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재료 > 기타 고분자재료
최근에 발전된 마이크로 전자 및 광학전자 장치의 조립을 위하여 열안정성이 높은 폴리이미드(PI)의 개발과 적용에 있어서 놀랄만한 발전이 이루어졌다. PI 재료는 높은 열안정성, 낮은 유전상수, 높은 전기강도, 화학적 불활성, 아름다운 물리화학적 및 필름 성형 특성과 같은 우수한 특성을 가지고 있다. 보통 PI광 방식제는 용해성 PI의 유기 용매 혹은 그들의 선구물질(polyamic acid)의 형태로 사용된다. 스핀 도포 및 건조후 PI 필름은 자외선 노출된 다음 유기용매에 의하여 현상된다. PI 선구물질의 경우에는 이 공정 후에 300-400°C의 열 숙성 imidization 공정이 요구된다. 그래서 이 기술은 두 개의 습식공정을 사용하며 이것이 PI 필름이 기판에 약하게 부착되는 주원인이 된다. 또한 필름의 팽창에 의한 낮은 해상도 및 금속 이온에 의한 오염도 이것이 원인이다.
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
염화 클로라이드가 높은 M2 계수와 큰 투명영역을 가지고 있어 음향 광학 셀(AO)로 유망한 재료다. 이보통 기술에 맞추어 첫 쏘스가 화학적으로 정화되었고 다음 구역 정화법에 의해서 정화되었다. 이 이후에 결정이 성장하였다. 정화의 전단계에 걸쳐 산화염화물은 전달 스펙트럼이 좁아지게 되는 결정에 부분적으로 남아 있었다. 이 기술을 이용하여 우리는 물을 제거하고 (이것은 납 산화염화물로 된다.) 동시에 용융체로부터 성장을 수행한다. 질량 스펙트럼 조사에 의하면 이 적정 조건에서 얻어진 D=70 mm의결정이 투명하고 쌍이 없다는 것을 보여준다. 내부 결함 조사를 위하여 각종 평면에 대한 선택적 화학약품이 발견되었다.큰 스펙트럼 면적에 레이저 빔을 가진 PbCl₂결정의 AO 셀의 개발, 생산이 가능하다.
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재료 > 전기·전자기 기능재료
내화금속 실리콘 화합물은 마이크로 전자장치에서 저저항 접점, 게이트 전극, 및 상호 연결을 위해 매우 유망한 재료이다. 내화금속 실리콘 화합물의 특정 전기저항은 그것을 VLSI 기술을 위한 선택물질로 추천하는 가장 중요한 기준이다. 현재 실리콘 화합물 박막을 생산하기 위한 두 가지 주요한 기술이 사용되고 있다. 그 첫째는 고온 서냉과 최종 MeSi-층 형성을 수반하는, 금속과 실리콘 얇은 층의 부착으로 되어 있다. 둘째 기술은 magnetron sputtering시 내화금속 실리콘 화합물로 부터의 표적의 사용으로 되어 있다. 보통 분말야금법은 이런 실리콘화합물 표적을 제조하는데 사용된다. 그러나 이 기술은 원하는 수준의 순도를 내지 못하며 품질이 낮은 실리콘화합물 필름으로 된다. 이것은 제한된 부착율로 되어 필름의 오염 확률을 증가시킨다.실리콘화합물 표적은 다음 용도에 적용된다. - 마이크로 전자에 박막의 생산. - 포장기술을 위한 박막의 생산.
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재료 > 기타 세라믹재료
초전도체와 자성 재료에 있어서 자장 분포의 관찰을 위한 새로운 방법이 개발되었다. 자장은 필름을 통과하는 편광화된 빛의 편광면의 파라데이 회전으로 인해서 자기광학 지시계 필름을 사용하여 가시화된다. 다른 유사한 방법(유로퓸 chalcogenide 도장물, 자기광학 유리의 적용)과 비교하여 이 방법은 400 K까지의 더 넓은 온도 범위에서 더 높은 감도와 기능을 가지고 있다. 그 외 우리들 방법은 매우 간단하고 속도가 빠르며 이것은 비파괴 시료의 검사에 그것을 사용하게 한다. 이제 우리들은 0.5 mm의 공간해상도 및 0.1 Oe만큼 높은 규모의 감도를 가지고 자장 분포를 관찰할 수 있다. 우리 지시계의 조작 범위는 0~2000 대이다.더 높은 감광도를 가지고 있는 새로운 자기광학 필름의 개발. 감광도와 공간해상도를 더 이상 증가시키기 위하여 이메지 처리기술의 적용. 더 넓은 온도 범위와 더 높은 자장에서 작동할 수 있는 새로운 지시계 재료의 개발.
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재료 > 기타 세라믹재료
초전도체와 자기물질 속의 자기장 분포를 관찰하기 위한 새로운 방법이 개발되었다. 자기장은 자기광학표시필름을 사용하여 눈으로 볼 수 있게 된다. 그것은 이 필름을 통과하는 편극광의 편극 평면에서 일어나는 패러데이 회전 때문이다. 다른 비슷한 방법(유로퓸 동판 코팅, 자기광학 유리의 활용)에 비해, 이 방법은 넓은 온도 범위(~400K)에서 더 높은 민감도와 기능을 가진다. 이 이외에 우리의 방법은 매우 간단하고 빨라서 비파괴 표본조사에 사용할 수 있다. 우리는 이제 0.5mm의 분해능과, 0.1Oe 정도의 자기장 세기에 해당하는 민감도로 자기장 분포를 관찰할 수 있다. 우리 표시기의 작동범위는 0 ~ 2000 Oe이다.더욱 높은 민감도를 가진 새로운 자기광학 필름 개발. 민감도와 공간분해능을 더욱 높이기 위한 이미지 처리 기술의 활용. 더욱 넓은 온도 범위와 높은 자기장에서 작용할 수 있는 새로운 표시물질의 개발.
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
제안된 필터 엘리먼트는 대개 아주 세밀한 구멍이 있는 금속(cermet)층을 큰 구멍이 뚫린 강화 기판에 부착시켜 제작된균일 또는 이방성 구조로 되어 있다. 이와 같은 구조에 따라 제작된 작은 크기의 필터 모듈은 표준 조건일 때 P 0.2 atm의 낮은 차별압력(differential pressure) 하에서, 대략 0.01 mm보다 큰 입자에 대해 0.5-50m/h의 처리 속도 및 E > 99.9999995%의 가스 투과 효율을 지원하는 고효율의 가스 클리닝 성능을 보장해 준다. 필터의 소재는 격자상으로 강화된 30-200mm의 디스크 및 외경 16-40mm, 길이 80-540mm 규격의 실린더 카트리지 형식으로 제작된다. 디스크와 카트리지의 소재는 알루미늄 산화물, 니켈, 또는 스테인리스 스틸로 제작되며, 탄탈이나 티타늄/지르코늄 질화물로 이루어진 미세한 구멍이 있는 층으로 피복처리 된다.발전소나 NPP 냉각수 여과 등의 작업 시에 고온으로 개스 클리닝을 할 경우.
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- 2000-04-24
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재료 > 기타 금속재료
질산의 생산 프로세스는 3500k, 108Pa의 온도 및 압력조건에서 대기 중에서 질소를 산화시킨 다음, 생성된 가스 혼합물을 급냉시켜 약 7% 정도의 농도로 산출되는 no 분자를 얻어내는 방법에 기초하고 있다. 기존의 방법과 비교했을 때 제안된 상기의 방법에서는 작업공정을 최소화하는 동시에, 백금 촉매를 사용하지 않으며, 유독성 중간 물질(NH3와 CO)이 생성되지 않는다.개발된 기술은 화학공업제품의 생산이나 비료생산 및 과학의 연구에 활용할 수 있다.
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- 2000-04-24
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재료 > 기타 세라믹재료
세미팔라틴스크 지역 및 기타 생태학적 재해 발생지역의 radionuclide 및 중금속 오염을 제거하는 일은 중대한 문제이다. 이전까지는 이와 같이 구체적인 용도에 사용될 교질입자 흡착제를 개발하기 위한 작업이 실시된 바 없으며 본인들은 phosphatidylinositol을 이용하여 카자흐스탄 지역의 핵실험 지역 및 생태학적 재해가 발생한 지역에서 사용하기 위한 특수한 무독성 교질입자 흡착제의 개발에 참여하였다. 이 프로젝트는 효과적인 교질입자 흡착제의 개발을 목표로 하고 있으며, 그 용도는 다음과 같다.1. 핵실험의 결과 상해를 입은 사람의 체내에 포함된 radionuclide의 제독. 2. 생태학적 재해가 발생한 지역에서 피해를 입은 사람들의 체내에 침투한 중금속 염의 제독.실험 데이터는 의료/위생/면역학 및 생태학 분야에 활용할 수 있다.
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- 2000-04-24
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 알루미나계 소결체를 소결 분위기보다 산소분압이 높은 분위기에서 열처리함으로써 표면개질층을 형성하는 공정과 그에 의하여 표면개질된 알루미나계 단상, 복합 세라믹스에 관한 것이다. 본 발명에서 밝혀낸 표면개질 알루미나계 세라믹스의 제조 방법은 Fe 등의 첨가제를 포함하는 분말 성형체를 비교적 산소분압이 낮은 분위기 (N2, 95N2-5H2, H2 등) 에서 소결한 후 그보다 산소분압이 높은 분위기(80N2-20O2, O2 등) 에서 열처리하는 공정으로 이루어진다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본발명은 각종소형소자에서 사용될 수 있는 박막전지용 박막전극인 LiMn2O4 박막을 졸겔법을 이용하여 제조하였다. 지금까지 박막전극은 고가의 장비와 유지비가 필요한 스퍼터링 방법등을 주로 사용해 왔으나 조성과 형태의 조절이 힘들고 특성 개선을 위한 첨가물의 사용이 곤란한 문제점이 있다. 특히 LiMn2O4 의 경우는 Li과 Mn의 조성비에 따라 많은 특성 차이가 있는데 기존방법의 경우 Li 양의 조절이 상당히 어렵다고 알려져 있다. 본 발명은 이같은 문제점을 해결하기 위하여 저가의 재료를 이용한 졸-겔법으로 LiMn2O4 박막을 제조하였다. 제조된 박막은 비교적 우수한 방전용량과 적은 방전용량감소를 보였다.
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 이동체 통신에서 사용되는 유전체 공진기나 범지구 측위시스템(GPS; Global positioning system)등에 이용되는 새로운 고주파용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 원료물질로서 CaCO3, TiO2, MgO, WO3를 다양한 몰비로 합성하여 일반식 (1-(Mg1/2W1/2)O3-xCaTiO3으로 나타낼 수 있으며 x가 0.3에서 0.7로 변함에 따라 5∼8 GHz에서 유전률 33∼54, 품질계수(Qf)는 27,000∼12,000 GHz의 값을 가지며 원료 조성의 변화에 따라 원하는 공진주파수의 온도계수를 제어할 수 있다. 기존의 발표된 고주파 유전체들이 낮은 유전률을 가지면 높은 품질계수를 가지고 높은 유전률을 가지면 낮은 품질계수를 가지는 반면 본 고용계는 중간값의 유전률과 품질계수 값을 가진다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 Sb를 첨가하고 열처리를 한 비휘발성 기억소자용 강유전체 박막(PZT)과 그 제조방법에 관한 것이다. Sb의 첨가를 위해 Pb, Zr, Ti은 3인치 금속타겟을 이용하고 상하부 전극으로 Pt를 사용하여 DC reactive sputtering법으로 550℃에서 100분 동안 열처리를 한 강유전체 박막 및 그 제조법에 관한 것이다. 1×1011 싸이클까지 피로가 없는 좋은 특성
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 SrTiO3계 입계절연형 유전체 제조공정에 사용되는 산화물의 조성에 관한 것이다. 액상으로 침투되는 산화물에 1:1의 비로 BaO와 CaO를 포함하여, 기존공정에서 발생하는 입계이동을 제어함으로써 높은 유전상수값의 시편을 제조할 수 있었다. 또한 이와 같이 입계에 존재하는 산화물의 조성 제어하였을 경우 온도변화에 따른 유전상수값의 변화가 적은 안정한 온도특성을 나타내었다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 적층세라믹 콘덴서 또는 하이브리드 회로의 유전체 페이스트 등에 이용되는 저온소결 유전체 자기조성물에 관한 것으로 특히 Pb(Bi1/2Nb1/2)O3, Pb(Bi1/2W1/2)O3의 2성분계로 이루어지는 조성물로 저온소결을 실시한 것이다. 여기에 MnO2, SiO2, CaO 등을 혼합하여 저온에소 소성을 가능케 하였다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물에 관한 것으로 특히 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5 등의 산화물로 합성된 (1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 - x Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 2성분계에 배합비 x를 0.35 ≤ x ≤ 0.65으로 한 것을 주성분으로 하는 유전체 자기조성물에 Mn 산화물을 0.01 ∼ 0.5wt% 첨가한 것이다. 이 조성은 귀금속인 내부전극을 유전체 제조시 필요로 하지 않는 특징이 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5, NiO, ZnO 등의 산화물로 합성된 4성분계에 망간과 같은 천이금속을 첨가하여 10000 이상의 유전율을 가지고 Y5V의 온도특성을 만족시키며 2.6% 미만의 비교적 낮은 손실계수를 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 MgO, CaO, TiO2, SiO2, Al2O3 등과 희토류 산화물인 Nd2O3, Pr6O11, La2O3, CeO2 및 Al2O3가 첨가된 조성물에 관한 것이다. 30ppm/℃ 미만의 비교적 안정된 온도특성과 1014Ω·cm정도의 높은 절연저항을 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 안정된 온도특성과 높은 절연저항을 가지는 조성물의 제조
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 유전체 하부전극용 백금박막의 화학증학 방법에 관한 것으로 백금의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금을 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 백금박막을 제조할 수있다. 본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘과 반응이 거의 없는 우수한 경계특성을 나타낸다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
기판재료와 서로 다른 종류의 재료를 격자의 연속성이 유지되게 박막을 입히는 경우를 헤테로에피택시 박막이라 한다. 이와 같은 박막의 경우 두 재료간의 격자상수 차이로 인하여 박막층에 정합탄성변형이 존재하며 이러한 탄성변형을 완화시키기 위해 박막의 표면은 굴곡이 지며 아일랜드 구조도 나타나기도 한다. 이러한 표면굴곡이나 아일랜드구조는 박막의 광전적 성질과 계면반응성에 악영향을 미치기 때문에 최대한 억제되어야 한다. 본 발명에서는 이러한 현상을 억제할 수 있는 방법으로 홈이 파이거나 굴곡을 만들어준 평평하지 않은 기판을 사용하는 방법을 개발하였다. 본 발명은 반도체와 다양한 전자부품에 대표적으로 이용되는 GaAs/Si이나 SiGe/Si계를 비롯하여 표면굴곡이나 아일랜드 구조를 보이는 모든 박막의 제조시에 적용이 가능하다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 강유전체 박막(SBT;SrBi2Ta2O9)의 화학증학 제조방법에 대한 것으로 Sr, Bi, Ta의 precursor로 Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5를 사용하여 플라즈마(RF power = 100 = 150W) 안에서 화학 증착법으로 제조하는 기술이다. 기존에 사용되는 제조온도보다 약 200℃ 이상 낮은 온도에서 제조할 수 있으며 여러 가지 전기적 특성이 우수한 우수하게 나타났다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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