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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
반도체 의식각에 사용될 목적으로 최근 수년간 개발이 급진전된 고밀도 플라즈마 발생 원리와 이를 응용한 장치들이 다른 분야로 그 응용의 폭을 넓혀 가고 있다.본 연구실에서는 이중 Inductively Coupled Plasma를 선택하여 magnetron sputtering system에 적용한 ICP - PVD (Ionization enhanced magnetron sputtering) system을 설계 제작하여 플라즈마의 정밀한 제어및 이온 플럭스의 획기적인 증대로 일반적인 magnetron sputtering system에서는 불가능했던 서브 미크론 반도체 소자에서 좁고 깊은 트렌치의 채워넣기, 고효율의 금속 및 화합물의 이온 플레이팅, 더 낮은 기판 온도에서 화합물 박막의 증착이 가능해졌다.와 같은 플라즈마 공정 장치의 제어에는 컴퓨터를 이용한 제어 기술이 그 근간을 이룬다. 따라서 본 연구팀에서는 PC에 Windows95 를 Operating System으로 하여, 12bit AD/DA board, GPIB, RS-232(28.8kbps high speed)를 I/O system으로 하고, plasma power generator, DMM,Pressure Gauge, QMS를 Signal source로 하여서 Mass Flow controller, RF power generator 등을 feedback control하는 total software 를 National Instrument 사의 LabWindows/CVI 4.0 을 이용하여 개발해오고 있다. 본 연구팀이 유관 중소기업(진공 장비 업계, 코팅 임가공 업계)에 제공하거나 공동 연구 할 수 있는 기술은 상기한 바와 같이 ICP PVD system, PC를 이용한 Plasma processing machine의 진단 및 제어 system 개발 기술이다.
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- 한국기술거래(주)
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- 2000-01-17
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
유전체 적층 칩부품 제조에 있어서 소재기술, 제조공정기술 및 측정기술이 필수으로서, 본 연구실에서는 우수한 유전 특성을 갖는 조성, 소재 특성 평가기술 등의 소재기술과 알루미나, 페라이트, 유전체 소재의 tape casting, 적층, 소성 등의 제조 공정기술을 확보 첨가제 실험을 통해 유전 특성의 저하없이 저온 소결과 내부 전극 금속과의 반응 제어가 가능한 Niobate계, Tantalate계, Titania계 조성 및 관련 평가기술을 확보
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-01-18
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
DRAM(Dynamic Random Acess Memory)이 간단한 정보저장용 기억단위 소자로서 반도체 메모리 시장을 개척한 이래로 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 기억소자는 초미세화 및 초고집적화의 엄청난 개발속도를 가속화하는데 기여하게 되었다. 반도체 메모리의 고집적화가 가속됨에 따라 DRAM과 FRAM의 Cell capacitor에서 높은 축적량을 보이는 물질인 PZT, 스트로늄-타이타늄 산화물 리튬-나이오뷰 산화물을 비롯한 강유전체 박막을 이용한 정보 저장방법이 연구되고 있다. 본 연구는 유전체 박막 커패시터를 RF magnetron sputtering을 이용하여 유전상수가 높은 강유전체 박막을 235nm 에서 275nm두께로 RuO2전극위에 증착하여 그 전기적 특성을 개선하였다. 저온에서 비정질 BTO층을 증착하였으며 600℃이상의 높은 온도에서 다결정 BTO층을 증착하였다. 미세결정위의 다결정 이중구조를 갖는 커패시터의 용량은 단위면적당 (2.5±0.1)×105 pF/cm2이었으며, 누설 전류는 전계 2×105v/cm에서 10-10A/cm2이었다. DC전도도는 2×105V/cm에서 10-13/cm이하로 나타났다.
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-04-07
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
세계적으로 기술적 문제로 인하여 아직까지 고온초전도 S-I-S 접합이 개발되어 있지 않다. 또한 low angle S-N-S biepitaxial 접합을 개발할 필요가 있다. 본 연구는 이러한 문제를 극복할 수 있는 방법을 택하여 새로운 low angle S-N-S접합과 새로운 S-I-S접합개발을 위한 base layer를 제작하였다. 새로운 방법에 의한 low angle biepitaxial 죠셉슨 접합의 제작을 위하여 [001]축이 20o 비스듬이 cut된 STO기판의 반쪽은 CeO2/YSZ 이중 buffer layer가 사용되었다. YBCO박막은 STO위에 직접 성장한 부분은 c축이 20o 기울어져 있고 buffer layer위에서 성장한 부분은 c축에 수직이다. 따라서 전체적 YBCO박막은 20o a축 tilt 혹은 a축 twist biepitaxial 죠셉슨접합을 형성하였다. 또한 S-I-S 접합을 위하여 수백 Å의 gap(D)을 갖는 두 영역의 YBCO가 제작되어야 하는데 이러한 YBCO가 성장할 수 있는 기초 gap을 갖는 base layer를 개발하였다. 이러한 base layer로써 MgO를 경사지게 증착하여 고온 초전도박막을 증착하기 전에 V자 형태의 골을 미리 제작하는 새로운 방법으로 제작한 SNS 죠셉슨 접합의 가능성, 장접과 기초적인 특성을 측정해 보았다. 또다른 방법으로 STO와 MgO 혹은 STO와 YSZ의 열팽창계수의 차이를 이용하여 수백 Å의 gap을 가진 base layer의 제작을 시도하였다
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-04-07
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
액정표시소자(LCD)는 경량,박형,저소비전력의 장점으로 인하여 최근 notebook computer, monitor를 중심으로 그 수요가 급격히 증가하고 있으며 특히 정보화 사회에서 display소자의 중요성이 부각되면서 새로운 산업의 한 축으로 성장해가고 있다. 우수한 특성을 갖는 LCD를 설계하기 위해서는 각종 물성 및 공정 parameter의 최적화가 요구되는데 이러한 최적설계에는 약간의 검증실험을 포함한 simulation방법이 대단히 유용하다. simulation의 목적은 TN-LCD의 특성에 미치는 각 parameter의 영향을 상세히 분석하고 동시에 공정 parameter의 tolerance를 크게 하여 최적의 특성을 갖는 TN-LCD를 설계하기 위한 parameter의 최적화에 있다. 본 연구에서는 TN-LCD 광학 simulation의 핵심인 액정의 분자배열 해석과 투과율계산에 대한 이론을 구체적으로 기술한다.
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-04-07
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 현재 전량 외국에서 수입 사용하는 교통신호등용 백열전구를 대체하는 반도체 LED를 220V 상용 고전압에서 고효율로 사용하게 하는 교통신호등 LED 전구에 관한 기술임고효율(기존의 전구에 비해 효율이 9배 정도임) - 장수명(기존의 전구에 비해 20배 이상으로 반 영구적) - 수명 및 에너지 절약대비 가격이 저렴
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-04-07
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
1. 백색 EL 표시소자 제조기술 개발 [ 가. 고휘도 ELD를 위한 재료 및 박막 공정 개발 연구 나. 칼라필터 재료, Inverted 구조용 박막 전극 연구 다. 표시장치의 자동화 특성 분석 시스템 연구 및 구현 ] 2. 청색 LED, LD용 반도체 개발[ 가. 본 연구실에서 제작한 MBE 장치에 RHEED를 부착 나. Planar 도핑방법으로 n·p 형 도핑을 행하여 박막의 특성을 개선 다. ZnSSe와 ZnMaSSe 박막의 성장조건에 대하여 연구 라. TEM, PL 등의 방법을 이용하여 성장된 박막의 구조와 결함을 분석 마. 제작된 LED에 대해서 발광 특성을 분석 바. 오음 접속을 개선하기 HgSe의 성장조건에 대하여 연구 ] 3. 고휘도 황색 LED 개발[ 가. GaInP 성장층의 n Doping 제어 및 deep level 형성 연구 나. Se, Te의 doping조건 연구 다. p-InGaP/n-InGaP pn 접합의 형성 라. MOCVD로 성장한(Al0.5Ga0.5)In0.5P의 Si 및 Zn doping 마. MOCVD로 성장된(AlGa) InP 층의 산소의 혼입 확인 바. AlGaP의 DH 구조 LED의 특성 연구] .
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-04-07
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
반도체 재료와 그것을 기반으로 한 장치는 우주, 원자로 등과 같은 극한상태에서 널리 사용하는 것이 잘 알려져 있다. 불행하게도, 이것은 방사선 하에서 작동하지 못한다. 예를 들면, 규소와 비화갈륨의 전기적 성질은 빠른 중성자 방사 하에서 10^6-10^8의 차수로 변한다. 실험실에서 내방사성 재료의 구축에 관한 새로운 원리를 만들어냈다. 전자공학에 매우 중요한 LnP-InAs 반도체 고체 용해물에서 방사선 변화는 2개의 반대방향에서 발생한다는 것을 보인다. 합금 합성물의 정확한 형태에 의하여 상기 방사선 결함이 서로 다른 것은 보완하는 재료를 얻을 수 있다. 그 결과, 재료성질은 강하고 빠른 중성자 유동 F=2 10^18n/㎠에 의한 방사 후에도 현저하게 변하지는 않는다. 이 경우에 이 재료는 아직 결정질이며 무정형화를 거치지 않으며 대형 금속 함유물을 내포하지 않는다.얻은 재료는 잘 알려진 예에 비교할 때 더 내방사성을 갖는다. 동일한 것에 기초하여 태양전지, 광저항기, 온도계, 전자 저항기와 열 발전기와 같은 장치를 생산할 수 있다. 이들 장치는 원자력 발전소, 핵원자로, 가속기 등의 구역에 열린 공간에서 작동할 수 있다.
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- 특허법인충정
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
ISTC 프로젝트 #107이 완료된 결과, Nd:glass 레이저시스템에서 높은 첨두 출력을 갖는 picosecond 펄스를 발생, 증폭 및 압축시킬 수 있는 기법이 개발되었고, 초강력 광계(light field)와 물질간의 상호작용에 관한 연구 또한 실시되었는데, 목표 강도 1000PW를 넘는 극히 강력한 광계를 얻어냄으로써 새로운 물리적 효과에 관한 연구를 수행할 수 있었다. 프로젝트가 완료된 결과, 높은 일시적/스펙트럼 해상도 sanction을 갖는 laser lidar에 관한 새로운 개념 또한 제출되었다.최고 1MeV의 에너지를 갖는 hard X-Ray의 출력 및 스펙트럼 특성에 관한 연구. 본인들은 최고 1Mev의 양자 에너지 범위 내에서 지속시간 0.4-4 ps/목표강도 1016-1020 M/cm^2의 레이저 펄스에 의해 생성된 레이저 플라즈마의 hard X-Ray에서 나타나는 출력 및 스펙트럼 특성을 연구할 계획이다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 그레인 경계에서 식각비와 산화비가 증가하는 현상을 이용하여 고속 저전력소자에 이용되는 비휘발성 기억소자를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 원하는 크기의 나노결정을 아주 균일하고 재현성이 높게 고밀도로 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성하고 그 위에 산화막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거하고 세코식각 또는 라이트식각을 수행함으로써, 비휘발성 기억소자를 형성한다. 이때, 그레인 경계를 통한 식각비 증가를 이용하여 나노결정을 균일하게 고밀도로 형성한다. 또한, 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거한 후 다시 산화시킴으로써, 그레인 경계를 통한 산화비 증가를 이용하는 방법으로 비휘발성 기억소자를 형성할 수도 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 기존 microstrip이나 coplanar구조의 전송선이 가지고 있는 신호 간섭 및 전송 손실의 단점을 해결하기 위하여 동축구조의 전송선을 반도체 위에 형성하여 해결하는 것으로, 먼저 반도체를 식각하고 그위에 접지를 위한 금속을 증착한 다음 유전물질을 형성하고, 신호선을 유전물질 위에 만들어 하부쪽의 신호 손실 및 기판에 의한 간섭을 방지하고, 최종적으로 신호선 위를 유전물질과 접지 금속을 증착하여 상부쪽의 신호 간섭 및 손실을 방지한다. 이 때 상부와 하부의 접지는 유전 물질을 식각하여 연결함으로써 신호선을 완전히 차페시켜 외부로 신호가 빠져 나가는 것을 방지하게 된다. 따라서 이러한 구조의 전송선은 아주 소형의 고주파 응용 시스템에서 발생되는 신호 간섭을 방지하여 시스템의 소형화를 가능하게 하고, 신호의 왜곡을 방지하는 효과가 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 MMIC 구현을 위한 인덕터, 커패시터, 저항 등의 초고주파 소자에 관한 것으로서, 1GHz 이상의 초고주파 영역에서 발생하는 얇은 실리콘 산화막 아래에 있는 실리콘 기판의 반전도 특성에 기인한 신호 손실을 방지하기 위하여 실리콘 기판위에 종래에 이용되던 얇은 산화막 대신에 두꺼운 산화된 다공성 실리콘 층을 이용하여 소자를 집적시키는 것이다. 고주파 통신시에 수동소자의 기판과의 기생성분을 두꺼운 산화막을 이용하여 효과적으로 최소화하는데 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전자선 리소그래피를 이용하여 측면형 전계 방출 소자 구조 및 제조 방법으로서, 전자선 리소그래피로 극미세 구조의 캐소드, 애노드, 게이트 전극을 동시에 형성하여 저전압으로도 고속동작이 가능한 소자의 구조를 제안하고 그에 따른 제조법을 제안한 것이다. 첫 번째로, 전자선 리소그래피로 동시에 형성된 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 열 산화에 의해 떨어질 수 있을 만큼 작도록 하고, 게이트 전극은 가능하면 캐소드, 에노드 두 전극에 가깝게 형성시켜서 전자 흐름을 잘 조절할 수 있게 하며, 좌우 대칭이도록 한다. 또는, 위와 같이 전자선 리소그래피로 형성된 구조를 열 산화하여 캐소드와 에노드 전극이 떨어져서 나노 스케일의 간극을 형성하도록 한다. 이와 같은 극 미세 구조 형성 방법으로 단일 팁으로 구현되는 측면형 전계 방출 소자를 만들 수 있다. 앞서 언급한 본 특허의 기본 구조를 그대로 유지하면서 캐소드, 에노드, 게이트 전극의 저항을 줄일 수 있는 방법으로 산화막 위에 실리콘 필름 또는 다결정 실리콘(또는 비정질 실리콘)을 형성하고 그 위에 실리사이드를 형성하는 방법을 적용할 수 있으며, 이 때 실리사이드 물질은 일함수가 작은 것을 선정한다. 또, 실리사이드 아래의 실리콘 또는 다결정 실리콘을 과도 식각(overetch)하여 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 보다 더 뾰족하게 만들 수도 있다. 기존의 CMOS 공정과 양립성을 고려하고, 몇 장의 마스크를 추가하여 미세 진공(micro vacuum) 소자의 구조 및 방법을 사용할 수 있다. 이러한 방법을 멀티 팁으로 구현할 수 있으며, 이는 전류의 크기를 키울 수 있는 장점이 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
LED 칩 구조를 종래의 정방형 구조에서 마름모 또는 삼각형 형태로 변형해줌으로써 생성된 광자들이 칩 내에서 갇히어 흡수되는 현상이 억제되어 LED의 발광효율이 현저히 개선됨모든 LED에 광범위하게 적용할 수 있음.앞으로 고휘도 LED의 시장은 교통신호등과 같은 일반 조명 분야까지 확대될 것으로 예상되어 그 파급효과가 매우 큼
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-04-29
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
tunable Josephson oscillator, mixer, 주파수센서, radar, 스펙트럼 분석기 등으로 활용가능. Josephson junction array를 이용한 전자기파 방사세기가 크고, 외부회로와의 coupling이 좋은 마이크로파 소자임. 고속통신이 필요한 무선통신 시스템 및 오존센서, 전파천문학 등에 이용가능한 전자소자로서 미래 정보통신분야와 생활환경 개선 등을 이끌어갈 신제품 개발에 미치는 영향이 큼.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-04-29
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
노트북 컴퓨터에 관한 것이다. 현재 컴퓨터 관련 각종 기술의 발달로 노트북 컴퓨터의 크기 및 부피가 점점 작아져 가고 있다. 그 이유는 노트북 컴퓨터는 작고, 가벼울수록 그 부가가치는 더욱더 크기 때문이다. 그런데 노트북 컴퓨터의 디스플레이는 일정한 한계 이하로 작아지면 문제가 생긴다. 즉, 사용자 입장에서 디스플레이는 크면 클수록 사용하기가 편리하기 때문이다. 접어서 휴대할 때에는 기존의 컴퓨터와 같지만, 펼쳐서 사용할 때는 그 디스플레이가 2배로 크거나, 그 반대로 펼쳐서 사용할 때는 그 디스플레이가 기존의 컴퓨터와 같지만 접으면 기존의 컴퓨터 보다 그 크기가 1/2로 작게 하는데 그 목적이 있다.노트북 컴퓨터의 디스플레이를 접을 수 있도록 2단으로 구성하였다. 일종의 멀티비젼의 화면과 같이 2개 이상으로 구성하되 이것을 접었다, 폈다 할 수 있도록 한 것이다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2000-04-29
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
최근 PZT의 높은 유전률과 높은 압전상수, 우수한 분극특성 등을 이용하여 FRAM, DRAM과 같은 강유전체 박막 기억소자 및 미세감지장치(Microsensor), 미세구동소자(Microactuator) 등을 제작하려는 연구가 활발히 진행중에 있다. 그러나 PZT 박막은 동작 전압에서의 큰 누설전류와 낮은 파괴전장뿐만 아니라, 동작을 반복함에 따라 특성이 저하되는 전기적 피로현상(fatigue), 시간에 따라서 정보가 손실되는 노화현상(aging) 정보가 고착되는 imprint현상등과 같은 열화현상(degradation) 때문에 실용화에 제한을 받고 있다. 이는 주로 산소공공과 같은 결함들이 결정립계나 전극과의 계면에 축적되어 공간 전하를 생성하기 때문에 발생한다고 보고되어 있으며, 특히 결정립계에는 국부적으로 높은 전압이 인가되어 누설 전류가 많이 흐르고 낮은 전압에서 쉽게 절연 파괴(dielectric breakdown)된다.본연구에서는 rosette형태로 성장하는 PZT 박막의 결정화 과정을 조절하여 우수한 특성을 나타내는 단결정립 PZT 박막의 제작에 성공하였다. 동시스퍼터링법으로 PZT 박막을 형성할 때 Ta을 첨가하여 결정립을 크게 할 수 있었으며 PZT 박막 위에 Pt 상부전극을 증착한 후 복사 가열 방식으로 Pt 상부 전극 주위의 온도만 급속히 상승시킴으로써 rosette을 선택적으로 성장시켜 단결정립 PZT 박막을 제작하였다. 다결정립 PZT 박막의 주요 열화 요인인 결정립계가 없는 단결정립 PZT 박막은 우수한 전도특성(JLC∼1×10-8A/㎝2), 유전특성(εr∼12,000), 분극특성(Pr∼15μC/㎝2, QC∼35μC/㎝2), 피로특성을 나타내었으며 이는 초고집적 기억소자 및 미세구동소자와 미세감지장치 등에 적용이 가능하다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-28
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
박막의 특성을 이용하여 고온초전도 조셉슨 접합 소자 즉 tunable Josephson oscillator, SQUID, RSFQ, mixer, sensor 등에 이용할 수 있고, 박막 자체의 특성을 이용하여 antenna, filter, delay line, phase shifter, transmission line 등에 활용가능저렴한 가격과 쉬운 공정으로 고온초전도 박막을 제작할 수 있는 기술
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
전장발광램프는 형광체에 교류전계가 인가될때 빛이 발하는 것으로 나란한 두평행전극에 ZnS계의 형광층이 삽입된 형태가 기본이다. 형광체는 일정한 크기를 갖는 입자의 형태를 유지하고 있으므로 이를 두 편형전극사이에 고정시키기 위해서는 적당한 바인더(결합제)가 필요하다 일반적으로 사용되는 형광체의 입자직경은 10-50ym이고, 사용되는 바인더는 고유전율의 유기물이다. 전계발광이 이루어지기 위해서는 형광층을 가로질러 흐르는 전류의 흐름이 없어야 한다. 이를 위해서 별도의 BaTio3등을 사용한 절연층이 형광층과 전극사이에 설치된다 절연층의 삽입으로 인한 형광층에의 전계강도 약화를 최소화시켜주기 위해서는 고유전율을 갖는 절연체를 사용해야 한다. 형광층에서 발생한 빛이 외부로 방출되기 위해서는 한쪽의 전극은 고유전율을 갖는 절연체를 투명해야한다. 그리고 동작중인 형광체에 수분이 침투하면 형광체가 열화하여 휘도가 저하되는 문제가 발생하므로 이를 방지하기 위해 방습충이 별도로 설치된다. -도광판유니트는 CCFL을 이용한 고급형 LCD BACKLIGHT이다. 광도파 및 산란의 특성을 이용해서 도광판의 측면에 형광램프를 설치하여 대단히 얇은 두께 및 고효율의 BACKLIGHT를 가능하게 되는 기술이다
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
액정표시소자(LCD)는 경량,박형,저소비전력의 장점으로 인하여 최근 notebook computer, monitor를 중심으로 그 수요가 급격히 증가하고 있으며 특히 정보화 사회에서 display소자의 중요성이 부각되면서 새로운 산업의 한 축으로 성장해가고 있다. 우수한 특성을 갖는 LCD를 설계하기 위해서는 각종 물성 및 공정 parameter의 최적화가 요구되는데 이러한 최적설계에는 약간의 검증실험을 포함한 simulation방법이 대단히 유용하다. simulation의 목적은 TN-LCD의 특성에 미치는 각 parameter의 영향을 상세히 분석하고 동시에 공정 parameter의 tolerance를 크게 하여 최적의 특성을 갖는 TN-LCD를 설계하기 위한 parameter의 최적화에 있다. 본 연구에서는 TN-LCD 광학 simulation의 핵심인 액정의 분자배열 해석과 투과율계산에 대한 이론을 구체적으로 기술한다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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