일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 증착된 ZnO 박막의 후열처리 공정에서의 분위기를 제어하는 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 원자층 증착법에 의해 증착된 ZnO 박막을 후열처리하는 공정에 있어서, 열처리 분위기 기체 및 열처리 온도를 조절함으로써 ZnO 박막의 결정성, 광학적 특성, 전기적 특성 등이 향상된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 종래의 GaN 박막을 대체할 수 있는 원자층 증착법에 의해 증착된 ZnO 박막의 후열처리 공정을 제어함으로써, 우수한 ZnO 박막을 제조할 수 있다. 그리하여, ZnO의 다양한 응용분야 중에서도 발광소자(LED)로서의 응용분야에서 기술우위의 고지를 확보함으로써, 현재 LED 분야를 지배하고 있는 GaN계 LED를 대체하여 거액의 기술료 지불의 부담을 해결하고, 나아가 수출 증대 효과도 기대할 수 있다.광소자로서의 응용을 위해서는 ZnO의 결정성이 우수해야 하며, 박막 내의 결점이 없는 양질의 박막을 제조하여야 한다. 따라서, 효율적인 소자 제작을 위해서 주로 결정의 격자가 잘 맞는 기판에 적층막을 성장시켜야 하는데, 배향성을 갖는 알루미나 또는 cMgAlO4기판을 이용하여 분자선 적층법에 의해 성장시키는 방법이 주로 연구되어 왔다. 그러나, 종래 ZnO 박막을 제조하는 경우, 주로 산소 결핍에 의하여 Zn-과잉 형태로 형성되어 n형 반도체의 성질을 띠는 비화학양론적 박막으로 성장된다는 보고가 있고, 또한 다른 불순물의 영향으로 PL(photoluminescence)을 이용한 광특성 실험에서 2.4~2.6 eV 근처의 에너지를 갖는 깊은 준위 발광에 의한 그린-옐로우 피크가 3.37 eV 근처의 에너지를 갖는 자외선 영역에서의 발광에 의한 자외선 피크와 항상 함께 발견되는 결과가 보고되어 있다. 이러한 성분 결함 등에서 오는 깊은 준위 발광 피크는 고순도의 자외선 발광 소자 및 청색 발광 소자의 효율 및 특성에 좋지 않은 영향을 주는 요인으로서 반드시 제거되어야 할 필요가 있다. 한편, 박막 내 결정들의 배향성을 포함하여 ZnO 박막의 상기 특성들은 일반적으로 성장법, 온도, 혹은 산소의 유입량 등에 의해 크게 영향을 받는다고 알려져 왔다. ZnO 박막을 성장시키는 방법 중에서, 원자층 증착법은 막 형성에 필요한 원소를 한 번에 한 가지씩 증발시켜 ZnS 박막을 형성하는 원자층 적층법 기술로부터 발전되어 왔다. 원자층 증착법에 의해 증착된 ZnO 박막은 후열처리를 통해 그 결정성이 향상되는 것으로 알려져 있다. 즉, 종래의 문헌에는 후열처리가 ZnO 박막의 결정성, 광학적 특성 등에 미치는 영향이 보고되어 있다. 그러나, 열처리 분위기에 따른 ZnO 박막의 특성에 관한 연구 결과는 찾아보기 어려운 실정이다. 이에, 본 발명은 GaN계 LED 소자를 대체할 ZnO계 LED 소자의 제조의 기초가 되는 ZnO 박막을 제조함에 있어서, 기존의 증착 방법의 문제점을 보완할 수 있는 ALD법을 이용하여 증착함으로써 결정 품위를 개선하고, 분위기 기체 및 열처리 온도를 제어함으로써 상온에서 깊은 준위 발광을 제거하는 등 ZnO 박막의 결정성, 전기적 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있는 공정 제어 방법을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
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- 인하대학교
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- 2006-05-12
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본 발명은 마그네트론 코스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 마그네트론 코스퍼터링법을 이용하여 금속을 도핑시켜 ZnO 박막을 제조하는 공정에 있어서, RF 전력비(R)를 조절함으로써 ZnO 박막 내의 금속 함량을 제어하여 결정성, 광학적 특성, 전기적 특성, 투과도 등이 향상된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 결정성 및 표면 형상이 우수하고, 전기 전도성과 같은 전기적 특성이 향상된 ZnO 박막을 제조할 수 있다. 그 결과, 다양한 응용성으로 주목받고 있는 ZnO 박막의 응용 분야에서 그 적용 가능성을 높일 것으로 기대된다. 특히, 디스플레이 장치 분야에서 투명전극용 또는 윈도우용 재료로써 사용되고 있는 종래의 ITO를 대체함으로써, 고가의 디스플레이 장치 등의 가격을 하락시킬 수 있을 것으로 기대된다.스퍼터링법은 웨이퍼에 금속 박막과 절연체를 적층하는 방법이다. 스퍼터링의 원리는 강철공을 콘크리트벽에 던지는 것과 같은 물리적인 공정이다. 충돌한 공은 콘크리트와 같은 화학적, 물리적 특성을 갖는 조각을 떼어낸다. 이 과정이 되풀이되면 충돌지점 부근은 콘크리트 조각으로 덮이게 된다. 스퍼터링에서 '강철공'은 이온화된 아르곤 원자이고, '콘크리트벽'은 스퍼터링되는 물질 판으로 타겟이라고 한다. 스퍼터링 공정을 진공실에서 수행된다. 스퍼터링되는 물질의 타겟과 웨이퍼가 위치된 반응실로 이온화된 아르곤이 주입된다. 타겟은 양성으로 충진된 아르곤에 비해 음성 전하를 띠고 있다. 따라서, 아르곤 원자는 가속되며 이온 주입과는 달리 스퍼터링에서는 아르곤 원자가 타겟에 박히지 않는다. 대신 강철동과 같이 충동하여 타겟을 약간 떼어낸다. 반응실은 진공이므로 떨어져나온 물질은 웨이퍼를 포함하여 반응실 도처에 적층되는 것이다. 이러한 스퍼터링법 중 마그네트론 스퍼터링은 반도체를 적층하는 방법으로서, 상기 장비는 타겟 후방 또는 측면에 자석을 설치하여 반응실 내에서 방사를 일으키는 전자 및 타겟을 가열하는 전자들을 제거한다. 상기 자석은 배회하는 전자를 포획하여 타겟 근처에 가두어 놓는다. 이때 이온 전류는 보통 다이오드 스퍼터 장치보다 열 배 정도 높기 때문에, 더 낮은 압력에서 더 빠르게 금속 막을 적층할 수 있다. 투명 전도성 박막으로서 ZnO계 박막은 불순물이 첨가되지 않은 ZnO계 박막의 경우 대기 중에 장시간 노출되는 경우 산소의 영향으로 Zn과 O의 정량비가 변함에 따라 전기적 성질의 변화가 발생하고, 고온 분위기에서 안정하지 못한 단점이 있었다. 이에, 마그네트론 코스퍼터링법을 이용하여 금속이 도핑된 ZnO 박막을 제조함에 있어서, 상기 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성이 R값(RF 전력비)에 의존하는 것을 알아내고, 구조적, 전기적, 광학적 특성이 우수한 ZnO계 투명 전도성 박막의 제조를 위한 최적 조건을 밝힘으로써 본 발명을 완성하였다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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본 발명은 원자층 증착법에 의한 p 형 산화아연 박막의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아연 원, 산소 원 및 도펀트 소스를 교대로 공급하여 산화아연 박막을 형성하고, 이를 열처리함으로써 제조되는 원자층 증착법에 의한 p 형 산화아연 박막의 제조 방법에 대한 것으로서, 본 발명에 의한 p 형 산화아연 박막은 광학적, 구조적, 전기적 특성이 우수하여 발광다이오드, 레이저다이오드 등 발광디바이스의 대량 생산을 위한 상업화를 가속화시킬 수 있는 유용한 효과를 제공할 수 있다.아연 산화물은 우수한 광학적, 전기적 그리고 압전 특성으로 인해 지난 수십 년 동안 많은 연구가 수행되고 있는 재료로서 표면 음향 소자, 투명 전극 및 광소자 등에 응용 가능성이 크다. 특히, ZnO는 3.37 eV의 넓은 밴드 갭을 갖고 있고, Mg 등의 첨가에 의해 밴드갭을 4 eV까지 변화시킬 수 있기 때문에 자외선 영역의 레이저를 발진할 수 있는 차세대 광소자용 재료로 주목받고 있다. 비록, GaN을 기본으로 하는 Ⅲ 족 질화물에 대한 광소자 연구가 활발히 진행되어 응용 단계까지 도달하였으나, 대부분의 GaN을 기반으로 하는 질화막은 성장시 1000 ℃ 이상의 고온이 요구되고 있어 기판 선택에 제약이 있기 때문에 실 공정에서 가장 많이 사용되고 있는 실리콘 기판에서 양질의 에피 박막 성장이 어려운 단점이 있다. 반면, ZnO는 여기자 결합 에너지가 상온에서 60 meV로 GaN의 28 meV에 비해 상당히 크므로, 상온 및 고온에서 동작할 수 있는 광소자의 효율을 극대화할 수 있다는 장점이 있다. 또한, ZnO는 500 ℃ 정도의 비교적 낮은 온도에서 양질의 에피 박막 성장이 가능하기 때문에 실리콘 기판 위에서도 GaN에 비해 에피 성장이 용이한 장점이 있어 실용화를 위한 유리한 위치에 있다. 원자층 증착 기술은 회로선폭이 100 nm 이하인 나노급 반도체의 개발이 본격화되면서, 그 연구가 활발하게 이루어지고 있는 기술이다. ALD는 원자층 단위로 박막을 형성하는 첨단기술로, 뛰어난 균일도의 극박막 증착이 가능하기 때문에 나노급 반도체 제조의 필수적인 증착 기술로 주목받고 있다. ALD는 자기제한적 성막법으로 반응기체들을 번갈아 공급하여 기판 위에 한 원자 층씩 흡착되도록 하는 기술로 박막두께를 반응기체들의 공급 회수로 조절하여 수 nm의 얇은 두께도 매우 재현성있게 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 넓은 면적에 걸쳐 균일한 증착이 가능하다는 여러 가지 장점을 갖고 있다. 또한, 낮은 증착온도에서도 박막의 특성이 매우 우수하고 높은 단차의 트렌치나 홀 내에서도 거의 100%의 피복율을 보이는 등 장점이 많아, 나노급 반도체 제조에 가장 적합한 증착 기술로 평가되고 있다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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본 기술은 기판상에 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하는 방법 및 장치에 관한 것이다.본 기술의 방법은 진공조내에 놓여진 기판의 상부에 그리드를 설치하고 상기 그리드에 (+)바이어스를 가하면서, 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 이용하여 기판상에 스터터링 증착을 수행한다.스퍼터링 증착은 진공조에서 발생시킨 플라즈마내에 존재하는 양이온이 음으로 대전된 타깃쪽으로 가속되어 충돌하여 타깃에서 떨어져 나온 물질을 기판상에 침착시킴으로써 증착시키는 방법이다.본 기술의 박막 형성 방법은 진공조내에서 스퍼티링 증착동안 그리드에 양(+)의 바이어스 전압을 인가함으로써, 산소 음이온이 기판상의 박막내로 입사되는 것을 최대한 방지하여, 박막의 구조에 나쁜 영향을 미치는 요인을 제거할 수 있다. 특히 산소 음이온에 의한 표면 거칠기의 증가를 감소시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 방법은 그리드에 양(+)의 바이어스전압을 이용함으로써 증착되는 박막의 C-축 배향성을 크게할 수 있으며 박막아 단결정, 즉 에피탁시로 성장할 경우에는 애피탁시의 정도를 크게할 수 있다.또한, 본 기술은 플라즈마를 발생시킬 수 있고 내부에서 산화물 타깃을 구비하는 진공조내에 기판을 배치하는 단계와 기판의 상부에 그리드를 설치하여 기판이 그리드에 의해 산화물 타깃으로부터 가리워지도록 하는 단계와 그리드에 양(+)의 바이어스 전압을 가하면서 진공조내에서 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 발생시켜서 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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재료 > 기타 금속재료
[해결하고자 하는 과제]종래 Ti5Si3계 금속간화합물은 구성원소가 활성이고 융점이 높아 건전한 시편을 얻지 못하였으며, 분말야금법에 의한 제조에도 한계가 있었다. 상기한 한계는 용제법에서의 문제점은 해결할 수 있었으나, 고가의 HIP 장치를 10시간 동안이나 장시간 사용해야하므로 제조 비용이 높아지고 생산성이 떨어진다는 단점이 여전히 남아 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 한다.[과제 해결을 위한 수단]이에 본원발명에서는 상기한 문제점을 해결하기 위하여;1) 혼합물 원자량 기준으로 35 내지 43%의 Si 분말과 나머지량의 Ti 분말을 혼합하는 단계, 2) 압력을 가하지 않은 상태에서, 혼합물의 온도가 Ti 원소와 Si 원소의 반응 온도 650℃이상, 생성되는 Ti5Si3계 금속간화합물의 용융온도 2130℃ 이하가 되도록 혼합물에 전류를 부가하여 반응시키는 단계를 포함하는 Ti5Si3계 금속간화합물의 제조 방법을 개시하고 있다.본원발명에 따라 Ti 분말과 Si 분말의 혼합물에 상기 혼합물의 온도가 Ti 원소와 Si 원소의 반응 온도 이상, 생성되는 Ti5Si3계 금속간화합물의 용융온도 이하가 되도록 전류를 부가하여 통전 소결함으로써 항공기, 자동차, 발전기 등의 내열 부품에 유용하게 사용될 수 있는 경량내열성을 구비한 Ti5Si3계 금속간화합물을 단시간내에 간편하고 경제적으로 제조할 수 있다. 또한 상기 통전 공정에 가압 및/또는 탈가스 및/또는 합금 첨가 공정을 추가할 경우생성물의 치밀도가 더욱 높아져 보다 양호한 생성물을 얻을 수 있다.Ti 분말과 Si 분말의 혼합체에 전류를 부가하여 이에 의해 발생된 열을 Ti와 Si의 화합물 반응에 이용함으로써 단시간 내에 Ti5Si3계 금속간화합물이 생성되며, 상기 통전을 이용한 화합물 반응에 가압 및/또는 탈가스 및/또는 합금 첨가 공정을추가할 경우 생성물의 치밀도가 높아져 보다 양호한 생성물을 얻을 수 있다.본 발명에 의해 제작되는 신소재는 고성능화, 경량화가 요구되는 모든 분야에 적합하게 이용될 수 있어 그 시장성은 매우 넓다고 할 수 있다.종래의 방법들은 제작 시간 및 제조 비용이 높아지고 생산성이 떨어진다는 단점이 있었으며, 본 발명은 이러하 단점을 모두 해결하였는 바 벤처 및 중소기업의 과제로 충분한 가치가 있다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 종래의 고온강도용 Ni-기 초합금이 차세대 우주 항공기용 고온 재료로 부적합하다는 문제점을 해결하기 위해 높은 비강도와 용융점, 우수한 고온 재 산화성 물성을 가진 금속간 화합물을 개발하고자 한다.본 발명은 Ti5Si3-Cu계 금속간 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게로는, 반응소결 및 유사-열간 정수압 성형에 의해 소결성이 향상된 Ti5Si3-Cu계 금속간 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 티타늄 실리사이드계 금속간 화합물인 Ti5Si3-Cu의 제조에 있어서, Ti 69.5wt% - 73.2wt%, Si 24.5wt% - 25.8wt% 및 소결첨가제인 Cu 6.0% - 1.0wt%를 조성으로, 1450。C에서 1-7시간 동안 반응소결하여 소결성을 향상시키는 한편, 반응소결 후 250MPa의 압력으로 10분 - 2시간 가압하는 유사-열간 정수압 성형으로 소결밀도를 더욱 향상시킬 뿐만 아니라 반응소결시 잔존하는 기공을 효과적으로 제거하는 것을 특징으로 한다.본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 적합한 반응조건이 부여된 반응소결 및 유사-열간 정수압 성형법을 실시하면, 기존의 고강도, 저밀도, 고온 내 산화성 물성을 유지하면서도 소결성이 크게 향상된 차세대 우주항공기용 고온재료로 사용된 가능성이 유력한 Ti5Si3-Cu계 금속간 화합물을 제조할 수 있다.본 발명은 차세대 항공기용 고온재료로서, Ti5Si3-Cu계 금속간 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 금속간 화합물 중에서도 티타늄 실리사이드(titanium silicide)계 금속간 화합물인 Ti5Si3는 용융점이 높고(2130。C), 밀도가 낮아서(4.32g/cm3), 높은 비강도를 갖을 뿐만 아니라, 표면의 SiO2 피막으로 인하여 고온 내 산화성이 우수하며, 고온 크리프 저항성이 뛰어나 항공기용 고온 구조재료로서 높이 주목 받고 있다. 이에 본 발명에서는 금속간 화합물인 Ti5Si3의 합성공정 및 합성에 영향을 미치는 제 변수들을 연구한 결과, 반응소결 및 유사-열간 정수압 성형법을 이용하면 기존의 고강도, 저밀도 및 뛰어난 고온 내산화성과 고온 크리프 특성을 유지하면서도 소결성이 월등히 향상된 티타늄 실리사이드계 금속간 화합물인 Ti5Si3-Cu를 제조 및 제조방법의 제공한다.본 발명은 반응소결 및 유사-열간 정수압 성형법을 이용하여 고강도, 저밀도 및 뛰어난 고온 내산화성과 고온 크리프 특성을 유지하면서도 소경성이 월등히 향상된 티타늄 실리사이드계 금속간 화합물인 Ti5Si3-Cu를 제조할 수 있다.종래의 고온 강도용 재료인 Ni-기 초합금은 낮은 사용온도와 높은 밀도의 제약으로 차세대 우주 항공기용 고온재료로 부적합하다는 문제점을 나타낸 반면, 본 발명에서는 높은 비강도와 용융점 우수한 고온 내 산화성 물성을 가진 금속간 화합물을 제조함으로써 차세대 우주 항공산업의 발전에 기여할 수 있다.최근 국내의 한정적인 자원을 효과적으로 사용하여 비용을 절감시키려는 노력이 차세대 재료의 개발로 대두되고 있다. 특히 항공 우주 분야와 같은 첨단 산업 관련분야에서 이와 같은 노력들이 계속 진행되고 있다.현재 항공기용 구조재료 및 엔진의 터빈 부품과 같은 고온 구조용 재료는 그 사용온도가 매우 높기 때문에 높은 고온강도뿐만 아니라 고온 크리프(creep) 특성, 고온 내산화성 및 내마모성 등의 우수한 물성이 필수적으로 요구된다.본 발명에 대한 기업화 효과는 앞으로 국내 산업에 중추적 역할을 할 항공산업에 대한 준비에서 그 의미를 찾을 수 있다. 현재 항공기 엔진의 조립 단계에 머무르고 있는 항공․우주산업이 엔진자체의 설계, 제작단계에 진입할 때, 소재의 중요성, 특히 첨단 소재의 중요성이 대두될 것이며, 본 발명은 그 시점에서 축적된 기반기술로서 나타날 것이다.
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- 2006-05-12
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 종래 Ti-Al계 금속간화합물의 문제점인 합금 표면의 질화처리가 용이하지 않음과 고비용을 해결하고자 한다.본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 경량내열성 Ti-Al계 금속간화합물의 내마모성을 향상시키는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, Al 원소 35～55 원자% 및 잔부 Ti의 조성으로 이루어지거나; 이에 탄소 및/또는 할로겐 원소 중 적어도 1종 이상의 원소 0.001～2 원자%를 더 포함하거나; 이에 더하여 제 3원소가 1종 이상 포함되는 Ti-Al계 금속간화합물을 산소 원소를 함유하는 분위기하에서 800°C 이상, 고상선 이하의 온도 조건으로 열처리하여 피막을 형성시킴으로써 그 내마모성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 이때 열처리되는 산소 분위기에는 탄소 및/ 또는 할로겐 원소중 적어도 1종 이상의 원소가 0.001 원자% 이상 또는 탄소 및/ 또는 할로겐 가스 중 적어도 1종 이상의 가스가 0.0001 부피% 이상 함유되거나 상기 원소와 가스가 동시에 함유될 수 있다. 또한, 상기 금속간화합물에는 상기 제 3원소가 더 포함됨으로써 상온연성, 고온강도 및 크리프 특성 등이 효과적으로 개선될 수 있다.본 발명은 알루미늄(Al) 35～55 원자% 및 잔부 티타늄(Ti)의 조성으로 이루어진 Ti-Al계 금속간화합물을 산소 원소를 함유하는 분위기하에서 800℃ 이상, 고상선(固相線) 이하의 온도 조건으로 열처리하여 표면 피막을 형성시키는 것을 특징으로 한다.본 발명의 방법은 종래의 방법에 비해 Ti-Al계 금속간화합물의 내마모성을 향상시킬 수 있다.본 발명의 Ti-Al계 금속간화합물의 내마모성을 향상시키는 방법은 우수한 기술적 특징으로 인해 그 시장성이 크다.
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- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 알루미늄 소재를 우선 제작하고자 하는 목적물로 형상화시킨 다음 그 알루미늄 형상을 300 ~ 800℃의 주석용 탕으로 용해·주조하는 것을 특징으로 하는 메탈베어링용 알루미늄-주석계 복합재료의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미늄-주석계 복합재료를 알루미늄의 형상제어를 통해 제조함으로서 소재의 기지를 강화하는 한편, 다량의 주석이 함유된 알루미늄-주석계 합금소재의 일반적인 용해 및 주조를 할 때 알루미늄 주위에 연속적인 필름형태로 생성되는 주석의 형태거동을 억제하고 소재의 용도에 따른 특별한 기계적 성질을 부여하기 위해 다양한 계열의 알루미늄 사용 및 주석의 함량을 조절할 수 있는 것이 특징인 메탈베어링용 알루미늄-주석계 복합재료의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 방안으로, 알루미늄 소재를 우선 제작하고자 하는 목적물로 형상화시킨 다음 주석용탕으로 용해·주조하는 방법을 사용하여 알루미늄 소재의 기지를 강하게 하는 한편, 베어링용 알루미늄-주석계 합금소재의 용해 및 주조 시 알루미늄과 주석의 심한 비중차이 때문에 발생되는 편석현상을 완화하며, 다량의 주석이 함유된 알루미늄-주석계 합금소재의 일반적인 용해 및 주조를 할 때 알루미늄 주위에 연속적인 필름형태로 생성되는 주석의 형태거동을 억제하고, 소재의 용도에 따른 특별한 기계적 성질을 부여하기 위해 다양한 계열의 알루미늄 사용 및 주석의 함량을 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 메탈베어링용 알루미늄-주석계 복합재료의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 알루미늄의 형상을 목적한 형태로 제작한 후 주석과 접합 가능 한 범위 내에서 주석용탕으로 용해·주조하는 방법을 사용함으로서 소재의 기지를 강하게 하는 한편, 다량의 주석이 함유된 알루미늄-주석계 합금소재의 일반적인 용해 및 주조를 할 때 알루미늄 주위에 연속적인 필름형태로 생성되는 주석의 형태거동을 억제하며, 또한 소재의 용도에 따른 특별한 기계적 성질을 부여하기 위해 모든 알루미늄 계열의 소재의 사용과 함께 주석의 함량을 조절할 수 있는 것이 장점이다.
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- 등록일
- 2006-05-24
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본 기술은 화학증착법으로 고속도강 기판에 TiN 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 증착전 일련의 열처리 공정을 생략한 고속도강 기판에 950 ~ 1250℃의 온도범위에서 TiN 피막을 증착한 후 N2 또는 Ar 가스분위기에서 가스quenching하는 것을 특징으로 하는 TiN 피막의 형성방법이 제공된다. 이와 같은 본 기술에 따르면, 기판경도와 기판과 TiN 피막 사이의 접착력이 우수할 뿐만 아니라 증착전에 고속도강 기판에 가해지는 일련의 열처리 과정을 생략할 수 있어 산업적으로 매우 유용한 기술이다.일반적으로 화학증착은 높은 공정온도로 인하여 고속도강에 적용하기에 비합리적이나 본 기술은 일련의 열처리를 피막제조와 함께한 가스quenching을 대체한다는 점은 독창성인 아이디어다.별도의 열처리 없이 경도와 접착력이 우수한 TiN 피막을 고속도강에 증착시킨다.양산을 위한 진공챔버 개발에 대한 기술만 개발된다면 충분히 상용화될 수 있다고 판단된다. 진공피막의 제조기술의 응용범위가 기계, 화학분야에서 전자, 광학분야에 이르기까지 그 범위가 날로 확대되어 가고 있다. 기계적인 응용분야에서 가장 활발히 이루어지고 있는 분야는 절삭공구나 금형, 다이 등의 수명과 내마모성을 향상시키기 위한 경질피막(hard coating) 분야이다. 현재 공구의 수명과 성능을 향상시키기 위한 경질피막 재료로서 가장 널리 사용되는 TiN은 마찰계수가 작고 경도가 높기 때문에 고속도강과 같은 공구강의 내마모성을 높여 수명을 연장할 뿐만 아니라 외관이 미려한 황금색을 띠고 있어 각종 재료의 장식용 피막재료로도 사용된다. 이와 같은 TiN 피막의 증착방법으로는 크게 물리증착법과 화학증착법이 있는데, 특히 화학증착법(CVD process)은 기판과 피막사이의 접착력이 물리증착법에 비해 우수하고, 모서리 도포성이 양호하여 산업적으로 널리 이용되고 있다. 그러나, 종래의 화학증착법은 증착온도가 900 ~ 1200℃ 정도로 너무 높아 고온에서의 상변태 및 과템퍼링(over-tempering)에 의한 경도감소가 크게 문제되었다. 이를 해결하기 위하여, 고속도강의 내마모 코팅시에는 최종 제품에 충분한 경도와 인성을 부여하기 위하여 고속도강 기판의 증착전에 일련의 전처리공정 처리를 한 후 증착공정을 수행하게 되는 데, 이때 증착도중에 일어날 수 있는 상변태나 과템퍼링에 의한 경도감소를 방지하기 위하여 증착공정은 600℃ 이하의 온도에서 행해져야 한다. 그러나, 저온 증착시에는 기판의 경도는 높은 값으로 유지되는 반면 반응속도와 확산속도의 감소로 인하여 기판과 피막간의 접착력 감소는 피할 수 없어 내마모성 피막으로서의 TiN 피막 증착이 크게 제한을 받고 있다. 일반적인 화학증착은 높은 공정온도로 인하여 고속도강에 적용하기에 비합리적이나 본 기술은 일련의 열처리를 피막제조와 함께한 가스quenching을 대체한다는 점과 공정의 단순화로 인해 비용절감 측면에서 타 유사기술과 비교하여 경쟁력이 있다고 사료된다.
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- 서울대학교
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- 2006-05-10
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본 기술은 유도 결합 플라즈마를 이용한 PDP 기판의 MgO 보호막 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 AC-PDP 내의 유전체와 전극의 보호막 역할을 하는 MgO 보호막을 형성하기 위한 유도 결합 플라즈마를 이용한 PDP 기판의 MgO 보호막 형성 방법에 관한 것이다. 기존의 방법에 비해 저온에서 증착이 가능하며 승화시킨 Mg과 별도로 유입된 산소를 반응시켜 박막을 형성하는 방법이므로 높은 증착속도와 결정화의 제어가 가능하며 기판을 수직으로 세워 증착할 수 있으므로 대면적 증착에 유리하다. 한편 고밀도플라즈마를 적용하여 반응을 활발히 유도하여 저온에서도 높은 결정성을 갖는 MgO 보호막을 제조할 수 있다.유도결합 플라즈마를 장착한 증발법을 이용하여 Mg 소스를 사용하면서 기판의 별도 가열 없이 수직공법으로 AC-PDP내의 보호막으로서 중요한 역할을 하는 MgO 보호막의 제조를 가능하게 하고, 기존의 공정에 비해 획기적으로 생산 단가를 낮추면서도 우수한 특성을 갖는 MgO의 대면적 증착이 가능하다.별도의 기판가열 없이 결정성과 투광성이 우수한 MgO 보호막을 고속으로 증착시킬 수 있으며 대면적 증착에 유리하다.양산을 위한 진공챔버와 대면적 Mg 증발원 개발에 대한 기술만 개발된다면 충분히 상용화될 수 있다고 판단된다.
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본 기술은 이차전지의 양전극용 리튬 망간 산화물 박막전극을 얻는 방법 및 이 방법에 따라 얻어진 리튬 망간 산화물 박막전극에 관한 것이다. 본 기술의 방법에 따라 얻어지는 리튬 망간 산화물 박막전극은 스퍼터링과 급속열처리 단계를 통해 제조되므로 종래의 방법에 따라 얻어진 전극에 비해 매우 안정된 스피넬 구조를 가지게 된다. 따라서, 리튬이온의 출입에 대해 매우 우수한 가역성을 나타내며 1000회 이상의 충・방전시에도 전지의 성능이 거의 저하되지 않는다. 그러므로 본 기술의 방법에 따라 얻어지는 리튬 망간 산화물 박막전극은 급속히 발전하는 전자기술의 발전 속도에 부합하는 극소형 이차전지의 양전극으로서 적합하다.기존 전자빔 증착법과 노 열처리에 의해 제조되는 리튬 망간 산화물 박막의 경우 리튬이온의 가역적 출입을 가능케 하는 구조가 불안정 하지만, 본 기술에서 사용한 리튬 망간 산화물 타겟을 증착원으로 하여 마그네트론 스퍼터링을 수행한 후, 산소분위기에서 급속 열처리를 한 경우에는 보다 간편하고, 충・방전이 안정한 구조를 제작 할 수 있다. 리튬 망간 산화물을 마그네트론 스퍼터링과 급속 열처리를 사용하여 제작하므로, 대량생산에 용이하고 thermal budget이 줄어들어 양산에 적용할 수 있다.
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- 2006-05-10
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본 기술은 융점이 다른 두 금속을 박막층으로 형성하기 위한 금속박막 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조 시 금속막증착에 있어서 이중보호막의 사용과 대용융 재결정법을 이용하여 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성하기 위한 제조방법을 개시한 것이다. 본 기술에 의한 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막의 제조방법은 실리콘 기판 위에 열산화막을 형성하고 In과 Sb을 순차적으로 열증착시킨 후 ,SiO2층과 In2O3층을 제1 및 제2보호막으로 형성하여 대용융 재결정법을 이용하여 열처리 함으로써 반도체 소자의 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성할 수 있게 된다.금속막 증착에 있어서 이중보호막의 사용과 대용융 재결정법을 이용하여 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막 제조방법은 다른 어떤 방법도다 아이디어가 뛰어나다고 할 수 있다.반도체 및 센서 적용기술만 개발된다면, 실제 제품적용 가능하다고 예상된다세계시장규모는 '95년 현재 약 17억불로 매년 7%정도의 성장세를 보이고 있으며, 이중 반도체압력센서가 19%, 부르동관식 압력센서가 15% 정도를 각각 차지하고 있다. 향후에는 반도체압력센서의 지속적인 성장세가 계속되어 '98년에는 전체시장의 23% 정도의 점유율을 보일 것으로 전망된다. 최근에 와서는 마이크로머시닝기술의 진보로 센서의 가격대비 성능이 크게 향상되었으며 대량생산이 가능하게 되었다. 또한 자동차분야에는 배기가스나 서스펜션시스템 및 브레이크시스템에서 반도체압력센서가 본격적으로 채용됨에 따라 이 부분의 수요가 크게 증가하고 있다. 의료기기분야에 있어서도 약물투여시스템, 인공심장, 혈압모니터링시스템의 발달로 인하여 마이크로머시닝기술을 이용한 반도체압력센서는 다양한 응용범위를 가질 것으로 기대된다. 이러한 압력센서의 핵심 소재인 InSb박막이 높은 전자이동도 가지고 제조방법 또한 간편하다면, 충분히 세계경쟁력을 갖출 것으로 예상된다.
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- 2006-05-10
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본 기술은 실리콘과 실리콘 산화물의 전기 전도도 차이를 이용하여 실리콘 위에만 구리를 전착시키는 기술이다. 기판인 음극(cathode)과 구리 양극(anode)사이에 정전류를 가하면 전해액 내의 구리 이온이 기판 표면에서 환원되면서 구리 박막을 형성한다. 이 때 기판 전체에 균일한 전기장이 걸리도록 실리콘 뒷면에 5000Å정도의 알루미늄을 진공 열증착시키며 필요하면 그 위에 절연체를 도포한다. 도금 부위의 자연 산화막 제거를 위하여 50:1 불산에 1분간 산세한 후 이온교환수 세척을 거쳐 질소로 건조시킨다. 전해액(0.75M CuSO4・5H2O + 74g/l H2SO4)에 0.2g/l의 젤라틴을 첨가하면 구리 입자 크기가 50-60% 감소하고, 서브마이크론 접촉창 플러깅이 가능하다. 전류 밀도 2-3A/dm2에서 전착속도는 5000-6000Å/min이며 측정된 박막의 비저항값은 2.7-3.0μΩ・cm 이다. 따라서 전류 밀도와 전착 시간을 조절함으로써 서브마이크론 접촉창에 완벽한 플러깅을 행할 수 있다.전해액에 소량의 젤라틴을 첨가함으로써 구리 입자의 크기가 절반이상 감소하여 서브마이크론 접촉창 플러깅이 가능하다.집적도 향상에 따라 좁고 깊어진 접촉창이나 다층 배선의 플러깅에 직접 적용이 가능하다. 대면적 기판 적용기술만 개발된다면 실용화가 가능하다.비 메모리 칩에만 적용되었던 외국 기술을 국산화 하여, 국내 업체가 선도하고 있는 메모리 칩 제조공정에 적용된다면 메모리 제조 기술 최강국을 굳건히 지킬 수 있을 것이다.
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- 서울대학교
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- 2006-05-10
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본 발명은 금속 나노 입자 형성 방법에 관한 것으로서, (a) 절연체전구체를 Si등의 기판에 코팅하고 80~150℃로 중간 열처리하는 단계, (b) 상기 기판에 합금 박막을 증착하는 단계, (c) 다시 그 위에 절연체전구체를 코팅하고 위와 같은 조건으로 중간 열처리하는 단계, (d) 300~600℃에서 열처리하는 단계를 포함한다. 이때 합금은 절연체전구체와의 반응성이 좋은 미량의 금속과 반응성이 적은 다량의 금속으로 설계된다. 열처리하는 과정에서 반응성이 좋은 미량의 금속은 박막에서 나노 입자로 쪼개어지는데 이용되고 이런식으로 형성된 입자는 절연체전구체와의 반응성이 적은 금속으로 이루어진다. ((a)과정은 생략 가능)일반적으로 나노 입자가 산화물의 Shell을 갖는데 비해 본 발명에서의 나노 입자는 금속으로 이루어져 있으며 이는 합금 설계에 따라 원하는 금속의 나노 입자로 제작할 수 있다. 이렇게 형성된 나노 입자는 절연체전구체가 이미 코팅되어 있어 별도의 보호층이 불필요하고 단일층으로 형성된다. 또한 절연체전구체에 의해 입자간 상호반응이 억제되고 균일한 크기의 나노 입자가 형성된다. 금속나노입자 형성방법에 의하면 절연체전구체층 사이에 절연체전구체와 반응성이 좋은 미량의 금속과 반응성이 적은 다량의 금속으로 이루어지는 합금을 위치시키고 열처리함으로써 균일한 크기와 분포를 갖는 금속 나노 입자를 형성할 수 있다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-18
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본 기술은 실형상 Fe-Ni계 나노구조소결부품제조를 목표로, 최적의 Fe-Ni계 나노금속분말을 설계, 제조하여 저온∙상압(비가압) 소결만으로 완전한 치밀화와 300 nm 미만의 결정립크기를 갖는 Fe-Ni계 합금소결체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 핵심기술은 Fe-Ni계 나노합금분말의 구조 제어기술이고, 나노합금분말의 구조제어를 통해 최종 소결부품의 설계 및 가공, 나노구조를 얻는 소결치밀화를 동시에 고려한 일체형 개념의 기술을 개발하는 것이다.본 발명의 방법에 따르면, 바인더액과 함께 습식밀링공정을 적용함으로써 보다 효과적으로 입자표면에 바인더를 도포하는 동시에 응집체의 크기를 균일하게 제어할 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 나노금속분말 피드스톡은 성형체 내부의 균일한 미세구조를 유지할 수 있으므로, 소결후에도 뒤틀림이나 균열과 같은 변형없이 완전치밀화된 실형상 나노구조제품을 제조할 수 있으며, 공정의 단순화와 비용의 절감효과를 기대할 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술은 사선형 메쉬윅을 적용한 히트 파이프 및 그 제조방법에 관한 것으로, 히트 파이프가 가지는 고유의 특성인 빠른 열응답성, 고효율의 열수송을 극대화하기 위해 모세관력을 증대시킬 수 있는 새로운 구조의 윅을 제공하기 위한 것이며, 작동유체의 상변화에 따른 액체를 모세관력에 의해 이송하는 역할을 하는 윅을 포함하는 히트 파이프에 있어서,히트 파이프 내부는 2개의 사선형 메쉬윅과 이것을 히트 파이프 내벽에 밀착시켜주는 지지용 스프링으로 구성되어 진다. 또한 각각의 사선형 메쉬윅은 그 위치가 서로 대칭인 형태로 스프링이 가운데 놓여지고 2개의 윅이 서로 마주보는 형상을 가진다. 사선형 메쉬윅은 먼저 히트 파이프에 인입 후 내벽에 고정한다. 그 후에 그사이에 스프링을 삽입하여 완성된다.본 기술은 위와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 창안한 것으로, 파이프의 내부에 사선형 메쉬윅을 삽입하고, 이 사선형 메쉬윅이 파이프의 내주면에 일정한 형태로 부착되도록 함으로써 모세관 효과가 증대되고 이에 따라 열이송율이 증대되며, 또한 증기유동로의 확보가 용이하여 히트 파이프 고유의 성능이 향상되는 장점이 있으며, 제조가 용이하여 양산에 유리한 사선형 메쉬윅을 적용한 히트 파이프 및 그 제조방법을 제공하고자 함에 목적이 있다. 이와 같은 본 기술은 열이송율이 증대되고, 또한 증기유동로의 확보가 용이하여 히트 파이프 고유의 성능이 향상되는 장점이 있으며, 메쉬윅이 매우 안정하고 견고하게 결합되고, 제조가 용이하여 양산에 용이한 효과가 있다.
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- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술은 사무실이나 주택 등에서 전기요금이 싼 한전의 심야전기를 이용하여 난방기를 가동할 경우 전기히터에서 발생되는 열을 축열재에 효율적으로 축적시켜 전기공급이 끊긴 낮시간대에도 축적된 열이 서서히 방출되도록 하여 난방효과를 높일 수 있도록 한 심야전력 난방기용 축열재의 조성물에 관한 것으로, 본 기술의 제조는 철강제조시 부산물로 발생되는 밀스케일(Mill Scale)과 적점토 및 첨가제인 물유리를 혼합하여 축열재를 제조함을 특징으로 하는 것이며, 이와 같이 제조되는 본 기술은 종래 난방기에 사용되는 내화벽돌에 비하여 축열용량(열용량)이 커서(1.2J/g℃이상) 심야전기 공급시간인 밤 10시부터 다음날 오전 8시까지 전기히터에서 발생되는 열을 효율적으로 축적시켜 낮시간에 서서히 축적된 열을 방출하는 효과가 있고, 특히 축열 최대온도가 500~700℃가 될 경우 열쇼크에 의해 축열재가 파손되는 경우가 있으나 본 기술의 축열재는 물유리등이 혼합되어 있어 항절력 및 열쇼크에 대한 저항성이 큰 것이 특징인 것이다본 기술의 축열재는 종래 난방기에 사용되는 내화벽돌에 비하여 축열용량(열용량)이 커서(1.2J/g℃이상) 심야전기 공급시간인 밤 10시부터 다음날 오전 8시까지 전기히터에서 발생되는 열을 효율적으로 축적시켜 낮시간에 서서히 축적된 열을 방출하는 효과가 있고, 특히 축열 최대온도가 500~700℃가 될 경우 열쇼크에 의해 축열재가 파손되는 경우가 있으나 본 발명의 축열재는 물유리등이 혼합되어 있어 항절력 및 열쇼크에 대한 저항성이 큰 것이 특징인 것이다.
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- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
텅스텐 산화물을 10 내지 100 시간 동안 초음파 볼밀링하고, 이렇게 분쇄된 텅스텐 분말을 650 ~ 1000℃의 온도 범위에서 30 분 내지 5 시간 동안 수소환원하는 것을 포함하는, 텅스텐 나노금속분말의 제조 방법이 제공된다. 또한, 상기 수득된 텅스텐 나노금속분말을 성형하여 1250~1450℃의 온도에서 소결하는 것을 특징으로 하는, 텅스텐 소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 따르면, 성형체 밀도 52%에서 95% 이상의 치밀화가 가능해졌으므로, 본 발명의 텅스텐 나노분말은 복잡한 형상의 제품을 제조하기 위한 분말사출 성형용 원료분말로 적용될 수 있다. 또한, 상기 나노분말은 92~94%의 소결밀도를 요구하는 스웨이징용 텅스텐 소결체로도 사용될 수 있으며, 더욱이, 소결 후 대부분의 기공들이 계면에 잔류하므로, 스웨이징용 텅스텐 소결체를 제조하기 위한 원료분말로서 극히 바람직하다.본 발명에 따르면, 텅스텐 산화물을 합금/복합 나노금속분말 제조기술인 선행 기술(대한민국 특허 출원 10-2000-64779)의 초음파 밀링법을 이용하여 불순물 혼입없이 분쇄한다. 이러한 분쇄 공정에 의해 산화물 응집체(agglomerate) 내부의 기공량이 증가되어 수소 환원시 발생되는 수증기가 효과적으로 방출된다. 효과적인 수증기 방출은 환원반응 영역에서의 수증기 분압을 낮추는 결과를 초래하여 합성되는 텅스텐 입자의 나노화를 가능케 한다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리 및 구성본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는 합성하기가 기존의 프탈로시아닌이나 시아닌에 비해 비교적 용이하며, 제조 수율이 높으며, 광적, 열적으로 우수한 특성을 보이는 새로운 아조계 착화합물 염료를 광기록 물질로 제공하는 것이다. 상기식중, X 는 S, N 이고, Y 는 S, N 이며, R1 ~R5 는 수소 원자(-H), 카르복실산(-COOH), 메톡시 (-OCH3)이다. M 은 금속이온으로 Ni, Zn, Co, Cu 이다. 화학식 1로 표시되는 아조 색소는 합성하기가 용이할 뿐만 아니라 합성수율이 우수하다. 아조 색소에 M 을 사용하여 화학식 2와 같은 아조의 금속 착화합물 또한 합성이 용이하다.* 발명의 특징본 발명은 아조계 색소와 이의 금속 착화합물을 광기록 물질로서 이용하는 광기록 매체에 관한 것이다. 본 발명은 합성하기가 기존의 프탈로시아닌이나 시아닌에 비해 비교적 용이하며, 제조 수율이 높으며, 광적, 열적으로 우수한 특성을 보이는 새로운 아조계 착화합물 염료를 광기록 물질을 제공하는 것이다.* 적용응용분야 및 시장성CD-R의 경우와 비교하여 기억 용량을 6 내지 8배로 증가시킨 DVD-R(Digital Versatile Disk Recordable)용 광기록 물질로 사용된다. 기존 염료 물질들의 경우, 프탈로시아닌 염료는 합성하기가 어렵고 높은 제조 단가의 단점이 있고, 시아닌 염료는 광이나 열에 약하다. 이처럼 상술적 측면에서 기본 염료가 가진 문제점을 개선할 수 있다. DVD-R용 광기록 물질로 사용되기 위한 조건인, 기록 파장에서의 높은 굴절율과 적절한 흡수 특성, 유기용매에서의 뛰어난 용해도, 기록 부위의 균일성 및 안정성 뿐만 아니라, 합성이 용이하고 재료원가가 저렴해야 한다는 특성등을 갖고 있다. 본 물질이 가진 특성등으로 인해 DVD-R용 광기록 물질로 사용되어 기존 DVD-R 제조 회사에서 유용하게 쓰일 수 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
타이어 몰드 및 그에 따른 제조 방법으로써 다음의 기술발명의 목적과 기술의 개요 및 특징은 기술하였다.○ 기술발명의 목적: 타이어 몰드용 알루미늄 합금과, 이를 이용한 타이어 몰드 및 그 제조 방법○ 기술 요약 및 특징: 본 발명은 3.0∼6.0중량%의 마그네슘(Mg), 4.0∼5.0중량%의 니켈(Ni), 0.2∼0.5중량%의 망간(Mn) 및 잔부 알루미늄(Al)으로 조성된 것을 특징으로 하는 타이어 몰드용 알루미늄 합금을 제공한다.○ 색인어: 타이어 몰드, 알루미늄 합금본 발명은 3.0∼6.0중량%의 마그네슘(Mg), 4.0∼5.0중량%의 니켈(Ni), 0.2∼0.5중량%의 망간(Mn) 및 잔부 알루미늄(Al)으로 조성된 것을 특징으로 하는 타이어 몰드용 알루미늄 합금을 제공한다.본 발명은 타이어 몰드용 알루미늄 합금을 준비하는 단계; 타이어 몰드 주조를 위한 패턴을 준비하여 주조 금형에 설치하는 단계; 상기 합금의 액체 상태인 합금과, 상기 합금의 용탕을 냉각시켜서 이루어진 고상/액상 공존 상태의 합금과, 상 기 합금의 빌렛을 가열하여 이루어진 고상/액상 공존 상태의 합금 중 선택된 어느 한 상태의 합금을 금형에 주입하는 단계; 금형에 주입된 어느 한 상태의 합금을 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 타이어 몰드 제조 방법과 이 방법에 따라 제조된 타이어 몰드를 아울러 제공한다.상기 타이어 몰드용 알루미늄 합금은 3.0∼6.0중량%의 마그네슘(Mg), 4.0∼5.0중량%의 니켈(Ni), 0.2∼0.5중량%의 망간(Mn) 및 잔부 알루미늄(Al)으로 조성된 합금이며, 상기 금형에 주입되는 합금의 상태가 액체 상태이면, 주입 전에상기 용탕을 탈가스 처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지고, 상기 가압 단계에서 상기 패턴이 부착된 금형 쪽에 부압을 형성하여 상기 패턴과 합금 경계면의 냉각 속도를 증가시켜 주조 결함을 감소시켜 주는 단계를 더 포함하여 이루어진다
- 보유기관
- 전북대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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