일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
미세구립자 제조에 관한 것으로, 고분자-고분자 복합체를 이용하여 안정한 에멀젼을 제조하며, 이러한 에멀젼의 안정화에 의해, 약물수송을 위한 신제형 개발 분야에서의 응용을 보다 용이하게 한다. [구성]내부수상으로 증류수에 알부민을 용해시키고, 유상으로는 메틸렌클로라이드에 생분해성 L형 폴리락트산 고분자을 용해시킨 용액에, 플루로닉 L101을 다시 용해시킨다. 그후, 내부 수상과 유상의 용적비를 1대 12.5로 하여 섞은 후 격렬하게 교반하고, 안정화시켜 에멀젼을 얻는다. 한편, 증류수에 약물인 암피실린을 용해시킨 후 유탁액을 제조하여 이를 교반 중인 0.5m/v% 폴리비닐알코올 수용액에 가하고 섭씨35도에서 2시간 동안 약하게 교반하여 고형의 미세구립자를 수득한다.1. 수상과 유상에 유화제로서 카르복실기를 갖는 고분자와 에테르기를 갖는 고분자를 각각 첨가하여 수상과 유상의 계면에서 상기 카르복실기와 에테르기와의 반응에 의해 수소결합을 형성시킴으로써 에멀젼을 안정화시키는 방법.2. 제 1항에 있어서, 수소결합을 형성할 수 있는 고분자 유화제가 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 카르복시메틸화 풀리비닐알코올, 폴리비닐벤질아미디니트로벤질옥시페놀 중에서 선택된 카르복실기를 함유하는 고분자; 폴레에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드, 폴리에틸렌 옥사졸린 중에서 선택된, 상기 카르복실기 함유 고분자와 수소결합 형성가능한 에테르기를 갖는 고분자; 아크릴산 폴리머, 메타크릴산 폴리머, 및 폴리프로필렌옥사이드-폴리에틸렌 옥사이드 공중합 고분자 중에서 선택된 합성고분자; 펩타이드계 고분자 및 다당류 천연고분자 중에서 선택되는 방법.3. 제 2항에 있어서, 펩타이드계 고분자는 알부민 또는 젤라틴이고 다당류 천연 고분자는 아카시아, 알긴산, 또는 펙틴인 방법.4. 제 1항에 있어서, 수상과 유상중의 고분자 유화제를 각 상의 용적에 대한 중량비가 0.01-10%가 되도록 사용하는 방법.5. 제 1항에 있어서, 수상과 유상의 용적비가 1:1 내지 1:20인 방법.6. 수용성 약물이 첨가된 내부수상과 고분자가 첨가된 유상에, 수소결합이 형성되도록 유화제로서 카르복실기를 갖는 고분자와 에테르기를 갖는 고분자를 각각 첨가한 후, 수용성 약물을 함유하는 내부수상을 유상 고분자 용액에 분산시켜 안정한 W/O형 에멀젼을 제조하고, 이를 외부 수상에 다시 분산시켜 W/O/W형 에멀젼을 제조한 다음, 생분해성 고분자의 용매를 제거하는 것으로 됨을 특징으로 하는 수용성 약물을 함유하는 안정한 미세구립자의 제조방법.
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 전계방출소자(field emitter display) 제조방법에 관한 것으로, 제1반도체판을 결정 의존성 식각하여 몰드를 형성하고, 이를 이용하여 팁 어래이를 형성한 뒤 제2 반도체기판을 상기 팁 어래이에 접합하여 소자 제조를 완료하므로서, 1) 몰드(mold)용 기판과 팁 어래이의 받침대로 쓰이는 기판이 동일 재질(예컨대, 단결성 실리콘)로 형성되어 VLSI 기술과의 호환성이 있으며, 2) 아울러 비교적 평탄한 반도체 표면 상에서 사진식각공정을 비롯한 후처리 공장(예컨대, 게이트 절연막 및 게이트 전극 패터닝 공정)이 진행되므로 단차(step coverage) 등에 의한 공정상의 어려움을 제거할 수 있어, 팁 높이에 제한없이 공정을 용이하게 실시할 수 있게 되고, 또한3)양질의 열산화막을 게이트 절연막으로 활용할 수 있는 고신뢰성의 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.1. 제1반도체기판을 결정의 존성 식각하여 나라로운 꼭지점을 가지는 적어도 하나의 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드표면을 포함하여 제1반도체기판 전체에 절연막을 성장시키는 단계; 제1반도체길판상의 절연막 상에 팁재료를 증착하는 단계; 몰드 내부에 있는 팁재료를 제외한 나머지 팁재료 부분을 제거하여 팁 어래이를 형성하는 단계; 절연막 및 팁 어래이로 이루어져 있는 표면에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 몰드로 사용된 제1반도체기판 부분을 제거하는 단계; 상기 절연막 상에 게이트 전극용 금속막을 증착하고, 상기 팁의 끝부분이 드러나도록, 상기 절연막 및 게이트 전극용 금속막을 식각 패터닝하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 팁 어래이 및 절연막에 제2반도체기판을 접합하는 공정은, 접합하고자 하는 면을 세척한 후 화학적 처리를 하여 표면을 친수화 하는 공정과; 상온에서 두 표면을 접촉시켜 수소결합에 의한 초기 접합을 실시하는 공정 및, 초기 접합된 두 기판을 소정 온도에서 열처리하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 팁 어래이는 다결정 실리콘이나 텅스텐, 또는 화학기상증착과 스퍼터링 및 증발에 의해 형성되는 금속 및 반도체 재료, 전기 혹은 무전해도금에 의한 금속재료들 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.4. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체 기판을 팁 어래이 및 절연막에 접합하는 공정은 상기 팁 어래이의 재료가 금속일 경우에는 응용에 의한 접합, 실리사이드 형성에 따른 접합 및 진공 내에서의 금속접합 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.5. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체 기판을 틱 어래이 및 절연막에 접합하는 공정은, 스퍼터링법으로 파이렉스막이나 산화막을 접합하고자 하는 면에 형성한 후, 정전 열접합하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.6. 제1반도체기판을 선택 식각하여 날카로운 꼭지점을 가지는 적어도 하나의 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드표면을 포함하여 제1반도체판 전체에 절연막을 성장시키는 단계; 제1반도체기판상의 절연막 상에 팁재료를 증착하는 단계; 몰드 내부에 있는 팁재료를 제외한 나머지 팁제료 부분을 제거하여 팁 어래이를 형성하는 단계; 절연막 및 팁 어래이로 이루어져 있는 표면에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 몰드로 사용된 제1반도체판 중 소정두께 부분을 식각 제거하는 단계; 일부분이 시각된 제1반도체기판표면상에 게이트 절연막 및 게이트 전극용 금속을 증착하는 단계; 상기 팁의 끝부분이 드러나도록 절연막 상에 게이트 전극용 금속막을 증착하고, 상기 절연막 및 게이트 전극용 금속막을 식각 패터닝하여 반도체 웨이퍼를 기판으로 하는 전계방출소자를 제공하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 화학적 식각을 이용하는 방법, 고농도 붕소 확산층이나 매몰 산화층을 제1반도체기판 내에 형성하여 이를 식각저지층으로 이용하는 방법 및, 전기화학적 자동 시각정지를 이용하는 방법 중 선택된 어느 한 방법으로 상기 소정 두께만큼 식각처리되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.8. 제6항에 있어서, 상기 제1반도체 기판은 팁 어래이 상에 형성된 절연막이 드러나지 않도록 식각처리하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.9. 제1반도체기판을 선택 식각하여 날카로운 꼭지점을 가지는 적어도 하나의 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드표면을 포함하여 제1반도체기판 전체에 절연막을 성장시키는 단계; 제1반도체 기판상의 절연막 상에 팁재료를 증착하는 단계; 몰드 내부에 있는 팁재료를 제외한 나머지 팁재료 부분을 제거하여 팁 어래이를 형성하는 단계; 절연막 및 팁 어래이로 이루어져 있는 표면에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 몰드로 사용된 제1반도체기판 중 소정두께 부분을 식각 제거하는 단계; 일부분이 식각된 후에 잔류하는 제1반도체기판을 열산화하고, 그 위에 게이트 전극용 금속을 증착하는 단계; 상기 팁의 끝부분이 드러나도록 상기 제1반도체기판, 열산화막 및 게이트 전극용 금속막을 식각 패터닝하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.10. 제9항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 상기 팁 어래이의 끝부분이 일부 드러날 정도의 소정 두께만큼 식각처리되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.11. 제9항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 상기 절연막 및 팁 어래이가 드러나지 않을 정도의 소정 두께만큼 식각되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.12. 제11항에
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 다음 조성식으로 표시되며 평균 입경이 5 내지 20nm인 결정립으로 된 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금 및 그의 극玟박대의 제조 방법에 관한 것이다. Fe100-x-y-z-wBwNbyCuzMw 식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며, x, y, z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 5≤y≤15,0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다.1. 다음 조성식으로 표시되며 평균 입경이 5 내지 20nm인 결정립으로 된 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금.Fe(100-x-y-z-w) BxNbyCuzMw식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며 x,y,z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 4≤y≤15, 0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다.2. 제1항에 있어서, M이 Al, Mo 및 Cr 중에서 선택되고, x=9, y=7, z=1 및 0.5≤w≤1.5인 합금.3. 1) 다음 조성식으로 표시되는 합금을 공지의 진공 아크로에서 용해시켜 용탕을 얻는 단계Fe(100-x-y-z-w) BxNbyCuzMw식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며 x,y,z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 4≤y≤15, 0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다. 2) 용탕이 1,000내지 1,500℃에 도달하였을 때 공지의 단일롤형 액체 급냉 방법에 따라서 용탕 분사 압력을 0.01 내지 0.16kg/㎡로, 냉각롤의 선속도를 30 내지 65m/s로, 및 용탕 분사실내의 진공도를 5x/10exp(2)토르 이하로 하여 박대를 제조하는 단계, 및 3) 박대를 진공중에 약 500 내지 650℃에서 20내지 120분 동안 열처리 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금 박대의 제조 방법.4. 제3항에 있어서, 상기 용탕 분사 압력을 0.02 내지 0.16kg/㎠로 하는 것인 제조 방법.5. 제3항에 있어서, 상기 냉각롤의 선속도를 35 내지 60m/s로 하는 것인 제조 방법.
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 Tb-Fe 2원계 및 Tb-Fe-B 3원계 자기 변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기 변형 합금은 Tb 28.3∼33.3 원자%, Fe 56.7∼66.7 원자% 및 B 0∼15 원자%로 이루어진 모합금용해시킨 용탕을 불활성 분위기하에서 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각 롤 위로 분사시켜 급냉시킴으로써 제조된다. 본 발명에서 제시한 자기 변형 합금은 10nm 크기의 TbFe2결정립이 균일하게 분포되어 있는 초미세 결정립 구조를 가지며 낮은 자기장 영역내에서도 우수한 자기 변형 특성을 나타낸다.1. 하기 조성으로 나타내어지는 초미세 결정립 구조의 Tb-Fe계 자기 변형 합금. TbxFeyBz상기 식에서 x,y 및 z는 각각 원자%로서 28.3≤x≤33.356.7≤y≤66.79≤z≤15(다만, x+y+z=100임) 의 조건을 만족시킨다.2. 하기 조성으로 나타내어지는 초미세 결정립 구조의 Tb-Fe계 자기 변형 합금Tb(33.3)Fe(66.7)
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 TbFe3에 소량의 B가 첨가되어 이루어진 삼원계 Tb-Fe-B 자기 변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기 변형 합금은 Tb 21.25 내지 23.75 원자%, Fe 63.75 내지 71.25 원자% 및 B 5 내지 15 원자%로 이루어진 모합금을 용해시킨 용탕을 불활성 분위기하에서 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각 롤 위로 분사시켜 급냉시킴에 의해 박대 형태로 제조된다. 본 발명에 의해 제조된 자기 변형 합금은 낮은 자기장에서 우수한 자기 변형 특성을 나타낸다.1. 다음의 조성식으로 표시되는 주된 상으로서 TbFe3상을 가진 TbFe3-B계 자기 변형 합금. TbxFeyBz 여기서 x,y 및 z는 각각 원자%로서 21.25≤x≤23.75, 63.75≤y≤71.25, 5≤z≤15, x+y+z=100을 만족시키는 수이다.2. Tb 21.25 내지 23.75 원자%, Fe 63.75 내지 71.25 원자%, B 5 내지 15 원자%로 이루어진 모합금을 진공 아크 용해법으로 용해시키고, 아르곤(Ar) 기체 분위기 하에서 상기 용탕이 들어 있는 석영관에 아르곤 기체를 1.85x/10Mpa의 압력으로 가해, 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각롤 위로 상기 용탕을 분사시켜 급냉시킴에 의해 박대 형태로 제조함을 특징으로 하는 TbF3-B계 자기 변형 합금의 제조 방법.
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 특히 (110) 면지수를 갖는 단결정 실리콘 기판에 대해 결정의존성 식각을 행하여 기둥모양을 갖는 실리콘 구조물을 행하고, 이 기둥의 끝부분을 뾰족하게 함으로써 전계방출소자용 실리콘 팁 어레이의 제조에 응용할 수 있도록 한 것이다. 본 발명에 의한 실리콘 팁은 바늘(needle) 모양을 하고 있으며, 제조방법은 먼저 (110) 실리콘 기판상에 결정방향을 고려하여 평행사변형 또는 사각형의 식각마스크를 형성한 뒤, 이를 결정의존성 식각하고, 다음으로 샤프닝(sharpening) 공정을 통하여 팁을 제작하는 것으로, 팁의 밑 부분이 차지하는 면적이 작아지게 되므로, 고밀도 팁 어레이를 제작할 수 있으며, 아울러 팁의 종횡비를 매우 크게 할 수 있는 효과가 있다.1. (110) 실리콘 기판 상에 끝부분이 뾰족한 4각기둥으로 형성됨을 특징으로 하는 결정의 존성 습식식각을 이용하여 제조된 시리콘 팁.2. (110) 실리콘 기판 상에 결정 방향에 따라 평행사변형의 식각마스크를 형성하는 제1공정과, 결정의 존성 식각용액으로 상기 실리콘 표면을 식각하여 4각기둥의 형상을 갖는 실리콘 구조물을 형성하는 제2공정과, 상기 4각기둥으로 형성된 실리콘 구조물의 끝부분을 뾰족하게 형성하는 제3공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 결정의 존성 식각 용액은 85℃의 44% KOH:H2O용액 또는 F-etchant 용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 틉의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 상기 제3공정은 습식식각법, 실리콘의 열 산화에 의한 방법 또는 건식식각법 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.5. (110) 실리콘 기판 상에 끝부분이 뾰족한 6각기둥으로 형성됨을 특징으로 하는 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁.6. (110) 실리콘 기판 상에 결정방향에 따라 직사각형 혹은 정사각형의 식각마스크를 형성하는 제1공정과, 결정의존성 식각용액으로 상기 실리콘 표면을 식각하여 6각기둥의 형상을 갖는 실리콘 구조물을 형성하는 제2공정과, 상기 6각기둥으로 형성된 실리콘 구조물의 끝부분을 뾰족하게 형성하는 제3공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 결정의존성 식각용액은 F-etchant용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.8. 제6항에 있어서, 상기 제3공정은 습식식각법, 실리콘의 열 산화에 의한 방법 또는 건식식각법 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
고감도 고해상성 내열성을 만족시키는 초미세가공용 레지스트 재료로서 t-부톡시 분호기 함유 말레이미드 고분자를 새로운 단량체인 t-BuDMI와 스티렌 및 스티렌 유도체 다른 단량체를 통상적이 라디칼 공중합 반응에 의하여 효율적으로 제조하는 것이다. <구성>N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체를 디큐밀퍼옥사이드 존재하에 가열 라디카 중합시키는 N-t-부톡시말레이미드 단독 중합체 제조;N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체와 스티레계 유도체를 벤조일 퍼옥사이드 아조비스(이소부티로니트릴)같은 라디칼 개시제 존재하에 라디칼 공중합시키는 N-t-부톡시말레이미드와 스티렌 유도체의 몰비가 1:1로 조성된다.1.N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체를 디큐밀퍼옥사이드 존재하에 가열 라디칼 중합시키는 N-t-부톡시말레이미드 단독 중합체 제조방법.2. N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체와 스티렌계 유도체(X-St)를 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스(이소부티로니트릴) 같은 라디칼 개시제 존재하에 라디칼 공중합시키는 N-t-부톡시말레이미드와 스티렌 유도체의 몰비가 1:1로 조성된 공중합체 P(c-BuOMI/X St)제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 하기 조성식 (I) 및 (II)로 표시되는 조성을 갖는 용융 상태의 모합금을 초급냉시켜 비정질상을 만든 다음, 이를 이 비정질상의 결정화 온도 이하 및 이상의 온도에서 각각 열 처리하여 제조한 구조 이완된 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금 및 결정립의 입도가 약 5 내지 20nm인 bcc상 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금에 관한 것이다. 본 발명의 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금은 약 10,000~30,000의 실효 투자율, 35 mOe 이하의 보자력 및 0.5~1.2 T의 포화 자속 밀도를 나타내며, 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금은 10,000~30,000의 투자율, 40 mOe 이하의 보자력 및 1.3~1.5 T의 큰 포화 자속 밀도를 나타내어 각종 전기·전자 기기에서의 에너지 변환 소자, 출력 제어 소자, 노이즈 감쇄 소자 및 센서 소자 등의 기능 부품으로서 사용이 가능하다.1. 약 10,000~30,000μe의 실표 주타율, 35mOe이하의 보자력 및 0.5~1.2T의 포화 자속 밀도를 나타내는, 하기 조성식 (1)로 표시되는 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금. Fe(100-a-b-c)AlaBbMc 상기 식에서, M은 Zr 및 Nb 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내며, a,b 및 c는 각 합금 조성 원소의 원자%로서, 각각 2≤a≤12, 5≤b≤20, 0≤c≤10 및 10≤b+c≤20이다.2. 약 10,000~30,000μe의 실효 투자율, 40mOe 이하의 보자력 및 1.3~1.5T의 포화 자속 밀도를 나타내는, 하기 조성식(2)로 표시되는 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금. Fe(100-d-e-f-g)AldBeMfNg 상기 식에서, M은 Zr 및 Nb 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내고, N은 Cu 및 Mg 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내며, d,e,f 및 g는 각 합금 조성 원소의 원자%로서, 각각 2≤d≤12, 5≤e≤15, 2≤f≤10, 100≤e+f≤20 및 1≤g≤30이다.3. 제2항에 있어서, 상기 초미세 결정립은 입도가 5~20nm이고 결정 구조가 bcc 구조인 것인 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금.4. 제2항에 있어서, 상기 초미세 결정립은 체적 분율이 50% 이상이고, 그 나머지는 비정질상으로 구성되는 것인 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
"이온빔 및 플라즈마에 의한 재료의 표면 물성 개질" 기술은 고분자, 세라믹. 금속재료등에 친수성 및 소수성의 기능을 증진시켜 신기능을 부여함으로서 신소재 및 신제품 생산에 획기적인 기여를 할 수 있는 신기술로서 전자재료분야, 의료재료분야, 합성섬유재료분야, 열전달기제조 분야 등 실업 전반에 응용될 수 있는 기술임.1. 증착할 구리를 도가니에 채우는 단계와,기판을 증착위치에 올려 놓은 후, 증착조건의 진공을 유지하는 단계와, 구리가 채워진 도가니를 도가니 필라멘트와 도가니 밤바드먼트를 조절함으로써 클러스터 이온 빔을 형성시키는 단계와, 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 조절하여 이온 빔의 일부분을 이온화시키는 단계와, 가속 전압을 조절하여 이온화된 클러스터 이온을 가속시켜 가속된 클러스터 이온 빔과 중성 클러스터 이온 빔을 기판에 증착시키는 단계의 순서로 진행함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 반도체 소자용 구리박막 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 증착조건은 10...~10...torr의 고진공 영역을 유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 반도체 소자용 구리박막 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2005-06-13
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 초경합금의 제조 과정 중에서 분쇄가 끝난 초경합금 분말을 진공중 300℃ 내지 500℃에서 1시간 이상 열처리하는 것으로 이루어지는 초경합금 제조시의 초경합금 분말의 산화를 감소시키는 방법에 관한 것이다.1. 분쇄된 초경합금 분말을 0.1토르 이하의 진공중 300℃내지 500℃에서 1시간 이상 10시간 이하 열처리하는 것을 특징으로 하는 초경합금 제조시의 초경합금 분말의 산화 방지 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 저온열화거동(low temperature degradation)을 억제하여 고강도ㆍ고인성을 유지할 수 있는, 재료의 표면에 질소를 고용체로 함유하고 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 가지는 지르코니아 복합재료 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명이 제조방법은 지르코니아 소재 또는 지르코니아 복합소재를 질소원 존재하에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리하는 것으로 이루어진다.1. 질소를 고용체 형태로 함유함으로써, 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료2. 제 1항에 있어서, 상기 지르코니아의 일부 또는 전부가 TZP(ftetragonal zirconea polycrystals)형태인 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료.3. 제 1항에 있어서, 상기 표면층은 지르코니아가 내부보다 안정화된 전이성 정방정(t-ZrO₂),입방정(cubic),이들의 혼합체 또는 단사정과 이들의 혼합체로 존재하는 것을 특징으로 하는 지를코니아 재료.4. 지르코니아 재료의 표면에 질소화합물을 공급한 후 불활성 가스 또느 질소 가스 분위기에서 열처리함으로써, 상기 소재의 표면을 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 표면층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 소재의 표면에 질소화합물로서 질소화합물 또는 질소화합물과 타원소와 복합체를 분말형태로 공급한 후 질소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.6. 제 4항에 있어서, 상기 소재의 표면에 질소화합물을 함유하는 슬러리 형태로 공급한 후 질소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.7. 제 4항에 있어서, 상기질소화합물이 2A, 3A,4A,4B족 원소와 N을 함유한 질소화합물인 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.8. 지르코니아 재료를 질소 분위기에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리함으로써, 상기 소재의 표면을 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 표면층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 전계방출표시소자(field emission display:FED) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 내에 오목한 홈을 형성하고, 상기 홈 밑면에 에미터를 형성한 뒤, 발광층이 형성 되어 있는 유리기판과 접합시켜 소자제조를 완료하므로써, 별도의 스페이서(spacer) 없이도 소자의 양극-음극간 거리 및 픽셀(pixel)의 면적이나 피치(pitch)등을 서브-마이크론(sub-micron) 수준의 정밀도를 가지도록 조절할 수 있고, 또한 픽셀이 물리적으로 격리되어서 전기-광학적인 크로스-토크(cross-talking) 현상을 방지할 수 있으며, 두 기판이 접합에 의해 연결되므로 실장이 간단할 뿐만 아니라 물리적인 내구성이 강한 장점을 가진다.임의의 깊이를 갖는 홈이 형성된 반도체기판과 상기 홈 밑면의 반도체기판에 형성된 n형 우물과 상기 n형 우물 상에 형성된 에미터와 홈이 형성되지 않은 상기 반도체기판 상에 형성된 절연막과 상기 절연막위에 접합된 투명전극과 상기 에미터 상측부에 배열되도록 투명전극 내측에 형성된 발광층 및 상기 투명전극 상에 형성된 유리기판으로 이루어짐을 특징으로 하는 전계방출표시소자.
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
락트산과 4가 이사으이 다가 알콜로부터 제조된 스타형(STAR FORM) 분자 구조를 갖는 분자량 30,000 이상의 생분해성 폴리락트산1.락트산과 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된 스타형(star form) 분자 구조를 갖는 분자량 30,000 이상의생분해성 폴리락트산. 2.제1항에 있어서, 락트산이 L-락트산, D-락트산, DL-락트산 및 락트산 올리고머로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 폴리락트산. 3.제1항에 있어서, 다가 알콜의 각각의 히드록실기가 1차 히드록실기인 폴리락트산. 4.제3항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 폴리락트산. 5.제3항에 있어서, 다가 알콜이 펜타에리트리톨인 폴리락트산. 6.제3항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 폴리락트산. 7.제6항에 있어서, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트의 알킬기가 에틸기 또는 프로필기인 폴리락트산. 8.제3항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인 폴리락트산.9.락트산에 4가 이상의 다가 알콜을 가하고, 촉매 부재하에 감압 가열하여 락트산을 탈수 반응시켜서 저분자량의 폴리락트산을 얻고, 이를 촉매 존재하에 감압 가열하여 직접 중축합시키는 것을 특징으로 하는 분자량이 30,000 이상인 스타형 고분자량 폴리락트산의 제조 방법. 10.제9항에 있어서, 락트산이 L-락트산, D-락트산, DL-락트산인 폴리락트산 및 락트산 올리고머로 이루어진군 중에서 선택되는 것인 방법. 11.제9항에 있어서, 다가 알콜의 각각의 히드록실기가 1차 히드록실기인 방법. 12.제9항에 또는 제11항에 있어서, 다가 알콜이 펜타에리트리톨, 펜타디에리트리톨, 솔비톨, 리비톨, 폴리비닐알콜, 폴리히드록시메틸 메타크릴레이트, 폴리히드록시프로필 메타크릴레이트, 글루코오스 및 프룩토오스로 이루어진군 중에서 선택되는 것인 방법. 13.제9항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 방법. 14.제9항에 있어서, 다가 알콜이 펜타에리트리톨인 방법. 15.제9항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 방법. 16.제15항에 있어서, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트의 알킬기가 에틸기 또는 프로필기인 방법. 17.제9항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인 방법. 18.제9항에 있어서, 다가 알콜의 사용량이 락트산 단량체의 양을 기준으로 0.01∼2중량%인 방법. 19.제9항에 있어서, 탈수 반응은 100∼150℃의 온도 및 350∼30mmHg의 압력에서 2시간 이상 수행되는 것인방법. 20.제9항에 있어서, 중합 반응은 150∼200℃의 온도 및 10∼1mmHg의 압력에서 10∼100시간 수행되는 것인 방법. 21.제9항 또는 제20항에 있어서, 중합 촉매가 염화제일주석, 황산제일주석, 테트라페닐주석, 이소프로필티타네이트, 사염화티탄, 삼산화안티몬으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 4가 이상의 다가 알콜을 사용하여 락티드를 개환 중합시킴으로써, 고분자량의 폴리락티드를 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 스타형(star-shaped) 분자 구조의 생분해성 폴리락티드에 관한 것이다. 본 발명에서 사용된 다가 알콜은 4개 이상의 히드록실기를 갖는 다가 알콜, 예를 들면 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리알콜 등이며, 락티드를 기준으로 0.001~0.5몰%의 양으로 사용된다. 본 발명에 따른 폴리락티드는 분자량이 크고 용융 점도가 낮아 가공성 및 강도가 우수하기 때문에 범용 생분해성 재료로 사용이 가능할 뿐만 아니라 생체 흡수성 재료, 농약이나 의약, 약제의 서방성 매트릭스, 농업용 필름 등으로 광범위하게 사용될 수 있다.1.락티드와, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리비닐 알콜로이루어진 군 중에서 선택된 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된, 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스타형(star-shaped) 분자구조를 갖는 분자량이 80,000 이상인 생분해성 폴리락티드2.제1항에 있어서, 락티드가 L-락티드, D-락티드, DL-락티드로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 폴리락티드.3.제1항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 폴리락티드.4.제1항에 있어서, 다가 알콜이 트리펜타에리트리톨인 폴리락티드.5.제1항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 폴리락티드.6.제5항에 있어서, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트의 알킬기가 에틸기 또는 프로필기인 폴리락티드.7.제1항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인 폴리락티드.8.락티드에 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리비닐 알콜로이루어진 군 중에서 선택된 4가 이상의 다가 알콜 및 촉매를 가하고, 이를 감압 가열하여 개환 중합시키는 것을 특징으로하는 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 분자량이 80,000 이상인 스타형의 고분자량 폴리락티드 제조 방법9.제8항에 있어서, 락티드가 L-락티드, D-락티드, DL-락티드로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.10.제8항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 방법.11.제8항에 있어서, 다가 알콜이 트리펜타에리트리톨인 방법.12.제8항에 있어서, 다가 알콜이 트리펜타에리트리톨인 방법.13.제12항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 방법.14.제8항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인방법.15.제8항에 있어서, 다가 알콜의 사용량이 락티드 단량체의 양을 기준으로 0.001~0.5몰%인 방법.16.제8항에 있어서, 중합반응은 100~160℃의 온도에서 5~60시간 동안 수행되는 것인 방법.17.제8항 또는 16항에 있어서, 중합 촉매가 테트라페닐 주식, 염화 제1주석, 염화 제2주석, 디에틸아연, 옥토산 아연으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 고분자재료
락트산과 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된 스타형 분자 구조를 갖는 폴리락트산을 130-180의 온도에서 용융시키고, 얻어진용융물을 50이상의 온도에서 5배 이하로 연신시키는 것을 특징으로하는 생분해성 폴리락트산 필름의 제조방법.1.락트산과 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된 스타형 분자 구조를 갖는 폴리락트산을 130∼180℃의 온도에서 용융시키고, 얻어진 용융물을 50℃이상의 온도에서 5배 이하로 연신시키는 것을 특징으로 하는 생분해성 폴리락트산필름의 제조 방법.2.제1항에 있어서, 락트산은 L-락트산, D-락트산, DL-락트산 및 락트산 올리고머로 이루어진 군 중에서 선택된 것이 폴리락트산으로부터 제조된 것인 방법.3.제1항에 있어서, 다가 알콜은 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시에틸메타크릴레이트, 폴리히드록시프로필 메타크릴레이트, 및 폴리비닐알콜로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.4.제1항에 있어서, 상기 폴리락트산은 분자량이 30,000이상, 융점이 145∼155℃ 및 유리 전이 온도가 50∼53℃의 것인 방법.5.제1항에 있어서, 연신 온도 및 연신율은 각각 50∼120℃ 및 2∼4배인 것인 방법.6.제1항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.7.제2항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.8.제3항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.9.제4항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.10.제5항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
기공층이 세라믹 유전체 전후표면의 대략 중앙부와 연통된 별도의 주입통로를 갖도록 형성하고, 내부전극의 주입 전에 세라믹 유전체의 양측면부에 일차 외부전극층을 소부한 다음 용융금속중에 담그어 주입통로를 통하여 용융금 속의 주입이 저압하에서 신속하게 이루어지도록 할 수 있다. <구성>가연성물질로 이루어진 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양쪽면중의 한쪽과 연결돼도 유전체 시이트의 단부까지 돌출되도록 도포하여 소결후에 생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 금속전극 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 이를 용탕중에 담그어 주입통로를 통하여 기공층내부로 용융금속이 주입되도록 하여 내부 전극을 형성한 다음 일차 외부전극 위에 Ni나 Ni 합금층을 피복하여 이차 외부전극을 형성한다.1.가연성물질로 이루어진 카본페이스트가 도포된 유전체 시이트를 다수매 적층 소결하여 생성된 기공층의 내부로 전면 후면과 측면중의 한쪽과 연결된 외부통로를 통하여 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 적층세라믹 캐패시터의 제조방법에 있어서, 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양쪽면중의 한쪽과 연결되도록 유전체 시이트의단부까지 돌출되도록 도포하여 소결 후에 생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 금속전극 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 이를 용탕중에 담그어 상기 주입통로를 통하여 기공층내부로 용융금속이 주입되도록 하여 내부전극을 형성한 다음 일차 외부전극 위에 Ni나 Ni합금층을 피복하여 이차 외부전극을 형성함을 특징으로 하는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법.2. 제 1 항에 있어서, 내부전극 형성용 금속이 Pb나 PB합금 또는 Sn합금인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹캐패시터의 제조방법.3. 가연성물질로 이루어진 카본페이스트가 도포된 유전체 시이트를 다수매 적층 소결하여 생성된 기공층의 내부로 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 적층세라믹 캐패시터의 제조방법에 있어서, 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양측면중의 한쪽과 연결된 외부통로를 통하여 유전체 시이트의 단부까지 돌출되도록 도포하여 소결 후에생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 은이나 백금/은의 금속 페이스트를 소부하여 일차 외부전극을 형성한 후 그 위에 도금이나 증착 또는 전극 페이스트 소부의 방법으로Ni나 Ni합금층을 피복하여 외부전극을 형성한 다음 상기 주입통로를 통하여 용융금속의 주입을 행하여 내부전극을 형성함을 특징으로 하는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법.4.제 3 항에 있어서, 내부전극 형성용 금속이 Pb나 Pb합금 또는 Sn합금인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹캐패시터의 제조방법
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
대기중 소결공정만을 통해 소결체의 결정입계에 입계 절연층이 형성되도록 한 입계형 반도성 자기 콘덴서 재료 및 콘덴서를 제공한다. <구성>주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO30.005-0.012몰 및 5가이온의 산화물인 Nb2O5,Ta2O5,Sn2O5가 단독 또는 2이상 조합된 형태로 0.003-0.006몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기 콘덴서 제조 조성물을 1500도C이상의 온도에서 대기중 소결하여 액상의 생성을 유도차고 상기 조성물의 그린테입 위에 Pt,Pd 등의 귀금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 얻어진 단위층을 다수매 순차적층하여 대기중에서 소결하는 것으로 구성되는데, 이 과정을 통해 형성된 기공층 내에 Pb,Sn 등의 기저금속을 내부전극으로 주입하여 제조된다. <효과>유전상수가 높고,유전손실이 낮아 유전상수의 온도유전성이 우수하다.1. 주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.005-0.0l2몰과 5가 이온의 산화물인 Nb2O5, Ta2O5 및 Sb2O5가 단독또는 2이상 조합된 형태로 0.O03-O.OO6몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기 콘덴서 제조용 조성물.2.주성본인 SrTiO3에 TiO2와 5가 이온의 산화물인 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5를 첨가하여 혼합·분쇄 및 가압성형을행한 다음 1500℃ 이상의 온도에서 대기중 소결을 하여 결정입계에 액상의 생성을 유도하고, 소결체의 냉각과정을 통해상기 결정입계에 생성된 액상이 입계 절연층을 형성하도록 함을 특징으로 하는 입계형 자기 콘덴서의 제조방법.3.제2항에 있어서, 입계 절연층 내부로 PbO, Bi2O3, B2O3나 CuO로 구성되는 절연물질을 확산시켜 절연저항을증진시킴을 특징으로 하는 입계형 자기 콘덴서의 제조방법.4.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.005-0.0l2몰과 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5가 단독 또는 조합된 형태로0.003-0.006물 첨가되어 이루어진 조성의 그린테입 위에 Pt, Pd등의 귀금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 얻어진 단위층을다수매 순차적층하여 대기중에서 소결함을 특징으로 하는 입계형 반도성 적층 자기 콘덴서의 제조방법.5.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성본으로 TiO2 0.005-0.012몰과 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5가 단독 또는 조합된 형태로0.003-0.006몰 첨가되어 이루어진 조성의 그린테입 위에 카본등의 가연성 재료로 구성된 페이스트를 인쇄하여 얻어진 단위층을 다수매 순차적층하여 대기중에서 소결함으로써 가연성 페이스트를 연소제거하여 기공층을 형성하고, 그 기공층내에 Pb,Sn등의 기저금속을 내부전극으로 주입함을 특징으로 하는입계형 반도성 적층 자기 콘덴서의 제조방법
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
입계형 반도성 자기콘덴서의 미세구조의 치밀화와 결정성장의 촉진을 도모하여 우수한 전기적 특성을 나타내도록 한다. <구성>주성분인 SRTIO3 1몰에 부성분으로 TIO2 0.01~0.04몰과, DY2O3 0.001~0.010몰과, ZNO 0.001~0.007몰과, MNO2 0.002~0.012몰을 첨가하여 이루어져 있다. <효과>유전상수 50,000 이상, 유전손실 1.5퍼센트이하, 비저항 10 기가오옴 이상의 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.01∼0.04몰, Dy2O3 0.001∼0.010몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO20.002∼0.012몰 및 Al2O3 0.01∼0.07몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기콘덴서 제조용 조성물.2.제 1 항에 있어서, 주성분이 TiO2 0.01∼0.02몰, Dy2O3 0.002∼0.005몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO2 0.005∼0.009몰 및 Al2O3 0.03∼0.04몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기콘덴서 제조용 조성물.3.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 Tio2 0.01∼0.04몰, Dy2O3 0.001∼0.010몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO20.002∼0.012몰 및 Al2O3 0.01∼0.07몰 첨가되어 이루어진 조성의 유전체 자기를 환원분위기의 1400∼1470℃에서 소결하여결정입자를 반도체화 하고, PbO등의 절연물질로 구성된 절연페이스트를 도포하여 대기중에서 열처리해서 입계절연층을 형성하고 소결체의 양면에 외부전극을 형성하여서 된 입계형 반도성 자기콘덴서
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
알루미나 세라믹스 성형체를 하소하여 표면 연마한 후 소결하므로써 빛의 산란과 반사를 최소한으로 억제하여 투광성 향상 및 작업성 수율을 증가시킬 수 있는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스를 제조한다. <구성>투광성 세라믹스는 순도 99.9% 이상의 산화알루미늄에 산화마그네슘 0.03-0.1wt%와 산화지르코늄 0.002-0.07wt%를 첨가하여 제조한다. 이때산화물들은 염화물, 탄산염, 또는 초산염의 형태로 첨가되며, 이와같이 혼합된 분말은 가압 성형되어 대기중에서 800-1,300도C로 1-5시간 동안 하소한 후, 이 하소체의 표면을 나일론이나 융 재질의 버프(buff)로 평활하게 연마하여수소 또는 진공 분위기에서 1,750-1,900도C로 1-15시간 소결하여 제조한다.1. 순도 99.99%이상의 산화알루미늄에 산화마그네슘 0.03~0.1w/o와 산화지르코늄 0.002~0.07w/o이 첨가되어이루어짐을 특징으로 하는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스 조성물.2.제1항에 있어서, 산화마그네슘과 산화지르코늄이 산화물의 전단계인 염화물, 탄산염 또는 초산염의 형태로첨가됨을 특징으로 하는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스 조성물.3.순도 99.99%이상의 산화알루미늄분말에 0.03~0.1w/o의 산화마그네슘과 0.002~0.07w/o의 산화지르코늄을 첨가 혼합하여 얻어진 혼합분말을 성형하여 성형체를 얻고, 이 성형체를 대기중에서 하소하여 가공하기에 적절한 강도를 갖는 하소체를 제조하여 하소체의 표면을 평활하게 연마한 후 수소 또는 진공분위기중에서 소결함을 특징으로 하는 투광성다결정 알루미나 세라믹스 조성물.4.제3항에 있어서, 하소공정은 800~1300℃의 온도에서 1~5시간동안 행해짐을 특징으로 하는 투광성 다결정알루미나 세라믹스 조성물.
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티탄산주석지르코늄계에 소결 조제로 산화아연과 산화안티몬을 미량 첨가하여 비교적 저온 소결을 통해 소결 조직을 치밀화함으로써 고온 부하 및 내습부하 특성을 향상시킨 위치 변위 시스템용 유전체 자기 조성을을 제조한다. <구성>주성분 원료 분말인 지르코니아, 티타니아 및 산화주석에 소결 조제로 산화아연과 산화안티몬을 첨가함에 있어서, 주성분 Zr(1-x)Sn(x)Ti(1+y)O4에 소결 조제로 aZnO+bSb2O3가 첨가된 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0.17GHz에서 유전율이 35 이상, 품질 계수(Q) 값이 7,000 이상을 나타내며, 소결 조제의 첨가로 인해 조직이 매우 치밀화되기 때문에 저손실 공진 주파수와 고온 부하 및 내습 부하 등의 장기 신뢰성에 있어서 안정된 품질 계수(Q)값과 공진 주파수의 안정된 온도 특성을 나타내는 등의 우수한 신뢰성을 지닌다.1. 주성분 Zr1-xSnxTi1+yO4에 소결조제로 aZnO+bSb2O3가 첨가된 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0.1＜x＜0.3몰, 1＜Y＜1.05몰(Y=y+1)이고, 소결조제의 첨가량은 Zr1-xSnxTi1+yO4에 대해 0＜a+b＜0.05중량%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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