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일반기술 전기·전자 > 계측기기

마이크로 콘트롤러를 이용한 저가형 전원순단 시험 장치

본 기술은 마이크로 콘트롤러를 포함하는 회로 및 장치의 전원 성능 테스트와 디비그할 수 있는 마이크로 콘트롤러를 이용한 저가형 전원순단 시험 장치에 관한 것이다. 본 기술은 인가된 전원을 키 입력부로부터 정의된 돌입 위상각과 순단 시간으로 출력 전원을 제어하는 전력제어부, 제어 소프트웨어가 내장되어 전원 순단 장치의 각 소자를 제어하는 마이크로 콘트롤러부, 돌입 위상각을 정해주는 위상 조작부와 순단 시간을 정해주는 타임 조작부로 구성되고, 7개의 키(S,A,T,R,L,U,D)로 구성되어 돌입 위상 설정치를 ±30°씩 변화시킬 수 있으며 0°에서 330°까지 30°간격으로 설정이 가능하며 돌입 전원 시작 스위치와 돌입, 전원 순단 시험 중단 키, 및 순단 시간 설정치를 ±0.01초씩 변화시켜 0.01초에서 9.99초까지 0.01초 간격으로 설정 가능하며 그 시간 동안 전원을 순단할 수 있도록 입력을 조작하는 키 입력부, 현재 출력으로 전원이 공급되는 것을 보여주도록 0°~360°까지 30°씩 돌입 위상을 표시하는 13개의 LED 표시부 및 순단 시간을 표시하는 7세그먼트 디스플레이 3디지트로서 전원 순단 시험 상태를 표시하는 세그먼트 디스플레이부로 구성된다.- 본 기술에 의한 마이크로 콘트롤러를 이용한 저가형 전원순단 시험 장치는 돌입 가변 위상 투입시험, 임의 사이클(cycle) 순단 및 가변위상 투입 기능 등 실제 업계에서 편리하게 이용할 수 있는 전원노이즈에 의한 오동작 반복 시험을 할 수 있는 효과가 있음- 전원 순단 시험 장치는 마이크로프로세서를 포함한 PCB의 정전 트러블 테스트, 가전제품의 전원조건 테스트장치, 품질 관리/품질 보증(QC/QA) 시험 장비, 전원노이즈 시험장치, 전원부 개발시험 장치 등의 시험 테스트 장비로써 활용이 가능함

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대일기업평가원
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2004-03-26
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

시스템의 고장진단을 위한 고장 분류방법

본 기술은 시스템의 고장을 진단하기 위하여, 고장이 발생한 위치 및 원인을 규명하는 고장 분류 장치에 관한 것이다. 본 기술에 의한 고장 분류 장치는 고장 모델을 이용하는 고장분류기와 여러 경계 인수를 갖는 ART2 신경회로망을 이용하는 고장분류기가 병렬로 결합되어 이루어진 것으로서, 먼저 고장 모델을 이용하는 고장분류기에 구축된 고장 모델의 출력과 시스템 출력 사이의 유사도를 검사하여 만족하는 고장 모델(J)이 존재하면, 시스템의 고장을 J번째 고장으로 분류하고, 만족하는 고장 모델이 존재하지 않으면, ART2 신경회로망을 이용하는 고장분류기에 의하여 변화된 시스템 파라미터를 추정한 뒤 이미 저장된 각 고장 클래스의 추정 파라미터와 유사도를 검사하여 고장을 분류한다.- 본 기술의 고장분류기는 첫 번째는 ART2 신경회로망을 이용하는 고장분류기를 구성하는 여러 경계인수를 갖는 ART2 신경회로망은 새로운 고장 상태를 자동 생성해나가는 자율학습 신경회로망이므로 예상하지 못한 고장이 발생할 경우에도 새로운 고장 정보의 자동 구축과 분류가 가능함- 고장 유형에 따른 각 시스템 파라미터의 민감도 차이를 고려한 경계인수검사 조건을 이용함으로써 정확한 고장 분류가 가능함- 두 번째로 고장 모델을 이용하는 고장분류기는 고장으로 인하여 변화된 시스템 출력과 이미 구축된 각 고장 모델의 출력을 비교하여 가장 유사한 고장 모델을 결정하므로 변화된 시스템 파라미터를 추정할 필요가 없음- 고장 모델로 구축된 고장이 발생하면 고장이 감지된 뒤 고장 분류가 이루어지기까지의 시간을 많이 단축시킬 수 있음- 본 기술에 의한 고장분류기를 운전중인 시스템에서 발생한 고장의 종류를 알기 위한 고장 분류의 목적으로 사용하면, 운전자에게 발생한 고장에 대한 정확한 정보를 줄 수 있으므로 적절한 대응을 가능하게 함- 시스템에 발생한 고장이 본 기술에 의한 혼합 고장 분류 장치의 한 부분인 고장 모델을 이용하는 고장분류기에 고장 모델로 구축된 종류일 경우에는 고장분류시간을 많이 단축시킬 수 있으므로 운전자로 하여금 발생한 고장에 대하여 신속하게 적절한 조치를 취할 수 있게 함으로써 고장의 영향이 다른 부분으로 전파되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있음

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대일기업평가원
등록일
2004-03-26
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

로드셀을 이용한 비중 센서

본 기술은 액체의 밀도 또는 비중을 측정하는 비중 센서로 구조가 간단하고, 정밀도가 우수하며, 내구성이 있는 비중 센서에 관한 것이다. 본 기술에서는 로드셀을 비중 센서에 응용한 것으로 비중을 측정하는 원리는 액체속에 담겨있는 물체는 그 물체의 부피와 액체의 비중의 곱에 비례하는 부력을 받게된다. 따라서 액체속에 담겨있는 물체의 무게는 액체의 비중이 변하면 이에 비례하여 변하게 된다. 이러한 원리를 이용하여 본 기술에서는 무게의 변화를 그대로 측정할 수 있는 로드셀을 이용하였다. 로드실은 힘에 의해 변형이 발생하는 구조물 위에 스트레인 게이지를 브릿지 형태로 구성하여 무게를 측정할 수 있는 것으로 저울에 많이 응용되고 있다. 본 기술에서는 이러한 로드셀에 끈으로 추를 바로 달아 비중에 따른 추의무게 변화를 그대로 측정할 수 있도록 하였다. 이러한 로드셀은 설계하기에 따라서는 아주 미세한 무계 변화도 감지할 수 있어 비중의 측정 분해능을 설계자의 의도하는 방법으로 만들수 있다.- 종래의 광을 이용한 비중 센서는 장시간 사용시 스프링의 탄성이 변하게 되어 이를 보정해 주어야하고, 추의 무게 변화에 대한 스프링의 길이 변화는 분해능의 측면에서는 한계가 있어 비중 센서의 정밀도를 높이는데 한계가 있으나, 본 기술의 비중 센서는 로드셀에 끈으로 추를 연결하여 사용하는 방법을 이용하였기 때문에 구조가 간단하고, 정밀하며, 장시간 사용시에도 기계적 변형에 의한 오차가 발생하지 않아 보정이 필요없는 효과가 있음

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대일기업평가원
등록일
2004-03-26
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수중의 수소 감지를 위한 수소센서

본 기술은 반도체를 이용한 수소센서 개발로 수중의 수소를 측정하는 방법을 제시한 것이다. 본 기술은, 공기중의 측정 방법으로는 후막형(thick film sensor), 박막형(thin film sensor), 연료전지형, MISFET형 등의 수소가스 감지소자가 있는데, 이 센서들을 이용하여 수중의 수소를 측정하는 데는 많은 어려움이 있다. 그래서 수소가스 투과율이 좋은 Pd thin film을 사용하여 수중과 감지소자를 분리하고, 투과한 수소를 감지소자가 측정하게 된다. 본 기술은 수소가스 감지를 위한 MISFET(Metal Isulator Semiconductor Field Effet Transistor) 소자를 제작하고 수중과 소자를 분리하기 위하여 Pd thin film을 사용하여 MISFET 소자를 밀봉(Encapsulation)하고 패키지(Package)화 한다.- 원자력 발전소의 수소가스 발생은 폭발 위험성을 내재하고 있기 때문에 계속적인 용존가스 분석이 필요하다. gas analyzer등의 분석기로 용존가스를 분석하다 보면 상당히 번거롭고 비용이 많이 들며 연속적인 관찰이 어렵움. 정류수내의 수소량을 검지 할 수 있는 센서가 개발된다면 원자력 발전소의 무인화와 자동화가 가능해지고, stator copper coil에 pinhole발생으로 인한 Generator의 고장을 미리 검지할 수 있으므로 국내의 전력공급에 보다 안정된 공급이 가능함- 수중가스 자동분석장치의 생산가격 저하와 활용도의 증대를 기대할 수 있음

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대일기업평가원
등록일
2004-03-26
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DRIE를 이용한 초소형 실리콘 압력센서용다이아프램의 제조

본 기술은 센서 cell 크기에 대하여 상대적으로 넓은 다이아프램을 가지게 할수 있는 DRIE를 이용한 다이아프램 형성에 관한 것이다. 본 기술의 DRIE는 실리콘 에칭 방법으로 고농도(inductively coupled) 플라즈마 소스(source)를 사용하고 실리콘 에칭과 고분자 보호층 증착을 번갈아 하면서 고종횡비(high-aspect-ratio)를 이룰 수 있다. 본 기술방법은 기존의 실리콘 이방성 에칭으로 다이아프램을 형성시 문제점인 센서 cell과 다이아프램 크기의 제한을 극복할 수 있다. DRIE는 실리콘 에칭 방법으로 고농도(inductively coupled) 플라즈마 소스(source)를 사용하고 실리콘 에칭과 고분자 보호층 증착을 번갈아 하면서 고종횡비(high-aspect-ratio)를 이룰 수 있다 . 따라서 같은 크기의 센서 cell에 더 넓은 다이아프램을 실현할 수 있어 고감도를 이룰수 있고, 불필요한 공간이 없어 초소형으로 실리콘 압력센서를 제조할 수 있다. 특히 SDB 웨이퍼를 사용할 경우 DRIE는 SiO2 층에 대하여 에칭스탑(etch-stop) 되기 때문에 균일한 두께의 다이아프램을 형성시킬 수 있다.- 기존의 실리콘 이방성 에칭시 다이아프램의 크기가 제한되는 점을 개선하여 DRIE를 이용하여 다이아프램을 형성함으로서, 같은 크기의 센서 cell에 더 넓은 다이아프램을 실현할 수 있어 고감도를 이룰수 있고, 초소형으로 실리콘 압력센서를 제조할 있음.- 최근 압력센서의 소형화에 발맞추어 기존의 실리콘 이방성 에칭방법을 개선하여, DRIE를 이용한 고종횡비 실리콘 에칭으로 더욱 효율적인 다이아프램을 형성할 수 있는 공정임- 의료용 압력센서와 같은 초소형 압력센서의 경우 DRIE를 이용하는 방법이 다른 방법보다 유리함

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대일기업평가원
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2004-03-26
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부유물질 농도 계측기기에 대상물질의 순환방식의 적용

본 기술은 활성슬러지 공정에서 저농도 폭기조와 고농도 침전조의 미생물 (MLSS : Mixed Liquor Suspended Solid)의 농도나 기타 수중 부유물질 농도를 측정할 수 있는 광학적 원리를 이용한 계측기기 제조에 관한 것이다. 각종 폐수처리장에 사용되고 있는 활성슬러지 공정중의 폭기조나 침전조의 미생물 농도를 측정하거나 기타 수중 부유물질을 측정하는 광측정분야 계측기기는 수년 동안 장시간 운전을 해야한다. 광측정 원리를 이용한 계측기기는 투사광을 투과시키고 수광할 수 있도록 제작된 투명한 창에 미생물이나 부유 고형물들이 부착되어 그 성능이 저하되고 계측의 오차가 유발된다. 그러므로 활성슬러지 폭기조나 침전조에 고정된 기기를 해체하여 지상으로 들어올리는 복잡하고 어려운 작업을 주기적으로 반복해서 시행해야 함으로 여러 가지 불편함과 경제적 손실을 가져왔다. 본 기술은 계측기기를 지상에 위치 시킨 후 프라스틱 재질의 가볍고 견고한 유입관과 유출관을 설치하여 측정대상 물질을 계측기 속으로 순환시킴으로써 기존의 계측장비에 장착되는 고가의 세척장비를 부착하지 않아도 되며, 기기를 소형화시킬 수 있고, 측정대상 물질 속으로 담그지 않아도 되므로 기기의 수명이 장시간 보존될 수 있어 계측기기의 설치 및 유지 보수가 용이하고, 제작가격을 낮출 수 있다- 본 기술은 기기를 활성슬러지 공정 폭기조나 침전조의 내부에 측정 부위를 추입하지 않고 기기를 지상에 위치 시킬수 있도록 대상물질을 외부로 순환하는 외부순환방식을 계측기기에 도입함으로써 방수처리에 따른 기술적인 문제를 해결함- 5m 이상의 길이를 갖는 계측기기 측정부를 가벼운 프라스틱 튜브로 대처함으로써 무게를 대폭 줄였음- 고가의 세척장비를 부착하지 않음으로써 계측기기의 가격을 낮출 수 있으며, 기기를 소형화 시킬 수 있고, 측정대상 물질 속으로 담그지 않아도 되므로 기기의 수명이 장시간 보존될 수 있음

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한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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부유물질 농도 계측기에 사용되는 이중 흐름관 개발

본 기술은 용액중 미생물이나 부유물질의 농도를 측정하는데 있어 저농도영역(약 0 mg/l - 1000mg/l)이나 고농도 영역(약 3000mg/l - 6000mg/l)에 걸쳐 동시에 기기의 출력값과 측정 대상물질의 농도가 선형성을 이루는 광측정방식에 관한 것이다. 본 기술은 측정부의 물리적 희석효과를 나타내는 이중흐름관은 외관과 내관으로 구성되어 있다. 본 이중흐름관은 내관으로 시료가 통과되고 외관에 탈이온화된 증류수가 채워져 발광소자에서 발산된 빛이 시료와 탈이온화된 증류수 층을 투과함으로써 그 투과비에 의해 물리적 희석효과를 가져올 수 있도록 구성된다.- 본 기술의 이중흐름관은 높은 부유물질의 농도를 물리적으로 희석시켜는 효과를 주므로 저농도와 고농도 영역에서 계측기기 출력값과 측정농도 상관관계를 선형화시킬 수 있음- 이중흐름관이 장착된 부유물질의 농도 계측기기는 기존의 계측기기에 비해 저농도에서 고농도 영역까지 정밀한 계측이 가능함- 본 기술은 부유물질의 농도를 측정하는 기기에 이중흐름관을 장착함으로써 넓은 범위의 농도 영역에서 신호 변조나 측정 범위 변조 없이 기기 측정값과 시료 농도 값을 일차식으로 선형화 할 수 있음

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한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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다중채널 폐하/이온 측정장치

본 기술은 동시에 다수의 시료의 pH/Ion을 측정할 수 있는 구조로 되어 있어 측정시간을 단축시키고 측정효율을 향상시킬 수 있으며, 분석 소프트웨어 및 컴퓨터와 연결되어 사용됨으로써 다수의 측정치가 동시에 디스플레이 되고 측정값의 저장 및 활용이 용이하도록 한 pH/Ion 측정장치에 관한 것이다. 본 기술에 따른 다수의 화학시료의 pH/Ion를 측정하는 다중채널 pH/Ion측정장치는, 외부케이싱, 외부케이싱 내부에 수용되고 다수의 입력채널이 형성되어 있는 회로기판, 외부케이싱 상에 설치되고 입력채널에 연결되는 다수의 입력포트, 입력포트에 각각 연결되어 화학시료의 전압치를 측정할 수 있는 다수의 측정프로브, 측정프로브에 의해 측정된 전압치의 아날로그값을 디지털값으로 변환하는 아날로그-디지털 변환기, 아날로그-디지털 변환기에 의해 변환된 전압치의 디지털값을 소프트웨어적으로 환산하여 pH/Ion값으로 변환하는 환산장치, 환산장치에 의해 변환된 pH/Ion값을 디스플레이하는 디스플레이부 및 시스템 제어용 소프트웨어를 구비하여 다중채널 pH/Ion 측정장치의 제어, 운용, 교정, 데이타 변환, 저장 및 측정값의 디스플레이를 위한 제어부로 구성된다.- 본 기술에 따른 다중채널 pH/Ion측정장치에 의하면, 동시에 다수의 시료의 pH/Ion을 측정할 수 있는 구조로 되어 있어 측정시간을 단축시키고 측정효율을 향상시킬 수 있음- 분석 소프트웨어 및 컴퓨터와 연결되어 사용됨으로써 다수의 측정치가 동시에 디스플레이 되고 측정값의 저장 및 활용이 용이함- 분석 시스템을 종합 관리하는 소프트웨어를 사용하여 시스템 전체의 통합 관리 및 각 채널이 독립적으로 운용 가능하며, 중앙 집중식으로 동시 (on-line)에 장기적인 관측을 통한 관리 및 제어가 가능함

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한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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아세텔렌카본블랙이 첨가된 1,5-디아미노나프탈렌중합체를 이용한 습도센서 제조 방법 및 그

본 기술은 저항측정법 및 전류측정법으로 습도를 측정하는 습도센서에 관한 것으로, 유기고분자에 아세텔렌카본블랙(acetylene carbon black)을 소량 첨가한 혼합물로 제조된 습도센서에 관한 것이다. 본 기술은 아세텔렌카본블랙이 첨가된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체로 제조된 습도센서에 관한 것으로, 1,5-디아미노나프탈렌 단량체와 Fe3+를 0.8-1.2:0.8-1.2의 몰비율로 메탄올에 각각 녹이고, 단량체 용액에 Fe3+ 용액을 천천히 가하여 22-26시간 동안 반응시켜 1,5-디아미노나프탈렌 중합체의 침전물을 생성, 1,5-디아미노나프탈렌 중합체의 침전물을 걸러 에탄올 및 증류수로 세척한 후 45-55 ℃에서 2.5-3.5일간 진공건조, 1,5-디아미노나프탈렌 중합체 및 아세텔렌카본블랙을 혼합, 혼합된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체 및 아세텔렌카본블랙에 대하여 5-7 wt%의 폴리비닐리덴을 혼합한 후 N-메틸피롤리돈 용매에 혼합 1,5-디아미노나프탈렌 중합체/아세텔렌카본블랙 혼합물을 제조, 1,5-디아미노나프탈렌 중합체/아세텔렌카본블랙 혼합물을 유리판 상의 금 박막들 사이의 간격에 가한 후 유리판을 140-160 rpm으로 회전시켜 혼합물의 박막을 입히고, 혼합물이 입혀진 유리판을 95-105 ℃에서 5-7시간 동안 진공건조시키는 것이다.- 종래의 전도도법 및 전류측정법을 이용한 습도센서의 감응물질로 사용되는 습도센서용 고분자는 일반적으로 친수성 고분자인데, 이러한 친수성 고분자는 물에 용해되어 높은 습도에서 사용상의 제한이 있으나. 본 기술은 아세텔렌카본블랙이 첨가된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체로 제조된 습도센서는 아세틸렌카본블랙을 고분자에 첨가함으로써 습도센서로 사용되는 고분자의 전도성 및 안정성이 개선되어 저항측정형 및 전류측정형 습도센서 양쪽으로 사용가능함.- 전류측정형 습도센서에서 에너지가 적게 소비되는 효과가 있음

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한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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졸-겔/탄소분말/수은이온 전극 및 그 제조 방법

본 기술은 시료 용액에 용존되어 있는 미량의 중금속, 유기물 및 생체 물질 측정하기 위한 수은 전극 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 졸-겔(sol-gel) 반응물과 탄소분말 혼합물 내에 수은이온을 안정하게 고정시킴으로써 제조되는 졸-겔/탄소분말/수은이온 전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 일반적인 유리 제조 공정이 높은 온도에서 일어나는데 반해, 알콕시실란의 졸-겔 전이는 상온에서도 일어난다. 알콕시실란을 출발 물질로 하여 제조한 실리케이트 유리는 삼차원적인 SiO2 구조를 가지며, 열적, 화학적, 전기화학적으로 안정할 뿐만 아니라 빛을 투과할 수 있는 투명성을 가진다. 그리고, 알콕시실란의 종류, 산 촉매의 농도, 물과 알콕시실란의 몰비 등을 조절하면, 실리케이트 유리의 표면적, 구멍 크기 및 극성 등을 쉽게 조절할 수 있다. 알콕시실란을 기본으로 하는 소재는 가공성이 뛰어나기 때문에, 디스크(disk), 필름, 인공 섬유 등 다양한 형태로 가공이 가능하기 때문에 알콕시실란의 이러한 특성을 이용하면, 종래의 기술에서 수 단계에 걸쳐 이루어졌던 수은 이온을 전극에 고정하는 과정이 한번의 교반 과정을 통해 달성될 수 있으므로 제조 공정이 단순한 졸-겔/탄소분말/수은이온 전극 제조 방법을 제공한다.- 휴대가 간편하고 재사용이 가능할 뿐만 아니라, 제조 방법이 간단하고 폐수 은함량을 절감시킬 수 있음.- 졸-겔/탄소분말 수은이온 전극 및 그 제조 방법은 졸-겔-탄소분말 혼합물에 수은이온을 고정시키는 방법을 채용함으로써 농도에 따른 신호의 직선성이 매우 뛰어나므로 중금속 측정용 센서로서 특성이 우수함.- 졸-겔/탄소분말/수은이온 전극을 중극속 등의 측정에 사용한 후, 약 3 분 동안 산화 전위를 상기 전극의 수은 방울에 가하면, 수은 방울에 남아있던 중금속 이온은 제거되어 다시 사용될 수 있음

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한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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에뮬레이션과 시뮬레이션 정식검증을 혼용한 설계 검증 장치

본 기술은 설계된 수백만 게이트급 이상의 디지탈 회로의 설계 검증을 위한 설계 검증 장치 및 이를 이용한 설계 검증 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 임의의 서버용 컴퓨터에서 수행되어지는 설계검증 시스템소프트웨어로 하여금 설계검증 대상 회로에 입력/출력/입출력 탐침을 가능하게 하는 탐침용 부가회로를 부가하여 입력/출력/입출력탐침이 가능한 확장된 회로를 자동화된 방식으로 생성하게 한다. 또한 필요 시에는 검사 혹은 모니터 모듈도 함께 부가한 회로를 자동화된 방식으로 생성하게 하여 하드웨어 기반에서 ABV-기반의 검증도 가능하게 한다. 또한 본 기술의 설계검증 인터페이스 모듈은 상기 입력/출력/입출력탐침이 가능한 확장된 회로가 1이상의 프로그래밍가능 소자로 구현되어 여타 다른 하드웨어 컴포넌트들과 함께 장착되어 있는 하드웨어 보드와 상기 서버용 컴퓨터를 연결시키고 상기 하드웨어 보드의 수행을 제어하면서 특정 시점이나 특정 조건에서 상기 하드웨어 보드 상의 1이상의 프로그래밍가능 소자에 대한 입력/출력/입출력탐침을 수행하여 서버용 컴퓨터와 1이상의 프로그래밍가능 소자에 설계검증 대상 전체 회로나 부분적인 회로에 대한 수행결과 정보를 빠르게 교환할 수 있도록 한다. 그리고 서버용 컴퓨터와 설계검증 대상 전체 회로 혹은 부분 회로만을 시뮬레이션하는 임의의 1 이상의 시뮬레이션 컴퓨터들을 이용하여 에뮬레이션과 시뮬레이션을 1차례이상 자동적인 방법으로 빠르게 번갈아 가면서 수행하여 설계 검증을 통하여 설계 검증 대상회로에 존재하는 1이상의 설계 오류를 신속하게 제거하는 것을 가능하게 한다.- 본 기술에 따른 설계 검증 장치 및 이를 이용한 설계 검증 방법의 목적은 초대규모급 설계 검증을 위한 하드웨어 적으로 구현된 대규모 디지털 시스템의 에뮬레이션과 시뮬레이션, 그리고 정식검증을 혼용하는 설계검증을 수행하여 설계검증 대상회로의 규모가 시뮬레이션의 한계를 넘어가는 경우에도 에뮬레이션과 시뮬레이션과 정식검증을 혼용한 설계검증 방법을 적용하여 신속하게 설계검증이 가능함- 설계 오류들을 신속하게 발견할뿐만 아니라 발견된 설계 오류들을 신속하게 수정하도록 하는 것도 가능함

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한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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신속한 입출력탐침 장치 및 이를 이용한 입출력탐침방법, 혼합 에뮬레이

본 기술은 설계된 디지탈 회로의 설계검증 및 검사를 위한 효과적인 디버깅 방법을 가능하게 하는 신속한 입출력탐침 장치 및 이를 이용한 입출력탐침 방법, 그리고 이를 기반으로 하는 네트워크 상에서의 에뮬레이션/시뮬레이션 분산 설계검증 및 검사 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 임의의 서버용 컴퓨터에서 수행되어지는 입출력탐침 시스템소프트웨어로 하여금 설계검증 및 검사 대상 회로에 입출력탐침을 가능하게 하는 탐침용 부가회로를 부가하여 입출력탐침이 가능한 확장된 회로를 자동화된 방식으로 생성하게 한다. 아울러 본 기술의 입출력탐침 인터페이스 모듈은 입출력탐침이 가능한 확장된 회로가 하드웨어 칩으로 구현되어져서 있는 하드웨어 보드와 서버용 컴퓨터를 연결시키고 하드웨어 보드의 수행을 제어하면서 특정 시점이나 특정 조건에서 하드웨어 보드 상의 하드웨어 칩에 대한 입출력탐침을 수행하여 서버용 컴퓨터와 하드웨어 칩간에 설계검증 및 검사 대상 회로에 대한 수행결과 정보를 교환할 수 있도록 한다. 그리고 서버용 컴퓨터와 네트워크로 연결되어진 설계검증 및 검사 대상 회로를 시뮬레이션하는 임의의 시뮬레이션 서버용 컴퓨터와 같이 분산된 환경 하에서 에뮬레이션과 시뮬레이션을 1차례이상 자동적인 방법으로 번갈아 가면서 수행하게 한다.- 본 기술에 따른 입출력탐침 장치 및 이를 이용한 입출력 탐침 방법은 임의의 프로토타이핑 보드나 임의의 PCB 상에 장착된 1이상의 반도체 칩들에 구현되어 에뮬레이션되는 설계검증 대상회로에 대하여 100% 신호가시도를 갖고 신속하며 효과적인 디버깅을 가능하게 함과 더불어 임의의 시뮬레이터에서 시뮬레이션되는 설계검증 대상회로와의 상태정보 교환을 완전 자동화된 방식으로 가능하게 함으로서 고속의 함수적 검증 및 정확한 타이밍 검증을 함께 번갈아 가면서 가능하게 하여 매우 효과적인 검증을 수행 할 수 있음- ICE 환경에서도 완벽하게 지원되고, RFPD 내부의 칩상 메모리를 사용하는 경우에도 완벽하게 지원되는 이점이 있음

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2004-05-10
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초대규모급설계검증을위한하드웨어적으로구현된대규모디지털시스템과시뮬레이션을이용하는 디버깅장치

본 기술은 설계된 수백만 게이트급 이상의 디지털 회로의 설계검증 및 검사를 위한 효과적인 디버깅 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 임의의 서버용 컴퓨터에서 수행되어지는 입출력탐침 시스템소프트웨어로 하여금 설계검증 및 검사 대상 회로에 입출력 탐침을 가능하게 하는 탐침용 부가회로를 부가하여 입출력탐침이 가능한 확장된 회로를 자동화된 방식으로 생성하게 한다. 또한 본 기술의 입출력탐침 인터페이스 모듈은 입출력탐침이 가능한 확장된 회로가 하드웨어 칩으로 구현되어져서 있는 하드웨어 보드와 서버용 컴퓨터를 연결시키고 하드웨어 보드의 수행을 제어하면서 특정 시점이나 특정 조건에서 하드웨어 보드 상의 하드웨어 칩에 대한 입출력탐침을 수행하여 서버용 컴퓨터와 하드웨어 칩간에 설계검증 및 검사 대상 전체 회로나 부분적인 회로에 대한 수행결과 정보를 빠르게 교환할 수 있도록 한다. 그리고 서버용 컴퓨터와 설계검증 및 검사 대상 전체 회로 혹은 부분 회로만을 시뮬레이션하는 임의의 시뮬레이션 서버용 컴퓨터를 이용하여 에뮬레이션과 시뮬레이션을 1차례이상 자동적인 방법으로 빠르게 번갈아 가면서 수행하게 하여 매우 효과적인 디버깅을 가능하게 한다.- 본 기술에 따른 디버깅 장치 및 이를 이용한 디버깅 방법은 초대규모급 설계 검증을 위한 하드웨어적으로 구현된 대규모 디지털 시스템의 에뮬레이션과 시뮬레이션을 혼용하는 설계검증에서 설계검증 대상회로의 규모가 시뮬레이션의 한계를 넘어가는 경우에도 에뮬레이션과 시뮬레이션을 혼용한 설계검증 방법을 적용 가능하게 하는 디버깅 장치 및 이를 이용한 매우 효율적이며 강력한 디버깅 방법임- 인-서킷 환경에서 에뮬레이션과 시뮬레이션을 혼용하기 위하여 시뮬레이션 과정에서 필요한 주변 타겟 하드웨어 환경의 모델링을 자동화된 방법으로 신속·정확하게 제공하게 됨

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신속 프로토타이핑을 위한 입출력 탐침방법 및 이를이용한 혼합검증 방법

본 기술은 설계된 디지탈 회로를 프로그램 가능한 소자 (또는 칩)들로 구성된 임의의 프로토타이핑 보드를 사용하여 실제의 하드웨어와 동일한 형태로 신속 구현하고 원하는 디지털 회로 내부의 신호선, 또는 특정 디지털 회로의 행위를 구술한 하드웨어구술언어(Hardware Description Language; 이하 HDL이라 함) 코드에 존재하는 시그널(signal)들에 대하여 빠르게 입출력 탐침하는 방법과 이를 이용한 에뮬레이션/시뮬레이션 혼합검증을 통한 디버깅 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 임의의 프로토타이핑 보드나 임의의 PCB를 위한 입출력 탐침방법은, 서버용 컴퓨터와 중계모듈을 구비하고 있으며 임의의 신속 프로토타이핑 보드나 임의의 PCB는 1이상의 RFPD를 포함하며, 서버용 컴퓨터는 설계검증 대상회로를 위한 입출력탐침이 가능한 프로그래밍패턴을 서버용 컴퓨터에 내장된 프로토타이핑 시스템소프트웨어를 이용하여 생성하도록 하는 것과 더불어 임의의 시뮬레이터를 가지고 있으며, 중계모듈은 서버용 컴퓨터와 임의의 프로토타이핑 보드나 임의의 PCB 사이에서 입출력 탐침을 위한 인터페이스로 구성된다.- 본 기술에 따른 임의의 신속 프로토타이핑 보드나 임의의 PCB를 위한 입출력 탐침 방법 및 이를 이용한 혼합 검증 방법에서는 설계된 디지털 회로의 효율적이며 신속한 설계 검증을 위하여 회로상의 모든 신호선들, 또는 HDL 코드상의 모든 시그널들을 대상으로 빠르게 탐침함으로서 설계 오류를 신속히 디버깅할 수 있는 자동화된 검증방법임- 입출력 탐침을 가능하게 하는 임의의 프로토타이핑 보드나 임의의 PCB를 시뮬레이터와 같이 사용하여 고속의 함수적 검증 및 정확한 타이밍 검증을 가능하게 하는 타이밍 및 함수적 검증방법임

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혼합된 에뮬레이션과 시뮬레이션이 가능한 혼합 검증 장치및 이를 이용한 혼합 검증 방법

본 기술은 설계된 디지탈 회로의 설계검증을 임의의 프로토타이핑보드와 임의의 시뮬레이터를 함께 이용하여 신속하면서도 정확하게 수행할 수 있는 에뮬레이션과 시뮬레이션의 혼합 검증 방법과 이를 위한 혼합 검증 장치에 관한 것이다. 본 기술에서는 서버용 컴퓨터로 하여금 검증대상 디지탈 회로의 구현과 입출력 탐침을 가능하게 하는 탐침 부가회로를 위한 프로그래밍 패턴을 생성하게 함과 아울러 이 프로그래밍 패턴을 임의의 프로토타이핑 보드 상의 각 RFPD에 다운로드되게 하여 설계검증 대상회로가 임의의 프로토타이핑보드 상에 구현되게 하고 부가된 메모리소자 입출력 탐침 및 메모리 읽기/쓰기 부가회로를 이용하여 사용자 회로에 존재하는 모든 혹은 일부분의 메모리소자들에 대한 입출력 탐침과 메모리에 대한 읽기/쓰기를 혼합 검증 장치를 통하여 수행하게 함으로서 사용자 회로에 대한 검증을 위하여 에뮬레이션과 시뮬레이션을 자동적으로 번갈아 1번 이상 수행할 수 있게 한다- 본 기술에 따른 에뮬레이션과 시뮬레이션의 혼합 검증 장치 및 이를 이용한 혼합 검증 방법은 임의의 프로토타이핑 보드 상에 장착된 1이상의 RFPD들에 구현되어 에뮬레이션되는 설계검증 대상회로와 임의의 시뮬레이터에서 시뮬레이션되는 설계검증 대상회로간의 상태 정보 교환을 자동화된 방식으로 가능하게 함으로서 고속의 함수적 검증 및 정확한 타이밍 검증을 함께 번갈아 가면서 가능하게 하여 매우 효과적인 검증을 수행 할 수 있음

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반도체 공정을 이용한 충격센싱장치 및 그 제조방법

본 기술은 박막가공기술(Surface micromachining)을 이용하여 평면상에 대한 모든 방향의 충격을 감지할 수 있는 충격센서에 관한 것이다. 종래의 충격감지센서의 대부분은, 기계적인 요소를 사용하고 이러한 기계적인 요소의 위치변화에 의하여 전기적 신호를 발생시키도록 하고 있다. 따라서 대부분의 충격센서는, 기계적인 요소를 사용하고 있기 때문에, 그 크기와 무게에 있어서, 일정한 한계를 가지게 된다. 본 기술에 의한 반도체 충격센서는, 다결정실리콘으로 형성되는 충격센싱장치로써, 중심부분에 형성되는 중심전극, 중심전극에서 빔에 의하여 지지되고, 중심전극을 중심으로 원형으로배치되는 복수개의 이동평판, 이동평판 사이에 각각 배치되는 복수개의 고정평판, 이동평판은 고정평판 사이에서 떠 있는 상태로 지지되고, 충격에 의하여 고정평판과 접촉시 전류가 도통하는 것에 의하여 충격을 감지한다.- 본 기술에 의하면 복수개의 이동평판과 고정평판 사이의 전기적 접촉에 의하여, 외부의 충격을 감지하는 것에 의하여, 신뢰성 높은 충격감지가 가능하게 됨- 본 기술에 의한 장치는, MEMS기술을 이용하는 것으로, xy 평면상에서 어떠한 방향에서의 충격도 정확하게 감지하는 것이 가능함- 종래의 충격센서에 비하여 상대적으로 매우 소형이기 때문에 충격감지센서를 필요로 하는 공간에 구애되지 않고, 어떠한 위치에도 설치될 수 있음- 이동평판과 고정평판 사이의 커패시턴스의 변화를 감지하도록 응용하는 것에 의하여, 연속적인 가속도의 변화를 감지할 수 있는 응용성을 가짐

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2004-05-10
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듀얼스택 전환 메커니즘(DSTM)

듀얼스택 전환 메커니즘(DSTM)은 현재 미국 HP, 프랑스 ENST 등과 함께 공동으로 국제표준화 추진중인 IPv4/IPv6 연동기술 중의 하나로, DSTM 클라이언트, DSTM 서버, DSTM TEP(Tunnel End Point)로 구성되며, 이를 통해 새로운 IPv6 망의 단말이 기존 IPv4 인터넷상의 단말과 이음매없이 통신이 가능하도록 지원한다. 본 “듀얼스택 전환 메커니즘(DSTM)” 기술을 활용하면, 기존 IPv4의 호스트들과 새롭게 구축된 IPv6 망의 호스트들이 상호 통신이 가능하게 되어 궁극적으로 IPv6 호스트들이 기존의 IPv4에서 제공되던 서비스를 그대로 사용할 수 있으며, 또한 IPv4 호스트들은 새로운 IPv6 망의 서비스를 받을 수 있는 효과를 얻는다. 따라서 IPv6의 초기 도입에서 기존 IPv4 망과의 연동을 우려하는 기관들의 문제를 조기 해결할 수 있게 되어 새로운 IPv6 망 구축을 활성화 할 수 있으며, 또한 차세대인터넷 IPv6 망에서 요구되는 새로운 응용들을 선구적으로 연구할 수 있는 기반 망을 구축함으로서, 차세대인터넷의 주도권을 잡을 수 있는 발판을 마련할 수 있을 것으로 기대한다.현재 전세계적으로 인터넷은 특정 계층이나 연령 또는 특정 분야에 국한된 매개체가 아닌 모든 서비스와 기술에 적용될 수 있는 필수적인 수단이 되었으며 그에 따라, 세계적인 인터넷 호스트 수의 기하급수적인 증가 현상과 함께 새롭게 등장하는 서비스들의 인터넷 주소 요청이 지속적으로 증가하고 있는 추세이다. 이러한 현상에 의해 기존에 할당된 IPv4 주소는 이미 각 국가단위로 점차 고갈되고 있으며, IETF(Internet Engineering Task Force)에서는 2006년~2010년경에 전세계적으로 IPv4 주소가 고갈될 것으로 예측하고 있으며, 이러한 예측은 점차 짧아져 최근에는 2005년 경이면 주소 고갈 문제에 직면할 것으로 전망되고 있다. 이러한 32 비트의 IPv4 인터넷 주소의 근본적인 고갈 현상을 해결하기 위해서는 128 비트 주소체계를 사용하는 차세대인터넷 IPv6의 도입이 필수적이며, 또한 IPv6 기술은 기존의 IPv4에서 해결하기 어려웠던 멀티캐스트, 보안관련 기술 등을 미리 고려하여 설계됨으로서 주소해결을 넘어서서 차세대인터넷에서 요구되는 기능을 만족시키는 기술로 인정 받고 있다. 이러한 IPv6로의 전이를 위해 필요한 요구 사항들 중 가장 중요한 항목으로 주목되고 있는 기술은, 기존에 사용하고 있던 IPv4 망과 사용자들을 무리 없이 새로운 망으로 이전시키기 위한 전환 기술이다. 현재 전환기술은 IETF에서 작업 중에 있으며 IPv6 도입시기와 기존의 IPv4 망의 성격에 따라 다양한 기술들이 제안되고있다. 본 기술이전 계획에서 전수하고자 하는 기술이전 내용인 DSTM(Dual Stack Transition Mechanism) 기술은 현재 미국 HP, 프랑스 ENST 등과 함께 공동으로 국제표준화 추진중인 기술로써, DSTM 클라이언트, DSTM 서버, DSTM TEP(Tunnel End Point)로 구성되며, 이를 통해 새로운 IPv6 망의 단말이 기존 IPv4 인터넷상의 단말과 이음매없이 통신이 가능하도록 지원한다. 이것은 IPv6 도입 초기 시점에 매우 유용한 기술로써, 새롭게 IPv6 망을 도입하고자 하는 사업자들이 DSTM을 구동 시킴으로써 새로운 IPv6 망의 호스트들이 기존에 제공 받던 인터넷 서비스를 그대로 사용할 수 있으며, 기존의 IPv4 망의 호스트들은 새로운 IPv6 망의 서비스에 접근할 수 있도록 하여 자연스럽게 차세대인터넷 IPv6를 도입할 수 있게 해 준다.

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한국전자통신연구원
등록일
2004-05-10
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온-라인 합금화도 측정장치

본 연구는 레이저를 이용, 합금화도를 비접촉 측정기술로 측정하여 합금화도의 온-라인 계측에 의한 강판 품질 향상, 합금화 전기로의 feedback 제어를 위한 계측시스템으로 활용하기 위함이다.- 레이저를 이용한 합금화도의 비접촉 측정기술- 합금화도에 따라 변하는 도금층의 반사도 변화 측정 기술- 강판의 전장 및 전폭 측정 기술

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(재)포항산업과학연구원
등록일
2004-04-30
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전기장치, 계측기와 컴퓨터를 통합한 EIC-Jr시스템

■고객의 입장에서「시스템 제안」「견적」「기능 설계」에관해 풍부한 경험을 가진 베테 랑 SE가 컨설팅하는 회사입니다. 철저하게「제안형 시스템하우스」에 주력 합니다. 1. 컴퓨터 시스템의 수탁 제작 및 판매 2. 컴퓨터 단품업체 제품의 시스템화 및 시스템화의 수탁 3. 컴퓨터 시스템에 관한 컨설팅 4. Application Package 프로그램의 추가 수정의 첨부■산업용 컴퓨터 시스템을 최적화한 시스템 제안과 간접비 절감을 통한 견적으로 제안 부터 운전 및 Maintenance까지 제공합니다.EIC-Jr시스템은, 전기, 계장, Computer를 통합한 Process 계장, 제어, 감시 시스템입니다. * 데이타 logger, 계장제어, 전기제어, 다변수제어의 4개의 요소로 구축되고 있습니다. * 다변수제어나 End point control과 같은 특수한 고급 제어 기능이 제공되고 있습니다. * HMI로서「Touch panel」방식을 채용하여 사람에게 「편리한」조작 기능이 제공 되고 있습니다. * 융통성 있는 시스템 구축이 가능며 1요소에서 4요소까지 용도별, 목적별로 조합할 수가 있습니다. * 시스템 구축은 시스템 구축 소프트웨어 패키지를 이용하고 있습니다. (Customize도 가능) * Remote Maintenance기능이 표준적으로 장착되어 통신회선을 이용한 신속한 제어가 가능합니다. * Hardware Maintenance 블록 교환 방식이 채택 되고 있어 신속한 대응이 가능합니다.

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한국생산기술연구원
등록일
2004-05-10
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하전입자분광기(荷電粒子分光器)

정전편향형(靜電偏向型) 하전입자분광기(荷電粒子分光器)는 반원구상(半圓球狀)의 내측 편향전극(偏向電極) 그리드(격자;Grid)와 반원구상의 외측 편향전극간에 입사(入射)되는 하전입자(荷電粒子, 대상물에 전자빔이나 자외선을 비추어서 발생시킨다)를 정전편향(靜電偏向)시켜 출구슬릿(slit)상에서 하전입자빔의 초점을 묶는다. 이용 가능한 시장으로서는 반도체・환경・공해관련, 분석・재료관련, 연구기관등이 있다. 적용 용도는 원소분석, 원소의 상태분석등이 있고, 반도체의 원소분석용이 기본이지만 장래에는 부가가치가 높은 제품이 될 수 있다. 또 환경・공해관련에서는, 대기오염분석, 자동차배기가스관련, 수질오탁염분석관련이 주로서, 본 발명의 특징인 고에너지분해능(分解能) 등을 가지고 있어 유사 분광기와 비교해 구조가 간단하다는 점, 조제설정 및 유지보수등의 유지관리면에서 편리하다.본 발명은 반원구상의 외측 편향전극과 반원구상의 내측 편향전극 그리드, 그리고 이 내측 편향전극 그리드보다 더 내측에 배치된 입구슬릿및 출구슬릿, 또 내측 편향전극 그리드와 입구슬릿과의 사이에 배치된 제1의 각도제한 슬릿, 그리고 내측 편향전극 그리드와 출구슬릿과의 사이에 배치된 제2의 각도제한 슬릿 중에서 한쪽 또는 양쪽을 구비해 외측 편향전극과 내측 편향전극 그리드와의 사이에 전위차(電位差)를 만드는 방법으로 정전편향형 하전입자분광기의 입구슬릿을 통과하는 하전입자의 입사각도(入射角度)를 제1, 제2의 각도제한 슬릿 중의 한쪽 또는 양쪽에 의해 입사(入射)방향보다 입사각도를 ±40도의 범위로 제한한 것을 특징으로 한다. 그래서 간단한 구조와 강한 신호강도를 지속한 상태로 높은 에너지분해능(分解能)을 가지고 있다.

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한국기술벤처재단
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2004-05-10
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