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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

고속 가스 흐름을 위한 분광 기반 중량 흐름 센서

이 발명품은 제트 엔진의 연소 부산물의 트러스트 밸브를 비침격적으로 얻기 위한 방법과 시스템이다. 이 시스템은 트러스트 밸브 이후를 계산하기 위한 방법과 제트 흐름 스트링의 밀도와 축속도 결정에서 사용하기 위한 흡수를 유도하기 위한 레이저 방법을 포함한다.비침격, 정밀, 출구 속도와 가스 밀도 측정, 입자와 추정기 미사용, 신뢰성 있는 비행 추력 측정

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특허법인충정
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2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

MMIC 냉각 펄스 위상 검출기

이 발명품은 고주파 과도 입력 신호 해석을 위한 새로운 위상 검출기이다. MMIC는 기준 펄스와 입력 펄스 사이의 전승 선로상의 GHz 범위에서 충돌 사건을 포획하기 위해 사용하는 다이오드 탭의 다수를 가진 전송 선로를 포함하며 그 신호의 특성을 해석한다. 예를 들어 진폭 위상 시간 정보는 트리거링 클록 보간을 통하여 2개의 신호는 얻어지며 데이터 복조 그리고 다른 응용을 위해 이용된다.기준 펄스와 입력 펄스 사이의 전승 선로상의 GHz 범위에서 충돌 사건을 포획하기 위해 사용하는 다이오드 탭의 다수를 가진 전송 선로를 포함, 그 신호의 특성을 해석

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특허법인충정
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2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

이리듐 기반 수은 미세 전극 배열: 수양액 용액에서 중금속을 위한 센서

이 발명품은 수중에서 용해된 중금속 이온 해석을 위한 저비용, 고성능 마이크로 센서이다. 이 센서는 매우 희박한 이온 집중을 측정할 수 있는 “양극 스트리핑 볼트 측정” 이라 불리는 전기 화학적 기법으로서의 장점을 가지고 있으나 소형화하지 못하고 있었다. 종래의 큰 전극보다 미세한 이리듐 전극들이 실리콘 유리 또는 세라믹과 같은 기판상에 마이크로 리소그래피를 이용하여 제작하였다. 이 센서는 전기 화학적으로 발생하고 전기적으로 외부 접속으로 제작된 것을 제외하고 실리콘 탄화 또는 실리콘 질화와 같은 플라스마 증착 박막을 이용하여 절연하였다. 전극 위치에서 작은 수은 반구들은 전기 도금에 의해 형성되었다. 이 장치들은 매우 적은 비용으로 대량 생산할 수 있으며 처리할 수 있다.부가적인 전해질 없이 천연수 사용 가능, 저비용

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특허법인충정
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2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

픽셀 레벨 A/D 변환을 가진 CMOS 영역 영상 센서

통합 픽셀 레벨 처리를 가진 새로운 영역 영상 센서 기술이 개발되었다. 이 영상 센서는 CMOS 공정으로 구축되었고 따라서 저비용이며 즉시 디지털 처리할 수 있게 직접화되었다. 이 영상 센서는 출력 전류들이 충돌광의 진폭에 관련한 출력 전류의 광다이오드 2차원 배열로 구성되었다. 각 픽셀에서의 전류는 시그마 델타 변조기를 이용하여 디지털 스트링은 즉시 전환된다. 이 데이터는 행렬 디코더와 간단한 검출 증폭기들을 이용하여 디지털 메모리에 대한 동일한 방법에서 배열을 판독한다. 따라서 입력과 마찬가지로 센서의 출력은 모두 디지털이며 워크스테이션 네트워크상에 비디오 회의와 같은 디지털 응용에 접합하게 적용할 수 있다. 이 센서는(등가 CCD 영상 센서의 10%보다 적은) 낮은 전력을 소비하며 따라서 비디오 전화와 같은 휴대용 기기에 적합하다. 간단한 픽셀 레벨 압축은 출력 데이터에서 충분한 감소를 마련한 센서로 집적화 할 수 있다. 몇 가지 시험칩들이 제작되었으며 MOSIS를 통하여 마련된 0.8미크론 3층 금속 CMOS 기술에서 완전 시험하였다. 광다이오드와 A변환 회로를 포함한 0.5미크론 3층 금속 CMOS 공정 각 픽셀은 30%의 fill factor를 가진 거의 15×15 미크론 평방에 실장 되었다. 따라서 640×480(NTSC 표준) 센서의 크기는 11×11mm 제곱보다 작다.픽셀 레벨 데이터 해석과 처리

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특허법인충정
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2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

모세관 전기 영동을 위한 미세 조작된, 광학 분리형 전기 화학 감지체

모세관 전기 영동(CE)은 복잡한 혼합물 분석을 위한 강력한 분석적 분리 기술이다, 표본의 화학적 조성을 결정하기 위해 전기 화학적 감지체가 CE에서 흔히 사용된다, 전기 화학 감지체가 극복해야 할 두 문제는 1에서 30kV 존재 퍼텐셜로부터 감지체 기구를 분리하는 것이고 전력 공급 소음을 감소시키는 것이다, 감지체는 감지 전극이 고분리 전압으로부터 전기적으로 분리되게 한다, 분리 전압으로부터 감지체의 전기적 분리를 보상하지 않는 방식으로 분리된 표본의 개개 구성원의 신호가 분석을 위해 전달된다감지 전극이 고분리 전압으로부터 전기적으로 분리된다

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특허법인충정
등록일
2001-03-03
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

Sub-poissonian 상태 광학 간섭계

광선 분리 인자, 광자 입력 그리고 광자 출력을 가진 sub-poissonian 간섭 측정을 위한 기구와 방법이다, 이 기구는 광학 경로 길이 차이를 유도해 간섭계가 상 의존적 광선 분리계로 작동하도록 하는 광학 경로 길이 조정를 갖는다, 또한 광자의 진폭과 상이 불특정한 강도 압축 상태에서 광자를 생성하는 방사선 생성 기구를 포함한다더 작은 상 전이도 감지할 수 있는 개선된 민감성, 저비용의 고부피 반도체 판막 제작법과 호환되는 과정

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특허법인충정
등록일
2001-03-03
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

미세 기계성 측면 압력 저항력 센서

미세 기계성 외팔보의 새로운 구조이다, 이 구조는 수직 편향 감지를 위한 편평한 수평 압력 저항 광선과 수평 편향 감지를 위한 고면율(high-aspect-ratio) 압력 저항 인자("rib")로 구성된다외팔보 구조는 각 편향 양상의 측정 정밀도를 높이기 위해 독립적으로 측면 편향과 수직 편향을 측정한다, 이런 압력 저항기는 만들기 쉽다

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특허법인충정
등록일
2001-03-03
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

화학 감지체인 탄소 나노 튜브

화학 감지체로서 단일 벽을 가진 탄소 나노튜브를 이용하는 기술이다, 저 농도 기체 분자에 노출시키면 여러 진폭으로 빈도체성 SWNT의 전기 저항성이 변한다, 가역성을 갖고 상온에서 작동되는 나노튜브 분자 감지체는 매우 높은 민감성과 빠른 반응을 보여 준다상온에서 작동, 가역적, 높은 민감성, 빠른 반응

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특허법인충정
등록일
2001-03-04
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

적외선 센서어레이 및 그 제조방법

본 발명은 테이프 케스팅방법을 이용하여 배선층이 포함된 세라믹소자 및 필터를 직접 적층하는 일체형이기 때문에 세라믹소자의 불필요한 배선에 의해 발생되는 기생 임피던스 성분을 최소화할 수 있는 적외선 센서어레이 및 그 제조방법에 관한 것임테이프캐스팅 기술을 이용한 저가의 적외선 어레이센서 제작기술

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전자부품연구원
등록일
2001-09-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

초전형 적외선 센서용 세라믹 소결체 및 그 제조방법

본 발명은 PSS-PT-PZ 세라믹의 분말입도 및 소성조건을 최적화하고 소결시의 PbO 휘발을 효과적으로 억제하기 위한 분위기 분말의 정량적인 제어를 통하여 초전형 적외선 센서에 이용할 수 있는 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것임. PSS-PT-PZ 세라믹의 분말 입도 및 소성 조건을 최적화하고, 소결시의 PbO 휘발을 효과적으로 억제하기 위한 분위기 분말의 정량적인 제어를 통하여 초전형 적외선 센서에 이용할 수 있는 세라믹 조성물 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 세라믹 조성물은 제1성분인 0.05내지 0.15mole 정도의 Pb(Sn1/2Sb1/2)O3와, 제2성분인 0.11 내지 0.29mole 정도의 PbTiO3와, 제3성분인 0.66 내지 0.84 mple 정도의 PbZrO3와 0.1-0.5 wt%의 MnO2로 구성된다. PSS-PT-PZ 세라믹의 무게비(weight ratio)(= PZ/9PSS-PT-PZ))는 0.3-0.8 범위를 가지며, 섭씨 1230-1280도의 범위의 소결온도, 및 2시간 정도의 소결시간을 갖는 분위기에서 소성된다초전형 적외선센서의 화학적 물질조성개발/인체감지용세라믹센서기술/

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전자부품연구원
등록일
2001-09-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

가스 감지소자의 제조방법및 이에 사용되는 담체원료용 분말의 제조방법

본 발명은 담체 원료분말로서 감마-알루미나 분말을 이용하는 접촉연소식 가스 감지소자 및 그 제조방법에 관한 것임. 담체 원료분말로써 미세 r-알루미나 분말을 이용하는 접촉연소식 가스 감지 소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 가스 감지소자는 알루미나 성분의 세라믹 접착제로 덮어진 전기저항 필라멘트와, 상기 필라멘트를 둘러싸고 비표면적이 큰 미세한 r-알루미나로이루어진 담체와, 및 상기 담체에 담지되는 촉매제로 이루어진다. 또한, 이의 제조방법으로 미세한 r-알루미나로 이루어진 담체원료용 분말을 제조하는 단계와, 싱기 담체원료용 분말을 페이스트화 하여 전기저항 필라멘트에 덮는 단계와, 상기 담체원료용 분말이 포함된 상기 필라멘트를 소결하여 담체를 만드는 단계와 및 상기 담체에 촉매제를 담지하는 단계로 이루어진다. 본 발명에 의하면, 비표면적이 큰 담체원료 물질로 인하여 촉매제의 고분산 효과와 담지능력을 향상시킬 수 있다 -접촉연소식 검지방식의 벌크형 가스센서임. -전기저항변화 검지 및 센서동작용 히터 역할 겸용 미세 백금 코일로 구성 -Heat capacity가 큰 알루미나 담체를 원료로 Pt, Pd계 촉매제가 표면에 코팅되어 있음. -촉매제의 고분산 및 수명향상을 위해 비표면적이 큰 알루미나 담체 사용.

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전자부품연구원
등록일
2001-09-01
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

전이파의 종류에 따라 미세한 빛을 증폭시켜 감지하는 생산공정센서기술

센서기술은 센서가 감지하는 전이파의 종류에 따라 나누어질 수 있다. 생산기기가 변형 파괴되면서 발생하는 일종의 탄성파를 감지하는 기법(AE기법)과 저 감도의 빛을 감지하는 기법 등이 있다. 본 술은 이런 미세한 파나 빛을 증폭시켜 감지하는 기술로 자동화기기나 생산과정을 관리한다. 하드웨어와 소프트웨어를 변조시켜서 발전단계를 단축시킴

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대일기업평가원
등록일
2002-02-04
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

콘크리트 구조물 변형 측정 파이버 광 센서

철근 콘크리트 구조, 특히 다리와 같은 구조물의 안전관리를 위해 새로운 ser-Bragg-Gittern의 토대가 되는 광 센서가 사용된다. 이 센서는 확대 현상을 오랫동안 규칙적으로 측정하는데 적당하다. 확대되는 것을 감지하는 센서나 균열을 감지하는 센서는 전자 마그네틱에 민감하지않고 눈금을 표시할 필요가 없다. 이것은 강철 콘크리트 구조물에서 팽창하거나 틈이 생기는 것을 확인 하는데 적당한 센서이다.장기간에 걸친 확대측정, 눈금을 잴 필요가 없다. 전자 마그네틱에 민감하지 않으며. 팽창측정에 사용되는 전기측정처럼 측정수치의 오차가 적다. 균열된 넓이 측정도 가능하다.

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대일기업평가원
등록일
2002-02-04
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

가스 분석용 센서시스템

일산화탄소와 수소를 측정하거나 검사하는데 중점을 둔 가스센서 기술로 혁신적인 작업과정과 소형화 된 센서 요소들을 만들어내는데 사용되는 재료들을 제시하고 잇다. 배출가스의 그간수치를 얻어내는 환경기술 센서시스템과 같은 분야에서 쓰여지는 센서시스템의 생산 기술이다.소형화 되고 강한 가스센서로서 사용시 새로운 재료와 작업방법이 사용된다.

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대일기업평가원
등록일
2002-02-04
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

압력감지기

본 발명은 유동하는 유체의 압력을 감지하는 압력감지기에 관한 것으로서, 특히 솔레노이드를 이용하여 유체의 압력에 비례하는 전기적 아날로그신호를 발생할 수 있도록 된 압력감지기에 관한 것이다.본 발명의 압력감지기는 압력을 측정하고자 하는 위치와 연통되는 개방구(10)가 상부면에 형성되어 있는 상부바디(1); 상기 상부바디(1)에 결합되는 것으로서 저부에 슬라이드공(20)이 형성되어 있는 하부바디(2); 상기 상부바디(1)와 하부바디(2) 사이에 결합되어서 내부공간을 압력측정위치와 연통되는 상부챔버(12)와, 외부대기와 연통되는 하부챔버(22)로 나누는 다이아프램(3); 상기 슬라이드공(20)에 슬라이드 가능하게 삽입되는 것으로서, 그 상부의 원판(40)이 상기 다이아프램(3)과 결합되어 있는 플런저(4); 그리고 상기 슬라이드공(20)의 외주에 구성된 솔레노이드(5)로 구성된 것을 특징으로 한다.

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한국발명진흥회
등록일
2002-03-25
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

질량유량계의 유량측정센서

질량유량계(Mass Flow Controller:MFC)의 유량측정센서-기존기술:단일관을 이용항 유량감지-개발기술:이중관을 이용한 유량감지이중관 방식을 이용항 유량측정 센서의 장점(기존의 단일관 방식에 비하여)- 센서부의 선형유량범위가 훨씬 더 넓다- 약 500 sccm까지는 유량측정센서부만으로 측정가능하다- Bypass부가 필요없다- 제작비용이 저렴하다- 신뢰성이 높다

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캐스캐이드
등록일
2002-04-23
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

파이로 전기 집적 열 감지기(T-1.183)

CCD 신호 프로세스와 결합한 유기 파이로 전기 재료로 구성된 멀티 엘리먼트 열 감지기의 집적된 구조의 생산 기술 개발. 감지기의 얇은 열감지 필름은 실리콘 크리스탈 위에 Curved membrane을 얻은 형상으로 제작됨. NETD는 0.5K 이하임파이로전기 필름 응용 프로세스는 기본 IC 제작 공정에 적절히 이용 가능함. 100*100 마이크로제곱미터에 2*128의 요소(elements)

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티알씨코리아
등록일
2002-04-30
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

광학식 로타리 엔코더 (위치 및 속도 센서)제조기술

1.광학식 로타리 엔코더의 개요.1)기계적 변위를 전기적 변위로 변형(Transducing)시키는 것에는 아나로그방식과 디지털방식이 있는데 디지털방식임.2)변위는 직선이동 변위와 회전이동 변위가 있는데 회전체에 부착하여 회전 변위량과 속도를 검출하는 것.3)변위를 검출하는데에는 광, 자기 및 유도전기를 이용하는 것이 있는데 광을 이용하는 것.2.구조 발광소자와 수광소자 사이에 빛의 통과/차단 부분(slit / non-slit)을 갖고 있는 부호원판을 삽입하고, 이를 회전체에 고정시켜 회전체와 함께 회전하게 되면, 발광소자의 빛이 부호원판상의 Slit부분과 Non-slit부분에 따라 통과/차단됨으로써 수광소자의 출력단에 On/Off형태의 전기적 양의 변화를 일으킨다. 이 신호변화를 별도의 데이터 수집기등으로 해석하여 기계적 변위량 혹은 시간당 기계적 변위량을 검출하는 위치/속도 검출기임.* 기술적 특징1)광학식 로타리 엔코더는 다음과 같은 사항에 따라 하급 기술부터 최첨단기술까지 구분되어 질 수 있다.(1)응답성(2)정확도(3)내환경성(4)크기(5)응용성2)상기 2항의 구조를 고려하면, 응답성은 기계적 요소인 베어링의 특성과 광소자, 신호증폭소자 및 출력소자등의 반도체특성에 주로 좌우되며, 특히 광소자가 중요하다. 정확도는 부호원판과 기계가공부품의 가공품질 및 전체 조립과정에서의 조립품질향상을 위한 제조기술이 중요하며, 특히 각 요소의 위치정밀도가 중요하다. 검출기의 대부분이 그러하듯이 내환경성과 크기의 규제와 다양한 응용에 적용되도록 하는 기술이 중요하다.여기서의 기술판매대상은 응답주파수 300KHz, 정확도 분해능 2500/회전, 50+/- 10% Duty cycle 및 1/4T+/- 0.1T, 내환경성 IP55, 크기 외경 28mm정도의 광학식 로타리 엔코더임.

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(주)매크로21
등록일
2002-05-07
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

휴대형 수소 가스 분석기(T-1.314)

동 가스 분석기는 공기 중에 수소 밀도를 측정하기 위해 개발된 장비로, laser로 가공된 MIS(metal-insulator-semiconductor)구조의 센서를 기본 장비로 하고 있음. 측정범위 0.0001~2 % volume, 반응시간 10초 이내, 운전시간(바테리의 완전 충전 시) 6시간 이상, 측정 에러 10% 이내, 무한대의 센서 수명의 기술적 특성을 보유함.고감도, 고속 작동, 저 전력 소비, 공기중의 황화수소 및 이산화 질소의 측정도 가능함

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티알씨코리아
등록일
2002-05-10
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

기능성 마이크로 소자의 희생층 제거 방법

본 발명은 마이크로 소자의 희생층 제거 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼(20)의 상부에 기능성 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막의 상부에 상기 기능성 막을 보호하는 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막을 식각시켜 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈시키는 단계와; 상기 오픈된 실리콘 웨이퍼(20)를 통하여 고체 상태로부터 승화된 XeF₂가스를 사용하여 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각함으로써 상기 기능성 막을 상기 실리콘 웨이퍼(20)로부터 부상된 형태를 형성하는 단계로 구성된다.따라서, 본 발명은 부상된 형태의 기능성 막을 갖는 마이크로 캔틸레버 또는 브리지 형태 등의 구조물을 형성하기 위하여 실리콘의 희생층을 효율적으로 제거하여 부상된 형태의 기능성 막의 전기 기계적 특성을 최종 공정까지 용이하게 유지할 수 있는 효과가 있다.본 발명은 마이크로 소자의 희생층 제거 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼(20)의 상부에 기능성 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막의 상부에 상기 기능성 막을 보호하는 막을 형성하는 단계와; 상기 기능성 막을 식각시켜 실리콘 웨이퍼(20)를 오픈시키는 단계와; 상기 오픈된 실리콘 웨이퍼(20)를 통하여 고체 상태로부터 승화된 XeF₂가스를 사용하여 상기 실리콘 웨이퍼(20)를 식각함으로써 상기 기능성 막을 상기 실리콘 웨이퍼(20)로부터 부상된 형태를 형성하는 단계로 구성된다.따라서, 본 발명은 부상된 형태의 기능성 막을 갖는 마이크로 캔틸레버 또는 브리지 형태 등의 구조물을 형성하기 위하여 실리콘의 희생층을 효율적으로 제거하여 부상된 형태의 기능성 막의 전기 기계적 특성을 최종 공정까지 용이하게 유지할 수 있는 효과가 있다.

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전자부품연구원
등록일
2002-06-14
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