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전기·전자 > 전자부품
방전여기 고반복 엑시머 레이저 개발을 위한 여기전원 설계, UV 예비전하 이송방식, 레이저전극 설계, 레이저 챔버 설계, 최적 레이저 가스 순환 회로 설계 등의 기술 개발. 차분흡수방식 라이다(DIAL) 시스템 개발을 위한 송신레이저 설계 개발, 수신망원경 및 광학계 설계, 신호처리 스프트워어 개발, 광신호 계측시스템설계 등의 기술 개발. 고반복 고출력 엑시머 레이저개발을 위한 여기전원 설계, 레이저 전극, 레이저 챔버, 레이저 가스 순환 유로 설계 기술 개발. 차분흡수방식 라이다(DIAL) 시스템 개발을 위한 송신 레이저 설계, 수신망원경 및 광학계 설계 신호처리 스프트워어 개발, 광신호 계측시스템설계 등의 기술개발방전여기 고반복 고출력 레이저 개발에 기여. 고성능 수신망원경 설계 등의 광학계 기술발전에 기여. 데이터 수집 및 신호처리 기술개발에 기여. 라이다 관련 부품 개발 활성화 등
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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고체내에서 탄성응력파가 전달되는 현상을 해석하는 기법은 다양한 경우에 있어 유용하게 적용될 수 있다. 첫 번째 예로서는, 기계류나 구조물의 한 부위에서 발생한 진동이 다른 부위로 전달되는 것을 방지하고자 하는 경우이다. 이러한 문제는 현장에서 빈번히 발생하는 문제로서, 이를 효과적으로 해결하기 위해서는 한 부위에서 다른 부위로 진동에너지가 전달되는 파동현상을 해석하는 것이 문제해결의 중요한 열쇠가 되는 경우가 많다. 두 번째 예로서는 탄성응력파를 이용한 비파괴검사에의 적응이나, 기계류나 재료의 경우에는 초음파검사법을 이용하여 내부의 결함 등을 탐색하는 경우가 이에 해당되며, 건축 토목구조물이나 선박 등과 같은 대형구조물의 경우에는 충격반향법이나 충격공진법과 같은 비파괴검사법이 이에 해당된다. 주어진 문제에 있어서 비파괴검사를 효과적으로 수행하기 위해서는 검사시 발생되는 파동전달 현상을 충분히 이해하고 해석하여 각 문제에 가장 적합한 방법과 기술을 선택하여야 한다. 마지막으로는, 위의 두 경우에 비하여 훨씬 큰 출력의 탄성응력파를 이용하여 기계부품이나 기계류를 가공하는 경우이다. 예를 들면, 초음파를 이용하여 용접을 하거나 표면을 청소하는 경우 등을 고려할 수 있으며, 경우에 따라서는 초음파를 부재내부의 한 점에 접촉함으로써 국부적 가공을 수행할 수도 있다. 위에 열거한 바와 같은 고체내의 탄성응력파 전달현상은 여러 가지 기법으로 해석될 수 있는데, 그 기법의 선정은 문제의 복잡성에 따라 달라진다. 즉, 간단한 문제의 경우에는 순수하게 해석적인 방법을 사용할 수 있으나, 문제가 기하학적으로 복잡해지거나 구성재료가 불균일한 경우등에는 수치적인 방법을 사용하여야 한다. 기존의 사용 수치해석 프로그램들은 대부분 이러한 목적으로 사용하기에 적합하지 않다. 따라서, 상용 프로그램의 적용이 가능하지 않은 경우에는 적합한 프로그램을 개발하여 사용하여야 한다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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레이저 가공은 레이저 빔(beam)을 렌지 또는 반사경으로 집광시켜서 얻어지는 높은 밀도의 빛을 이용하는 가공법으로 재료접합, 물질제거, 박막형성 및 표면개질 등 여러종류의 가공이 가능하다. 근년, 레이저 가공기술의 발전에 따라 고긴능, 고부가가치 제품의 가공과 더불어 치밀화, 비용절감 및 설계를 단순화 하는데 이용되고 있으며, 제품 및 부품의 markingm trimiming, cutting, drilling, joining, 및 repairing등 광범위하게 생산설비에 도입되고 있다. 일반적으로 전기, 전자기기 분야에서의 널리 사용되고 있는 motor, tranaformor 및 자기 head 부품 등의 가공에 있어서 지금까지 생산진행의 방법으로 일관화 되어 있으며, 주로 금형에서 가공된 부품들은 수작업르오 적층하여 용접하거나 기계적인 접합(caulking)방식에 의해 2차 가공되고 있는 실정이다. 이러한 방법들은 가공변형에 의한 정도저하, 자력손실 및 절연 등의 문제점이 발생되고 있다. 여기에 대하여 최근에는 고정도, 고효율화 및 고품질화의 목적으로 레이저를 이용한 가공방법이 응용되고 새로운 제조공법이 개발되고 있다. 레이저를 이용한 금현애에서 펀칭에 의하여 박판을 순차적으로 접합하는 적층가공의 고정도화(진원도, 진직도 및 적층 소재의 두께 등)를 실현하기 위해서는 YAG와 CO2 레이저가 사용되지만 발진장치로부터 레이저 빔을 프레스 금형에 광 fiber로 전송하고 또한 가공현장에서의 환경적 문제를 고려하면 YAG레이저가 우수한 성질을 가진다고 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는YAG레이저를 tk용하여 전기, 전자분여의 소재로 주로 이용되고 있는 Si 양을 달리한 3종류 규소강판의 적층접합을 위하여 프레스 금형내에서 펀칭과 동시에 레이저 적층을 위한 파라미터(parameter) 즉, 레이저 출력, 초점거리 및 보조가스 등의 레이저 빔 가공의최적가공 조건을 결정한다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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전기·전자 > 전자부품
최근 차세대 재료가공기술로서 관심과 기대가 집중되고 있는 레이저응용기술은 재료용접분야에서도 재래적인 용접기술상의 문제점들을 개선시킬 가능성을 보이고 있다. 그러나, 아직까지 레이저 용접기술은 극히 초보적인 단계로서 용접방법과 재질에 따른 합리적인 용접조건들이 표준화되어 있지 않고, 레이저 용접품질에 중요한 영향을 미치는 용접결함과 변형 등에 대해서도 개선되어야할 과제가 많은 실정이다. 한편, 이상의 레이저용접기술이 재료접합수단으로서 도입됨과 더불어, 최근에는 자동차, 항공기, 전자공업분야등에서는 생산성 제고를 위해 레이저 용접된 소재를 목적에 맞추어 프레스(press) 성형하는 소재접합일체성형(tallor welded blank, tallored blank) 기술에 관심이 국내·외에서 상당히 높아지고 있는 상황이다. 그러나, 소재접합일체성형에 있어서는 프레스 성형중에 용접부가 파단되면, 재료가 과다하게 소모될 뿐만 아니라, 프레스가공기의 가동률을 떨어뜨리기 때문에 확실한 용접품질(성형성)이 보장되어야할 전제조건과 프레스 다이(press die) 형상에 따른 최적의 소재형상설계 및 성형기구(forming mechanism)에 대한 연구가 선행되어야 한다. 따라서, 본 연구실에서는 지금까지의 연구경험을 토대로 각종재료의 동종재간 또는 이종재간 레이저 용접기술과 소재접합일체성형 기술을 개발코자 한다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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전기·전자 > 전자부품
최근 자동차의 벌전 추시는 고성능화, 고속화. 고안정화이며, 자동차의 각종 부품도 소형화, 경량화로 발전되고 있다. 자동차 경량화를 위하여 선진산업체에서는 레이저 용접판재를 이용한 금속판재성형(sheet metal forming) 기술에 연구력을 집중하고 있다. 본 연구에서는 레이저 용접판재를 자동차 도어 인너(dooe inner)에 적용하여 실제 판재성형 과정인 중력효과, 바인더랩(binder wrap), 성형해석, 트리밍(trimming) 과정을 시뮬레이션하여, 변형양상, 파단, 스프링백(spring back), 용접선 이동특성 등을 예측하였다. 레이저 용접 판재의 거동 즉, 용접선의 이동특성은 금형 및 제품설계의 중요한 변수가 되므로 용접판재 설계시 반영되어야 한다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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전기·전자 > 전자부품
마이크로 전해연삭 가공에 의한 미세축 가공기술과 초음파 진동에 의한 미세 구멍가공기술을 접목하여 일반 가공기술(conventional machining)이나 방전가공, 연삭, 에칭 등의 다른 특수 가공기술(non-traditional machining)으로는 실현하기 어려웠던 세라믹, 유리, 폴리머, 실리콘 카바이드 등의 비전도성 소재나 취성재료의 마이크로 가공을 실현하여, 서브마이크로 단위의 정밀도와 우수한 기계적 성질을 지닌 마이크로 단위의 삼차원 구조체의 가공 공정 기술의 확보 및 미세 초음파 가공 기술 및 관련 기술을 이용한 응용 분야로의 적용을 목표로 하고 있다. 초음파 가공은 소성변형보다 취성파괴(fracture)가 기본 가공 메커니즘인 취성재료에 대하여 다이아몬드 입자 등을 매개로하여 초음파 진동을 가하면 공작물 표면에 미소 파괴가 큰 주파수로 반복·중첨됨에 따라 우수한 가공성능을 보이는 것을 이용한 가공방법이다. 피에조 진동자로부터 20 kHz의 초음파 진동을 발생시키며, 발생된 초음파는 혼과 공구를 거쳐 가공부위로 전달된다. 공작물은 정밀 X-Y 테이블을 이용하여 원하는 위치로 이동되며, 초음파 공구는 정밀 Z 테이블에 고정되어 피드백 제어된다. 이때, 피드백 신호로는 공작물과 테이블 사이에 설치된 로드셀로부터 절삭력신호를 받아 최적의 가공압력이 유지되도록 이송속도를 제어하도록 한다. 초기 가공 실험을 바탕으로 하여 마이크로 구멍 가공에 있어서 최적의 가공압력과 가공액 농도, 이송속도 등의 가공조건을 선정한 후 직경 100 μm 이하의 미세 구멍 가공에 적용시켜 보고자 한다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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전기·전자 > 전자부품
종래의 CD는 두께 1.2 mm의 폴리카보네이트 원판의 편면에 설치된 알루미늄 박막 부분에 음악과 컴퓨터의 프로그램과 데이터의 디지털 신호를 기록하고 있으며 폴리카보네이트는 알루미늄의 박막 부분의 지지와 광학적으로 CD표면의 먼지와 흠집 영향을 억제하는 역할을 하고 있다. 이를 위해 CD에는 유연하지 않지만 보호를 위한 케이스 등의 포장이 필요하다. 이것에 대하여 플렉시블 CD는 시트상으로 얇고 가볍고 플렉시블하다. 그 시트의 CD 읽는 면에 또 한 매의 시트를 붙여 2매의 시트를 점착재로 점착시키는 구조로 함으로써 읽는 면에 먼지와 흠집이 나지 않으며 보호용 케이스 등이 필요없다. CD 데이터면 작성으로 종래의 스탬퍼 방식 대신 얇은 필름상에 관의 반사층을 증착하고 그 위에 기록층이 되는 화학물질을 도포한다. 그 화학물질 광투과율은 기록하는 디지털 데이터에 따라 변화시킴으로써 기록한다.플렉시블 CD는 시트상의 시일과 닮은 구조 때문에 값싸게 대량 생산할 수 있다. 또한 CD 보호 케이스 등이 필요없어 원재료 절감에 따라 저가격화, 수송, 우송 코스트의 절감이 가능하여 이용범위의 확대도 도모할 수 있다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-29
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전기·전자 > 전자부품
-검지방법 : 반도체식 -검지범위 : 0∼10,000 ppm (용도에 따라 검지범위 변경 가능) -센서수명 : 2년 -Hybrid IC 제조기술을 이용한 설계 및 단위공정기술 -센서 및 온도보상회로 일체화 기술 (Pt RTD 기술 포함) -패키징 기술 (금형, welding, 조립기술) -양산공정기술장점 -센서 모듈화가 용이하여 응용모듈/시스템 창출 가능 -HIC 제조기술이용으로 저가의 센서공급 -기술개발 완료후 생산기술기간 단축 -본 생산기술의 타 가스센서생산시 직접 응용이 가능 -온도 등 환경인자에 대한 고안정성 주요용도 : -연소설비제어 (산업용,팬히터, 보일러, 급탕기 등) -유독가스 (CO) 경보기, 화재경보기 등
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-22
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전기·전자 > 전자부품
최근 이동 통신, 정보 통신 등 전자통신 산업의 급속한 발전과 함께 관련 통신전자 소자의 고속화·고밀도화 및 경량화의 요구에 부응하여 다수의 다양한 고성능 소자가 한 개의 작은 chip으로 집약되고, 전자기기들의 소형화가 경쟁적으로 진행되면서 카메라 일체형 VTR, 휴대용 personal computer, 휴대용 TV, 휴대폰 등 휴대용 전자기기에 있어서 소모 전력 및 전원의 극소화를 위한 노력이 대대적으로 이루어지고 있다. 그러나 현재까지 상기 기기들의 소모전력을 낮추는 기술은 어느 정도 가시화 되어 왔으나 상대적으로 전원의 크기는 감소하지 않아 전자기기 소형화에 걸림돌이 되고 있어 전지의 소형화는 매우 절실한 문제가 되고 있다. 따라서 차세대 전자제품용 이차전지의 박막화는 폭넓은 기술적 경제적 파급효과를 가져오리라고 예상된다. 리튬박막이차전지는 산화물 계통의 양극 및 고체전해질을 사용함으로 기존의 리튬이온전지에 비해 안정성을 확보할 수 있고, 제조 방법이 반도체 공정에 사용되는 sputter, CVD, evaporator와 같은 진공장비를 사용함으로써 반도체공정과의 호환성이 우수하고 임의의 크기 및 형태로 제작 가능하다. 또한 넓은 사용 온도범위(-20℃∼100℃)를 가지며 이차원적인 평면구조의 전지의 생산이 가능하고 리튬전지의 내부저항이 큰 단점을 전해질의 박막화로 극복함으로써 상대적으로 낮은 이온전도도를 지닌 물질의 사용도 가능하게 해준다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-22
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
-초음파는 인간의 가청범위를 넘은 주파수로서 빛과 다르게 전파되기 위해서는 강성을 지닌 매체가 필요하다. 공기, 고체, 액체에서 전달되나, 액체내에서는 분자가 진동함에 따라 압축되는 부분과 희박한 부분의 반복으로 발생된 기포는 격렬하게 붕괴되면서 강력한 충격파가 생긴다. 이러한 현상은 초음파 작용원리이며 캐비테이션(cavitation : 액중에 기포가 발생되는 공동화현상)이라한다. 초음파의 캐비테이션현상은 50C에서 가장 격렬하게 일어나며, 캐비테이션 영향은 섬유내부에서 크게 나타난다. 수세기 내부에서 초음파의 캐비테이셔과 유화, 분산작용은 수세효율을 향상시키고, 생산성을 증대시키므로 용수를 절감하는 효과가 있다.기대효과 : 에너지 절약(대체, 청정, 자원)효과. 환경편익성. 생산성향상. 수입대체효과.초음파수세기는 1997년 4월부터 시판하여 창영실업(주), (주)달성염직, (주)새한 경산공장, 청우염직 등에 납품되었으며 수출도 상담 중에 있다. 우수 에너지 절약 시설로 등록되어 있으므로 이 설비를 설치하면 자금지원 혜택을 받을 수 있다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-28
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전기·전자 > 전자부품
시료의 부분적인 열처리가 불가능하여 전체를 열처리 함으로쏘 연처리가 불필요한 부분의 전기적, 물리저그 기하학적 변형이 발생하는 종래기술의 문제점을 극복하기 위하여 열처리시 시료의 특정 영역의 선택은 물론 주입되는 불순물 중 특성불순물의 선택과, 시료의 증착 박막중 특정 박막만을 선택적으로 열처리 할 수 있도록 열원에서 발산되는 빛을 집속하여 필터를 통과시킨후 소정의 마스크를 거쳐 시료에 조사되도록 한 장치반도체 제조장치 중 특히 선택적 열처리 공정을 수행할 수 있도록 한 열처리 장치
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
- 1550nm 광섬유 레이저 구성 - 안정된 초단 광펄스 생성 기술- 광 전송을 위한 여러 기술들에 이용가능 - 대용량 처리기술인 광교환, 광 컴퓨터 및 의학등
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
o 플립칩 본딩용 광소자/기판 설계 기술 o 솔더범프 형성 및 리플로우 기술 o 플립칩 본딩 정밀 공정 기술 o 플립칩 본딩 신뢰성 측정 기술- 가입자용이나 LAN 등 수요가 많은 광모듈의 제작에 활용 - 10 Gbps 이상의 고속 광모듈 제작에 활용
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 플라즈마 화학증착법으로 저저항의 텅스텐 박막을 증착시키는 기술에 관한 것으로, 특히 저저항의 텅스텐 박막의 성장에 중요한 인자로 작용하는 실리콘 기판의 표면온도를 정확하게 측정하여 반응기 내에서의 증착반응이 최적의 증착온도에서 수행되도록 한 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치에 관한 것이다.현재 일반적으로 행해지고 있는 텅스텐 박막의 증착방법은 크게 물리적 증착방법과 화학증착방법의 두가지 형태로 대별되는데 그 중 전자의 물리적 증착방법의 예로는 고순도의 텅스텐 타겟(Target)을 이용한 스퍼터링이나 전자빔증착(electronbeam depositon)을 들 수 있으며, 후자의 화학증착방법으로는 WF6-H2가 스등을 열분해시켜 실리콘기판의 증착을 행하는 저압화학증착법(LPCVD : Low Pressure Chemical Vapor Deposition)이 사용되고 있다.그런데, 물리적 증착방법의 경우에는 복사손실(radiation damage)에 의하여 박막의 결함발생이 높을 뿐만아니라, 스텝커버리지(step coverage)면에서도 불리하고 이에 더하여 비저항값이 50μΩ-㎝이상으로 높다는 단점이 있다.이에 반하여, 저압화학증착법은 위에서 열거한 물리적 증착방법에서 나타나는 대부분의 단점을 보완한 점에 있어 일응 특징적인 면이 있긴 하나 실리콘에만 국한하여 증착이 이루어질 뿐 절연층이나 화합물 반도체등의 기판에서는 증착이 이루어지지 않는 등의 기판의 특성에 따라 텅스텐 박막의 증착이 용이하지 않아서 물리적 증착방법에서와 같이 어떠한 기판에대해서도 금속박막을 증착시킬 수 있는 필요성을 충족시킬 수 없는 문제점을 지니고 있다[참조 : W.T.Stacy,E.K.Broadbent, M.H.Norcott, J.Electrochem. Soc., vol. 132, p444, 1985].한편, 화학증착법의 새로운 형태로서의 플라즈마 화학증착법(PECVD : Plasma Enanced Chemical Vapor Deposition)을 사용하여 텅스텐 박막을 증착시키는 경우에는 상기의 저압화학증착법에서 지니고 있는 문제점의 해결이 가능할 뿐만아니라 스텝커버리지면에서도 저압화학증착법에 비해 우수한 것으로 알려지고 있다[참조 : A.Sherman, Thin Solid Films, vol.113,p.135, 1984].그러나, 현재까지 보고된 바의 플라즈마 화학증착법에 의하여 형성된 텅스텐 박막의 비저항값은 저압화학증착법에 의하여얻어진 박막의 비저항값인 10μΩ-㎝정도에 비해 훨씬 높은 값을 나타냄에 따라 플라즈마 화학증착법을 실제 적용하기에는 어려움이 있다[참조 : C.C.Tang, D.W. Hess, Appl. Phys Lett., vol.45, p.633, 1984].플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 성장시킬 때 성장된 텅스텐 박막의 특성에 가장 큰 영향을 미치는 인자는증착온도인 까닭에 결정성장시 증착온도를 정확하게 제어하여야 만이 낮은 비저항값을 갖는 우수한 텅스텐 박막의 성장이가능하게 된다.그런데, 플라즈마 상태에서는 증착압력 및 열판(hot plate)의 온도에 따라서 증착반응이 일어나는 웨이퍼 표면의 온도가매우 크게 변화함에 따라 종래의 플라즈마 화학장치를 이용하여 증착을 수행하는 경우 웨이퍼 표면의 온도를 직접 측정하는 방식이 아닌 제1도에 도시된 바와 같이 실리콘기판과는 일정거리를 유지하고 있는 열판의 온도를 측정하여 이를 실리콘기판의 온도로 취급하는 방식을 취함에 따라 실리콘기판의 표면온도에 대한 실제값과는 상당한 차이를 보이고 있다.다시말하면, 제1도에 도시된 바와 같이 종래의 플라즈마 화학장치에서 증착온도를 측정하는 방법은 대개 반응기(1)의 상부에 확산전극(2)이 형성되고 하부에는 열선(3)으로 가열되는 열판(4)상에 실리콘웨이퍼(5)를 올려놓은 상태에서 열전대(T)를 이용하여 열판(4)의 온도를 측정하는 형태로서 실제로 텅스텐 박막의 증착이 일어나는 실리콘웨이퍼의 표면온도와열판의 온도사이에는 상당한 차이가 존재하게 된다.이와 달리 실리콘웨이퍼의 표면온도를 직접 측정하는 방식으로서 고온계(optical pyrometer)를 이용하는 형태가 알려지고있으나, 이 방법 역시 플라즈마에 의한 방출(emission)과 텅스턴 박막의 성장이 진행됨에 따라 방사율(emissivity)이 변화함으로써 정확한 온도를 측정할 수 없다는 문제점이 있다[참조 : J.E.J.Schmitz, J.L.G. Suijker, M.J. Buiting,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Application Ⅳ, eds. R.S. Blewer and C.M. McConica, MaterialsResearch Soc., Pittsburg, p.211, 1989].한편, 열전대를 실리콘웨이퍼의 표면에 위치시켜 직접 실리콘 웨이퍼의 표면온도를 측정하는 방식이 고려되고 있긴 하나,이와 같은 경우에는 실제에 있어서 고주파전자기장이 열전대에 유기됨으로써 정확한 온도측정이 용이하지 않다는 문제점이 있다.따라서, 본 발명은 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막의 증착시 종래의 증착온도
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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전기·전자 > 전자부품
광 아이솔레이터 및 광 써큘레이터의 핵심부품인 파라데이 회전기용 단결정 자성 박막 제작컴퓨터 제어로 LPE (Liquid Phase Epitaxy) 방식에 의해 자성 가넷용 단결정 성장시킴
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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본 발명은 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자소자의 제조는 직접 GaAs 기판에 V홈에 파거나 GaAs/AlGaAs 기판위에 V홈에 파고 그 위에 양자세선 또는 양자점을 형성하는 방법이 사용되었는데, 이러한 방법은 발광소자의 경우 V홈 뿐만 아니라 V홈 이외의 표면에서 형성된 소자에서도 빛이 발광되어 V홈에서 나오는 광의 우수한 양자점 특성을 상대적으로 약화시키게 되며, 여러 가지 구조와 공존하게 되면 양자선이나 양자점 등의 신호가 약해지거나 벌크(bulk) 신호에 묻혀 그 우수한 특성을 얻을 수 없게 되는 문제가 있었다.이에 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 에피층을 형성하는 제1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography) 방법으로 상기 에피층의 식각될 부분으르 정의하는 제2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs) 기판에 V홈에 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법을 제공하는데, 이러한 본 발명은 기판과 에피층 간의 격자 부정합을 이용하여 V홈에 성장된 활성 영역으로만 광과 전류를 효과적으로 제어함으로써, V홈 이외의 표면에서는 빛이 나오지 않게 하고 V홈 내에서 발생되는 신호가 상대적으로 더 강하게 밖으로 나올 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 고효율의 광전소자, 광전소가 어레이, 양자우물, 양자세선 및 양자점 등의 구조를 갖는 양자소자에 적용할 수 있다.1. 에피층이 형성된 다음 에피층과 함께 식가되어 V홈을 구비하는 기판과, 상기 기판과 에피층간의 격자 부정합으로 인해 형성된 전류차단층인 비활성 영역과, 상기 V홈을 따라 형성된 활성 영역으로 구성된 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조.2. 갈륨비소(GaAs)기판 위에 에피층을 형성하는 제 1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography)방법으로 상기 에피층의 식각될 부분을 정의하는 제 2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs)기판에 V홈을 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제 4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제 5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.3.제 2항에 있어서, 상기 에피층을 InGaAs 혹은 InGaP를 0.1~5㎛두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 상기 활성 영역 및 비활성 영역은 GaAs/AlGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.5. 제 3항 및 제 4항에 있어서, 상기 에피층과 활성영역 및 비활성영역은 유기금속 화학기상증착법(Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 기판의 기울기에 따라 그 기판위에 성장되는 P형 갈륨비소 에피층의 정공농도차를 이용하여,경사면을 갖는 기판에 P형 갈륨비소 에피층을 성장시켜 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 기판은(Ⅲ)방향의 경사면을 갖는 V자홈이 형성된(100)방향의 갈륨비소기판인 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, P형 갈륨비소 에피층은 유기금속 화학증착방법을 사용하여 상기 V자홈이 형성된 갈륨비소기판상에 성장시켜 된 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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평면상으로 절곡형성된 히터 선(1)과 판상체의 히터 판(2)과 히터 선(1)이 히터 판(2)과 일정간격을 유지한 상태로 히터 판(2) 위에 지지되도록 하는 히터 선 지지구(3)와 히터 판(2)의 하부및측면에 설치되는 하부방열판(5A) 및 측면 방열판(5B)으로 구성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.1. 평면상으로 절곡형성된 히터 선(1)과 판상체의 히터 판(2)과 히터 선(1)이 히터 판(2)과 일정간격을 유지한 상태로 히터 판(2)위에 지지되도록 하는 히터 선 지지구(3)와 히터 판(2)의 하부 및 측면에 설치되는 하부 방열판(5a) 및 측면 방열판(5)으로 구성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.2. 제1항에 있어서, 히터 선(1)은 몰리브덴 또는 텅스텐으로 이루어짐을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.3. 제1항에 있어서, 히터 판(2)은 중앙부에 기판지지대 회전축 삽입구멍(2a)이 형성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.4. 제1항에 있어서, 히터 선 지지구(3)에는 히터선 통과공(3a)과 고정공(3b)가 상,하로 관통형성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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본 발명은 CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr4개스를 유 입시키므로써, 상기 CBr4유입량에 따라 에피층 패턴의 측면 성장율을 조절할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 소자의 평탄화를 기할 수 있게 된다.1. 반도체 소자 제조공정에 있어서, 패터닝된 GaAs기판 위에 유기금속 화학증착법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 CBr₄을 유입하여 에피층을 성장시키는 과정에서 에피층 성장온도 또는 원료 개스인 5족 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비를 변화시켜 에피층의 측면 성장율을 조절하는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 패터닝된 GaAs기판은 광노광법 또는 습식식각법으로 식각처리하여 메사 또는 V홈 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.4. 제 2항에 있어서, 상기 에피층 성장온도는 600℃내지 800℃범위 내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.5. 제 2항에 있어서, 상기 원료 개스인 5종 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비는 5내지 120 범위내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형 홈의 가장 깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형 홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.1.갈륨비소기판(1)에 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)막(2)을 형성하는 단계와; 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 마스크로 사용하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부까지 V자 형태로 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자 형태 홈의 좌우측에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)에 산소이온을 주입하여 산화알루미늄막(4)을 형성하는 단계와; 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태 홈의 가장 깊은 부분에 유기금속 화학증착법을 사용하여 고밀도 갈륨비소(5)를 증착하고, 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태홈의 가장 깊은 부분에 형성된 갈륨비소(5)및 노출된 갈륨비소기판(1)과 산화알루미늄막(4)의 상부에 유기금속 화학증착법을 사용하여 알루미늄갈륨비소막(6)을 증착하는 공정을 반복 수행하여 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 공정으로 양자세선이 형성된 갈륨비소기판(1)을 (110)방향으로 벽개하는 단계와; 상기 다층의 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화하여 산화알루미늄막(7)을 형성한 후, 유기금속 화학증착법을 사용하여 갈륨비소(5)의 상부에 알루미늄갈륨비소 및 갈륨비소를 순차반복적으로 단결정성장시킴으로써 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 유기금속 화학증착법은 고순도 수소를 전달 개스로 하고, 총 유량은 분당 5내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄 및 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원료로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.3.제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용한 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.4. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9에서 1인것을 사용하여 0.05~0.5㎛의 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.5.제1항에 있어서, V자형의 홈은 포토레지스트(3)를 식각 마스크로 하여 일정비율의 H₂SO₄:H₂O₂:H₂O용액을 사용하는 습식에칭방법으로 상기 노출된 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부를 (01T)방향으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의산 고밀도 양자점 어레이 형성방법.6. 제 1항에 있어서, 산화알루미늄막(7)을 형성하는 방법은 갈륨비소(5)및 알루미늄갈륨비소막(6)이 다층으로 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착시키고, 반응로의 분위기를 450℃에서 1시간 동안 약 80℃의 수증기가 포함된 고순도 질소개스와 반응시켜 그 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화알루미늄막(7)으로 변형시키는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.7. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(6)은 알루미늄의 몰비가 0.1 내지 0.5인 알루미늄갈륨비소를 유기금속 화학증착법을 사용하여 증착시킨 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.
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