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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 기술은 수용성 금속 염화물을 사용한 이차전지용 나노입자 전극물질의 제조방법에 관한 것으로, 수용액 중에서 금속 염화물 또는 이의 수화물을 약 환원제로 환원시킨 다음 가수분해하여 콜로이드 상의 금속 산화물을 생성하거나, 또는 금속 염화물 또는 이의 수화물을 강 환원제로 환원시켜 콜로이드 상의 금속 입자를 생성하는 것을 포함하는, 본 기술의 방법에 의해 제조된 금속/금속 산화물 전극물질은, 리튬 이온 이차전지의 전극에 사용되어 전지의 고효율, 고율(high rate) 및 사이클 특성을 효율적으로 향상시킬 수 있다."수용액 중에서 금속 염화물 또는 이의 수화물을 약 환원제로 환원시킨 다음 가수분해하여 콜로이드 상의 금속 산화물을 생성하고, 동결 건조시키는 것을 포함하는, 이차전지용 나노입자 전극물질의 제조방법을 제공한다. 본 기술에서는, 또한, 수용액 중에서 금속 염화물 또는 이의 수화물을 강 환원제로 환원시켜 콜로이드 상의 금속 입자를 생성하고, 동결 건조시키는 것을 포함하는, 이차전지용 나노입자 전극물질의 제조방법을 제공한다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
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- 2004-11-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
* 기술의 원리 및 작용본 기술은 π-공액 고분자 나노튜브, 나노와이어 및 이들의 제조방법에 관한 것으로, 단량체, 용매 및 도펀트의 혼합용액을 만들고 나노미터 크기의 나노구조 다공성 물질 한쪽 면 위에 금, 은, 백금 등으로 금속 전극을 만든 후 혼합용액 안에서 전기적 중합을 시킴으로써 고분자 나노튜브 또는 나노와이어를 제조할 수 있다. * 기술의 배경 및 기술의 우수성탄소나노튜브는 기계적, 전기적, 화학적 특성 등에 있어서 지금까지의 어떤 소재보다 뛰어난 성질을 보여주고 있으며 그 크기 면에서도 전기, 전자소자 특성에 잘 맞는다. 그래서 메모리 소자, FED(Field emission display) 등에 대한 이용이 활발하게 연구되고 있다. 그러나 탄소나노튜브는 제작과정에서 고온을 유지해야 하며 나노튜브의 성장 및 정제과정이 매우 복잡하고 비용이 고가라는 단점이 있다. 또한 나노튜브가 단일벽 튜브인가 다중벽 튜브인가에 따라서 물리적, 화학적 성질이 차이가 있으며, 나노튜브의 직경 및 전기적 성질을 조절하기가 매우 곤란하고 가공성이 열악하다는 문제점이 있다. 본 기술은 이러한 문제점을 극복하기 위한 기술로, 기존의 탄소나노튜브와는 달리 제조공정이 용이하고 전기적 특성을 쉽게 조절할 수 있으며 가공성이 뛰어난 π-공액 고분자 나노튜브 및 나노와이어를 제공한다.* 기술의 적용제품 및 경쟁제품 π-공액 고분자는 고분자의 기계적 특성을 가지고 있으면서도 화학적 도핑을 통해 절연체에서 반도체 또는 도체로 전이하기 때문에 전기, 전자, 광학 소자 등에 응용될 수 있다. 최근 전도성 고분자들은 2차전지, 정전기 방지, 스위칭 소자, 비선형 소자, 축전기, 광기록 재료, 전자기파 차폐재료 등 실생활 및 첨단산업분야에서 응용되고 있다. * 본 기술의 특징 및 장점본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다.-첫째, 나노크기를 가짐으로써 미세한 전자소자에 응용이 가능하다.-둘째, 기존의 탄소나노튜브와 달리 제조공정이 용이하다.-셋째, 전기적 특성을 쉽게 조절할 수 있다.-넷째, 가공성이 뛰어나다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
* 원리 및 구성 본 기술에서 제시하는 육각형 모양의 고리들이 연결되어 있는 구조의 갈륨나이트라이드 나노와이어는 갈륨나이트라이드 분말과 철 분말을 혼합한 고체 타겟을 석영관의 중앙에 위치시키고 운반 기체를 석영관 안으로 주입, 레이저를 사용하여 타겟을 조사하고 냉각장치를 타겟에 접근시켜 기화된 타겟물질을 급랭시켜 제조한다. * 개발 배경 발광 디스플레이의 색이 다양해지면서 청색광~자외광 영역의 파장을 갖는 반도체 발광 소자가 요구되고 있다. 갈륨나이트라이드는 광스펙트럼의 청색과 자외선 영역에서 작동할 수 있기 때문에 유용성이 높지만 미세화 되어 가는 전기, 전자 나노소자에 적용하기에는 그 길이며 구조 때문에 한계가 있다. 특히, 고집적으로 정보를 입력할 수 있는 청색 레이저를 위해서는 나노크기의 반도체가 필수적으로 만들어져야 한다. * 중요성 및 독창성 본 기술에 의해 갈륨 나이트라이드 나노와이어를 제조, 고집적으로 정보를 입력할 수 있는 청색 레이저를 위한 나노크기의 반도체 구현이 가능하게 되었다..* 적용제품 및 경쟁제품 기존에는 나노와이어를 직선형태로 밖에 제조할 수 없어 그 모양의 조절은 불가능하였으나 본 기술에 의해 직선형태가 아닌 일정한 형태의 반복구조를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있게 되었다. 그 결과 나노크기의 반도체를 제조할 수 있게 되었고 광학장치에 사용하는 경우 광시그널을 주기적으로 변화시키는 모듈레이터로 사용될 수 있고, 1차원 형태의 주기적인 직경변화에 의해 물리적, 전자적 특성이 변화하므로 물리, 광학 등 다양한 분야에 응용될 수 있게 되었다* 주요 적용 제품- 반도체 제조* 특징 및 장점- 청색레이저를 사용하는 DVD의 제조가 가능해져 고집적으로 정보를 저장하고 판독할 수 있다. - 육각형 갈륨 나이트라이드 나노와이어는 일정한 반복구조를 가지기 때문에 광학장치에 사용되는 경우, 광시그널을 주기적으로 변화시키는 모듈레이터로 사용될 수 있다.- 1차원형태의 주기적인 직경 변화에 의해 물리적, 전자적 특성이 변화하므로 물리, 광학 등 다양한 분야에 응용될 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 기술은 목적하는 크기의 나노입자를 균일한 크기로 제조하는 것이 가능하고 수용액에서 높은 안정성을 갖는 수용성 나노 입자를 제조하고자 하는 것이다.다작용기 리간드를 이용한 나노입자의 표면 개질 및수용성 나노입자의 제조방법은 수불용성 나노입자를 유기 용매에서 합성하는 단계, 불용성 나노입자를 제 1 용매에 용해하고 수용성 다작용기 리간드를 제 2 용매에 용해하는 단계, 두 용액을 혼합하여 수불용성 나노입자의 표면을 다작용기 리간드로 치환시키고 수용액에 용해하여 분리하는 단계 및 치환된 다작용기 리간드를 교차연결시키는 단계를 포함하는 수용성 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.수불용성 나노입자를 유기 용매에서 합성하는 단계, 수불용성 나노입자를 제 1 용매에 용해하고 수용성 다작용기 리간드를 제 2 용매에 용해하는 단계, 두 용액을 혼합하여 수불용성 나노입자의 표면을 다작용기 리간드로 치환시키고 수용액에 용해하여 분리하는 단계 및 치환된 다작용기 리간드를 교차연결시키는 단계를 포함한다.본 기술에 의한 제조방법에 의하여 목적한 크기의 수용성 나노 입자를 균일한 크기로 제조 하는 것이 가능하고, 수용성 나노 입자는 다양한 활성 성분의 도입을 통하여 복합소재, 전자 재료 및 생체 진단, 생체 치료에 응용하는 것이 가능하다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 방법으로서, 레이저가 크게 흡수되지 않고 투과할 수 있는 기재위에 성장된 반도체 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시키는 본 발명의 방법에 의하면 두께가 균일하고 길이가 일정한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있다레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 있어서, 레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 기재위에서 나노막대를 성장시키는 단계; 상기 단계에서 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 상기 기재에서 분리시키는 단계를 포함하고, 상기 기재위에서 성장되는 나노막대의 재질은 레이저를 흡수하는 재질인 ZNO, GAN, SI, INP, INAS, GAAS, GE 및 카본나노튜브 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 개요 본 기술은 자성체/나노(‘10억분의 1’을 나타내는 말)소재 이종접합 나노구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.*중요성 및 독창성기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 자성체를 증착시키는 본 기술의 방법에 의하면,나노소재의 선단부에 단일조성의 자성금속, 자성세라믹 또는 다양한 조성의 자성금속 또는 자성세라믹 합금 등의 자성체를 증착시켜 나노사이즈의 자성 소자를 만들 수 있으므로,자기기록매체 등에 활용할 수 있다.본 기술은 기재 위에 수직 또는 한 방향으로 성장된 나노소재의 선단부에 자성체가 균일하게 증착된 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체를 제공한다. *특징 및 장점 1) 본 기술에 사용가능한 나노소재는 수직 내지는 한방향으로 성장될 수 있는 것이면 모든 종류의 나노소재가 사용가능하다. 그 예로서, ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 등이 사용가능하며,바람직하게는 ZnO, GaN, Si 및 InP 등을 사용할 수 있다.2) 본 기술에 사용가능한 자성체는,철(Fe),코발트(Co),니켈(Ni),망간(Mn),가돌리늄(Gadolinium),또는 이들의 합금,및 페라이트 등을 포함할 수 있으며,바람직하게는 철(Fe),코발트(Co),니켈(Ni)및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 3) 본 기술의 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체는 규칙적으로 배열되어, 하드 디스크와 같은 다양한 자기 저장 매체에 자성소자로서 이용될 수 있다.4) 본 기술의 나노구조체로 자성소자를 제작할 경우,고밀도화 및 균일화가 가능하여 자성소자의 기능이 매우 우수할 뿐만 아니라, 현재의 저장기록 매체인 자성 박막의 한계를 넘어서 100 Gbit/inch 2이상,나아가서는 테라비트(10 3 Gbit)급 정보기록매체에 획기적인 돌파구를 제공해줄 수 있다
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 것을 포함하는, 금속/나노소재 이종접합구조체(HETEROSTRUCTURE)의 제조방법, 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 나노소재의 팁(tip) 부위에 다양한 전극물질이 선택적으로 증착된, 금속/나노소재 이종접합구조체를 제조할 수 있으며, 본 발명에 따른 이종접합구조체는 나노 크기의 전자소자, 센서, 광소자, 자성소자 등에 이용될 수 있다.따라서,본 발명의 목적은 나노소재의 팁 부위에만 선택적으로 금속이 증착된 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에서는,기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 것을 포함하는,금속/나노소재 이종접 합구조체(heterostructure)의 제조방법을 제공한다. 본 발명에서는 또한,상기 방법에 의해 제조된,나노소재의 팁(tip)부위에 금속이 증착된,금속/나노소재 이종접합구 조체를 제공한다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 나노선과 이를 이용한 나노소자에 관한 것으로서, 특히 나노선 위에 p 타입과 n 타입의 동종접합, 혹은 이종 접합 구조나 양자우물 구조를 가지는 나노선 및 이를 이용한 나노소자에 관한 것이다. 여기서, 본 발명의 나노소자에는 나노 어레이(array) 및 나노 어레이를 통해 만들어진 고집적 회로가 포함된다.본 발명에 따른 나노선은 단일 나노선 안에 정공을 형성시키는 p-타입 영역과 전자를 생성시키는 n-타입 영역을 가짐으로써 나노선 하나 하나가 전계트랜지트터가 되며, 나노선 안에 이종접합구조로 이루어진 매우 얇은 층들을 겹겹이 쌓여진 양자우물구조 또는 초격자구조를 삽입하면 각각의 나노선이 레이저 다이오드나 공명터널링다이오드(resonant tunneling diode, RTD) 등의 나노소자가 된다. 또한 이러한 나노소자들의 어레이를 이용해 고집적회로를 제작할 수 있다.증착법을 통해 동종접합 구조, 이종접합 구조, 양자우물 구조 또는 초격자 구조중에서 적어도 어느 한 구조를 가지는 나노선으로서, 상기 동종접합 구조의 나노선은, P 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 P 타입 도핑을 하고 난 후에, N 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 N 타입 도핑을 한 구조로 되고, 상기 이종접합 구조의 나노선 및 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 나노선은, P 타입 도펀트를 첨가해서 P 타입 영역을 만들고 난 후, 밴드구조 혹은 밴드갭이 서로 다를 물질들에 해당하는 반응 전구제를 반응기로 교대로 주입하여 양자우물구조 또는 초격자 구조를 가지는 영역을 만들고, 그 다음 N 타입 도펀트를 첨가해서 N 타입 영역을 형성한 구조로 된 것을 특징으로 하는 나노선.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 산화아연계 나노선에 관한 것으로서, 더 상세하게는 산화아연과 유사한 격자상수를 갖는 물질을 교대로 쌓아 만들어진 양자우물 및/또는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 질화물 반도체, 실리콘 카바이드, 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 등의 물질로 되는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지는 양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 점에 그 특징이 있다.양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조는, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(MG) 또는 카드늄(CD)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(ZN 1-X MG X O(0≤X≤1)) 또는 산화아연카드늄(ZN 1-X CD X O(0≤X≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500NM이고, 상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 개요 1) 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법에 관한 것이다. 2) 유기금속 화학증착법에 의하면, 직경을 수 나노미터에서 수 마이크로미터의 넓은 범위까지 조절 가능하며, 직경이 비교적 균일할 뿐만 아니라 기재표면에 수직 방향으로 잘 배향되며, 특히, 나노선의 제조시 촉매를 사용하지 않기 때문에 촉매에 의한 오염을 방지할 수 있어 전기적, 광학적 성능이 우수한 산화아연계 나노선을 제조할 수 있다.*특징 및 장점1) 금속 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학증착법을 이용하여 불순물이 적은 고품위 산화아연계 나노선을 대량으로 제조하는 방법을 제공한다.2) 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기물을 반응기에 주입하고,상압 이하의 압력 및 온도 200 내지 1,000 ℃의 반응 조건하에서 상기 반응물의 전구체들을 화학반응시켜, 기재상에 산화아연계 나노선을 증착,성장시키는 것을 특징으로 하는,유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법을 제공한다.*효과1) 금속 촉매를 사용하지 않고 반응전구체들이 핵생성제로 바로 성장되기 때문에 촉매에 의한 오염을 미연에 방지할 수 있고, 특히, 도핑 조절이 용이할 뿐만 아니라, 저온 증착과 같은 이점을 갖기 때문에 종래의 방법에서 보다 훨씬 전기적, 광학적 특성이 우수한 나노선을 대량으로 제조할 수 있다. 2) 나노선의 직경도 수 나노미터까지 작게 조절할 수 있으며 두께와 길이가 균일할 뿐만이 아니라 기재에 수직한 방향으로 잘 배향되기 때문에 전자소자, 광소자, 환경에너지관련소자와 같은 나노소자로 제작할 때 많은 이점이 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선은, 다기능을 갖는 다양한 나노선이 단일선으로 제작될 수 있어 집적화가 용이하고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다본 발명에 따른 다중벽 구조의 산화아연계 나노선은, 유기금속 화학 증착법에 의해 제조된 산화아연 나노선 위에 두께 조절을 하면서 목적하는 용도에 따라 다양한 이종물질을 코팅시킴으로써, 다양한 나노 구조물을 단일나노선 형태로 얻는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 방법에 있어서, 산화아연계 나노선 위에 코팅하는 물질로는 특별한 제약은 없고, 밴드갭 조절, 전기전도도 조절, 자성물질 첨가, 새로운 나노 선 또는 나노튜브 형성 등의 목적하는 용도에 따라 다양하게 거의 모든 물질을 사용할 수 있다.예를 들면, 밴드갭 조절을 위해 산화아연 나노선 위에 코팅하는 물질로는, 마그네슘(Mg), 카드뮴(Cd) 등을 들 수 있으며, 산화아연 나노선 위에 이들 금속을 코팅시켜 산화아연(ZnO)에 마그네슘 또는 카드뮴이 첨가된 형태의 산화아연마그네슘(Zn 1-x Mg x O, 0<x<1) 또는 산화아연 카드뮴(Zn 1-x Cd x O, 0<x<1) 등을 제조할 수 있다.자성을 띄게 하기 위해 사용되는 물질로는 망간(Mn), 코발트(Co) 등이 있으며, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 이들 전이금속을 코팅시켜 산화아연에 망간 또는 코발트가 도핑된 형태의 산화아연 망간(Zn 1-x Mn x O, 0<x<1) 또는 산화아연 코발트(Zn 1-x Co x O, 0<x<1) 등을 제조할 수 있다
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 산화아연계 나노선에 관한 것으로서, 더 상세하게는 산화아연과 유사한 격자상수를 갖는 물질을 교대로 쌓아 만들어진 양자우물 및/또는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 질화물 반도체, 실리콘 카바이드, 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 등의 물질로 되는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지는 양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 점에 그 특징이 있다양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조는, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(MG) 또는 카드늄(CD)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(ZN 1-X MG X O(0≤X≤1)) 또는 산화아연카드늄(ZN 1-X CD X O(0≤X≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500NM이고, 상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
기존에 가장 많이 사용되고 있는 나노 입자의 제조 방법은 "불활성 기체 응축법(Inert Gas Condensation)"이다. 이는 불활성 기체 분위기를 조성한 챔버내에서 원재료를 저항열을 이용, 가열하여 증발시킴으로써 고체상태의 나노 입자를 제조하는 방법이다. 불활성 기체 응축법은 비교적 공정이 간단하면서 제조 공정 변수를 조절하기 용이한 장점을 가지고 있으나, 저항열을 이용함으로써 녹는점이 높은 재료의 나노 입자 제조에 제약을 받으며, 제조 시간 또한 길어 대량 생산에는 적합하지 못하다. 그리고, 필라멘트에 의한 저항열을 열원으로 사용함으로써 필라멘트가 불순물원으로 작용하여 고순도의 나노 입자 제조에 적합하지 못하고 제조 원가 또한 높은 편이다.본 기술은 상술한 기존의 나노 입자 제조법이 가지고 있던 문제점들을 보완하여 균일한 크기와 형상을 가지며, 고순도의 나노 크기 입자를 대량으로 제조할 수 있는 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법을 제공한다.본 기술은 원재료를 수용하기 위한 챔버, 상기 챔버내에 고에너지 전자 가속빔을 주입하는 전자빔 가속기, 상기 챔버 내부를 진공으로 만드는 진공펌프, 상기 챔버 내의 분위기를 조장하는 가스를 주입하는 고압 조절기, 및 생성된 나노 입자를 수집하는 냉각판을 구비하는 나노 입자 제조 장치를 제공한다. 본 기술에 따른 나노 입자 제조 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법은 단시간 내에 나노 입자의 대량 생산을 가능케 하고, 이렇게 제조된 입자의 크기가 균일하며 형상이 구형에 가깝다. 또, 제조 공정상 변수들의 제어가 용이하고 고순도의 제품을 생산할 수 있다. 순수한 나노 입자뿐 아니라 챔버 내부를 산화 분위기로 조장함으로써 산화물 나노 입자의 제조에도 응용될 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
* 원리 및 구성본 기술은 나노틀(NANO TEMPLATE)에 나노입자를 충진하는 충진방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. 구체적으로는 다수의 기공(PORE)을 갖는 양극 산화 알루미나(ANODIC ALUMINIUM OXIDE, AAO)와 같은 나노틀에 초음파진동 방법이나 마그네틱 스터링 방법으로 지름이 1-100NM인 나노입자(NANO PARTICLE)를 충진하는 방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. * 개발배경다수의 기공을 가지는 나노틀을 초음파 발생기 상부에 위치하는 용기에 제공하는 단계; 상기 용기에 분산되어 있는 다수의 나노입자를 포함하는 나노입자 분산액을 제공하는 단계 및 상기 초음파 진동기를 이용하여 초음파를 발생하고 일정한 시간동안 유지하여 상기 나노틀의 상기 다수의 기공에 상기 나노입자를 장입하는 단계를 포함하는 나노입자 배열방법을 활용하는 것을 사용한다.* 적용제품 및 경쟁제품다수의 기공을 가지는 나노틀을 초음파 발생기 상부에 위치하는 용기에 제공하는 단계, 상기 용기에 분산되어 있는 다수의 나노입자를 포함하는 나노입자 분산액을 제공하는 단계 및 상기 초음파 진동기를 이용하여 초음파를 발생하고 일정한 시간동안 유지하여 상기 나노틀의 상기 다수의 기공에 상기 나노입자를 장입하는 단계를 포함하는 나노입자 배열방법. 본 기술은 나노틀(NANO TEMPLATE)에 나노입자를 충진하는 충진방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. 구체적으로는 다수의 기공(PORE)을 갖는 양극 산화 알루미나(ANODIC ALUMINIUM OXIDE, AAO)와 같은 나노틀에 초음파진동 방법이나 마그네틱 스터링 방법으로 지름이 1-100NM인 나노입자(NANO PARTICLE)를 충진하는 방법 및 그 나노입자 충진방법에 의해 형성된 나노구조에 관한 것이다. *주요적용제품- 나노 소재 제품*특징 및 장점- 다른 나노구조보다 빠르고 신속한 방법으로 처리가능
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 귀금속 나노 입자 형성방법에 관한 것으로서, (a) 산성절연체전구체와 용매를 혼합한 용액을 상기 기판상에 스핀 코팅 방법으로 코팅한 후, 135℃로 제 2 중간 열처리를 수행하는 단계; (b) 상기 기판 상에 코팅된 산성절연체전구체위에 귀금속 박막 층을 증착하는 단계; (c) 상기 기판 상에 (a)와 같은 방법으로 산성절연체전구체를 코팅하여 중간열처리 하는 단계; (d) 절연체전구체와 귀금속 박막층 및 산성절연체전구체가 순차적으로 적층된 기판을 관상 노에서 단계적으로 최고온도가 200℃ 에서 500℃로 열처리하여 귀금속 나노 입자를 형성하는 단계; 를 포함한다. 상기 산성절연체전구체는 폴리아믹산 및 아크릴릭산 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다. 상기 (a)단계 이전에, 귀금속 박막 층을 증한 후 산성절연전구체를 스핀 코팅 방법으로 코팅한 후, 135℃로 제 2 중간열처리를 수행하는 단계를 포함한다.본 발명은 다층박막의 제조가 가능하고 귀금속 나노입자를 손쉽게, 고가의 장비 없이 형성할 수 있다.본 발명은 귀금속 나노 입자의 크기 및 밀도를 간단히 제어할 수 있다. 본 발명은 피복 및 증착방법이 단순하여 대면적 및 다층구조를 가지는 귀금속 나노 입자를 형성할 수 있다.본 발명은 패턴이 형성된 금속박막층 위에 절연체를 피복하여 원하는 부분에만 귀금속 나노 입자를 형성할 수 있다.본 발명은 다층박막을 이용하여 광학특성제어가 가능하다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 구성본 발명은 아미노알콕사이드를 리간드로 갖는 구리 및 니켈 금속 화합물을 사용하여, 외부로부터 환원제를 넣지 않고 열분해법으로 저온에서 나노 크기의 금속 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.*배경최근에는 금속 이온을 계면활성제 용액 하에서 환원제를 이용하여 금속 이온을 환원시켜서 나노 입자를 합성하는 방법으로 역 미셀법(reverse micelles method)을 이용하는 연구가 알려져 있다. 역 미셀법은 계면활성제를 이용하여 나노 크기의 작은 반응기를 만들어 그 안에서 환원제에 의한 환원 반응을 통해 입자의 크기를 조절하는 방법으로 입자의 크기 조절이 용이하며 안정한 점등의 장점이 있으나, 세척이 어렵고, 계면활성제를 많이 사용해야 하며, 대량 생산이 어렵다는 등 많은 단점이 있다. 특히 금속 입자의 합성에 있어서 반응물과 생성물이 공기 중에 민감하기 때문에 취급이 용이한 방법이 필요하다. 용액 열분해 법에서는 용매를 사용하기 때문에 반응 온도를 낮출 수 있으며, 균일하게 반응을 일으켜 입자의 크기를 조절할 수 있고, 특히 선구 물질의 리간드 설계 등을 통해 최종 생성물의 특성을 쉽게 조절할 수 있다. 단일 선구 물질을 이용한 용액상의 열분해 법은 이미 여러 과학자에 의해 보고되었는데 이러한 용액상의 열분해 법은 뜨거운 덮개 리간드에 선구 물질을 녹인 용액을 주사한다. 이 방법은 선구 물질의 분해와 동시에 덮개 리간드가 나노 입자의 형성 과정에서 불안정한 나노 입자의 표면을 안정시키므로 균일하면서도 입자의 크기가 작은 나노 입자 합성에 용이하여 반도체 물질의 나노 입자 합성에 이미 응용하고 있다.*종래기술CdSe 나노 입자를 제조하기 위하여 1993년에 바웬디(Bawendi) 그룹은 덮개 리간드로 트리옥틸포스핀옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO)를 사용한 연구 결과를 보고하였다 (문헌[B. C. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi, J. Am. Chem. Soc., 115, 8706 (1993)] 참조). 또한 금속 표면을 안정화하기 위하여 금속 카보닐 화합물을 이미 가열한 덮개 리간드에 순간 주사하여 금속 나노 입자를 합성하였다 (문헌[V. F. Puntes, D. Zanchet, C. K Erdonmez, A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc., 124, 12874 (2002)]참조). 하지만 이러한 열분해 법에 사용되는 금속 카보닐 화합물은 값이 비싸기 때문에 대량으로 생산하기 어렵고 선구 물질이 가지는 유독성 때문에 다루기 힘든 단점이 있다.한편, 금속 구리는 산화 아연과 함께 메탄올 합성에 사용되며, 금속 니켈은 자성을 가지는 물질로 코발트와 철과 더불어 연구되고 있다. 뿐만 아니라 다양한 나노 크기의 합금을 합성하여 물질이 가지는 촉매와 자기적 성질을 산업에 응용할 수 있다. 이러한 구리와 니켈의 나노 입자 합성에서 유망한 산업적 응용 범위는 활성도가 높고 표면적이 큰 촉매의 개발, 자기적 성질의 증가로 인한 자성체 제조, 자기 콜로이드 제조 등이 있으며, 이들의 합성은 종래의 기술로는 여러 가지 문제점이 있어 안정한 나노 입자를 균일하게 제조할 수 있는 새로운 방법의 개발이 요구되고 있다.*특징 및 장점1)본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물을 선구물질로 사용하여 외부로부터 환원제를 넣지 않고 자체 열분해를 통하여 금속 나노입자를 저온에서 쉽게 제조할 수 있음. 2)배위 가능한 덮개 리간드를 이용하여 입자의 크기 및 형상을 제어할 수 있음.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 구성본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물로부터 나노크기의 기공을 가지는 물질을 주형체로 사용하여 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.*배경나노 크기의 물질은 수 나노미터(nm)에서부터 백 나노미터 정도의 크기를 가지는 물질로서 크기가 작아지면 입자의 표면 대 질량의 비율이 증가되어 단위 질량당 표면적이 증가한다. 또한 전자의 에너지 상태가 분자에 가까워지면서 벌크 물질과는 전혀 다른 물성이 나타난다. 나노 물질의 표면적 증가와 활성화는 입자의 녹는점이 낮아지는 것처럼 물성의 변화에 영향을 주며 또한 양자 효과에 의한 광학적, 전기적 성질의 변화에 영향을 주어 새로운 광전자 소재로 응용할 수 있다.나노선은 나노미터 크기의 직경을 가지며, 수백 나노미터에서 수백 마이크로미터의 길이를 가지는 나노소재로서 나노결정 등의 영차원 나노소재에 비해 비교적 인위적인 조작이 용이하여 차세대 나노소자의 제조에 쓰일 핵심소재로서 각광을 받고 있다. 특히 그 중에서도 Ⅳ족의 Si, Ge과 Ⅲ-Ⅴ족의 GaAs, GaP, InP, Ⅱ-Ⅵ족의 ZnS, ZnO 등의 반도체 물질로 이루어진 일차원 나노소재를 반도체 나노선이라 한다. 반도체 나노선은 물질의 종류에 따라 다양한 물리적 특성을 보일 뿐 아니라, 나노스케일에 기인한 양자 효과에 의하여 독특한 광학적, 전기적 특성을 보이기 때문에 많은 관심과 연구의 대상이 되고 있다.*종래기술종래의 금속 나노선 또는 막대의 제조 기술은 레이저를 이용하는 레이저 용발법(laser ablation method)과 가열로의 열을 이용하는 화학 증착법(chemical vapor deposition)이 알려져 있다. 이러한 기술은 성장시키고자 하는 물질과 촉매를 적정 비율로 혼합하여 얇은 판상으로 만들어 레이저나 열을 가하여 증기화시켜서 만든다. 하지만 이러한 기술은 장비의 투자 비용이 높고 크기 제어에 한계점이 있다. 상기 기술과는 다르게 일정한 기공을 갖는 물질을 주형체로 사용하는 방법으로 양극 산화 기판 합성법(anodic aluminum oxide template method)과 나노크기의 기공을 가지는 산화 알루미늄이나 산화 규소와 같은 물질을 주형체로 이용한다. 이와 같이 기공성 물질을 이용하는 방법은 기공의 크기가 일정하므로 만들고자 하는 나노선의 크기를 쉽게 제어할 수 있는 장점이 있다.한편, 금속 구리는 산화 아연과 함께 메탄올 합성에 사용되며 금속 니켈은 자성을 가지는 물질로 코발트와 철과 더불어 연구되고 있다. 뿐만 아니라 다양한 나노 크기의 합금을 합성하여 물질이 가지는 촉매와 자기적 성질을 산업에 응용할 수 있다.*특징 및 장점본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 구리 또는 니켈 착화합물을 선구물질로 사용하여 외부로부터 환원제를 넣지 않고도 나노 기공을 가지는 주형체를 사용하여 구리 또는 니켈 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 구성본 발명은 인듐 포스파이드 나노 입자의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 백린(white phosphorous)과 금속 나트륨을 DMF(N,N'-dimethylformamide) 또는 DEE(1,2-diethoxyethane)를 반응용매로 하여 반응시켜 Na3P를 얻은 후 이를 다시 4-에틸피리딘(4-ethylpyridine) 또는 DMF(N,N'-dimethylformamide)에 녹인 인듐 클로라이드(indium chloride)와 각각 반응시켜 포스파이드(InP) 나노입자 양자점을 선택적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.*배경양자점(quantum dot)은 빛 등의 에너지로 자극하면 빛을 발하는 나노 크기의 반도체 입자로서, 입자의 크기에 따라 방출하는 빛의 색상이 달라지는 물질이다.그 원리는 다음과 같다. 즉 물질의 크기가 작아져서, 물질의 차원이 낮아지면 전자상태밀도와 에너지가 다르기 때문에 물질의 특성도 차원에 따라 각기 다르게 나타난다. 예를 들면, 2차원계에서는 3차원 물질에서는 나타나지 않는 양자홀 효과가 관측된다. 여기서 차원을 줄인다는 것은 엄밀한 의미에서는 전자들을 드브로이파 길이보다 작은 영역에 가둔다는 것을 뜻한다.*종래기술의 문제점양자점은 크게 두 가지 방법으로 제작될 수 있다. 하나는 레이저 등의 광원을 이용하는 리소그라피(lithography)에 의한 방법이고, 다른 하나는 화학합성에 의한 방법이다. 그중 화학합성법에 의한 양자점의 합성은 리소그라피(lithography)에 의한 방법보다 비교적 단순한 장치로 양자점을 생산해낼 수 있는 장점이 있으나, 이 방법 또한 아직까지 대량의 양자점을 저렴하게 생산하기에는 기술적으로 해결해야 할 점이 많다.본 발명을 통하여 제조공정이 단순화되고, 안정적이며 폭발의 위험성이 없는 물질을 사용하여 인듐포스파이드(InP) 나노입자 양자점을 선택적으로 제조할 수 있게 되었다.*특징 및 장점1)기존의 제조하기 복잡하고 초 고가이며, 부안정하여, 자연발화 및 이에 따른 폭발의 위험을 수반한 전구체를 제조하기 쉽고 안정하여 취급하기 쉬운 대체전구체를 개발하여 인듐 포스파이드(InP)의 나노입자 양자점을 대량으로 손쉽게 제조하는 새로운 환경친화적 에너지 절약적 양자점 합성 공정의 실용화.2)반도체 소재 공정개발기술확보 측면에서 국가차원의 선도기술 획득
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 구성본 발명은 절삭성 및 내구성이 증진된 다이아몬드 공구의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다이아몬드 지립/금속접착층/샹크 모재로 구성된 다이아몬드 공구를 제작함에 있어 다이아몬드 지립 표면을 열 또는 화학물질로 개질화한 후에 나노크기의 전이금속을 화학적 습식방법으로 표면 코팅하는 사용 전처리 과정을 특이성 있게 구성하여 융착식 메탈본딩 과정에서는 지립과 샹크 모재의 결합력을 증진시킴으로써 다이아몬드 지립의 보류특성을 증대시켜 다이아몬드 공구의 내구성 및 절삭성을 증진시키는 등의 진보된 효과를 얻게 되는 다이아몬드 공구의 개선된 제조방법에 관한 것이다.*배경다이아몬드 지립은 쏘잉(sawing), 드릴링, 드레싱, 연마(gringing,lapping or polishing) 등의 연마제로서 광범위하게 사용되고 있다. 또한, 다이아몬드 지립을 샹크에 고정한 다이아몬드 공구는 건설, 석재가공 분야뿐만 아니라, 자동차, 전자 및 반도체, 기계, 그리고 광학분야 등의 하이테크 산업용 고정밀 부품가공에 필수적으로 사용되고 있다.다이아몬드 공구를 제작하는 방법 중 다이아몬드 지립을 샹크에 고정시키는 재료로 금속을 사용는 방법에서는, 금속의 사용 양태 및 결착 방법 등을 달리하는 기술이 다수 공개되어 있다. 예컨대 금속분말과 다이아몬드 지립을 혼련한 후에 가압하는 가압성형법, 금속모재 샹크에 다이아몬드 지립을 패킹하고 금속이온을 전착시켜 제조하는 메탈 전착법, 그리고 전착법과 유사한 방법으로서 금속모재와 다이아몬드 지립을 결합시킬 금속분말을 페이스트로 제조하고 이를 간단히 도포 후 지립을 분산시켜 소결하는 융착식 메탈본딩법 등이 있다. 그러나, 가압 성형법은 다층의 지립층을 제조하는데는 잇점이 있으나 얇은 혹은 단층의 지립층을 제조하는 데는 문제가 있고, 메탈 전착법은 강고한 전착을 위한 전착시간이 길어져 대량생산의 어려움이 있으며, 융착식 메탈본딩법은 지립의 결착력이 다소 문제가 있는 것으로 지적되어 왔다. 한편, 다이아몬드 절삭공구의 고장 및 성능저하 원인이 주로 절삭 가공시 지립이 결합력을 이기지 못하여 생기는 지립의 이탈, 즉 보류의 한계에 의한 경우가 대부분이다.*제조방법본 발명은 다이아몬드 지립/금속접착층/샹크 모재로 구성된 다이아몬드 공구를 제조하는 방법에 있어서, 1) 상기 다이아몬드 지립을 공기 기류하에 450 ∼ 550 ℃ 온도로 열처리하고, 산 용액 또는 알카리 용액에 담지하여 화학적 처리하는 표면 개질화 과정;2) 전이금속과 NaBH4, 포름알데히드, 하이드라진 및 NaPH2O2ㆍH2O 중에서 선택된 환원제가 포함된 금속코팅재를 사용하여, 상기 표면 개질된 다이아몬드 지립 표면을 습식 코팅하는 과정; 및3) 상기 샹크 모재 상부에 니켈 페이스트를 도포하여 금속접착층을 형성하고, 금속접착층 상부에 상기 나노금속 코팅된 다이아몬드 지립을 단층으로 분산시키고 열융착하는 과정이 포함되는 다이아몬드 공구의 제조방법을 그 특징으로 한다.*특징 및 장점 본 발명에 따라 전처리된 다이아몬드 지립은 보류특성 향상으로 인하여, 결과적으로 공구의 절삭력 및 내구성이 향상되어, 다이아몬드 공구용 지립 재료로 유용하다.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 기술은 바텀업 (BOTTEM UP)방식의 나노테크놀러지를 이용하여 나노사이즈의 금속 파우더를 대량 생산하는 기술로서, 보다 상세하게는 나노 은(nano silver) 파우더를 제조 한 후 이 파우더를 전자 제품의 전극용 재료와 , 항균용 재료등에 이용 할 수 있으며 이러한 공정은 기타 다른 나노 사이즈의 금속을 제조 하는 기본 응용 원천기술로 이용이 가능 한 제조기술이다.- 본 기술은 평균 30nm에서 100nm까지 생산이 가능하며 - 순도는 99.9% 이상, 85-90%이상의 수율을 가지고 있으며- 대량 생산이 가능하므로 경제성을 가지고 있다.이 기술은 현재 하루 10kg(8시간 기준) 생산 가능한 설비를 이용하여 은나노를 생산, 판매 하고 있는 기술임이 기술을 이용하여 제조한 평균100nm 이하의 은나노 파우더는 국내뿐 아니라 일본에도 수출 판매한 실적을 가지고 있음이 기술을 이용하여 제조한 은나노 파우더를 이용하여 식품용기, 섬유용 원사, 필터, 생활용 품, 전자제품등에 이용하기 위한 플라스틱 마스터배치 제조와 전자 제품의 전극 제조를 할 수 있음.본 기술은 은나노 파우더를 나노로 제조하는 기술이며 기타 다른 금속 나노파우더도 생산 할 수 있는 나노기술로 대량 생산이 가능 하여 경제성,독창성을 가지고 있는 기술임나노 산업의 발전에 따라 나노 소재기술의 기초 기반 기술로 그 중요성이 증가하고 있다.본 기술은 나노크기의 은나노 파우더 제조를 위한 제조화의 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다. - 첫째, 나노사이즈를 만들기 위한 합성 기술 - 둘째, 고순도를 위한 세척 방법. - 셋째, 건조를 위한 방법.- 본기술은 바텀업 (BOTTEM UP)방식의 나노테크놀러지- 나노 은(nano silver) 파우더를 제조 방법- 본 기술은 평균 30nm에서 100nm까지 생산이 가능하며 - 순도는 99.9% 이상,- 85-90이상의 수율을 가지고 있으며- 대량 생산이 가능하므로 경제성을 가지고 있음.- 하루 10kg(8시간 기준) 생산 가능한 파일로트 설비를 이용하여 은나노를 생산, 판매 하고 있는 기술임- 이 기술을 이용하여 제조한 평균100nm 이하의 은나노 파우더는 국내뿐 아니라 일본에 수출 판매한 실적을 가지고 있음- 기타 다른 나노 사이즈의 금속을 제조 하는 기본 응용 원천기술로 이용이 가능 한 제조 기술이다.- 이 기술을 이용하여 제조한 은나노 파우더를 이용하여 식품용기, 섬유용 원사, 필터, 생활용 품, 전자제품등에 이용하기 위한 플라스틱 마스터배치 제조와 전자 제품의 전극 제조를 할 수 있다.본 기술은 나노크기의 은나노 파우더 제조를 위한 제조화의 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다. - 첫째, 나노사이즈를 만들기 위한 합성 기술 - 둘째, 고순도를 위한 세척 방법. - 셋째, 건조를 위한 방법.
- 보유기관
- (주)나울
- 등록일
- 2007-03-15
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