일반기술
전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
본 기술은 실내의 조명기구(indoor lighting equipment) 점멸장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도어 로커(doorlocker)의 잠김에 의해 실내의 조명기구가 자동으로 점멸(點滅)되도록 한 실내의 조명기구 점멸장치에 관한 것으로, 도어 로커의 잠금 및 해제에 의해 실내의 조명기구가 자동으로 점멸되어 전력의 낭비가 효과적으로 방지되며, 외출자가 편리하고 용이하게 조명기구를 점멸시킬 수 있도록 한 실내의 조명기구 점멸장치를 제공하는데 있다.이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 기술의 특징은, 키의 조작에 의해 도어 로커의 메인 로커가 도어 프레임의 메인 로킹홀에 선택적으로 잠김 및 해제되면서 실내의 조명기구를 전부 점멸시킬 수 있도록 메인 로킹홀에 조명기구의 전원 스위치가 배선되는 메인 전원 스위치가 설치되는 실내의 조명기구 점멸장치에 있다.본 기술은 키의 조작에 의해 도어 로커의 메인 로커가 도어 프레임의 메인 로킹홀에 선택적으로 잠김 및 해제되면서 실내의 조명기구를 전부 점멸시킬 수 있도록 메인 로킹홀에 조명기구의 전원 스위치가 배선되는 메인 전원 스위치가 설치된다.따라서, 키의 조작에 의해 도어 로커를 잠금 및 해제시키는 것에 의해 실내의 조명기구가 실외에서도 자동으로 점멸되므로, 전력의 낭비가 효과적으로 방지될 뿐만 아니라, 외출자가 보다 편리하고 용이하게 조명기구를 점멸시킬 수 있는 것이다.본 기술에 따른 실내의 조명기구 점멸장치에 의하면, 키의 조작에 의해 도어 로커를 잠금 및 해제시키는 것에 의해 실내의 조명기구가 실외에서도 자동으로 점멸되므로, 전력의 낭비가 효과적으로 방지될 뿐만 아니라, 외출자가 보다 편리하고 용이하게 조명기구를 점멸시킬 수 있는 것이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-07-16
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기(multi-frequency band microwave amplifier)에 관한 것으로 특히, 다중 주파수 대역의 RF(radio frequency)에 대해서 우수한 증폭 특성을 가지도록 하는 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 구조가 간단하면서도 증폭기의 특성을 향상시키는 바이어스 회로의 구성과 적절한 대역 통과 여파기(band pass filter) 또는 대역 제거 여파기(band stopfilter)를 사용하여 다중 주파수 대역의 RF 신호에 대해서 우수한 증폭 특성을 가지도록 하는 다중 주파수 대역 초고주파증폭기를 제공하는데 그 목적이 있다.이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 있어서: RF 신호 입력과 다음 단을 광대역 정합시키는 제1 광대역 정합부; 상기 제1 광대역 정합부로부터 RF 신호를 입력하여 증폭시키는 제1 증폭부; 상기 제1증폭부의 RF 신호 출력과 다음단을 광대역 정합시키는 제2 광대역 정합부; 상기 제2 광대역 정합부로부터 상기 제1 증폭부의 RF 신호 출력을 입력하여 증폭시키는 제2 증폭부; 상기 제2 증폭부의 출력단과 전원 사이에서 다수의 주파수 대역에서 원하는 기본파 및 고조파 임피던스를 갖는 바이어스부; 상기 제2 증폭부의 RF 신호 출력을 인가받아 해당 주파수 대역의 RF 신호를 통과시키는 제1 부하 선택부; 상기 제1 부하 선택부의 특정 RF 신호 출력을 인가받아 특정 주파수 대역의RF 신호를 다음단에 정합시키는 제1 정합부; 상기 제1 부하 선택부의 다른 RF 신호 출력을 인가받아 다른 주파수 대역의RF 신호를 다음단에 정합시키는 제2 정합부; 및 상기 제1,제2 정합부의 RF 신호 출력을 인가받아 해당 주파수 대역의 RF신호를 통과시키는 제2 부하 선택부를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 구조가 간단하면서도 증폭기의 특성을향상시키는 바이어스부 즉, 각 경우에 따라 코일, 캐패시터, 선로 등으로 이루어지는 바이어스부의 회로 구성과 적절한 대역 통과 여파기 또는 대역 제거 여파기를 사용하여 그 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기가 다중 주파수 대역의 RF 신호에 대해서 우수한 증폭특성을 가지도록 한다. 따라서, 그 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기를 소형화 및 저가격화하기가 용이하므로 경쟁력있는 휴대 단말기의 제작이 가능한 효과가 있는 것이다.이상에서 설명한 바와 같이 본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 구조가 간단하면서도 증폭기의 특성을 향상시키는 바이어스부의 구성과 적절한 대역 통과 여파기 또는 대역 제거 여파기를 사용하여 그 다중주파수 대역 초고주파 증폭기가 다중 주파수 대역의 RF 신호에 대해서 우수한 증폭 특성을 가지도록 한다. 따라서, 그 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기를 소형화 및 저가격화하기가 용이하므로 경쟁력있는 휴대 단말기의 제작이 가능한 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 유도 모터용 범용 인버터에 관한 것으로, 특히 유도 모터의 제어 방법 및 그 제어용 인버터에 관한 것으로, 16 비트 마이크로프로세서 대신 저가의 8 비트 마이크로프로세서를 이용하여 구성되는 초소형 유도 모터 제어용 인버터를 제공하고, 8 비트 마이크로프로세서내의 내부 메모리와 소프트웨어 프로그램을 이용하여 프로그램 코드 및 실행, 제어용 펄스폭 변조 신호를 위한 외부의 메모리 ROM, RAM 및 기타 주변 회로를 대신하도록 구성된 초소형 유도 모터 제어용 인버터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.상술한 목적을 달성하기 위한 본 기술에 따르면, 각기 위상차를 갖는 3 상의 공간 벡터 펄스 폭 변조 신호에 의해 각기 스위칭되는 3 쌍의 반도체 스위치 소자를 갖는 유도 모터의 인버터가 제공되며, 이 인버터는 상기 모터의 회전수에 대응하는 주파수와, 최소 전압, 상기 모터에 대하여 선택된 전압 대 주파수의 프로파일 및 상기 선택된 프로파일의 기울기 값을입력하는 수단; 상기 주파수, 최소 전압 및 상기 프로파일의 기울기를 이용하여 상기 모터의 인가 전압을 생성하는 수단; 상기 모터의 인가 전압과 상기 모터의 기설정 최대 전압으로부터 상기 펄스 폭 변조 신호의 변조율을 생성하는 수단; 상기 주파수에 대응하는 상기 모터의 회전 각도의 증가분을 계산하는 수단; 상기 계산된 회전 각도의 증가분과 기설정된 지연된 과거의 회전 각도의 증가분을 가산하여 상기 모터의 현재 회전 각도를 생성하는 가산기; 상기 현재의 회전 각도에 응답하여 공간 벡터 변조에 필요한 사인(sine) 값을 계산하는 수단; 상기 사인(sine) 값과 상기 변조율을 이용하여 상기각각의 펄스 폭 변조 신호의 펄스 폭을 나타내는 듀티 값을 생성하는 공간 벡터 변조 수단; 상기 듀티 값에 각기 대응하는 상기 3 상의 공간 벡터 펄스 폭 변조 신호를 생성하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.이 콘트롤러는 고가의 16 비트 대신 저가의 8 비트 마이크로콘트롤러로서 구현됨으로써, 전체 제작 단가를 낮추고 주변 기기를 소프트웨어로 대체되어 전체 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다. 즉, 본 기술에 따라서 16 비트 마이크로콘트롤러 대신 저가의 8비트 마이크로콘트롤러로서 유도 모터용 인버터의 구성이 가능하므로 비용 효과적이며, 프로그램 코드 및 실행, 제어용 PWM 신호를 위한 데이터 저장용 기억소자인 ROM 및 RAM을 8 비트 마이크로콘트롤러내의 내부 메모리와 소프트웨어로 대신함에 따라 단일칩 제어 회로가 구성될 수 있는 장점이 제공된다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-21
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 고조파 궤환 선형화기를 이용한 선형 전력 증폭기에 관한 것으로 특히, 선형성이 우수한 증폭 특성을 갖도록 하기에 적합한 고조파 궤환 선형화기를 이용한 선형 전력 증폭기에 관한 것으로, 간단한 구조로 우수한 선형적인 증폭특성을 가지면서도 입력 조건이나 외부 환경의 영향을 받지 않는 고조파 궤환 선형화기를 이용한 선형 전력 증폭기를 제공한다. 고조파 궤환 선형화기를 이용한 선형 전력 증폭기는 입력되는 RF 신호를 다음단과 정합시키는 입력 정합부와, 증폭 소자로 이루어져 상기 입력 정합부로부터 RF 신호를 인가받아 증폭시켜 출력하는 제1증폭부와, 상기 제1증폭부로부터의 출력을 출력단과 정합시키는 출력정합부와, 증폭 소자로 이루어져 상기 입력되는 RF 신호를 인가받아 증폭시켜 출력하는 제2증폭부와, 상기 제2증폭부의 출력 중에서 원하는 특정 대역의 주파수 신호를 반사시키고 이를 제외한 나머지 대역의 주파수 신호를 접지에 연결된 저항기를 통해 정합시켜 제거하는 대역 제거 여파부와, 상기 제2증폭부의 출력 중에서 상기 특정 대역의 주파수 신호만을 통과시키는 제1 대역 통과 여파부와, 상기 제1대역 통과 여파부로부터의 주파수 신호의 위상을 조정하는 위상 조정부와, 상기 위상 조정부로 부터 위상이 조정된 주파수 신호를 인가받아 증폭시켜 출력하는 제3증폭부와, 상기 제3증폭부로 부터의 출력 중에서 상기 특정 대역의 주파수 신호만을 통과시켜 상기입력 정합부의 출력과 합쳐져 상기 제1증폭부에 인가되도록하는 제2대역통과 여파부를 포함하여 이루어진다.종래의 기술에 따른 선형화 기법에 있어서 back-off 방식은 고가인 전력 소자의 출력 특성을 충분히 활용하지 못하는 단점과 이로 인한 증폭기의 부피 증가, 효율 특성의 저하를 가져오며, feed-forward 방식은 증폭기의 부피가 커지고 회로가 복잡해 지며 신호 전력의 손실이 발생하는 단점이 있으며, feedback 방식은 출력 전력의 일부를 부궤환시킴으로 전체 증폭 이득이 감소되고 궤환 회로의 시간 지연으로 인한 특성 변화가 발생하며, predistortion은 선형성 개선 효과가 크지 않고 predistortor로 인한 입력 RF 신호의 감쇄가 큰 단점이 있으나, 본 기술에서는 간단한 회로 구성으로 외부 조건의 변화에 안정하고 증폭기의 구현과 동작시 톨러런스가 큰 선형 전력 증폭기를 구현함으로써 상술한 결점을 개선시킬 수 있는 것으로, 간단한 회로 구성으로 외부 조건의 변화에 안정하고 증폭기의 구현과 동작시 톨러런스가 큰 선형 전력 증폭기의 구현에 유용하다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술은 전전자 교환기에서 통화중인 두 가입자간에 발생하는 호절단(CutOff Call)을 검출하여 호절단시 행해지는 과금 처리가 이루어지지 않도록 하거나, 우회 경로를 통해 다시 호가 연결되도록 한 전전자 교환기의 가입자 제어 회로에서통화중 호절단 확인 장치에 관한 것으로, 통화중에 발생하는 PCM(Pulse Coded Modulation) 데이타를 검출하고, 이 검출된 데이터중 음성 데이타의 송수신이 없을 시 발생하는 PCM 데이타가 연속으로 수 회 검출되면 이를 호절단으로 판단하여 운용자에게 알림으로써 과금이 수행되지 않도록 하거나, 다른 우회 경로를 통해 통화가 계속 이루어질 수 있도록 하는 장치를 제공하여 가입자들의 호 서비스에 대한 신뢰성을 향상시킴을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위한 본 기술 전전자 교환기의 가입자 제어회로에서 통화중 호절단 확인 장치는, 8비트의 PCM 디지탈 데이타를 할당된 타임 슬롯에 싣는 PCM 데이타 할당부와, 타임 슬롯 상에 실린 PCM 데이타를 해당 타임 슬롯의 전송타이밍에 타임 스위치 측으로 송신하는 PCM 데이타 송신부와, 타임 스위치에서 스위칭 되어 오는 상대 가입자로부터의PCM 데이타를 해당 타임 슬롯의 입력 타이밍에 수신하는 PCM 데이타 수신부와, 수신된 PCM 데이타를 타임 슬롯 상에서 추출하는 PCM 데이타 추출부를 포함하는 전전자 교환기의 가입자 제어 회로에 있어서, 상기 PCM 데이타 할당부로부터 타임 슬롯에 실린 PCM 데이타를 읽어들여 음성 데이타의 입력이 없을 시 발생하는 PCM 데이타인지 아니면 정상적인 음성 데이타에 의한 PCM 데이타인지를 확인하는 제1PCM 데이타 확인부와; 상기 제1PCM 데이타 확인부에 의해 확인된 PCM 데이타가 정상이면 상기 PCM 데이타 송신부로 바로 출력하고, 음성 데이타가 실리지 않은 PCM 데이타로 확인이 되면 최상위비트는 로우 상태로 변환시키면서 나머지 7비트의 데이타는 그대로 상기 PCM 데이타 송신부로 출력하는 PCM 데이타 변환부와; 상기 PCM 데이타 수신부를 통해 수신된 타임 슬롯에 실린 PCM 데이타를 읽어들여 상대방으로부터 음성 데이타의 발생이 없음에 의해 변환되어 온 PCM 데이타인지 아니면 정상적인 PCM 데이타인지를 확인하는 제2PCM 데이타 확인부와; 상기 제2PCM 데이타 확인부에서 확인된 데이타 중 음성 데이타의 발생이 없음에 의해 변환된 PCM 데이타가 연속으로 소정 횟수만큼 입력되면 호절단임을 확인하고, 읽어들인 데이타는 상기 PCM 데이타 추출부로 전송하는 오데이타 확인부와; 상기 오데이타 확인부에 의해 입력된 PCM 데이타가 호절단에 의한 것임이 확인되면 호절단 발생 신호를 출력하여 운용자에게로 알리는 호절단 메세지 출력부를 포함하는 것을 특징으로 한다.음성 데이타가 송수신되지 않을 경우 발생하는 특정 PCM 데이타의 연속 발생 횟수에 의해 호절단을 쉽게 확인할 수 있게 됨으로써 호절단에 의한 과금이 부당하게 수행되지 않게 되며, 또한 가입자들이 호절단 상태를 모르는 상태에서 정상적인 호의 연결이 가능하게 되어 가입자들의 호 서비스에 대한 신뢰성이 향상된다.따라서, 음성 데이타가 송수신되지 않을 경우 발생하는 특정 PCM 데이타의 연속 발생 횟수에 의해 호절단을 쉽게 확인할 수 있게 됨으로써 호절단에 의한 과금이 부당하게 수행되지 않게 되며, 또한 가입자들이 호절단 상태를 모르는 상태에서 정상적인 호의 연결이 가능하게 되어 가입자들의 호 서비스에 대한 신뢰성이 향상된다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 전지 시험 장치에 관한 것으로, 특히 하나의 디지탈/아날로그 변환기를 사용하여 시분할 방식으로 전압 및 전류를 설정할 수 있다.본 기술에 의한 다중 경로 전지 시험 장치는, 컴퓨터로부터 설정할 전압 및 전류 데이터를 입력하고 각 전지의 상태와 관련된 데이터를 상기 컴퓨터로 전송하기 위한 컴퓨터 인터페이스부; 상기 컴퓨터 인터페이스부로 부터 상기 설정할 전압 및 전류 데이터를 입력하여 처리하고 내장된 메모리에 저장된 상기 전지 상태와 관련된 데이터를 상기 컴퓨터 인터페이스부로 출력하기 위한 제 1 마이크로 콘트롤러; 상기 제 1 마이크로 컨트롤러로부터 상기 설정할 전압 및 전류 데이터를 입력하여 아날로그 신호로 변환하기 위한 전압 및 전류 설정부; 상기 전압 및 전류 설정부에서 출력되는 전압 및 전류 신호를 입력하여 상기 전지의 상태에 관계없이 일정한 전압 및 전류를 유지시키기 위한 정전압 및 정전류 조절부; 및 각 전지의 상태를 측정하여 상기 전지 상태 데이터를 출력하는 전압 및 전류 측정부를 구비하며, 상기전압 및 전류 설정부는, 상기 제 1 마이크로 콘트롤러로부터 제어신호 및 데이터를 입력하여 경로 선택 제어 신호, 제 1제어신호 및 데이터를 출력하는 제 2 마이크로 콘트롤러; 상기 제 2 마이크로 콘트롤러에서 출력되는 데이터를 상기 제 1제어신호에 따라 아날로그신호로 변환하는 디지탈/아날로그 변환기; 상기 디지탈/아날로그 변환기에서 출력되는 신호를상기 경로 선택 제어 신호에 따라 해당 출력단으로 출력하기 위한 아날로그 멀티플렉서; 및 상기 아날로그 멀티플렉서의 각 출력단에서 출력되는 전압을 유지시키기 위하여 상기 출력단에 접속된 복수의 충전수단을 포함하여 구성한다다중 경로 전지 시험 장치는, 경로수에 상관없이 전압 및 전류 설정부에 1개의 디지탈/아날로그 변환기를 사용하므로 제작비가 낮아지며 하드웨어의 크기를 줄일 수 있고, 소자수가 적어지므로 소자들간의 간섭을 줄일 수 있어 기기의 오동작을 방지할 수 있으며 잡음도 줄일 수 있어 정밀한 측정이 가능하고 소비전력이 감소되는 이점이 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 기술은 컴팩트 디스크에 관한 것으로, 특히 컴팩트 디스크의 트랙층을 다중으로 형성하여 정보를 대량으로 저장하고, 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저(3D multiple-wave length whispering gallery laser)를 이용하여 각 층의 트랙에 저장되어 있는 정보를 독출하기 위한 다중층 컴팩트 디스크 및 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저를 이용한 다중층 컴팩트 디스크 정보 검출 장치에 관한 것으로, 컴팩트 디스크의 트랙층을 다중으로 형성하여 정보를 대량으로 저장할 수 있는 다중층 컴팩트 디스크를 제공하고, 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저를 이용하여 다중층 컴팩트 디스크의 각 층의 트랙에 저장되어 있는 정보를 독출하기 위한 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저를 이용한 다중층 컴팩트디스크 정보 검출 장치를 제공하는 것이다.본 기술에 의한 다중층 컴팩트 디스크는, 복수의 트랙이 구비된 제1층; 및 상기 제1층에 적층된 복수의 트랙을 구비한 제2층을 포함하며, 상기 제1층의 하부에는 제1파장의 광은 반사시키고 제2파장의 광은 투과시키는 제1협대역 반사 코팅부가 구비되어 있으며, 상기 제2층의 하부에는 제2파장의 광을 반사시키는 제2협대역 반사 코팅부가 구비되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 다른 과제를 이루기 위하여 본 기술에 의한 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저를 이용한 다중층 컴팩트 디스크정보 검출 장치는, 단일 레이저에서 파장의 길이가 다른 복수의 레이저 빔을 각각 다른 각도에서 발생하는 삼차원 다파장위스퍼링 갤러리 레이저; 및 상기 삼차원 다파장 위스퍼링 레이저에서 발생된 상기 복수의 레이저 빔이 각 층의 하부에협대역 반사 코팅부가 구비된 다중층 컴팩트 디스크의 각 층내의 트랙에 조사된 후 반사되어 나오는 복수의 레이저 빔을 각각 검출하기 위한 복수의 광 검출기를 포함하여 구성한다. 또한, 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저를 이용한 다중층 컴팩트디스크 정보 검출 장치는, 단일 레이저에서 편광 특성이 다른 복수의 레이저 빔을 각각 다른 각도에서 발생하는 다중 편광 어레이부; 및 상기 다중 편광 어레이부에서 발생된 상기 복수의 레이저 빔이 각 층의 하부에 편광성 반사 코팅부가 구비된 다중층 컴팩트 디스크의 각 층내의 트랙에 조사된 후 반사되어 나오는 복수의 레이저 빔을 검출하기 위한 복수의 광검출기를 포함하여 구성한다. 또한 다중 편광 어레이부는 편광특성이 다른 복수의 레이저 빔을 발생하는 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저; 및 상기 삼차원 다파장 위스퍼링 레이저에서 발생된 각 레이저 빔을 각 편광특성별로 인입하여 출력하는 복수의 광 전달부를 포함하여 구성한다.본 기술에 의한 다중층 컴팩트 디스크 및 삼차원 다파장 위스퍼링 갤러리 레이저를 이용한 다중층 컴팩트 디스크 정보 검출 장치는, 컴팩트 디스크의 트랙층을 다중으로 형성하여 정보를 대량으로 저장할 수 있고, 다중층 컴팩트 디스크의 각 층의 트랙에 저장되어 있는 정보를 동시 병렬 처리 방식으로 독출할 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : 이하, HBT라 칭함)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 온도 안정용 베이스 저항 및 우회 축전기를 보다 효율적으로 형성한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 개선된 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 베이스 영역을 온도 안정용 저항으로 사용하고, 공핍 보호층을 우회 축전기로 사용할 수 있는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 개선된 구조와 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.상술한 목표를 달성하기 위한 본 기술의 일관점에서는, 이종 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 반절연성 반도체 기판의 상부에 형성된 콜렉터 접촉층; 상기 콜렉터 접촉층의 중앙 상부에 순차적으로 형성된 콜렉터층 및 베이스층; 상기 콜렉터층 및 베이스층이 형성되지 않은 상기 콜렉터 접촉층의 외곽 상부에 상기 콜렉터층 및 베이스층과 소정 간격 이격되어 형성된 콜렉터 전극; 상기 베이스층의 중앙 상부에 형성된 공핍 보호층; 상기 공핍 보호층의 중앙 상부에 상기 공핍 보호층과 동일한 물질로 형성된 에미터층; 상기 에미터층의 상부에 형성된 에미터 접촉층; 상기 에미터 접촉층의 상부에 상기 에미터 접촉층보다 넓은 범위로 형성된 에미터 전극; 상기 에미터 전극, 에미터 접촉층, 에미터층과 소정 간격 이격된 상기 베이스층 및 공핍 보호층의 상측 일부에 형성된 베이스 전극으로 이루어진 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조를 제공한다.이종접합 바이폴라 트랜지스터는 베이스 전극과 공핍보호층이 겹치는 부분의 하단에 형성된 베이스층이 온도 안정용 저항으로 작용하고, 베이스 전극 하부에 형성된 공핍 보호층이 우회축전기로 작용하므로, 추가 공정 및 면적 증대 없이도 온도에 대한 안정성과 고주파에서의 우수한 효율, 이득, 출력 특성을 얻을 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 기술은 마이크로드릴링 시스템의 토크-트러스트 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 토그와 트러스트를 동시에 측정할 수 있도록 피삭제를 고정시킬수 있는 구조로 설계되어 드릴 하부베드에 용이하게 장착될 수 있는 마이크로드릴링 시스템의 토크-트러스트 센서에 관한 것으로, 간단한 구조로 토크 및 트러스트를 동시에 측정할 수 있는 마이크로드릴링 시스템의 토크-트러스트 센서를 제공하는 것이다.본 기술의 다른 목적은 마이크로드릴링 시스템에 장착이 용이하면서도 원하는 분해능을 얻을 수 있는 구조를 가지는 마이크로드릴링 시스템의 토크-트러스트 센서를 제공하는 것이다.이러한 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 기술의 마이크로드릴링 시스템의 토크-트러스트 센서는 각각 중앙에 리니어가이드를 구비하는 상단부와 하단부로 구성된 토크 센서 본체와, 상기 리니어 가이드에 형성된 나사부에 결합되도록 상하단에 나사가 돌출형성되고, 중앙에 토크를 감지하는 스트레인 게이지가 부착되는 시편과, 상기 상부 리니어 가이드의 상부에 결합되는 피삭제 고정 베드와, 상기 토크 센서 본체의 하단부 아래의 드릴 하부베드와의 사이에 부착되어 트러스트를 감지하는 트러스트 센서로 이루어지고, 상기 토크와 트러스트가 분리되어 각각 측정되는 것을 특징으로 한다.본 기술에 의하면, 마이크로드릴링 시스템에 장착이 용이하면서도 토크와 트러스트를 동시에 측정가능하므로, 생산성이 향상되는 효과를 가진다.본 기술의 토크-트러스트 센서는 드릴 가공시, 토크와 트러스트를 동시에 측정할 수 있고, 피삭제를 센서시스템에 고정시킬 수 있는 구조로 설계하여 드릴 하부베드에의 장착이 용이한 효과를 가진다.상술한 바와 같이 본 기술의 토크-트러스트 센서는 드릴 가공시, 토크와 트러스트를 동시에 측정할 수 있고, 피삭제를 센서시스템에 고정시킬 수 있는 구조로 설계하여 드릴 하부베드에의 장착이 용이한 효과를 가진다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-21
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 선형 증폭기에 관한 것으로서, 특히 저주파 2차 상호왜곡성분의 전방궤환 방법을 이용한 선형 증폭기에 관한 것으로, 전방궤환에 의한 선형 증폭회로의 안정적인 특성을 유지하며 3차 상호왜곡성분을 감쇄시키는 저주파 2차 상호왜곡성분의 전방궤환 방법을 이용한 선형 증폭기를 제공하는 데 있다.목적을 달성하기 위한 본 기술에 의한 기본신호에 대한 3차 상호왜곡성분을 감쇄시키기 위해 저주파 2차 상호왜곡성분의 전방궤환 방법을 이용한 선형 증폭기는, 기본신호의 전력을 증폭하는 트랜지스터; 트랜지스터의 게이트에 접속되어 입력되는 상기 기본신호원과 임피던스을 매칭시키는 입력임피던스 매칭부; 트랜지스터의 게이트와 일단이 접속되어 상기 기본신호의 2차 상호왜곡성분신호 통과시키는 제1필터부; 제1필터부의 타단에 접속되어 상기 2차 상호왜곡신호를 소정의 전압이득으로서 증폭하는 저주파 증폭기; 저주파 증폭기의 출력단과 상기 트랜지스터의 드레인 출력단 사이에 직렬로 접속되어 증폭된 2차 상호왜곡신호를 필터링하여 상기 트랜지스터의 출력단으로 전방궤환시키는 제2필터부; 및 트랜지스터의 출력단에 접속하여 외부 로드와의 임피던스를 매칭시키는 출력임피던스 매칭부를 구비하여 구성한다.본 기술에 따른 선형 증폭기는 기본신호의 저주파인 2차 상호왜곡성분을 전력증폭 트랜지스터의 출력단에 전방궤환시킴으로써, 전방궤환에 따른 회로상의 안정한 특성을 유지하며, 기본신호의 주파수와 근접해 있는 3차 상호왜곡성분을 양호하게 감쇄시킨다.본 기술에 따른 선형 증폭기는 기본신호의 저주파인 2차 상호왜곡성분을 전력증폭 트랜지스터의 출력단에 전방궤환시킴으로써, 전방궤환에 따른 회로상의 안전한 특성을 유지하며, 기본신호의 주파수와 근접해 있는 3차 상호왜곡성분을 양호하게 감쇄시킨다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 교류쵸퍼를 이용한 순시전압보상기에 관한 것으로, 특히 산업계에서 입력전원전압의 변동을 보상하여 불안정하고 외란이 많은 전원전압에 대하여 민감한 부하를 보호할 수 있도록 한 교류쵸퍼를 이용한 순시전압보상기에 관한 것이다.본 기술은 입력전압의 상과 동상 또는 역상 모두 제어가 가능하도록 하여 전원전압의 변동을 용이하게 보상할 수 있도록 함으로써, 불안정하고 외란이 많은 입력전원전압으로 부터 민감한 부하를 보호할 수 있도록 하고자 하는데 있다.상기의 목적을 실현하기 위하여 본 발명은 입력전원단으로 출력되는 전압을 검출하는 전압검출기와, 상기 전압검출기로부터 검출되어 출력되는 전압과 차동증폭기 이득의 제곱인 곱을 입력하여 기준전압을 출력하는 전압제어기와, 상기 입력전원단으로 입력되는 전압의 극성신호를 검출하는 극성검출기와, 상기 전압제어기로 부터 입력되는 기준전압과 상기 극성검출기로 검출된 극성신호를 입력으로 하여 교류쵸퍼 스위치의 스위칭함수 신호를 출력하는 교류쵸퍼스위치제어기와, 상기 교류쵸퍼스위치제어기의 스위칭함수신호에 의하여 스위칭 구동하는 스위칭구동회로로 구성하였다.본 기술은 산업계에서 사용되는 입력전원단으로 입력되어 출력되는 전압을 검출하고, 이 검출된 전압으로부터 기준전압을 출력하고 상기 기준전압과 상기 상기 입력전원단으로 입력되는 전압의 극성신호를 검출한 극성신호를 입력으로 하여 교류쵸퍼스위치제어기를 통해서 스위칭함수 신호를 출력하고 이 스위칭함수신호로 스위칭구동회로를 구동하여 출력단의 교류쵸퍼의 출력단의 전압을 보상함으로써, 불안정하고 외란이 많은 입력전원전압으로 부터 민감한 부하를 보호할 수 있는 효과를 제공하게 되는 것이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 근거리 광 네트웍을 위한 새로운 형태의 대구경 광섬유에 관한 것이다.기존의 근거리 광 네트웍에 쓰이는 다중모드 실리카 광섬유는 단일모드 광섬유에 비해서 코어의 크기가 매우 크므로 광원이나 검출기 또는 광섬유끼리의 연결이 용이하다는 장점이 있지만, 모드간의 전파속도 차이에 의한 모드분산 현상으로 인해서 많은 양의 데이터를 전송할 수 없다는 단점을 가진다. 최근, 근거리 광통신과 홈네트웍을 위해 실리카 광섬유보다 다루기 쉽고 전송 대역폭이 더욱 넓은 그레이디드 인덱스 형태의 플라스틱 광섬유가 개발되었지만, 그레이디드 인덱스 광섬유는 그 제작 방법이 복잡하여 대량 생산에 어려움이 있다.따라서, 본 기술은 광자격자 구조를 이용하여 코어의 지름 크기를 매우 크게 하면서도 유도되는 모드의 수를 크게 줄인 새로운 형태의 근거리 광통신을 위한 광섬유를 제안하고자 한다.본 기술에 의한 광섬유는 한 개의 주된 소재와 공기 구멍을 이용한 근거리 광통신용 광자격자 구조로 이루어져 있다. 또한, 두 개의 플라스틱 물질, 두 개의 유리 물질, 유리로 된 코어에 광자격자 형태의 플라스틱 클래딩 물질을 사용하여 근거리 광통신용 광자격자 형태의 광섬유를 제조할 수 있다. 기체 또는 끊는 점이 플라스틱 광섬유보다 높은 오일 등의 액체를 광섬유 모재의 공기 구멍 사이에 넣은 후 일정한 압력을 가해줘서 광섬유 인출 시 공기 구멍이 막히는 것을 방지한다. 이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광자격자 구조를 이용한 광섬유는 코어의 크기가 그레이디드 인덱스 광섬유처럼 50에서 500 마이크론 정도로 매우 크게 하면서도 지원되는 모드의 숫자가 매우 적거나 또는 단일모드만을 지원하므로 기존의 다중모드 광섬유들에 비하여 모드분산에 의한 대역폭의 제한문제를 현저히 개선할 수 있다. 또한, 광자격자 구조의 광섬유와 그레이디드 인덱스 광섬유의 장점을 결합하여, 광섬유의 코어부분을 광섬유 중심으로부터 바깥쪽 클래딩 부분으로 갈수록 굴절률이 연속적으로 서서히 변하는 그레이디드 인덱스 형태의 굴절률 구조를 갖게 만들어 주면 모드 분산에 의한 대역폭의 제한을 최소시킬 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 석영유리관 양 끝단을 부분함몰시킨 후 불순물성분 도핑공정을 수행함으로써, 안정적인 불순물 성분의 도핑을 수행함과 더불어 도핑 물질의 양을 증가시킬 수 있는 기술에 관한 것이다.기존의 광섬유모재 제조방법은 현재까지의 불순물 성분의 사이즈보다 큰 사이즈, 즉 수 nano크기의 반도체 미립자를 도핑하는데에는 어려움이 있다. 이에, 불순물성분 도핑장치는 코어층의 소결부분을 제한하여 도핑되는 불순물성분의 양을 한정시키도록 하고 있다. 그러나, 이와 같이 불순물성분의 도핑 양을 제한하는 것은 불순물의 도핑양에 의해 영향을 받는 기능성 광섬유, 특히 비선형 광섬유의 특성을 제한하는 결과를 낳게 되는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 클래딩층과 코어층이 형성된 광섬유모재의 시작부분과 끝부분을 부분 함몰시킨 후, 불순물성분의 도핑공정을 수행하도록 함으로써, 기존 광섬유모재 생성장치를 통해 광섬유모재의 코어층이 균일하게 형성되도록 불순물성분을 도핑하고, 다소 큰 사이즈의 반도체 미립자를 도핑하여 안정적인 비선형특성을 갖는 비션형광섬유를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 수정된 화확기상증착법에 의한 광섬유모재 제조방법은 석영유리관 내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결하여 이 부분소결된 부분에 불순물성분을 도핑시켜 소정 기능을 갖는 광섬유모재를 생성하고, 클래딩층 및 부분소결된 코어층이 형성된 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시킨 후, 불순물성분을 도핑시키도록 한다.본 기술에 의한 비선형 광섬유는 석영유리관 내에 클래딩층 및 코어층을 형성하고, 코어층을 부분소결한 후 석영유리관의 양 끝단을 부분 함몰시키고, 부분 함몰된 석영유리관으로 소정 불순물성분을 도핑하여 생성한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 석영유리관의 양단을 부분 함몰시킨 후, 불순물성분이 함유된 물질, 예컨대 반도체 미립자를 도핑시킴으로써, 별도의 장치 없이 기존 광섬유모재 제조장치를 이용하여 안정적인 불순물성분 도핑공정을 수행할 수 있게 됨은 물론, 이에 따라 안정적인 특성을 갖는 비선형 광섬유를 생성할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 비교적 단거리 사이에 빛을 효율적으로 전달할 수 있는 플라스틱 광섬유와 이를 이용한 발광 장치에 관한 것이다.기존의 플라스틱 광섬유의 제조방법은 코어 내부에 빛을 산란시킬 수 있는 기포와 같은 불순물을 넣거나 코어와 클래딩 표면에 기계적 혹은 열적으로 불균일성 즉, 물리적 손상을 주어 빛을 산란시키는 방법이 사용되어져 왔다. 이렇게 제작된 표면 방출 플라스틱 광섬유는 일반 플라스틱 광섬유와 연결되어 특정한 부분에서만 빛을 발광시켜 광원으로 사용될 수 있다. 그러나, 기존의 방법은 이미 제작된 플라스틱 광섬유에 코어의 기포나 코어와 클래딩 계면의 불균일성을 주기 위해 추가적인 작업을 해야 되므로 생산성이 떨어지게 된다.따라서, 본 기술은 표면 발광 효과를 얻을 수 있는 플라스틱 광섬유의 보다 쉬운 제작방법과 구조를 제시하고자 한다.본 기술에 의한 표면 발광 플라스틱 광섬유는 플라스틱 광섬유의 코어부분을 투명하게 하고 클래딩부분에 기포나 불균일한 미세 조직을 형성하도록 하여, 이로 인해 코어를 통해 진행하는 빛이 코어와 클래딩 사이의 불균일한 계면을 만나 임의의 방향으로 산란되도록 구성한다. 또한, 광섬유의 코어와 클래딩 사이에 기포나 불균일한 미세 조직을 갖는 얇은 플라스틱 층을 코팅하여 플라스틱 광섬유의 표면을 통해 빛이 산란되도록 한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 제작과정이 매우 용이하여 쉽고 저렴하게 발광 효과를 얻는 플라스틱 광섬유를 얻을 수 있다. 이는 기존의 방법이 이미 제작된 플라스틱 광섬유에 추가적인 공정을 거쳐야 발광효과를 가지게 할 수 있음에 비해 그 자체로 광원과 연결되어 사용될 수도 있고 일반 플라스틱 광섬유와 연결되어 사용될 수도 있다. 발광효과를 얻기 위해서는 표면 발광 플라스틱 광섬유의 코어 부분에 빛을 넣어 주어야 하는데, 이는 광원과 표면 발광 플라스틱 광섬유의 코어 부분을 직접 연결하거나 빛이 전파되고 있는 일반 플라스틱 광섬유의 끝을 표면 발광 플라스틱 광섬유와 연결할 수도 있다. 따라서, 표면 발광 플라스틱 광섬유를 응용한 발광 시스템은 빛을 통한 장식효과, 네온사인과 같은 시각적 정보전달효과, 혹은 길고 가는 발광 특성을 이용한 광원 등으로 사용될 수 있다.
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-06-13
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 비정질 실리콘 양자점 미세구조를 이용한 메모리 소자에 관한 것이다.기존의 메모리 소자는 짧은 저장 시간이나 휘발성의 문제가 있지만, 기존의 메모리 소자보다 시간이 길고, 응답속도가 빠르며, 비휘발성의 특성을 갖는 양자점 메모리 소자가 연구되고 있다. 양자점 미세구조의 크기 분포를 늘임으로써 기억용량을 늘일 수 있다. 그러나, 양자점 미세구조가 메모리 소자에 응용되기 위해서는 양자점 미세구조에 전자나 정공이 구속되어야 한다. 다시 말해서, 양자점 미세구조가 충전되어야 하는데, 이를 위해서는 장벽층으로 양자점 미세구조가 둘러 쌓여 있어야 한다.따라서, 본 기술은 양자점 미세구조를 이용하여 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠른 메모리 소자를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 메모리 소자는 메모리 특성을 갖는 구조가 비정질 실리콘 양자점 미세구조로 이루어진 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 박막으로 이루어져 있다.본 기술에 의한 메모리 소자의 제조 방법은 실리콘원 가스와 질소원 가스 또는 산소원 가스를 1:100 내지 1:5000의 비율로 박막 성장 시스템에 공급하여 1.4 내지 3.3nm/분dml 성장속도로 투명 기판상에 박막을 성장시킴으로써 비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 발광층을 형성시킨다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 비정질 실리콘 양자점을 제작함으로써 우수한 특성을 가진 메모리 소자를 제작할 수 있다. 또한, 기억저장 시간이나 빠른 응답속도, 비휘발성, 대용량화 등의 향상된 메모리 특성을 얻을 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 소정 파장대역에서 광흡수율이 음의 기울기특성을 갖는 제 1금속이온과 소정 파장대역에서 광흡수율이 음의 기울기특성을 갖는 제 2금속이온을 광섬유의 코어층에 도핑하여 소정 파장대역에서의 광 감쇄특성이 평탄한 감쇄기능을 갖는 광감쇄기용 광섬유에 관한 것이다.기존의 전송측으로부터 출력되는 신호의 레벨이 고출력신호이고 수신장치가 전송측과 가까운 곳에 설치되어 있는 경우에는 수신장치에서는 전송측으로부터 고출력으로 수신되는 신호를 정확하게 검출하지 못한다. 이에, 광신호 수신장치의 전단에서 수신되는 광신호의 레벨을 감쇄시키는 방법이 이용되고 있다. 그러나, 필터 형태의 광감쇄기는 광신호를 감소시키는 영역이 너무 작아 미세한 흡수의 정도를 조절하기 어렵다는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 광섬유의 코어에 광신호대역에서 광흡수율이 음의 기울기특성을 갖는 금속이온과 양의 기울기특성을 갖는 금속이온을 도핑하되, 광신호대역에서 평탄한 감쇄특성을 갖고, 광섬유의 코어에 광신호대역에서의 광흡수율이 감소하는 금속이온이 첨가된 광섬유와 광신호대역에서의 광흡수율이 증가하는 금속이온이 첨가된 광섬유를 직렬로 결합하여 광신호대역에서 평탄한 감쇄특성을 갖는 광감쇄기용 광섬유를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 광감쇄기용 광섬유는 코어층에 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 하강하는 제 1금속이온인 철(Fe), 크롬(Cr), 망간(Mn) 성분중 적어도 하나 이상의 성분과, 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 상승하는 제 2금속이온인 코발트(Co)성분이 코도핑되어 구성된다. 또한, 코어층에 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 하강하는 제 1금속이온인 철(Fe), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn) 성분중 적어도 하나 이상의 성분과, 소정 파장대역에서 광 흡수특성이 상승하는 제 2금속이온인 니켈(Ni)성분이 코도핑되어 구성된다. 이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 소정 광신호파장대역에서 음의 기울기특성을 갖는 제 1금속이온과, 양의 기울기특성을 갖는 제 2금속이온, 특히 철(Fe)이나 크롬(Cr), 망간(Mn)과 같은 제 1금속이온과 니켈(Ni)이나 코발트(Co)와 같은 제 2금속이온을 광섬유의 코어층에 도핑하거나, 제 1금속이온이 도핑된 광섬유와 제 2금속이온이 도핑된 광섬유를 직렬로 결합하여 소정 레벨의 평탄한 감쇄이득을 갖을 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-20
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 광섬유 표면 위에 은거울 반응을 이용하여 은을 코팅한 후 그 특성을 파악함으로서 광섬유 코팅 물질로서 은을 사용하기 위한 기술에 관한 것이다.기존의 딥 방식의 금속코팅 방법은 가장 경제적이고 저렴하게 금속을 코팅할 수 있으나, 코팅하기가 어려우며 광섬유 격자에서는 사용이 어려웠다. 즉, 금속코팅의 유용성은 많이 알려져 있었으나 금속코팅 자체의 어려움 때문에 금속코팅으로 광섬유가 널리 이용되지 못해 왔다. 그 외에 기존의 다른 방식들은 고가의 장비가 필요하고, 시간이 많이 걸리며, 광섬유 특성상 표면 전체를 균일하게 코팅해야 하는데 딥방식을 제외한 다른 방식은 한 방향으로만 코팅이 가능하기 때문에 원 전체를 균일하게 코팅하기가 어려웠다. 또한, 광섬유와의 접촉력도 우수하지 못하였다.따라서, 본 기술은 질산은을 이용한 은거울 반응을 이용하여 광섬유 표면 위에 화학적인 반응을 일으켜 광섬유를 쉽고 균일하게 코팅하고자 한다.본 기술에 의한 장주기 광섬유 격자의 금속 물질 코팅방법은 단일 격자 또는 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유를 구비하고, 장주기 광섬유의 상, 하부 표면의 소정 부위에 은거울 반응을 이용하여 금속물질로 은을 코팅한다. 금속물질의 코팅은 단일 장주기 광섬유 격자인 경우 격자가 형성되어 있는 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 격자와 격자사이의 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 일측의 격자가 형성되어 있는 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 일측과 타측의 격자가 형성되어 있는 상, 하부 표면 위에만 은을 코팅하고, 격자쌍이 구비된 장주기 광섬유 격자인 경우 일측의 격자와 타측의 격자 사이를 포함하는 격자쌍 전체의 상, 하부 표면 위에 은을 코팅한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 금속의 특성상 고온에서 사용이 가능하고, 외부의 습기 침투를 막아 광섬유의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 납땜이 가능하여 소자 패키징에 매우 유리하다. 광섬유에 금속물질로 은을 코팅함으로서 용액의 농도나 실험 횟수를 조절하여 쉽게 두께를 조절할 수 있으며, 고가의 장비가 필요없기 때문에 경제적으로 코팅을 할 수 있다. 짧은 시간안에 코팅을 할 수 있어 대량 생산에 용이하며, 소자 패키징에 매우 유리하여 광섬유 센서나 필터 등의 여러 가지 다양한 광소자에 적용할 수 있는 이점이 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-20
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 HTMT 구조의 장벽층을 금속-반도체-금속형 광검출기의 쇼트키 장벽층으로 활용하고 HEMT 구조의 채널층의 일부를 p형으로 도핑하여 광흡수층으로 활용하는 HEMT 구조를 이용한 광검출기에 관한 것이다.기존의 금속-반도체-금속형 광검출기는 광 흡수층에서 발생된 정공이 낮은 n형인 광 흡수층 내에 형성되는 전계에 의해 위쪽(금속 전극 방향)으로 이동되어 금속 전극에 의해 전류로 변환될 수 있는 확률이 증가되는 반면, 전자는 광 흡수층 내에 형성되는 전계에 의해 아래쪽(금속 전극과 반대 방향)으로 이동되어 금속 전극에 의해 전류로 변환될 수 있는 확률이 감소되어 광 검출기의 속도 특성의 장애가 되는 문제점이 있었다.따라서, 본 기술은 HEMT 구조를 갖는 금속-반도체-금속형 광검출기 구조를 이용하여 광흡수층에서 발생되는 정공이 금속 전극에 도달할 수 있는 확률을 감소시켜서 정공에 의한 광전류를 축소시킴으로써 광검출기의 속도 특성을 향상시키고자 한다.본 기술에 의한 HTML 구조를 이용한 광검출기는 반절연 기판 위에 성장되고 도핑되어 있지 않은 버퍼층과, 버퍼층 위에 성장되고 p형으로 도핑되어 있으며, 광신호를 흡수하여 전자 정공쌍을 생성시키고 전달하는 제1 채널층과, 채널층 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 광신호를 흡수하여 전자 정공쌍을 생성시키고 전달하는 제2 채널층과, 제2 채널층 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 제1 및 제2 채널층보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어진 제1 장벽층과, 장벽층 위에 성장되고 n형으로 델타 도핑되어 있으며, 제1 및 제2 채널층보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 제2 장벽층과, 제2 장벽층 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 제1 및 제2 채널층보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어진 제3 장벽층을 포함한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 인헨스먼트 모드 HEMT의 장벽층 구조를 활용하고 채널층의 아래 부분 일부를 p형으로 도핑함으로써 광검출기의 속도 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 기존의 금속-반도체-금속형 광검출기에 비하여 넓은 주파수 대역폭 특성을 갖기 때문에 보다 높은 속도의 광신호 처리를 요구하는 초고속 광통신용 수신기 또는 마이크로웨이브/밀리미터웨이브-광통신용 광전 변환기에 널리 응용될 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 위상제어정류기인 다이리스터 정류기를 사용하는 트랜스형 능동필터를 사용한 전류원 전원회로에 관한 것이다.기존의 고안정 전원장치는 트랜지스터 뱅크형 선형 안정기를 사용하고 있으나, 고안정 전원장치의 효율이 낮고, 제어회로가 복잡하며, 트랜지스터 뱅크의 신뢰성이 낮고, 부하 잡음에 대한 출력전류리플이 크게 되는 등의 문제점이 있다.따라서, 본 기술은 전원전압을 검출하지 않고서도 위상고정발진기를 사용한 전압제어기법에 의하여 다이리스트의 위상제어정류기를 빠르게 점호시킬 수 있고, 위상제어정류기의 출력전압에 포함되어 있는 리플성분을 인덕터-콘덴서 필터를 통해 어느 정도 제지시킨 다음 트랜스형 능동필터에 의해 콘덴서 리플전압 및 부하잡음전압을 제지시켜 고효율 및 고안정도의 전류원 전원회로를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 트랜스형 능동필터를 사용한 전류원 전원회로는 3상전원을 6상전원으로 변환하는 6상트랜스, 6상트랜스의 6상전원을 정류하는 다이리스터정류부와, 다이리스터정류부의 출력에서 불평형전류흐름을 방지하는 상간리액터와, 상간리액터의 출력전압을 평활하여 고주파 성분의 리플을 제거하는 엘씨필터부와, 엘씨필터부의 출력전압에서 저주파성분의 리플을 제거하여 부하에 공급하는 트랜스형 능동필터와, 부하를 통하는 직류전류를 검출하는 직류전류검출기와, 직류전류검출기의 검출전류에서 리플성분을 검출하는 리플검출기와, 리플검출기의 검출신호를 증폭하여 트랜스형 능동필터에 역위상신호로 인가하는 B급증폭기와, 지령전압에 상간리액터의 출력전압을 감산시킨 후, 그 차이전압을 증폭시켜 출력하는 감산부와, 감산부의 출력전압을 제어전압으로 입력받아 주파수를 발생하는 전압제어발진기와, 전압제어발진기의 주파수에 따라 다이리스터정류부의 다이리스터를 순차적으로 턴온시키기 위한 스위칭신호를 출력하는 점호발생기로 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 전원전압을 검출하지 않고 위상고정발진기를 사용한 전압제어기법에 의해 다이리스터 정류기를 점호시키는 것이므로 전원전압이 불평형상태이거나 전압파형이 일그러져 있을 경우에도 그 영향을 받지 않게 되고, 전원주파수의 한 주가마다 12번씩 교정함으로써 전원전압의 변동에도 보상할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 전력변환에 사용되는 전력반도체 소자에 대하여 파괴에 주 원인이 되는 과전류를 검출하고 제한하여 과전류로부터 전력반도체 소자를 보호할 수 있도록 한 전력반도체 소자의 과전류 보호 회로에 관한 것이다.기존에는 전력반도체 소자를 과전류로부터 보호하기 위하여 전류를 검출하여 보호하거나, 또는 반도체 소자의 구동기에서 자체적으로 보호할 수 있는 방식을 사용하고 있다. 전류를 검출하여 보호하는 방식은 주로 전류센서를 이용하고 있으나, 전류센서를 이용할 경우 반도체 소자의 스위칭시 발생하는 노이즈로 인해 전류센서 출력에 필터를 사용하게 되며, 이 경우 전류의 응답성이 소자의 보호에 영향을 주게 된다. 반면에, 반도체 소자의 구동기에서 자체적으로 보호를 하는 방식의 경우에는 구동기마다 소자를 보호하는 회로를 각각 구현해야 하므로 구동기 회로가 복잡해지고 비용도 증대도며, 특히 다수의 반도체 소자를 사용하는 경우 이러한 경향은 더욱 심하게 되는 문제점이 있다.따라서, 본 기술은 전력변환에 사용되는 전력반도체 소자에 전압검출기를 접속하여 전력반도체 소자에 흐르는 과전압을 검출하고, 검출된 과전압에 대하여 임의로 설정된 소정의 로직부를 통한 로직신호를 전력반도체 소자의 구동부에 인가하여 전력반도체 소자의 구동을 제한하도록 함으로써, 전력반도체 소자를 과전류로부터 보호하고자 한다.본 기술에 의한 전력반도체 소자의 과전류 보호 회로는 전력반도체 소자를 과전류로부터 보호하는 전력반도체 소자의 콜렉터에 전압을 검출하는 전압검출부를 접속하고, 전력반도체 소자의 베이스단자에는 전력반도체 소자의 구동을 제어하는 구동부를 접속하며, 전압검출부에서 검출되는 전력반도체 소자의 검출전압과, 전력반도체 소자의 구동신호인 펄스폭 변조신호와, 전력반도체 소자의 구동신호인 펄스폭변조신호를 지연하여 출력하는 지연부로부터 지연신호를 각각 입력받아 임의로 설정된 소정의 논리회로 구성으로 연산하여 과전류검출신호와 구동부에 구동 및 제한신호를 각각 출력하는 로직부로 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 전력반도체 소자에 전압검출기를 접속하여 전력반도체 소자에 걸리는 과전압을 검출하고, 검출된 과전압에 대하여 임의로 설정된 소정의 로직부를 통한 논리신호를 전력반도체 소자의 구동부에 인가하여 전력반도체 소자의 구동을 제한하도록 함으로써, 전력반도체 소자를 과전류로부터 간단하고, 저비용으로 보호할 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-15
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