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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

에틸렌 글리콜을 이용한 티타네이트 분말의 제조방법

본 발명은 에틸렌 글리콜을 이용하여 티타네이트 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 금속 양이온 원료로서 티타늄 이소프로폭사이드, 또는 티타늄 이소프로폭사이드와 금속 질산염을 액상의 에틸렌 글리콜에 용해시켜 건조, 하소한 후 결정화시킨 다음, 습식 볼 밀링 과정을 통해 입도분포가 좁은 미세한 티타네이트 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.

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(재)광주테크노파크
등록일
2007-12-28
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

광경화형 접착제 수지 조성물 및 상기 조성물로 광경화접착된 물품

본 발명은 우수한 광경화 특성 및 우수한 기계적 강도를 나타내는 광경화형 접착제 수지의 조성물에 관한 것으로서, 에폭시 단량체, 옥세탄 단량체 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 양이온 중합성 단량체(A) 10-80중량%, 다관능 폴리올(B) 19.5-60중량% 및 양이온성 광중합개시제(C) 0.5-5중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화형 접착제 수지 조성물 및 상기 조성물로 광경화 접착된 물품이 제공된다.본 발명의 광경화형 접착제 수지 조성물은 자외선 조사에 의해 단시간에 경화되어 투명성이 우수한 도포막을 형성할 수 있고, 플라스틱 및 금속 등의 기재에 휨 등의 악영향을 미치는 잔존 응력을 저감시켜 밀착성이 우수하며, 부가적으로 첨가 될 수 있는 폴리올의 선택에 따라 속경화의 지연이 적으면서, 고 충격 강도 등의 특성을 부여할 수 있다.

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조선대학교
등록일
2007-12-28
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

제전성 필터 여재 및 이를 이용한 제전성 카트리지 필터

본 발명은 제전성 필터 여재 및 이를 이용한 필터 카트리지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 일면에 제전성 코팅제가 코팅된 펠트의 중간 부분에서 마찰이 발생되지 않는 구조를 갖도록 형성된 제전성 필터 여재 및 이를 이용한 제전성 카트리지 필터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제전성 필터 여재는, 일측 표면에 제전성 코팅제가 코팅되어 코팅층이 형성되고 주름구조를 갖도록 일정한 간격의 평행한 절곡선을 따라 교대로 방향을 달리하여 접혀진 펠트 두 겹을 상기 코팅층이 외측에 위치되도록 포개고 내측 방향으로 접혀진 절곡선을 서로 맞대어 접합시켜 접합된 절곡선의 양측에 유통로가 형성되고 상기 절곡선과 평행한 양측 가장자리를 서로 맞대어 접합시킨 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 제전성 카트리지 필터는, 상기 제전성 필터 여재와, 서로 접합된 상기 제전성 필터 여재의 절곡선과 나란한 양측 가장자리를 밀봉하도록 상기 그 가장자리에 결합된 클립과, 상기 제전성 필터 여재의 유통로의 일측 입구를 밀봉하도록 상기 제전성 필터 여재의 일측 단부에 결합된 밀봉캡과, 상기 제전성 필터 여재의 유통로의 타측 입구가 개방되도록 상기 제전성 필터 여재의 타측 단부에 결합된 배기캡과, 상기 제전성 필터 여재의 코팅층과 전기적으로 연결된 접지선을 포함하는 것을 특징으로 한다.

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조선대학교
등록일
2007-12-29
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

고농도 우레아하에서 안정된 활성을 갖는 디유비퀴틸레이팅 효소를 이용한 펩티드의 제조방법

본 발명은 고농도의 우레아에서 안정된 활성을 갖는 디유비퀴틸레이팅 효소(deubiquitylating enzyme; 이하, Usp2-cc)를 이용한 응집되기 쉬운 외래펩티드를 제조하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 단백질 절단효소 부위로서 유비퀴틴 및 외래펩티드의 융합 단백질을 코딩하는 폴리뉴클레오티드를 포함하는 발현벡터를 제조하고, 상기 발현벡터로부터 발현되어 응집된 융합 단백질을 고농도의 우레아로 녹인 후, 우레아 제거 과정 없이 우레아가 존재하는 상태에서 상기 융합 단백질을 Usp2-cc를 이용하여 절단함으로써 원래 형태의 수용성 외래펩티드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 응집되기 쉽고 화학 합성이 힘든 펩티드의 생산을 쉽고 빠르게, 효과적으로 개선할 수 있다.

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조선대학교
등록일
2007-12-31
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

3차원 나노구조의 제조 방법

현대사회의 각종 전자기기(휴대폰, PDA, PMP, 휴대용 게임기등)들은 점차 소형화, 복합화의 과정을 거치며 진화하고 있다. 또한 그 성능도 향상되고 있어 그 동작속도(clock speed)가 빨라지고 있다. 이에 따라 전자기기에서 발생되는 열은 점차 많아지고 있으므로 성능향상을 위하여 발생되는 열을 효과적으로 방출하여야 한다. 그러나 각종기기의 소형화 때문에 부피가 큰 히트싱크를 부착하는데에는 어려움이 있다. 본 기술은 마이크로 히트싱크(Micro-Heatsink) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 전기 전자제품에 내설되는 발열 부품의 방열 기능을 수행하는 히트싱크의 방열핀 크기를 나노미터(nanometer)에서 밀리미터(millimeter) 단위로 소형화시켜 제조하는 기술에 관한 것이다.구성: 본 기술은 마이크로 사이즈의 히트싱크와 이를 제조하는 방법으로 구성되어 있다. 효과: 소형 전자기기에서 방출되는 열을 얇은 두께의 히트싱크로도 효과적으로 방출할 수 있다.

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한국과학기술연구원
등록일
2008-01-08
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

이미다졸륨 염을 갖는 광경화성 단량체, 상기 이미다졸륨 염을 함유하는 항균성 광경화형 조성물 및 상기 조성물로부터 제조되는 항균성 고분자 재료

본 기술은 광경화형 항균성 단량체의 제조와 표면 코팅용 항균성 고분자 재료의 제조에 관한 것이다.이 항균성 코팅재료는 항균 처리가 요구되는 기질의 표면에 용제 없이 코팅하고 자외선을 조사하면 기질 표면에 반영구적으로 항균성을 나타내는 광경화 코팅 막이 형성된다. 항균성을 갖는 안정한 4급 암모늄염 형태의 이미다졸륨 염을 기본으로 하고 자외선 조사에 의해 쉽게 중합되는 아크릴과 메타크릴기를 결합시켜 광경화형 이미다졸륨 염 단량체를 합성한다. 광경화성이며 동시에 항균성을 갖는 이미다졸륨 염 함유 단량체를 다른 가교결합성 다관능성 단량체 및 라디칼 광개시제를 적절한 조성비로 혼합하여 용제를 사용하지 않는 환경친화적인 광경화형 항균성 코팅 재료를 제조.

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한국과학기술연구원
등록일
2008-01-08
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴의 형성 방법

본 기술은 미세전사법에 있어서 TiO 2 등 산화박막의 광촉매 특성을 이용함으로써 종래와 같이 기판과 형판의 접착력을 증가시키기 위한 별도의 UVO 처리 및 열처리 또는 UV 경화 처리공정을 제거한 간단하고도 경제적인 미세패턴 형성방법을 제공한다.본 기술에 의한 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴의 형성방법은 고분자 탄성 중합체로 되는 특정 패턴의 형판과, 광촉매 물질로 되는 박막층이 코팅된 박막층 기판을 각각 제조하는 형판 및 박막층 기판의 제조 단계와, 형판과 기판을 정렬하여 접촉시키고 이에 광을 조사하여 상호 접착시키는 정렬 및 접착 단계와, 접착된 형판의 일부를 기판으로부터 분리해내어 특정 패턴을 기판에 전사하는 전사 단계를 포함하여 이루어진다.

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한양대학교
등록일
2008-01-22
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

경량 및 중량 충격음을 저감할 수 있는 제진 조성물 및 이의 제조 방법

본 기술은 경량 및 중량 충격음을 저감할 수 있는 제진 조성물에 관한 것으로, 아스팔트 50 내지 80 중량%, 합성 고무 5 내지 40 중량%, 무기 충전제 0.5 내지 15 중량%, 프로세싱 오일 3 내지 20 중량%, 파라핀계 오일 1 내지 10 중량%, 및 소포제 0.01 내지 1.0 중량%를 포함하는 건축물의 바닥 충격 저감용 제진 조성물 및 이의 제조방법을 제공한다.건축물의 바닥 충격 저감용 제진 조성물은 제진 및 방음 특성이 우수하여 건축물의 바닥 구조의 제진층으로 사용되어 종래 건축물의 층간에서 발생하는 경량 및 중량의 층간 바닥 충격음을 동시에 감쇠시킨다.

보유기관
한양대학교
등록일
2008-01-23
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

폴리스티렌술폰산이 그라프트된 폴리아릴렌 에테르 공중합물

본 기술은 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리아릴렌 에테르 공중합물에 관한 것이다.이는특히, 폴리아릴렌 에테르에 스티렌술폰산염을 그라프트 공중합시켜 그라프트 공중합물을 제조하고, 공중합물을 이용하여 연료전지용 고분자 전해질 막을 제조하는 것이다.본 기술의 폴리스티렌 술폰산이 그라프트된 폴리아릴렌 에테르는 유리전이온도가 높을 뿐 아니라 폴리스티렌 술폰산의 함량이 낮은 경우부터 높은 경우까지 좋은 수소이온 전도도를 보이므로 고온용 고분자 연료전지 막으로의 응용이 가능하다.또한, 사용되는 재료들의 가격이 비교적 저렴 하고, 분자 구조제어가 비교적 용이 하므로 산업적 규모에서의 대량생산도 용이한 효과가 있다.

보유기관
한양대학교
등록일
2008-01-24
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

도관 보수 및 보강용 변성 에폭시 수지 조성물

본 기술은 속경화성 및 습면 접착성이 우수한 변성 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 우레탄 변성 수지 등에 방향족 또는 지방족 변성 폴리아민을 첨가하여 제조된, 습면 접착성은 물론 내구성, 내약품성, 내후성, 방수성 등이 우수하고 단시간 내에 경화가 가능한 변성 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.본 기술에 따라서 속경화성 및 습면 접착성이 우수한 변성 에폭시 수지 조성물이 제공되며, 본 기술에 따라 제공되는 수지 조성물을 도관의 보수 및 보강에 사용하는 경우, 습면 접착성은 물론 경화속도가 증가되어 공사 시간의 단축 효과가 있다.

보유기관
한양대학교
등록일
2008-01-28
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

광촉매를 이용한 ABS수지 표면 개질 방법 및 이로부터 개질된 ABS 수지

본 기술은 광촉매를 이용한 ABS수지 표면 개질방법 및 이로부터 개질된 ABS 수지에 관한 것으로서 (A) 나노크기의 이산화티타늄이 졸 상태로 현탁된 콜로이드 용액에 ABS 수지를 침지하는 단계, 및 (B) 침지된 ABS 수지에 광원을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광촉매를 이용한 ABS수지 표면 개질방법 및 이로부터 개질된 ABS 수지에 관한 것이다.본 기술의 ABS수지 표면 개질방법은 전처리제로 광촉매인 이산화티타늄 졸을 이용함으로써, 균일한 에칭 표면을 가지고, 도금막의 밀착력도 우수하고 또한 강산을 사용하지 않아 친환경적인 ABS수지 전처리방법이다.

보유기관
한양대학교
등록일
2008-01-28
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

다공성 유기 고분자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 기체 분리막

본 기술은 다공성 유기 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 기체 분리막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기체투과도와 선택성간의 우수한 균형을 갖고, 내열성, 내화학성 및 기계적 성질이 우수하며, 나노단위의 미세다공성을 지닌 다공성 유기 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 기체 분리막에 관한 것이다.본 기술의 다공성 유기 고분자는 기체투과도와 선택성간의 우수한 균형을 갖고, 열처리에 의해 열적, 화학적 안정성을 갖는 강직한 사슬 구조를 갖게 됨으로써 고온에서 운전되는 공정에서도 안정적으로 사용이 가능하다. 또한 종래의 다른 유기 고분자에서 볼 수 없었던 마이크로세공 및 메조세공을 가지고 있어 기존의 무기재료와 동등한 흡착성능을 갖는다.본 기술의 다공성 유기 고분자는 기체투과도와 선택성간의 우수한 균형을 갖고, 내열성, 내화학성 및 기계적 성질이 우수하며, 나노단위의 미세다공성을 지니고 있어, 기체 분리막, 흡착제 등 이용분야가 매우 광범위하다.

보유기관
한양대학교
등록일
2008-01-28
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

고분자박막안에 포함된 나노입자가 전하포획영역으로 작용하는 비휘발성유기쌍안정성 기억소자 및 제조방법

고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전하 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 기술에 따른 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성되는 제1전극, 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 포함된 고분자 박막 및 나노입자가 포함된 고분자 박막 상에 형성된 제2전극을 포함한다. 여기서, 나노입자의 가전자대에서 가장 높은 에너지준위(Ev)와 고분자에서 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지준위(EHOMO)의 차이가 나노입자의 전도대에서 가장 낮은 에너지준위(Ec)와 고분자에서 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지준위(ELUMO)의 차이보다 작고, 제1전극의 페르미준위(EF1)가 제2전극의 페르미준위(EF2)보다 작으며, 고분자의 ELUMO와 제2전극의 페르미준위(EF2)의 차이가 제1전극의 페르미준위(EF1)와 고분자의 EHOMO의 차이보다 큰 것이 특징이다. 본 기술에 따르면, 구동전압이 낮아서 소비전력이 작고 낮은 읽기 전압에서도 기억상태에 따른 전류의 차이를 백 배까지 낼 수 있는 소자의 제조가 가능하다. 그리고 소자 재현성이 높으며, 소자구조가 저항 형태를 가지는 매우 간단한 구조이기 때문에 공정비용이 절감된다.

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한양대학교
등록일
2008-01-29
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

알부민을 이용한 전도성 고분자의 제조방법 및 이로써 제조된 수분산된 전도성 고분자

본 기술은 알부민을 이용한 전도성 고분자의 제조방법 및 이로써 제조된 수분산된 전도성 고분자에 관한 것으로 알부민이 분산된 수용액과 전도성 고분자의 단량체를 첨가하고, 수용액에 산화제를 첨가하여 중합반응을 수행하고, 얻어진 반응물을 투석하여 수분산된 전도성 고분자를 제조하는 방법과, 이로써 제조된 수분산된 전도성 고분자에 관한 것이다. 본 기술은 알부민이 분산된 수용액에 전도성 고분자의 단량체를 첨가하고, 수용액에 산화제를 첨가하여 중합반응을 수행하고, 얻어진 반응물을 투석하여 수분산된 전도성 고분자를 제조하는 방법을 제공한다.또한 본 기술은 방법으로 제조되는 수분산된 전도성 고분자를 제공한다.본 기술에 따른 방법은 종래 물에 대한 용해도가 전혀 없는 전도성 고분자를 물에 용해가 가능한 형태로 제조하여, 전도성 고분자의 응용범위를 더욱 넓힐 수 있다.

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한양대학교
등록일
2008-01-30
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

보호된 안트라퀴논 유도체와, 이를 이용한 형광 화상 형성 방법

본 기술은 미세 형광 화상 형성 재료인 히드록시 보호된 안트라퀴논 및 나프타센퀴논 유도체와, 이를 이용한 미세 형광 화상 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술의 히드록시 보호된 안트라퀴논 및 나프타센퀴논 유도체는 히드록시기의 분자내 수소결합을 한시적으로 차단한 다음 산, 열 또는 광 등에 의해 탈보호되어 색 및 형광의 변화를 일으키고, 일반적인 고분자와 혼합시 코팅이 용이하기 때문에, 화학증폭성 미세 화상 형성 공정 조건에서 쉽게 미크론미터 단위의 미세 형광 화상을 형성할 수 있어서, 기록용 재료 및 센서 재료로 응용될 수 있다.

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한국과학기술연구원
등록일
2008-07-21
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

입체 고분자 재료의 표면처리방법

본 기술은 3차원 입체 고분자 소재 및 제품의 표면특성 및 표면의 전기전도도를 향상시키기 위하여 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 플라즈마 이온주입 기술은 대면적의 3차원 입체시료의 표면에 균일하게 이온을 주입하여 표면개질을 이룰 수 있는 기술이다. 본 기술에서 고분자 시료 주위의 금속성 그리드에 음의 고전압 펄스가 가해지면 플라즈마로부터 이온이 추출되어 그리드를 향하여 가속이 되고 대부분의 이온들은 그리드를 통과하여 높은 에너지로 고분자 시료의 표면에 충돌하게 된다. 따라서, 시료대에 직접 고전압 펄스를 인가하는 방법으로는 플라즈마 이온주입이 어려운 입체 고분자 시료의 표면에 균일하게 이온주입이 이루어지게 되며 이와 같이 높은 에너지로 주입된 이온들은 고분자 표면을 개질하여 전기전도도를 매우 효율적으로 향상시킬 수 있게 된다.

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한국과학기술연구원
등록일
2008-07-21
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

생체적합성 실리콘 나노입자의 제조 방법

본 기술은 생체적합성 실리콘 나노입자의 제조 방법에 관한 것으로서, 실리콘 나노입자 제조를 위한 전구체인 SI-함유 진틀염(ZINTL SALT)을 다이에틸렌글리콜 다이에틸에테르(DGDE) 중에서 초음파 처리하여 실리콘 나노입자 콜로이드를 형성한 후 이를 할로겐화수소 수용액으로 처리하여 그 표면에 하이드록시기를 도입하는 것에 관한 것이다.본 기술의 방법에 따르면, 수용액 내에서의 분산 안전성이 우수하고 생체 적합성이 뛰어난 실리콘 나노입자를 간단하면서도 고수율로 대량 생산할 수 있다.

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한국과학기술연구원
등록일
2008-07-21
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

다(多)반응기를 갖고 있는 고분자 막 또는 필름 및 그제조 방법

본 기술은 나노미터 두께의 유기박막이 형성된 고분자 필름 또는 고분자 막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 간단한 플라즈마나 UV조사 방법을 통해, 고분자 필름이나 고분자 막 위에 말단 반응기가 많은, 덴드리틱 고분자 및 고분자 말단에 활성 물질이 치환된 덴드리틱 고분자 또는 별모양 고분자 등 여러 구조의 고분자를 공유 결합으로 결합시켜 제조된 고분자 필름 또는 고분자 막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술의 고분자 필름 또는 고분자 막은 표면에 반응기를 많이 갖고 있으므로 이를 그 목적에 따라 다른 물질들로 부착하면 화학센서, 액체 또는 기체상에서의 흡착막, 분리막, 또는 리쏘그라피 공정(lithography)등에 응용이 가능하다.

보유기관
한국과학기술연구원
등록일
2008-07-21
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