일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 습식 현상 과정을 거치지 않는 건식 현상 기술에 관한 것이다. 본 기술은 전기 회로의 기판이 되는 실리콘 옥사이드 물질 위에 기판 설계 및 제조 시에 현상액 처리 과정을 거처지 않기 때문에 공정이 단순해지고, 부가적인 장비들을 줄일 수 있으며 경제적인 손실을 줄일 수 있다. 습식 현상을 거치지 않는 건식 현상 과정으로 인쇄하기 때문에 더욱 더 선명한 회로 기판을 얻을 수 있다. 본 기술은 실리콘 옥사이드 위에 전기 회로 제조 공정에서 습식 화학 물질이나 가스 플라즈마와 접촉을 차단하고, 불화 수소 분위기에서 탄소의 첨가에 의해 실리콘 옥사이드의 에칭율 (선명도)은 크게 증가하게 된다. 탄소는 실리콘 옥사이드의 내부에 또는 표면에 도포된 유기 또는 무기 물질에 의해 공급된다. 즉, 본 기술은 탄소의 공급원으로서 유기 또는 무기 물질을 사용할 수 있으므로 재료의 제한이 없다. 특히 집적 회로와 같이 선명도가 매우 중요한 기판 설계에 있어서는 중요한 기술로 판단된다. 0.1마이크로의 폭과 5나노미터의 두께를 가진 선으로 기판을 제조할 수 있다. 즉, 본 기술은 고정밀성을 갖기 때문에 미세 기판 설계시에도 특별한 장비가 필요없다.정교하고 미세한 회로 설계 가능.
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
트랜지스터는 모든 전자전기기기의 회로에서 전기신호를 증폭시키는 부품이다. 본 기술은 특이한 전기적 특성을 만들어내기 위하여 양자화된 에너지를 가진 전자의 회절 현상을 이용한 트랜지스터에 관한 것이다. 즉, 전자의 입자성과 회절성 (에너지를 가지고 있으며, 전자파를 수반하는)을 이용한 것이다. 기존의 트랜지스터들은 전자의 입자성을 이용한 것으로 단순히 전기만 통하게 해 주는 역할만 하게 된다. 본 기술의 양자 회절 전계 트랜지스터는 전자를 단순히 전기가 통하는 전도성 입자로 인식하는 것이 아니고, 양자화된 에너지를 가진 전자의 회절을 가능하게 한다. 본 발명은 소스와 특별하게 제조된 드레인이 각각 빛의 원천 기능과 유사한 광학 시스템인 “시각적 스크린”을 수행하는 전자전도성 트랜지스터의 일종으로써, 고 전자전도성 트랜지스터의 게이트가 그 중심에서 개방과 미세한 열림이 가능한 짧은 게이트로 대체되었다. 본 기술을 이용하게 되면 다양한 기능의 단일 트랜지스터로 개발이 가능하고, 여러 가지 제조 공정을 줄일 수 있으며, 트랜지스터의 부피를 크게 줄일 수 있다. 또한, 본 기술은 고 전자전도성 트랜지스터의 종류이기 때문에 속도가 매우 빠르다는 장점을 가지고 있다.에너지를 가진 전자의 회절 특성을 이용한 것.여러 가지 트랜지스터의 기능을 통합한 단일 트랜지스터로 개발 가능제조 공정 감소.고 전자전도성 트랜지스터속도가 매우 빠름.
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 연구진은 집적 회로 제조에 이용되는 마이크로 (기판) 인쇄술에 사용할 수 있는 고정밀, 다층 방염 물질을 개발하였다. 본 개발은 기저 (맨 밑바닥) 위에 침전된 평면층과 방사 광선에 노출되었을 때 활동하는 활동층으로 구성되어 있다. 평면층은 스핀 코팅이나 침전에 의해서 만들어지고 디자인에 따라서는 광 활동성을 나타낸다. 그러나, 평면층의 광 활동성은 필수적인 것이 아니다. 평면층은 핀의 구멍이 남는 것을 줄이기 위하여, 그리고, 만약 스핀 코팅으로 제조되었다면 핀 구멍을 막고, 필름만 남기고 몇가지 휘발성 물질을 모두 제거하기 위하여 두껍게 제조한다. 활동층은 챌코게나이드 유리 기판, 비소 황화물 그리고 맨 위에 은 층으로 구성된 얇은 필름이다. 빛이나 다른 방사 광선에 노출되었을때, 은은 3성분의 챌코게나이드 유리 기판으로부터 분리되는 비형상물을 만들기 위하여 이온적으로 비소 황화물 내로 확산된다. 이런 과정은 비소 황화물만 사용된 것들과는 다른 특성이다. 방사 광선이나 3성분의 챌코게나이드 유리 기판으로부터 분리되는 비형상물의 형성 이후에, 반응하지 않은 비소 황화물은 CF.sub.4 플라즈마에 용해되고, 3성분의 혼합물은 같은 조건에서 용해되지 않는다. 또한, 반응하지 않은 은은 전기화학적 방법이나 습식 화학물에 담궈서 제거한다. 그리고 반응하지 않은 비소 황화물 영역은 최하층인 평면층을 노출하기 위하여 CF.sub.4 플라즈마로 이온 애칭하여 제거한다. 제거되지 않은 3성분 혼합물은 연속적인 애칭과정에서 평면층을 선택적으로 보호하기 위하여 사용된다. 결과적으로 제조된 구조는 표면 마스크로 사용되거나 형태가 그려진 최하층으로 남게 된다. 이와 같은 활동 메커니즘과 활성 물질의 극도로 얇은 박막 코팅 능력 때문에, 본 시스템은 기존의 중합체 방염 물질에 비하여 분해능이 우수하다.마이크로 크기의 회로 기판 설계가 가능한 고 분해능의 물질다층 방염 물질기저인 평면층과 빛에 대해 활성을 나타내는 활동층으로 구성빛의 방사에 의해 은이 확산하며 방염막을 형성독특한 반응 메커니즘과 얇은 박막으로 인하여 분해능이 우수
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 무선 휴대 통신용 마이크로스트립 안테나 개발기술이다. 무선 마이크로스트립 안테나는 유선 안테나에 비하여 낮은 방사성을 나타내고, 휴대용 기기에 적합하며 높은 게인 (high gain)을 얻을 수 있다는 장점을 가지고 있는데, 이것은 마이크로스트립 안테나를 접고 펼 수 있는 특성 때문이다. 마이크로스트립 안테나에 대한 연구가 활발하게 진행되었지만, 제작 시, 큰 사이즈, 좁은 밴드 영역 그리고 (인체에 대한) 제한적 보호 등의 여러 가지 고려해야 할 문제점들이 여전히 남아 있다. 본 기술은 기존 마이크로스트립 안테나의 문제점을 해결하기 위하여 전혀 새로운 마이크로스크립 안테나 시스템을 개발하였다. 새로이 개발된 본 안테나의 특징은 첫째, 단지 기계적으로만 제조하면 되고 애칭과정은 생략되었기 때문에 제조 단가를 낮출 수 있다. 둘째, 안테나의 크기를 휴대폰용으로 적합하도록 5cm정도로 축소시켰다. 셋째, 기저판의 두께를 증가시키거나 두개를 한꺼번에 적층 시킴으로써 안테나의 밴드폭을 증가시켰다. 넷째, 머리 보호용 뒷판 보호막 외에 이 안테나를 사용함으로써 인체에 유해한 10가지 이상의 전자파 관련 유해 요소 (EM field radiation, RF leakage 등)들을 감소 시킨다.휴대폰용 마이크로스트립 안테나제조 단가가 낮고 크기가 작음안테나의 밴드폭 조절 가능인체에 해로운 전자파 요소 (EM field radiation, RF leakage 등) 감소
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 기술은 실시간 위치추적을 위한 영상추적 알고리즘 기술이다. 이 기술의 목적은 감시카메라로부터 감지되는 감시 대상물의 영상 자료를 이동동신 단말기등에 압축저장 시키거나, 감시영역을 추적을 위하여 카메라를 역시 이동통신단말기 등을 이용하여 원격 제어하는데 목적이 있다.본 기술은 우선 감시카메라가 움직이는 피사체를 발견했을 때 RS232 포트를 통해서 카메라를 제어하여 움직이는 피사체를 자동으로 추적하며 추적과 동시에 이미지 파일을 시스템에 압축 저장하고 등록된 무선전화로 문자 메세지 및 이미지 파일을 전송하는 것을 주 내용으로 한다.기술의 우위성으로 (1)움직임의 추적 기능(보통은 고정식이거나 일정각도를 회전하는 방식임) (2) 무선 LAN사용(핸드폰.PDA, PC인터넷으로 수신 또는 제어가능) (3) UPS 전원 사용(정전시에서 작동). 등이 있다. 이 기술은 사무실이나 장기간 감시가 필요한 일정구역을 무인으로 감시하는데 경보뿐만 아니라 영상자료가 요구되는곳에 응용될 수있다. 피사체를 감지 자동추적하여 문자메세지 또는 영상자료를 압축전송후 저장하는기능성이 있으며 원격으로 카메를 인위적으로 제어도 가능한 특징이 있다.
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전기·전자 > 전자부품
본 개발은 태양이나 자외선이 인체에 조사된 양을 측정하는 선량기이다. 태양이나 자외선에 피부를 과다하게 노출시키면 피부암이나 피부 트러스트를 유발하게 된다. 자외선으로부터 피부를 보호하기 위하여 자외선 차단제가 많이 개발되고 사용되고 있으며, 자외선 차단제에 대한 수요가 급격히 증가함에 따라 차단제 시장도 커지고 있다. 본 개발은 일정시간동안의 방사선 노출량을 개인이 조절할 수 있다. 미리 정해진 노출량에 도달하였을 때 사용자에게 알려주기 위하여 알람 장치와 표시 장치가 조립되어 있으며 이 두 가지 장치가 함께 조립될 수 있다. 또한, 여러가지 인체에 유해한 태양광 보호 요소가 첨가된 차단제를 포함하기 위하여 다양한 디자인으로 만들 수 있다. 또한 본 장치는 태양이나 자외선 뿐만 아니라 다른 여러가지 방사선에 노출된 양을 측정하는 장치로도 응용될 수 있다. 이 장치는 일정한 파장의 전기전자파에 노출되었을 때, 챌코게나이드 (Chalcogenide) 유리 기판 위의 금속이 포함된 필름이 광 분해 반응을 함으로써 동작하게 된다. 필름에 포함된 금속 또는 챌코게나이드 조성에서 금속의 형태 (종류)를 조절하므로써 일정 파장의 자외선만을 측정하는 선택적 측정이 가능하다. 한편, 본 개발은 최종적으로 여러가지 모양으로 절단이 가능한 커다란 플라스틱 시트 위에 챌코게나이드와 금속이 포함된 필름을 분사 침전법 (spray-deposition)으로 제조하기 때문에 저렴하게 대량 생산할 수 있다. 본 개발은 금속이 포함된 필름의 노출된 부분에서 발생하는 전기적 저항과 금속이 포함된 필름의 노출되지 않고 보호된 부분의 전기적 저항의 변화를 측정하는 수단을 조합하며, 전기적 저항의 변화에 기초하여 노출량을 계산하고 누적된 노출값의 형태로 출력된다. 본 개발은 피부에 직접적으로 또는 옷 위나 옷 아래에 부착할 수 있도록 고안되었다. 피부에서 느끼는 것과 똑같은 형태로 느낄 수 있도록 피부 타입으로 제조되고, 측정기 표면을 피부 보호제나 태양광 방지제를 응용하여 제조하기 때문에 노출량을 정확하게 읽을 수 있다. 즉, 피부와 똑같은 형태로 감지하고, 원하는 방사선만을 읽을 수 있도록 제조하므로 노출량을 정확하게 측정할 수 있다.태양광 및 자외선 노출량 측정피부암 또는 피부 질환 예방 가능일정한 값까지 노출된 후, 노출량을 인식할 수 있는 장치 포함 가능
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- 2003-01-27
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 질화 반도체를 제조하기 위하여 다양한 공급원으로부터 질소를 공급받는 방법과 질화 반도체 표면을 제조하는 방법에 관한 기술이다. 반도체 재료로 사용되는 3족 금속-질화물 (III-N) 필름의 성장과 관계된 반도체 기술은 빠르게 진보하고 있다. 그중에 금속-유기물 증착-형상 에피탁시 (MOVPE)법은 각각 질소와 3족 금속의 전조로서 암모니아와 3메틸금속을 이용한 “III-N” 필름의 성장을 위해 도입하였다. 파랑/초록/호박색 발광 다이오드 (LED)는 파랑/보라색 레이져 다이오드 (LD) 처럼 MOVPE를 통해서 상업적으로 제조되고 있다. 한편, III-N반도체 성장에 있어 분자 빔 에피탁시 (MBE)법은 MOVPE에 비해 포텐셜의 잇점에도 불구하고 크게 진전되지 않고 있다. MBE는 초기의 UHV의 성정 환경을 제공하고 층과 층 사이의 조성을 정확하게 제어하며, 표준 표면 과학 장비를 이용하여 성장을 연속적으로 모니터링하는 것이 가능하고 소스의 선택 폭이 넓다. III-N 성장을 위해, MBE는 MOVPE종의 거대하고 초음속적인 추진체, 활성 질소 가스의 방전 소스, 높은 순도를 갖는 증발 소스 등을 포함한다. MOBPE법은 MBE법의 발전된 방법으로, 더 우수한 III-N물질 제조가 가능하다. AlN, GaN 그리고 inN은 넓은 밴드 갭 반도체 장치로서 사용되고 있다. III-N 제조에 있어서 주목할만한 진전에도 불구하고, 성장과정에서의 더 나은 개선은 주요한 목표로 남아있다. 이러한 개선의 한 방법으로서, 전기적으로 여기된 질소 분자가 이상적인 질소 전조를 만들어낸다는 의견이 제시되었다. 본 기술은 단지 그라운드 상태의 질소를 포함하는 것과는 달리, 분자 빔에서 기저상태로부터 여기 종으로서 매우 순도 높은 N2A3Su+를 만들기 위한 장치와 방법을 개발한 것이다. 즉, 본 기술의 장치와 방법을 이용하여 금속-질화물의 질과 농도를 향상시킬 수 있고, 제조 과정을 통제할 수 있는 고순도, 고에너지밀도의 질소가 얻어질 수 있다는 것이다. 본 기술은 금속III-질화물 필름의 제조는 앞에서 기술한 분자 빔 에피탁시의 잇점을 이용한다.III-N 반도체 물질 제조 방법질화물 반도체 제조 과정에 사용되는 다양한 질소 원료들분자 빔을 이용한 III-N 반도체 물질의 제조질소 분자를 전기적으로 여기시켜 고순도, 고에너지 밀도의 질소를 공급함
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
최근 반도체 또는 전자 장비가 초미세화되는 추세이다. 따라서 장비에 내장되는 회로 기판 또한 초미세화 되고 분해능의 매우 우수해야 한다. 본 기술은 초미세 장비에 적합하도록 초정밀 분해능을 가진 회로 기판 설계에 관한 기술이다. 현재의 회로 기판 인쇄술은 광-방염제 (phote-resist)를 이용하면서 제조 과정의 여러가지 문제점들로 인하여 100nm정도까지만 소형화되고 있다. 초정밀 제조가 어려운 이유는 방염제 내에서 중합의 번짐 (퍼짐) 현상과 방염제의 다른 화학적 특성 때문이다. 나노 구조를 제조하기 위하여 간단히 장착된 광-방염제 기반 인쇄 기법 (photo-resist-based lithography)이 사용되고 있지만, 근본적인 문제를 해결하기에는 부적합하다. 본 기술은 전도성 규화물 라인을 직접 “새김”이 가능한 초정밀 이온 빔을 이용한 기술이다. 본 기술은 광-방염 마스크가 필요없고, 선의 폭에서 측면으로의 번짐 현상이 나타나지 않는다. 특히, 본 기술은 실리콘 위에 나노-구조를 직접적으로 제조할 수 있고 광-방염제를 사용하지 않기 때문에 매우 환경 친화적 기술이다.초정밀 나노 구조의 회로 기판 제조 가능기판 위에 직접 새김이 가능 (애칭 과정 없음)광-방염제 마스크가 필요없음광-방염제를 사용하지 않는 환경친화적 기술
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
무선 장비의 사용이 늘어나면서 저렴하고 고성능이며, 크기가 매우 작은 무선 통신기기들이 크게 증가하고 있다. 대부분의 기존RF 무선 송수신기는 여러가지 기술을 조합한 다중 칩 모듈을 사용하고 있지만, 기능이 떨어지고 전력 소비가 많으며, 크기와 무게가 무겁고 가격이 비싸다는 단점을 가지고 있어 기기의 완성도를 떨어뜨린다. 본 연구진은 SOI기술을 이용하여 상업적으로 경쟁력 있는 단일 칩 RF 무선 송수신기를 개발하였다. 박막 SOI 기질 위에 더해진 CMOS 기술은 잡음에 강하고 콘덴서의 수를 줄일 수 있으며 혼선의 문제점 등을 해결할 수 있다. 또한 부가적으로 집적 회로의 구성 과정이 단순하고, 공급 전압을 낮출 수 있으며 시간 경과에도 매우 이상적인 기능 감소 특성을 나타낸다.단일 침 RF 무선 송수신기 제조공정이 단순하고 생산 단가를 낮출 수 있음잡음, 혼선, 콘덴서 사용의 문제점을 해결
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
초전도 마이크로웨이브 장치에 있어서 능동회로소자를 사용하는 것은 바람직하다. 회로의 마이크로웨이브 반응을 모듈레이팅하는 여러 방법중, 전기장 유도 모듈레이션 방법은 에너지 소비량이 적고, 입력-출력 전류가 분리되어 있으며, 고입력 저항을 갖기 때문에 큰 잇점을 갖는다. 금속 산화 초전도체/절연체 헤테로 구조물들은 전기장 유도 모듈레이션에 사용되는 다른 구조들에 대하여 독특한 잇점들을 갖는다. 본 연구진에 의해 개발된 본 발명은 다음과 같은 몇가지 특징을 갖는다.1. YBa2Cu3O7와 같은 초전도 혼합물에서의 고 천이 온도 및 낮은 캐리어 밀도2. SrTiO3와 같은 절연 혼합물의 높은 값을 갖는 가변 유전 상수3. 간단한 장비 제조에 있어서, 이들 금속-산화물들의 다양한 헤테로구조의 물리화학적 호환성고 천이 온도, 낮은 캐리어 밀도 및 큰 값의 가변 유전상수와 같은 특징들을 갖는 헤테로 구조
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
일반적으로, 배치 구성요소들 중 일반 또는 초전도 집중 구성요소들의 크기가 갖는 이점은 저 주파수(01-20 GHz) 광대역 마이크로웨이브 회로에서 돋보인다. 보다 엄격한 설계 사항들을 가진 응용예에 있어서, YBa2Cu3O7와 같은 금속-산화물 초전도 물질들의 사용이 Au같은 종래의 금속 또는 GaAs와 같은 초전도체에 비해 더 나은 것으로 알려져 있다. 이는 낮은 마이크로웨이브 주파수(20 GHz)와 낮은 온도(S77Y K) 하에서 종래의 재료에 비하여 금속-산화물 막에서의 열 발산과 확산이 상당히 적기때문으로 알려져 있다. 또한, 이들의 작은 크기로 인해, 집중 회로 소자들은 쉽게 단일 칩 위의 구성요소들 또는 집중 구성요소들과 결합하여 보다 향상된 가변성을 보인다. 더욱이, 초전도체/절연체 금속-산화물 헤테로구조물로 이루어진 집중 구성요소들은 다음과 같은 독특한 성질을 갖는다. 상기 구성요소들의 마이크로웨이브 반응이 전기장에 의해서 모듈레이션 되고, 따라서 새로운 종류의 능동 마이크로웨이브 구성요소들을 형성할 수 있게 되는 것이다.종래의 재료로 구성된 구성요소에 비하여 적은 열발산과 열확산을 가짐칩 위의 다른 구성요소들과의 결합을 통해 보다 향상된 가변성을 보임마이크로웨이브 반응이 전기장에 의하여 모듈레이션 됨.
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
많은 수의 마이크로웨이브 장치 응용 예에 있어서, YBa2Cu3O7와 같은 금속-산화물 초전도체로 만들어진 장치들이 Au 또는 Cu와 같은 종래의 금속들로 만들어진 장치들 보다 우수한 성능을 보인다는 것은 이미 공지된 사실이다. 이들 마이크로웨이브 장치들에 적용할 때의 가장 큰 장애는 다음과 같은 점에서 일어난다. 1. 초전도 구성부분의 냉각에 비용이 많이 들고 복잡함 2. 초전도 구성요소로 구성되는 회로의 저온부를 종래의 실내온도(room temperature) 회로부와의 커플링 하기 어려움. 본 연구진은 아무런 기계적 연결 없이 용량성 연결을 통해 회로의 저온부를 실내 온도부와 분리할 수 있다는 것을 제안하고 실험적으로 증명하였다. 이를 통해 동시에 만족할 만한 “unloaded” 마이크로웨이브 커플링을 얻을 수 있었다. 샘플 위의 특정 동평면 웨이브가이드 세그먼트(segment)를 이용하여, 탐침-머리(probe head) 부분에서의 마이크로웨이브 방사선의 커플링 강도를 우리가 관심 있어 하는 장치의 초전도부분까지 이르도록 할 수 있었다.기계적 연결없이 용량성 커플링을 이룸.초전도 구성부분의 냉각에 비용이 많이 들고 복잡한 문제를 해결함.
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
고전력 반도체 레이저는 자유공간(free space) 광통신, 고체상 레이저의 펌핑, 광 증폭 시스템 및 원격 센싱 시스템과 같은 분야에 사용될 수 있다. 반도체 레이저 장치의 작동 중에 열의 상당양이 빠르고 효과적으로 장치로부터 제거되어야 하는데 이는 이렇지 못할 경우 온도가 바람직하지 못할 정도로 올라가고 장치의 수명이 줄어 들기 때문이다. 고전력 반도체 레이저와 광 증폭기는 상당히 많은 양의 열을 상대적으로 좁은 면적에서 발생시킨다; 이것은 증가된 온도, 저하된 장치 성능 및 나쁜 신뢰도로 이어진다. 과열점(hotspot)이라 불리는 국지적 열 문제는, 반도체 다이를 힛싱크에 부착하는데 쓰이는 솔더 내의 비어있는 보이드(void)에서 일어난다. 이러한 문제들은 특히 넓은 면적의 다이를 가진 고전력 장치에서 심각한데 이는 보이드(void)와 과열점 들이 장치의 열 임피던스를 증가시키며 특히 레이저 장치 성능을 저하시키기 때문이다. 추가로, 보이드들은 증폭과정과 빔 필라멘테이션(filamentation)에서 비균일을 일으킨다. 본 연구진은 반도체 다이를 힛싱크에 부착함으로써 솔더 층내의 보이드를 제거하여 마운팅된 장치 내에서의 낮은 절대/비 열 임피던스를 만드는 방법을 고안하였다. 이 다이 부착 방법은 월등한 재생산능력, 수율을 갖으므로 큰 공정마진을 갖게 된다(즉, 솔더를 녹이는 온도를 정확히 제어할 필요가 없게 된다). 연구팀은 모형 고전력 레이저를 만들어 절대/비 열 임피던스를 테스트하고 중요한 공정 파라미터들의 범위를 잡았다.보이드(void)를 없애는 새로운 다이부착 방법을 통해 열임피던스의 낮은 값을 얻음.과열점 문제를 해결.
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 연구진은 수년간의 연구와 테스트 결과 현재의 NSOM의 극적인 성능 향상을 이루었다. 근거리 광학 현미경을 개발하였는데, 이것은 새로운 콘트라스트, 순수상 콘트라스트를 할 수 있어 종래의 상-콘트라스트 현미경과 유사한 성능 향상을 가져온다. 더욱이, 본 현미경은 몇 배 (several orders) 크기의 증폭이 동시에 이루어 질 수 있다.동시 진폭 증가를 가져오며, 기존의 상-콘트라스트 현미경과 유사한 성능 향상.
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 표시소자
키보드 오른편 위에 손바닥크기의 액정 디스플레이 화면(TFT-LCD)을 설치하여, Video card를 이용하여 Side work을 활용할 수 있는 여러 가지 어플리케이션을 구동시키는 것windows 98혹은 windows 2000시스템에서는 video display adapter를 여러 개 장착하는 것이 가능하다. 이를 이용하여 Primary Display로는 기존의 Video card를 이용하고Secondary display에 개발하게 될 PCI Video card를 장착한다. (최근에 양산되는 AGP방식의 VideoCard 내부에서는 자체적으로 Dual Header를 지원함) USB포트를 통해 키보드 우측 상단에 약 8인치 정도의 LCD화면을 부착하고 Secondary display와 연결을 한다. 이와 같은 Setting으로 간단히 Display On Keyboard가 구현이 되고, 사용자는 이곳에 간단한 메모장 등 부수적인 프로그램을 띄우고 보조작업을 할 수 있게 될 것이다.또한 LCD에 현재 HPC(Handheld PC)에 사용되고 있는 Touch screen의 개념을 도입하여 전자 결재 system이라든가 간단한 용건의 메모 적기 등의 용도로 사용할 수 있을 것이다.이와 같은 구조는 Primary Display의 작업환경에서 시점을 빼앗지 않은 한도에서 부수적인 작업을 적은 조작으로 수행 할 수 있게 될 것이다.
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- 2002-09-09
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 개발은 특이한 DNA염기서열에 대한 수천개의 올리고 뉴클레오타이드(oligonucleotide)의 가 고체 기질 (solid support)에 부착 ∙ 배열된 “유전자칩(genechip)”에 기초한 전계 트랜지스터이다. 전계라는 것은 일정한 거리 내에서 전압이 걸리는 것을 의미한다. 이런 전계는 일정한 거리에서 전위차가 발생했을 때 일어난다. 본 개발에서는 이러한 전계 발생원으로 DNA를 이용한 것이다. 현재 유전자 발현과 관계된 DNA혼성화(hybridization)의 검출은 형광 표지(fluorescently labeled)된 표적DNA(target DNA)를 사용한 자동화 시스템에 의하여 검출될 수 있으며, 이미 상용화 되어있다. 이 시스템은 혼성화 된 DNA의 위치 지도를 만들기 위해, 방사(放射)된 혼성화 어레이 (array)의 이미지 분석을 자동으로 하며, 이를 통해 표적 DNA를 동정한다. 이는 간접적인 접근방식으로 볼 수 있으며, 표적DNA가 동정되기 이전에 반드시 이미지 분석과 처리에 의한 광학적 판독 과정이 따라야 한다. 이 시스템은 또한 표적 DNA의 표지 화 과정도 필요로 한다. 본 연구진은 DNA 혼성화와 같은 생체고분자(biopolymer) 물질의 결합을 전자적으로 검출할 수 있는 보다 직접적인 시스템을 고안하였다. 본 시스템은 DNA 혼성화 결합에 필요한 용액의 화학작용에도 견딜 수 있으며, 탐침(probe)이나 표적 DNA를 표지할 필요가 없다. 또한 DNA부착과 연속적인 혼성화 검출을 위해 용액에 노출되는 것도 가능하다. 생체고분자와 결합하여 전위차를 변화시키는 어떠한 반응도 이러한 기기 시스템에 의해 검출될 수 있다. 예를 들어, 산화환원 단백질의 산화 상태에서의 전하 변화, 또는 하나의 폴리펩타이드가 다른 여러 개의 폴리펩타이드와 결합되었을 때 나타나는 전하의 변화를 검출할 수 있다.전계 발생원으로 DNA나 단백질과 같은 유기체를 이용함.DNA 혼성화 시 전하 밀도 변화 검출.생체고분자와 결합하여 전위차를 변화시키는 어떠한 반응에도 적용 가능탐침이나 표적 DNA의 표지화 과정 불필요.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
전자이주 (electromigration)란 전기가 통하지 않아야 하는 곳에서 전기가 갑자기 통하는 현상을 말한다. 예를 들어, 회로에서 도선과 도선 사이에는 도체가 없어 전기가 통하지 않아야 하는데, 이런 도선과 도선 사이를 전기가 통하는 현상을 말한다. 이런 전자이주는 절연파괴와 발생 현상은 비슷하지만, 서로 구분되는 현상이다. 본 기술은 전자이주가 진행되는 과정을 실시간으로 모니터링할 수 있는 기술이다. 전자이주 현상은 반도체 집적 회로에서 사용된 상호연결 선에서 자주 발생하는 가장 주요한 오동작 원인이다. 전자의 대량 전송 현상에 의해 유도되는 이런 고전류밀도는 전도 전자와 결정 구조 내의 금속 원자사이의 운동량 교환에 의해 공간 (void), 작은 언덕 (hillock) 또는 개방 회로 (open circuit)에서 발생한다. 본 연구진은 실시간으로 전자이주현상을 모니터하고, 기기의 기능적 부위 – 웨이퍼 수준, 회로, 패킹 부분에서의 전자이주 현상의 특징을 살피기 위한 혁신적인 수단을 개발하였다. 본 기술은 일정한 형태의 회로 뿐만 아니라 모든 회로에도 적용될 수 있다.전자이주 현상 모니터링웨이퍼, 회로, 패킹 부분의 상태 점검 가능모든 회로에 적용 가능
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 발명은 케이블고정, 연결장치의 연결 잭으로 각종의 케이블과 케이블을 고정하고 연결하는 Connector Assembly로 마이크와 마이크선 연결부분 관한 것이다. 그 구성은 관 형상의 본체 일단 부에 폰 유니트가 삽입 결합되고 그 타단 부에 외부 케이블과 연결되는 접속 아답터와 잭 아답터및 이 케이블을 고정시키는 잭 홀더가 결합되는 마이크에 있어서, 상기 본체와 결합되는 잭 홀더의 내주 면에 잭 부시가 일체로 형성되고 이 잭 부시에 대응하여 배치되는 스톱퍼및 이 스톱퍼를 조여서 케이블을 고정시키는 조임 너트가 구비됨을 특징으로 한다. 따라서, 폰 유니트와 본체와의 결합구조를 개선하고 잭 홀더에 스톱퍼및 조임 너트를 배치하여 이들에 의해 케이블이 견고하게 파지 될 수 있도록 하는 등 마이크 구성부품간의 결합구조를 전반적으로 견고하게 함으로써 외부의 충격이나 조작상의 실수에 의해 결합상태가 파손되거나 분리되는 문제점을 해결할 수 있는 동시에 감전사고를 미연에 방지할 수 있는 효과를 얻는다.각종의 연결 잭이 특허권이 없는 기술이 소모품으로 사용되고 있는 마이크로폰의 연결 잭 및 각종의 Connector시장에 아이디어를 제공 연결 잭의 특허권을 확보함으로 품질이 우수한 소모품의 연결 잭을 개발하였으며 완전 부품 화된 연결 잭이 개발되어 국내외의 연결 잭 및 각종의 Connector시장에 우수한 품질의 소모품인 연결 잭을 공급, 판매할 수 있는 기회를 확보하였고 중국에도 특허출원 중으로 OEM방식으로 생산함으로 제조 비용을 절약 사업의 이윤을 최대화하며 시장의 전망이 매우 밝다. 현재 국내외의 연결 잭은 공구를 사용하지 않고 있으면서 소모품으로 이용되고 있는 기술에 공구를 사용하면서 연결 잭의 실용신안으로 연결 잭의 권리확보 후 연결 잭 결합부분의 내외경의 차이를 최소 시키는 아이디어로 특허로 이중출원중이라서 국내외의 관련업계는 영업이익에만 신경을 집중함으로 틈새를 이용 특허권을 확보하였기에 시장성이 매우 양호할 것으로 판단되며 향후 일정기간에 걸쳐 소모품으로 독점생산 판매 후 부품 화하여 시장을 공략할 수가 있다. 또한 PCT국제출원 중으로 전 세계의 회원국을 시장으로 확장시킬 수가 있으며 국제화 표준규격의 상품으로인정받을 수가 있다.
- 보유기관
- 처용전자
- 등록일
- 2002-09-10
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
단백질학은 단백질들이 어떻게 인식되고 만들어지를 밝히고 단백질 구조 및 기능을 규명하는 학문이다. 이러한 단백질의 특징들을 이해하는 것은 미래의 생명 구조 의학 처리법의 개발과 같은 청사진을 갖는다. 단백질을 이해하는 데에 있어서 고속, 정확 그리고 민감한 결과값들을 가지고 접근하는 새로운 방법들을 필요로 한다. 단백질학의 측정 기술의 실질적인 향상은 질병 연구에 큰 영향을 줄 수 있다.본 연구진은 기존 기술들을 결합하여 단백질 분해 또는 화학적으로 엉겨 붙은 펩티드에 사용되는 고해상도 2-D 전기이동 분리 시스템을 개발하였다.첫 단계로, 고 해상도 단백질/펩티드는 등전위 지점들의 차이에 바탕을 두어 분리가 이루어진다. 두번째 단계에서는 등 전위지점들을 갖는 다양한 크기의 펩티드들을 분리한다. 온라인 질량 분석 기술과 결합시켜 본 발명의 시스템을 이용하여 펩티드 조직들의 포괄적이고 민감한 분석을 행할 수 있다.단백질/펩티드를 등전위차를 이용하여 분리하는 기술
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 마이크로파와 밀리미터파 장치를 만들기 위하여 고온 초전도 물질의 고성능 (저손실) 필름을 가진 칩을 이용하는 기술이다. 칩들은 전자기적인 방사선에 노출된 장치의 표면에 배열된다. 칩의 기질면은 방사선과 접하며, 필름면은 장치 표면에 접한다. 칩은 장치의 작동 시 그들의 장점을 유지하기 위하여 금속 고리들에 의하여 연결되어진다. 또한, 칩은 장치의 정상 전도 표면의 표면 저항 (Rs)을 줄인다. 한편, 본 기술의 칩은 공동 (cavity)과 같은 비평면 모양을 만들며 큰 면적의 평면 장치를 만들기 위하여 사용될 수 있다. 본 칩은 기질 위에 형성된 고온 초전도 필름을 포함하는 별개의 요소가 표면에 배열되며, 마이크로파 또는 밀리미터파 스펙트럼의 전자기적인 방사선 노출되는 표면을 가진 구조이다. 전통적으로, 저온 초전도 물질은 마이크로파 주파수에서 매우 높은 Q 공동 (cavity)에 대해 옴 손실(ohmic losses, 저항의 손실)을 줄이기 위하여 사용되어 왔다. 그러나, 저온 초전도 물질은 많은 단점을 포함하고 있다. 예를 들면, 액체 헬륨을 만들기 위한 온도에서 동작해야 하기 때문에 장치의 동작에 많은 제약이 따른다. 부가적으로, 밀리미터파 적외선 지역에서 양자들은 초전도 에너지 갭을 넘어서는 전이를 일으킨다. 양자들이 초전도 에너지 갭을 넘어서게 되면 초전도 특성이 사라지게 된다. 고온 초전도 (HTSC) 물질들은 절대온도 25도 이상에서 초전도 상태가 발생하는 전이가 일어나는 현상으로부터 발견되었다. 이러한 고온 초전도 물질들은 바륨과 구리 산화물과 함께 결합된 이트륨, 란타늄 그리고 유로퓸 등과 같이 지구상에서 드문 요소들을 포함하고 있다. 예로서, 고온 초전도 물질은 Y-Ba-Cu-O 시스템이다. 본 기술의 가장 큰 목적은 무엇보다도 넓은 면적과 더 복잡한 형태의 마이크로파와 밀리미터파 장치를 만들기 위해 박막 고온 초전도 필름 칩을 이용하는 것이다. 또한, 마이크로나 밀리미터파 장치를 제조할 때 고온 초전도 필름의 낮은 표면 저항을 이용하는 것이다. 한편, 전자기적인 마이크로파나 밀리미터파에 노출되는 금속 표면을 고성능, 저손실 고온 초전도 박막으로 보호하고자 하는 것도 중요한 목적 중의 하나이다.고온 초전도를 이용한 마이크로파 또는 밀리미터파 장치다양한 모양, 넓은 면적의 장치 제조 가능고온 초전도 물질이기 때문에 장치의 동작에 대한 제약이 적음고성능, 저손실의 박막 고온 초전도 물질을 이용함
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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