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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

새로운 수은계초전도계와 그제조방법

본 발명은 새로운 수은계 초전도체인 Hg1-x TlxBa2(Ca1-ySry)2Cu3O8+9와 그 제조방법에 관한것으로서, 더욱 상세하게는 방응물로서 삼성분 산화물인 Ba2CuO3+x와 Ca1-ySryCuO2를 사용하여 불순물상의 형성을 억제하고 수은(Hg)일부를 탈륨(Tl)으로 치환하므로써 열적으로 안정하고 높은 임계전류밀도를 갖는 탈륨이 고용된 수은계 초전도체와 그 제조방법에 관한것이다. 일반적인 수은계 초전도체의 제조방법에서 개개산화물을 시편으로 제작하는데 반하여 본 발명에서는 반응에 사용된 산화물을 혼합하여 하나의 시편으로 제작하므로서 CaHgO2와 같은 불순물의 형성을 줄일수 있고 재현성있게 시편을 제작할 수 있다.

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한국표준과학연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

탄화규소질 세라믹 전열관 소결재의 제조방법

액상 반응소결에 의한 탄화금소 세라믹 전열관을 제조하는 방법으로 진공분위기 하에서 금속 실리콘을 놓고 소성하여 완전 치밀한 소결체를 제조하는 방법고강도, 내마모성 치밀질 세라믹스, 우수한 내열충격성 및 내식성

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한국에너지기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

원적외성 복사기 도장재의 조성물

98%이상의 원적외선 효과를 나타낼 수 있는 무기질 코팅 조성물의 제조기술98%이상의 원적외선 효과를 나타낼 수 있는 코팅조성물

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한국에너지기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

전하 이동 착체의 형성에 의한 폴리퀴놀린계 광전 기능 재료의 제조방법

본 발명은 폴리퀴놀린계 전자 공여체와 2,4,7-트리니트로플루오레논과 같은 전자 수용체를 혼합 또는 접촉시켜 전하 이동착체를 형성하는 방법에 의해 가시광 영역에서 광전도성 및 광기전성을 갖는 고내열성 광전 기능 재료를 제조하는 방법에관한 것이다.많은 종류의 유기 화합물들은 전하 이동 착체 형태로 광전도성을 나타내는 것으로 알려져 있다. 현재까지 가장 잘 알려진고분자계 광전도성 물질은 이미 전자복사기용 감광체로서 실용화되었던 폴리비닐카르바졸과 2,4,7-트리니트로플루오레논(이하 TNF로 약칭)의 전하 이동 착체 필름이며, 이와 관련된 기술이 미합중국 특허 제3,037,861호, 동제 3,232,755호 및동 제3,287,120호 등에 상세히 기술되어 있다. 이 밖에도 다음 표 1에 나타낸 바와 같은 다양한 종류의 유기 화합물들이뛰어난 광전도성을 나타내는 것으로 알려져 있다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

전계 발광 소자용 플로렌계 교대 공중합체 및 이를 발광재료로 사용한 전계 발광 소자

본 발명에 따라 전계 발광 소자의 발광재료로서 사용되는 다음 일반식(I)의 플로렌계 교대공중합체가 제공된다. 또한 본발명에 따라 상기 플로렌계 교대공중합체를 발광층의 발광재료로서 사용한 양극/발광층/음극, 또는 필요시 여기에 전달층및/또는 반사층이 포함되도록 구성된 전계 발광 소자도 제공된다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

우선 배향성 강유전 박막의 제조방법

백금/티탄/산화규소/구소(Pt/Ti/SiO2/Si)가 순차적으로 적충된 기판 위에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(SrBi2Ta2O9)을박막원료로 하고 알 에프 마그네스트론 스퍼터링법(R. F. magnetron sputtering)을 이용하여 강유전 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물(SrBi2Ta2O9) 박막을 제조함에 있어서 일정한 비율로 아르곤과 산소 존재하에 증착시켜 우선 배향성의 불휘발성 강유전 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물(SrBi2Ta2O9) 박막의 제조방법에 관한 것임.)본 발명의 사용 기판 위에 알에프 마그네트론 스퍼터링법으로 본 발명 사용산화물을 증착하여 박막을 형성하는데, 박막을 중착할때의 압력을 조절함으로써 우선 배향성을 가지는 불휘발성 강유전박막을 제조하는 것을 특징으로 하고 있다. 이렇게 함으로써 공정 단순화 와 함께 이로 인한 생산 효율 증대 및 공정 최적화 효과를 얻을 수 있게 된다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 분리·환경·생체기능재료

수처리용 분리막 개발

산업용 정수 및 반도체용 초순수 제조공정에 도입 가능한 한외 및 정밀여과용 중공사 분리막과 모듈 제조 기술로서 각종 산업분야에서 분리 및 정제에 응용 가능기존의 외국제품에 비해 분리성능(투과도, 선택도)이 우수하며 다양한 형태의 모듈제작이 가능하여 반도체, 의약, 원자력발전, 정밀화학, 식품산업분야 및 가정용 정수기 등 그 활용 범위가 매우 넓다.

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한국화학연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 분리·환경·생체기능재료

탈수정제용 투과증발막

- 물-알코올 혼합물과 같이 공비점을 갖는 액체혼합물의 분리에 사용할 수 있는 분리막으로서 Microporous한 지지체 위에 친수성이 우수한 활성층을 코팅 및 가교시키는 방법으로 선택도와 투과도가 우수한 복합막을 제조- 지지체로는 polysulfone 및 polyetherimide, 활성층 형성 물질로는 poly(vinyl alcohol)와 ionic polymer등과 같은 친수성 고분자를 사용기존의 증류방법으로는 분리가 어려운 물-유기용매와 같이 공비점을 갖는 액체혼합물을 경제적으로 분리할 수 있는 투과증발막으로서 고순도 유기용매를 제조할 수 있으며 주류제조 공정 등에 사용이 가능

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한국화학연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

내화단열피복 조성물과 그 제조방법

O 내화단열피복 조성물과 그 제조방법 - 본 기술은 대형 및 고층건물에서의 화재발생시 화염 및 고열에 의해 철 구조물의 강도가 저하되는 것을 방지하기 위하여 철구조로 된 건축물 및 각종 구조물의 표면에 코팅하는 퍼라이트 및 질석을 주재로 한 내화단열 조성물과 그 제조방법에 관한 것임. - 최근 건축물의 고층화 대형화 추세에 따라 건축물의 구조물도 기존의 콘크리트 에서 점차 철근구조물로 대체되었다. 이에따라 대형건축물에서의 화재발생시 대형의 인명사고와 연계될 가능성이 높아짐에 따라 건축당시 이러한 기술을 현장에 적용 구조물의 붕괴를 사전에 차단하므로서 화재 발생시 건축물의 붕괴를 막을수 있을것으로 기대된다. O 종래 건축물에 사용한 내화물로는 석면 및 암면을 주로사용하였으나 이러한 물질은 발암 물질로 밝혀짐에 따라 최근에는 무기질 섬유상의 암면계에 주점결제로 시멘트를 사용하고 첨가제로서 수산화칼슘, 유산반토등을 혼합하여 사용하고 있다. 그러나 이러한 암면계 내화피복재는 비중이 작고 내화성능이 우수한 장점을 가지고 있으나 시공시 많은분진이 발생하여 주변환경을 오염시킴은 물론 시간이 경과함에 따라 피복재의 박리 및 무기섬유인 암면의 비산현상이 발생하여 인체의 호흡기 및 피부질환을 일으키는 단점을 가지고 있다. O 따라서 본 연구에서 고안된 기술은 기공이 많이 함유되어 있어 비중이 경량이고 분진등의 오염발생을 일으키지 않으면서 급결성을 갖추고 있어 피복물의 처짐현상이 나타나지 않아 1회의 시공으로 충분한 내화피복두께를 형성함과 동시에 표면경도 및 강도가 초기뿐만 아니라 장기간 경과시에도 우수한 무기질 불연재료인 퍼라이트 또는 질석을 주재로 한 내화 피복단열물인 것이 특징이다.

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한국지질자원연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

폐실리콘으로부터 고순도 실리콘 분말 및 질화규소 분말의 제조방법

[구성] 본 발명은 반도체의 제조에 있어서의 실리콘 웨이퍼 가공 공정에서 발생하는 폐실리콘 슬럿지, 실리콘 잉곳의 상하 절단부 및/또는 폐실리콘 웨이퍼로부터 고순도 질화규소 분말을 얻는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 폐실리콘 슬럿지로부터 질화규소 분말을 얻고자하는 경우에는 폐실리콘 슬럿지를 중성 용액, 산성 용액 및 알칼리성 용액으로 각각 세척하고, 각각의 세척후마다 여과하는 단계와; 결과되는 실리콘 분말을 증류수로 세척한후 알콜로 세척하며, 이때 각각의 세척후마다 여과하는 단계와; 상기 실리콘 분말을 건조시키는 단계와; 상기 실리콘 분말을 크기에 따라 분류하는 단계와; 상기 실리콘 분말을 질화 반응 가스와 접촉시켜서 질화시키는 단계를 포함한다. 그리고, 실리콘 잉곳의 상하 절단부 및/또는 폐실리콘 웨이퍼로부터 고순도 질화규소 분말을 얻고자하는 경우에는 실리콘 잉곳의 상하 절단부와 파편, 도가니내의 잔류 실리콘 결정 또는 폐실리콘 웨이퍼를 직경 약 1㎝ 정도의 파편으로 1차 분쇄하는 단계와; 상기 파편을 증류수 및 알콜로 세척하고, 이때 각각의 세척후마다 여과를 실시하는 단계와; 상기 파편을 건조시키는 단계와; 상기 파편을 2차 분쇄하여 미세한 실리콘 분말을 얻는 단계와; 상기 실리콘 분말을 크기에 따라 분류하는 단계와; 상기 실리콘 분말을 질소 반응 가스와 접촉시켜서 질화시키는 단계를 포함한다....

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한국생산기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 구조·열기능재료

내열성 폴리(우레탄-아미드)수지 및 그 제조 방법

[구성]다음 일반식(V)로 나타내어지는 폴리(우레탄-이미드)수지. (식중R1은 로 표시되는 기들 중에서 1종 또는 2종이 선택되며, P는 -CH2-CH2-O-기며, M, N은 1-20의 정수, R2는 또는 로 표시되는 기들 중에서 1종 또는 2종이 선택되며, R3는 로 표시되는 기들 중에서 1종 또는 2종이 선택된다. 또한 Z=1-50의 정수이며, X=0, Y>>1이면 이미드블록 타입의 폴리머가형성되며, X>>0, Y=1이면 우레탄블록 타입의 폴리머가 형성된다....

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한국생산기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

희토류-철계 자기변형 합금 및 그 제조방법

본 발명은 Dy-Fe 합급계에 소량의 B가 첨가되어 이루어진 희토류-철계 자기변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기변형 합금은 Dy 25~30원자%, Fe 56~70원자% 및 B 0~15원자%로 이루어진 모합금을 용해시켜 얻어진 용탕을불활성기체 분위기 하에서 10~50m/초의 선속도로 회전하는 냉각롤위로 분사시켜 박대형태로 급냉시킴에 의해 제조된다. 본 발명의 희토류-철계 자기변형 합금은 10nm 크기의 결정립이 균일하게 분포된 미세구조를 가지며, 낮은 자기장내에서도큰 자기변형 특성을 나타낸다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

PB(ZR1-XTIX)O3(PZT) 강유전 박막 제조방법

본 발명에 의한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.)본 발명에 의한 PZT 강유전 박막의 제2 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-xTix)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 PbO량을, 증착되는 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 Pbo 성분이 함유되도록 조절하므로써, 저온에서 PZT 강유전박막이 형성되도록 이루어진 것을 특징으로 한다.

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한국과학기술연구원
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2000-11-22
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

마이크로파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법

본 발명은 마이크로파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율이 100미만이고 공진주파수(f)와 품질계수(Q)의 곱이 4000 이하이며 공진주파수의 온도의존계수가 ±3mmp/℃ 이상의 값을 가지며, 첨가물을산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 많은 문제점이 있었다.이에 본 발명은 마이크로파 유전체 자기조성물은 (Pb1-xCax)(Zr1-ySny)O3를 주성분으로 하며, 이때 상기의 x,y는 몰(mol)비로서 0.15<x<0.40, 0.15<y<0.50가 되도록 하며 원소는 물에 잘 용해하는 질산망간(Mn(NO)3)2·4H2O) 형태로 첨가하며상기의 산화납(PbO), 산화칼슘(CaO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO2)으로 구성된 주조성물의 무게를 100으로 하여 수화물 질산망간(Mn(NO3)2·4H2O)을 산화물의 무게비로 환산해서 산화망간(MnO)을 3중량% 미만으로 첨가하여 혼합한 후,1000℃ 내지 1200℃에서 하소 하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1550℃의 온도의 산소분위기에서 소성하여제조됨을 특징으로 하고 있다.

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한국과학기술연구원
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2000-11-22
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