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IPIMS는 발전소설계 정보, 문서, 제작자정보 및 3차원 설계형상을 종합적으로 관리하는 통합 설계전산시스템으로 IPIMS는 사용자에게 직접 대화식으로 플랜트 3차원 설계 형상정보를 On-Line으로 제공하며 Open System 개념으로 구축하여 타 시스템과의 정보 연계도 유연하게 할 수가 있다.특허등록 : 0440760○ 계통 설계와 Physical 설계를 종합적으로 데이터베이스 구축○ 관련된 설계 컴퍼넌트간의 설계형상관리기능○ 시스템 단위로 구축된 설계형상정보를 시공단위로 재분류 및 구매지원○ 구축된 3차원 형상모델과 시공계획 연계 및 분석
인터폰 교환장치 또는 국선 접속용 인터폰과 엘리베이터폰의 통화로를 안정하게 매칭시켜 주어 상호 안정된 통화는 물론 설 치상의 간소화와 운영상의 편리성을 제공본 발명은 교환장치와 엘리베이터카와 단말기와를 선택적으로 페회로를 형성시켜 주는 폐회로선택수단과, 상기폐회로선택수단 의 선택에 의해 교환장치로 부터 송출되는 음성신호를 엘리베이 터카측으로 정합시키는 제1매칭수단과, 상기 엘리베이터카에서 송출된 음성신호를 필터링하는 필터링수단과, 상기 제1매칭수단 에서 얻어진 음성신호의 감도를 조절하여 엘리베이터카 측으로 송출하고 상기 필터링수단에서 필터링되어 얻어진 음성신호를 위상반전하여 원래의 음성신호와합성하는 것에 의해 측음을 제 거하는 위상반전측음제거수단과, 상기 위상반전측음제거수단에 서 감도 조절되어 얻어진 교환장치의 음성신호를 증폭하여 출력 하는 음성증폭수단과, 상기 음성증폭수단에서 얻어진 음성신호를 엘리베이터측으로 주는 제2매칭수단으로 이루어짐으로서 달성된다.
농업 (채소재배업, 원예업, 화초재배, 인삼, 오미자) 성장기에 채용할 수가 있어 단기간에 종전의 수학량을 얻을수 있게된다.광변막이 경자외선을 식물에 유익한 붉은 사선을 변화시킬 수가 있으므로 낮의 시간이 연장되는 것과 같다. 이로인해 농산물의 생산량을 증가 시킬수 있다.
본 기술은 MBE 테크놀러지를 이용해서 2차원의 GaN 와 다른 3족 질소 화합물을 저온에서 성장시킨 방법이다. MOCVD와 비교해서 MBE를 이용한 저온 필름 형성법은 도판트(dopant)의 농도와 필름 구성요소들의 각각 다른 농도로 조절하기가 더 쉽다. 보통 3족의 질소 필름은 성장공정동안 화학 증착을 막기 위해 녹는점과 비교해서 낮은 온도에서 성장한다. GaN 필름의 두 가지 주된 성장법 중에 MOCVD는 보다 큰 그레인의 크기를 나타낸다. 이는 산업적으로 이용하기에 바람직하다. 그러나 MOCVD 필름이 형성되는 높은 온도 때문에 적합한 금속 유기 전구체가 원하는 필름의 제작과 도핑을 하는데 있어서 제한을 받게 된다. 필름 형성 온도는 결과물인 필름을 만드는 많은 다양한 물질의 변수를 제한할 정도로 열적평형에 가깝다. 그래서 이 기술은 MBE 방법을 사용한 MOCVD 의 결점을 충족시킬 대안이 된다. 이전 MBE 법의 결점은 결정성장이 2차원 대신에 자주 3차원이 된다는 것이고 그 결과, 작지만 방향성 있는 그레인을 가지는 박막이 형성된다는 것이다. 그래서 이 기술에서는 계면 활성제로서 bismuth를 저온 필름성장에 사용하고 그 결과 결정 필름이 다수의 2차원 GaN 결정 그레인을 포함하게 하고 각각의 결정 격자 구조는 그레인 사이에서 연속적인 결정을 형성하도록 서로 합쳐지게 했다. 그곳에서 P-형 캐리어의 농도는 현재 MOCVD 방법으로 제작할 수 있는 농도를 넘어선다. 이 방법을 사용하면 표면 확산 계수는 725K 정도 낮은 성장 온도에서 4등급 이상 바뀔 수 있다.- 필름에 더 높은 농도의 불순물을 첨가할 수 있다.- 필름의 구성요소의 농도를 쉽게 조절할 수 있다.- 온도가 725K 일 때 성장하는 표면 확산 계수가 4등급정도 변화 할수 있다.
본 기술은 티타늄과 니켈 산화물로 제조된 두 가지 성분의 빛과 전기 양쪽에 다 반응하는 전극에 관한 것이다. 자연 태양광에 직접 노출하면 노출된 전극의 면적이 투과성에서 불투과성인 회색으로 바뀐다. 균일하지 않게 빛을 쪼이면 이 전극은 읽고 쓸 수 있는 광학적인 능력을 사용해서 저장되고 지워질 수 있는 패턴화 된 광학 상태를 낳는다. 이 새로운 전극은 외부 전원 혹은 직사광선을 사용해서 빛의 투과율을 조절할 수 있는 스마트 윈도우에 아주 이상적으로 사용될 수 있다. 광활성photoelectrochromic 소자는 광활성 전하 캐리어 발생 물질과 전기채색 물질로 이루어지는 두 개의 성분 시스템으로 이루어져 있다. 빛은 전기 채색 물질에서 산화 환원반응을 일으키는 홀전자 전하 캐리어를 발생시키는 반도체 물질과 반응한다. 하나의 소자는 전기 채색층으로 수산화 니켈 산화물과 전하 발생 물질로서 다중결정 티타늄 2산화물로 이루어진다. 물질들은 분리층으로 이루어지거나 혼합된 층으로 이루어진다. 층 사이의 직접 전하 이동 때문에 전기채색 반응을 일으키기 위한 전압 적용 회로가 필요하지 않다. 수산화 니켈 산화물과 티타늄 2산화물 물질은 전기를 발생시키기 위한 광활성 소자를 만들 수 있다.- 비용이 적게드는 성분을 사용한다.- 다른 방법보다 간단한 제조방법이다.- 태양광에 반응한다.
디젤의 배기가스의 배출은 건강에 매우 치명적이다. 공기 중에 떠도는 작은 입자들은 인간의 건강에 위험을 주는 물질로 이루어져 있다. 최근의 의학적 연구에 따르면 2.5μm 이하의 직경을 가지는 입자들이 가장 위험하다고 보고되었다. 디젤의 배기가스는 거의 대부분 이 범위의 직경을 가지는 입자들이다. 또한 이러한 입자들은 시계에 심각한 피해를 일으키고 인구밀집지역에 탄소질의 미립자의 주요한 소스를 이룬다. 본 기술은 엔진타입과 적재량, RPM, 연료구성 그리고 연소과정(후처리, 희석 등등)의 작용으로 입자 특성을 연구하기 위한 실시간 디젤 배기가스 입자 크기 전용 측정장치다. 이 기술의 입자특성에 대한 새로운 접근인 디젤 입자 스케로미터는 편광 스캐터링(scattering)의 three angle-dependent Mueller matrix의 elements 의 연속적인 피팅(fitting)에 근거하고 있다. 이 방법은 크기 분배 측정에 있어서 빠르게 측정하고 새롭고 깨끗한 디젤 엔진과 오래된 디젤엔진 모두에서 나오는 배기가스의 광학특성도 빠르게 측정한다. 이 새로운 측정장치는 좋은 민감도를 가지며 다양한 조건과 서로 다른 희석 비율을 사용한 디젤 배기가스를 잘 식별할 수 있다. 이 측정장치의 가장 중요한 장점은 빠른 응답시간에 있다. 테스트결과 1Hz 이상의 데이터 수집 비율을 가진다. 이 빠른 응답시간은 먼지의 량(loads)이 변하는 동안 입자특성의 측정을 가능하게 하고 각각의 발화 발생시간동안 실시간으로 입자가 로딩 되는 데이터를 제공한다. 이 감지기의 출력은 디지털화되고 장치에 맞게 개발된 소프트웨어에 의해 분석된다. 이 three angle-dependent matrix elements 는 컴퓨터 모니터에 그려지고 Levenburg-Marquardt optimization program을 사용하여 모델화된 계산에 의해 피팅된다. 그 결과는 사이즈 분배형식과 흡수와 굴절 같은 입자의 광학특성 등이 플롯(plot)된다. 굴절율의 흡수 성분이 배기가스 입자의 흑연계 탄소를 측정한다.빠른 응답시간이 대기의 먼지부하가 바뀔 때도 입자의 특성측정을 가능하게 하고 각각의 발화 발행시간동안에도 실시간으로 입자의 로딩 데이터를 제공한다.감지기의 출력은 디지털화되어 있으며 장치에 맞게 개발된 소프트웨어에 의해 분석된다.
본 기술은 GaN 박막의 특성을 제어하는 방법이다. 액체 금속 Ga의 버퍼 레이어는 사파이어 같은 lattice mismatched(격자 부정합)기판의 격자 위에 고품질의 에피택시얼 GaN 박막성장을 용이하게 하도록 최적화 되어있다. 이 기술의 새로운 버퍼는 박막의 전기적이고 구조적인 특성을 개선하였다. 또한 이 금속성의 액체 갈륨 버퍼는 새로운 버퍼에 젖어 있는 어떤 lattice mismatched 기판 위에라도 고품질의 GaN 필름의 성장에 이용될 수 있다. 이것은 현재의 잘 발달된 디바이스 기술에 GaN 디바이스 기술을 집적하는데 중요한 장애를 없애주고 게다가 메탈릭 갈륨 버퍼 레이어가 일반적으로 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 위한 1000K 또는 그 이하의 높은 성장 온도에서 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 위한 1300K의 온도에서 GaN 의 메인 레이어의 이후 성장에서 바람직한 2차원의 결정핵 생성 조건을 제공하기 때문에 메탈릭 Ga 버퍼 레이어의 사용은 어떤 Ⅲ-N의 박막 성장 프로세스에 이득이 된다.개선된 에피택시얼 GaN 박막의 전기적 구조적 특성새로운 메탈릭 액체 Ga 버퍼로 젖은 lattice mismatched 기판에 사용될 수 있다.어떤 Ⅲ-N 의 박막 성장에도 이득이 된다.
본 기술은 구명동의의 조명장치에 관한 것으로서 몸체 상부에 설치되어 전기가 인가될 때 연속적으로 점멸(點滅)하여 섬광을 발생하는 램프와, 몸체 내에 형성되어 램프의 전원으로 이용되는 밧데리가 수납되며 제 1캡에 의해 개폐되는 밧데리수납구와, 몸체의 외부에 돌출되게 설치되며 램프 및 밧데리와 각각 전기적으로 연결되는 스위치단자와, 스위치단자가 내부에 위치되게 형성되며 물이 유입되는 다수 개의 관통구를 갖는 캡이 높낮이가 조절되도록 결합되는 하우징과, 캡의 내부 표면에 형성되며 캡의 높낮이 조절에 의해 스위치단자와 접촉 또는 이격되는 도전판과, 하우징 내부에 관통구가 스위치단자에 삽입되게 설치되며 탄성과 다공성을 갖는 절연물질로 형성된 통전매체를 포함한다. 따라서, 조명장치는 수동 뿐만 아니라 조난자가물에 빠짐과 동시에 자동으로 작동되며, 광센서에 의해 감지되는 광이 설정치 보다 밝은 주간에 램프과 작동되지 않도록하여 밧데리의 소모를 감소시킬 수 있고, 또한, 방전된 밧데리를 교체할 수 있어 다수 번 사용할 수 있다.- 스위치를 수동으로 `ON`시키는 것에 의해 작동될 뿐만 아니라 물에 빠지는 것에 의해 자동으로 작동.- 주간에 작동되지 않도록 하여 밧데리의 소모를 감소.- 방전된 밧데리를 교체할 수 있어 다수 번 사용할 수 있다.
본 기술은 엘리베이터 비상조명등 전원장치에 관한 것이다. 종래에는 공급되는 트랜스를 사용하여 정류된 DC 전압을 얻도록 구성되므로, 서지 전압(serge voltage) 유입 또는 2차측부하의 단선 등의 원인으로 인해 소손 등의 위험이 높으며, 정전 검출수단으로서 릴레이가 구성되므로, 릴레이에 상용전원이 계속 공급되고 있어, 장시간 사용후에는 릴레이가 소손되는 문제점이 있다. 또한 정전후 전원이 재투입됐을 때 복구용 스위치를 수동으로 조작해야만 한다. 본 기술은 AC용 콘덴서 및 정전압 IC를 구성하여 DC 전원 전압을 생성하여 서지전압 등의 유입으로 부터 회로소자의 손손등 손상을 방지할 수 있도록 하며, 또한 입력전압의 검출수단으로 트랜지스터를 구성하여 장기간 전압의 공급으로 인한소손을 방지할 수 있도록 하며, 또한 배터리와 비상조명등과의 스위칭수단에 대한 소정의 기준값을 설정하여 두고, 배터리의 충전전압 및 상기 기준값에 따라 배터리와 상조명등과와의 스위칭을 제어할 수 있도록 하므로써, 배터리의 완전방전에 의한 배터리의 파손을 방지하고, 정전후 전원이 재투입시 복구용 스위치를 다시 조작해야 하는 문제점을 해결하고자하는 것이다.- 서지전압 등의 유입으로 부터 회로소자의 손상을 방지- 장기간 전압의 공급으로 인한 소손을 방지- 스위칭수단에 대한 소정의 기준값을 설정하여 두고, 배터리의 충전전압 및 상기 기준값에 따라 배터리와 부하(엘리베이터 비상조명등)와의 스위칭을 제어- 배터리의 완전방전에 의한 배터리의 파손을 방지- 정전후 전원이 재투입되었을 경우에도 복구용 스위치를 다시 조작해야 하는 문제점을 해결
이 기술은 지하 탄화수소 저장소의 특성조사를 위한 전기전도도의 고해상도 이미징을 위한 방법으로서 저 주파수 전자기장과 전자기 데이터를 해석하기 위해 단층 촬영법(tomography)을 사용한다. 이 이미징법은 다수의 리시버 홀 안에 리시버를 위치시키고 트랜스미터 홀안에 다양한 위치에 하나 또는 그이상의 트랜스미터를 위치시키는 단계가 포함된다. 이 트랜스미터는 전자기 신호를 발생시키며 이 신호는 토양(earth)같은 매체에 의해 리시버에게 확산한다. 측정된 확산 필드 데이터 H는 그때 파장 데이터 U 로 변환된다. 여기서 traveltime 은 파장 데이터 U에 관계하며 변환될 때 얻어진다. 이는 각 변환에 있어서 파장 데이터 U를 차팅하면서 그리고 다른 정규화 파라메타인 알파를 이용하여 얻어진다. 역서 전도체 같은 매체의 바람직한 특성이 그때 파장속도에서부터 나오며 이 속도는 차례대로 단층촬영을 이용한 파장데이타 U에서부터 만들어진다.고해상도의 오일과 가스저장소 이미지를 제공한다.
심해의 유기 카본 이동은(주로 biological pump로 알려진) 지구 대기의 이산화탄소의 수준을 조정하는데 중요한 역할을 한다. 전통적인 선박중심의 샘플링 방법이 넓고 일시적인 대양의 생물자원과 탄소종의 변이성을 나타내지 못한다. 현재의 biological pump와 전체 카본 순환의 결과에 대한 이해를 증진시키기 위해서 해수내 미립자 무기 카본(PIC:particulate inorganic carbon)의 in-situ 측정을 위한 새로운 광학 센서를 만들었다. 해양환경 속에 PIC는 CaCO3 생체 입자로 구성되어 있다. 이 새로운 센서는 탄산칼슘의 극심한 복굴절 현상에 그 원리를 두고 있다. 교차 편광된 빛 속에서 현미경으로 탄산칼슘을 보면 그 결정들이 빛이 난다. 그리고 이 성질은 해양에서의 PIC의 in-situ 측정에 사용된다. 이 측정장치는 완전히 공간차원과 전원(power) 요구조건과 차세대 플랫폼과 같이 전통적이고 자율적인 해양학 플랫폼에 오랜기간 사용할 수 있는 적절한 장치이다. in-situ 광학 PIC 센서는 CTD 프로파일러(profiler)에 보조 센서로서도 이용할 수 있다. 여기서 센서는 데이터가 현재 가능한 공간 스케일보다 더 확장되고 접근이 불가한 오지나 먼 거리에 있는 곳에도 사용이 가능하게 한다. 이러한 성공적인 기술의 개발은 해양 카본 시스템 모니터링에 훌륭하게 사용될 수 있고 biological pump에 대한 이해와 세계적 기후변화에 관한 이해를 더 높여서 컴퓨터 기반 시뮬레이션과 온실효과 가스방출 시나리오의 예측을 더 나아지게 한다.- 현재 가능한 스케일보다 더 확장된 공각 영역의 데이터를 수집할수 있다.- 오지나 원거리의 환경에서도 사용가능- 컴퓨터 기반 시뮬레이션이나 온실효과 예측을 개선
이 기술은 기밀용기로 둘러싸인 광원을 가진 조명기구를 위한 반사시스템에 관한 것이다. 이 반사 시스템은 광원을 둘러싼 1차 반사기와 2차 반사기로 이루어져 있는데 2차 반사기는 광원을 둘러싼 1차 반사기와 접촉면이 없다. 광원이 빛을 내면 1차와 2차 반사기에서 반사가 된다. 첫 번째 반사기는 빛을 기구의 중앙라인으로 보낸다. 그러나 빛은 반사가 됐음에도 불구하고 겉의 용기를 통과하지 않는다. 2차 반사기에서부터 반사된 빛은 반투명 용기를 통과하지 않게 하기 위해 기구의 중앙라인에서 갈라진다.효율적인 조명 기구를 위한 반사기가 있다.일반적으로 균일한 조명을 가능케한다.다른 조명기구의 흡수와 스캐터링 특성을 개선했다.기구의 수를 최소화하고 동시에 넓은 지역을 조명할수 있다.
이 이온 이식 디바이스는 큰 직경과 균일한 이온빔으로서 반도체 제조와 평면 디스플레이의 응용을 위한 것이다. 이 디바이스는 작은 직경의 발산 빔에서부터 큰 직경의 이온 빔을 만드는 장치이다. 이러한 장치와 방법은 분산된 이온빔의 방출과 이온빔 광학에 의한 필수적인 평행 이온빔으로의 전환에 의해 특성화된다. 이 장치는 이온 소스와 이온소스의 입구에 위치한 이온방출 전극, 이온 발산을 제한하는 방출전극에서부터 아래에 위치한 발산을 제한하는 전극 그리고 그 아래 위치한 1차 이온 가속전극 그리고 옵션으로 1차 가속전극 아래에 위치한 2차 가속 전극으로 이루어져 있으며 전압원과 전극을 연결하는 전기 커넥터 등으로 이루어져 있다. 전도 스크린이나 전극에 인가된 전압은 플라즈마의 경계면의 모양을 제어한다. 이런 식으로 이 빔의 발산과 필수적인 평행 이온 빔의 하부 변환은 발산을 제한하는 전극에서 10cm 와 100cm 사이의 직경을 가진다.- 원치않는 이온빔을 single mass spectrometer를 사용해서 쉽게 분리할 있다.- 목표물에 손상이 없다.
1. 영상압축코덱의 가변길이 부호화기에서 런(RUN)값, 앰프(AMP)값 뿐만 아니라, 각각에 대응하는 가변길이 부호가 없을 때 사용되는 (런-1, 0)값과, (0, 1)값을 미리 생성시켜 가변길이 부호의 존재 여부에 따라 선택적으로 출력하는 런, 앰프 검색장치.2. 영상압축코덱의 가변길이 부호화기에서 런-앰프 발생 장치의 제어로직과 레지스터 수를 줄여 하드웨어의 구성을 간소화 시킨 런, 앰프 발생장치.* 가변길이 부호화기에서 RUN, AMP를 출력 순서대로 처리하여 하드웨어의 구성을 간소화시킴.* 연속으로 입력되는 데이터를 시간지연없이 사용하기 위해 약간의 레지스터를 사용하고, 가변길이 부호기에서 필요한 런 및 앰프값을 순차적으로 생성하여 처리데이터의 중복을 방지함.1. 양자화값에 대응하는 가변 길이 부호를 탐색하는 시간을 단축할 수 있다.2. 영상압축코덱의 가변길이 부호화기에서 런-앰프 발생 장치의 제어로직과 레지스터 수를 줄여 하드웨어의 구성을 간소화할 수 있다.
전면거울이 있는 곳에서 자신의 머리 뒷모습을 쉽게 보고져 하는 가정용기능거울이다 즉 전면거울이 있는곳은 위에 전등이 있어 자신의 보고자 하는 뒷쪽에 거울을 가져다 대도 그림자가 지게 된다 이에 본 고안은 보고져하는 곳에 빛을 비추는 전등이 내장된 후사경에 관한 고안이다. 본 고안은 "한국발명진흥회"에서 40초짜리 동영상으로 제작, IP MART-특허거래장터에서 검색 할 수 있다, 본 고안은 -광고판촉용-으로 그시장이 무궁하고, 현대인의 머리염색.패치.악세사리의 착탈시 유용한 제품으로 호텔로비나 화장실 가정의 욕실 등에 설치하는 제품이다
CPS(constricted plasma source)는 새로운 튼튼한 저가의 디바이스로서 유리와 플라스틱위에 GaN 박막과 광학필름의 성장을 위한 것이다. 이것은 수축(constricted) 글로방전(glow discharge)을 이용한 것으로서 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 방전 통로에 위치한 작은 구멍(orifice)이나 수축에 의해 특성화 되어있다. 이온화 과정은 수축된 곳 부근에서 일어나고 이온화 가스(플라즈마)가 압력변화에 의해 수축된 곳을 통하여 일어난다. 현존하는 플라즈마원은 고 에너지상태와 저압에서 작동하고 이와 대조적으로 CPS는 저압 또는 고압 양쪽의 상황에서도 작동이 가능하고 우리가 원하는 종류의 이온화 개스의 밀도가 높은 저온 플라즈마 가스를 생산한다. 이러한 낮은 이온 에너지는 다른 플라즈마원을 이용해서 얻을 수 없는 섬세한 결정필름의 제작을 가능케 한다. 질소와 함께 사용되면 CPS는 블루 LED 와 레이저 다이오드를 만드는데 이용이 될 수 있으며 CD 플레이어와 평면디스플레이 그리고 교통신호에도 응용이 가능하다. 산소와 함께 사용이 되면 창을 위한 전기채색 코팅을 포함하여 다양한 산화필름의 증착에도 사용이 된다. 더 나은 이온 유발 수산화 필름(ion-conducting hydrated films)을 위해 수증기 플라스마를 만드는데도 이용할 수 있으며 또는 재생 가능한 리튬 배터리를 만들기 위해 리튬에 질소 이온을 이식하여 사용할 수 있다. 이는 전기자동차에 유용하게 사용될 수 있는 기술이다.튼튼하고 비용이 적게든다.저압과 고압 양쪽에서 작동할 수 있다.원하는 이온화 가스의 종류의 밀도가 많은 저온 플라스마를 생산한다.다른 플라즈마원으로 만들 수 없는 섬세한 결정성장을 할 수 있다.
이 기술의 목적은 microamp급의 출력 전류를 가지는 집속 이온빔 시스템(FIB)에 관한 것이다. 또한 이 기술로 생기는 마지막 빔의 spot 사이즈가 0.1.mu.m 이하이며, microamp 전류를 방출하는 이온 소스를 위한 전극 장치가 있다. 이 FIB 시스템은 이온 소스의 밝기를 적당한 1차(플라즈마)와 2차(방출) 전극을 조절함으로써 증가를 시킬 수 있으며 가속기와 집속 전극은 마지막 빔을 만드는데 사용된다. 구체화를 위해서는 5개의 전극이 사용되고 이것들은 매우 조밀하게 20mm의 길이를 가지고 FIB 시스템을 이룬다. 다중 beamlet 시스템이 처리량을 증가시키기 위해 제작 될 수 있고 이 기술은 나노리소그래피와 앞에서 말한 spot 사이즈가 0.1.mu.m 이하이므로 역시 그 정도의 사이즈급의 반도체 디바이스의 제작에 도핑과정에서 응용할 수가 있다.- 이온 현미경의 고해상도 스캐닝- 나노리소그래피- IC 제조에 있어서 failure 분석 및 설계 변경- 광학, X-ray 리소그래피 마스크의 수리- 미세기계가공- 마스크가 없는 반도체 도핑
1. DVCR과 같이 인터프레임 코딩이 허용되지 않고 인트라프레임 코딩이 사용되는 영상장치에 있어서 양자화 스텝 사이즈를 결정하고 블럭당 비트 발생수를 예측할 때 산술 평균을 구하여 처리하는 양자화스텝 사이즈 결정장치.2. 양자화기에 클래스값 및 매크로블럭당 QNO값을 인가하여 이에 해당하는 양자화 스탭으로 DCT 계수들을 양자화함으로써, 세그먼트 단위로 출력되는 부호의 총 비트수를 일정한 임계 비트수에 근사한 값으로 유지할 수 있도록 한 양자화기의 QNO 결정장치.3. 양자화 스텝 결정시 종래의 조합논리나 LUT 대신 클래스번호와 QNO값을 이용하여 하드웨어의 구성을 간소화하며, 양자화 스탭값 결정과정 중 중복되는 부분을 통합한 양자화 스텝값 발생장치.1. 영상 부호화장치에서 양자화 스텝 사이즈 결정을 위한 비트수 측정시 하드웨어의 복잡성을 줄일 수 있다. 2. 하나의 세그먼트에 할당된 임계 비트 수에 대응하는데 적절한 매크로 블럭당의 QNO값을 설정함으로써 하나의 세그먼트를 일정한 바이트로 압축시킬 때 최적의 상태로 복원할 수 있도록 양자화 스텝 사이즈를 결정할 수 있다.3. 양자화 스텝값 발생장치의 하드웨어 구성을 간소화하고, 양자화 스탭값 결정과정에서 발생되는 시간지연을 최소화할 수 있다.
1. 기록될 입력신호를 프리코딩하여 자기 기록 채널에 기록하고, 상기 자기 기록 채널에 기록된 신호를 재생하여 등화할 때 상기 프리코딩된 값을 기준 신호로서 사용하는 램을 이용한 결정 궤환 등화기(RAM-DFE).2. 등화기에서 결정된 값과 결정되기 이전값 사이의 타이밍 오차를 얻어 디지털 타이밍을 복원하는 방식으로 VCR의 출력재생신호를 정확하게 디지타이징 및 타이밍 복원하여 등화기에 제공하는 등화기를 위한 인터페이스 장치 및 그 설계방법.3. 적응형 등화기를 고려하지 않은 시스템의 경우에도 적정 길이의 프리앰블을 송신측과 수신측의 훈련열(training sepuence)로 이용하는 적응형 등화기.1. 램을 이용한 결정형 등화기의 램 용량을 줄여 구조를 간단화시키고, 연산횟수를 줄여 처리시간을 단축시킬 수 있다.2. 종래의 아날로그 타이밍 복원 방식으로는 처리하기 어려웠던 고주파 VCR 재생신호를 처리할 수 있다.3. 훈련기간 및 훈련열을 둘 필요가 없는 적응형 등화기는 그 구조가 간단하다.
이 새로운 IPL(intense pulsed light) 기술은 마스크 없는 마이크로 빔 리소그래피(MMRL:Maskless Micro-beam Reduction Lithography)로 불리고 있다. 이 기술에 의한 feature size는 50nm 이하이다. 이 MMRL 시스템은 기존의 IPL 시스템의 제일 첫 번째 단계를 없애기 위해 이용되는데 기존의 첫 번째 단계는 스텐실 마스크와 마스크 자체에 복잡한 빔 광학 설계가 필요하다. 이 새로운 시스템은 multi-cusp plasma generator 와 multi-beamlet extraction system, accelerator column for beam reduction로 이루어져 있다. RF(radio frequency) 유도 방전은 석영 안테나와 자기 필터를 사용하여 매우 낮은 에너지로(1eV이하) 깨끗한 플라즈마를 발생시킨다. multicusp generator 의 열려 있는 끝부분은 방출 시스템에 의해 둘러싸여 있고 절연소재로 된 layer에 의해 분리되어 있는 두 개의 전극 위에 있는 multi-beamlet aperture의 배열로 이루어져 있다. 완전한 1차 전극은 Si로 도핑 되어 있고 플라즈마 체임버의 벽에 대해 음으로 바이어스 되어 있다. 두 번째 전극은 단지 빔의 통로로서 구리로 코팅되어 있다. 이러한 설계로 각각의 beamlet은 첫 번째 전극에 대해 두 번째 전극 안에 있는 각각의 aperture를 바이어스 시킴으로서 on, off 스위칭을 할 수 있다. 이런 식으로 이 방출 시스템은 웨이퍼 기판에 어떤 패턴이든 만들 수 있다. 이 빔 스위칭 테크닉은 nine-hole 방출 시스템에서 사용되었다. 범용 패턴 생성기에서 최근에 나온 beamlet은 가속 칼럼을 통하여 75keV까지 가속된다. 이 영상은 웨이퍼표면에 도달하기 전에 모든 정전렌즈 시스템에 의해 사이즈가 축소된다. 빔의 축소는 50배율 정도로 가능하고 정교한 광학적인 계산과 설계는 MEBS Ltd에서 나온 Munro 코드를 사용했다.- 50nm이하의 사이즈- 작은 에너지- 웨이퍼 기판에 어떤 형태의 패턴도 생성시킬 수 있음- 이전의 IPL시스템에서의 첫 번쩨 단계가 없어짐