일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 기술은 새로운 분자 구조를 지니는 우레탄 아크릴레이트계의 가교제를 이용하여 극도의 단분산성을 보이고 미크론 크기를 지니는 가교 고분자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 새로운 분자구조를 지니는 가교제를 알콜, 안정제, 개시제, 단량체와 함께 균일하게 혼합한 후, 50∼80℃의 온도에서 24시간 동안 40∼100 rpm의 교반 속도로 중합하여 단분산성을 보이는 1∼10㎛의 고분자 입자를 제조한다. 이때, 사용되는 가교제는 단량체와 상용성이 우수하고 연신성을 지니며 가교능력을 지니는 우레탄 아크릴레이트 계이다. 분산 중합 조성에 따라 가교도의 조절뿐만 아니라 평균 입경과 분산도의 조절이 가능하다.- 본 기술은 기존 분산 중합법에서 불가능하였던 단분산성 가교 고분자 입자를 새로운 형태의 가교제를 이용하여 성공적으로 제조할 수 있는 방법으로서, 최종 제조된 고분자 입자의 구조 안정성을 향상시킬 수 있음- 단분산성 가교 고분자입자에 팽윤법을 적용하여 다양한 기하학적 구조를 지니는 단분산성 거대 고분자 복합입자의 제조가 가능
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-07-25
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
일반적으로 고무 제품을 성형하는 고무 금형의 (1)버 발생 (2)스프루 런너의 가류화에 따른 손실 (3)제품 취출후 폐기되는 스크랩으로 인한 환경문제 발생 (4)후공정에 따른 품질 저하 및 원가 상승 (5)자동화를 수행할 수 없는 금형 구조가 제품 개발, 금형 제작 및 대량생산에서 나타나는 취약점을 개선한 버(burr) 없는 고무 제품 성형용 금형 기술.고무 제품 성형용 Burrless 금형 기술의 예상되는 파급효과는 (1)고도의 특수기술에 의한 면 정도를 높일 필요도 없고, (2)금형 체결 압력의 증대를 위해 큰 설비를 필요로 하지 않고, (3)버 발생을 미연에 방지할 수 있다.
- 등록일
- 2003-06-16
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
PVC는 일본에서 연간 약 200만톤정도 생산되고 있지만 가공시의 열분해를 막기 위해서 안정제가 꼭 필요하다. 안정제는 일본에서 연간 약6만톤 사용되고 있으며 그 중 약 50%가 Pb계이며 그 밖에 Sn계, Cd계, BaㆍZn계, CaㆍZn계, Hydrotalcite계로 대별된다. 후자의 2개 이외는 모두 독성이 있기 때문에 유럽에서는 사용이 금지 되었다. 당사는 Ca계 무독 안정제(Ca, Mg, Zn)(OH) 2(SEASTAB)를 개발했다.(1) 열안정성이 우수하다. (Pb계의 2배. Hydrotalcite계의 1.5배)(2) 성형시의 발포가 없다. 대구경 파이프, 이형압출, 사출 성형 등에 효과적이다. (3) 염가이다. Hydrotalcite계보다 염가이다. 따라서, 비용 대비 효과가 우수하다. (4) 투명성이 비교적 양호한 제품을 얻을 수 있다. Pb계는 투명 제품을 얻을 수 없다. (5) 황화 오염이 없다. Pb계는, S와 반응해, 불활성인 PbS를 생성하는 결점이 있다. (6) 무독성이다. 따라서, 식품 포장용 필름 등에도 이용할 수 있다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2003-07-16
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
일반적으로 고무 제품을 성형하는 고무 금형의 ①버 발생 ②스프루 런너의 가류화에 따른 손실 ③제품 취출후 폐기되는 스크랩으로 인한 환경문제 발생 ④후공정에 따른 품질 저하 및 원가 상승 ⑤자동화를 수행할 수 없는 금형 구조가 제품 개발, 금형 제작 및 대량생산에서 나타나는 취약점을 개선한 버(burr) 없는 고무 제품 성형용 금형 기술고무 제품 성형용 Burrless 금형 기술의 예상되는 파급효과는 ①고도의 특수기술에 의한 면 정도를 높일 필요도 없고, ②금형 체결 압력의 증대를 위해 큰 설비를 필요로 하지 않고, ③버 발생을 미연에 방지할 수 있다.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2003-10-02
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 기술은 EPDM 고무와 실리콘고무를 블렌드함으로써 기계적 강도와 가격경쟁력을 향상시킨 절연체용 고무조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 절연특성을 갖는 고분자중에서 실리콘 고무는 -50∼250℃의 온도범위에서 견딜 수 있는 내열성과 내한성을 가지고 있으며, 주쇄에 이중결합이 없기 때문에 내후성, 내산화성, 전기적 특성 등이 우수하다. 또한 작은 표면 에너지를 갖고 있기 때문에 발수성이 매우 뛰어난데 이러한 성질은 절연물 특성 중의 상당히 중요한 부분을 차지하며 절연성질이 요구되는 산업방면에서 실리콘 고무의 수요가 매년 증가하고 있다. 본 기술은 오픈 롤 밀에서 실리콘 고무에 삼수산화알루미늄을 첨가하여 혼합한 후, 경화제를 첨가하여 혼합하여 실리콘 컴파운드를 제조하는 단계, 인터널 믹서에 EPDM을 투입하여 혼합한 후, 산화아연을 첨가하여 혼합, 트리메틸프로판 트리메타아크릴에이트/실리카(TRIM/S)를 첨가하여 혼합, 삼수산화알루미늄을 첨가하여 혼합, 가교제를 첨가하여 혼합한 다음 EPDM 전체 혼합물을 혼합하여 EPDM 컴파운드를 제조하는 단계, 인터널 믹서에 실리콘 컴파운드 와 EPDM 컴파운드를 혼합하는 단계, 배합물을 핫프레스에서 경화하는 단계로 구성된다.- 본 기술에 의해 실리콘 고무에 비교적 단가면에서 유리한 EPDM 고무를 첨가함으로서 기계적 강도가 우수한 절연체용 저단가 실리콘 고무를 제조할 수 있음- 전기애자 소재 및 전기부품의 절연목적의 부품 소재 등과 같이 절연성이 요구되는 제품의 소재로서 유용하게 사용될 수 있음- 본 기술은 올레핀계의 EPDM 고무를 실리콘 고무와 블렌드함으로써 실리콘 고무의 낮은 기계적 강도 및 고비용을 개선할 수 있는 절연체용 고무조성물임
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-11-11
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
친수성기를 포함하는 신규의 디티오에스테르계 사슬이동제와 이를 이용한 비닐계 고분자의 비닐계 고분자의 리빙 자유 라디칼 중합반응(LFRP)으로서 디티오에스테르의 기본구조에 카르복실산 또는 설포네이트산의 친수성 작용기가 결합되어 있는 신규 구조의 사슬이동제와 비닐계 단량체, 자유 라디칼 개시제 및 유화제에 첨가하여 중합된 비닐계 고분자입자의 분자량 분포도(PDI)가 협소하고, 고분자 입자의 안정성이 증가되어 장시간 보관이 가능한 비닐계 고분자의 리빙 자유 라디칼 중합 방법이다. 좁은 분자량 분포를 갖는 비닐계 단량체를 중합하기 위해 가장 널리 응용되는 자유 라디칼 중합반응은 원자전이라디칼중합법, 니트록사이드 매개중합법, 가역적 부가-쪼개짐 사슬이동 중합법(RAFT)으로 구분된다. 최근 개발된 RAFT법은 안정한 자유 라디칼을 유도하기 위해 디티오에스테르계 물질 존재하에 중합반응을 실시하고 있으나, 유화중합의 경우 입자의 안정성 문제가 있고, 고분자 중합반응은 용액중합법에 한정되어 고분자 입자의 제조에 문제가 있다. 또 맥코믹에 의한 디티오에스테르 계 사슬이동제를 이용한 RAFT는 친수성 말단기를 염으로 치환하여 물에 완전 용해한 후 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈 등의 가용성 고분자를 수상에서 제조하는 데 역시 고분자 입자 제조에 한계가 있다. 유화중합에 적용하여 고분자 입자를 제조하는 방법은 디티오카르보닐 계의 사슬이동제를 유화제, 단량체, 물, 자유 라디칼 개시제와 혼합하여 수십 nm 크기의 비닐계 고분자를 제조하는 것으로서 생성된 고분자 비드의 안정성에 문제가 있다. 이에 종래의 사슬이동제를 이용한 RAFT 리빙 자유 라디칼 중합 시 생성되는 고분자 입자 안정성을 개선하기 위해 카르복실산 또는 설포네이트산의 친수성 작용기가 포함된 디티오에스테르계 사슬이동제를 합성하고, 신규의 사슬이동제를 사용하면 친수성기의 수소(H+)에 의해 정전기력이 유도되어 고분자 입자의 상호응집이 방지되므로 안정성이 증가하고, 또 분자량 분포도(PDI)가 협소한 비닐계 고분자를 합성할 수 있게 되었다.비닐계 단량체(방향족 비닐계, 시안계 비닐, 아크릴레이트계, 메타크릴레이트계, 디아크릴레이트계 및 디메타크릴에이트계), 자유 라디칼 개시제(산소, 히드로퍼옥사이드, 퍼에스테르, 퍼카르보네이트, 퍼옥사이드, 퍼설페이트 및 아조계) 및 유화제(음이온계 및 비이온계)를 이용한 비닐계 고분자 입자의 중합 방법이다. 본 LFRP에 사용되는 사슬이동제로서 친수성기를 포함한 디티오에스테르계는 고분자 입자의 표면에 수상의 방향으로 존재하고 수소원자가 해리되어 입자표면의 추가적 음전하를 발생시킴으로써 정전기력이 형성되어 입자간 상호응집을 방지하여 안정성이 향상된 비닐계 고분자 입자의 중합이 가능하다. 중합반응에 사용되는 비닐계 단량체로는 일반적 유화중합법에 사용되는 것으로 라디칼 개시가 가능한 비닐계 화합물이면 모두 사용할 수 있다.친수성기를 포함하는 구조의 디티오에스테르계 사슬이동제를 일정량 첨가하여 리빙 자유 라디칼 중합을 통해 중합된 고분자의 분자량분포도(PDI)가 1-2의 협소한 범위를 나타냄으로써 고분자 비드의 안정성이 증가되어 장시간 보관할 수 있으므로 경제성이 매우 우수하며 산업적으로 다양한 분야에 이용할 수 있다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2004-04-10
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 기술은 산화인과 플로린을 동시에 함유한 디히드록시 단량체와 이의 고분자에 관한 것으로서 산화인을 함유하는 디하이드록시 단량체를 염소화하여 개질화한 후 플로린 치환된 그리냐드(Grignard)시약과 반응시켜 제조한 다음산화인과 플로린을 동시에 함유하는 신규 단량체와, 신규 단량체를 사용하여 제조된 것으로 낮은 굴절율과 복굴절 그리고 제조의 용이성 및 열적안정성을 가지는 신규 고분자에 관한 것이다.본 기술은 산화인을 함유하는 디하이드록시 단량체의 히드록시기를 염소화하여 개질화한 후 플로린 치환된 그리냐드(Grignard)시약과 반응시켜 하나의 단량체내에 플로린과 산화인이 동시에 존재하는 신규 단량체를 제조하였고, 이러한 신규 단량체를 사용하여 제조된 고분자는 플로린을 함유하는 고분자가 가지는 일반적인 물성을 그대로 유지하면서도 접착력이 현저하게 향상된다. 따라서, 본 기술은 산화인과 플로린을 동시에 함유하고 있는 신규 디히드록시 단량체와 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물 및 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 (100) 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하고, 제 1절연막 상부에 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 감광막 패턴을 제거하고, 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공으로 삼각 골짜기를 형성하고, 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀을 형성한다. 이러한 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀에 성형물질을 붓고 이를 성형한 후에, 성형틀에서 굳은 성형물질을 분리하여 삼각 산맥 구조물을 제조한다. 또한, 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀로 사출 성형, 압출 성형, 또는 핫 엠보싱 공정 등을 위한 금속 형틀도 만들 수 있어 위 공정들을 통한 삼각 산맥 구조물의 대량 생산도 가능하다. 그러므로, 본 발명은 기판 미세 가공 기술을 이용하여 항력을 효율적으로 감쇠시키면서 곡면 등에도 적용할 수 있는 피크가 날카로운 유연한 미세 삼각 산맥 구조물을 대량으로 생산할 수 있다.두개 이상의 삼각 산맥 피크와 그 사이에 적어도 하나 이상의 골짜기가 있으며 상기 삼각 산맥 피크 및 골짜기는 병렬로 배치된 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1절연막 상부에 상기 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액으로 식각하는 기판 미세가공 기술을 이용하여 삼각 골짜기를 형성하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 상기 삼각 산맥 구조물의 성형틀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
*원리 및 개요본 기술은 LIGA 공정을 이용한 광학용 초소형 프리즘 어레이의 금형 제작 방법에 관한 것이다. *중요성 및 독창성1) LIGA 공정으로 X-선 마스크에 대한 정렬없이 경사노광하는 방법으로 프리즘 어레이 형태를 만들고, 어레이 형태에 전기도금을 한다.2) 표면조도가 우수하고 임의 형태의 가공이 탁월한 프리즘 어레이를 사출성형할 수 있게 하는 초소형 프리즘 어레이 금형 제조방법에 관한 것이다. 3) 방사광 가속기의 싱크로트론 방사광(Synchrontron Radiation)을 이용하여 일정한 형식을 갖는 광학용 프리즘 어레이를 제조할 수 있는 초소형 프리즘 어레이 금형의 제조방법에 관한 것이다.*특징 및 장점1) X-선 마스크를 이용하여 경사노광을 몇번 하는 경사 노광단계2) 노광단계에서 노광된 시편을 현상하여 원하는 프리즘 어레이 형태의 PMMA를 제작하는 PMMA 제작단계3) 제작된 PMMA 형상에 니켈 도금을 한 후 상기 PMMA를 녹여 실리콘 기판을 제거하여 해당하는 프리즘 어레이 형태의 니켈 금형을 얻는 단계* 효과1) 공정으로 X-선 마스크에 대한 정렬없이 경사노광하는 방법으로 프리즘 어레이 형태를 만들고, 어레이 형태에 전기도금을 함으로써 표면조도가 우수하고 임의 형태의 가공이 탁월한 프리즘 어레이를 사출성형할 수 있게 하는 이점을 제공한다.2) 방사광 가속기의 싱크로트론 방사광(X-선)을 이용하여 소정의 패턴을 갖는 광학용 프리즘 어레이를 제조할 수 있는 이점을 제공한다.
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 내구성이 향상된 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물에 관한 것이다.본 발명의 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물은 공지의 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물에 있어서, 천연고무(NR) 50∼60 중량부 및 5-에틸리덴-2-노르보르넨이 5% 미만 함유된 에틸렌프로필렌디엔고무(EPDM)와 브롬(bromine) 함량이 2.0∼2.5몰%인 부틸고무(Butyl rubber)가 2.5 : 7.5 ∼ 7.5 : 2.5의 비율로 혼합된 합성고무 40∼50 중량부가 혼합된 고무를 원료고무로 사용하는 것을 특징으로 한다.본 발명은 천연고무(NR), 에틸렌프로필렌디엔고무(EPDM) 및 부틸고무(Butyl rubber)의 혼합고무를 원료고무로 사용하여 우수한 내유성능을 유지하면서 내구성이 향상된 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물의 제공을 목적으로 한다.공지의 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물에 있어서, 천연고무 50∼60중량부 및 에틸렌프로필렌디엔고무와 브롬 함량이 2.0∼2.5몰％ 함유된 부틸고무가 혼합된 합성고무 40∼50중량부로 이루어진 혼합고무를 원료고무로 하고, 이 원료고무와 산화마그네슘을 포함하는 내구성이 향상된 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2006-06-16
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 착유기 유두컵용 백색 라이너 고무조성물에 관한 것이다.본 발명은 천연고무(NR), 에틸렌프로필렌디엔고무(EPDM) 및 부틸고무(Butyl rubber)로 이루어진 원료고무에 실리카를 사용하여 종래 라이너와 동등 수준 이상의 물성과 수명을 가지는 한편 라이너의 색상을 순백색으로 하여 라이너에 이물질이 묻거나 오염이 되었을 때 이를 쉽게 확인할 수 있는 백색 라이너 고무조성물의 제공을 목적으로 한다.본 발명의 착유기 유두컵용 백색 라이너 고무조성물은 공지의 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물에 있어서, 천연고무(NR) 40∼50 중량부, 합성고무 50∼60 중량부가 혼합된 원료고무 100 중량부에 대하여 실리카 40∼45 중량부 포함하는 것을 특징으로 한다.착유기 유두컵용 라이너 고무조성물에 있어서, 천연고무(NR) 40∼50 중량부, 합성고무 50∼60 중량부가 혼합된 원료고무 100 중량부에 대하여 실리카 40∼45 중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 공지의 착유기 유두컵용 라이너 고무조성물에 있어서, 천연고무 40∼50중량부, 에틸렌프로필렌디엔고무 15∼20중량부, 브롬 함량이 2.0∼2.5몰％ 함유된 부틸고무 35∼40중량부로 이루어진 원료고무 100중량부에 대하여 BET 표면적이 170∼180M2/G, CTAB 표면적이 155∼165M2/G, DBP 흡유량이 200∼216㎖/100G인 실리카 40∼45중량부 포함하는 착유기 유두컵용 백색 라이너 고무조성물.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2006-06-16
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 가스를 이온화시키거나 전자 충돌을 발생시키기 위한 방전 에너지 문제, 박막 퇴적 문제 및 퇴적된 박막이 온도 상승으로 변질되거나 활성화되는 것을 해결하고자 한다.본 발명은 가스를 이온화시키기거나 전자 충돌을 발생시키기 위한 방전 에너지를 최소화하고 박막의 퇴적을 고르게 하며 퇴적된 박막이 온도 상승으로 변질되거나 활성화되는 것을 방지할 수 있도록 한 내전극 정전 결합형 고분자 박막 제조 장치에 관한 것으로서, 최저의 방전 에너지 수준에서 안정한 방전을 수행하도록 하기 위해서 방전 전극을 방전 가스에 노출시키고, 이온화된 입자들이 반응 영역에서 방전 영역으로 역류되는 것을 막기 위해서 알루미늄 노즐을 방전 영역과 반응 영역의 연통 부위에서 반응 영역으로 돌출되도록 형성하고, 박막이 퇴적되는 기판에 냉각수 유로를 형성하여 퇴적된 입자가 기판의 온도 상승에 의해 변질되거나 활성화 되는 것을 최소화함으로써, 단량체인 모노머의 분해를 최소화 할 수 있으며 따라서 제작된 박막 자체가 모노머 고유의 특성을 유지하여 센서용 감지막이나 리소그래피용 레지스트 및 광학 박막 등을 용이하게 제조할 수 있는 것이다.본 발명은 캐리어 가스를 유입하여 방전시키는 방전관과 상기 방전관 하부에 상기 방전관과 연통되도록 설치되고 단량체인 모노머 가스를 유입하여 소정 기판틀 위에 놓여지는 기판에 고분자 박막을 퇴적 형성시키는 반응기를 구비하는 플라즈마 중합 장치에 있어서, 상기 캐리어 가스를 방전시키기 위하여 상기 방전관 상하의 양단 부위에 상기 캐리어 가스에 노출되도록 방전 전극을 형성한 것을 특징으로 하는 내전극 정전 결합형 고분자 박막 제조 장치를 특징으로 한다.본 발명은 단량체의 분해를 최소화하여 단량체의 고유의 특성을 유지하는 박막의 제작이 가능하여 물리적으로 화학적으로매우 안전된 박막을 형성할 수 있는 효과가 있으며, 따라서 단량체 자체의 특성을 고려하여 센서용 감지막이나 리소그래피용 레지스트 및 광학 박막등을 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다본 발명은 물리적 화학적으로 안전된 박막을 형성할 수 있으며, 센서용 감지막이나 리소그래피용 레지스트 및 광학 박막을 제조할 수 있어 그 시장성은 매우 크다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
고분자전해질 막(SPE, SOLID POLYMER ELECTROLYTE)은 2차전지, 커패시터, 센서, 연료전지 등의 구성요소로서 이온전도체와 분리막의 역할을 동시에 하며 여러 장점이 있어 많은 연구개발이 진행되고 있으나 건성 SPE(DRY SPE)에서는 낮은 이온전도도, 겔 SPE에서는 약한 기계적 강도, 다공성 SPE(POROUS SPE)에서는 전해질액의 누수(LEAK) 등이 해결해야할 점들로 남아 있다. 이런 문제점을 개선하기 위한 본 발명은 다공성고분자막에 겔을 투입한 새로운 형태의 고분자전해질 막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제조된 SPE는 겔 SPE와 다공성 SPE의 단점들을 보완해 기계적 강도가 겔 SPE보다 강화되고 전해질 누수문제가 감소되었으며 이온전도도가 다른 형태의 막보다 높아 여러 용도에 효과적으로 사용될 수 있다.고체고분자전해질 막을 제조하는 과정에서 다공성 고분자 막을 제조한 후 이 막에 전해질 용액을 흡입 시 고분자를 용해시키는 용매를 전해질 용액에 첨가하여 용액을 흡입한 다음 용액 밖에서 고분자막 내부 기공에 흡입된 용매에 의해 고분자가 용해되어 겔화가 진행되게 한 후 막을 건조해 고분자전해질 막을 제조함으로써 건성 SPE의 단점인 낮은 전도성, 겔 SPE의 단점인 약한 기계적 강도, 다공성 SPE의 누수문제 등을 개선하는 것을 특징으로 하는 고체고분자전해질 막 제조방법.
- 보유기관
- 순천대학교
- 등록일
- 2006-05-10
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 용질 공확산법(본 발명자가 명함)을 이용하여 구형 고분자 마이크로캡슐을 제조하는 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 0.1~1 중량%의 분산안정제가 녹아있는 수용액에 고분자 입자를 분산시키는 1단계; 상기 1단계에서 제조된 분산액에 0.1~1 중량%의 유화제를 이용하여 용질을 포함하는 용매 에멀젼을 제조하여 첨가하는 2단계; 상기 용매 에멀젼을 고분자 입자에 완벽하게 팽윤시키는 3 단계; 팽윤이 종결된 후 고분자/용질/용매 액적에서 완벽하게 용매만 선택적으로 제거하는 4단계로 이루어져 있다. 본 발명에서 제안하는 용질 공확산법은 미크론크기의 고분자 캡슐을 제조할 수 있는 신기술로서 용질의 포집률을 팽윤도에 따라 임의로 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 기존 방법보다 사용되는 용매의 량이 극히 적어 용매 제거 과정이 용이하다는 큰 장점을 지니고 있어, 다양한 고분자 캡슐의 제조에 매우 유용하게 적용될 수 있을 것으로 예상된다.이에 따라 초고진공 설비에 비해 저가이면서 유지비가 적게 들어 산업화가 가능하고 또한 초미립 금속분말 제조방법에 제약을 받지 않고 초미립 금속분말의 산화오염 없이 제품을 제조할 수 있는 효과가 있다.고분자 입자를 분산안정제가 0.1～1중량% 녹아있는 수용액에 서서히 교반시키면 완전히 재분산시킨다. 본 발명에 적용되는 고분자 입자는 구조, 형태, 크기, 제조방법에 관계없어 현존하는 모든 고분자 구형체를 포함한다. 구체적으로는 라디칼 혹은 이온 개시에 의하여 중합된 아크릴 혹은 비닐 고분자 입자, 용매 침적에 의하여 제조된 올레핀 고분자 입자, 용매침적에 의하여 제조된 엔지니어링 고분자 입자, 금속 혹은 무기 입자에 표면 처리된 금속/고분자 복합입자 혹은 무기/고분자 복합입자 등을 들 수 있는데, 전체 함량에 대비 10～50중량%가 적절하다. 한편, 본 발명에서 사용되는 분산 안정제는 수상에 녹을 수 있는 고분자로서, 구체적으로는 젤라틴, 스타치, 잔탄검, 소듐 폴리아크릴레이트, 히드록시에틸셀룰로오즈, 카복시메틸셀룰로오즈, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐 알킬 에테르, 폴리비닐 알콜, 친수성기를 주쇄에 지니고 있는 랜덤 혹은 블록공중합체 등이 포함된다.본 발명에서 사용되는 용매는 고분자 입자에 대해서 뛰어난 상용성을 지니고 용질에 대하여 우수한 용해력을 보여야만 한다. 부수적으로, 물에 대하여 0.03～3중량% 정도의 용해력을 지니는 용매가 물에서 높은 확산력을 지니기 때문에 본 용질 공확산법에서는 매우 적절하다. 최종 용매 제거 단계에서 증발법을 적용할 경우에는 끓는점이 10～60℃ 정도로 낮은 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 카본 테트라클로라이드 류의 클로리네이티드 용매, 디에틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디부틸 에테르 류의 에테르, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 이소프로필 아세테이트 류의 에스테르, 등을 포함하는 휘발성 용매가 적용된다. 또한 최종 용매 제거 단계에서 용매 교환법을 적용할 경우에는 펜탄, 헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 류의 히드로카본과 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸설폭시드, 고분자 단량체 등을 포함하는 모든 용매가 적용된다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 실리콘 단결정의 생산공정에서 미시적 결점을 최소화하는 품질 개선을 위한 실리콘 단결정의 최적의 표면 온도 분포를 구하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 기존의 모델 식을 이용하는 것은 동일하나 최적화 기법인 변분법과 품질 최적화를 수학적으로 표현한 목적함수를 구성하여 오일러-라그랑지 방정식을 구하며 이를 유한차분법으로 수치해석하여 본 발명이 구하고자 하는 최적 품질을 위한 실리콘 단결정의 표면 온도 분포를 구한다. 본 발명의 방법은 실리콘 단결정 제조의 다양한 조업 조건에 대하여 모두 적용가능 하며 구해진 최적 표면 온도 분포 조건을 이용하여 실리콘 단결정 제조 공정의 열적 환경을 제어하는 것이 가능하다. (1) 실리콘 단결정의 미시적 결점을 최소화하는 목적 함수를 구성하고, (2) 구성된 목적함수와 모델 식 및 변분법을 이용하여 오일러-라그랑지 방정식을 구성하고, (3) 오일러-라그랑지 방정식을 수치해석적으로 계산하여 실리콘 단결정의 미시적 결점을 최소화하는 최적 표면 온도 분포를 구하고, (4) 구해진 최적의 온도 분포로부터 실리콘 단결정 생산 공정의 열적 환경을 결정하는 것을 포함하는, 실리콘 단결정 내부의 미시적 결점을 최소화하기 위한 최적의 표면 온도 분포 예측 및 제어 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 가) 전극의 표면에 무기 및 유기 졸 용액을 코팅하는 단계, 나) 코팅한 막을 겔화 하는 단계, 다) 상기 겔화가 끝난 겔에 함유된 용매를 전도성 고분자 단량체를 포함한 전해액으로 치환하는 단계, 라) 전해액으로 치환된 전극을 작동 전극으로 하여 전기화학적 방법으로 전도성 고분자를 합성하는 단계, 및 마) 겔을 제거하는 단계를 포함하는 전도성 고분자 막의 제조 방법을 제공한다.; 본 발명은 유기 및 무기 겔 템플레이트를 이용하여 전도성 고분자를 합성한 후 겔을 제거함으로써 겔의 적절한 선택에 의하여 원하는 공극율을 갖는 전도성 고분자 막을 만들 수 있는 장점이 있으며 종래의 방법으로는 도달할 수 없는 높은 밀도를 가진 전도성 고분자 막을 제조할 수 있으므로 높은 에너지 밀도를 갖는 전극을 만들 수 있다는 장점이 있다. 가) 전극의 표면에 무기 및 유기 졸 용액을 코팅하는 단계, 나) 코팅한 막을 겔화 하는 단계, 다) 상기 겔화가 끝난 겔에 함유된 용매를, 아닐린, 피롤, 씨오펜 및 아세틸렌과 이들의 유도체 중에서 선택되는 전도성 고분자 단량체를 포함한 전해액으로 치환하는 단계, 라) 전해액으로 치환된 전극을 작동 전극으로 하여, 정전류법, 정전압법 및 순환전압법 중에서 선택되는 전기화학적 방법으로 전도성 고분자를 합성하는 단계, 및 마) 겔을 제거하는 단계를 포함하는 전도성 고분자 막의 제조 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 2㎛이상의 두꺼운 수지도막 두께에도 불구하고 향상된 내식성, 용접성 및 전착도장성을 갖는 프리실드 강판용 수지조성물 및 이를 프리실드 강판에 피복하는 방법에 관한 것이다. ; 본 발명에 의하면, 수평균분자량이 15,000~60,000인 에폭시수지 100중량부,고분자-클레이 나노복합체 5~30 중량부, 멜라민 수지 5~20중량부, 왁스 1~5중량부,및 장축이 0.5~4㎛인 Al, Cu, Ni등으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종이상의 금속분말 80~300중량부로 구성된 프리실드 강판용 수지조성물이 제공된다.또한, 본 발명에 의하면, 크로메이트 처리, 크롬프리 피막처리, 또는 SiOx 층 증착처리 중의 어느 하나의 처리가 된 아연 또는 아연합금 도금강판을 제공하는 단계, 상기와 같이 처리된 강판에 상기 수지조성물을 건조피막두께가 1.5~8㎛ 되도록 도포하는 단계, 및 상기 수지조성물이 도포된 강판을 200~250 ℃ 로 소부하고 냉각하는 단계로 구성된, 프리실드 강판에 수지조성물을 피복하는 방법이 제공된다.; 본 발명에 의한 수지피막은 아연도금 혹은 아연합금도금 강판에 피복 시 우수한 내식성, 내화학성, 용접성, 전착도장성 및 가공성을 나타낸다. 수평균분자량이 15,000~60,000인 에폭시수지(주제수지) 100중량부, 상기 에폭시 수지(주제수지)100중량부에 대하여 고분자-클레이 나노복합체 5~30 중량부, 멜라민 수지 5~20중량부, 왁스 1~5중량부,및 장축이 0.5~4 ㎛인 Al, Cu, Ni, Zn, Fe 2 P, Fe, Mn, Co, Ti 과 Sn으로 구성되는 군으로부터 선택된 1종이상의 금속분말 80~300중량부로 구성됨을 특징으로 하는 프리실드 강판용 수지조성물.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 전도성 폴리아닐린 혼합액(polyaniline blend)의 제조방법 및 상기 혼합액과 수계 바인더를 포함하는 전도성 폴리아닐린 코팅 용액에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 1) 폴리아닐린을 암모니아 수에 침지시킨 후 여과하여 1차 디도핑(dedoping) 시키는 단계; 2) 1차 디도핑된 폴리아닐린을 암모니아 가스로 포화된 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP) 용액에 용해시킨 후, 고형분을 제거하고 건조 및 세척하여 2차 디도핑 시키는 단계; 3) 2차 디도핑된 폴리아닐린을 페놀계 용매에 용해시키는 단계; 및 4) 페놀계 용매에 녹인 폴리아닐린 용액을 도판트를 포함하는 NMP와 혼합하여 도핑시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 전도성 폴리아닐린 혼합액을 제조하며, 이 폴리아닐린 혼합액은 전도성 코팅 용액의 원료로 이용 시 코팅 용액에 우수한 전도성 및 접착성을 부여하여 부식방지, 정전기 방지 및 전자파 차폐 등의 여러 산업 분야에 유용하게 활용할 수 있다. 1) 폴리아닐린을 암모니아수에 침지시킨 후 여과하여 1차 디도핑(dedoping) 시키는 단계; 2) 1차 디도핑된 폴리아닐린을 암모니아 가스로 포화된 NMP 용액에 용해시킨 후, 고형분을 제거하고 건조 및 세척하여 2차 디도핑 시키는 단계; 3) 2차 디도핑된 폴리아닐린을 페놀계 용매에 용해시키는 단계; 및 4) 페놀계 용매에 녹인 폴리아닐린 용액을 도판트를 포함하는 NMP와 혼합하여 도핑시키는 단계를 포함하는 전도성 폴리아닐린 혼합액(blend)의 제조방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
본 발명은 콜레스테롤 에스터라제를 특이적으로 인지하여 결합할 수 있는 단세포군 항체 단백질 및 이 항체를 분비하는 융합세포주에 관한 것이며 또한 이 융합세포주를 이용하여 상기 단세포군 항체 단백질을 제조하는 방법에 관한 것이다. 콜레스테롤 에스터라제를 특이적으로 인지하여 결합할 수 있는 단세포군 항체 단백질.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 고분자 가공공정 기술
나노 자성 물질 입자를 포함하는 복합체를 개시한다. 유전체 기지 내에 어느 한 방향으로 형태상 배열된 비대칭 형상을 가지는 나노 자성체 입자들을 포함하는 복합체를 제공할 수 있다. 이때, 기지는 실리카(silica), 알루미나(alumina) 또는 수소실세스퀴옥산(hydro silsesquioxane) 등과 같은 무기 물질로 이루어지거나 폴리이미드(polyimide), 에폭시(epoxy), PMMA(poly methyl methacrylate) 또는 메틸실세스퀴옥산(methyl silsesquioxane) 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 나노 자성체 입자는 γ-Fe 2 O 3 , CrO 2 , EuO, Co 또는 Ni로 이루어질 수 있다. 유전체 기지; 및 상기 기지 내에 어느 한 방향으로 형태상 배열된 비대칭 형상을 가지는 나노 자성체 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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