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발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 질화갈륨층과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과, n형 전극과, p형 전극을 포함하여 이루어지는 III-V 질화물계 발광 다이오드에 있어서 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광결정 구조를 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층에 형성함으로써 광결정 구조를 가지면서도 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹전극도 용이하게 형성할 수 있고 광추출 효율을 증가시킬 수 있고, 활성층이나 p형 질화갈륨 박막이 건식 식각에 의한 데미지를 입는 것을 방지할 수 있다.
정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 발광 다이오드용 구성요소의 일부가 형성된 발광 다이오드용 기판과 전극층이 형성되어 있는 다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 웨이퍼 본딩하여 back to back 구조를 형성한 후 발광 다이오드용 기판을 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다이오드 특성의 전도성 기판과 전극에 와이어 본딩함으로써 정전기 방전 특성과 광학적 특성, 전기적 특성 및 열적 특성의 향상을 꾀할 수 있으며, 2번의 와이어 본딩만으로 정전기 방전 특성을 갖는 발광 다이오드를 제조할 수 있으므로 공정이 간단하여 경제적인 측면에서도 우수하다.
발광 다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 반도체 발광 다이오드는, 제1 장벽층과, 제2 장벽층과, 제1 및 제2 장벽층 사이에 개재된 반도체로 된 활성층으로서 다수개의 양자점이 면 방향으로 분포된 양자점층과 양자점층의 양자점들을 둘러싸는 중간 박막층이 교번적으로 적층된 활성층을 포함하고, 각 양자점층의 양자점들의 일부 또는 전부는 이웃 양자점층의 양자점 분포 패턴과 유사한 분포 패턴을 가져서, 인접하게 배치되고, 전기적으로 커플링된다. 이러한 본 발명의 반도체 발광 다이오드는 매우 간단하고 경제성 있는 방식으로 백색 등의 다양한 컬러가 발광되는 다이오드를 제공할 수 있다.
본 발명은 연속 및 펄스 구동이 가능한 반도체 레이저 구동 장치 및 반도체 레이저를 이용한 레이저 침을 개시한다. 반도체 레이저를 이용한 레이저 침은 제1 반도체 레이저와, 제2 반도체 레이저와, 스위칭 동작에 의해 상기 제1 반도체 레이저 및 상기 제2 반도체 레이저 중 하나를 연속 구동 또는 펄스 구동이 되도록 하는 구동 회로를 포함한다. 상기 제1 반도체 레이저는 상기 스위칭 동작에 의해 상기 구동 회로에 의해 선택적으로 구동되어 적색 계열의 레이저 빔을 발생시키고, 상기 제2 반도체 레이저는 상기 스위칭 동작에 의해 상기 구동 회로에 의해 선택적으로 구동되어 녹색 계열의 레이저 빔을 발생시킨다. 보법 치료 효과를 가질 수 있는 제1 반도체 레이저와 사법 치료 효과를 가질 수 있는 제2 반도체 레이저를 광원으로 사용하여 구동함으로써 보법 및 사법을 병행함으로써 레이저 침의 치료 효과를 증가시킬 수 있고, 발진되는 레이저 빔의 펄스 첨두값, 펄스 폭 및 펄스 간격을 질병의 종류와 시술 부위에 따라 시술자가 원하는 수치로 자유롭게 조절할 수 있다.
본 발명은 촉감 정보를 픽셀의 인텐시티 값으로 표현하는 촉감 비디오를 생성함으로써 촉감 정보를 저작하는 촉감 정보 저작 장치 및 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 시청각 미디어를 출력하여 참조하면서 촉감비디오 입력창에 그리기 방식으로 촉감 비디오의 픽셀의 인텐시티 값을 표현하는 촉감 정보 저작 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 촉감 제시 장치의 구동자 어레이의 구동 강도 정보를 픽셀의 인텐시티 값으로 표현하는 촉감 비디오를 저작하는 장치에 있어서, 상기 촉감 비디오를 저작하기 위한 환경을 설정하는 환경 설정부; 및 상기 촉감 비디오 저작의 바탕이 되는 동영상 또는 텍스트와 같은 시청각 미디어 정보를 프레임 단위로 출력하는 동영상 재생창과, 상기 촉감 비디오의 각 픽셀에 대한 인텐시티 값을 그리기 형식으로 입력하는 촉감비디오 입력창을 구비하는 촉감 비디오 저작부를 포함하는 촉감 비디오 생성부를 구비하여 상기 촉감 비디오를 프레임 단위로 생성하는 촉감 정보 저작 장치를 제공한다.
본 발명은 브러쉬를 적용하여 유기 기반 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에, 전극층, 정공전달층, 광활성층 및 전극층이 적층되어 이루어진 유기 기반 태양전지의 제조 시, 브러쉬를 이용한 칠하는 공정으로 분자배열을 유도하는 방법으로, 종래의 딥 및 스핀 등의 코팅에 의해 제작된 태양전지에 비해 장치 및 공정이 간단하고, 효율이 우수하며, 대면적이나 굽힘 가능한 소자에도 적용이 용이하여 상용화 시스템인 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정에 적용이 용이한 유기 기반 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 반사율을 높이는 유전체 거울 다층 반사 구조 형성 방법 및 유전체 거울을 사용한 공진모드 파장 변화가능필터(Tunable passband filter)의 변화가능 파장 범위(Tunable wavelength range)를 넓히고 공진모드(Resonant mode)의 폭(Bandwith)을 줄이는 공진기 혹은 패스밴드필터의 형성 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 1차원 광결정구조를 이용한 유전체 거울 및 유전체 거울이 사용되는 투과필터의 성능향상에 있어서, 매질의 굴절률에 따라 매질과 인접하는 최외부 유전체 계층의 굴절률 및 두께를 조정하여 유전체 거울의 반사율을 향상시킴으로써, 이를 통해 더 적은 층을 쌓아도 같은 반사율을 얻는 것이 가능하도록 한다. 또한 2개의 유전체 거울이 사용되는 공진기 혹은 패스밴드필터에서는 바깥쪽 최외부 유전체 층을 적절히 선택함을 통해 공진기 모드의 폭을 줄이며, 2개의 유전체 거울이 사용되는 파장변화가능 필터에서 안쪽 최외부 유전체 층을 적절히 선택함을 통해 변화가능한 파장의 범위를 증가시킨다.
본 발명은 가열에 의한 압입 공정의 필요없이 베이스 판이 하우징에 용이하게 고정 설치되는 구조를 제공하는 것에 의하여 보다 저렴하고 불량률을 최소화할 수 있는 구조를 가지는 블레이드형 퓨즈에 관한 것이다. 본 발명에 따른 블레이드형 퓨즈는, 공통평면을 따라 배열되며, 각각 소정 높이의 결합돌기들을 가지는 2개의 베이스 판들; 2개의 베이스 판들을 연결하는 퓨즈 요소; 상기 베이스 판들 및 퓨즈 요소가 삽입되는 삽입홈이 형성되며, 상기 결합돌기들이 수용되는 결합홈들이 형성되도록 절연재로 만들어지는 하우징을 포함하며; 상기 결합돌기들은 각 베이스 판의 길이 방향으로 전후 부분에 각각 형성되고, 상기 결합홈들에 각각 걸리는 걸림턱을 가진다. 그러므로, 베이스 판이 결합돌기들과 결합홈들의 스냅 결합 방식에 의하여 하우징에 고정 설치되기 때문에, 가열에 의한 압입 공정의 필요없이 베이스가 하우징에 용이하게 고정 설치되는 구조를 제공하는 것에 의하여 보다 공정이 단축되어 생산성이 향상되며, 종래의 것과 같이 베이스 판이 용융된 지점에 이탈되는 경우 발생하는 제품 불량이 원천적으로 방지될 수 있다.
본 발명은 대전 방지성, 코팅성, 점착성이 우수한 에멀젼 점착제에 관한 것으로, 4차 암모늄염을 형성시킬 수 있는 비닐 단량체, 1또는 2이상의 비닐 공단량체 그리고 카르복시기를 포함하는 단량체를 공중합시킨 공중합체와 2-이소프로필-2-옥사졸린 가교제를 포함하는 공중합체를 제조하여 공중합시킨 대전방지 점착제 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 일반 서류는 물론 원서나 사전, 고전 등과 같이 두꺼운 서적의 제본부분을 제거하지 않고 그 일면 또는 양면이 일그러짐 없이 복제되도록 한 경사 원고대를 갖는 이미지 스캐닝 장치에 있어서, 간결한 구조로 복사가 이루어질 수 있도록 한 경사 원고대를 갖는 이미지 스캐닝 장치를 개시한다.이를 위하여 본 발명은 몸체의 상측에 설치된 원고대를 ""형상으로 절곡하여 경사면을 형성하되, 촬영수단인 디지털 카메라가 방향 전환되면서, 양면을 모두 촬영할 수 있도록 함을 특징으로 한다.이에 따라 본 발명은 복사하고자 하는 원본이 두꺼운 서적인 경우 제본부분을 손상시키지 않고 원본과 동일하게 복사할 수 있음은 물론이며, 특히 간결한 구조로 양질의 복사 상태를 얻을 수 있게 되는 유용한 효과가 있다.
발명은 고분자 광자결정 광섬유를 인발하기 위한 모재의 제조장치를 개시한 것으로, 실린더 형상의 반응용기 내에 그 길이방향으로 모세관 직경을 갖는 다수의 케인이 채워져 광자격자 구조를 형성하며, 상기 반응용기의 상, 하부에 상기 케인을 광자격자 구조로 지지하기 위해 광자격자 지지판이 구비되며, 상기 반응용기 상부에 중력에 의한 단량체를 보관하는 단량체 저장소와, 상기 단량체 저장소로부터 상기 반응용기 내부로 투입되는 단량체의 투입량을 조절하는 조절수단이 설치되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 단량체 저장소에 저장된 일정량의 단량체가 일정 시간의 간격 또는 연속적으로 반응용기에 투입되며, 반응용기 내부에 유입된 단량체는 중합 또는 공중합하여 고분자화 한 후 반응용기 및 케인을 분리하여 광자결정 광섬유 모재를 제조한다. 따라서, 고분자 재질의 광자결정 광섬유 모재 내에 트랩될 수 있는 미세 공기방울과 잔류 단분자를 줄일 수 있게 된다.
본 발명은 냉매의 증발을 최소화하여 실험자의 실험환경을 양호하게 보존하고 냉매의 사용량을 줄일 수 있어 경제적인 이익을 창출하고, 외부 마그넷과 측정 샘플이 설치되는 공간을 분리함으로써 측정 샘플 주위에서 냉매의 버블 현상이 발생되는 것을 방지하고, 실험자가 원하는 조건을 조성하기 위해 경우에 따라 별도의 코일을 추가적으로 용이 설치가 가능하여 다양한 자계의 방향이나 세기의 변화를 가능하도록 하고, 전기적 측정법과 냉매 증발법 중 어느 하나를 자유롭게 선택하여 교류 손실을 측정할 수 있도록 하는 초전도체 전체손실 측정 장치용 저온 용기에 관한 것으로서, 측정 샘플인 초전도체의 전체손실을 측정하는 장치를 수용하기 위한 저온 용기에 있어서, 외벽부와 내벽부를 가지는 진공층이 형성되고, 1차 용기 플랜저에 의해 기밀이 유지되는 1차 용기; 외벽부와 내벽부를 가지는 진공층이 형성되고, 초전도체 전체손실 측정 장치를 수용하기 위한 공간부가 형성되고, 2차 용기 플랜지에 의해 기밀이 유지되고, 상기 1차 용기 내부에 설치되는 2차 용기;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 유전체의 접지면에 식각된 결함 구조(DGS)를 갖는 공진기에 한쌍의 결합선로가 전송선로에 결합되고 결합된 결합선로 구조에 전자소자를 삽입하는 것에 의해 공진기의 대역폭을 증가시키며, 삽입손실과 공진 주파수를 간편하게 제어할 수 있는 마이크로파용 DGS 공진기에 관한 것이다.본 발명은 유전성 물질로 이루어진 유전체 기판과; 상기 유전체 기판의 일면에 피막된 도전막으로서, 내부의 양단부에 전계 밀집 부분을 형성하는 선형 갭과 선형 갭에 의해 상호 연결된 한쌍의 식각부를 갖는 접지면과; 상기 유전체 기판의 접지면 반대면에 선형 갭과 직교방향으로 배치되며 일단에 전송 신호가 인가되는 마이크로스트립으로 이루어진 전송 선로와; 상기 유전체 기판의 접지면 반대면에 상기 전송 선로와 평행하게 간격을 두고 결합된 아일랜드 형상의 한쌍의 결합 선로로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 백색 LED의 제조방법에 관한 것으로 ELOG를 제작하는데 있어 mask의 크기를 달리하여 그 위에 활성층을 성장시킴에 따라 한 칩에서 여러 종류의 파장의 빛을 내도록 하는 백색 LED의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 사파이어 기판위에 버퍼층, u-GaN층, Si가 도핑된 n-GaN층, SiO₂ 층을 순서대로 성장한 후, 상기 SiO₂ 층 위에 각각 일정한 비율로 이루어진 적어도 두개 이상의 윈도우/마스크 패턴을 형성한다. 그리고, 상기 일정한 비율로 이루어진 윈도우/마스크 패턴 중 상기 윈도우 부분만을 오픈시켜 상기 SiO2 층을 식각(etching)한 후, 상기 부분적으로 식각된 SiO₂층 위에 피라미드형 ELOG GaN층, InGaN/GaN MQW(Multiple Quantum Well) 활성층 및 P-GaN을 성장한다. 본 발명은 단일칩이 여러파장의 빛을 내도록 설계하여 단일 칩 백색 발광소자를 제작할 수 있으며, 가시광선 전체 영역을 발광할 수 있어서 연색지수 또한 높으므로 실내조명이나 디스플레이 조명으로 사용하기 적합한 효과가 있다.
본 발명은 사고를 감지하는 자동화 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 도로에서 발생한 차량의 사고를 실시간으로 감지하는 감시 시스템 및 이를 이용한 방법에 관한 것이다. ; 본 발명에 따른 교통 사고 감지 방법은, 순차적으로 획득한 배경영상을 이용하여 교통 사고의 발생 여부를 감지하는 방법에 있어서, 순차적으로 획득한 제1 배경영상과 제2 배경영상을 이용하여 배경영상들의 변화를 감지하는 단계; 상기 제1 배경영상 및 제2 배경영상 간의 변화가 감지되는 부분의 면적을 기초로 사고 여부를 임시로 확인하는 단계; 사고가 임시로 확인되는 경우, 제3 배경영상을 추가로 획득하는 단계; 상기 제1 배경영상과 제3 배경영상을 이용하여 배경영상들의 변화를 감지하는 단계; 상기 제1 배경영상 및 제3 배경영상 간의 변화가 감지되는 부분의 면적을 기초로 사고 여부를 임시로 확인하는 단계; 및 상기 제1 배경영상과 제2 배경영상 간의 변화를 상기 제1 배경영상과 제3 배경영상 간의 변화와 비교하여 사고여부를 최종 판단하는 단계를 포함하는 특징이 있다.
본 발명은 패턴 된 수직배향(PVA: patterned vertical alignment) 액정디스플레이의 시야각 조절 장치에 관한 것으로, 소정 화상를 표현하는 전극과 시야각 조절용 전극을 하나의 기판에 따로 패턴 하는 방식을 적용하였다. 전극 구조에 있어서, 상부기판의 일부 영역에 소정화면을 표현하는 제 1 공통전극을 일반적인 PVA 모드의 전극을 패턴 하는 방식으로 형성하였고, 나머지 시야각을 조절하는 부분은 평면형태로 제 2 공통전극을 형성하였다. 이때, 두 공통전극은 연결되어 있다. 상부기판과 마주보도록 하부 기판이 대응되어 있고, 이 기판의 제 1 공통 전극과 마주보고 있는 일부 영역에 제 1 화소 전극이 상부 제 1 공통전극과 같은 방식으로 형성되어 있고, 제 2 공통전극과 마주보고 있는 나머지 영역에 제 2 화소 전극은 액정 방향자가 좌우나 상하로 눕도록 전극을 패턴하여 형성한다. 이러한 액정 표시장치의 제 1 공통전극과 제 2 공통전극에 같은 크기의 일정한 전압을 인가시키고, 제 1 화소 전극에 전압을 다양하게 인가함으로써 제 1 공통전극과 제 1 화소 전극의 전압 차에 의해 생기는 수직 전기장에의해 액정 디스플레이를 구현하고, 제 2 화소 전극에 전압을 조절함으로써 제 2 화소 전극과 제 2 공통전극의 전압 차에 의해 생기는 수직전기장에 의해 광시야각 또는 협소한 시야각을 적절히 조절할 수 있다.
본 발명은 전기적인 스위칭 동작에 의해 광시야각에서 협시야각으로 시야각을 제어할 수 있는 액정표시소자에 관한 것으로, 구체적으로 소정화상을 표현하는 트위스트 네마틱(Twist nematic) 액정 층과 스위칭에 따라 시야각 조정 역할을 하는 수평배향(Homogeneous Alignment) 액정층이 한 개 또는 두 개로 구성되어있다. 이러한 액정표시장치의 수평배향 액정층에 전압을 인가하면 전압의 크기에 따라 액정층의 선경사각이 조절된다. 액정 분자의 선경사각이 커질수록 시야각에 따른 액정셀의 위상지연 값이 증가하기 때문에 시야각은 좁아진다. 결국 수평배향 액정층에 전압의 차이에 의해서 협시야각 또는 광시야각을 적절히 조절할 수 있다.
나노 와이어 반도체 소자, 이를 구비하는 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 메모리 소자는, 표면에 유전층이 구비된 소자 형성 기판, 상기 소자 형성 기판 상에 배열된 복수의 나노 와이어, 상기 복수의 나노 와이어 상부에 각각 배치되며, 상기 하나의 나노 와이어 상에 소정 거리 이격되도록 배치된 소오스 및 드레인 전극, 상기 소오스 및 드레인 전극과 상기 나노 와이어의 접촉 부분에 위치되는 실리사이드 섬을 포함한다. 이때, 상기 반도체 기판에 인가되는 전압 및 상기 소오스/드레인 전극에 인가되는 전압에 의해 상기 실리사이드 섬을 통해 전하가 포획 및 소거된다.
본 발명은 SiGe 반도체 소자 구조 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, SiGe 반도체 소자 구조에 있어서, 기판을 콜렉터 전극으로 사용하며, 상기 기판과 금속배선의 정전용량을 줄이도록 언도프트 Si(undoped-Si)층을 이용하여 서브-콜렉터를 형성시키고, 프론트-배리어 SiGe층을 베이스에 삽입시켜 구성함으로서, SiGe HBT에서 고농도 Ge의 프론트-배리어를 적용한 베이스 구조를 채용하여 도핑되는 불순물의 분포를 매우 얇은 영역에서 정확하게 제어하고, 에미터-베이스 접합에서 밴드갭도 정확하고 재현성 있게 제어하여 전류의 이득특성과 제어의 정확성을 향상시켜 소자의 선형성과 신뢰성을 높일 수 있게 되는 것이다.
본 발명은 자기정렬 에피성장층을 채널로 이용하는 반도체 소자구조 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 반도체 기판 위에 템플레이트 에피층을 성장시키는 제 1 단계와; 상기 제 1 단계 후 템플레이트를 성장시키는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계 후 자기정렬된 에피층을 증착시키는 제 3 단계와; 상기 제 3 단계 후 CMP된 표면을 형성하는 제 4 단계와; 상기 제 4 단계 후 상기 템플레이트를 제거하고, 산화막을 성장시키는 제 5 단계와; 상기 제 5 단계 후 게이트 박막을 증착시키는 제 6 단계와; 상기 제 6 단계 후 게이트 패턴을 형성하고, 절연막으로 패시베이션하는 제 7 단계;를 포함하여 구성함으로서, 극 미소화로 인하여 제작이 매우 어려운 45nm급 이하로 기술이 진보하는 반도체 소자의 채널을 자기정렬형 에피성장으로 형성할 수 있게 되는 것이다.