일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 초전도 집적 회로에 유용한 고온 초전도 박막 필름 조셉슨 장치 개발이다. 집적 회로에서 사용된 조셉슨 장치는 제어할 수 있고, 반복할 수 있는 특성이 요구된다. 삽입(dope)된 박막 산화물 층은 고온 조셉슨 접합을 만들기 위하여 고온 초전도 전극 사이에 정상 초전도 장벽으로서 사용되었다. 금속성-장벽 조셉슨 접합에 있어서, 전극 사이의 파장 작용의 결합은 장벽을 횡단하는 초전도 전자쌍의 부족 (소위 “근접 효과”)의 결과라고 한다. 앞에서 언급한 초전도체는 Re1Ba2Cu3O7-d이며, 여기서 Re는 지구상의 드문 요소들 그리고 0<d<0.3, BiSrCaCuO 그리고 TiBaCaCuO를 포함한다. 이러한 목적에 알맞은 박막 산화물 층을 위한 삽입물들 (dopants)은 많이 있다. 스퍼터링, 레이저 용발, 전자 빔 증착 그리고 금속-유기 화학 침전 등으로 초전도 박막 필름을 얻을 수 있다. 초전도 층은 같은 방법으로 침전될 수 있다. 삽입은 출발물질에 대해 어떤 농도의 삽입물을 추가함으로써, 또는 필름이 형성된 후에 삽입물을 끼워넣음으로써 이루어진다. 필름에서 모든 삽입물들이 활동성을 갖도록 하기 위하여 추가적인 과정이 요구된다. 삽입한 후, 필름의 밀착 길이는 상대적으로 길어진다. 더 두꺼운 장벽층은 통제력을 가져오고, 장치에 대하여 반복적으로 작용한다. 상대적으로 큰 저항력 때문에 접합의 정상 저항은 SNS 접합보다 상당히 커진다. 주요 전류와 정상 저항은 크기 때문에 IcRn 결과는 크다. IcRn 결과는 조셉슨 접합의 진가를 나타내는 형태이다. 그것은 전압 수위를 결정하고, 그 전압 수위는 가능한한 커야 한다. 큰 IcRn 때문에, 본 기술은 초전도 전자공학 분야에서 중요하다고 판단된다.본 기술은 다시 요약한다면, 첫번째와 두번째 층들과 일치된 격자를 갖는 삽입된, 사방체의 전도성 물질의 장벽층으로 분리된 고온 초전도 물질의 두개 이상의 층을 가지는 조셉슨 장치에 대한 기술이다. 초전도 물질은 절대온도 25도 이상에서 임계 온도를 갖고, 장벽층은 삽입된SrTiO3이다. HTSC/삽입된SrTiO3/HTSC 에피탁시 삼중층 구조는 조셉슨 장치를 위해 사용된다. SNS는 이러한 장치를 나타내는 것으로서, S는 HTSC물질 그리고 N은 전도성 장벽이다. 본 장치에서 삽입된SrTiO3은 전도성을 갖는 퇴보된 반도체이다. 조셉슨 효과는 DC와 AC 모두에서 생겨나며, 조셉슨 접합은 초전도 전자공학에서 필수적이라 할 수 있다.다른 고온 초전도 장치보다 더 통제력 있고, 반복적임상대적으로 큰 정상 저항과 주요 전류에 의한 큰 IcRn 때문에 전자적인 응용에 실용적임고온 초전도체 이므로 고온에서 장치의 이용 가능큰 유전 상수
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 연구진은 air/sub phase 인터페이스에서 생긴 단층들을 측정하는 전기화학 프로브를 만들어 실험하였다. 본 발명의 장치는 연속 계면 이층 전극(CIBE)으로 알려져 있으며, 사용자가 연속적인 측정을 통하여 표면 압력, 온도, sub phase 조성 또는 다른 실험 파라미터들의 함수로서 단층의 유전적 성질들을 구할 수 있게 한다. 프로브는 평균 두께, 유전 상수 및 air/sub phase 인터페이스에서의 확대 단층의 용매 및 이온 투과성에 관한 데이터들을 출력한다. CIBE에서 얻어진 데이터 값들은 또한 단층에서 고체 지지체들(solid supports)로의 물질이동(transfer)의 용이성을 모니터링 하는데 사용될 수 있다.본 발명의 주요 특징들은 다음과 같다.1. CIBE는 확대 단층의 유전적 성질의 접촉 측정을 할 수 있게 해줌으로써 물질이동 된 단층 등의 전기화학적 특징들을 방해하는 심각한 오류를 없애준다.2. Langmuir balance system들에 이미 공동으로 추가되는 켈빈 표면 포텐셜 프로브로 CIBE에 같은 lock-in 증폭 전자공학을 사용한다.3. UMCP 모형 CIBE 장치는 매우 간단하게 만들어지고 손쉽게 생산자들의 특정 Langmuir trough 설계에 사용될 수 있다.심각한 오류없이 단층의 유전적 성질을 측정하며, 간단하게 만들어 손쉽게 사용할 수 있다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
자기 간섭 제거를 이용한 핑거 장치 및 그 방법과 그를 이용한 레이크 수신 장치 및 그 방법에 관한 것임자기 간섭 제거를 이용한 레이크 수신 장치에 있어서, 다중경로를 통하여 수신되는 수신신호로부터 각각의 핑거 수단에 대한 확산코드에 대한 시작점을 구하여 상기 각각의 핑거 수단으로 전달하기 위한 서칭 수단; 상기 서칭 수단으로부터 전달된 상기 확산 코드의 시작점을 이용하여, 상기 수신신호에서 자신 이외의 다른 핑거 수단에 할당된 신호에 의한 자기 간섭을 제거한 후, 상기 자기 간섭이 제거된 수신 신호를 복조하기 위한 소정 개수의 상기 핑거 수단; 및 상기 소정 개수의 핑거 수단 각각으로부터 자기 간섭이 제거되고 복조된 수신 신호를 전달받아, 상기 전달받은 신호들을 합성하기 위한 합성수단다중경로를 통하여 전송된 수신신호를 다수의 핑거로 병렬적으로 할당하고, 각각의 핑거에서 자신에게 할당된 수신신호에서 자신 이외의 핑거에 할당된 신호에 의한 자기 간섭을 제거함으로써 수신성능을 개선할 수 있게 하는 자기 간섭 제거를 이용한 핑거 장치 및 그 방법과 그를 이용한 레이크 수신 장치 및 그 방법과 상기 방법을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공함
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- 동신대학교
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- 2002-09-11
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
현재 당사에서는 전기신호를 광신호로 바꾸거나, 광신호를 전기신호로 바꾸는 기본적인 광소자(Laser diode, photodiode 모듈) 제조로부터 시작하여, 고도의 광소자 Package 기술을 요하는 양방향 트랜시버까지 자체 기술 개발 및 양산을 하여 국산화 및 수출에 주력하고 있다. 초고속 인터넷, 이동통신 등을 가능하게 하는 광통신 기술에 있어서 가장 핵심적인 부품인 만큼 국내외 광통신 기술 발달의 중요한 역할을 이루고 있다현재 당사에서는 전기신호를 광신호로 바꾸거나, 광신호를 전기신호로 바꾸는 기본적인 광소자(Laser diode, photodiode 모듈) 제조로부터 시작하여, 고도의 광소자 Package 기술을 요하는 양방향 트랜시버까지 자체 기술 개발 및 양산을 하여 국산화 및 수출에 주력하고 있다. 초고속 인터넷, 이동통신 등을 가능하게 하는 광통신 기술에 있어서 가장 핵심적인 부품인 만큼 국내외 광통신 기술 발달의 중요한 역할을 이루고 있다
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- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2004-10-13
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
인터넷 접속기능을 갖춘 각종 인터넷 기기(Internet Appliance)에 필수적으로 사용되는 핵심 요소 기술로서 네트웍 카메라, DVR, 웹비데오폰(Web Video Phone), 인터넷 TV, 인터넷 게임기, 인터넷 DVD, 웹패드, 인터넷 냉장고등 인터넷 접속을 필요로 하는 모든 정보단말기기에 사용할 수 있도록 하였다.당사의 Embedded Web Server는 양산되어 판매되고 있는 네트웍 카메라에 사용되므로서 성능 및 품질상의 검증이 완료된 기술로서 정보단말기기에 대한 대규모 제조기반을 보유한 국내의 많은 업체와 제품에 적용이 될것으로 예상된다.특히 외국업체의 라이센스 및 로열티 비용에 비해 저렴하게 기술을 공급할 계획이며 특히 당사의 Embedded Wen Server를 사용한 응용제품 개발시 필요한 기술지원도 병행하여 제공할 예정이다.
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- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2004-10-13
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
프로그램 가능 논리 장치 (PLD)는 복잡한 논리 기능을 실행하기 위해 프로그램될 수 있는 집적 회로이다. 그것은 AND 회로와 OR회로의 배열로 구성되어 있다. 마스크-프로그램 가능 논리 장치는 장치의 제조과정에서 프로그램 되어진다. 반대로, 전계-프로그램 가능 논리 장치는 프로그램 되지 않은 상태로 제조되고, 고성능 실행 장비에 삽입되어 원하는 기능을 실행하기 위하여 사용자에 의해 “전계상태”에서 프로그램 되어진다. FPLD의 가장 큰 잇점은 빠르고 값싼 집적 회로 원기 (prototype)의 개발이 가능하고, 다른 디자인을 설계하기 위해 다시 프로그램할 수 있다는 점이다. 본 연구진은 더 우수한 순서적인 성취와 시간적 실행과정을 예측할 수 있는 설비가 장착된FPLD의 향상된 구조를 개발하였다. 본 기술에서는 연출된 논리 수준에서 활동적으로 변화하는 논리 핵심에 접근하기 위하여 활동적인 상호연결을 이용하였다. 이러한 구조의 핵심적 원리는 입력 회로의 겉보기 실행 때문에 가능한, 실리콘 자원의 시간 공유 개념에 기초하고 있다. 또한, 본 기술은 활동적인 논리 모듈의 배열을 포함하는 활동적인 논리 핵심을 포함한다. 활동적 논리 핵심은 활동적인 상호연결의 배열로 이루어져있다. 활동적인 논리 핵심과 활동적인 상호연결 배열사이에 공유영역의 경계가 생겨난다. 그리고, 버퍼 배열은 활동적인 핵심의 선택된 논리 수준을 우회하기 위하여 사용된다. 즉, 다중 입력에 대해 시간 지연을 통해 순차적 실행을 하는 기능을 수행한다. 한편, 본 기술은 쉽고 정확하게 예측될 수 있는 시간적 수행을 제공하고, 회로의 실행과정을 매우 간소화할 수 있다. 아울러, 공간적으로 소형의 전계-프로그램 가능 논리 장치를 제조할 수 있다. 활동적인 논리 핵심에 논리 입력은 활동적인 상호연결 배열로 수행된다. 주어진 논리 수준을 위한 적당한 논리 입력들은 활동적인 상호연결 배열에 의해 선택되어지고, 순서화 된다. 필요에 따라, 신호들은 활동적인 상호연결 배열에 의해 대기 상태로 된다.빠르고 값싼 집적 회로 개발 가능예측되는 실행과정버퍼의 내장으로 시간 공유 실행이 가능
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 큰 해독 (READ) 전류와 간단한 제조 과정을 갖는, 실리콘의 절연체 (SOI) 기질 위에 캐퍼시터가 없는 DRAM (CDRAM) 셀에 관한 기술 개발이다. CDRAM의 크기는 캐퍼시터가 없는 단 하나의 트랜지스터이기 때문에 초고밀도 메모리 응용에 매우 적합하다. SOI 기질을 이용함으로써 CDRAM 셀을 만드는 것이 가능할 뿐만 아니라, 그것의 제조 과정을 매우 단순하게 할 수 있다. CDRAM은 활동 문턱과 유사한 동작 개념을 도입하고 있다. 따라서, 커다란 캐퍼시터가 불필요하다. 그러나, 정밀하게 조절된 주입에 의해 형성된 전하가 저장되는, 예전의 제안된 활동 문턱 셀들과는 다르게, CDRAM에서는 전하가 문턱 전압을 조절하기 위하여 박막 실리콘 필름에 저장되어진다. CDRAM 셀에서 전하 해독의 양은 보통의 DRAM 셀에서의 해독량을 초과한다. 한편, CDRAM 프로세스는 기존에 사용되고 있는 일반적인 SOI CMOS 프로세스 그리고 완전히 보상적인 SOI BiCMOS 프로세스를 대체하기에 적합하고, 미래형 SOI VLSI 회로에 대체될 만한 우수한 기술이다. 본 기술은 큰 해독 전류, 알파-입자에 의해 유도된 단일-규칙적 혼란 그리고 단순한 제조 과정을 거치는 특성을 갖는 SOI 기질을 바탕으로 개발되었다. 특히, 본 기술을 사용함에 따라 다양한 기능을 얻기 위한 장치 개발에서 발생하는 많은 문제점을 해결할 뿐만 아니라 제조 과정을 매우 단순화 할 수 있다. 본 기술의 CDRAM에서, 전하는 실리콘 절연체 기질에 있는 박막 실리콘 필름의 앞 표면에 저장된다. 저장된 전하는 해독 트랜지스터의 기능 (예, MODFET의 문턱 전압)을 조절한다.캐퍼시터를 사용하지 않음에 따라 실리콘 면적 확대 가능캐퍼시터를 사용하지 않음에 따라 더 적은 면적에서 실행 가능한 장치 개발 가능여러가지 반도체 기술에 적용 가능단일 트랜지스터를 사용함에 따라 생산단가의 저하
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
단일 광섬유 변환기를 사용한 변형과 온도의 신뢰성 있는 측정은 예전에는 불가능하거나 매우 어려웠던 여러 응용 분야에 가능성을 제시해 주었다. 이러한 광섬유 광센서는 다른 광섬유 변형 및 온도 센서들에서 나타나는 수치적 불안정 관련 에러들이 발생하지 않으면서도 온도와 변형을 동시에 측정할 수 있다. 적절히 설계 된다면, 이 센서는 이러한 매개변수들을 캘리브레이션 없이 측정할 수 있다. 본 연구에 대표적인 예로 열가소성 합성 물질의 공정 제어를 들 수 있으며, 본 센서는 내부 온도와 잔여 응력을 물질의 미세구조를 망가뜨리지 않고 시간의 함수로 결정한다. 또 다른 응용 예로 도시공학 구조물에서 변형 측정을 들 수 있으며, 기후 조건의 변화 따른 열 변화에서 기인한 구조물의 변형 측정 시 큰 열 응력 에러를 유발한다. 본 발명은 열전쌍 또는 자기 보정 게이지를 사용하지 않고 변형을 측정할 수 있다.부가적인 장치들을 사용하지 않고 온도와 변형을 동시 측정 가능.
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
현재 제공되는 휴대폰 기능은 청각/시각 서비스에 국한 되어 있습니다.향후 휴대폰은 이러한 서비스에 후각/촉각기능 서비스가 추가로 적용될 것으로 사료 됩니다.2002년10월 국내 일간지에서 보도된 바에 따르면 NTT도코모에서 가칭"오감핸드폰" 개발을 시작했다고 합니다.그렇다면, 이러한 "오감 핸드폰" 시장에서의 선점은 향후 기업의 사활에 분명 중요한 역할을 하리라 판단됩니다.전화 통화시 서로 촉각(진동-키스)/후각(향기)를 주고 받는 휴대폰예를 들어 연인들끼리 전화 통화 할 때, 서로 사랑의 감정을 고백할 때,서로 휴대폰에 부착된(립패드/터치스크린)를 통하여 진동과 스크린을 통하여 촉각/시각적 키스를 하는 시스템입니다또한, 동일한 방법을 통하여 서로 약속된 향기를 휴대폰에서 발산하게 되어 단순히 말을 전하는 것이 아니라 통화 당사자간의 감정을 전하는 효과를 가져 오게 되는 시스템 입니다2002년 특허 등록
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- 인텔뱅크
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- 2002-09-17
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
SOI집적 회로 기술은 기존의 기술들에 비하여 많은 장점을 가지고 있으나, SOI기술에서 나타나는 근본적인 표류체 효과와 높은 소스/드레인 직렬 저항은 몇가지 문제점을 안고있다. 본 기술은 이런 문제들을 해결하기 위한 것으로, 첫째, 낮은 경계체 접촉 형태는 전류의 수집을 위해 표류체에 기질이 접촉하게 함으로써 표류체 효과를 제거한다. 둘째, 본 기술로 제조된 MOSFET는 벌크 타입 출력 저항, 높은 트랜지스터 전압 이득 그리고 낮은 플래커 잡음 특성을 나타낸다. 이러한 특성은 아날로그 장비에 적용하기 알맞은 특성이다. 셋째, 본 기술의 형태를 이용하면 장비가 차지하는 공간은 매우 작아지고, 기존의 형태에 비하여 기질 전류 수집에 매우 효과적으로 된다. 그 예로 후퇴 채널 MOSFET는 두꺼운 소스/드레인 지역과 얇은 채널로 구성되어 있다. 소스/드레인 지역에서 두꺼운 실리콘 필름은 규화물 없이 소스/드레인의 직렬 저항을 낮춘다. 이러힌 기술을 바탕으로 새로이 개발된 본 기술을 적용하면, 전류 수집을 위한 접촉을 만들 때 소스/드레인 지역에서 실리콘 소비에 대한 걱정이 없이 초박막 SOI MOSFET가 제조될 수 있다. 동작 전압을 낮추기 위해서는 문턱 전압이 낮아져야 하는데, 문턱 전압이 낮아지게 되면 트랜지스터 누출이 커지고 전력 소비가 커지게 된다. 본 기술에 적용된 회로에서의 속도-민감성 그리고 누출-비민감성 부분은 기존 MOSFET의 문제점을 해결하면서 문턱 전압을 더 낮출 수 있다. 본 기술의 또 다른 특성으로는, 완전히 고갈된 SOI MOSFET와 불완전하게 고갈된 SOI MOSFET는 같은 칩에서 제조 될 수 있다. 후퇴된 채널 구조를 가진 완전히 고갈된 SOI 트랜지스터는 천공과 꼬임 효과의 억제 때문에 디지털 회로에 적합하고, 낮은 경계체 접촉을 가진 비완전 고갈 SOI 트랜지스터는 아날로그 회로에 이상적이다. 따라서 본 기술은 아날로그와 디지털에 적합한 회로를 하나의 칩에 제조할 수 있다. 한편, 정전기의 방전 보호를 위하여, 버퍼 트랜지스터는 반도체 필름과 파묻힌 산화물 층을 제거함으로써 SOI에 인접한 기질에 직접적으로 제조할 수 있다.다양한 장치가 하나의 칩에서 제조 가능천공과 꼬임 효과의 억제 가능적은 면적에서 제조가 가능하고, 기질 전류 수집에 매우 효과적임l정전기 방전 억제 가능
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 반도체 장치와 제조 과정 그리고 초고밀도 집적회로에 유용한 자발적 정렬 MOSFET 구조와 관련한 기술로, 높은 속도를 가지고, 자발적 정렬이 일어나는 MOSFET의 제조 기술이다. MOSFET 기술은 마이크로프로세서, ASIC 그리고 반도체 메모리에 응용되는 초고밀도 집적회로에 많이 적용되고 있다. 높은 속도 MOSFET 장치는 장치의 채널에 천공 마개 (stopper) 지역을 포함한다. 마개 지역은 게이트 전극을 통하여 고 에너지 이온 주입에 의해서 형성되고, 채널과 함께 자발적 정렬이 된다. 즉, 천공 마개는 게이트 전극 골격를 통하여 그리고 채널 안으로 고 에너지 이온 주입에 의하여 게이트 전극이 형성된 후 MOSFET 장치의 채널 지역에서 형성되며, 이로 인해 채널 지역에 중심적으로 위치한 천공 마개를 가진 게이트 전극 하에서 마개의 자발적 정렬이 이루어지고, 장치의 접합 캐패시턴스가 감소한다. 마개 지역은 소스와 드레인 지역이 형성되기 전후와 소스와 드레인 도펀트 삽입침과 같은 마스킹 단계에서 형성될 수 있다. 문턱 조절 삽입침은 동시에 제조될 수 있다. 본 기술에서 채널 지역에 있어서 국부적, 퇴화된 (retrograded) 도핑이 절실히 요구되며, 이는 소스와 드레인 지역이 얇게 도핑된 기질에서 겹쳐지는 것을 방지할 수 있다. 이것은 접합 캐패시턴스를 작게 유지할 수 있게한다. 퇴화된 도핑은 채널에서 높은 불순물 농도를 사용하지 않고도 튼튼한 천공 마개를 만들 수 있으며, 이동도 저하를 막을 수 있다. 기존에는 이런 문제점을 해결하기 위해 추가적인 회로 기판 설계 과정을 거쳤었다. 그러나, 이 과정은 제조 단가를 상승시키고, 자발적 배열이 억제시키는 문제가 있었다. 이런 문제를 해결하기 위해서는 추가적으로, 많은 양의 도펀트를 조사해야만 했다. 그런데, 도펀트 양을 늘리게 되면 이동도는 저하하고, 접합 캐패시턴스는 상승하는 또다른 부작용을 낳게 된다. 접합 캐패시턴스가 줄어들게 되면, 게이트 지연 시간은 40%이상 감소된다. 따라서, 이를 극복할 수 있는 본 기술을 사용하면 접합 캐패시턴스가 줄어들게 되고, 아울러 동작 속도는 빨라지게 된다.동작 속도가 빨라지고, 자발적 정렬이 이루어지는 MOSFET 제조접합 캐패시턴스를 낮게 하고, 이동도 저하를 막을 수 있음기존 문제점 해결을 위한 기술에 비해, 단가를 낮출 수 있다.다양한 반도체 응용 분야에 적용 가능
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 0.6V의 극도로 낮은 동작 전압에서 동작하는 트랜지스터의 동작 특성과 구성 형태에 관한 것이다. 최근 고성능 저 전력소비 시스템에 대한 요구가 급속히 늘어나고 있는 추세에 따라 성능이 향상되고 처리 속도가 빨라진 장치들이 많이 개발되고 있어 기술 개발은 많이 향상되었지만, 휴대용 기기나 장치들의 수요가 급격히 늘어나면서 크기를 줄이고, 저 전력소모로 오랫동안 사용할 수 있은 장치를 필요로 되고 있다. 절연체 구조 위의 실리콘에 형성된 MOSFET처럼 절연된 게이트 전계 트랜지스터는 턴 온 전압을 줄이고 극도로 낮은 단계까지 전력 공급 전압 (예, 0.6V)의 한계를 낮추기 위하여 몸체 연결하는 게이트를 포함하고 있다. 몸체 접촉은 기본적인 필름에 대해 다중실리콘 게이트에서 접촉 창을 통해서 금속에 의하여 이루어진다. 다중실리콘 게이트는 게이트 절연물에서 접촉 창을 통하여 직접적으로 실리콘 필름에 접촉할 수 있다. 또, 다중실리콘 게이트와 몸체에 대하여 분리된 접촉도 이루어질 수 있다. 한편, 외부 바이어스 발생 회로는 낮은 문턱 전압 장치가0.6V 이상의 공급 전압에서 동작할 수 있도록 한다. 즉, 작은 전계 트랜지스터는 더 큰 트랜지스터를 위하여 전면 (forward) 몸체 바이어스를 공급한다. 작은 트랜지스터는 전면 몸체 바이어스을 전력 공급 전압임에도 불구하고 0.6V까지로 제한하고 있다. 그러므로, V.sub.dd는 0.6V를 넘지 않는다. 이것은 클럭 드라이버와 큰 버퍼들과 같은 큰 트랜지스터를 필요로 하는 회로에 유용하다. 이런 연결은 큰 트랜지스터가 같은 크기의 정규의 트랜지스터보다 더 높은 전류 운동을 가지게 될 것이다. 본 기술의 기반이 되는 SOI 기술은 준-마이크로 게이트 기술을 사용하여 초고밀도 집적 회로에 적용될 수 있다. SOI는 지지하는 벌크 웨이퍼 위에 절연 층을 덮어쒸운 반도체 물질 층으로 이루어져 있다. 구조는 존 멜팅과 재결정 (ZMR), 삽입된 산소에 의한 분리 (SIMOX)법 등에 의하여 형성된다. 전형적으로, 구조는 단결정 실리콘 기질에 묻혀진 실리콘 산화물 층 위에 단결정 실리콘 필름으로 이루어져 있다.매우 낮은 전압 (0.6V)에서 동작하는 장치낮은 동작 전압에 따른 매우 낮은 전력 소비
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 sub-5 나노미터 박막 산화물 기술에 대해 산소 주입을 사용함으로써 다중의 게이트 산화물 두께를 성장시키는 기술이다. 기술적으로 매우 진보된 sub-5나노미터 실리콘 웨이퍼는 논리 회로, 메모리 요소 그리고 공급 전압 등의 다양한 요소들이 조합된 결합체라고 할 수 있다. 이런 다양한 요소들의 결합은 단일 웨이퍼 위에 다중의 게이트 산화물 두께를 필요하게 한다. 게이트의 산화 전에 실리콘 기질에 대해 질소를 주입하면 주입된 영역에서 열적 산화물 이온 비율을 감소시킴으로써 다중의 게이트 산화물 두께를 형성할 수 있다. 그렇지만, 많은 질소 주입은 주입된 영역이상으로 성장한 게이트 산화물의 신뢰성을 떨어뜨리게 된다. 본 기술은 실리콘 웨이퍼 위에 다중의 게이트 산화물 두께를 만들어 내기 위하여 선 (먼저)- 산화와 후 (나중)- 다중 침전 산소 주입 방법을 사용하고 있다. 이런 방법으로 제조하면, 질소 주입 산화물과 통제된 (주입되지 않은) 산화물에 비하여 더 나은 QBD 특성을 얻을 수 있다. 특히, 산소 주입법을 사용함으로써 산화물의 특성을 떨어뜨리지 않고 20 옹그스트롱 (10–10) 까지 산화물 두께를 조절할 수 있다.20 옹그스트롱까지 산화물 두께 조절 가능단일 실리콘 웨이퍼 위에 다중의 게이트 산화물 두께 증착 가능주입된 영역 이외에서도 게이트 산화물의 신뢰성 향상
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 긴 메모리 보유시간을 가지면서 빠른 프로그래밍이 가능한 특별한 플래쉬 메모리 장치이다. 반도체 메모리 셀에 대한 규모의 확대 메모리 배열 크기의 증가는 생산 단가의 저하, 전력 소비의 저하와 함께 고밀도, 고성능의 차세대 셀 설계에 대한 필수 요건이다. DRAM의 경우는 캐패시터의 크기와 빈번하게 발생하는 순간적 고전력소비 때문에 규모를 크게 하기 어렵다. 반면에, 플래쉬 EEPROM은 빈번한 고전력소비가 없고, 규모를 크게하는 것도 가능하지만, 프로그램의 속도가 너무 느리다는 단점이 있다. 단일 산화물 터널링 층을 가진 전통적인 플래쉬 메모리들은 비록 낮은 경계 터널링 층은 메모리 보유 시간이 감소한다는 단점과 터널링 경계가 너무 높다는 문제점이 있다. 더 나은 프로그래밍/지우기/ 메모리 보유시간 증가를 위해서는 터널링 층 구조의 새롭게 디자인하는 것이다. 본 기술은 이런 단점을 보완하기 위하여 여러 개의 터널링 층을 가진 플래쉬 메모리를 개발한 것이다. 본 기술의 일반적인 다중 터널링 층 구조는 다른 플래쉬 메모리 형태에도 응용이 가능하다.메모리 보유 시간의 향상빠른 프로그래밍이 가능다른 형태의 플래쉬 메모리에도 응용 가능
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
양자 점과 양자 선 레이져 다이오드는 벌크 헤테로와 양자 우물 레이져 다이오드보다 더 많은 잇점을 가진다. 즉, 더 낮은 문턱 전류, 문턱 전류의 향상된 열적 안정성, 더 높은 특징적 이득, 흩뿌려진 피드백 레이져을 위한 분산자로서 양자 점과 양자 선의 사용, 작은 면에서 불필요한 비-방사 열을 예방하기 위한 양자 점과 양자 선에서 캐리어들의 국한 (위치부여) 그리고 음향양자와의 상호작용이 거의 없는 점 등의 장점을 가진다. 양자 점은 격자 상수 차이에 의한 왜곡 에너지를 이용함으로써 만들어진다. 한편, 양자 선은 약간의 잘못된 절단 각을 갖는 반도체 기질에서 원자 단일 층의 단들 (계단들)을 사용함으로써 만들어진다. 그러나, 이러한 방법에 의한 제조는 작은 구조의 크기 그리고 일정치 않은 크기 분포와 위치 제어에 대한 문제점이 있다. 기존의 전자 빔 회로 기판 인쇄술은 이러한 문제점을 해결할 수 있으나, 양자 점과 선을 제조하기 위하여 많은 시간을 요구한다. 본 기술은 많은 양자 점, 양자 선, 측면의 회절 격자 그리고 적당한 시간 내의 제한된 크기와 위치에서 유사한 나노구조를 만들어 내는 방법을 고안하였다. 특히, 특별한 방법으로 양자 점과 양자 선을 발생시키는 본 기술은 나노구조의 제조에 대한 새로운 가능성을 제시하는 기술이다.양자 점과 양자 선을 발생시키는 새로운 방법나노구조의 제조 가능 시간이 오래걸리는 기존 전자 빔 회로 기판 인쇄술의 문제점을 해결하고, 적당한 시간 내에 양자 점과 양자 선 제조 가능
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
슬라이덕과 자기누설 고압 변압기를 이용하여 0~16000V 까지 고압을 발생하여, 각종 회전전극간에 고압을 공급하여 방전실험을 행하는 학습장치이다. 마이크로 메타를 이용하여 방전 거리를 0.01mm 까지 정밀 측정 가능하다1. 방전 전압의 정밀 조정 가능2. 방전 거리의 정밀 조정 가능3. 각종 전극간의 방전 실험 가능4. 각종 액중 방전, 기중 방전, 절연물의 절연 파괴 특성 측정 가능
- 보유기관
- 사천항공기능대학교
- 등록일
- 2002-11-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
진품 벼락 맞은 대추나무도장을 만드는 기술이다. 오늘날 레이저나 소형 로켓을 뇌운에 쏘아 올려, 원하는 곳에 뇌격을 유도할 수 있다. 대추나무 도장을 통에 넣고, 상하로 전극을 설치하고, 이 통에 벼락을 쳐서 진품 벽조목을 만드는 기술이다.1. 진품 벽조목 도장을 만들수 있다.2. 도장 표면에 뇌격 흔적이 있는 도장을 만들 수 있다.3. 도장 표면에 전섬석(벼락이 만든돌)을 붙여 만든다.4. 벽조목 도장을 소지하면, 심리적 안정감을 가질 수 있다.5.예로부터 벽조목 도장은 벽사상서등 신물로 알려져 있다.
- 보유기관
- 사천항공기능대학교
- 등록일
- 2002-11-18
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 기술은 정확한 온도눈금을 실현할 수 있는 금속고정점을 제작, 평가하는 기술로서 외국의 경우 국가표준기관과 극소수의 기업만이 보유하고 있는 최고급 기술이다. 고정점을 이용한 온도측정 기술은 정밀한 온도제어가 필수적인 산업체에서는 절대적으로 필요하나 현재 상용의 고정점들은 외국에서 전량 고가로 수입하고 있다. 이 기술을 이용하여 국내제작하면 저렴한 가격으로 국내보급은 물론 개발도상국가로 수출도 가능하다.모든 산업분야. 특히 반도체, 초자, 철강 산업 등과 같이 주기적인 온도센서의 교정이 필요한 분야에서 활용가능.
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2002-11-18
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 저잡음, 고주파 그리고 무작위 주소입력 가능 아날로그 집적 회로의 개발 기술이다. 새로운 전환된-캐패시터 배열 (Switched Capacitor Array, SCA)는 96개의 샘플과 유지 셀 그리고 하나의 동작 증폭기를 가지고 각각 16개의 병렬식 채널로 세분된 외부적으로 주소입력 가능한 혼합된 아날로그와 디지털 메모리 칩이다. 본 SCA 기술은 메모리 셀들 사이에 베이스라인 (기초) 변화를 최소화하기 위하여 특별히 작은 동작 잡음을 가지도록 제조되었다. 칩은 0-1V의 효과적인 시그널 영역에 대해서 우수한 직선성을 나타내고 축소된 직선성을 가지며 3V까지 시그널을 조정할 수 있다. SCA ASIC는 AMI Semiconductor, Inc. 에서 기본CWL 0.8 공정에 따라제조되었다.저잡음, 고주파 아날로그 집적 회로0-1V영역에서 우수한 직선성을 나타냄최대 3V까지 조정 가
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 고안은 3차원 이미지 촬영을 위한 카메라 및 피사체 고정장치에 관한 것이다.각종 제품의 정보를 전달(홍보)하는 수단으로서 영상 자료가 널리 사용되고 있는데, 종래에는 카메라에 의해 촬영된 영상을 통한 홍보가 주를 이루기 때문에 360° 회전하면서 촬영된 평면형태의 이미지라고 할 수 있는 2차원적인 홍보만이 이루어졌다. 특히, 오프라인상에서의 상거래에서 벗어나 온라인(인터넷)상에서의 상거래가 활발하게 이루어짐에 따라 2차원인 영상만으로는 제품의 특성 등을 효율적으로 홍보하지 못한다고 볼 수 있다.본 고안은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 두 개의 고정장치를 이용하여 피사체와 카메라를 소정높이로 고정한 후 두 개의 고정장치를 구동시켜 피사체가 소정 각도씩 회전되면서 카메라의 촬영높이가 임의로 조절되도록 함으로써 피사체를 3차원으로 촬영할 수 있는 3차원 이미지 촬영을 위한 것이다. 다시 말하면, 본 고안은 사업화를 위한 특정 제품(피사체)의 이미지 정보전달을 온라인(on-line)상에서 3차원 입체 영상으로 볼 수 있도록 이미지 제작을 지원하는 장비로서 보다 구체적이고 효율적인 정보전달을 할 수 있도록 VR(VirtualReality) 3차원 이미지를 만들기 위한 촬영기능을 보조할 수 있도록 하는 3차원 이미지 촬영을 위한 카메라 및 피사체 고정장치이다.VR(VirtualReality) 3차원 이미지를 만들기 위한 촬영기능을 보조
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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