온도보상용 유전체 자기조성물
본 발명은 MgO, CaO, TiO2, SiO2, Al2O3 등과 희토류 산화물인 Nd2O3, Pr6O11, La2O3, CeO2 및 Al2O3가 첨가된 조성물에 관한 것이다. 30ppm/℃ 미만의 비교적 안정된 온도특성과 1014Ω·cm정도의 높은 절연저항을 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 안정된 온도특성과 높은 절연저항을 가지는 조성물의 제조
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- 2000-04-24
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4 / 10 페이지유전체 하부전극용 박막 및 증착방법
본 발명은 유전체 하부전극용 백금박막의 화학증학 방법에 관한 것으로 백금의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금을 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 백금박막을 제조할 수있다. 본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘과 반응이 거의 없는 우수한 경계특성을 나타낸다.
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- 2000-04-24
헤테로 에피택시 박막의 제조방법
기판재료와 서로 다른 종류의 재료를 격자의 연속성이 유지되게 박막을 입히는 경우를 헤테로에피택시 박막이라 한다. 이와 같은 박막의 경우 두 재료간의 격자상수 차이로 인하여 박막층에 정합탄성변형이 존재하며 이러한 탄성변형을 완화시키기 위해 박막의 표면은 굴곡이 지며 아일랜드 구조도 나타나기도 한다. 이러한 표면굴곡이나 아일랜드구조는 박막의 광전적 성질과 계면반응성에 악영향을 미치기 때문에 최대한 억제되어야 한다. 본 발명에서는 이러한 현상을 억제할 수 있는 방법으로 홈이 파이거나 굴곡을 만들어준 평평하지 않은 기판을 사용하는 방법을 개발하였다. 본 발명은 반도체와 다양한 전자부품에 대표적으로 이용되는 GaAs/Si이나 SiGe/Si계를 비롯하여 표면굴곡이나 아일랜드 구조를 보이는 모든 박막의 제조시에 적용이 가능하다.
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- 2000-04-24
SBT 강유전체 박막의 저온 화학증착법
본 발명은 강유전체 박막(SBT;SrBi2Ta2O9)의 화학증학 제조방법에 대한 것으로 Sr, Bi, Ta의 precursor로 Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5를 사용하여 플라즈마(RF power = 100 = 150W) 안에서 화학 증착법으로 제조하는 기술이다. 기존에 사용되는 제조온도보다 약 200℃ 이상 낮은 온도에서 제조할 수 있으며 여러 가지 전기적 특성이 우수한 우수하게 나타났다.
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- 2000-04-24
마이크로파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법
마이크로파 유전체 자기조성물에 관한 내용으로 높은 유전율과 우수한 품질계수를 가진 새로운 조성물의 제시, 유전율 100이상, 퓸질계수의 곱이 4000이상인 우수한 특성의 마이크로 유전체 자기조성물의 개발
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- 2000-04-24
후막형 반도체식 산소센서
본 발명은 대표적인 산화물 반도체 중의 하나인 SrTiO3를 이용하여 자동차 공연비 제어 등에 응용이 가능한 후막형 반도체식 산소센서에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 산소농도(또는 분압)에 따라 전기전도기구가 변화하는 순수한 SrTiO3에 La2O3를 첨가하여 전기적 특성을 제어할 수 있는 산화물 조성물을 제공하는데 있다. 이를 통해서 산소센서의 주된 용도인 자동차 공연비 제어용으로 활용할 수 있는 후막형 반도체식 산소센서를 제공함에 있다.
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- 2000-04-24
고주파 유전체용 자기조성물 및 그의 제조방법
산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO2) 및 산화티타늄(TiO2)을 (ZrO2)1-x(SnO2)x(TiO2)1+y(X는 0.1몰 본 발명의 제조방법은 비산화물 형태의 질산망간(Mn(NO3)24H2O)을 부성분으로 이용하므로 정확한 공정제어를 가능케 하여 균일한 고주파 유전체용 자기조성물을 제공케 하고, 이렇게 제조된 고주파용 유전체용 자기조성물은 유전율(k)이 40이상이며, 품질계수(Q)값이 7000 이상이고, 공진주파수의 온도의존계수(τt)가 10이하의 매우 낮은 수치를 나타내었다. 따라서 본 발명의 고주파 유전체용 자기조성물은 고주파에서 뿐만 아니라 마이크로웨이브에서의 집적회로 또는 유전체 공진기용으로 사용될 수 있다.
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- 2000-04-24
졸-겔을 이용한 에피택시얼 리튬니오븀 산화물 박막의 제조 방법
1. 리튬 이소프로폭사이드와 니오븀 이소프로폭사이드를 1:1의 몰비로 메탄올에 용해시켜 리튬 니오븀 박막 증착용 코팅 용액을 제조한다. 이 제조 방법은 기존의 에탄올을 용매로 사용하여 2회의 교반 과정을 거치는 방법에 비하여 메타올을 이용하여 1회의 교반만으로 간단하게 리튬 니오븀 박막 증착용 용액을 제조할 수 있어 생산 원가 및 제조시간의 절감할 수 있다. 2. 제조된 용액을 이용해서 코팅(250rpm/5초 및 3000∼5000rpm/20초) 및 건조 공정을 수회 반복한 후, 열처리공정(400℃이상)을 통한 에피텍시얼 리튬 니오븀 다중박막을 제조한다. 위 방법으로 제조된 리튬 니오븀 박막은 미크론 단위의 막을 에피텍시얼하게 성장시킬 수 있어 고집적 회로용 초소형 소자, 탄성파 소자 및 광도파로 소자 등으로의 응용이 가능하므로 산업적인 기대효과가 클 것으로 예상한다.
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- 2000-04-24
화학 증착법에 의한 PbTiO3 박막의 제조방법
티탄늄 모재 위에 Pb,Ti(CnH2n+1O)4, O2의 혼합기체를 이용하여 화학 증착법으로 고온 증착함으로써 기존의 방법에 의해 제조된 박막의 결함들, 즉 박막내의 내부응력, 박막의 불균질성, 낮은 온도에서의 증착으로 인한 모재와의 나쁜 결합력, 완전하지 못한 결정성에 의해 저하된 물리적, 전기적 특성 등을 향상시킨다.
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- 2000-04-24
마이크로파 유전체 자기조성물의 제조방법
본 발명은 (Pb1-xCax)(Zr1-xSny)O3를 주성분으로 하여 상기의 x,y는 몰 비로서 0.15 < x < 0.40, 0.15 < y < 0.50이 되도록 한다. 원료는 Mn(NO3)2·4H2O, PbO, CaO, ZrO2, SnO2 등을 혼합한 뒤 2000 ∼ 2400℃의 토치불꽃으로 용융 후 추가적으로 1200 ∼ 1550℃의 산소분위기에서 소결하여 제조하였다. 이로 인해서 매우 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 망간이 수용액 형태로 첨가되므로 정확한 공정을 실시할 수 있는 조성물을 개발하였다.
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- 2000-04-24
질소 반응성 스퍼터링을 이용한 거대자기저항 재료 개발
하드디스크 드라이브 재생용 GMR 헤드 제작 공정, 질소 스퍼터링을 이용한 loe saturation field 및 high sensitivity 재료 및 공정
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- 2000-04-29
Bonded SOI 웨이퍼제조기술 개발
차세대 wafer로 불리어지는 SOI (Silicon-On-Insulator) wafer는 Silicon layer 사이에 절연층 인 SiO2층이 내재된 3층의 구조로 되어있다. 최하층인 Substrate Si layer는 지지대 역할을 하, electrical insulation 기능을 하는 SiO2 layer 위에 device가 제작될 매우 얇은 Si layer가 위며치한다. SOI wafer는 기존의 Si wafer에 비해 많은 특징을 갖으며, 약 1V, 수 mW의 전원 공급으로 GHz range대의 작동이 가능하다고 한다. 이러한 SOI wafer의 High speed, Low power, Low voltage의 장점은 "POWER CRISIS"에 직면한 기존의 Si wafer의 한계를 극복할 수 있는 대안으로 볼 수 있다. 기타 공정의 편리성이나 가격에 있어서도 기존의 Si wafer에 충분한 경쟁력을 가지고 있다고 보고되고 있다. 본 연구는 이러한 시대적 배경과 요구에 부응하여, 차세대 반도체 산업의 핵심적 소재로 대두되고 있는 SOI(Silicon-On-Insulator) wafer 제작의 기본기술인 wafer 접합(Bonding) 기술, 열처리(Annealing) 기술, Si layer의 박막화(Thining) 기술의 기본 개념을 확립하고, 가공원리 및 방법에 대해 개발함을 목적으로 한다. 특히 본 연구에서 수행할 세부 요소기술의 내용을 정리하면 다음과 같다. Pretreatment: 표면의 친수성(Hydrophilic) 처리를 이용해 SiO2와 Si layer에 부착된 OH기의 수소 결합을 이용한 Bonding기술 진공에서의 Mating과 다른 접합기술을 이용하여 Void-Free, Defect-Free Bonding 열처리시 Bonding mechanism을 이해하고, 열처리 온도, 시간과 접합강도, Void 소멸경향의 상관관계 규명. Back Grinding 기술, Grinding과 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 기술을 응용, 개념이 단순하고 조작이 간편한 Thining기술의 실현 등이다.
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- 2000-04-29
디지털 입력회로(4)
교류전파정류전원을 이용한 접점신호의 판독회로에 있어, 이 전파정류파형과 적당한 유지 시간을 갖는 직류전원을 입력으로 하는 컴퍼레이터의 출력을, 타이밍 신호로 하는 래치회로를 종래 회로의 출력단 뒤에서 전원의 순간적 멈춤시의 입력 오판독을 방지했다. 즉, 전원의 순간적 멈춤시에 직류전압은 일정 시간 유지되나 전파정류파는 없어지므로 타이밍 펄스가 나오지 않게 되고, 래치회로는 그때까지의 신호를 전원이 회복되기까지 유지한다. 종래의 입력회로 뒤에 맥류전원에 동기하고 유지 시간을 갖는 직류전원전압을 참조하여 작동하는 신호래치회로를 만든 것. 전원의 순간적 멈춤에 의한 입력데이터의 오판독 방지
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- 2000-04-29
디지털 입력회로(3)
종래에는 현장의 접점에 교류전원을 직접 가해, 그것을 입력회로내에서 전파정류하여 입력신호로 하였다. 전원이 길어지면 그 부유 용량 때문에 접점이 열려있으나, 외견상 닫힌 듯 한 신호가 입력되는 지장이 있었다. 그래서 전파정류기의 위치를 교류전원과 접점의 사이로 옮기고, 접점에 맥류를 인가함으로써 부유 용량의 영향을 큰폭으로 감소시켰다. 접점에 교류를 대신하여 맥류를 인가한 것. 이에 따라 접점까지의 긴 전선의 부유 용량의 영향이 큰폭으로 감소해 오작동하지 않게 된다.
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- 2000-04-29
저온저항체 입력장치
온도항체 브리지로부터의 신호는 고정 브리지로부터의 신호를 참조하여 전원전압변동이나 증폭기의 드리프트, 오프 셋 등의 보정이 이루어지는 동시에, 저온저항체의 선형 보정을 디지털적으로 처리한다. 이것을 순차 전환하여 각 측정저항체에 대해 실시한다. 따라서 보정을 위한 연산기는 적당한 복수개의 측정저항체에 대해 1대로 해결하게 된다. 개개의 저온저항체에 붙어있던 아날로그방식의 변환, 보정장치를 사용하지 않고, 고정 브리지의 신호와 측정저항체 브리지로부터의 신호를 차례로 받아들여, 디지털 방식으로 순차 보정, 변환 연산함으로써 변환, 보정장치의 개수를 줄인다.
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- 2000-04-29
디지털 입력회로(2)
접점신호의 입력회로에 인가하는 전원을 교류의 전파정류회로의 출력으로 하고, 신호판독회로의 판독 타이밍을 전파정류파형의 최대치 근방에 선택함으로써, 접점에 직류가 인가되어 있는 경우와 마찬가지로 실수없이 신호를 판독할 수 있다. 접점용 직류전원을 전파정류전원으로 바꾸어 신호 도입 타이밍을 이것에 동기시킨 것. 그 결과 직류전원과 발진기를 필요로 하지 않는다.
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- 2000-04-29
디지털 입력회로(1)
전원-포토커플러내의 발광 다이오드-대항-접점-전원이라는 직렬회로에서 저항의 뒤에 접점을 바이패스하는 다이오드를 접속하고, 각 접점에 붙어있던 이 다이오드의 타단을 정리하여 테스트 스위치에 접속한다. 이 테스트 스위치의 일단은 전원에 접속되어 있으므로 이 스위치를 누름으로써 외관상 모든 신호접점은 온이 되어 출력신호가 나온다. 이 때 신호가 나오지 않는 회로가 고장난 것이 된다. 또 신호접점의 귀로의 집합선에 스위치를 넣음으로써 모든 입력을 오프 상태도 만들 수 있다. 1회로당 1개의 다이오드를 추가하여 배선함으로써, 원 푸시버튼으로 모든 회로를 접점 온의 상태로 만들 수 있다. 따라서 정기적 점검이 간단하게 실시되며 고장 개소의 발견이 간단해진다.
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- 2000-04-29
긴급 정보 전달시스템
정보센터로부터의 신호는 A/D변환되어 그 정보에 대한 속성이 부여되어 중계기에 보내지며, 중계기는 그 속성에 의거하여 신호를 필요한 곳에 송출한다. 각 가정의 전화기는 이 디지털신호를 기억하는 수단과 그것을 음성으로 변환하는 기능을 보유하고, 수화기를 드는 것으로 전달의 확인이 이루어져 일제 통보가 실현될 수 있다. 1대1의 통화중이라도 이 정보가 우선적으로 끼어든다. 두사람의 대화자끼리만 통화가 가능한 전화회로시스템에, 긴급시에는 공적 기관으로부터 각 가정에 일제 통보가 이루어지는 다른 한가지 기능을 전화기에 추가한다. 이에 따라 적어도 옥내에 있어 전화를 들을 수 있는 상태에 있는 사람에게는 일제 긴급통보가 가능하게 된다.
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- 2000-04-29
긴급 정보 전달시스템
정보센터로부터 송신모드 등의 지령이 중계기에 보내지고, 중계기는 그 내용에 의거하여 미리 기억되어 있는 정보를 필요한 곳으로 송출한다. 각 가정의 전화기는 이 디지털신호를 음성으로 변환하는 기능을 보유하고, 수화기를 드는 것으로 전달의 확인이 이루어져 일제 통보가 실현될 수 있다. 1대1의 통화중이라도 이 정보가 우선적으로 끼어든다. 特公平08-034519과의 주된 상이점은 음성으로 변환되어야 할 정보의 메모리가 중계기에 준비되어 있다는 점이다. 두사람의 대화자끼리만 통화가 가능한 전화회로시스템에, 긴급시에는 공적 기관으로부터 각 가정에 일제 통보가 이루어지는 다른 한가지 기능을 전화기에 추가한다. 이에 따라 적어도 옥내에 있어 전화를 들을 수 있는 상태에 있는 사람에게는 일제 긴급통보가 가능하게 된다.
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- 2000-04-29
전하 이동 착체의 형성에 의한 폴리퀴놀린계 광전 기능 재료의 제조방법
본 발명은 폴리퀴놀린계 전자 공여체와 2,4,7-트리니트로플루오레논과 같은 전자 수용체를 혼합 또는 접촉시켜 전하 이동착체를 형성하는 방법에 의해 가시광 영역에서 광전도성 및 광기전성을 갖는 고내열성 광전 기능 재료를 제조하는 방법에관한 것이다.많은 종류의 유기 화합물들은 전하 이동 착체 형태로 광전도성을 나타내는 것으로 알려져 있다. 현재까지 가장 잘 알려진고분자계 광전도성 물질은 이미 전자복사기용 감광체로서 실용화되었던 폴리비닐카르바졸과 2,4,7-트리니트로플루오레논(이하 TNF로 약칭)의 전하 이동 착체 필름이며, 이와 관련된 기술이 미합중국 특허 제3,037,861호, 동제 3,232,755호 및동 제3,287,120호 등에 상세히 기술되어 있다. 이 밖에도 다음 표 1에 나타낸 바와 같은 다양한 종류의 유기 화합물들이뛰어난 광전도성을 나타내는 것으로 알려져 있다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22