어진 하소분말을 사용하여 서로 조성을 달리하는 압전 세라믹 적층계를 압축성형한 다음, 이 성형체를 1200~~1325℃의 온도에서 2시간 가량 소결하여 적층체의 접합부에 열적확산에 의한 경사조성층을 형성한 후, 소결체의 양면에 전극을 형성함을 특징으로 하는 PLZT계 경사기능 압전 액츄에이터의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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재료 > 기타 세라믹재료
새로운 원로계로서 직접법에 의해 경제적이며 대량생산이 가능한 디실라알칸 계열의 메틸클로로실란알칸들 그리고 메틸클로로알칸을 환원하여 합성하는 메틸실라알칼들을 출발물질로하여 이들을 750-1,600도C의 온도범위에서 열부해 반응시킬 때 구형의 고순도 베타 탄화규소 미세분말을 반응관 벽에 부착시킴없이 높은 수득률소서 제조하는 것이다.메틸실라알칸들을 단독을 또는 두가지 이상 혼합하여 운반기체를 사용하여 열분해 시키는 것으로 구성된다. 원료가 실라알칸이며 테트라메틸실란이나 다른 규소 화합물을 사용하는 방법에 비하여 규소에 대한 탄소의 비중이 과량이 아니므로 제품에 과량의 탄소가 남아있지 않아 고순도의 탄화규소 미세분말을 얻을 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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재료 > 기타 세라믹재료
<목적>서로 다른 전기적 특성을 갖는 이종의 페라이트를 혼합, 소결하여 소결 페라이트의 전체 손실을 증가시킴으로써 전파 흡수재료의 정합 두께를감소시킨다. <구성>서로 다른 투자율을 갖는 Ni-Zn계 페라이트 분말과 Mn-Zn계 페라이트 분말을 각각 900도의 온도에서 하소하여 안정한 스피넬상을 형성한 후,Ni-Zn/Mn-Zn 혼합비(wt%)가 90/10-10/90으로 되도록 혼합하여 1150도의 온도에서 1시간 동안 소결하여 얻어진 혼합 소결체로 구성한다. <효과>페라이트 소결체내의 조성물의 균일함에 의한 복소 투자율의 허수부를 증가시켜 전체적인 손실 증가를 유도하고, 이같은 손실 증가에 의해전파 흡수체의 정합 두께를 감소시킬 수 있다.1. 서로 다른 투자율을 갖는 Ni-Zn계 페라이트 분말과 Mn-Zn계 페라이트 분말을 각각 900℃에서 하소하여 안정한 스피탤상을 형성한 후 Ni-Zn/Mn/Zn 혼합비(wt%)가 90/10~10/90로 되도록 혼합하여 1150℃에서 1시간동안 소결하여 얻어진 혼합소결체로 이루어짐을 특징으로 하는 박판형 전파흡수체.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
보건·의료 > 원료의약 대량제조 기술
다음 구조식(II)의 화합물을 벤조산, 트리페닐포스핀 및 디에틸 아조디카르복실레이트의 존재하에 유기 용매 중에서 반응시켜 다음 구조식(III)의 화합물을 제조하고, 구조식(III)의 화嵐걋 금속 촉매 존재하에 수소화 반응시켜 다음 구조식(IV)의 화합물 을 얻고, 구조식(IV)의 화합물을 가수분해반응시켜 다음 구조식(V)의 화합물을 얻은다음, 구조식(V)의 화합물을 디에틸 아조디카르복실레이트, 트리페닐포스핀, 및 진크클로라이드의 존재하에 유기 용매 중에서 반응시키는 단계로 이루어진 다음 구조식(I)의(-)3(S)-메틸벤즈옥사진 유도체의 제조 방법.1. 다음 구조식(2)의 화합물을 벤조산, 트리페닐포스핀 및 디에틸아조디카르복실레이트의 존재하에 유기 용매 중에서 반응시켜 다음 구조식(3)의 화합물을 제조하고, 구조식(3)의 화합물을 금속 촉매 존재하에 수소화반응시켜 다음 구조식(4)의 화합물을 얻고, 구조식(4)의 화합물을 가수분해반응시켜 다음 구조식(10)의 화합물을 얻은 다음, 구조식(5)의 화합물을 디에틸 아조디카르복실레이트, 트리페닐포스핀, 및 진크클로라이드의 존재하에 유기 용매 중에서 반응시키는 단계로 이루어진 다음 구조식(1)의 (-)3(S)-메틸벤조옥사진 유도체의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 유기 용매가 아세토니트릴, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 벤젠 또는 톨루엔 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.3. 제1항에 있어서, 구조식(3)의 화합물을 얻는 단계가 0℃ 내지 30℃의 온도에서 1 내지 4시간 동안 수행되는 것이 특징인 제조방법.4. 제1항에 있어서, 수소화반응 단계에서 금속 촉매가 팔라듐, 팔라듐히드록시드, 플라티늄 또는 플라티늄옥사이드 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.5. 제1또는 4항에 있어서, 수소화반응 단계가 1기압의 수소하에 2 내지 6시간 동안 수행되는 것이 특징인 제조방법.6. 제1항에 있어서, 구조식(5)의 화합물을 얻는 가수분해반응 단계가 알칼리금속시아나이드의 존재하에 알코올 용매내에서 구조식(4)의 화합물을 반응시키는 단계로 이루어지는 것이 특징인 제조방법.7. 제6항에 있어서, 알칼리금속시아나이드가 소다음시아나이드 또는 포타슘시아나이드인 것이 특징인 제조방법.8. 제1또는 6항에 있어서, 가수분해반응 단계가 0℃ 내지 50℃의 온도에서 1 내지 2일간 수행되는 것이 특징인 제조방법.9. 제1항에 있어서, 구조식(5)의 화합물을 얻는 가수분해반응 단계가 알칼리금속히드록시드의 존재하에 알코올과 물의 혼합물에서 구조식(4)의 화합물을 반응시키는 단계로 이루어지는 것이 특징인 제조방법.10. 제9항에 있어서, 알칼리금속히드록시드가 포타슘히드록시드 또는 소디움히드록시드인 것이 특징인 제조방법.11. 제9항에 있어서, 가수분해반응 단계가 20℃ 내지 80℃의 온도에서 1 내지 4시간 동안 수행되는 것이 특징인 제조방법.12. 제6 또는 9항에 있어서, 알코올이 메탄올 또는 에탄올인 것이 특징인 제조방법.13. 제1항에 있어서, 구조식(1)의 화합물을 얻는 최종 단계가 50℃ 내지 100℃의 온도에서 1 내지 4시간 동안 수행되는 것이 특징인 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
환경 > 대기오염제어·관리 기술 (N32, F36)
본 발명은 가열 장치를 사용하여 반응기의 온도를 90℃ 이상으로 유지함으로써 과산화수소를 활성화시키고, 가압 펌프를 사용하여 반응기 내의 압력을 반응 온도에서 유지되는 증기압보다 높게 설정함으로써 과산화수소를 OH-라디칼의 형태로 존재하게 하여 과산화수소와 폐수를 반응시킴으로써 폐수를 처리하는 방법을 제공하는 것이다.1. 폐수 반응기(4)의 온도를 가열장치(8)를 사용하여 90℃ 이상으로 유지함으로써 과산화수소를 활성화시키고, 반응기(4)내의 압력을 가압 펌프를 사용하여 상기 반응온도에서 유지되는 증기압보다 높게 설정함으로써 과산화수소를 OH-라디칼의 형태로 존재하게 하여 과산화수소와 이 과산화수소에 의해 산화되는 물질을 함유하는 페수를 반응시키고, 상기 반응기(4)에서 유출된 고온의 유출수로부터 열교환기(10)에 의해 열을 회수하여 유입수를 가온시키는 것을 특징으로 하는, 과산화수소에 의한 폐수의 처리 방법.2. 과산화수소에 의해 산화되는 물질을 함유하는 폐수를 저장하는 폐수 저류조(1), 과산화수소를 저장하는 과산화수소 저장조(5), 상기 폐수와 과산화수소를 반응시켜 폐수중에 존재하는 제거 대상 물질을 제거하는 폐수 반응기(4), 폐수 반응기(4)중의 과산화수소를 활성화시키기 위하여 반응기(4)의 반응온도를 90℃ 이상으로 가열하기 위한 가열 장치(8), 상기 폐수 반응기(4)내의 압력을 이 온도에서 형성되는 액체의 증기압 이상의 반응 압력으로 가압하기 위한 가압 펌프, 및 상기 반응기로부터 유출되는 고온의 유출수로부터 열을 회수하기 위한 열교환기(10)이 장치되어 있는 것을 특징으로 하는 제1항 기재의 방법을 수행하기 위한 폐수의 처리 반응장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
보건·의료 > 의약품 제제 개발 기술
[구성]1.일반식(I)로 표시되는 신규한 3-세펨-4-카르복실산 유도체상기 식에서 X는 산소, 황, 탄소 또는 질소를 표시한다. Y는 수소, 탄소수 10이하의 저급알킬, 고리알킬, 알케닐 또는 아릴기를 표시한다. Q는 수소, 메틸 또는 페닐을 표시한다. n은 정수로서 3-6의 값을 나타낸다.1. 일반식(1)로 표시되는 신규한 3-세펨-4-카르복실산 유도체 상기 식에서 X는 산소, 황, 탄소 또는 질소를 표시한다. Y는 수소, 탄소수 10이하의 저급알킬, 고리알킬, 알케닐 또는 아릴기를 표시한다. Q는 수소, 메틸 또는 페닐을 표시한다. n은 정수로서 3-6의 값을 나타낸다.2. 일반식(6)로 표시되는 신규한 아미드 유도체 상기 식에서 Z는 브롬 또는 염소기를 표시한다. X는 산소, 황, 탄소 또는 질소를 표시한다. Y는 수소, 탄소수 10 이하의 저급알킬, 고리알킬, 알케닐 또는 아릴기를 표시한다. Q는 수소, 메틸 또는 페닐을 표시한다. n은 정수로서 3-6의 값을 나타낸다.3. 일반식(6)으로 표시되는 신규한 아미노티아졸 유도체 상기 식에서 Z는 브롬 또는 염소기를 표시한다. X는 산소, 황, 탄소 또는 질소를 표시한다. Y는 수소, 탄소수 10 이하의 저급알킬, 고리알킬, 알케닐 또는 아릴기를 표시한다. Q는 수소, 메틸 또는 페닐을 표시한다. n은 정수로서 3-6의 값을 나타낸다.4. 일반식(2)의 (R/S)-2할로프로피오닐할라이드와 일반식(3)의 고리아민 유도체를 용매와 염기하에 반응시켜 일반식(4)의 아미드 유도체를 제조하는 제1공정, 일반식(4)의 아미드 유도체와 일반식(5)의 에틸-2-(Z)-(2-트리틸아미노티아줄-4-일)-2-히드록시이미노아세테이트를 알칼리 존재하에 DMF용매에서 알킬화하여 일반식(6)의 아미노티아줄 유도체를 제조하는 제2공정, 일반식(6)의 아미노티아줄 유도체를 탄산칼륨 존재하에 메탄을 용매에서 가수분해하여 일반식(7)의 산 유도체를 제조하는 제3공정, 및 일반식(7)의 산 유도체와 일반식(8)의 7-아미노-3-비닐-3-세펨-4-카르복실산 에스테르를 짝지음 반응하여 일반식(9)의 보호기 치환된 3-세펨-4-카르복실산 유도체를 제조하는 제4공정 및 원한다면 제4공정에서 탈보호기 반응으로 일반식(1)의 3-세펨-4-카르복실산 유도체를 제조하는 방법. 일반식(2)에 있어서, ZSMS 브롬 또는 염소기를 표시한다. 일반식(3)에 있어서, X는 산소, 황, 탄소 또는 질소를 Y는 수소, 탄소수 10이하의 저급알킬, 고리알킬, 알케닐, 또는 아릴기를, Q는 수소, 메틸 또는 페닐기를, n은 3-6의 정수를 각각 표시한다. 일반식(4)에 있어서의 Z,X,Y,Q 및 n은 일반식(2) ALC 일반식(3)에서의 것과 동일하다. 일반식(5)에 있어서 trt, X,Y,Q 및 n은 일반식(V) 및 일반식(3)에서의 것과 동일하다. 일반식(8)에 있어서, DPM는 디페닐메틸기를 표시한다. 일반식(9)에 있어서, X,Y,Q,n,trt 및 DPM은 각각 일반식(3), 일반식(5) 및 일반신(8)의 것과 동일하다. 일반식(1)에 있어서, X,Y,Q,n은 각각 일반식(3)의 것과 동일하다. 5. 제4항에 있어서, 제1공정에서 용매로서 메틸렌클로라이드, 디에텔에테르, 디클로로에탄, 사염화탄소 용매중에서 선택하여 제조하는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 3-세펨-4-카크복실산 유도체의 제조방법.6. 제4항에 있어서, 제1공정에서 염기로서 트리에틸아민, 피리딘, N,N`-디메틸아민, 루티닌 중에서 선택하여 제조하는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 3-세펨-4-카르복실산 유도체의 제조방법7. 제4항에 있어서, 제2공정에서 알칼리로 탄산칼륨, t-부록시칼륨염 중에서 선택하여 제조하는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 3-세펨-4-카르복실산 유도체의 제조방법.8. 제4항에 있어서, 제3공정에서 용매로서 메탄올, 물, 디옥산 중에서 선택하여 제조하는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 3-세펨-4-카르복실산 유도체의 제조방법.9. 제4항에 있어서, 일반식(9)의 보호기 치환 3-세펨-4-카르복실산 유도체를 탈보호기 하고자 할 경우 아니솔과 트리풀루오로아세트산을 첨가하여 탈보호기를 제거하는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 3-세펨-4-카르복실산 유도체의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 고온연성이 우수한 고연성 알루미늄 합금 및 그 제조방법에 관한 것으로, 일반적으로 사용되는 특수 합금원소를 다량으로 첨가하는 방법 또는 분말야금법은 제조비가 고가이기 때문에 비경제적이고 실용성이 낮은 결함이 있다. 이에 본 발명은 용해하는 단계와, 합금원소 중 Mn과 Zr을 첨가하여 완전 용해하는 단계와, 온도를 일정하게 낮추고 합금원소인 Mg를 첨가하여 용해하는 단계와, 주조를 실시하는 단계의 순서로 수행하는 고연성 알루미늄의 제조방법과, 이 때의 합금원소를 Mg 3∼7%, Mn 0.3∼1.2%, Zr 0.05∼0.25%의 함량으로 첨가하는 알루미늄 합금을 제공하여 적절한 합금설계와 제조조건에 의해 고가의 Li, Sc, Cr, Zr 및 Cu등의 합금원소를 다량으로 첨가하거나 특수한 설비를 사용하지 않고도 우수한 고온연성을 갖는 합금을 제조가능하도록 한 것이다.1. 중량%로, Mg:4.1~7%, Mn:0.3~12%, Zr:0.05~0.25% 및 불가피한 불순물로 구성되는 그 나머지로 이루어지고, 450~530℃에서 최대 640%의 신율을 갖는 것을 특징으로 하는 고온 연성이 우수한 고연성 알루미늄 합금.2. Al을 용해하고, 합금 연소 중 Mn과 Zr을 첨가하여 770~880℃에서 완전 용해하고, 680~770⅜에서, 합금 원소인 Mg를 첨가하여 용해하고, 주조를 행함으로써, 중량%로, Mg:4~7%, Mn:0.3~1.2%, Zr:0.05~0.25% 및 불가피한 불순물로 구성되는 그 나머지로 이루어지는 합금을 제조하는 것을 특징으로 하는 고온연성이 우수한 고연성 알루미늄 합금의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명은 5-고리 복소환 단량체인 피롤을 수용액상에서 도데실벤젠술폰산을 도판트로, 암모늄퍼술페이트를 산화제로 사용하여 중합시키는 것으로 이루어진 가용 전기전도성 폴리피롤의 제조방법을 제시한다. 본 발명에 따라 제조된 가용 전기전도성 폴리피롤은 유기용매에 쉽게 용해되므로 가공성이 뛰어나서 전기전도성 코팅 재료 및 도료, 밧데리의 전극 재료, 반도체 부품, 고체 전해질 축전기의 전해질, 태양열을 이용한 솔라셀 등에 쉽게 응용될 수 있다.1. 다음 구조식(Ⅰ)의 5-고리 복소환 단량체인 피롤을 수용액상에서 도데실벤젠술폰산을 도판트로, 암모늄퍼술페이트를 산화제로 사용하여 중합시키는데, 암모늄퍼술페이트의 농도를 피롤 단량체의 몰수에 대한 몰비가 0.1-0.5가 되도록 사용하여 중합시키는 것으로 이루어진, 다음 구조식(Ⅱ)의 가용 전기전도성 폴리피롤의 제조방법;2. 제 1항에 있어서, 상기 암모늄퍼술페이트의 농도가 피롤 단량체의 몰수에 대해 몰비로 0.1-0.2인 것이 특징인 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 도판트인 도데실벤젠술폰산의 농도가 피롤 단량체의 몰수에 대해 0.1-1.0인 것이 특징인 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에핑층을 성장할때 CCl4를 도핑(doping)하므로써, 1) 상 기 CCl4유입량에 따라 에핑층의 측면 성장율을 조절할 수 있으며, 또한 소자의 평탄화도 보다 쉽게 이루어질 수 있고, 2) 이를 이용하여 양자세선을 제조할 수 있을 뿐 아니라 상기 양자세선은 ①평면의 양자우물 두께에 비하여 양자세선의 두께가 현격한 차이를 나타내므로 광여기 발광파장(photoluminescence) 또한 큰 차이를 가지게 되어 양자세선의 광학적 성질을 양자우물과 독립적으로 연구할 수 있고, ② 양자세선과 양자우물의 광여기 발광 강도비(IQWR/IQWL)는 여기된 지역의 양자세선과 양자우물의 부피비(VQWR/VQWL)에 비례하는데 본 발명에 의해 제조된 양자세선의 경우는 부피비가 최소 5배이상 향상되므로 광여기 발광 강도비 또한 크게 향상될 수 있으며(여기서 IQWR 및 IQWL는 양자세선의 발광강도 및 양자우물의 발광강도를 나타내며, VQWR 및 VQWL는 양자세선의 부피비 및 양자우물의 부피비를 나타낸다), ③ 양자우물의 두께를 아주 얇게 하여도 양자세선의 두께를 충분히 두껍게 할 수 있으므로 IILD(impurity induced layer disordering) 기법으로 상기 양자우물을 없애버릴 경우 완전히 고립된 가장 이상적인 형태의 양자세선을 제작할 수 있다는 장점을 지녀 고신뢰성의 반도체 소자를 구현할 수 있게 된다.1. 반도체 제조공정에 있어서, 각각의 크기가 100마이크로 이하의 크기로 패터닝된 GaAs기판 위에 유기금속화학증착법에 의해 온도범위 500-900℃에서 에피층을 성장할때 CCl₄를 가스유량조절기로 유입범위(CCl₄유입량/3족원료 유입량=0.01~100)에서 상기 유기금속증착장치의 반응한 것을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 GaAs기판은 광노광봅 및 습식식각으로 에칭하여 100마이크로미터 이하로 패터닝됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 에피층은 3족 유기금속 원료인 트리메틸갈륨 및 트리메틸알루미늄과 5족 원료인 비소가스를 이용한 유기금속화학증착법으로 형성됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.4. 제 1항에 있어서, 패터닝된 상기 GaAs기판은 메사 형태 또는 V층 형태 또는 이들의 조합중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.5. 제 4항에 있어서, V홈 형태를 갖는 상기 GaAs기판 상에 형성된 에피층은 GaAs양자우물에만 CCl₄가 도핑됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, V홈 형태를 갖는 상기 GaAs기판에는 CCl₄를 도핑하여 성장시킨 양자우물을 이용하여 양자세선이 형성됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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