일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 테이프 카세트 플레이어에 있어서, 핀치롤러를 캡스턴축에 압착시키는 핀치롤러 구동장치에 관한 것이다. 데크에 그루우브가 형성되고, 핀치롤러는 그 그루우브를 따라 이동가능하게 설치된다. 로딩모터에 의해 왕복이동 가능하게 데크에 설치되는 슬라이드부를 가진다. 슬라이드부의 왕복이동에 연동하여 핀치롤러를 그루우브를 따라 이동시키기 위한 핀치롤러 이송수단을 가진다. 이동된 핀치롤러를 캡스턴축에 압착하는 핀치롤러 압착수단을 구비한다. 고안 핀치롤러 구동장치는 데크에 형성된 그루우브를 따라 핀치롤러를 캡스턴축에 압축시키거나 이격된다. 핀치롤러 구동장치의 설치에 필요한 공간을 축소시킬 수 있으며 이에 따라 기록 재생장치의 소형화가 가능하다.본 기술은 다음을 가진다. 데크에 설치된 로딩모터의 회전력을 이용하여 핀치롤러를 캡스턴 축에 압착구동하는 핀치롤러 구동장치. 소정의 그루우브가 형성되고, 핀치롤러는 상기 그루우브를 따라 이동 가능하게 설치된다. 상기 로딩모터에 의해 왕복이동 가능하다. 상기 데크에 설치되는 슬라이드부와 상기 슬라이드부의 왕복이동에 연동하여 상기 핀치롤러를 상기 그루우브를 따라 이동시킨다. 핀치롤러 이송수단과 핀치롤러 이송수단에 의해 이송된 핀치롤러를 캡스턴축에 압착하는 핀치롤러 압착수단을 구비한다.
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- (주)피앤아이비
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- 2006-03-15
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디지탈 데이타를 자기 테이프에 기록하거나 자기 테이프 상에 기록된 디지탈 데이타를 재생하려 할때 재생되는 신호가 직류성분을 포함한 경우 디지탈 데이타는 정확히 재생될 수 없다. 이러한 이유로 디지탈 데이타는 직류성분이 없는 디지탈 변조시스템을 사용하여 기록되어야만 한다 발명에 의한 디지탈 변조방법 및 장치는 4개의 롬, 제1-3데이타 선택부, CDS 변환 및 DSV 계산부와 이음매계산 및 선택신호발생부로 구성되어 8-14 변조시 사용되는 롬의 사이즈를 대폭 감소시킬 수 있을 뿐 아니라 1칩화하는 것이 가능한 잇점이 있다.본 기술은 다음을 포함한다. CDS 값의 크기와 패턴의 시작 비트에 따라 소정의 변조 테이블에서 선택된 데이타수를 14비트 데이타로 이루어진 변조 코드와 2비트의 CDS로 만드는 과정. CDS를 소정의 방식으로 변환하고 변조 코드를 선택하는 제1변조코드 선택과정 ; 출력되는 변조코드의 연속수에 따라 선택된 변조 코드 중 변조 코드를 선택하는 제2변조코드 선택과정 ; 제2변조코드 선택과정에서 선택된 변조 코드 중 이전 변조 코드와 다른 값의 비트가 나오는 변조 코드를 선택하는 제3변조코드 선택과정.
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- (주)피앤아이비
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- 2006-03-15
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 캠코더나 배터리팩을 사용하는 라이트등과 같은 외부전원 공급부에 적용시켜 이용하는 외부전원용 접지장치에 관한 것이다.종래의 접지장치는 별도의 케이스에 걸림턱을 갖는 커버가 설치되고 상기의 걸림턱에 걸리도록 케이스내에 판스프링을 내장설치하며 판스프링의 일측단에 접지핀을 고정설치하여 구성된 것이었다. 이와 같은 종래의 기술은 판스프링의 탄력에 의하여 접지상태를 유지하게 되는데 상기의 판스프링은 벤딩부에서 쉽게 피로한도(fatigue)가 일어나 탄력성이 떨어져 접지상태가 불안정하게되고, 또한 별도의 탄력스프링과 커버 및 케이스 등을 구성함에 따른 구성부품의 증가가 일어나 이로인한 조립의 난이성과 단가가 상승되는 폐단이 있었으며, 판스프링을 사용함에 따른 케이스의 스페이스가 커지게 되고 또한 필요시 크기의 변경이 곤란한 등의 문제가 있었다.따라서, 본 기술은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 외부전원공급부에 적용시켜 이용하는 접지장치를 구성이 간단하면서 제작이 용이하고 필요한 크기로의 변경이 용이하며 항시 양호한 접지상태를 유지토록함에 그 목적이 있다.본 기술은 캠코더나 브이티알의 외부전원공급부에 고정설치하는 지지판에 코일스프링과 접지핀이 내장설치된 동체를 인서트하여 결합하되, 상기 동체는 입구 주연에 걸림턱을 형성하고 후측에는 외이어가 연결되는 단자부를 형성하고, 접지핀에는 상기의 걸림턱에 걸리는 걸림부를 형성하여서 됨을 특징으로 하여, 피로한도가 판스프링에 비하여 거의 일어나지 않는 코일스프링에 의하여 접지핀과 외부와의 단자간에 그 접지상태를 유지하므로 항시 양호한 접지상태를 유지하게 되며, 또한 지지판의 크기를 용이하게 변경 사출할 수 있으므로 필요한 싸이즈에 맞게 조절할 수 있고, 코일스프링을 이용함에 따라 구성이 대폭 간소화되어 코스트가 절감되고 조립이 용이함등을 꾀할 수 있는 이점이 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2006-03-15
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전기·전자 > 전자부품
메모리장치에 있어서 이용방법에 관한 것으로, 특히 화상을 저장하는 메모리의 이용에 있어 메모리의 저장영역을 효율적으로 사용이 쉽게 하기 위한 메모리장치의 주소 변환방법 및 장치에 관한 것임. 어드레스 전환기법을 이용하여 화상의 논리적 어드레스(line address, pixel address)를 실제 메모리 공간상의 어드레스(row, column address)로 변환하되, 메모리의 사용을 극대화 하기 위한 어드레스 변환 방법 및 장치를 제공함. 상기 화상의 가로와 세로주소를 받아 저장하고, 세로주소를 미리 입력시킨 룩업테이블에 인가하여 화상의 한 라인의 시작점인 메모리의 실제 주소를 받고, 룩업테이블의 출력인 한 라인의 시작점 실제 주소와 가로주소의 일부를 더하여 화소의 정확한 주소의 상위부분을 얻고, 위에서 얻은 실제 주소의 사위부분과 가로주소중 위에 덧셈에 사용되지 않은 하위의 비트들은 모아 메모리의 실제 주소를 완성하고, 완성된 실제주소를 디램에 입력할 수 있는 형태인 로우 어드레스와 칼럼어드레스로 분리하는 것을 특징으로 하는 메모리장치의 주소변환방법.화상을 저장하는 메모리의 논리적 주소를 실제 주소로 변환하는 변환회로에 있어서, 상기 화상 N비트 데이터에 대해 클럭으로 카운트하여 세로에 대한 라인지정 주소발생과 상기 라인주소를 증가시키는 비트라인 카운터/래치와, 상기 화상의 소정비트 데이터에 대해 클럭으로 카운트하여 가로에 대한 화소 지정 주소발생과 상기 화소주소를 증가시키는 비트픽셀 카운터/래치와, 상기 비트라인 카운터/래치의 출력을 받아 실제 메모리 주소의 상위소정의 비트를 발생하는 물리적 어드레스 룩 업테이블부와, 상기 물리적 어드레스 룩 업테이블부의 출력(16비트)의 라인주소와 상기 비트 픽셀 카운터/래치의 출력(4비트)의 화소주소를 더하여 실제로 사용할 정확한 주소를 계산하는 가산부와, 상기 가산부의 출력으로부터 메모리의 정확한 실제 주소인 로우 칼럼 어드레스와 뱅크선택신호를 발생하는 N비트 물리적 어드레스 카운터/래치와, 상기 N비트 물리적 어드레스 카운터/래치에서 발생되는 칼럼 또는 로우 어드레스를 선택하는 로우/칼럼선택부로 구성됨을 특징으로 하는 메모리의 주소변환회로.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 DAT에 있어서 서치 방법에 관한 것으로, 특히 테이프에 기록된 서브 코드를 읽지 않고 테이프의 잔량 시간을 이용하여 테이프의 손상을 줄일 수 있는 서치 방법에 관한 것이다. DAT에 있어서 테이프 잔량 시간을 계산한 후 테이프를 EOT 영역으로 고속 전진시켜 테이프를 리와인드시키면서 ST-1D가 검출된 때마다 각 곡번에 해당하는 테이프 잔량 시간을 기억시키고 서치 키 신호가 입력될 때 속도 변환 서치를 수행하여 테이프의 손상을 줄인다.DAT에서 테이프의 손상을 줄이기 위한 서치 방법에 있어서, 테이프의 잔량 시간을 계산한후 테이프를 EOT영역으로 고속 전진하는 제1과정과, 상기 제1과정에서 테이프를 EOT영역으로 전진시킨후 리와인드시켜 각곡번에 해당하는 테이프 잔량 시간을 기억시킨은 제2과정과, 상기 제2과정에서 테이프 잔량 시간을 기억시킨후 서치 키신호가 입력될때 속도변환 서치를 수행하는 제3과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법. DAT에서 테이프에 기록된 서브 코드 데이타를 읽지 않고 서치하여 서치 속도를 높일 수 있는 서치 방법을 제공함에 있다. DAT에서 서치 속도를 다단계로 변화시켜 테이프의 손상을 줄일 수 있는 서치 방법을 제공함에 있다. DAT에 있어서 테이프 잔량 시간을 이용하여 초고속 서치를 할 수 있는 서치방법을 제공함에 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
위상, 주파수 검출기는 입력신호와 출력신호의 주파수를 같게하거나 위상차이를 0 또는 동상으로 유지시켜 PLL시스템에서 록킹시간을 단축할 수 있도록 한 위상-주파수 검출기에 관한 것이다. 록킹시간의 단축으로 기존 시스템보다 한층 빠른 속도를 자랑한다. 입력신호와 출력신호의 주파수를 같게하거나 위상 차이를 0 또는 동상으로 유지시켜 PLL시스템에서 록킹시간을 단축할 수 있도록 한 위상-주파수 검출기에 관한 것으로, 이러한 본 발명은 기준신호(Ref)와 피드백신호(Fb)를 인가받아 위상 차이를 비교하여 Up신호를 발생하는 Up신호발생부와, 기준신호(Ref)와 피드백신호(Fb)를 인가받아 위상 차이를 비교하여 Dn신호를 발생하는 Dn신호발생부로 구성되는 것에 착안한 발명이다. PLL시스템 위상-주파수 검출기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 입력신호와 출력신호의 주파수를 같게 하거나 위상 차이를 0 또는 동상으로 유지시켜 PLL시스템에서 록킹시간을 단축할 수 있도록 한 위상-주파수 검출기에 관한 것이다.일반적으로, 현대 사회는 컴퓨터와 인터넷을 바탕으로 하는 통신 기술의 발전에 큰 영향을 받고 있는 정보화 사회이기 때문에 대용량의 정보를 신속하고 정확하게 전달하기 위해 반도체 칩으로 구성되는 마이크로프로세서와 개인용컴퓨터/워크스테이션(workstation) 및 통신 시스템에 고성능, 고속화 그리고 다기능화가 요구 되고 있고, 이에따라 초고밀도 집적회로(VLSI) 기술에 의한 통신용 칩의 집적화가 급속한 성장이 이루어지고 있다.그런데, 여러개의 초고밀도 집적회로 칩들로 구성되는 고속 통신 시스템에서 외부의 동기된 클럭 신호를 각 칩에 공급 하더라도 각 칩 내부의 커패시턴스에 대한 부하값이 다르기 때문에 칩마다 클럭 신호의 타이밍이 서로 다르게 된다. 따라서, 이들 칩간의 클럭 스큐(Clock Skew)로 인해 데이터 전달과정의 고속화와 정확성에 문제점이 발생하게 되었다.이러한 상기 문제점을 해결하기 위해, PLL(Phase-Locked Loop : 위상 동기 루프)시스템이 통신 시스템에서 매우 중요한 부분으로 자리잡게 되었다상기 PLL시스템은 현재 각종 통신 시스템과 초고밀도 집적회로 칩에서 클럭 신호 동기화 등의 목적으로 광범위하게 사용되고 있다. 예를 들어, 시스템에서 데이터의 전송부와 수신부의 동기화를 위한 클럭 회복(Clock recovery) 회로, 칩간에 클럭의 비대칭을 최소화하기 위해 클럭을 이동시키는 디스큐(deskew)회로, 주파수와 위상의 복조와 변조, 그리고 주파수 합성과 체배(multiplication) 등에 이용되어 상용화 할 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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전기·전자 > 전자부품
* 원리 및 구성 본 기술은 자기 기록 매체 및 그 제조 방법에 대한 것으로 기판 및 기판 상에 하지층 및 FePt 기록층이 교대로 반복적으로 형성된 FePt를 이용한 자기 기록 매체를 제공하여 높은 정보 저장 밀도를 가진 새로운 구조의 수직 자기 기록 매체 및 그 제조 방법을 제시한다. * 개발 배경 최근 디지털 정보에 대한 수요는 본격적인 인터넷 시대의 개막, 디지털 영상 장치의 급격한 보급 및 멀티미디어 데이타의 확산 등에 의해 비약적으로 증가하고 있다. 용량이 큰 정보를 기록하기 위한 대 용량의 정보 저장 용량이 요구되고 있다. * 중요성 및 독창성 본 기술은 높은 정보 기록 밀도를 지니며, 정보 유지 등의 수직 자기기록 매체로서의 특성이 우수한 새로운 구조의 수직 자기기록 매체 및 그 제조 방법을 제공하였다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술은 기판과 이 기판 위에 FePt 기록층을 교대로 반복 형성하여 자기 기록 매체를 만들었다. 이로 인해 수직 방향의 자기 이방성을 얻기 힘들었던 기존 기술의 문제점을 개선하여 높은 수직 자기이방성을 얻을 수 있게 하여 고 기록 밀도를 지닌 정보저장 매체를 만들 수 있게 하였다.* 주요 적용 제품- 자기 기록 매체* 특징 및 장점- 고 기록 밀도를 지닌 정보 저장 매체의 실현이 가능하다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 미소선형변위의 측정을 위한 접촉식 전기용량형 센서에 관한 것이다. 본 발명은, 고정물체상에 전도성패턴이 형성되고 상기 전도성패턴을 균일하게 코팅한 절연막을 포함하는 고정요소, 이동물체상에 전도성패턴이 형성되고 상기 전도성패턴을 균일하게 코팅한 절연막을 포함하며 상기 절연막이 상기 고정요소의 절연막과 맞닿게 배치되는 이동요소, 상기 고정요소 또는 이동요소의 어느 하나의 상기 전도성패턴에 공급되는 전원 및 상기 전원이 인가되지 않는 상기 고정요소 또는 이동요소의 어느 하나의 전도성패턴에 연결되어 상기 이동요소의 이동에 따른 상기 고정요소와 이동요소 사이의 전기용량의 변화를 검출하는 신호검출수단을 포함한다. 따라서, 면적변화 측정 방식의 접촉식 전기용량형 센서가 제공되게 되어, 기계적 설치오차 및 구동방향과 측정방향의 불일치로 인한 오차를 줄일 수 있고 구동방향 이외의 변위오차가 포함될 여지가 없어 신뢰성 높은 측정이 가능하며, 구동방향과 측정방향이 일치하므로 구성시 공간절감을 이룰 수 있고, 미소변위의 측정은 물론 넓은 범위의 변위측정도 안정적으로 가능하여, 종국적으로 전반적인 성능이 대폭 향상되는 효과가 있다.고정물체상에 전도성패턴이 형성되고 상기 전도성패턴을 균일하게 코팅한 절연막을 포함하는 고정요소, 이동물체상에 전도성패턴이 형성되고 상기 전도성패턴을 균일하게 코팅한 절연막을 포함하며 상기 절연막이 상기 고정요소의 절연막과 맞닿게 배치되는 이동요소, 상기 고정요소 또는 이동요소의 어느 하나의 상기 전도성패턴에 공급되는 전원 및 상기 전원이 인가되지 않는 상기 고정요소 또는 이동요소의 어느 하나의 전도성패턴에 연결되어 상기 이동요소의 이동에 따른 상기 고정요소와 이동요소 사이의 전기용량의 변화를 검출하는 신호검출수단을 포함하는 접촉식 전기용량형 센서.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 엔코더형 전기적 용량센서에 관한 것으로, 특히 본 발명의 용량센서는 고정 물체에 형성되며 적어도 두 개 이상의 패턴을 갖는 고정 요소와, 고정 요소에 대해 소정 간격을 두고 오버랩되도록 이동 물체에 형성되며 적어도 두 개 이상의 패턴을 갖는 이동 요소와, 고정 물체 또는 이동 물체에 공급되는 교류 전원과, 고정 물체의 요소들과 이동 물체의 요소들의 상대적 평행 이동에 따라 변화하는 전기적 용량 변화를 감지하여 전기적 신호로 출력하는 변위 감지부와, 변위 감지부에서 감지된 변위 신호를 신호 처리하고 이를 디지털 신호로 변환하는 신호 처리부와, 신호 처리부에서 출력된 디지털 신호를 보정하고 고정 요소에 대한 이동 요소의 총 변위량을 계산하여 출력하는 마이크로 프로세서를 구비한다. 따라서 본 발명은 엔코더의 기본 원리를 적용하여 이동요소와 고정요소의 상대적 평행운동에 따른 면적 변화 방식과 고정요소 및 이동 물체에 각각 반복되는 미세 패턴(요철 굴곡 또는 구멍들)에 따른 공간 변화 방식 모두가 용량형 센서에 이용되어 미세 변위 측정 및 넓은 범위의 변위 측정이 가능하다.평판 고정 물체에 형성된 고정 요소와 평판 이동 물체에 형성된 이동 요소 사이의 변위를 측정하는 엔코더형 전기적 용량센서에 있어서, 상기 고정 요소는 적어도 두 개 이상의 주기성 패턴을 갖으며, 상기 이동 요소는 상기 고정 요소에 대해 소정 간격을 두고 오버랩되는 적어도 두 개 이상의 주기성 패턴을 갖으며, 상기 고정 물체 또는 상기 이동 물체에 공급되는 교류 전원; 상기 고정 요소의 패턴과 상기 이동 요소의 패턴 사이의 상대적 평행 이동에 따라 변화하는 전기적 용량 변화를 전기적 신호로 변환하는 변위 감지부; 상기 변위 감지부에서 감지된 변위 신호를 신호 처리하고 이를 디지털 신호로 변환하는 신호 처리부; 및 상기 신호 처리부에서 출력된 디지털 신호를 보정하고 상기 고정 요소의 패턴과 상기 이동 요소의 패턴 사이의 주기성을 갖는 대변위와 연속성 미세 변위를 계산하여 출력하는 마이크로 프로세서를 구비한 것을 특징으로 하는 엔코더형 전기적 용량센서.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해,보다 간단한 형상 의 미세 구조를 도입하여 압력 손실을 최대한 줄이면서 마이크로 채널에서 형성되는 나선형 유동을 기반으로 쌍곡선형 점(hyperbolic point)이 주기적으로 생성,소멸되는 주기적 교란을 도입하여 마이크로 크기에서 보다 높은 수준의 카오스 혼합을 유도하는 마이크로 믹서및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 마이크로 채널 벽면에 길이방향을 따라 일정한 간격으로 미세구조의 비스듬한 홈들을 배열하여 상기 마이크로 채널 내부에 나선형 유동을 유발하고,상기 비스듬한 홈들의 길이방향을 따라 그 상면에 일정한 간격으로 막대 모양 혹은 채널의 폭보다 얇으며 높이가 채널 깊이의 1/2~3/4 정도의 형상을 갖는 배리어를 하나 또는 다수개 배열하여 쌍곡선형 점(hyperbolic point)이 주기적으로 생성,소멸되는 주기적인 교란(periodic perturbation)을 발생하여 마이크로 수준의 카오스 혼합을 유도하는 마이크로 믹서를 제공한다.본 발명은 나선형 유동을 유발하는 마이크로 채널 내부에 배리어를 도입하여 카오스 혼합(Chaotic mixing)을 유도하는 마이크로 믹서를 개시한 것으로, 마이크로 채널 벽면에 길이방향을 따라 일정한 간격으로 미세구조의 비스듬한 홈들을 배열하여 상기 마이크로 채널 내부에 나선형 유동을 유발하고, 상기 비스듬한 홈들의 길이방향을 따라 그 상면에 일정한 간격으로 막대 모양 혹은 채널의 폭보다 얇으며 높이가 채널 깊이의 1/2~3/4 정도의 형상을 갖는 배리어를 하나 또는 다수개 배열하여 상기 마이크로 채널 내부에 쌍곡선형 점(hyperbolic point)이 주기적으로 생성, 소멸되는 주기적인 교란(periodic perturbation)을 발생하여 마이크로 수준의 카오스 혼합을 유도하는 것을 특징으로 한다.따라서 본 발명에 의하면 마이크로 채널 내부에 배리어들을 간단히 배열함으로써, 마이크로 수준에서의 카오스 혼합을 얻을 수 있게 된다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-11
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고종횡비 팁을 갖는 압전 캔티레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 캔티레버의 팁이 낮을 경우 빔 자체 또는 빔이 갖는 전압이 미디어에 영향을 미치는 것을 막기 위한 고종횡비의 팁을 제조함에 있어서, 캔티레버의 팁과 지지부 상부에 응력 보정막을 추가하여 다층의 캔티레버 막을 형성함으로써 캔티레버 자체의 내부 응력을 보정하여 캔티레버가 휘어지는 것을 막을 수 있다. 또한 본 발명은 광투과 케이스를 지지부에 연결된 접합용 패턴에 접합시키기 때문에 양극 접합을 이용한 캔티레버의 접합시 상/하부 전극과 케이스가 분리되어 케이스에 인가된 전압이 직접적으로 상/하부 전극에 전달되지 않게 된다. 이로 인해, 상/하부 전극 및 압전물질에 고전압이 걸리는 위험을 막을 수 있고 상부 전극의 표면 산화 현상을 방지할 수 있다.압전 캔티레버에 있어서, 상기 캔티레버의 고종횡비 팁; 상기 팁에 수직으로 연결된 지지부; 상기 팁과 지지부 상부에 형성된 적어도 1층 이상의 응력 보정막; 상기 지지부 및 응력 보정막이 오픈된 캔티레버의 오픈 영역; 상기 응력 보정막 상부에 순차적으로 형성된 하부 전극, 압전물질층 및 상부 전극; 상기 지지부의 외곽 상부에서 전체 구조물을 덮되, 상기 캔티레버의 와이어가 연결될 부분이 오픈된 광투과 케이스; 상기 광투과 케이스의 오픈된 부분을 통해 상기 하부 전극 및 상부 전극에 각각 연결된 와이어를 구비하는 것을 특징으로 고종횡비 팁을 갖는 압전 캔티레버.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 반도체 나노선 또는 나노막대를 이용하여 형성된 샤트키(SCHOTTKY) 전극 구조를 포함하는 전기 소자, 특히 샤트키 다이오드 및 금속/반도체 전계트랜지스터(MESFET), 및 이들을 적절히 배열해서 구성한 로직회로에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 미리 형성된 금속 패턴 위에 반도체 나노구조체를 분산시켜 샤트키 컨택(SCHOTTKY CONTACT)을 형성하도록 한 샤트키 전극을 이용함으로써, 정류특성이 우수한 샤트키 다이오드 및 우수한 성능의 금속/반도체 전계트랜지스터(MESFET)를 제작할 수 있으며, 이들 소자들을 이용하여 기존의 방법보다 훨씬 간단한 구조로 로직회로를 구현할 수 있다.기판 상 일부에 위치된 샤트키 컨택(SCHOTTKY CONTACT)용 금속층, 상기 금속층 위에 일부분이 결합된 반도체 나노구조체 및 상기 나노구조체의 다른 일부분 위에 결합된 오믹 컨택(OHMIC CONTACT)용 금속층을 포함하는 금속/반도체 전기 소자에 관한발명으로 본 발명에 따르면 미리 형성된 금속패턴 위에 반도체 나노구조체의 일부분을 위치시켜 샤트키 컨택을 형성하고 상기 반도체 나노구조체의 다른 일부분에 오믹 컨택을 형성함으로써,특성이 우수한 금속/반도체 전기 소자,예를 들면 샤트키 다이오드 및 MESFET를 제작할 수 있으며,이들 소자들로 구성된 로직회로를 기존의 방법보다 훨씬 간단한 구조로 구현할 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 나노막대 형태의 투명전극을 포함하는 전기 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광소자는, 발광층에 대해 수직 성장된 투명 전도성 나노막대를 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하며, 전극에서 빛이 흡수되지 않고, 나노막대의 나노접합에 의해 터널링이 쉽게 일어나 전류주입(CARRIER INJECTION) 효율이 증가되고, 내부전반사(TOTAL INTERNAL REFLECTION)가 감소되어, 금속전극 또는 박막 형태의 투명전극을 포함하는 기존의 발광소자에 비해 발광특성이 매우 우수하다.두 전극층 및 이들 사이의 발광층을 포함하는 전기 발광소자에 있어서,상기 두 전극층 중 최소한 하나가 발광층에 대해 수직 성장된 투명 전도성 나노막대를 포함함을 특징으로 하는 전기 발광소자를 제공한다.본 발명에 따라,전극으로 투명 전도성 나노막대를 포함하는 발광소자를 제작하면,전극에서 빛이 흡수되지 않고,내부 전반사가 감소되며,나노막대의 나노접합에 의해 전류주입이 증가되어 소자의 크기가 커져도 소자의 효율이 감소하지 않아 고휘도 및 고효율의 대형 발광소자를 제조할 수 있다.특히,상기 투명 전도성 나노막대를 P/N 접합 질화물 반도체 발광소자에 이용할 경우,n-타입 전극을 제조하기 위한 건식 식각(dry etching)공정을 수행하지 않아도 되므로 소자 제조공정을 단순화할 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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전기·전자 > 전자부품
*원리 및 개요유리 기판 상에 형성된 양극이 있고, 그 양극 상에 형성된 전이 금속층으로 구성된 정공 주입층이 있으며, 그 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층이 있다. 또한 그 정공 수송층 상에 형성된 발광층 및 그 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 그 양극상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 그 양극은 ITO막으로 구성할 수 있다. 2) 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있으며, 전이 금속층의 예로는 Ir,Ru,V,Rh,Ni 또는 Co을 들 수 있다. 3) 그 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 그 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 4) 그 정공 수송층은 α-NPD로 구성할 수 있고, 위의 발광층은 Alq3로 구성할 수 있으며, 위의 음극은 Al막으로 구성할 수 있다. 5) 위의 양극을 형성한 후 그 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다.*특징 및 장점1) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극인 ITO막과 정공 수송층인 α-NPD 사이에 일함수가 크고 전도성도우수한 전이 금속막으로 정공 주입층이 형성되어 있다. 2) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 정공 주입층에 의해 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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*원리 및 개요 - 음극 목표물 후방에 장착된 영구자석에 의하여 발생된 자기장을 이용하여 평면 음극에 아크를 균일하게 발생시켜 대면적에 균일한 코팅이 가능하도록 한 음극아크 코팅장치이다. *구성음극아크 코팅장치는, 1) 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 절연부와, 2) 그 타겟을 냉각하기 위한 냉각부와, 3) 그 타겟 표면에 발생된 전자의 이동 경로가 되며, 4) 그 타겟의 상부에 발생된 아크를 안정화하기 위한 보조 양극과, 5) 그 아크가 그 타겟을 벗어나는 것을 차단하기 위한 차폐부와, 6) 그 아크의 운동을 그 타겟의 표면 내부로 제한하고, 7) 그 타겟 표면에 전면에 퍼지도록 안내하는 이동식 영구자석부를 포함한다.*특징 및 장점1) 자기장의 정밀 제어를 통하여 고가의 타겟의 침식율을 증가시키며, 반응성 가스를 챔버 내부로 유입시켜 TiN, CrN, AlN, WC 등과 같은 고기능성 박막을 균일하게 코팅한다.2) 네오디뮴계 영구자석을 이용한 간단한 구조의 이송 가능한 자석부와 금속 음극 형상 설계기술의 조합에 의해 아크의 운동을 금속 음극의 표면 내부로 제한한다.3) 음극 표면의 전면에 퍼지도록 안내하여 고가의 음극 금속의 소모 효율을 70% 이상 증가시킨다.4) 촉발의 위치에 관계없 이 안정한 아크 방전을 유도하여 TiN, CrN, AlN, WC 등과 같은 고기능성 박막을 대면적(지름 800mm, 높이 1,000mm)코팅할 수 있는 대면적 평판 아크 코팅원 제작이 동시에 실현된다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-04-20
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*원리 및 개요 본 기술은 전계방출 소자에 관한 것으로, 전계방출소자를 수소 플라즈마 처리하여 우수한 전계방출 특성을 갖도록 한 산화아연계 전계방출소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 산화아연계 나노바늘에 진공 분위기에서 수소 플라즈마 처리를 하여 별도의 형상 변화가 없이도 향상된 전계방출 특성을 나타내는 전계방출 소자를 제공한다.2) 이러한 전계방출 소자를 제조하는 방법을 제공한다.*구성1) 인가된 전기장에 의하여 전자를 방출하는 에미터로서 기판상에 산화아연계 나노바늘을 형성시키는 단계2) 산화아연계 나노바늘이 형성된 기판에 대하여 수소 또는 수소가 함유된 가스를 이용하여 플라즈마 처리를 행하는 단계*특징 및 장점 본 기술에 의하여 제조된 산화아연계 나노바늘은 전계방출 디스플레이의 에미터로 사용될 뿐만 아니라 인가전압에 따른 전계방출 특성 변화를 이용하는 압력소자, 광검출 소자 또는 마이크로파 파워튜브 등의 다양한 용도의 전자 소자에 응용될 수 있다.*효과1) 전계방출 소자로 이용될 수 있는 산화아연계 소재에 진공 분위기에서 수소 플라즈마로 후처리(post-treatment)를 실시하여 기하학적 모양을 바꾸지 않고도 낮은 턴-온(turn-on) 전압과 높은 전계향상계수(field enhancement factor, β)로 대표되는 전계방출 특성의 획기적으로 향상시킬 수 있다.2) 본 기술에 따라 유기금속 화학증착법과 수소 플라즈마 처리를 통해 제조된 산화아연계 나노바늘은 기계적, 열적으로 안정할 뿐만 아니라, 한 쪽 끝이 뾰족하다는 형태상의 특징과 수소 도핑에 의한 전기 전도도 향상으로 인하여 전계방출 특성이 매우 우수하고, 기판 상에 수직 방향으로 균일한 크기로 매우 조밀하게 분포되어 있어 전기적,광학적 특성이 우수한 전계방출 소자에 유리하게 이용될 수 있다.3) 앞으로 차세대 평판 디스플레이인 전계방출 소자 외에도 인가전압에 따른 전계방출 특성 변화를 이용한 압력소자, 광검출 소자, 마이크로파 파워튜브 등의 다양한 용도 디스플레이 산업이나 기타 전계방출을 이용한 장치 개발에 큰 공헌을 할 것으로 기대된다.
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과, 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 p형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 p형 오믹 전극은 니켈막, 금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기 p형 오믹 전극을 구성하는 니켈막 및 금막은 상기 ITO막보다 작은 두께로 구성하는 것이 바람직하다. 본 발명은 갈륨 나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극으로 Ni/Au/ITO막의 삼중막으로 구성할 경우 Ni/Au막으로 인해 접촉 저항을 낮출 수 있고 투명 전도성 산화물인 ITO막으로 인해 투명성도 높일 수 있고 발광 효율도 높일 수 있다.갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과, 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 p형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 p형 오믹 전극은 니켈막, 금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되는 것을 특징으로 하며, 기판 상에 P형 갈륨 나이트라이드층을 형성하는 단계; 상기 P형 갈륨 나이트라이드층 상에 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 열처리하여 삼중막(NI/AU/ITO막)으로 P형 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 P형 오믹 전극의 제조방법.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기(deep-level transient spectroscopy)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 장비는 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자를 담는 진공조와, 진공조 내에서 반도체 소자를 지지하며 반도체 소자의 온도를 변화시키는 시료 지지부와, 진공조 내로 도입되어 반도체 소자의 전극 패드에 접촉하여 전기적으로 연결되는 탐침과, 시료 지지부의 측면에 잇대어져 온도 변화에 의해서 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 데 대해 저항하는 힘을 제공하는 수평 지지대, 및 탐침을 통해 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 온도 변화에 따른 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하여 이루어진다.깊은 준위 과도 전기 용량 분광기에 있어서, 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조; 상기 진공조 내로 도입되어 전기적 연결을 위해 상기 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침; 상기 진공조 내에서 상기 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부; 상기 시료 지지부의 냉각에 의해 상기 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 상기 시료 지지부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부; 상기 시료 지지부의 가열에 의해 상기 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부; 상기 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 상기 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 상기 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대; 상기 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 상기 진공조 내에 고정 설치되어 상기 수평 지지대에 연결된 수평 지지대; 및 상기 탐침을 통해 상기 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 상기 온도 변화에 따른 상기 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기.
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- 포항기술이전센터
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- 2006-06-12
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본 발명은 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공하며, 이 제조방법은 기판상에 비도핑된 GaN 반도체층과 AlGaN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 결과물을 에칭하여 소자를 분리해내는 단계; 상기 단계로부터 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 결과물을 표면처리하는 단계; 및 상기 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 게이트 전극을 오믹 전극 전에 제작하므로 게이트 전극 형성을 위해 실시되었던 오믹전극 사이에 게이트 전극을 정렬해야 하는 어려움을 극복할 수 있다. 따라서 오믹전극에 의해 유발된 기판의 단차를 없앨 수 있으므로, 게이트 전극 형성을 위한 포토리지스트막 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극의 정렬도를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 오믹전극 층의 형성 전에 AlGaN 반도체층 표면을 유도결합 플라스마로 표면 처리함으로써 오믹 전극 형성용 금속의 증착 상태에서 오믹 특성이 얻을 수 있어서 열처리과정이 불필요하다. 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 AlGaN/GaN HFET 소자는 최대 트랜스컨덕턴스와 최대 드레인 전류가 모두 우수하여 증폭 능력이 양호하다A) 기판상에 비도핑된 GAN 반도체층과 ALGAN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; (B) 상기 결과물을 에칭하여 소자를 분리해내는 단계; (C) 상기 (B) 단계로부터 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계; (D) 상기 결과물을 N 2 , AR, CL 2 , BCL 3 , H 2 , HBR, O 2 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용한 유도 결합 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 단계; 및 (E) 상기 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터(HFET) 소자의 제조방법.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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본 발명은 일산화탄소(CO) 가스에 대한 감지선택성이 우수한 반도체식 가스센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 감지재료로서 CuO가 첨가된 Zn2SnO4를 사용하면 일산화탄소 가스에 대해 비교적 저온 범위에서도 선택성이 뛰어난 가스 센서를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 상기 감지재료에 대해 SnO2 또는 ZnO를 전극으로 사용하거나 혼합하여 사용하여도 일산화탄소 가스에 대한 감도와 선택성이 우수한 센서를 얻을 수 있다.0.001 내지 20 몰％의 CUO가 함침된 ZN2SNO4/SNO2 적층 소결체 또는 ZN2SNO4/ZNO 적층 소결체를 가스감응층으로 하는 가스센서를 150℃ 내지 350℃에서 작동시켜 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법기존의 반도체식 가스센서의 감지물질의 선택적 감응성 부족의 문제점을 해결하고자,특히 CO 가스를 선택적으로 감지할 수 있는 방법을 개발하는데 그 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해,본 발명에서는 0.001 내지 20 몰％의 CuO를 함유하는 Zn 2 SnO 4 를 가스감응층으로 하는 가스센서를 150 ℃내지 350 ℃에서 작동시켜 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법을 제공한다.본 발명에서는 또한,일산화탄소 가스 감지재료로부터 일산화탄소 가스 감응층을 형성하고 그의 양쪽 측면에 양극과 음극을 적층하여 일산화탄소 가스 센서를 제조하는 방법에 있어서,상기 가스감응층을,ZnO 분말과 SnO 2 분말의 2:1 몰비의 혼합물을 건조,열처리 및 성형하여 얻어진 Zn 2 SnO 4 소결체에 0.001 내지 20 몰%범위의 양의 CuO를 첨가시킨 후 열처리함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는,일산화탄소 가스 센서의 제조방법을 제공한다.또한,본 발명은,감지능을 향상시키기 위하여,상기 가스감응층에 적층되는 전극으로서 ZnO 또는 SnO 2 와 같이 전도성이 우수한 산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 일산화탄소 가스 센서의 제조방법을 제공한다.또한,본 발명에서는,상기 가스감응층 형성시 ZnO 또는 SnO 2 를 과량으로 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 일산화탄소 가스 센서의 제조방법을 제공한다
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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