고체산화물 연료전지 공기극용 세라믹 복합 분말 제조 방법
본 기술은 고분자 레진(Polymeric Resin)을 이용하여 기존의 산화물 입자 주위에 또 다른 조성의 산화물 분말을 위치하게 하여 두 가지의 세라믹 분말이 균일하게 혼합되어 있는 복합 분말을 합성하고, 이를 이용하여 차세대 에너지원인 고체산화물 연료전지의 공기극을 제작하도록 한다.
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194 / 213 페이지표면이 개질된 무기재료 및 그 제조방법
본 기술은 표면이 개질된 무기재료 및 그 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 고체 실리카나 ito 글래스와 같은 무기재료에 하기 화학식1로 표시되는 알릴 또는 알릴유도체를 갖는 유기실란화합물을 산과 유기용매하에서 반응시켜 상온에서도 유기기가 도입되어 표면이 개질된 무기재료 및 그제조방법을 제공하는 것이다.
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ＩＴＯ 도전막, 그 증착방법 및 증착 장치
본 기술은 ITO(Indium Tin Oxide: 인듐 주석 산화물)층을 양산 제조하는 방법에 있어서 기존의 스파터링등과 같은 박막제조 방법의 단점을 보안하면서 대면적 기판상에 ITO 박막을 형성하는 방법이다.
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무감광 리소그래피에 의한 박막 패터닝 방법
본 기술은 펄스 레이저를 이용한 나노입자 박막 패터닝 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판 상에 증착된 나노입자 박막에 주기적으로 반복되는 단순한 패턴 뿐만 아니라, 사용자가 원하는 임의의 복잡한 형태의 패턴을 형성할 수 있고, 더욱이 엣지 해상도(edge resolution)를 향상시킬 수 있는 펄스 레이저를 이용한 나노입자 패터닝 방법에 관한 것이다.
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성장방향으로 적층된 이종구조 및 이종 도핑 구조의 나노선 제조 방법
본 기술은 선택적인 영역에 수열합성을 이종구조의 나노선 및 이종 도핑 구조의 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상에 포토레지스트를 이용한 패터닝을 템플레이트로 삼거나 혹은 기타 나노 크기의 pore로 이루어진 템플레이트을 통해 나노선을 제작하고 템플레이트 존재 하에서 최초 성장된 나노선 위에 이종구조의 나노선을 추가로 성장시켜 이종의 금속산화물 나노선, 혹은 다른 도핑물질이 첨가된 나노선들을 나노선의 성장방향으로 적층시켜 결합된 형태로 제작하여 하나의 나노선으로 만드는 방법이다. 이를 통해 나노소자의 제작에 이종구조 및 이종 도핑 구조의 나노선을 이용할 수 있다.
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시편 고정형 보관 용기
본 고안은 시편 보관 및 운반에 이용되는 용기에 관한 것으로, 고분자 합성 수지로 제작된 상부 몸체와 하부 몸체로 구성되며 하부 몸체의 내부 바닥면에는 재접착풀이 도포되어 있어 시편의 부착, 탈착을 편리하게 한다. 이 때 상부 몸체는 하부 몸체를 덮을 수 있게 상부 몸체 내경이 하부 몸체의 외경보다 크다. 또한 상부 몸체의 내부와 하부 몸체의 외부에 암 수의 나사선이 존재하여 밀봉 보관 시 시편의 높은 안정성을 확보함을 특징으로 한다. 나아가 자외선 등 광에 의한 시편의 손상을 막기 위하여 자외선 차단 재질의 고분자 합성 수지로 제작할 경우 시편 보관의 안정성을 더욱 향상시킨다.
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시편용 핀셋
본 고안은 시편의 표면 손상을 최소화하기 위한 시편용 핀셋에 관한 것으로, 보다 상세하게는 글라스나 웨이퍼의 시편을 집어올리고 이동시키기 위해, 표면에 핀셋이 닿는 부위를 최소화하고 측면부분에 최소한의 장력만으로 시편을 잡음으로써 표면의 손상을 방지하기 위한 핀셋 구조이다.
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유전체 잉크, 이를 이용한 유전체 박막 및 유기박막 트랜지스터
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- 2008-12-29
반복 가공유기 변태를 이용한 고장력 초세립강의 제조 방법
본 기술은 반복 가공유기 변태를 이용한 고강도 초세립강의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 준안정 오스테나이트를 냉간가공하여 가공유기 마르텐사이트로 만들고, 어닐링 열처리를 통해 마르텐사이트를 오스테나이트로 역변태시켜 결정립 크기가 작게 만드는 것을 반복하여 평균 결정립 크기가 0.2㎛이하의 초세립 오스테나이트 조직을 갖는 고장력 초세립강의 제조 방법이다.
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산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법
본 기술은 ZnO 100몰과, Ga2O3 10 ~ 100몰과, In2O3 10 ~ 100몰로 구성되는 비정질 반도체 산화물 박막으로서, 상기 산화물 박막은 Zn, Ga 및 In 을 포함하는 전구체 용액을 열처리하여 얻어진 것을 특징으로 하는 반도체 산화물 박막을 제공한다. 상기 박막은 금속 질화물 또는 금속 아세테이트 형태의 무기염 전구체로서, 각각 Zn, Ga, In을 포함하는 제1물질, 제2물질, 제3물질과, 전체 용액 100 중량부 기준으로 70 ~ 90 중량부의 용매를 포함하며, Zn을 포함하는 제1물질 100몰에 대하여, Ga을 포함하는 제2물질은 10 ~ 100 몰, In을 포함하는 제3물질은 10 ~ 100 몰을 함유하는 전구체 용액을 대상 기판에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅 등의 용액 공정에 의하여 형성할 수 있다.
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금속산화물을 양극 및 음극에 적용한 비대칭 하이브리드 커패시터
본 기술은 금속산화물을 양극과 음극 전극 소재로 사용한 비대칭 하이브리드 커패시터에 관한 것으로서, 양극의 전극 활물질로 리듬 이온을 전해질을 통해 공급 할 수 있는 금속산화물(리듬이 함유되어 있으며 리튬 이온을 생성, 공급할 수 있는 금속산화물)을 사용하고, 음극의 전극 활물질로 상기 양극의 전극 활물질로부터 전해질을 통해 공급되는 리튬 이온을 받아들일 수 있는 금속산화물(리튬 이온의 삽입이 가능한 금속산화물)을 사용함으로써, 리튬 이온 단일 종이 양쪽 전극의 전기화학반응에 참여할 수 있도록 하여, 금속산화물과 탄소 소재를 각각 전극 소재로 사용하는 기존의 비대칭 하이브리드 커패시터와 비교할 때 충방전 과정 중 커패시터 내부 전해질의 이온 전도도 감소 현상이 최소화될 수 있으며, 양쪽 전극 모두 비축 전용량이 높은 금속산화물을 사용함에 따라 에너지 밀도 및 출력 밀도가 극대화되는 비대칭 하이브리드 커패시터에 관한 것이다.
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- 2008-12-29
연성기판에 증착된 투명전극의 인장강도 시험
본 기술은 기존의 휨시험과 같이 TCO에 복잡한 응력 상태를 발생시키는 사험법을 개선하여, 순수 인장과 압축 하에서 TCO의 기계적 강도를 측정할 수 있는 시험법이다. TCO가 증착된 연성 기판을 고정된 두 개의 롤에 감아 두 롤을 반대방향으로 회전시킴으로써, 롤 사이의 기판을 팽팽하게 당겨 TCO에 순수 인장응력을 가하는 방법이다. 이 때, 롤 표면의 마찰력을 조절함으로써, 롤이 감기는 방향과 반대 방향으로는 TCO에 압축응력이 동시에 발생하게 할 수 있다. 또한, 롤이 회전하는 방향과 수직한 방향에 기판을 가로지르는 crack을 미리 발생시켜, 수직방향으로 압축 응력만을 발생시킬 수도 있다. 파괴응력의 감지는 고속 카메라가 설치된 광학 현미경으로 응력이 가해지는 TCO 표면을 관찰하여 crack 이 일어나는 시점의 응력을 계산한다. 따라서, crack의 크기와 발생 위치에 민감한 전기적, 광학적 성질 변화로 인해 부정확하게 측정되는 파괴 응력 감지를 개선할 수 있다.
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- 2008-12-29
신규 비대칭형 전기변색 비올로겐 유도체의 제조법 및 이를 포함하는 전기변색소자
본 기술은 전기변색 시 다양한 색 구현이 가능하며 빠른 응답속도를 보이는 신규 비대칭형의 비올로겐 유도체와 이를 포함하는 전기변색소자에 관한 것이다. 본 발명의 전기변색성 비올로겐 유도체는 4,4’-바이피리딜에 말단이 할로겐 원소인 알킬기 또는 알킬렌기를 작용기로 보유한 화합물로 합성이 쉽고 간단하며 전기변색 소자화 하였을 때 전압 인가 시 빠른 응답속도와 높은 색대비를 보인다.
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- 2008-12-29
리튬전지용 막형 음극재료의 제조방법
본 발명은 리튬전지용 음극 재료를 제조함에 있어, 음극 기재 위에 음극물질을 단위체 형태로 이격 및 분리 배열되게 패턴형으로 적층시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 리튬전지용 막형 음극 재료의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 제조된 음극재료는 충·방전 동안의 부피변화에 대한 완충역할을 하고, 단위 박막과 기재와의 결합력이 강화되며, 부피변화를 감소시키기 위하여 하부막을 삽입함으로써 전극의 구조적인 안정성을 향상시켜 전극의 사이클 수명을 연장시키는 효과가 있다.
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- 2008-12-29
표면 개질된 폐고무를 이용한 열가소성 가황체의 제조방법
본 발명은 폐고무를 이용한 열가소성 가황체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폐고무 분말의 표면을 개질하여 활성화시킨 다음, 열가소성 수지와 반응시켜 제조함으로써, 기존 고무소재의 물성을 확보하면서 수회에 걸쳐 재활용이 가능한 열가소성 가황체의 제조방법을 제공한다. 폐고무는 (a) 폐고무 분말에 초음파(Ultra-sonic)를 조사하는 공정; (b) 폐고무 분말에 마이크로파(Micro-wave)를 조사하는 공정; (c) 폐고무 분말에 방사선(Radiation)을 조사하는 공정; (b) 폐고무 분말을 코로나 방전(Corona discharge) 처리하는 공정; (e) 폐고무 분말에 이온 빔(Ion beam)을 조사하는 공정; 및 (f) 폐고무 분말에 아민기(Amine group)를 도입시키는 공정으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 공정을 통해 개질된다. 본 발명에 따르면, 표면 개질된 폐고무는 열가소성 수지와의 반응성이 향상되어 수회에 걸쳐 재활용할 수 있는 열가소성 고무소재로 전환되며, 우수한 기계적 물성을 가져 기존 고무소재를 대체할 수 있는 효과를 갖는다.
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- 2008-12-29
LN MHEMT 개별소자
본 기술은 LN MHEMT소자의 구조 및 제작방법에 관한 것이다.위성 방송 수신기(DBS), 사내위성방송(TVRO), 양방향위성통신(VSAT) 등의 수신단에 주로 사용하는 저잡음 HEMT소자는 국내에서 매년 약 20억원 정도의 수요가 있으나 전량 국외에서 수입하고 있는 실정이기 때문에 우수한 성능의 저잡음 MHEMT소자를 상용화하여 국내 수요를 대체하고 국외 시장에 진출하고자 하고, 국내의 화합물 반도체 산업 활성화를 통해서 RF 부품 산업 기반을 조성하고자 한다.<활용방안 및 기대성과>- 국내 위성 방송 수신기(DBS), 사내위성방송(TVRO), 양방향위성통신(VSAT) 등의 수신단용 저잡음 신호 증폭기에 사용 - 3~5GHz 대역의 무선통신용 저잡음 신호 증폭 소자로 사용 - 전량 수입에 의존하고 있는 화합물반도체 소자의 국산화(국내수요는 매년 약 20 억원 정도로 추정)
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금속산화물/탄소나노튜브 복합체 및 금속산화물 나노막대의 제조
본 발명은 금속산화물/탄소나노튜브 복합체 및 금속산화물 나노막대의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 별도의 산 처리를 통한 탄소나노튜브의 표면 처리 없이 계면활성제의 도입에 의해 금속산화물/탄소나노튜브 복합체를 쉽고 빠르게 합성할 수 있다. 본 발명에 있어서 계면활성제는 탄소나노튜브의 응집을 막아 분산도를 향상시키는 동시에 탄소나노튜브 표면에 계면활성제의 작용기를 생성함으로써 금속 이온 종을 탄소나노튜브 표면에만 석출시켜 금속산화물의 핵생성 성장을 유도함으로써 금속산화물/탄소나노튜브 복합체가 합성되도록 해 준다. 이와 같이 증착된 금속산화물 코팅 층은 탄소나노튜브의 직경과 무관하게 매우 균일하며, 금속산화물 코팅 층은 비정질상(amorphous phase)으로 구성된다. 또한 산소 하의 고온 열처리 공정에 의하여 금속산화물/탄소나노튜브 복합체의 탄소나노튜브를 제거함으로써 단결정질(single crystalline phase)의 금속산화물 나노막대가 제조된다.
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SLD 기술
본 기술은 차세대 가입자망인 WDM-PON 망 구축의 필수요소는 넓은 광파장 대역에서 파장에 무관하게 사용이 가능하며, 저가형으로 기가급 동작이 가능한 광원 개발이다. 특히, 국내의 WDM-PON기술은 세계적으로 선도적인 기술력을 확보하고 있으며, 광주 등에서 이미 시범망 서비스를 실시하고 있을 정도로 상용화를 눈앞에 두고 있다. 이를 지속적으로 확대시키기 위해서는 저가격 고성능의 부품을 공급할 수 있는 부품업체의 성장이 필수이다.<활용방안 및 기대성과>- 2.5Gbps급 R-SOA 소자 설계/제작기술 전수를 통해 업체 기술력 향상도모 - 2.5Gbps급 R-SOA 소자 분석 평가기술 전수 - 2.5G R-SOA 칩,제공 및 시현검증을 통하여 기술전수 업체의 전수기술의 시장 적용력을 증대시킴
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전기화학적 자기조립을 통한 메조구조의 전이금속산화물의 제조방법
본 기술의 메조구조의 라멜라 망간산화물 박막의 제조방법을 단계별로 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 제1단계는 구조지시제 및 전이금속 이온을 포함하는 전해액을 제조하는 단계이다. 보다 구체적으로 전이금속 이온을 포함하는 용액 내에 구조지시제를 첨가시킨 후 강하게 교반하여 전해액을 제조한다. 이때 상기 전해액 내에서 양이온 상태로 존재하는 전이금속 이온은 구조지시제와 정전기적인 인력에 의해 서로 결합된 상태로 존재하게 된다. 상기 제2단계는 상기 전해액의 전기화학적 자기조립을 통한 구조지시제 및 전이금속 복합체의 제조단계로, 공지된 전기화학적 자기조립 방법을 제한 없이 사용할 수 있으나, 상기 제1단계의 전해액에 기판전극, 상대전극 및 기준전극을 삽입하여 산화전위 또는 순환전위를 인가시켜 구조지시제 및 전이금속 복합체를 제조하는 것이 바람직하다. 상기 제3단계는 상기 제2단계에서 복합체로부터 구조지시제를 제거하는 단계이다. 일반적으로 메조구조 물질에 포함된 구조지시제는 300℃ 이상의 온도에서 열처리를 하거나 알코올과 같은 용매에 침적시켜 용액처리를 하여 제거하는 방법이 많이 사용되고 있으나, 실리카 계열의 물질에 비해 활성이 높은 금속산화물은 고온의 열처리나 용액처리 중에 상변화 또는 산화환원반응이 진행되어 기 제조된 메조구조가 붕괴되는 경우가 많다. 따라서, 이러한 박막 구조의 붕괴현상을 방지하기 위하여 본 기술은 자외선/오존처리법을 박막에 적용하여 구조지시제를 제거한다.
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금속 산화물의 탄소 코팅 방법
본 기술은 산화가가 큰 금속 이온 종을 가진 금속 산화물 표면에도 용이하게 탄소 코팅층을 형성할 수 있는 방법을 제공하고자 한다. 보다 구체적으로, 금속 산화물을 표면처리하여 영 전하점을 조절함으로써 금속 산화물이 양의 표면 전하를 띠게 하여 음의 표면전하를 갖는 탄소 전구체와 결합할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. 본 기술은 금속 산화물을 아민 전구용액과 혼합하여 금속 산화물 표면에 아민 작용기를 유도하는 단계 및 상기 아민 작용기가 유도된 금속 산화물을 당 용액과 혼합한 후 마이크로웨이브 가열하여 상기 아민 작용기가 유도된 금속 산화물의 표면에 탄소 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 금속 산화물의 탄소 코팅 방법을 제공한다. 본 기술에 따르면, 금속 산화물의 표면에 아민 작용기를 유도함으로써 당 용액 내에서 마이크로웨이브 가열을 통한 수열 합성 조건에서 음의 표면 전하를 가지는 탄소 전구체가 아민 작용기와 반응할 수 있게 한다. 따라서 본 기술의 방법을 이용하면 영전하점이 낮은 pH 영역에 존재하는 산화가가 큰 금속 이온종을 갖는 금속 산화물 또한 쉽게 탄소 코팅을 형성할 수 있게 된다. 또한 당 용액의 농도, 마이크로웨이브 가열 온도, 가열 시간 등의 변수를 조절하면 탄소 코팅층의 두께를 제어할 수 있다. 본 기술에 의해 합성된 탄소 코팅층이 형성된 산화바나듐은 전기화학 커패시터용 전극 소재, 리튬 이온 전지나 고분자 전해질을 사용하는 고분자 전지의 전극 소재로 널리 사용될 수 있다.
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