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[구성]본 발명은 원격지에 있는 로봇 팔에 달린 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 작업 대상물 사이의 촉각 정보를 중앙 제어실에 있는 조작자에게 전달하여 더욱 정교하고 효과적인 작업을 할 수 있도록 하는 자석의 반발력을 이용한 원격 조종 로봇용 촉각 궤환장치에 관한 것으로, 종래의 공압 및 형상기억합금을 사용하는 촉각 궤환장치에 있어서는 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 촉각정보를 중앙제어실에 있는 조작자에게 정확히 전달할 수 없게 되는 문제점이 있었다. 이러한 점을 감안하여, 촉각센서로부터 궤환 입력되는 촉각정보에 따라 전자석의 구동을 제어하고, 그 전자석 및 영구자석의 반발력에 의해 상기 촉각정보를 조작자에게 전달하며, 상기 전자석 및 영구자석 사이의 반발력을 멕스웰의 스트렌스텐서방법에 의해 모델링하여, 상기 촉각정보에 따라 전자석 및 영구자석 사이의 반발력을 정밀 제어하게 하며, 촉각 궤환장치를 3×3 어레이 형태로 구성하여 상기 촉각정보를 어레이 단위로 궤환되도록 함과 아울러 연속적인 출력제어가 가능하도록 함으로써, 원격지의 촉각정보를 조작자에게 정확히 전달하여, 정교하고 효과적으로 작업을 수행할 수 있게 한 것이다.1. 로봇의 작업 수행시 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 작업 대상물 사이에 작용하는 접촉력을 측정하는 촉각센서와, 상기 촉각센서의 측정신호를 증폭하여 촉각정보에 다중 송신하는 인터페이스부와, 상기 인터페이스부에서 송신한 촉각정보를 입력받아 그에 따른 촉각 궤환신호를 출력하는 컴퓨터와, 상기 컴퓨터에서 출력되는 촉각 궤환신호를 전류로 변환 공급하는 촉각 궤환소자 구동 회로부와, 상기 촉각 궤환소자 구동 회로부로부터 공급되는 전류에 따라 전자석이 구동되어, 그 전자석 및 영구자석 사이에 반발력에 의해 조작자에게 압력을 전달하는 촉각 궤환소자로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격 조종 로봇용 촉각 궤환장치.2. 제1항에 있어서, 촉각 궤환소자는 가이드의 내부 하단에 고정되고 촉각 궤환소자 구동 회로부로부터 공급되는 전류에 따라 구동되어 자력을 발생하는 전자석과, 상기 전자석의 상부에 배치되어 상기 가이드 내부에서 그 전자석과의 반발력에 의해 상부로 이동하는 영구자석과, 상기 영구자석의 상면에 고정부착되어 조작자에게 압력을 전달하는 핀으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격 조종 로봇용 촉각 궤환장치.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 촉각 궤환소자는 어래이 형태로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.4. 제1항에 있어서, 촉각 궤환소자 구동 회로부는 컴퓨터에서 출력되는 촉각 궤환신호를 입력받아, 촉각 궤환소자의 전자석을 공급되는 구동전류에 따른 궤환신호와 비교하는 비교부와, 상기 비교부의 출력신호를 필터링하여 안정화시키는 신호 안정부와, 상기 신호 안정부의 출력신호를 증폭하여 상기 촉각 궤환소자의 구동전류로 공급하는 증폭부와, 상기 증폭부에서 공급되는 전류를 정류하여 상기 촉각 궤환소자의 전자석을 구동하는 정류부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.5. 제4항에 있어서, 비교부는 촉각 궤환 입력신호가 가변저항(VR1)을 통해 저항(R1) 및 연산증폭기(OP1)의 비단전단자에 인가되게 접속하고, 증폭부의 출력신호가 저항(R2)을 통해 저항(R3) 및 상기 연산증폭기(OP1)의 반전단자에 인가되게 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.6. 제4항에 있어서, 신호 안정부는 전원전압이 저항(R4)을 통해 콘덴서(C1)에 인가되게 접속하여, 그 접속점을 저항(R5), 가변저항(VR2,VR3) 및 저항(R7)을 통해 콘덴서(C2) 및 저항(R8)에 접속하고, 비교부의 출력신호가 저항(R6)을 통해 상기 가변저항(VR2), (VR3)의 접속점에 인가되게 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.7. 제6항에 있어서, 증폭부는 저항(R5) 및 가변저항(VR2)의 접속점 신호와 가변저항(VR3) 및 저항(R7)의 접속점 신호에 의해 각기 온/오프 제어를 받고 저항을 통해 서로 직렬 접속된 트랜지스터(TR1), (TR2)와, 상기 트랜지스터(TR1),(TR2)의 온/오프에 따라 각기 온/오프 제어를 받고 서로 직렬 접속되어, 그 접속점을 통해 촉각 궤환소자의 구동전류를 공급하는 트랜지스터(TR3),(TR4)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.7. 제6항에 잇어서, 증폭부는 저항(R5) 및 가변저항(VR2)의 접속점 신호와 가변저항(VR3) 및 저항(R7)의 접속점 신호에 의해 각기 온/오프 제어를 받고 저항을 통해 서로 직렬 접속된 트랜지스터(TR1), (TR2)와, 상기 트랜지스터(TR1),(TR2)의 온/오프에 따라 각기 온/오프 제어를 받고 서로 직렬 접속되어, 그 접속점을 통해 촉각 궤환소자의 구동전류를 공급하는 트랜지스터(TR3),(TR4)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.8. 제4항에 있어서, 정류부는 제너다이오드에 의해 반파정류기로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.9. 제4항에 있어서, 정류부는 브리지형태로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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<목적>본 발명은 소결시 소결 조건을 적절히 제어하여 소결체의 복소 투자율 허수부를 증가 시킴으로써 박판화와 광대역화를 도모한 Ni-Zn계 페라이트 전파 흡수체의 제조 방법에 관한 것이다. <구성>미국 특허 제 3720951호에는 판상 페라이트의 이면에 금속 재질의 반사파를 접착시킨 페라이트 전파 흡수벽에 관한 기술이 제시 되었으나, 전체적으로 20dB 이상의 전파 감쇠량을 보이는 밴드폭이 좁고 두께가 비교적 두꺼운 단점이 있다. <효과>Fe O 66.1g, ZnO 23.1g, NiO 8.8g, MnO 0.5g, Co O 0.5g 및 CuO 1.0g을 혼합하여 건조 및 분쇄한 후 900℃에서 2시간 하소하여 다시 분쇄하고 성형한 다음 2-12℃/분의 승온 속도로 1250℃까지 가열하여 2-6시간 동안 유지시킨 후 2-12℃/분의 냉각 속도로 냉각하여 페라이트 소결체를 제조함을 특징으로 하는 전파 흡수체의 제조 방법으로 최고 온도 유지 시간을 연장시키고 냉각 속도를 낮추어서 소결후 결정 입자 크기를 크게 불균일하게 성장시켜 소결체 조직의 불균일을 초래하여 미세 조직의 변화를 가져 옴으로써 손실을 극대화 시키고 있다.1. Fe2O3 66.g, ZnO 23.1g, NiO 8.8g, MnO2 0.5g, Co3O4 0.5g 및 CuO 1.0g을 혼합하여 건조 및 분쇄한 후 900℃에서 2시간 하소하여 다시 분쇄하고 성형한 다음 2-12℃/분의 승온속도로 1250℃까지 가열하여 2-6시간 동안 유지시킨 후 2-12℃/분의 냉각속도로 냉각하여 페라이트 소결체를 제조함을 특징으로 하는 전파흡수체의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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각기 서로 다르 주파수대역에서 전파흡수특성을 나타내는 전파흡 수재료로 이루어진 판상의 페라이트 소결체를 다수매 적층시켜 구성됨을 특징으로 하는 적총형 전파흡수체.1. 각기 서로 다른 주파수대역에서 전파흡수특성을 나타내는 전파흡수재료로 이루어진 환상의 페라이트 소결체를 다수맥 적층시켜 구성됨을 특징으로 하는 적층형 전파흡수체.2. 제 1항에 있어서, 적층페라이트 소결체가 내외층의 두겹으로 구성되되 적층체의 전체 입력임피던스ㅣZㅣ 다음의 식,Z=Cμ1d3÷Cμ2d2/[+C<2>μ1ε2d1d2여기서, C=j(2x/λ)λ=자유공간의 파장,μ1,ε1,d2은 내충 페라이트의 투자율, 유전율 및 두께, μ1,ε1,d2은 외층 페라이트의 투자율, 유전율 및 두께로 표시됨을 특징으로 하는 적층형 전파흡수체.
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- 2001-01-17
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<목적>본 발명은 광대역화와 박판화가 가능한 페라이트계 전파 흡수체에 관한 것이다. <구성>종래의 페라이트계 전파 흡수체는 자기 공진 현상을 이용함에 따라 흡수 가능한 주파수의 대역폭이 좁다는 문제가 있고, 이를 개선하기 위한 적층형 전파흡수체(일특개 소64-1289호)와 유전 물질을 포함하는 페라이트 전파 흡수체(미국특허 3,754,255호)는 두께가 두꺼워지는 단점이 결점이 있다. 따라서 광대역화와 박판화를 동시에 만족시키는 전파 흡수체가 필요하게 되었다. <효과>페라이트 조성물을 약 900도C에서 1시간 하소, 분쇄한 다음, CuO와 Fe O 를 하소 분쇄하여 얻어진 분말을 페라이트 분말에 첨가하여 대기 분위기나 질소 분위기의 1,200도C 정도에서 1시간 정도 소결한다. 이때 CuO와 Fe O 는 산화물 상태로 첨가되나 하소, 소결 공정중에 산화물로 전화될 수 있는 염이나 화합물을 이용할 수도 있다. 제조된 소결체는 페라이트의 입계에 전파 흡수성을 갖는 CuO-Fe O 의 액상이 존재하는 미세 구조를 띠게 된다.1. 메라이트에 페라이트의 소결온도 이하의 온도에서 액상을 형성하는 CuO-Fe2O3의 혼합조성이 첨가되어 CuO-F2O3가 소결페라이트의 임게에 분포된 것을 특징으로 하는 광대역 전파흡수체.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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<목적>프린팅 용지의 두께를 검출하여 인자판 두께를 최적값으로 자동 조정하는 프린터를 제공한다. <구성>기판에 고정되어 인자판 표면에 붙이고 떼는 것이 가능한 레버부재(26), 레버부재의 인자판 표면에서의 변위량을 광량으로 변환하는 발광소자(52)와 수광소자(53)로 된 변위 검출수단, 이들로부터 신호를 기준값과 비교하여 그 차이를 출력하는 광량 검출수단, 측정 동작시의 시정수가 크게 또는 측정 동작 해제시의 시정수가 작게 세팅된 시정수 세팅수단, 시정수 세팅수단을 사이에 두고 출력하는 광량 검출수단에서의 신호로 발광소자에의 전력을 조정하는수단을 갖추고 인자판으로부터 검출레버의 변위를 광량변화로 변환하여 프린팅 용지의 종이질에 상관없이 용지 두께를 광량으로 변환할 수 있고 또한 검출레버의 변위를 광량으로 변환하기 위해 용지 두께의 변화와 광량변화를 가급적으로 직선성을 갖게 한다.1. 용지 두께에 따라 프린팅 헤드와 판(platc)사이를 조정하도록 캐리지 가이드 축의 회전을 제어하는 수단(13,20,47:13,50,72).프린팅 헤드와 판 사이의 거리를 조정하도록 회전할 수 있는 캐리지 가이드 축(7)상에 징착되고 프린팅 헤드를 품는 캐리지(16),프린팅 헤드(17), 판(1), 지지 프레임(5,6,33)을 갖는 프린터에 있어서, 제어 수단은 판에 대한 레버의 위치를 표시하는 신호를 발생하는 감지 수단(37:54)과 함께 동장하도록 배열되고 판으로부터 떨어져 있으며 회전 방향에 대해 지지 프레임 상의 고정 위치에 장착된 레버(28)와, 제 1신호를 발생하는 감지 수단과 판을 연동하는 레버가 있는 제 1위치로 레버를 회전시키고 그 다음에 제 2신호를 발생하는 감지 수단과 판상에서 용지를 연동하는 레버가 있는 제 2위치로 레버를 회전시키는 솔레노이드 (30)오, 제 1 및 제 2신호에 응답하여 용지 두께를 결정하고 편심 축의 회전을 제어하는 출력을 발생하는 검출 수단(47:72)을 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터.2. 제 1항에 있어서, 감지 수단은 압력 감지 소자(37)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터. 3. 제 1항에 있어서, 감지 수단은 발광 소자(52)와 수광 소자(53)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터. 4. 제 3항에 있어서, 수광 소자의 출력을 감지하는 광랑 감지 회로(62), 감지 동안은 보다 큰 시정수 그리고 감지 완료후는 보다 작은 시정수를 발생하는 시정수 세팅 회로(64), 감지가 일어나지 않을때 수광 소자의 출력을 유지시켜서 발광 및 수광 소자 저하로 인한 에러를 회시시키도록 발광 소자로 사용시 전원을 조정하는 시정수 발생 수단과 감시 수단에 의해 제어된 수단(67,70,56)을 특징으로 하는 프린터.
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- 2001-01-17
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본 고안은 표면실장이 가능한 적층 칩(chip)형태의 인덕터(inductor)구조에 관한 것으로,특히 복수매의 시트상 자성체층 사이에 형성되는 코일용 도전패턴의 인접 자성체층간 전회궤적에 차이를 두되 한층 걸러서는 통일한 권회궤적을 취하도록 하여 내부전극의 합선우려를 배제토록 한 칩 인덕터에 관한 것이다.일반적인 형태의 인덕터 구조는 페라이트 코어의 주위에 도선을 권회한 형태로 이루어져 있어 그 부피가 크기때문에 소형화가 곤란하고 특히 콘덴서 부품과 결합하여 회로를 구성하여야 할 경우에는 결합소자들 간의 구조상의 차이점에 기인하여 회로구성이 곤란하다는 문제점이 있다.한편, 최근에 이르러 대부분의 전자지기들이 고집적화의 경향을 취하고 있으며,또한 제조공정의 자동화를 위하여 구성부품을 인쇄기판상에 집적시키는 표면실장화의 추세로 나아가고 있는 실정을 감안하여 볼때 상기 인덕터가 지니고 있는 구조상의 문제점은 커다란 결점으로작용하게 된다.(11)좌측반부를 커버하는 크기의 자성체층(12)이 적층되어(B)와 같이 도전패턴(h)의 일부분만이 노출된 상태가 된다.다음,(C)에서와 같이 일부분만 남아있는 도전패턴(h)의 단부에 다시"J"자 형상의 도전패턴(i)이 인쇄된 후에 이번에는 우측반부를 커버하는 자성체층(13)이 적층되어 도전패턴(i)의 일부분만이 남겨진 상태로 된(D)와 같이 된다.이어서, 도전패턴(i)의 단부에 "J"자형상의 또 다른 도전패턴(j)이 연장형성됨에 있어(E)에 도시된 바와 같이 상부의 원호상 도전패턴부가 이루는 궤적이 상기(A)단계와 공정에서 인쇄된 그 아래층의 도전패턴(h)의 궤적에 비해 적어도 도전패턴의 폭만큼 안쪽이나 바깥쪽으로 치우치게 유지되도록 형성되도록 한다.이후, 앞서 설명된 바의 공정과 동일한 공정을 반복적으로 수행하여 차례로 자성체층(14-17)과 도전패턴(h-n)을 형성시켜 나아가되 인접하는 자성체층 상하부에 인쇄되는 도전패턴의 궤적중 원호상부분이 수직으로 일직선상에 놓이지 않게끔 형성함과 동시에 한층 건너서는 동일한 도전패턴의 궤적을 유지하도록 하여 (F)공정에서부터 (M)공정에 이르기까지 적층작업을 수행하게 된다.특히 (M)단계에서 도전패턴(n)은 그단부가 자성체층(17) 의 외측으로 노출형성되며 도전패턴(n)의 인쇄후에 마지막으로 최하층의 자성체층(11)과 동일한 크기의 자성체층(18)이 복개되어 일단 적층체의 적층이 완료된다.본고안에서의 자성체층과 도전 패턴의 적층 및 인쇄과정은 각각 자성체층을 순차적으로 적층시켜 가면서 도전패턴을 형성시키는 형태를 취하거나, 각기 상용하는 도전패턴이 형성된 자성체층을 150-300 ㎏/㎠의 압력으로 50~100℃의 온도에서 일괄하여 적층하는 형태를 택하여 수행하는 것이 바람직한 바, 이와 같은 적층체의 단면구조는 제3도의 (M)에 대한 C-C선 단면도인 제4도에 나타나 있다.제4도에 도시된 바와같이,자성체층(11-17)의 사이사이에 위치하는 도전패턴(i)(m)은 대략 자성체층의 두께길이 만큼 떨어진 위치에 형성된다.도전패턴을 포함한 자성체층의 적층이 완료되면 적층체를 소정의 크기로 절단하여 약500℃에서 24시간 내지 48시간 가량 유지시킴으로써 자성체 내부의 유기 결합제를 제거하고, 이어서 850~950℃에서 적층체의 동시소결을 수행함으로써 적층소결체의 제조가 완료된다.다음, 이같이 소결이 완료된 소결체는 그 양단부에 니켈등으로 와부전극(19)(19')이 도굴되어 제5도에 도시된 바와같은 본 고안 칩 인덕터가 얻어지게 된다.본고안의 칩인덕터는 적층구조를 이루는 자성체층 사이사이에 형성된 도전패턴의 층간 인쇄궤적에 변화를 가하여 도전패턴의 접촉에 의한 합선의 우려를 배제하고 있을뿐만 아니라 적층사성체층이 서로 겹쳐지지 않도록 하여 종래의 칩인덕터가 지니고 있는 결점인 탈층화나 변형의 위험에서 벗어나게 되므로 제품의 신뢰도가 향상된다는 이점이 있다.본고안의 인접층간의 전극패턴이 서로 겹쳐지지 않기 때문에 겹쳐지는 상하전극의 면적이 거의 없고 전극간의 간격도 크게 증가하기 때문에 기생 캐퍼시턴스값을 최소화 할 수 있고, 이에 따라 같은 인덕턴스 값을 갖는 인덕터인 경우 종래의 인덕터에 비하여 사용가능 주파수를 고주파대역으로 확장할 수 있다.제7도는 같은 원료를 사용하여 6회 권선하여 1.0μH를 구현한 것으로서 종래의 방법으로 만든 인덕터와 본 고안에 의한 인덕터의 주파수에 따른 임피던트값의 변화를 나타낸 것으로 상술한 일본특허 및 실용신안에 의한 것에 비하여 사용가능한 주파수 대열이 고주파 대역으로 확장됨을 알 수 있다.1.복수매의 자성체중을 순차 교호 적층하며 각층마다 "J"자형 도전패턴을 90˚씩 변위시켜 형성하는 것에의해 도전패턴이 코일사의 내부전극을 구성하도록 한 것에 있어서, 상기 도전패턴들의 궤적이, 인정하는 자성체층에서는 상이하며, 한층 걸러서는 도전채턴 전체부위가 동일하도록 배열하여 도전패턴의 겹쳐지는 면적을 좁게 함과 아울러 패턴간의 거리를 넓게 하여서 됨을 특징으로 하는 칩 인덕터.
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- 2001-01-17
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<목적>적층칩 LC필처 제조시 유전체부를 이루는 자기 조성물에 관한 것으로 특히 내부 전극으로사용되는 Ag 전극의 소성 온도와 일치하는 소성 온도 범위를 갖는 적층칩 LC필처용 유전체부 자기조성물을 제공한다. <구성>유전체부 자기 조성물은 (TiO3)100-x(CuO)x계를 기본 조성(이때 1<=x<=5, x:wt%)으로 하고 여기에 SiO2와 MnO2가 소량 첨가된 것으로 900-950도C의 소성 온도를 나타낸다. <효과>본 조성물을 이용하여 온도 보상용 적층 세라믹 콘덴서를 제작하는 경우 순 Ag전극 사용이용이하여 제조 비용을 낮출 수 있고 Ag전극과 자기 조성물의 소성온도 일치에 따라 상호 확산의발생이 배제되어 신뢰성의 향상이 기대되며 높은 Q값과 적은 부(-)의 온도 계수를 나타내어 양호한소자 특성을 지니는 장점이 있다.1. (TiO2)100-X(CuO)X계의 1≤x≤5(x : wt%)를 주성분으로 하여, 여기에 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt%이하 첨가되어이루어진 것을 특징으로 하는 적층칩 LC필터제조용 자기조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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<목적>주성분 원료와 첨가물의 조성을 변화시킴으로써 저온 소결이 가능하고 온도와 고주파 특성이 우수한 고주파 인덕터용 자심재료를 제조하기 위함이다. <구성>이 자심재료는 Fe2O3 47.5-51.5 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, NiO 15-35몰퍼센트, ZnO 5.5-25.5몰퍼센트조합에 첨가물 Co2O3 0.01-3 중량퍼센트 나 WO3 0.01-1 중량퍼센트를 혼합한 조성으로 이루어진다.1. Fe2O3 47.5~51.5몰%, CuO 5~15몰%, NiO 15~30몰% 및 ZnO 5.5~25.5몰%로 이루어진 주성분에 Co2O3나 WO3가 소량첨가되어 이루어진 조성의 고주파 인덕터용 자심재료.2.제 1 항에 있어서, Co2O3의 첨가량이 0.01~3wt%인 고주파 인덕터용 자심재료.3.제 1 항에 있어서, WO3의 첨가량이 0.01~1wt%인 고주파 인덕터용 자심재료
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>소성온도를 900 도C 이하로 낮추어 내부도체로 은을 사용할 수 있는 인덕터 제조용 페라이트를 제조하기 위함이다. <구성>이 페라이트는 Fe2O3 48.5-50.5 몰퍼센트, NiO 5-30 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, ZnO 5.5-35.5 몰퍼센트의 조성으로 되어 있다1. Fe2O3 48.5~50.5몰%, NiO 5~35몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 칩 인덕터 제조용 페라이
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<목적>고주파 대역에서 높은 임피던스와 손실 특성을 유지하면서도 노이즈제거 주파수의 제어가 가능한 필터조성으로서의 Ni-Cu-Zn계를 기본조성으로 하여 MnO2와 Co2O3가 소량 첨가되어 이루어진 고주파대역 EMI 노이즈 필터 조성물을 제공한다. <구성>(FE2O3)X (NIO)Y (ZNO)W (CUO)Z를 X=49.065 Y=9.82-24.90 W=20.31-35.39 Z=5.73(단, X,Y,W,Z=몰%) 주 성분으로 하여 MN2O3가 0.2-3WT% 첨가되어 구성하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물로 구성된다. <효과>Ni-Cu-Zn계 페라이트 원료조성에 MnO2나 Co2O3를 첨가하여 고주파대역(<10MHz)에서 높은 임피던스 및 손실 특성을 유지하면서도 소정의 주파수 대역으로 노이즈 제거 주파수의 이동이 가능하며, MnO2와 Co2O3를 동시에 첨가하는 경우에는 투자율과 손실 증가의 효과와 Co2O3에 의한 공진 주파수 상승의 효과를 발휘하게 된다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Mn2O3가 0.2∼3wt% 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물.청구항 2. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Co2O3가 0.2∼3wt% 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물.청구항 3. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Mn2O3가 0.2∼3wt%와 Co2O3가 0.2∼3wt%가첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI)노이즈 필터 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>세라믹스 원료 분말의 표면을 고분자성 무기 고분자(inorganic polymer)나 콜로이드로 코팅하여 혼합 원료 분말의 균질화와 소결능을 향상시킴으로써 저온 소결을 통해 치밀한 미세 구조를 갖는 고주파용 유전체 공진기를 제조한다. <구성>원료 분말의 균일한 혼합을 도모하고 소결 조작의 치밀화 및 소결 온도의 저하를 위해 세라믹스 원료 분말에 Al(OC4H9)3(aluminum-sec-butoxide: ASB)와 같은 고분자성 무기 폴리머와 실리카 콜로이드 단독 또는 혼합(ASB 21.13-84.52 중량%, 콜로이드 실리카 5.1-10.14 중량%)하여 졸-겔 코팅한 후, 건조와 분쇄 과정을 거쳐 하소하고, 소정 형상으로 성형한 후 1,200-1,300도C로 소결하여 고주파 유전체 공진기를 제조한다. 여기에서 분말을 폴리머 졸로 코팅함으로써 분말 표면에 삼투압 효과에 의한 혼합 구조의 안정화에 기인한 분산 효과와 이로 인한 균일한 성형체가 가능하고, 코팅에 의해 PbO의 휘발을 방지할 수 있고 소결후 입성장을 억제하여 균일하고 치밀한 미세 구조를 얻을 수 있고, 점성 소결에 의한 저온 소결이 가능하다.1. 세라믹 유전체 분말의 표면에 고분자성 무기폴리머를 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의제조방법.2.제1항에 있어서, 고분자성 무기 폴리머가 Al(OC4H9)3인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.3.세라믹 유전체 분말의 표면에 콜로이드를 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.4.제3항에 있어서, 콜로이드가 콜로이드 실리카인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.5.세라믹 유전체 분말의 표면에 고분자성 무기폴리머와 콜로이드를 혼합하여 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.6.제5항에 있어서, 고분자성 무기폴리머가 Al(OC4H9)3이고, 콜로이드가 콜로이드 실리카로서 두 성분의 혼합중량비가 Al(OC4H9)3 21.13~84.52wt%이고, 콜로이드 실리카 5.1~10.14wt%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>고손실 페라이트와 유전체를 동시에 소성하여 고주파 대역에서 높은 전자 감쇠능을 갖는다. <구성><(Fe2O3)x(NiO)y9ZnO)w(CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체, 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950도(섭씨)에서 동시 소성하여 고주파 대역 이엠아이필터를 만든다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950℃에서 동시 소성(co-firing)함을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터:상기식에서 x=49y=9-25w=20-35z=5.7(단, x,y,w,z=mol%)2. 제1항에 있어서, 유전체 페이스트의 조성은 (TiO2)100-x(CuO)x계를 기본 조성으로 할 때 x는 1≤x≤5의 범위이고, 여기에 첨가재로서 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt% 이하로 첨가됨을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 저온소결 페라이트의 제조방법에 관한 것으로 특히 하소된 페라이트 분말에 별도로 혼합 및 열처리를 행한 저온소결용 액상형성조제를 첨가하여 소결함으로써 가능하면서도 내부전극과의 반응이 없는 페라이트 소결체를 제조하는 방법에 관한 것이다.최근, 컴퓨터산업 및 전자통신산업들에 사용되는 주요부품들은 전자화로l 집적화, 고성능화에 대응하기 위하여 소형화 및 칩화의 추세로 나아가고 있으며, 이를 수용하기 위하여 표면상장기술의 이용이 날로 확대되고 있는 실정이다.이와 같이 칩화되고 있는 많은 전자부품중에서 페라이트를 사용하고 잇는 부품의 수가 증가되고 있는데, 페라이트를 사용하고 있는 부품의 대표적인 예로는 노이즈필터(noise filter),인덕터(inductor)등이 알려지고 있다. 페라이트는 그 조성에 따라 다소의 차이가 있긴 하나 대략 1200~1300℃ 온도에서의 소결을 통해 제조되고 있다.한편,페라이트 재료를 사용하고 칩부품을 제작함에 있어서는 페라이트 내부로 전극이 통과하여야 하므로 페라이트의 조성과 소결조건등은 전극의 선정에 매우 중요한 역할을 하게 된다. 칩부품의 제조를 위해 전극과 세라믹을 동시에 소결하는 경우로서 우수한 전기적 특성을 갖는 칩부품을 열기위해서는 다음과 같은 문제점이 고려되어야 한다.첫째, 내부전극의 산화환원반응으로 인한 부피변화로 전기 전도성과 구조적 결합의 발생,화학반응등의 문제점.둘째, 동시소결시 전극과 세라믹간의 수축을 차이로 인한 박리(delamination)의 문제점.셋째,내부전극과 세라믹간의 화학반응으로 인한 체면에서의 새로운 상의 생성이나 상호확산으로 인한 특성저하의 문제점.1.하소된 페라이트 분말에 Bi2O3와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 백상형 성조제를 첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2.제1항에 있어서, 액상형성조제의 Bi2O3와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750~850℃사이인 조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3.제2항에 있어서,다른 산화물은 CeO2,ZrO3,TiO,SiO3,MgO,CuO,CaO,BaO,Al3O3 또는 SnO인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>액상 형성 조제로서 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킴으로써 저온 소결 페라이트를 제조한다. <구성>산화물을 적절한 비율로 혼합하여 이를 열처리하여 안전된 상을 형성한 액상 형성 조제를 하소한 페라이트 분말에 첨가하여 소결하는데 기술적 특징이 있다. 여기서, 액상 형성 조제는 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시키게 된다. <효과>저온 소결이 가능하고 내부 전극인 Ag와 반응하지 않으며 우수한 전기적 특성을 나타냄으로써 EMI 노이즈 필터, 적층칩 인덕터 및 하이칩 임피더 등의 재료에 활용될 수 있다.1. 하소된 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 액상형성조제를첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 액상형성조제의 V2O5와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750∼850℃ 사이인조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 다른 산화물은 ZrO2, ZnO, Y2O3, SrO, SiO2, MgO, CuO, CaO, BaO 또는 Al2O3인것을 특징으로하는 저온소결 페라이트의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^발명의 명칭 : 휴대폰의 착신을 알려주는 작동구출원번호 : 10-2000-75162출원일 : 2000년 12월 11일내용 : 출원명세서(도면 포함)를 아래아 한글 파일 형식으로파일전송(첨부파일)에 상세한 내용이 있습니다.참고 : 휴대폰 수신을 알려주는 주 기능 외에 기타 다양하게 응용하여 사용될 수 있습니다."새해 복 많이 받으십시오!"2001. 01. 01.이향제. 드림.^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^발명의 명칭 : 휴대폰의 착신을 알려주는 작동구출원번호 : 10-2000-75162출원일 : 2000년 12월 11일내용 : 출원명세서(도면 포함)를 아래아 한글 파일 형식으로파일전송(첨부파일)에 상세한 내용이 있습니다.참고 : 휴대폰 수신을 알려주는 주 기능 외에 기타 다양하게 응용하여 사용될 수 있습니다."새해 복 많이 받으십시오!"2001. 01. 01.이향제. 드림.
- 등록일
- 2001-01-19
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전기·전자 > 기타 전자제품
에너지관리시스템(EMS)의 원격단말장치(RTU)에 과한 것으로 특히 RTU의 기능을 보강하는 방법과 그 장치에 관한 것이다. 원격단말장치(RTU)는 에너지관리시스템(EMS)으로 전송되는 데이터신호를 읽어서 기억장치에 저장하거나 RTU로부터 입력되는 데이터 신호를 기억장치에 저장하거나 RTU로부터 입력되는 데이터 신호를 기억장치에 저장된 데이터로 교체하여 EMS로 전송하는 EMS통신부, 데이터를 외부장치로 전송하거나 입력되는 데이터신호를 기어장치에 저장하는 외부장치 인터페이스부를 구비하고 EMS통신부는 비정상상태 발생시 RTU로부터 전송되는 데이터 신호를 차단하여 직접 EMS로 전송되게 하는 고장진단처리부, TTL신호로 변환시키는 신호레벨변환부를 포함하는 EMS통신프로그램 메모리, 인터럽트 신호에 의해 EMS통신프로그램을 수행하는 EMS CPU를 포함한 EMS CPU보드로 구성된 장치에 관한 것이다.전력계통 운용전반에 관한 사항을 중앙에서 감시하며 효율적인 전력계통 운용을 위하여 발전소 및 변전소를 총괄통제하는 에너지관리 시스템과, 에너지관리 시스템과 연결되며 발전 및 송배선에 관련된 데이타신호들을 에너지관리 시스템으로 전송되고 에너지관리 시스템의 명령에 의해 개페기를 온/오프시키는 원격단말장치로 구성되는 시스템에 있어서 원격단말장치는 에너지관리 시스템으로 전송되는 데이타신호를 읽어서 기억장치에 저장하거나 원격단말장치로부터 입력되는 데이터 신호를 기억장치에 저장된 데이터로 교체하여 에너지관리 시스템으로 전송하는 에너지관리시스템통신부 및 기억장치에 저장된 데이터를 외부장치로 전송하거나 외부장치로부터 입력되는 데이타신호를 기억장치에 저장하는 외부장치 인터페이스부를 구비하고 에너지관리 시스템의 통신부는 비정상상태 발생시 원격단말장치로부터 전송되는 데이타신호를 차단하여 직접 에너지관리 시스템으로 전송되게 하는 고장진단처리부와 원격단말장치로부터 전송되는 데이타신호를 TTL신호로 변환시키는 신호레벨 변환부를 포함하는 에너지관리 시스템 통신보드 및 데이타신호에 의해 인터럽트신호를 발생시키는 인터럽트 컨트롤러와 에너지관리 시스템 통신프로그램을 저장하는 통신프로그램 메모리와 인터럽트 컨트롤러가 발생시키는 인터럽트신호에 의해 통신프로그램을 수행하는 CPU를 포함하는 CPU보드로 구성되는 것을 특징으로 하는 에너지관리 시스템 단말장치의 기능보강장치이다.
- 보유기관
- 전력연구원
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
위약전력 사용실태를 탐색할 수 있는 위약전력 탐색 장치를 제공하는 것으로 적산전력계의 인입선중 어느 한선에 흐르는 부하전류의 크기에 비례한 기전력을 유지시킨 후 이를 정류 평활시켜 직류전압을 검출하되 15분 단위로 적분값을 리셋트시켜 가며 평균전력을 검출하는 부하검지부, 부하검지부의 평균전력을 기준값과 비교하여 위약전력 사용중인가를 검출하고 이를 표시하는 위약 검출표시부, 부하검지부의 평균전력을 기억시키는 메모리부, 메모리부에 기억된 평균전력과 부하검지부의 평균전력을 비교하는 비교부, 비교부에서 부하검지부의 평균전력이 큰 것으로 판단될 때 펄스 발생부의 펄스를 메모리부에 인가시켜 큰 값의 평균전력이 기억되게 하는 스위치부, 펄스 발생부의 펄스를 체크하여 정해진 시간동안 부하검지부에서 평균전력을 검출시키는 타이밍부로 구성된다.부하전류에 대한 일정시간내의 평균전력을 검출하는 부하검지 수단과, 부하검지 수단의 평균전력을 기준값과 비교하여 위약전력 사용을 검출하고 이를 표시시키는 위약검출 표시수단과, 부하검지 수단의 최대 평균 전력을 기억시키는 메모리 수단과, 메모리 수단에 기억된 평균전력과 부하검지 수단의 평균전력을 비교하는 비교수단과, 비교수단에서 부하검지수단의 평균 전력이 큰 것으로 판단될 때 펄스발생수단의 펄스를 메모리 수단에 인가시켜 큰 값의 평균전력을 기억시키는 스위치 수단과, 펄스 발생수단의 펄스를 체크하여 정해진 시간동안 부하검지 수단에서 평균전력을 검출시키는 타이밍 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위약 전력 탐색장치.
- 보유기관
- 전력연구원
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 고안은 폴더형 휴대폰에 있어서, 세로방향으로 오픈된 LCD를 가로방향으로 전환하여 배열할 수 있도록 한 장치에 관한 것이다.따라서, 문자 및 동영상 처리에 있어서 보다 효율적인 가로 방향 LCD 화면을 형성할 수 있다.폴더형 휴대폰의 힌지 일측에 가로 방향으로 전환할 수 있는 힌지를 부가하는 것으로서, 기존의 세로 방향으로 오픈 되었을 시 형성된 LCD의 경사각도와 가로 방향으로 전환하여 배열된 LCD의 경사각도를 같게하여 LCD를 보는데 아무런 불편함이 없도록하는 것이 특징이다.
- 보유기관
- 진코퍼레이션
- 등록일
- 2001-04-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 무선 지문인식 시스템에 관한 것으로, 사용자가 지문인식 수단을 구비한 송신기를 이용하여 지문을 인식하고 메인시스템에 송신을 하여 메인시스템으로 부터 보안 허가을 받아 출입을 하는것이다. 일반적으로, 사용자가 지문인식 수단을 구비한 송신기를 휴대하여 보안을 필요로하는 시스템에 직접 유선으로 지문을 인식 하지 않고서도 원거리에서 자신의 지문을 인식하여 송신하므로 다수의 사용자가 보안을 필요로하는 시스템에 다수의 사용자가 동시에 출입을 허가 받아 출입할수 있는 것이다. 또한 원거리에서 자신의 지문을 인식하여 암호화한 변조신호를 송신하므로 도청으로 부터 안전하며 사용자가 휴대한 지문인식 수단을 구비한 송신기로 지문인식을 필요로하는 보안시스템에 모두 사용할 수 있는 특징이 있다.본 발명은 지문인식 수단을 구비한 송신기를 사용자가 휴대하여, 지문인식을 필요로하는 모든 시스템 적용을 할 수 있으며, 지문 인식부가 위치하는 환경이나 특수한 상황에서도, 원거리에서 사용자가 지문을 인식하여 사용할 수 있다, 또한 다수의 사용자가 각기 자신의 송신기로 지문을 인식하여 송신하므로 동시에 지문인식과 출입을 허가 받을 수 있고, 사용자가 직접 유선으로 연결된 지문인식부에 지문을 인식 시키지 않아도 되며, 지문인식을 한 신호를 암호화 하여 송,수신하므로 보안을 더한층 높일 수 있도록 한 것이다,
- 등록일
- 2001-04-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
전원을 쓰지 않는 무전원 RF IC CARD로서 1. 근거리에서 사용할 수 있는 초저가형 카드와2. 상당히 먼 거리에서 사용할수 있는 카드기술1. 초저가형의 경우 저럼한 가격을 무기로 다양한 응용처를 개발할 수 있으며2의 경우 ITS, 식별카드등 다양한 응용이 가능함가격과 기술면에서 경쟁력이 있음.
- 보유기관
- 한국발명진흥회
- 등록일
- 2001-05-16
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