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*본 기술은 이온을 주입하여 고분자 막의 표면 경도를 향상시키고 광 투과도를 조절하는 방법에 관한 것이다.*본 기술의 목적은 투명한 고분자 막의 표면 경도를 향상시키고 광 투과도를 조절하는 방법을 제공하는 것이다.*상기 목적을 달성하기 위하여, 본 기술에서는 투명한 고분자 막 표면에 100 keV 이하의 저에너지 이온을 주입하여 고분자 막의 표면 경도를 향상시키고 광 투과도를 조절하는 방법을 제공한다.
*자외선 차단성이 우수하고 비교적 큰 표면적을 지니고 있어 화장품 원료, 플라스틱 첨가제, 안경의 멀티코팅제 등에 널리 사용되고 있는 이산화티탄의 제조방법*종래에 비해 제조 공정이 단순화되고 최종 생성물의 입자가 초미립형으로 우수한 물성을 나타내는 결정성 이산화티탄을 제조하는 방법을 제공하고자 함.*본 기술은 고순도의 사염화티탄을 물에 용해시켜 가수분해반응을 행하고, 이에 알칼리 수용액을 가해 중화시킴에 의해 생성된 수산화티탄 침전물을 여과, 수세한 후 다시 수소이온을 지닌 산을 가하여 용해시키고 물을 가해 투명한 티탄산 수용액으로 만들고 이것을 적정 온도로 가열, 승온시켜 숙성반응을 행하여 제조된 이산화티탄 침전물을 여과, 수세 및 건조와 같은 단순 후처리 공정을 거쳐 제조하는 것을 특징으로 한 5㎚ 이하의 일차입자를 갖는 초미립형 결정성 이산화티탄을 제조 하는 방법을 제시함.
본 기술은 철계모재 제품의 표면에 알루미늄(Aluminium)을 확산시켜 내열, 내산화특성을 향상시키기 위한 알루미나이징(Aluminizing) 처리 방법에 관한 것으로, 종래의 팩세멘테이션법, CVD등을 이용한 기상증착법, 슬러리법, 용융침적법 중 슬러리법을 응용, 개선한 기술로서 제2금속분말인 Ti, Mg, Mo등을 혼합하여 혼합비에 따른 알루미늄의 확산피복층의 양과 두께를 조절하는 것에 관한 것임.고온재료는 시스템의 효율을 높이는데 필요한 고온의 가동온도를 가능하게 하나, 가동온도가 증가할수록 필연적으로 재료의 표면손상은 가속화되므로 표면의 내열내식성이 고온재료의 유효수명을 결정하는 중요한 인자로 여겨지고 있으며 수명향상을 위하여 표면처리에 의한 표면물성의 개선에 대한 연구가 활발히 진행되고 있고, 고온내식코팅기술 개발은 가스터빈 엔진 부품의 선진화와 함께 중점적으로 개발되어 왔으며, 그 중 가장 활발히 개발되어 왔던 기술로서는 알루미나이징법이 있음.알루미나이징 기술로서 팩세멘이션법은 내식성이 비교적 우수하면서 제작 단가가 저렴하고 간단한 장비로 인해 80~90% 정도 사용되었으나, 고온에서 처리하기 때문에 제품의 기계적 성질 열위를 가져 올 수 있으며, 제품의 냉각통로의 처리가 용이하지 못하고, 작업성이 떨어지며, 또한 환경문제 등으로 인해 점차 기상증착법, 슬러리법으로 바뀌고 있는 실정임. 슬러리법(Slurry)은 알루미늄(Aluminium) 슬러리를 대기중에서 건조시킨 다음 피복시킬 재료의 확산이 일어나도록 하기 위해 대기중의 불활성분위기나 진공분위기에서 가열하며, 이 때 피복원료는 용융되지 않고 반응하여 기지금속으로 확산되어 알루미나이드가 형성됨. 그리고 또 다른 방법은 피복 원료를 700~760℃로 가열하여 알루미늄을 용융시켜 처리물 표면에 도포시킨 다음, 그것을 920~1200℃로 가열하여 알루미늄을 기지금속 내부로 확산시켜 알루미나이드를 형성시킴. 슬러리법은 팩세멘테이션법과 비교하여 보다 빠른 냉각속도를 얻을 수 있어 바람직한 미세 조직을 얻을 수 있으며, 처리하지 않는 부분의 마스킹이 용이하나, 한쪽이 막힌 구멍 내부의 확산피복이 어려워 일반적으로 팩세멘테이션법에 의한 알루미나이드의 국부적 손상부위를 보수하기 위해 사용되나 일부 블레이드 전체를 확산피복하기 위해 사용되기도 함. 본 기술은 슬러리법 중 전자의 기술을 응용, 개선한 것으로서 슬러리 제조시, Al 분말 이외에 Ti, Mg 및 Mo등의 제2금속 분말을 일정조성비(0:1~1:9의 원자비의 일정조성비)로 혼합한 다음, 아세톤 등의 유기용매와 혼합시켜 철계 모재 제품의 표면에 분사시키거나 또는 상기의 액상 슬러리에 피처리재를 침적시켜 액상의 슬러리를 피처리재의 표면에 부착시킨 다음, 항온건조기내에서 유기용매를 제거, 상자형 전기로와 같은 반응관에 장입한 후, 불활성 기체 분위기나 진공속에서 가열하여 일정시간 반응시켜 제품의 표면에 알루미나이징 처리하는 기술로서 혼합 금속물질의 조성비를 조절함으로써 확산피복층의 알루미늄 농도 및 두께 제어가 가능한 종래의 슬러리법을 응용 개선한 기술임.철중에 고용되지 않는 화합물(Al-Ti, Al-Mg등)을 형성시킴으로써 확산피복층 두께 제어, 표면평활도 증대라는 작업용이성, 제품 외관 품질 확보라는 기술적 이점이 있으나, 종래의 기술에 비해 고가의 Ti, Mg, Mo등의 분말을 사용한 확산피복층 두께 제어 방법은 경제성이 떨어질 것으로 판단됨.
본 기술은 광학용 시트에 있어서, 발포기술을 이용하여 원하는 광 성능(반사, 확산, 산란 등)을 갖도록 하는 발포체 구조 및 특성에 관한 것이다.
1. 고분자 박막에 입자를 위치시킨다. 2. 온도를 변화시켜 입자를 나노선이나 나노막대의 형태로 변화시키다. 3. 나노선이나 나노막대를 화학적인 치환법을 사용하여 다른 종류의 나노선이나 나노막대로 변환시킨다. 4. 반도체 특성을 갖는 고분자/나노선, 고분자/나노막대의 박막(복합체)이 완성된다.
본 기술은 α 또는 γ 결정 구조의 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 강유전성 β 결정 구조로 전환하기 위한 방법에 있어서, 습도가 조절되는 분위기 하에서 Au 기 판 위에 PVDF 용액을 스핀캐스팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I) 및 상기 스핀 캐스팅된 PVDF 박막을 PVDF의 녹는점 이하의 설정 온도로 급속히 온도를 올려준 후, 일정 시간 온도를 유지시켜주는 RTA(Rapid Thermal Annealing, 급속열처리) 단 계(II)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법을 제공한다. 본 기술은 스핀캐스팅을 이용하면서도 강유전성 β 결정 구조의 PVDF 박막 을 제조할 수 있으므로, 대면적의 PVDF 박막의 제조가 가능하며, P(VDF-TrFE)박막 과는 달리 작동 온도가 높아 고온 작동용 소자에 적용가능하며, P(VDF-TrFE)보다 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
본 기술은, GMR 스핀밸브와 미세유로를 이용하여 미세유로내에서 분리된 자성입자와 결합한 생체 물질을 실시간으로 검침 가능한 시스템의 발명을 그 주 내용으로 하고 있다. 또한 미세유로 내에서 움직이는 자성입자를 검침을 위하여 GMR 스핀밸브의 민감도를 향상시키기 위한 nano oxide layer(NOL)의 삽입된 GMR 스핀밸브 구조의 설계 및 듀얼 스핀밸브(dual spin valve)의 계 또한 본 기술에 포함된다.
본 기술 중 대표적 실시예에 따른 항 양태에 따르면 Focused Ion Beam을 이용하여 나노 패터닝을 제작 하는 것으로, FIB로 가공을 할 때에 빔 간격을 조절하여(overlap)적당한 간격으로 유지시키며 웨이퍼를 가공하게 되면 웨이퍼의 형상이 일정한 모양을 갖추며 패턴을 이루게 된다. 그 패턴이 제작된 위에는 Resist가 씌워져 있어 이 부분을 제거해 주면 나중에 평평한 부분을 쉽게 제작할 수 있게 되어 차세대 정보 저장기기의 표면으로 이용하기에 적합하다.
신규 단량체의 제조방법과 이를 포함하는 조성물을 이용하여 중합체를 제조하는 방법 및 이들 화합물로부터 제조되는 광 고분자 필름의 제조 방법에 관한 것임.
본 발명은 비정질 합금의 가열시 점성변화 혹은 구조 완화 시간의 변화에 수반하는 비정질 합금의 구조적 특성을 반영하는 인자 m과, 비정질 합금의 연신 특성과 상관관계를 가진다고 알려진 탄성계수(elastic constant)들의 비 K/G(K : 전단탄성계수(shear modulus), B : 부피탄성계수(bulk modulus)) 및 포아송 비(Poission's ratio; v)에 관한 상관관계를 수식화함으로써 비정질 합금의 연성-취성 파괴거동을 용이하게 예측하고 평가할 수 있는 비정질 합금의 연성-취성 파괴거동의 예측 및 평가방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유도 가열을 이용한 반도체 나노선 형성 장치는 석영 관과, 상기 석영 관 외부를 권취하고 내부에 냉각수가 흐르는 유도 코일과, 상기 석영 관 내부에 형성된 도전체로 구성된다. 또한, 관 일측에는 가스 투입장치가 형성되고, 다른 일측에는 펌핑 수단이 형성되어 관 내부로 특정 가스가 흐르도록 구성된다. 또한, 상기 나노선 형성 장치는 상기 유도 코일에 전원을 공급하기 위한 전원 장치와, 상기 유도 코일의 내부에 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 공급 장치를 더 포함한다. 본 발명에 따른 장치는 국부적인 가열 및 온도 조절의 용이성, 그리고 빠른 냉각 특성을 가지고 있으므로, 원하는 온도 조건의 확보 및 조절이 용이한 장점이 있으며, 특히 유도가열의 특성상 Glass와 같은 기판을 적용한 공정 개발도 가능하도록 하는 장점이 있다. 그리고 이러한 장치를 사용하여 제조된 반도체 나노선은 단일 일차원 나노구조체로 나노선을 이용한 소자 제작시 집적화에 유리하며 나노선 고유의 특성 즉, 양자제한효과 등으로 인해 초고성능 나노 소자의 제작이 기대된다. 또한 본 장치는 상기에 기술한 합성 이외의 다양한 온도 범위에서의 신재료 합성 및 열처리의 실시, 그리고 그를 이용한 소자 개발 등에 활용 할 수 있는 장점을 가지고 있다.
본 발명에서는 종래 우수한 비정질 형성능을 가진다고 보고되어진 Gd계 벌크 비정질 합금조성에 구성원소의 고유특성과 열역학적 고찰을 통하여 커다란 혼합열 차를 가지는 원소를 첨가하여 응고시 이상분리 비정질화가 가능하도록 하였으며, 각각 주원소의 고유한 결정화 온도차에 의해 뚜렷하게 분리된 결정화거동으로 인해 1) 나노결정화를 통한 복합재 제조 용이, 2) 각각의 비정질에 해당하는 과냉각 액체영역에서 다단계 성형 가능, 3) 제 2 상 비정질이나 결정질 혹은 열처리를 통해 손쉽게 형성 가능한 나노상에 의해 자기특성이 향상될 수 있는 Gd계 이상분리 비정질 합금을 제공하고자 한다.
본 발명은 각분해 광전자 분광분석기(ARXPS, angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy)를 이용한 나노 박막의 조성 및 구조 분석 시뮬레이션 방법 및 그를 위한 프로그램을 저장한 기록매체에 관한 것으로 본 시뮬레이션 프로그램을 통하여 다성분계 및 다층 구조 나노 박막의 조성을 분석하고 수직방향으로의 적층 구조를 분석 및 예측한다. 이를 위해 본 발명은 박막 두께에 따른 광전자 강도의 이론적인 변화를 박막과 기판을 구성하는 성분의 비탄성 평균자유행로(IMFP, inelastic mean free path) 값 및 광이온화 단면적(photoionization cross-section), 투과함수(transmission function), 원자밀도(atomic density) 값을 이론 강도(theoretical intensity) 식에 적용하여 강도 비(intensity ratio)를 계산한다. 그리고 실제 시료를 측정하여 얻은 측정 강도비와 비교함으로써 표면분석장비인 광전자 분광분석기에서 in-situ 분석이 가능하고 비파괴적인 다성분 및 다층구조 나노 박막의 수직방향으로의 적층 구조를 분석한다. 또한 복잡한 이론식의 계산 과정을 프로그램화 하여 쉽게 시뮬레이션 할 수 있고 도시화할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명은 기존의 광전자 분광 분석기가 나노박막의 표면 특성 평가에만 이용되었던 것과 달리 각분해 기술을 확보하여 나노박막의 깊이 방향으로의 분석 기술을 향상시키고자 한다. 각분해 분광 분석기를 이용하여 단순한 표면의 조성분석과 상대적인 깊이분포 분석이 아닌 수 나노 두께의 다층 박막 소재의 in-situ, 비파괴적인 깊이 구조/조성 분포 분석이 가능하고 이를 통해 극표면 상태의 정성적정량적인 해석기술이 확립됨으로써 나노 두께의 다층구조박막으로 형성되는 미세 시스템의 구성소재 표면특성의 해석에 적용할 수 있는 기술이 수립 가능하다.
형상기억합금은 온도 상승 및 하강에 의해 변형률의 조정이 가능하고 최대 5% 정도의 신축력이 발행하며 이러한 성질을 이용하면 노후된 구조물의 외부 보강재로서 형상기억합금의 적용이 가능하게 된다. 즉, 미리 형상기억합금의 온도를 증가시킨 후 구조물 외부에 설치하여 정착시킨 후 상온에 놓아두면 온도하강으로 인하여 형상기억합금의 변위는 감소하려고 하나 정착구의 구속에 의해 형상기억합금에 압축력이 작용하게 된다. 이때 발생하는 압축력이 구조물의 강도회복 및 처짐감소에 큰 역할을 하게된다.
나노 크기의 형상을 갖는 나노스탬프를 이용한 나노 임프린팅 공정을 통해 패턴 형성층 위에 마스크 패턴을 형성하고 마스크 패턴을 통하여 2 keV이하의 에너지를 갖는 수소 이온을 전사해서 패턴형성층에 환원작용을 일으킴으로써 원하는 형태의 자성 나노패턴이 형성되도록 함
본 기술은 광변색 및 형광을 동시에 갖는 보안 필름 조성물, 상기 조성물을 사용하여 보안필름을 제조하는 방법 및 상기 조성물을 사용하여 제작된 보안필름에 관한 것이다. 본 발명의 광변색 및 형광을 갖는 보안필름 조성물은 1) 광변색과 형광을 동시에 갖는 화합물, 2) 바인더, 3) 광중합성 단량체, 4) 개시제, 및 5) 용매를 함유하며, 상기 광변색과 형광을 동시에 갖는 화합물은 광에 의해 색이 변하며, 형광을 띠는 모든 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 화학식1 의 구조를 갖는 화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 화합물이며, 상기 광중합성 단량체는 공지의 광에 의해 중합되는 아트릴계, 메타아크릴계, 또는 에폭시계 단량체로서 바람직하게는 화학식 2의 구조를 갖는 것이다.
홀로그램을 이용한 저장장치에 사용되는 포토폴리머 조성에 있어서 핵심이 되는 광중합형 단량체를 개발하였으며, 특히 홀로그램 저장시 저장된 데이터의 안정성에 큰 문제가 될 수 있는 수축률을 최소화 시킨 단량체를 사용하여 높은 회절효율과 안정성을 갖는 포토폴리머 조성을 발명하였음.
촉매로서 백금과 티타늄 층의 사용을 통한 단결정 규소 나노리본 및 그 제조하는 방법
본 기술은 이 방향 형상기억효과를 갖는 코일 스프링 및 그 제조 방법과 이를 이용한 단열 제품에 관한 것으로서, 형상기억합금 소재의 코일 스프링 내부에 특정 방위의 석출물을 내포시켜 이 방향 형상기억효과를 발현시키고, 변태 온도 전·후에서의 변위 차가 큰 상기 코일 스프링을 두 부재 사이에 설치하여, 단열 성능이 우수하고 제작이 간단한 단열 제품을 제공한다.
니켈 전극을 이용한 수직 나노 와이어 반도체 형성방법 및 이를 이용한 3차원 트랜지스터 개발