일반기술
통신 > 기타 무선·이동통신
본 기술은 과학로켓 및 우주 발사체에 탑재되는 충격데이터 취득장치에 관한 것이다.기존의 여러 채널을 사용하여 취득한 데이터를 실시간으로 전송하는 방식은 시스템 구성은 간단하나 요구 채널수가 너무 과도하며, 탑재용 컴퓨터와 A/D변환기를 이용하여 충격을 측정한후 처리된 데이터 패키지를 지상으로 전송하는 방식은 탑재용 컴퓨터와 이에 따른 소프트웨어가 별도로 필요하다는 단점을 가진다.본 기술은 텔레메트리 채널의 사용 효율을 증대시키고 취득된 데이터 처리를 단순화시킬 수 있다.본 기술은 정전류원으로부터 정전류가 공급되는 센서의 감지신호를 연산증폭기에서 정밀하게 증폭시킨후 증폭된 센서 입력 아날로그 신호를 아날로그 디지털 변환기에서 디지털 값으로 변환시켜 임시로 저장하는 RAM과, 이벤트(단분리, 노즈페어링 등)가 발생하면 데이터를 취득하고 다른 시스템에서 변환된 데이터를 요청하면 데이터를 출력하는 제어기로 구성된다. 탑재용 컴퓨터와 이에 따른 소프트웨어 등이 추가로 요구되지않아 경제적이고, 사용 채널수를 최소화하여 유사한 기능이 필요한 일반 산업 분야의 텔레메트리 시스템 개발시 활용가능하다.
- 보유기관
- 한국항공우주연구원
- 등록일
- 2001-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 철강재료
기존의 탄소강을 표면 처리하는 데는 주로 침탄 처리, 질화처리, 도금, 육성 용접, 플라즈마 용사법 등이 사용되었으나, 이러한 방법들은 합금화시키고자 하는 원소가 제한되어 있고 계면 결합이 나쁘며 투입열이 큰 경우에는 재료 전체가 열영향을 받아서 변형 및 균열이 발생할 가능성이 높은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 고려하여 최근에는 레이저빔을 이용한 표면 처리법이 연구중에 있다. 하지만, 레이저빔을 이용한 표면 처리법은 열효율이 40% 이하로 낮아서 표면 합금층을 형성하는데 장시간이 소요되어 표면이 산화되므로 대기중에서 제조하기 곤란하여 제조 원가가 상승될 뿐만 아니라 생산성이 떨어지는 단점이 있었다.본 기술에서는 VC분말과 용제의 혼합체를 탄소강에 도포한 후, 혼합체에 압력을 가하고 탄소강에 가속 전자빔을 투사하여 기공이나 균열을 발생하지 않는 균일도와 높은 경도를 갖으며 대기중에서 제조가 가능한 표면 합금화 재료를 제조하였다.본 기술에 따르면 탄소강을 모재로 준비하고, VC분말 및 중량비 1:1인 MgO-CaO로 이루어진 용제분말의 혼합체를 건식 혼합방식에 의해 조성한 후 이 혼합체를 탄소강의 상부에 도포하여 압력을 가하고, 혼합체를 도포한 탄소강의 상부에 전자빔 에너지 1.0 내지 2.5 MeV의 범위에서 가속 전자빔을 투사하여 대기중에서의 제조가 용이하고 기공과 균열이 발생하지 않는 균일한 표면 합금화 재료가 제조되기 때문에 생산효율을 증진시킬 수 있고 재료의 가열시간이 짧아 재료표면의 산화를 방지할 수 있으며 경도가 높은 VC분말의 사용으로 경도가 높은 표면 합금화 재료를 제조할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
최근에는 AlGaAs/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)보다 2차원 전자 가스(2-Dimension Electron Gas; 2DEG)의 전하 농도를 더욱 증가시키고 밀리미터파 주파수대역 이상에서도 우수한 동작특성을 갖는 AlGaAs/InGaAs/GaAs계의 이종접합구조를 이용한 부정형 고전자 이동도 트랜지스터(p-HEMT)가 개발되었으며, p-HEMT 구조 중에서도 항복전압과 초고주파 특성을 향상시키기 위하여 도핑이 이루어지지 않은 AlGaAs층에 도우너 불순물이 델타(delta) 또는 플레너(planar) 도핑된 구조를 이용한 p-HEMT도 개발되어 발표되고 있다. 하지만, 이러한 기존의 p-HEMT는 소스 전극 및 드레인 전극과 반도체층 사이의 오믹 접촉 저항 특성을 향상시키기 위하여 GaAs 캡층을 n형의 불순물 이온으로 고농도로 도핑시키므로 인하여 그 제조 공정면에서는 소자의 브레이크다운 전압 특성의 개선을 위한 리세스 에칭 공정이 요구되어 필요한 마스크 수가 증가되는 문제점이 있었다.본 기술에서는 불순물 이온들을 도핑하지 않은 캡층을 사용하면서 소스전극 및 드레인전극과 반도체층 사이의 오믹 접촉저항을 감소시킨 부정형 고전자 이동도 트랜지스터(p-HEMT)를 제조하여 소자의 AC 및 DC 특성을 향상시켰으며 보다 간단하고 적은 마스크막 패턴을 사용하여 소자를 제조하였다.본 기술에 따르면 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층 및 AlGaAs/GaAs 초격자층이 순차 형성된 버퍼층과 불순물 도핑을 하지 않은 진성의 GaAs 캡층을 형성하고, GaAs 캡층상에 소스전극 및 드레인전극이 구비된 Au/Ni/Ge/Au 금속 박막층을 소정 두께로 형성한 p-HEMT를 제조하여 소자의 오믹 접촉저항을 감소시켰다.또한, 반절연성의 GaAs 기판상에 버퍼층, GaAs 스페이서층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층, AlGaAs 도우너층 및 진성의 GaAs 캡층을 순차 형성하고, 진성의 GaAs 캡층상에 Au/Ni/Ge/Au 금속 박막층으로 이루어지는 소스전극 및 드레인전극을 각각 형성한 후, 90%의 질소가스와 10%의 수소가스 분위기에서 300 내지 500℃의 온도에서 열처리하고, AlGaAs 도우너층의 일부 표면이 노출되도록 GaAs 캡층의 일부를 제거한 후 AlGaAs 도우너층의 노출 표면상에 게이트전극을 형성하는 p-HEMT 제조방법을 통해 소자의 브레이크다운 특성을 자체 향상시켜 캡층의 리세스 식각공정을 생략할 수 있게 하였다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
현재 다양한 분야에서 이종접합구조의 반도체 소자들에 대한 연구 및 개발이 활발하게 진행되고 있는데, 특히 GaAs는 실리콘에 비하여 전자이동도가 약 5배정도 더 빠르며 전자포화속도도 실리콘의 약 2배인 특성을 나타내고 있다. 이와 같은 GaAs를 이용한 반도체 소자로는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 및 비정형 고전자 이동도 트랜지스터(p-HEMT) 등이 있다. 건식 식각방법에 의한 p-HEMT의 GaAs 캡층의 식각방법은 GaAs/AlGaAs 층의 선택성이 우수하다는 장점이 있지만 별도의 반응성 이온 식각 장비를 사용하여야 하며 식각시에 이온들과의 충돌에 의해 AlGaAs 스페이서층의 노출 표면이 손상될 수 있다는 문제가 있다. 또한, 습식 식각방법에 의하면 식각 용액의 식각 균일도가 수 십 ㎚ 이상에 달하고, 동시에 GaAs 캡층의 측면이 식각되는 현상으로 인하여 소자의 전기적 특성 및 균일도가 열악해지는 문제점이 있다.본 기술에서는 구연산과 시트르산칼륨용액을 섞은 용액에 과산화수소를 혼합한 식각용액을 통해 이종접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs를 선택적으로 식각하여 격자결함발생 및 식각불균일 발생을 방지하였고, 이를 이용하여 반절연성의 GaAs 기판상에 다수의 층을 순차 형성하되 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되게 GaAs 캡층을 식각되게 한 p-HEMT를 제조하여 전기적인 특성의 균일도를 향상시켰다.본 기술에 따르면 습식 식각방법을 사용하여 이종접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 층을 선택적으로 식각하되, 1몰 농도의 구연산 및 1몰 농도의 시트르산칼륨을 섞은 용액과 과산화수소를 5:1 내지 8:1의 부피비로 혼합한 식각용액을 사용하여 GaAs/AlGaAs막을 선택적으로 식각하는 방법을 통해 건식 식각에서의 이온들에 의한 격자결함 발생 및 습식 식각에서의 식각 불균일 발생의 단점을 해결하였다.또한, 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순차적으로 형성한 후 GaAs 캡층상에 마스크막 패턴을 형성하고, 이 마스크막 패턴에 의해 GaAs 캡층의 일부 표면을 노출되게 한 개구부를 식각용액에 담궈 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되도록 GaAs 캡층을 식각하되, 1몰 농도의 구연산 및 1몰 농도의 시트르산칼륨을 섞은 용액과 과산화수소를 5:1 내지 8:1의 부피비로 혼합한 식각용액을 사용하여 p-HEMT이 제조되기 때문에 전기적인 특성이 향상된 p-HEMT를 제조할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
현재까지 알려진 티타늄(Ti) 합금의 통상적인 표면처리방법에는 나이트라이딩(nitriding), 보라이딩(boriding), 플래팅(plating), 플라즈마 스프레잉(plasma spraying) 등이 있으나, 이러한 방법들은 표면층과 모재 금속간의 계면 결합이 양호하게 형성되지 못하며, 표면층의 두께가 너무 얇게 형성되는 단점이 있으며, 특히 화학기상증착(CVD) 방법의 경우에는 통상 고온에서 제조되기 때문에 모재 금속이 열적 영향을 받아 뒤틀리거나 물성이 약해지는 단점이 있다. 한편, 최근 들어 레이저빔을 이용한 표면처리방법이 연구되어 오고 있으나 이 방법 또한 표면 합금화층의 두께가 수십내지 수백 ㎛ 이내로 매우 얇게 형성되며, 넓은 영역을 투사할 경우에는 다중 충첩(multi-overlapping)이라는 문제가 초래될 수도 있으며, 이때의 열효율이 40%이하로 낮은 단점이 있다.이에 본 기술은 티타늄합금의 표면에 고에너지를 갖는 가속 전자빔을 투사하여 표면 합금화층을 형성함으로써 계면결합을 양호하게 형성함은 물론 열에 의한 모재 금속의 변형 또는 다중중첩 등을 방지하였다.본 기술에 따르면 붕소화티타늄 분말을 용제에 대한 40 내지 60 중량%의 비율로 혼합하여 형성한 표면합금화 재료 및 모재 금속으로 Ti-10V-2Fe-3Al인 티타늄합금을 구비하고, 표면합금화 재료를 티타늄합금에 도포한 후 가압하고, 표면합금화 재료가 도포된 티타늄합금에 전자빔 에너지 1내지 2.5 MeV 및 투사에너지밀도 4 내지 5 KW/㎠인 조건에서 가속 전자빔을 투사하여 계면결합이 양호하게 형성된 표면 합금화층이 형성되기 때문에 열에 의한 모재 금속의 변형 또는 다중중첩 등을 방지할 수 있고 재료가 가열되는 시간이 짧아 재료 표면의 산화를 방지할 수 있으며 대기중에서 연속적인 작업이 가능하여 공정 단순화를 이룰 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
재료 > 소성가공 기술
일반적으로 상온에서 행하는 냉간단조방법은 변형 저항이 작은 저탄소강과 같은 고가공성 소재가 이용되고 있으나 고속의 변형에 의해서 단열성 전단밴드가 형성되는 문제점을 안고 있다. 이러한, 단열성 전단밴드는 높은 경도로 인해 쉽게 균열의 전파경로로 작용할 수 있기 때문에 기존의 냉간단조방법이 일반적인 저탄소강에 대한 단조방법으로 채택되는 데에는 일정의 한계를 안고 있다.본 기술에서는 저탄소강에 대한 단조공정을 진행할 때 발생될 수 있는 단열성 전단밴드를 사후적으로 치유하기 보다는 본질적인 발생원인을 정확하게 분석/평가하여 상온에서 행하는 냉간단조 공정에서의 단열성 전단밴드의 형성을 억제할 수 있게 하였다.본 기술에 의한 저탄소강에 대한 냉간단조시 단열성 전단밴드 형성 평가방법에 따르면 냉간단조시 저탄소강의 시편에 대한 인장거동분석을 위해서 인장시험을 하되 항복점현상의 발생여부로부터 단열성 전단밴드의 형성 가능성 여부 및 냉각단조시 균열 형성 가능성 여부를 분석하고, 저탄소강 중 균열이 발생된 시편에 대한 전단응력 대 전단변형곡선 및 파괴모드 조사를 위해서 동적 비틀림시험하고, 유균열 저탄소강 시편에 대해 용체화처리하고, 유균열 저탄소강 시편에 대한 냉각조건을 달리하면서 냉각하고, 유균열 저탄소강 시편에 대해 단열성 전단밴드 형성 가능성을 분석하여 냉간단조시 균열발생유무를 예측할 수 있기 때문에 균열발생을 방지할 수 있다.본 기술에 의한 저탄소강에 대한 냉간단조시 단열성 전단밴드 형성 억제방법에 따르면 저탄소강에 대해 870 내지 900℃의 온도 범위에서 1 내지 2시간 동안 용체화처리하고, 용체화 처리된 저탄소강에 대해 강제공냉의 방식으로 6 내지 8℃/초의 냉각속도로 냉간단조하여 항복점 현상이 없어지거나 감소되기 때문에 냉간단조의 성능을 향상시킬 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
무선 통신 서비스를 위한 주파수 대역이 점차 고주파화 됨에 따라 통신용 소자 제작공정은 점차 복잡하고 어려워진다. 특히 고주파 대역의 통신용 증폭소자로 사용되는 부정규형 고정자 이동도 트랜지스터(PHEMT) 소자에서 소오스(source), 게이트(gate), 드레인(drain) 전극 형성 기술은 소자의 전기적 특성 및 주파수 특성을 좌우하는 핵심 공정이다. 기존의 PHETM 소자는 소자 분리를 위한 메사 에칭(mesa etching) 후 소오스, 드레인, 옴 금속을 증착하고 옴 접촉 형성을위한 열처리를 한 후 게이트 전극을 형성함으로써 제작되는데, 이러한 공정에서는 소오스, 드레인 옴전극 형성 후, 단차가 생긴 기판에 미세한 게이트 패턴을 형성해야 하므로 게이트의 미세패턴 형성이 어렵고 공정의 재현성이 떨어지는 문제점이 있었다.본 기술에서는 게이트 전극을 제작한 후에 팔라듐(Pd)과 게르마늄(Ge)을 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 형성하는 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자를 제조하여 게이트 전극의 정렬도를 향상시키고 게이트 전극 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 게이트 전극을 제작하고, 팔라듐을 100 내지 3000Å의 두께로 증착하되 게르마늄을 200 내지 6000Å의 두께로 순차 증착한 후 200 내지 325℃에서 10초 내지 20분 동안 열처리하여 옴 전극을 형성하도록 하였기 때문에 보다 미세한 패턴으로 자가 정렬된 게이트 전극을 갖는 PHEMT 소자를 제조할 수 있고 제조한 PHEMT 소자는 접촉저항 및 주파수 특성이 향상되어 통신용 소자 등에 유용하게 사용할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
스퍼터링 증착은 산화물을 증착시킬 때 플라즈마내에는 필연적으로 산소 음이온이 발생하며 또한 박막의 질을 향상시킬 목적으로 쓰이는 산소 가스로 인해 산소 음이온이 발생하는데 이것은 기판에 증착된 박막을 손상시키는 주요 요인으로 작용한다. 이러한 산소 음이온에 의한 박막의 손상을 최소화하기 위하여 진공조의 압력을 크게 하여 산소 음이온을 충돌 산란시키는 방법을 사용하였으나 산소의 분압을 크게하는 경우 진공조의 압력을 크게 하여도 산소 음이온 충돌 횟수를 줄여줄 뿐 충돌을 완전히 배제할 수 없으며 과다한 압력의 증가는 증착 효율을 크게 낮추는 원인이 된다. 또한, 산소 음이온에 의한 박막의 손상을 최소화하기 위한 다른 방법들이 제시되었으나 박막에 대한 산소 음이온의 충돌을 배제할 수는 없었으며 스퍼터링 증착 효율을 아주 저하시키는 문제점이 있었다.본 기술에서는 기판상에 스퍼터링 증착에 의한 박막을 형성하여 산소 음이온이 기판에 증착되는 박막 내로 입사하는 것을 최소화하고 기판에 증착하는 박막의 에피택시 정도를 증가되게 하였다.본 기술에 따르면 플라즈마를 발생시키며 내부에 산화물 타킷을 구비한 진공조 내에 기판을 배치한 후에 기판의 상부에 그리드를 설치하여 기판을 타깃으로부터 가리고, 그리드에 (+)바이어스를 가하면서 진공조 내에서 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 발생되게 하여 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하여 박막을 형성되게 하되 산화물 타깃은 산화아연(ZnO)으로 하고 기판은 증착동안 200 내지 450℃의 온도를 유지하며 그리드에 가하는 바이어스는 20V 내지 150V가 되도록 하여 산소 음이온이 기판상의 박막 내로 입사하는 것을 최소로 할 수 있기 때문에 스퍼터링에 의해 기판상에 증착되는 박막의 C-축 배향성을 크게 할 수 있고 박막의 에피택시 정도가 크게 할 수 있으며 산소 음이온에 의한 표면 거칠기의 증가를 감소시킬 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
일반적으로 탄소지그, 탄소 보트, 탄소 서셉트 등의 가열용 탄소재료는 주로 코팅없이 그대로 사용되어 왔으나 코팅없이 사용되는 가열용 탄소재료는 수용 또는 지지되는 가열 대상물질을 열처리하기 위한 가열동안에 탄소가 산화 또는 증발하여 가열 대상물질을 오염시키게 되고 시간이 경과함에 따라 내구성이 취약해진다.이에 본 기술은 탄소지그, 탄소보트 또는 탄소서셉터로 사용되는 가열용 탄소재료를 얻어내고, 이 가열용 탄소재료를 파티클과 함께 가열반응시키되 탄소 소오스 가스를 유입시켜 가열용 탄소재료의 표면에 열분해 탄소를 증착되게 하여 등방성의 열분해 탄소 박막을 형성함으로써 가열대상 물질의 탄소오염을 크게 감소시키고 탄소재료의 내구성을 향상시켰다.본 기술에 따르면 가열용 탄소재료를 모래 파티클과 함께 반응관 내에 텀블링 베드 단위부피당 0.1 내지 1.0 g/㎠의 양으로 넣고, 반응관을 탄소 소오스 가스의 열분해 반응온도인 1050 내지 1200℃까지 가열한 후 반응관을 5 내지 100 RPM의 속도로 회전하면서 반응관 내에 탄소 소오스 가스를 아르곤 운반가스와 함께 유입시키고, 가열용 탄소재료의 표면에 열분해 탄소를 증착하여 우수한 기계적 및 열적성질을 갖는 등방성 열분해 탄소박막이 형성되기 때문에 가열용 탄소재료에 수트가 없고 치밀한 표면 및 단면조직을 가질 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
티타늄-알루미나이드 금속간 화합물은 고강도, 높은 열적 안정성, 내산화성 및 낮은 비중의 특징을 가지고 있어서 두께 1mm 이하의 판재로 만드는 경우 항공기 날개, 동체표면, 구조 부품 등의 재료에 폭넓게 적용 가능한데, 판재로 가공하기가 매우 어려운 문제점이 있고 판재로 가공한다 하더라도 그 규격이 매우 제한적인 문제점이 있으며 기공이 많아서 조직이 치밀하지 못함은 물론 연속적인 제조가 불가능하여 양산성이 불량하였다.이에 본 기술은 자가촉진반응과 열간압연을 이용하여 조직을 치밀화한 티타늄-알루미나이드 판재를 제조한 후, 열처리를 통한 TiAl3/TiA의 금속간 화합물 다층 판재를 제조하여 규격에 제한없이 연속적으로 제조 가능하며 내부에 균열이 거의 없게 하였다.본 기술에 따르면 티타늄 판재와 알루미늄 판재를 교대로 적층한 후에 400 내지 600℃에서 예비 열간압연한 후에 예비 열간압연한 결과물을 캔닝하고, 캔닝한 결과물을 자가촉진반응 온도 이상의 700 내지 1200℃에서 2회 이상 반복하여 열간압연한 후에 열간압연한 결과물을 800 내지 1200℃에서 열처리하여 다층의 티타늄-알루미나이드 금속간 화합물 판재가 제조되기 때문에 내부에 균열이 거의 없는 치밀화된 조직상태를 갖는 다층 판재를 얻을 수 있고 규격에 제한없이 연속적으로 제조할 수 있어 적용범위를 넓게 할 수 있으며 대량생산을 가능하게 할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
재료 > 비철재료
통상적인 과공정 알루미늄 실리콘 합금 제조는 실리콘을 12중량% 이상로 함유하고 있으며, 이러한 합금은 부식성, 내마모성 및 주조성이 우수하여 자동차 부품 등에 널리 이용되며, 실리콘 함량이 증가할수록 내부식성 및 내마모성이 향상된다. 하지만, 합금내의 실리콘 함량이 증가하면 초정(pro-eutectic)의 실리콘 입자들이 미세조직내에 형성되어 가공성과 파괴인성이 저하되는 문제점으로 인하여 알루미늄 실리콘 합금의 응용이 제한되어진다. 또한, 용융 금속의 응고 과정에서 교반하는 방법 중의 전자기 교반 방법은 먼저 용융 금속의 외부에 강한 자기장을 걸어 주어 용융 금속의 내부에 유도 전류를 발생시키고, 이렇게 생성된 유도 전류에 의하여 발생되는 전기력과 외부의 강한 자기장간의 상호작용에 의하여 용융 금속을 회전시켜 용융 금속내의 초정 실리콘 입자들을 충돌시켜 미세한 초정 실리콘 입자를 얻는 방법으로, 미세화된 초정의 실리콘 입자를 얻을 수 있고 기계적 교반 방법에 비하여 장치가 간단하며 연속적인 제조가 가능하다는 장점을 가지고 있지만 초정 실리콘 입자의 분포가 균일하지 못한 단점이 있다.본 기술에서는 실리콘 12 내지 25 중량%, 철 3.0 내지 7.0 중량%, 불순물 0.097 중량% 이하 및 나머지양의 알루미늄을 포함하는 조성물을 전자기 교반 주조방법에 따라 알루미늄 실리콘 합금을 제조하여, 초정 실리콘 입자들을 미세화되게 하고 그 입자들의 분포특성을 개선되게 하였다.본 기술에 따르면 실리콘 12 내지 25 중량%, 철 3.0 내지 7.0 중량%, 불순물 0.097 중량% 이하 및 나머지양의 알루미늄을 포함하는 조성물을 용해하여 용융금속을 만들되 이 용융금속을 주조 몰드에 넣은 후에 자기장을 인가하고, 주조 몰드안의 용융금속을 교반한 후 응고시키고, 이 응고물을 냉각하여 초정 실리콘 결정과 δ상을 함유한 알루미늄 실리콘 합금이 제조되기 때문에 합금 내의 초정 실리콘 입자들이 미세화되면서 합금 조직 내에 균일하게 분포되고 연속적으로 제조할 수 있어 대량생산을 가능하다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
정보 > 컴퓨터 주변기기
본 기술은 컴퓨터 화면의 위치 지시자 제어 방법에 관한 것이다.기존에는 윈도우 환경 화면에서의 커서 또는 캐럿의 위치 이동이 마우스의 이동에 의해 실현되므로 명령을 입력하기 위해서는 실행시키고자하는 프로그램 메뉴로 마우스를 수동으로 이동시켜야 했기 때문에 조작성이 불편하였다.본 기술은 윈도우 환경에서 마우스의 이동없이 커서 또는 캐럿을 자동으로 이동시키게 제어할 수 있다.마우스 키 입력에 의해 활성화될 수 있는 화면의 우선 순위 위치를 사용자 조건에 상응하여 순차적으로 검출하고, 검출된 우선 순위에 해당되는 화면의 위치로 위치 지시자를 이동시키며, 위치 지시자의 위치에서 현 위치를 수용하는 사용자 데이터가 입력되는 경우에는 사용자 입력 데이터를 처리하고 현 위치를 수용하지 않는 사용자 데이터가 입력되는 경우에는 다시 우선 순위 위치를 사용자 조건에 상응하여 순차적으로 검출하도록 구성된다.본 기술에 의하면 커서 또는 캐럿을 자동으로 이동시킴으로써 마우스 이동 소요 시간이 단축되고, 마우스 조작성이 향상될 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 기술은 실시간으로 비디오 이미지 시퀀스의 스테레오 정합을 위한 영상 처리 시스템에 관한 것이다.스테레오 정합(Stereo Maching)은 한쌍의 2차원 이미지로부터 3차원의 공간 정보를 재창출하는 스테레어 비전( Stereo vision) 중심이 되는 프로세스이다.본 기술은 실시간 스테레오 정합이 가능하도록 한다 .본 기술은 제1 및 제2 카메라로부터 입력되는 영상을 디지털 신호로 변환하는 신호 변환수단, 제1 및 제2 디지털 영상신호의 한 스캔 라인의 픽셀 쌍으로부터 정합 코스트를 계산하고 최소의 정합 코스트를 결정하는 결정값을 추적하여 동작 유무를 결정하는 활성 정보에 따라 결정값을 양안차 추정치로 출력하는 영상 정합 수단, 영상 정합 수단의 출력을 디스플레이하기 위한 디스플레이 수단으로 구성된다. 본 기술에 의하면 Bayesian Sense에 최적화된 새로운 동적 프로그래밍에 근거한 알고리즘을 사용하여 비디오 이미지 시퀀스들을 병렬 처리함으로써 실시간으로 스테레오 정합이 가능하도록 한다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
상세보기
일반기술
통신 > 기타 무선·이동통신
본 기술은 무선통신시스템의 전력증폭기의 선형화기술에 관한 것이다.최근들어 디지털 변조방식을 이용한 다양한 무선 통신 서비스가 시작되면서 고선형성을 구비한 선형 전력증폭기의 필요가 증가되고 이는 추세이다. 이러한 선형 전력 증폭기는 용도에 따라 단말기용과 기지국용으로 구분할 수 있다.본기술은 입력RF신호에서 2차이상의 짝수차 저주파 혼변조 성분을 검출하고 이를 이용하여 RF 신호의 밴드내 3차의 혼변조 성분뿐만 아니라 5차등의 홀수차 성분들의 크기와 위상을 독립적으로 조절하여 주 증폭기의 RF 신호에 대해 전치왜곡된 혼변조 성분을 제거하며, 이를 구현하는 전체 회로의 크기와 복잡함을 최대한 감소시킬 수 있다.입력 RF신호의 밴드내 혼변조 성분을 제어하여 주증폭기에서 생성된 RF 신호에 대해 미리 전치왜곡된 혼변조 성분을 갖는 신호를 출력하는 전치왜곡 선형화 장치로서, RF 입력을 소정의 주파수로 분배하고 분배된 시호중에서 어느 하나르 입력받아 짝수차의 저주파 혼변조 성분을 검출하고 분배된 신호중에서 다른 신호를 주신호호서 지연하는 저주파 혼변조 발생부, 저주파 혼변조 발생부로부터 얻어진 짝수차의 저주파 혼변조 성분으로부터 적어도 3차이상의 홀수차의 저주파 혼변조 성분을 발생하면서 이런 혼변조 성분이 주증폭기에서 만들어내는 신호의 밴드내 혼변조 성분에 대해 역이 되는 크기와 위상을 갖도록 제어하는 혼변조 성분 제어부, 혼변조 성분 제어부를 통해 출력된 홀수차의 저주파 혼변조 성분과 저주파 혼변조 발생부의 주신호를 결합하여 주증폭기의 신호에 대해 전치왜곡된 RF 신호를 출력하는 출력부로 구성된다.본 기술에 의하면, 무선통신 시스템의 주증폭기의 RF신호에서 왜곡이 발생하더라도 본 기술의 RF 선형화장치를 통해 발생된 RF 신호 밴드내의 3차이상의 혼변조 성분에 의해 왜곡 성분을 제거할 수 있기 때문에 무선통신 시스템의 선형 특성을 높일 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 믹서의 변환 이득( conversion gain)의 손실을 줄여 선형성을 높이는 믹서(Gibert cell mixer)의 선형화장치에 관한 것이다.일반적으로 믹서는 입력 RF 신호와 로컬 오실레이터(local oscillator: LO)의 신호의 차(IF: 중간주파수)를 얻기 위한 장치이다.본 기술은 입력 RF신호의 밴드내 저주파 2차의 혼변조성분을 거출하고 이를 증폭하여 RF 신호 증폭용 트랜지스터의 출력단 또는 LO스위칭부의 출력단으로 전방궤환(feed-forward)함으로써 RF 신호를 증폭하는 트랜지스터의 비선형 요소에 의해 발생된 혼변조성분을 제거하여 믹서의 변환이득 또는 잡음 특성의 열화로 인한 선형성을 개선할 수 있다.로컬 오실레이터의 신호에 응답하여 스위칭되는 LO스위칭부와, RF신호에 응답하여 구동되는 구동증폭부와, LO 스위칭부의 로컬 오실레이터 신호와 구동증폭부의 RF신호의 차를 검출하여 중간주파수 신호를 발생하는 IF발생부를 갖는 믹서로서, 구동증폭부에 인가되는 RF신호의 밴드내에서 비선형 저주파 혼변조성분을 검출하는 필터링부와, 필터링부에 의해 검출된 저주파 신호가 소정의 이득과 역위상을 갖도록 증폭하는 저주파 증폭부와, 저주파 증폭부의 증폭된 신호를 구동증폭부의 출력단 또는 LO스위칭부의 출력단으로 전방궤환하여 RF신호의 밴드내 혼변조성분을 제거하는 혼변조성분 전방궤환부로 구성된다. 본 기술에 의하면 트랜지스터의 비선형 특성에 의해 발생된 입력 RF의 혼변조 성분을 제거하고자 RF신호의 2차 혼변조성분을 검출하고 이를 소정의 이득과 역위상으로 증폭한후 비선형 특성을 갖는 트랜지스터의 출력단으로 전방궤환시킴으로써 믹서의 변환 이득과 잡음 특성을 향상시켜 믹서의 선형성을 증가시킬 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 기술은 맴스(MEMS: Micro Eectro Mechenical System)기술을 이용하여 낮은 열유속 범위에서도 높은 감도와 측정 정확도를 갖는 미세 열유속센선에 관한 것이다.일반적으로 열저항의 두께를 얇게 하면, 열유속의 측정속도는 신속하게 된다. 그러나, 2개의 온도측정부에서 측정된 온도차가 작게 되어 온도차에 대한 출력신호가 매우 작음으로써 열유속을 정확히 측정할 수 없음은 물론, 측정에러가 자주 발생되는 문제가 있다. 반면, 측정정확도를 향상시키기 위해 열저항의 두께를 크게 하면 온도차가 크게 되어 열유속을정확하게 측정할 수 있지만, 큰 두께로 인하여 측정속도가 느린 문제점이 있다. 특히, 층형 게이지 타입은 열유속이 느린 경우에는 적정한 온도차를 보장받을 수 없어 열유속을 정확히 측정할 수 없는 문제점이 있다.반면, 본 기술은 열유속을 높은 감도를 가지고 정확하게 측정할 수 있고 낮은 열유속상태에서도 열유속을 정확하게 측정할 수 있는 미세 열유속센서를 제공한다.물체의 열유속을 측징하기 위한 미세 열유속센서로서, 관통공이 형성된 몸체, 몸체의 상면, 하면 및 관통공 전체에 형성된 산화물층, 물체로부터의 열유속을 수용하여 이동시키기 위해 물체에 접촉하고, 몸체의 하면 및 관통공에 도포된 산화물층에 도포되는 수용부, 수용부로부터 전달되는 열유속을 중심으로부터 방사방향으로 분산시키기 위해 중심이 수용부에 접하고 몸체의 상면에 형성된 산화물층에 도포되며 중앙부에 제1온도측정지점과 제1온도측정지점으로부터 외주변을 향해 이격된 제2온도측정지점이 형성되는 측정부, 측정부의 제1 및 제2온도측정지점의 온도차를 측정하는 서모미터로 구성된다.본 기술에 의하면 물체의 열유속의 열을 측정하는 2개의 지점이 상호 충분한 거리로 이격되어 있으며, 또한 그 측정지점들로부터 측정된 온도차가 열전대열에 의해 증폭된 신호로 출력되어 충분한 크기가 됨으로써 낮은 열유속범위에서도 열유속을 높은 열감도를 가지고 정확히 측정할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
기계 > 운송하역장비기술
광환경의 불량으로 인해 발생되는 재배과실의 당도 및 착색저하와 이로인한 제품불균일의 폐단을 방지하기 위해 일반적인 광반사필름을 과실류의 성숙기에 지표 또는 바닥면에 피복 설치하여 사용하고 있다. 하지만, 반사필름의 피복설치에서는 그 설치작업 및 고정이 매우 까다롭고 반사필름 피복시 광선이 들어오는 휴간에 설치해야 광반사효과가 있기 때문에 반사필름의 피복면적만큼 작업공간이 축소되어져 농작업에 매우 불편하였으며, 농약살포와 강우로 인한 얼룩이 발생할 경우 이를 쉽게 제거할 수 없어 반사효율이 크게 저하되었다. 또한, 경사지 요철이 심한 지대에서는 그 설치가 불가능하고 대다수의 반사필름이 일회용으로 이를 재사용하기 위해서는 상당한 노동력이 필요하여 대부분 폐기처분하기 때문에 자원의 낭비와 함께 환경오염의 폐해가 극심하게 되는 문제점이 있었다.이에 본 기술에서는 소정의 형상을 갖는 기체의 외주연을 따라 알미늄으로 증착된 폴리에틸렌 필름으로 이루어진 반사체를 결합시켜 광반사장치를 구성하되 재배작목의 광요구도에 따라 소정갯수를 적정위치에 선택적으로 손쉽게 설치할 수 있게 하고 조사되는 광선이 반사체에 의해 사방으로 반사되면서 과실류의 모든 부위로 조사되게 하여 과실류의 당도 및 착색증진을 균일하게 유지되게 하고 재배과실의 종류에 구애됨 없이 광범위하게 적용할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 다면체로 형성하여 효과적인 광선의 분산 및 반사가 이루어지게 하되 상협하광의 형태를 갖는 기체를 구비하고, 기체의 외주연에 알미늄으로 증착된 폴리에틸렌 필름으로 이루어진 반사체를 형성하여 사방으로 고른 광반사작용을 제공하고 어떠한 재배조건하에서도 장치를 용이하게 설치 가능하기 때문에 과실류의 당도 및 착색증진을 균일하게 유지시켜 최종제품의 수확시 고품질의 과실류를 취득할 수 있으며 설치위치 및 설치갯수를 선택 사용할 수 있음에 따라 재배과실의 종류에 관계없이 광범위하게 적용되어져 과실류의 필요 광요구를 효과적으로 충족시키게 된다.
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-05-18
상세보기
일반기술
화학공정 > 제지 가공 공정 기술
농업여건의 변화에 따라 시설원에 재배면적이 늘어나고 있어 순, 잎따기 등의 단순작업은 주로 부녀자들이 작업에 참여하고 있는데, 이러한 작업시에는 작물이 잘려지면서 나오는 진으로 인하여 손에 물이 들어 피부에 손상이 오기 때문에 장갑을 착용하여야 함에도 불구하고 손가락의 기민한 동작을 요하는 작업특성상의 이유로 장갑착용이 어려운 실정이다.이에 본 기술에서는 손가락부위는 고무로 구성하고, 그외의 손등 및 손바닥부위는 면, 망사 또는 나일론으로 구성한 장갑을 제공하여 작업을 용이하게 하면서도 손이 보호되게 하였다.본 기술에 따르면 손가락부는 전부분을 고무재질로 구성하고, 손등부 및 손바닥부는 면 또는 망사로 구성하고, 점착 및 봉재 등의 연결방법을 통해 손가락부와 손등부 및 손바닥부를 연결한 연결부로 구성하여 농작물 즙액이 장갑에 배어 들어오지 않고 장갑을 착용하고도 동작을 기만하게 움직일 수 있기 때문에 순, 잎따기 작업을 용이하게 할 수 있고 이에 따라 작업능률이 향상되며 비슷한 유형의 모든 작업에 적용이 가능하다.
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-05-17
상세보기
일반기술
기계 > 운송하역장비기술
기존의 버섯종균병 절단방법은 인력에 의해 칼을 사용하여 버섯종균병의 옆면과 밑면을 함께 절개해주거나 또는 작두로서 종균병의 일부위를 절단한 후 종균병 내에 배양된 버섯종균만을 분리하여 이용한다. 하지만, 이러한 절단방법은 버섯종균병의 절단작업이 균일하고 신속하게 이루어지지 않기 때문에 배양된 종균이 손상을 입을 우려가 있고 외부로부터 잡균침입에 의해 종균의 오염 가능성이 항상 내포되어 있으며 작업인력 및 시간, 노력의 과다요소로 버섯재배시의 채산성을 악화시키는 문제점이 있었다.이에 본 기술은 소정의 구동부로서 각각 독립하여 회전하는 원판톱에 의해 버섯종균병의 밑면 및 옆면을 순차적으로 신속하게 자동 절단하여 버섯종균병으로부터 버섯종균의 오염을 최소화하고 작업인력과 시간을 대폭적으로 절감할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 구동부는 프레임본체 일측에 제1 및 제2병옆면절개회전축과 제1 및 제2병밑면절개회전축을 구비하여 회전변환축을 기준으로 서로 반대방향으로 회전하도록 부착 고정하되 프레임본체 내에 일정간격으로 이격 형성된 상,하부 축지지대에 의해 지지되고, 병옆면절개부는 제1 및 제2병옆면절개회전축상에 한쌍의 병옆면절개원판톱을 각각 결합하여 버섯종균병의 옆면을 절개하게 하되 프레임본체의 상부에 형성된 상판 테이블 위로 노출시키고, 병밑면절개부는 제1 및 제2병밑면절개회전축상에 한쌍의 병밑면절개원판톱을 각각 결합하여 버섯종균병의 옆면을 절개하게 하되 프레임본체의 상부에 형성된 상판 테이블 위로 노출시켜 상호 반대방향으로 회전하는 각 한쌍의 원판톱에 의해 버섯종균병의 밑면 및 옆면을 순차적으로 신속 정확하게 자동절단시킨 후 버섯종균만을 분리하여 취득할 수 있기 때문에 버섯종균의 손상이나 외부로부터의 잡균침입에 의한 버섯종균의 오염을 방지할 수 있고 절단작업에 필요한 작업인력 및 시간, 노력을 최소화할 수 있어 버섯재배의 경제성향상을 극대화할 수 있다
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-05-17
상세보기
일반기술
농림·수산 > 농약 (H55)
미생물 살충제인 BT제는 인축에 전연 독성이 없으며, 토양 및 작물의 잔류독성이 문제되지 않는 저독 무공해 농약이다.본 기술의 BT균을 대량 배양하는 방법은 미생물 농약 살충제로 사용되고 있는 바실루스 슈린지엔시스 Bacillus thuringiensis (BT균)를 대량증식 시키는 배지에서 대두박, 설탕, 효모분말(Yeast Extract), 카세인(Casein)을 성분으로 하는 배지를 사용하는 것을 특징으로 한다. 여기서 이 배지의 산도(pH)는 7.0 내지 7.5이고, 배양 온도는 25-30。C이다.생물농약의 일종인 세균 및 독소를 이용하는 미생물 살충제 Bacillus thuringiensis(이하 "BT"라 한다) 균의 대량증식 방법에 관한 것으로서, 미생물 살충제인 BT제는 인축에 전혀 독성이 없으며, 토양 및 작물의 잔류독성이 문제되지 않는 무공해 농약이다.또한 BT제는 생산비의 절감을 위해 대량 배양용 배양기의 조성을 값싼 재료로 대체할 수 있고 이 배양기를 사용하여 더 많은 세균 증식과 독소를 회수하므로써 기존 제품인 미생물 살충제 슈리싸이드와 같은 살충효과를 나타내게 한다. 또한 기존제품의 단점으로 알려진 악취를 제거함으로써 냄세가 없는 미생물 살충제로 사용할 수 있는 잇점이 있다.이 새로운 대량 배양용 배양기 제조방법에 의해 생산된 미생물 살충제는 생산비가 절감된 저렴한 가격으로 국내 보급되므로서 해충 방제는 물론 환경공해 추방 및 외채절감을 위한 국산 원자재 생산에 크게 기여될 수 있다.
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-05-16
상세보기