일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
동사는 다양한 알루미늄 합금과 강철로 만들어진 금속 제품에 복합 중합체(Teflon:테플론) 코팅 기술을 개발하였다. 본 기술로 개발된 복합 중합체의 코팅은 다음과 같은 특성을 갖는다. : 감마제, 비점착성(열저항 - 섭씨 350도 까지, 비연소), 부식 저항성, 식품에도 적용 가능함.본 제안된 복합 중합체 코팅 기술은 코팅의 지속 기간이 짧은 경향이 있으나, 본 기술을 이용하여 복합 중합체 (테플론)을 코팅하는데 들어가는 비용이 매우 저렴하여 문제가 되지 않을 것으로 사료된다. 만약 코팅된 제품을 약 1년간 집중적으로 사용할시, 코팅을 다시금 해야 할 필요성이 있다.본 개발된 기술의 응용을 통해 보여지는 코팅의 품질은 주요한 해외 경쟁사(TEFAL:테팔)와 비교할 때 그 품질이나 경쟁력들이 동등 이상이며, 오히려 상대적으로 코팅 비용이 저렴하기 때문에 코팅된 제품의 가격이 매우 경쟁력이 있어 시장 진입에 있어 충분히 유리한 경쟁력을 지닐 수 있다. 동 코팅 기술은 다음의 이익을 가져온다. :- 적은 결함 제품으로 불량율이 매우 낮음- 야채 오일 소비(90%까지)의 상당한 절감- 기술적 공정이 매우 단순함- 친환경성으로 공해를 유발하지 않음.- 기술 적용은 에너지와 자원 소비를 가장 효과적으로 활용할 수 있도록 한다.
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- 티알씨코리아
- 등록일
- 2005-07-25
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
*원리 및 구성본 기술은 황화아연 박막의 반사방지막이 성형된 플렉시블한 PET 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 1몰의 황화아연 용액, 1몰의 암모니아 용액, 1몰의 히드라진수화물 용액과, 이온제거수 및 티오요소 용액을 혼합하여 용해.포화시킨 혼합용액에 PET 기판을 침전시켜 PET 기판의 양면에 황화아연 박막으로 이루어진 반사방지막을 증착시키고, 이로 인해 성형된 반사방지막이 성형된 플렉시블한 PET 기판을 특징으로 하여, 플렉시블한 PET 기판의 양면에 반사방지막을 간편하게 성형할 수 있고, 저가로서 경제적이며, 큰 면적에서도 박막을 용이하면서도 균일하게 성형하여 재현성을 향상시킨다*본 기술의 장점첫째, ZnS 박막증착은 플라스틱 기판과 박막층사이의 열팽창 계수 차이로 인한 크랙이나 박막 박리현상 제거를 위한 기초 기술로 응용 가능하며, 새로운 저온(100 이하) 용액성장법(chemical bath deposition : CBD)을 이용함으로써 기존의 고비용의 진공 증착법이 아닌 간단한 설치와 저비용이 공정이 가능하게 되고 본 기술을 바탕으로 차세대 유기 EL 디스플레이 소자 및 기타 평판형 디스플레이 제품에 응용할수 있다.둘째, 유기 EL 디스플레이의 응용분야의 성장 전망을 바탕으로 개인통신용 기기뿐만 아니라 CNS와 같은 자동차용 디스플레이에 우선 활용하고, 차세대 플라스틱 기판을 이용하는 디스플레이 시스템에서 빛 이용효율 극대화에 활용하여 디스플레이 시스템에 저소비전력화 및 경량화를 통한 산업계의 경쟁력 강화에 기여할 것이다셋째, 대부분의 진공장치를 통한 증착에서 플라스틱 기판의 사용은 온도 제약이 많다. 본 특허에서 제안하는 저온 용액성장법(chemical bath deposition : CBD)은 bath에서 화학량적 배합을 통한 용액속에서 성장함으로써 성장온도를 비교적 낮게 제어 할수 있어서 (<100 ) 성장을 재현성 있게 제어 할수 있고, 비교적 적은 비용으로 대면적의 박막을 성장시킬 수 있다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
세라믹 재료나 고분자 재료는 표면이 소수성을 나타낸다. 이러한 소수성을 띠는 소재의 응용 분야를 더욱 넓히기 위한 방법으로, 소수성 표면을 친수성으로 개질시키려는 연구가 진행되고 있다. 본 기술은 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 양이온 고분자층 및 음이온 고분자층을 교대로 형성함으로써 소수성 기재 위에 친수성 코팅층을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 기술에서는 기재를 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재의 표면에 양이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 코팅층이 형성된 상기 기재를 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 상기 양이온 코팅층 위에 음이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 것을 포함하는, 기재 표면에 친수성 코팅층을 형성하는 방법을 제공한다.본 기술에 따른, 양이온 고분자 수용액 및 음이온 고분자 수용액에 침지시킴으로써 기재의 표면에 양이온 고분자층 및 음이온 고분자층을 교대로 형성하는 것을 포함하는, 친수성 코팅층의 제조방법은 기재의 크기 및 형태의 제한이 없고, 코팅층이 투명하여 기재의 원색 및 투명도를 그대로 유지시킬 수 있으며, 또한 수용액상에서의 침지법을 이용하므로 환경 친화적이며, 기재로서 유리, 세라믹, 금속 등의 무기 재료, 및 플라스틱, 고무 등의 범용 고분자 재료가 모두 사용될 수 있으므로 광범위한 산업분야에 유용하게 적용될 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-10
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
본 기술은 화학 증착에 의한 절연막 증착 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라스틱과 같이 내열성이 낮은 기판 상에 고품위의 절연막을 증착할 수 있도록 하는 저온 증착 방법에 관한 것이다. 일반적으로 플라스틱 기판은 가볍고 저렴하다는 장점이 있지만, 플라스틱의 특성상 140℃ 이상의 온도에서 증착 공정을 수행하는 것은 불가능한 것으로 알려져 있어 플라스틱 기판의 실용화에는 한계가 있으며 이를 극복하기 위하여 증착온도를 100℃ 내외로 낮출 수 있는 공정이 필요한 실정이다. 현재까지 개발된 저온 증착 공정은 반응기체를 극도로 희석시켜서 박막의 특성을 개선시키는 방법이 있는데, 저온 증착으로 인하여 박막 내에 불순물 함량이 높고 치밀한 절연막이 형성되지 않아 고온에서 증착한 것과 동일한 수준의 우수한 품질을 얻는데는 한계가 있다. 본 기술은 100℃ 이하의 저온 증착 공정으로 불순물 함량이 낮고 치밀한 구조를 갖는 고품위의 절연막을 형성할 수 있도록 하여 플라스틱 기판의 실용화가 가능하도록 한 것이다.본 기술에 의한 방법은 a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 것을 특징으로 한다.절연막의 저온 증착 후 주기적인 산소 플라즈마 처리를 반복하는 본 기술의 방법은 불순물 함량이 대폭 감소되고 전기적 특성 또한 우수하여 게이트용 절연막으로서도 손색없는 산화막을 저온에서 형성가능하여, 플라스틱과 같이 내열성이 약한 기판에 고품위의 절연막을 형성할 수 있도록 한다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-10
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화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
본 발명은 높은 투과/선택성을 갖는 기체분리용 탄소-실리카 분자체 분리막 제조방법 및 그 전구체가 되는 고분자 브랜드 및 조성에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 열분해성 고분자를 함유한 고분자 브렌드 전구체로부터 탄소-실리카 분자체 분리막을 제조하는 단계 기존의 폴리이미드실록산 전구체에 열분해성 고분자를 혼합하는 조성 결정 단계 상기 고분자 브랜드 전구체를 3-10℃/min의 승온속도로 350℃까지 승온 시킨 다음, 1-5℃/min의 승온속도로 500-550℃까지 승온 시킨 후 같은 온도 범위에서 0-2시간의 등온과정을 거치는 단계, 및 상기 등온과정을 거친 안정화된 분리막을 1-5℃/min의 승온속도로 600, 700, 800℃까지 승온 시킨 후 같은 온도 범위에서 0-2시간의 등온과정을 거치는 단계를 포함하는 기체분리용 탄소-실리카 분리막의 제조방법에 관한 것이다. 상기 탄소-실리카 분자체막은 헬륨, 수소, 이산화탄소, 산소, 질소 및 메탄과 같은 기체를 매우 효율적으로 분리할 수 있다.본 발명의 열분해성 고분자가 도입된 탄소-실리카 분자체막은 열분해성 고분자가 도입되지 않은 폴리이미드실록산으로부터 유도된 탄소-실리카 분자체막과 비교하여 향상된 기체투과도를 가지며, 따라서 기체분리막으로 사용될 수 있다. 한편 일반적으로 폴리이미드실록산으로부터 유도된 탄소-실리카 분자체막의 기체투과 성능 및 분리 성능은 최종 열분해온도, 승온속도, 열분해 분위기 등이 고려되어 결정되지만 본 발명의 열분해성 고분자가 도입된 고분자 브랜드 전구체 필름을 이용한 탄소-실리카 분자체막의 경우 열분해성 고분자의 함량을 조절함으로써 탄소-실리카 분자체막의 기체투과 성능 및 분리 성능의 조절이 가능하다는 효과가 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
본 발명은 AL2O3 기판 위에 ZNO 박막을 성장시켜 막 성장된 ZNO 박막 내에 내재된 결함들의 기원에 대하여 관찰하여 ZNO 박막의 최적 성장 조건을 얻을 수 있도록 하는 것으로, 이는 펄스 레이저 증착 시스템을 이용한 펄스 레이저 증착법으로 ZNO 박막을 성장시키는 방법에 있어서, ZNO 소결체에 레이저를 소정 에너지로 조사함과 더불어 ZNO 박막을 성장시키기 위한 기판의 온도를 소정 온도로 고정하여 ZNO 박막을 성장시키고, 이후, 광발광 측정에 의해 상기 기판에 성장된 ZNO 박막의 결정성을 측정하여 ZNO 박막 내에 내재된 점 결함을 파악할 수 있도록 한 것이다.펄스 레이저 증착 시스템을 이용한 펄스 레이저 증착법으로 ZNO 박막을 성장시키는 방법에 있어서, ZNO 소결체에 레이저를 소정 에너지로 조사함과 더불어 ZNO 박막을 성장시키기 위한 기판의 온도를 소정 온도로 고정하여 ZNO 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 성장 방법.상기 ZnO소결체는 ZnO미세결정을 성형한후, 1150도로 20시간 소결하여 제작한 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 성장 방법광발광 측정에 의해 상기 기판에 성장된 ZnO박막의 결정성을 측정하여 ZnO박막내에 내재된 점 결함을 파악하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막 성장 방법
- 보유기관
- 조선대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
본 발명은 고분자, 용매 및 첨가제로 이루어진 혼합 용액을 폴리에스테르 부직포에 함침 도포 후, 일정한 습도에 의해 상분리를 유도하여 이를 건조시킨 막의 제조 공정에 있어서, 염소화 폴리염화비닐을 테트라하이드로퓨란(THF)에 용해시킨 용액에 용매와는 잘 혼합되고 고분자에 대해서는 비용매로 작용하는 1-30중량%의 알코올을 첨가하여 고분자 용액을 형성하고, 이 고분자 용액을 폴리에스테르 부직포에 함침 도포한 후, 온도 25oC, 상대습도 45-90% 분위기 하에서 건조시켜 얻게 되는 것을 특징으로 하는 미세 다공성 염소화 폴리염화비닐 막의 제조 방법 및 상기 미세 다공성 막의 제조방법에 있어서 끓는점이 50-150oC이고, 고분자에 대해서 비용매로 작용하는 첨가제를 선택함으로써 다공성 고분자 막의 기공의 크기가 0.01-0.5μm이고 다공도가 25 - 87%인 것을 특징으로 하는 미세 다공성 염소화 폴리염화비닐 고분자 막을 얻고, 다공성 고분자 막의 순수투과유속이 13-8000 LMH임을 특징으로 하는 염소화 폴리염화비닐 고분자 막에 관한 것으로, 미세 다공성 막의 제조방법 및 이로부터 제조된 기공의 크기가 조절되고, 순수 물의 투과 유량이 개선된 다공성 염소화 폴리염화비닐 막에 관한 것이며, 본 발명에 따른 방법으로 제조된 막은 투과성능이 우수하여 정밀여과 등에 응용이 가능하다.본 발명은, 비용매 첨가제가 함유된 염소화 폴리염화비닐 용액으로부터 다공성 막을 얻을 수 있고, 끓는점이 높은 비용매를 사용함과 동시에 상대습도를 조절함으로써 기공의 크기 및 기공도의 조절이 가능하고 기공사이의 상호연결성이 증가하여 투과성능이 우수한 다공성 막을 제조할 수 있어 정밀여과에 응용이 가능하다. 끓는점이 상대적으로 높은 1차 알콜이 사용될수록 우수한 투과성능을 발휘한다. 고효율성을 가진 정밀여과막의 제조가 용이하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
현재까지 사용하고 있는 나노 플로팅 게이트 구조의 플래시 기억소자는 절연층 안에 Si 나노 입자를 포함시켜야 하기 때문에 소자 공정과정이 복잡하고 비용이 많이 든다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 스핀 코팅과 경화 작용을 통해 절연성 고분자 박막 내에 자발 형성된 ZnO 나노 입자들을 사용한 나노 플로팅 게이트 구조의 새로운 플래시 기억 소자 제작 방법을 본 발명에서 제시하였다. 전자가 절연성 고분자를 투과하여 ZnO 나노 입자에 포획 및 방출되는 효과를 이용하였으며, ZnO 나노 입자의 크기와 밀도의 제어하여 인가 전압에 따른 전자 포획 및 방출량을 조절할 수 있다. 본 발명이 제시하는 절연성 고분자 박막 내에 자발 형성된 ZnO 나노 입자들을 사용한 플래시 기억 소자 제작 방법은 기존의 사용하는 Si 나노 입자 기반의 플래시 기억소자에 비하여 절연성 고분자 안에 나노 입자를 간단히 형성할 수 있기 때문에 고가의 장비를 필요로 하지 않고 제작 할 수 있는 간단한 방법이다. 이 발명은 가격이 저렴하고, 고밀도 및 전기적으로 정보를 저장할 수 있는 새로운 플래시 기억 소자에 응용할 수 있다.본 발명은 플래시 기억 소자에서 절연성 고분자 박막 안에 형성된 나노 입자의 크기 및 밀도를 조절하여 외부 전압의 크기를 변화함에 따른 기억소자의 필요한 최적의 전자 포획 및 방출 특성을 제어 할 수 있다. 절연성 고분자 안에 삽입된 ZnO 나노 입자는 전기적으로나 화학적인 안정하기 때문에 장시간 사용할 수 있는 플래시 기억 소자로서 응용할 수 있으며, 소자 제작 및 공정 방법이 간단하여 저비용으로 플래시 기억소자를 제작하는 방법을 제시하고 있다
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
지금까지 사용하고 있는 SiO2 절연체안에 삽입된 Si 나노 입자 기반의 전계 발광 소자는 이온 주입과 열처리를 필요로 하고 있기 때문에 소자 공정 과정이 복잡하고 비용이 높으며 열전자에 의한 충돌 이온화를 발광에 이용하고 있기 때문에 시간에 지남에 따라 절연막의 특성 저하로 인해 소자의 수명이 줄어든다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 이온 주입 공정이 필요 없고 소자수명이 증가한 새로운 고분자 박막 내에 자발 형성된 화합물 반도체 나노 입자들을 사용한 고분자 전계 발광소자 제작 방법을 이 발명에서 제시한다. 외부에서 인가하는 교류 구형파 전압에 따라 전자와 정공이 교대로 폴리이미드 절연층을 투과하여 나노 입자에 포획 및 재결합하여 발광하며 나노 입자의 크기와 밀도의 제어하여 인가 전압에 따른 전하 포획 및 재결합률을 조절해 가장 효율적인 발광을 가능하게 할 수 있다. 본 발명이 제시하는 고분자 박막 내에 자발 형성된 화합물 반도체 나노 입자들을 사용한 고분자 전계 발광 소자 제작 방법은 기존의 사용하는 Si 나노 입자 발광 소자에 이온주입 및 열처리 공정이 필요 없기 때문에 고가의 장비를 필요로 하지 않고 시간에 따른 소자 특성의 저하가 없이 제작 할 수 있는 간단한 방법이다. 이 발명은 고효율 및 장수명 발광 소자의 제작방법을 제시하고 있으며 대면적 디스플레이 소자로 응용할 수 있다.발명은 전계 발광 소자에서 고분자 박막 안에 형성된 나노 입자의 크기 및 밀도를 조절하여 외부 교류 전압의 크기 및 시간 주기를 변화함에 따라 발광 소자의 필요한 최적의 발광 특성을 제어 할 수 있다. 절연성 고분자 안에 삽입된 반도체 나노 입자는 전기적으로나 화학적인 안정하기 때문에 장시간 사용할 수 있는 발광소자로서 응용할 수 있으며, 소자 제작 및 공정 방법이 간단하고 저비용으로 발광 소자를 제작하는 방법을 제시하고 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
위에 나타나 있는 본 발명의 이리듐 착체 인광 도펀트는 전계 발광 특성을 갖는다. 본 발명에 다르면, 청색 발광 고분자와 에너지 전이가 용이하여 OLED 소자 제작 공정잉 간단하고 발광색 조절이 가능한 인광 도펀트를 제공할 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 의한 고분자EL은 스핀코팅츠로 손쉽게 박막을 형성할 수 있고, 또한 낮은 구동전압에서 발광이 된다. 본 발명에 의해 개발된 인광도펀트는 호스트로부터 에너지 이동과정에서 손실이 적고 광변환 효율이 높도록 설계하는데 주요하다.이리듐 착체 인광 도펀트가 개시된다. 본 발명의 이리듐 착체 인광 도펀트는 전계 발광 특성을 갖는다. 본 발명에 다르면, 청색 발광 고분자와 에너지 전이가 용이하여 OLED 소자 제작 공정잉 간단하고 발광색 조절이 가능한 인광 도펀트를 제공할 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 의한 고분자EL은 스핀코팅츠로 손쉽게 박막을 형성할 수 있고, 또한 낮은 구동전압에서 발광이 된다. 본 발명에 의해 개발된 인광도펀트는 호스트로부터 에너지 이동과정에서 손실이 적고 광변환 효율이 높도록 설계하는데 주요하다.
- 보유기관
- 경북대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
본 기술은 원자층 화학증착법을 이용한 다성분 박막의 증착에 관한 것으로, 구체적으로는 선별된 2종 이상의 원료를 동시에 주입함으로써 목적하는 바에 따라 다양하게 조절된 조성의 다성분 박막을 용이하고 신속하게 증착시킬 수 있는 원자층 화학증착법에 관한 것이다.반도체 소자용 다성분 단층 또는 다층 극초박막은 단일 조성의 박막으로는 불가능한 특성을 나타낼 수 있다는 장점 때문에 다양한 분야에서 응용되고 있으며, 이 경우 극초박막의 제조에 유리한 원자층 화학증착법(ALCVD, Atomic Layer Chemical Vapor Deposition)이 주로 사용된다.그러나, 일반적으로, ALCVD는 원자층 한층을 증착하는데 기본적으로 4단계의 공정(원료기체 주입→원료기체 퍼지→반응기체 주입→반응기체 퍼지)을 필요로 하기 때문에 공정시간이 길다는 단점을 갖는다.특히, ALCVD를 이용하여 다성분 박막을 증착시키는 경우에는, 원료들의 예비기상반응에 의한 부산물의 생성 가능성 및 목적하는 조성비로의 성분 조절의 어려움 때문에 원료 각각을 별도로 주입한 후 퍼지시키고 있어서, 기본적인 4단계에 추가로 2단계 이상을 필요로 하여 공정시간이 더욱 길어진다는 문제가 있었다.본 기술은 상기 문제점을 해결하여 원자층 화학증착법의 원료 주입 단계에서, 선별된 2종 이상의 원료를 동시에 주입함으로써 목적하는 조성의 다성분 박막을 용이하고 신속하게 증착시킬 수 있다.본 기술에서는, 원자층 화학증착법을 이용하여 다성분 박막을 제조함에 있어서, 원료 주입 단계에서, 서로 반응성이 없는 2종 이상의 원료기체를 동시에 주입하고, 이때 상기 원료기체는 증착시키고자 하는 조성비에 해당하는 각각의 양으로 조절하여 주입됨을 특징으로 하는 방법을 제공한다. 본 기술에 따른 다성분 박막은 다성분 단층, 다성분 및 단성분 다층, 또는 다성분 다층의 형태일 수 있다.또한, 본 기술의 특징은1)다성분 단층 박막의 증착 서로 반응성이 없는 2종 이상의 원료기체를 동시에 주입한 다음 반응기체를 주입하는 데, 증착시키고자 하는 조성비에 해당하는 원료기체 각각의 주입량은 운반기체의 양, 원료 증기압(버블러의 온도), 밸브의 온/오프(on/off) 펄스주입시간 등에 의해 조절할 수 있다.2)다성분 및 단성분 다층 박막의 증착 다층 박막 제조시에는, 상기한 바와 같이 다성분 단층 박막을 제조한 다음 단일 성분 원료기체만을 주입하여서 다성분 박막과 단성분 박막을 번갈아 증착시킬 수 있으며, 다른 조성의 다성분 박막을 번갈아 증착시켜 다성분 다층 박막도 제조할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
액정디스플레이용 광배향성 액정배향막(Photo Orientation Layer for LCD Device ) :본 발명은 폴리실록산을 주쇄로, 쿠마린기, 페릴릭기 및 시나모일기를 폴리실록산의 겹사슬로서 갖는 공중합체로 이루어진 감광성 고분자 소재로 구성되는 액정배향막에 관한 것이다.본 발명에 따른 액정배향막은 단독중합체에 비해 우수한 광배향성을 갖는다.액정의 배향을 유도하는 액정디스플레이용 광배향성 액정배향막으로서, 1) 주쇄로서, 폴리실록산과 2) 폴리실록산의 결사슬로써, 쿠마린기, 시나모일기 또는 페릴릭기를 갖는 공중합체로 이루어진 감광성 고분자 소재로 구성되는 액정 배향막이 있다.[발명의 명칭] 액정디스플레이용 광배향성 액정배향막 [도면의 간단한 설명] 제1도는 본 발명에 따른 배향막을 적용한 액정판의 단면도, 제2도는 본 발명에 따른 배향막의 광배향 도해의 예시도, 제3도는 본 발명에 따른 배향막의 UV 조사량에 따른 예비경사각의 변화를 나타내는 그래프.청구항1 액정의 배향을 유도하는 액정디스플레이용 광배향성 액정배향막으로서, 1) 주쇄로서, 폴리실록산과 2) 폴리실록산의 결사슬로써, 쿠마린기, 시나모일기 또는 페릴릭기를 갖는 공중합체로 이루어진 감광성 고분자 소재로 구성되는 액정 배향막.청구항2 제1항에 있어서, 상기 폴리실록산의 주쇄에 -C6H5, -(CH2)3CN, 또는 -CnH2n+1(1≤n≤10)의 치환제가 포함된 것을 특징으로 하는 액정배향막.청구항3 제1항에 있어서, 상기 신나모일 곁사슬의 말단기가 , 또는 -CxH2x+1(x는 1내지 10이다.)인 것을 특징으로 하는 액정 배향막.청구항4 제1항에 있어서, 쿠마린기 곁사슬의 말단기가 , 또는 -CxH2x+1(x는 1내지 10이다.)인 것을 특징으로 하는 액정배향막. 청구항5 액정디스플레이요 광배향성 액정배향막으로서, 하기 일반식의 감광성 고분자 소재로 구성되는 액정 배향막;여기서, 0≤x,y,z≤100, 2≤w≤1000, R1, R2와 R3는 각각 = -C6H2(페닐), -(CH2)3CN 또는 -CnH2n+1(n는 1 내지 10이다)이고, R4, R5와 R6는 각각< - KIPRIS 명세서참조>또는 < - KIPRIS 명세서참조>와 같은 쿠마린 곁사슬, 또는 < - KIPRIS 명세서참조>또는와 같은 신나모일 곁사슬, 또는 와 같은 펠릴릭 곁사슬이다.(여기에서, m=1 내지 10이고, R7는 , 또는 CxH2x+1(x는 1 내지 10)이다.청구항6 제5항에 있어서, 0≤x,y,z≤50인 것을 특징으로 하는 액정배향막.청구항7 제5항에 있어서, 0≤x,y,z≤20인 것을 특징으로 하는 액정배향막. 청구항8 제5항에 있어서, 1≤W≤500인 것을 특징으로 하는 액정배향막.청구항9 제5항에 있어서, 1≤W≤100인 것을 특징으로 하는 액정배향막.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-11-08
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화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
*원리 및 구성본 발명은 가교된 폴리비닐알콜계 신규 고분자막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 종래 고분자 소재를 가교 결합시킨 형태의 고분자막에 있어, 제 1 성분으로 할로겐기 또는 토실기의 관능기 및 이중결합을 동시에 함유한 화합물과, 제 2 성분으로 할로겐 혹은 토실기 및 전해질 기능을 부여하는 관능기를 동시에 함유한 화합물을 폴리비닐알콜계 고분자의 하이드록시기에 에테르 반응하여 이중결합 및 상기 관능기를 도입한 후, 자외선 또는 전자빔 등의 광을 조사하거나 열을 가해 가교시키면 이중결합간에 공유결합의 형성으로 내화학성, 내구성 등의 기계적 물성이 월등히 향상된 신규한 가교된 폴리비닐알콜계 고분자막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.*배경폴리비닐알코올은 얇은 필름을 성형하기 쉽고 높은 친수성과 내화학성이 강하고, 가교시에 물만을 선택적으로 투과시키는 특징 등으로, 역삼투막, 투과증발막, 이산화탄소 분리막, 제습막, 한외여과막, 정밀여과막, 폐수처리용 막반응기 담체 등의 분리막, 투명한 친수성 표면 코팅재료, 단백질에 오염되지 않는 혈액여과막을 비롯한 여러 분야에 쓰여지고 있다. 이런 경우에 대개의 경우 강도와 내구성의 증가 등을 위해 가교된 박막의 형태로 많이 사용된다. 일반적으로 폴리비닐알코올은 반복되는 결빙-해동(freezing-thawing) 과정에 의해 물리적으로 가교가 되거나[Polymer, 1989, 30, 762], 디알데히드[Advances in Polymer Science, 1997, 130, 1] 디아이소시아네이트[Journal of Polymer Science Part A, 1996, 925] 혹은 디에시드와 그 치환물[Journal of Applied Polymer Science, 59, 425] 등에 의해 화학적으로 가교가 될 수 있으며, 가교된 물질은 선형고분자에 비해 망상구조로 이루어져 있어 용해가 되지 않고 기계적 강도가 향상되어 분리막이나 생체재료 등에 이용되어 왔다. 그러나 이러한 고분자 또는 이를 이용한 막은 그 자체에 산이나 물 등에 쉽게 영향을 받을 수 있는 아세탈, 에스터, 우레탄 등의 그룹을 포함하게 되어 장기간 사용시 분해가 되는 단점을 안고 있다.*특징 및 장점1)할로겐기 또는 토실기의 관능기와, 이중결합을 동시에 함유한 화합물과 폴리비닐알콜계 고분자를 이용하여 이중결합을 윌리암슨 합성법으로 도입하고 이를 광가교.2)내화학성, 내구성 등의 기계적 강도가 향상된 가교고분자를 형성.3)이를 막재료로 사용하면 기체분리, 투과증발, 역삼투, 단백질분리막, 연료전지막, 이온교환막, 촉진수송막 담지막 등 분리가 요구되는 여러 산업분야와 생체재료로 광범위하게 사용될 수 있음.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
*원리 및 구성본 발명은 구리 배선 공정에서 매우 우수한 확산 방지막 특성을 나타내는 탄탈럼 질화물 (TaN)의 새로운 선구 물질에 관한 것이다.*배경BST (barium strontium titanate) 강유전체 박막을 사용하여 축전기 (capacitor) 를 제조할 때 BST의 유전 특성을 강화하기 위한 산화 과정에서 기존에 널리 사용되는 백금 (Pt) 전극의 경우에는 산소 확산에 의한 산화(oxidation) 또는 규화 (silicidation) 현상이 일어나고 박막 표면이 불균일하여 누설 전류 (leakage current)가 증가한다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 백금과 실리콘 사이에 확산 방지막 (diffusion barrier)을 사용하는 연구가 이루어지고 있다. 현재까지 보고된 연구 결과에 따르면, 확산 방지막의 제조에 사용하는 물질 (예: 티타늄 질화물, 텅스텐 질화물, 탄탈럼 질화물 등)은 산소 분위기에서 안정하지만 결정 성장 과정에서 생기는 낟알 경계 (grain boundary)를 통하여 확산한 산소가 실리콘 기질과 반응하여 산화막을 형성한다. 그러므로 화학적으로 비활성이며 결정 구조상으로 낟알 경계가 존재하지 않고 고온까지 그 특성을 유지할 수 있는 금속 방지막 (barrier metal)에 대한 연구가 관심의 대상이 되어 왔다 (Han, C.-H. 등, Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 2646). 또, 구리 배선을 반도체 소자의 제조에 적용하기 위해서는 확산 장벽이 반드시 필요한데, 확산 장벽의 대표적인 물질로는 기존의 알루미늄 배선에 사용하는 티타늄 질화물 (TiN) 뿐만 아니라 탄탈럼 (Ta), 텅스텐 (W), 티타늄-텅스텐 (TiW), 크롬 (Cr), 탄탈럼 질화물 (TaN) 등이 알려져 있다. 이 중에서 탄탈럼은 650 ℃까지 열적 안정성을 보이는 것으로 보고되었다.이 중에서 현재 많이 사용하는 확산 방지막은 티타늄 질화물 (TiN)이나 최근에는 탄탈럼 질화물을 이용한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 탄탈럼 질화물 박막은 현재의 구리 배선 공정에서 매우 우수한 확산 방지막 특성을 나타내므로 차세대 확산 방지막으로서 매우 관심을 끄는 재료다.*종래기술지금까지 나온 탄탈럼 질화물 박막을 제조하는 방법을 살펴보면 Gordon과 Hoffman은 200-450 ℃에서 암모니아와 펜타키스디메틸아미도탄탈럼 [Ta(NMe2)5]을 반응시켜 Ta3N5 박막을 제조하였다 (Fix, R. 등, Chem. Mater. 1993, 5, 614). Hieber는 600-1000 ℃에서 암모니아와 염화탄탈럼 (TaCl5)을 반응시켜 Ta3N5 박막을 제조하였다 (Hieber, K. Thin Solid Films 1974, 24, 157). Takahashi는 700-1000 ℃에서 염화탄탈럼과 질소 기체, 수소 기체를 사용하여 화학 증착법으로 TaN 박막을 제조하였다 (Takahashi, T. 등, J. Less-Common Met. 1977, 52, 29). 최근에 Chiu는 500-650 ℃에서 단일 선구 물질인 (Et2N)3Ta(η2-EtN=CMeH)을 이용하여 TaN 박막을 제조하였으며, Sugiyama는 단일 선구 물질인 Ta(NEt2)5으로 TaN 박막을 제조하였다 (Chiu, H.-T. 등, J. Mater. Sci. Lett. 1992, 11, 96; Sugiyama, K. 등, J. Electrochem. Soc. 1975, 122, 1545).이상과 같이 종래에 알려진 탄탈럼 착화합물들의 장점에도 불구하고 이들의 사용에는 여전히 열적 안정성, 휘발성 및 탄탈럼 질화물 박막의 선택 증착에 문제점이 남아 있다. *특징 및 장점1)수분에 덜 민감하고 보관이 유리.2)특히 탄탈럼 질화물 박막을 제조하기 위한 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD) 또는 원자층 침착법 (ALD)의 선구 물질로서 유용하게 사용할 수 있음.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
*원리 및 구성본 발명은 광중합성 조성물 및 이로부터 제조된 광중합성 막에 관한 것으로, 굴적률이 높은 방향족 아크릴계 또는 메타크릴계 화합물, 바인더로서의 실록산 전구체-함유 졸겔 용액 또는 투명 고분자 수지, 및 광개시제를 적정량 포함하는, 본 발명의 광중합성 조성물은 광경화시 수축율이 낮으면서도 굴절률 차이가 커서 기록효과가 우수한 광중합성 막을 제공할 수 있다.*배경정보화시대에 들어와 광화학적 중합이 도료, 인쇄용 기판, 인쇄회로, 집적회로, 정보기록 및 전자기기 분야 등 여러 분야에서 다양하게 사용되고 있다. 광화학적 중합은 중합성 화합물에 빛을 조사하여 중합시키는 기술로, 중합성 화합물에 직접 광조사하여 활성화시킴에 따라 중합을 개시하는 광중합과, 중합성 화합물에 광증감제를 공존시킨 상태에서 광조사하여 광증감제의 성장활성종을 생성시킴에 따라 중합을 수행하는 광증감 중합으로 구분된다. 이러한 광화학적 중합은 중합개시 및 정지가 여기광의 점멸에 의해 제어될 수 있으며, 여기광의 강도나 파장을 적절히 선택함으로써 중합속도나 중합도를 용이하게 제어할 수 있다. 또한, 광화학적 중합은 속도가 빠르며 일반적으로 중합개시 에너지가 낮기 때문에 저온에서도 중합이 가능하다.*종래기술양이온 중합반응을 이용하는 에폭시 중합이 제안되어 수축이 1/2 정도로 감소하였으며(문헌[Waldman et al., "Cationic Ring-Opening Photopolymerization Methods for Volume Hologram Recording", SPIE Vol. 2689, 1996, at 127] 참조); 팽창제라고 불리우는 스피로-오르토에스테르(spiro-orthoester) 및 스피로-오르토카보네이트(spiro-orthocarbonate)가 에폭시계 중합성 조성물에 첨가되어 수축이 감소되고 경우에 따라서는 부피가 팽창하는 결과도 발표되었다(문헌[Expanding Monomers: Synthesis. Characterization, and Applications (R. K. Sadhir and R. M. Luck, eds., 1992) 1-25, 237-260]; 및 [T. Takata and T. Endo, "Recent Advances in the Development of Expanding Monomers: Synthesis, Polymerization and Volume Change", Prog. Polym. Sci., Vol. 18, 1993, 839-870] 참조). 미국 특허 제6,221,536호 또한 중합시 수축보상을 가져오기 위해 특정 스피로 화합물 팽창제를 중합성 조성물에 첨가하는 것을 제시한 바 있다.그러나, 스피로 화합물의 수축보상은 부분적인 상변화에 의한 것으로 그 효과가 그다지 크지 않고, 특히 개환반응과 그에 따른 분해반응 속도를 제어하기 어렵다는 문제를 갖는다(문헌[C. Bolln et al., "Synthesis and Photoinitiated Cationic Polymerization of 2-methylene-7-phenyl-1,4,6,9-tetraoxaspiro[4,4]nonane," Macromolecules, Vol. 29, 1996, 3111-3116] 참조).미국 특허 제4,842,968호는 다공성 유리재료 내에 광이미지 재료를 포함하는 매체를 개시하고 있다. 이 경우 광조사 기록 후 빛에 노출되지 않은 부분을 용매로 제거해야 하는데, 이때 용매 확산, 화학적 반응, 미반응된 단량체 제거의 어려움 등의 문제가 있다.*특징 및 구성1)광경화시 수축율이 낮으면서도 굴절률 차이가 커서 기록 효과가 우수한 광중합성 막을 제공.2)홀로그라피 시스템, 디스플레이용 동영상 제조 시스템, 볼륨 홀로그램을 이용한 광분리기, 광헤드장치,액정표시장치, 다단계 그레이팅, 인쇄조판 또는 감광성 내식막, 정보기록막 등에 유용하게 적용.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
* 발명의 개요하기 화학식 1의 알킬설포네이트기로 치환된 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전도성 음이온성 화합물로 구성된 전도성 음이온성 화합물 층 또는 하기 화학식 2의 양이온성 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전도성 양이온성 화합물로 구성된 전도성 양이온성 화합물 층을 포함하는 전기전도성 화합물 층 사이에 덱스트란 설페이트, 폴리-L-리신(p-Lys) 및 폴리-L-글루탐산(p-Glu)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비전도성 음이온성 화합물로 구성된 비전도성 음이온성 화합물 층, 폴리(에틸렌 이민)(PEI, 90%, MW 60000), 도핑된 폴리아닐린, (트리페닐포스포라닐리덴)암모늄 클로리드(BTPPA+Cl), 옥틸트리메틸암모늄 브롬(OTAB), 데실트리메틸암모늄 브롬 (DeTAB), 도데실트리메틸암모늄 브롬(DTAB) 및 캐티오닉 키토산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비전도성 양이온성 화합물로 구성된 비전도성 양이온성 화합물 층 또는 상기 비전도성 음이온성 화합물 층과 비전도성 양이온성 화합물 층을 포함하는 비전도성 화합물 층 구역이 삽입되어 적층된 전도성 박막. [화학식 1] [IMAGE 11] [IMAGE 12] [IMAGE 13] (1d) (1e) [IMAGE 14] [IMAGE 15] (1f) (1g) [IMAGE 16] (1h) (단, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3 및 R4는 수소, 할로겐 원소, 메틸기, 메톡시기 또는 니트로기이며, R1, R2, R3 및 R4 중에서 적어도 하나는 수소이고; R5, R6 및 R7은 탄소수 2 내지 20의 알킬렌기, 폴리에틸렌 옥시기 또는 알킬렌-폴리에틸렌옥시기이며, A는 결합선 또는 탄소수 1 내지 4의 치환 또는 비치환된 알킬렌기이며; B는 탄소수 1 내지 4의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 -CH2-(CH2)ℓ-[C(R)(R')]m-(CH2)ℓ-CH2-(단, R과 R'은 서로 같거나 다른 것으로서 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고, ℓ은 0 내지 3인 정수, m은 0 또는 1인 정수임)이며; X는 수소, 알칼리금속 이온, 또는 테트라알킬암모늄 이온이고, a 및 b는 1이상의 정수임.) [화학식 2] [IMAGE 17] (단, Y- 는 할로겐 이온, ClO4- 및 PF6- 이고, R8은 탄소수 1 내지 20의 할로겐 원소로 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 또는 -(CH2CH2O)n-(단, n은 1 내지 20의 정수임)이며, x는 각각 3이상의 정수임.)* 발명의 효과본 발명에 따라 제조된 전도성 박막은 전자전달이 용이하고 ㎚ 크기의 균일한 두께를 가지며, 매우 빠른 착색/소색 응답성을 나타내면서도 우수한 메모리 특성과 반복성을 보유하는 등 우수한 전기화학 특성을 가진다.이러한 전도성 박막은 산화-환원반응을 수반하는 전기화학소자에서 전도성 박막 내 전자 전달을 용이하게 하고 또한 본 발명에 따라 제조된 전기화학소자는 산화 환원 반응을 용이하게 하여 응답속도가 빠르고 디스플레이, 전자 책, 전자종이, ID, Tag, 전자 라벨, 휴대용 컴퓨터,선글라스, 자동차 후사경, 태양광 조절 창, 장식용 제품, 화학센서, 바이오센서, 광전 센서 및 정보 기억 처리 장치 등 다방면에 응용 가능하다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-03-14
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화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
본 발명은 전기화학 증착법에 의한 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 오산화바나듐 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 황산바나듐(VOSO4) 분말을 증류수에 용해시킨 후, CTAB 분말을 첨가하여 반응시킨 후, pH를 조절하여 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지하고, 전기화학 증착시켜 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 박막으로부터 세척용액을 사용하여 CTAB를 제거하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오산화바나듐 박막은 추가적인 처리공정이 필요없이 직접적으로 전극을 사용할 수 있어, 처리 공정의 단순화와 제조 비용을 절감할 수 있으며, 소량의 구조배양물질을 이용하여 중간세공 구조의 산화바나듐을 제조할 수 있다. 또한, 생성되는 박막이 균일한 층상 구조와 기공의 크기로 인해 표면적이 증가되었고, 이로 인해 기존의 기공성이 없던 산화바나듐에 비해 성능이 월등히 향상될 수 있어 산화바나듐을 이용한 촉매, 리튬 2차전지의 양극전극재료 등에 유용하게 사용될 수 있다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2008-08-27
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
1. 기술의 개요 목적 : 본 기술은 스퍼터링에 의한 알루미늄 피막 형성방법으로, 각종 소재의 내식성을 향상시키고 미려한 외관을 제공하며 코팅층의 경도를 높여 내구성을 향상시키는데 사용되며, 특히 스퍼터링을 이용하여 알루미늄과 산화알루미늄을 다층으로 코팅하여 피막의 조직을 제어하고 동시에 경도를 높여 내 스크래치성을 향상시킨 기술임. 구성 : 스퍼터링에 의해 기판에 알루미늄 피막을 형성하되, 불활성 가스 분위기 하에서 스퍼터링 증발원에 부착된 알루미늄 타겟으로부터 알루미늄을 증발시켜 기판에 알루미늄층을 형성하는 단계, 알루미늄을 스퍼터링하면서 동시에 산소가스를 주입하여 이루어지는 반응성 스퍼터링에 의해 상기 알루미늄층 위에 산화 알루미늄층을 형성하는 단계, 상기 단계를 반복하여 알루미늄층과 산화 알루미늄층이 번갈아 층을 이루는 다층막 형태의 피막을 형성하는 단계로 이루어짐 효과 : 피막의 조직을 제어하여 밀도가 높은 피막을 제조할 수 있게 되며, 각종 재료의 표면처리에 따른 내식성 향상은 물론 경도를 대폭 증가시킬 수 있어 제품의 특성 및 수명향상 등의 효과를 얻을 수 있음.2. 기술의 특징 알루미늄 피막은 대체로 피막층에 많은 구멍을 포함하고 있을 뿐만 아니라 기판과의 밀착성이 열악한 단점도 있는바, 이를 해결하기 위하여 진공증착의 경우 기판을 고온으로 가열하여야 하며, 이온플레이팅에서는 기판에 인가되는 전압을 증가시키거나 이온화율을 증대시키기 위해 더 많은 방전가스를 도입해야 함. 하지만 기판을 고온으로 가열할 경우, 기판에 손상을 일으킬 수 있으며, 기판에 고전압을 인가하는 방법 역시 기판에 손상을 줄 우려가 있다. 또한 방전가스의 도입량을 증대하여 이온화율을 높이면 방전가스가 피막에 혼입되어 피막을 손상시키게 되며, 방전가스와 증발되는 알루미늄 사이에 산란이 일어나 역시 부착량의 감소를 초래하게 됨. 이들 문제점을 해결하기 위해 진공증착, 스퍼터링 등의 방법이 제안되었음. 스퍼터링 공정에서는 스퍼터링 도중에 각종 반응가스를 주입하면 산화물과 같은 화합물을 쉽게 형성시킬 수 있다는 장점을 이용하여 초기에 일정두께의 알루미늄 피막을 형성시키기 위하여 알루미늄과 산화 알루미늄을 다층으로 형성하여 경도 및 내식성을 크게 향상시킨 스퍼터링에 의한 방법으로 알루미늄 피막을 형성함.
- 보유기관
- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2008-08-28
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일반기술
화학공정 > 고분자 박막 제조공정 기술 (B62, G67)
트랙 멤브레인은 게이지가 측정된(calibrated) 기공이 있는 폴리머 박막이다.기공의 직경 lc 표면 밀도는 경우에 따라 0,03 마이크론에서 5마이크론까지와 105 сm-2 에서 1010 сm-2까지 변화한다.트랙 멤브레인의 생산은 2단계로 이루어진다.박막을 고 에너지 이온이나("가속기적 트랙 멤브레인") U235 분열 파편(fragment) ("리액터적 트랙멤브레인")으로 조사한다. 그 결과로 입자 운동 경로를 따라 폴리머 손상 구역이 형성된다. - 트랙필요한 직경의 기공이 형성되기 까지 트랙을 화학적으로 부식시킨다.트랙 멤브레인의 탁월한 특성은 규격대로 기록적으로 좁은 간격으로 기공이 배치되어 있는 것과 기공들의 올바른 외형(보통 실린더)이다.폴리에틸렌 테레프탈레이트 트랙 멤브레인 개발은 생산성 향상 및 흡착 손실 감소에 방향을 두고 있다. 박막을 특수 모드로 조사 및 화학 부식시켜 가변성 횡단 기공을 만들어 이 목적을 달성하였다.비 대칭 트랙 멤브레인의 생산성은 동일한 선별성일 경우 산업용 트랙 멤브레인보다 3-7 배 우수하다.폴리에틸렌 테레프탈레이트 트랙 멤브레인의 흡착 손실 감소는 표면 전하를 급격히 낮추는 표면의 화학적 변형으로 이루어진다.해당 시제에 부합하도록 변형된 모델 단백질에 따른 폴리에틸렌 테레프탈레이트 트랙 멤브레인의 흡착 손실은 산업용 트랙 멤브레인에 비해 10-100 배 감소되었다.
- 보유기관
- 한국기술벤처재단
- 등록일
- 2009-03-27
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