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1,1,1-트리클로로에탄 대신에 1,1-디클로로에틸렌을 액상에서 불화시켜 과량의 염화수소산을 제거할 필요가 없으며, 촉매를 사용하지 않아도 된다. <구성>1,1-디클로로에틸렌 1몰에 무수불화수소산 4-30몰을 1-20 바, 섭씨 50-70도에서 액상에서 불화시킨다1.반응용기와, 상기 반응 용기 일측부에 형성되는 수소 출입구와, 상기 수소 출입구와 연통되는 공간부로서,상기 반응 용기의 내부에 설치되어 그 내측으로는 수소 저장 합금이 충진되고 그 외측으로 상기 반응 용기와의 사이에 수소가 통과하는 외는 공간부를 갖는 외부 스크린과, 상기 외부 스크린의 중앙부에 설치되며 상기 공간부와 연통되어 수소가 통과되는 내부 공간부를 갖는 내부 스크린과, 상기 외부 스크린과 상기 내부 스크린 사이에 충진되는 수소 저장 합금과, 상기 수소 저장 합금의 수소 흡장시에는 생성되는 열을 상기 수소 저장 합금으로부터 전달 받고 수소 탈장시에는 필요한 열을 상기 수소저장 합금으로 전달하는 열교환매체와, 상기 외부 스크린과 내부 스크린의 사이에 설치되고 상기 열교환매체가 흐르는 다수개의 튜브로 이루어지고, 상기 외부 스크린 및 내부 스크린은 상기 내부 및 외부 공간부를 흐르는수소 가스는 통과하지만 수소 저장 합금을 통과하지 못하는 다수의 기공을 갖는 다공성 재료로 만들어지는 것을 특징으로하는 수소 저장합금 반응 용기.2.제1항에 있어서, 상기 튜브는 튜브의 내부로 흐르는 열교환 매체와 수소 저장 합금과의 열전달을 용이하게하기 위한 열교환핀이 부착된 핀튜브인 것을 특징으로 하는 수소 저장합금 반응 용기.3.제1항 또는 제2항에 있어서, 수소 통과를 위한 간격인 상기 외부 공간부 및 상기 외부 공간부와 상기 반응용기의 내주면에 설치되는 단열재에 의해 열손실이 저감되는 것을 특징으로 하는 수소 저장 합금 반응 용기
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
1,1,1-트리클로로에탄과 무수 불화수소산을 액상에서 반응시킬 때 HCFC-142B, HCFC-143A, 올리고머 등의 부산물의 생성을 가능한 억제하여 1,1-디클로로-1-플루오로에탄(HCFC-141B)을 높은 수율과 높은 선택도로 얻을 수 있는 방법에 관한 것이다. 1,1,1-트리클로로에탄과 무수 불화수소산을 1:5 내지 1:200의 몰비로 4 내지 20바의 압력 및 60 내지 130도C의 온도에서 연속적으로 액상 반응시켜 HCFC-141B를 제조한다. 반응 생성물인 기체는 증류탑(6)의 하부로 도입시켜 증류탑의 탑정으로부터 추가되는 무수 불화수소산과 접촉 및 정류시켜 저휘발성 물질은 반응기(1)로 재순환시키고, 고휘발성 물질은 응축기(8)로 보내어 응축시키는 공정과, 응축기를 통과한 액체-기체 혼합물을 층분리기(10)에 도입시켜 무기물층(HF), 유기물층 및 기체층(HCl)으로 분리시킨 뒤, 무기물층은 증류탑의 상부로 재순환시키고 기체층은 층분리기의 정부를 통하여 배기시키고, 유기물층은 층분리기의 저부를 통하여 배출시키는 공정 및 층분리기에서 배출된 유기물층을 통상의 방법에 의해 분리 정제하여 1,1-디클로로-1-플루오로에탄을 얻는 공정으로 구성된다.1.1,1,1-트리클로로에탄과 무수 불화수소산을 1 :5 내지 1 : 200의 몰비로 4내지 20바의 압력 및 60 내지130℃의 온도에서 연속적으로 액상 반응시키는 것으로 이루어지는 171-디클로로-1-플루오로에탄의 제조 방법.2.제 1 항에 있어서, 1,1,1-트리클로로에탄과 무수 불화수소산의 몰비가 1 : 20 내지 1 : 100인 방법.3.제 1 항에 있어서, 반응 온도가 70 내지 120℃인 방법.4.제 1 항에 있어서, 반응 압력이 6 내지 15바인 방법.5.(a) 1,1,1-트리클로로에탄 및 과량의 무수 불화수소산을 각각 관(2) 및 관(3)을 통해 반응기(1)에 도입시켜 4 내지 20바의 압력 및 60 내지 130℃의 온도에서 연속적으로 액상 반응시키는 공정, (b) 반응 생성물인 기체를 관(4)를 통해 증류탑(6)의 하부로 도입시키고, 도입된 기체를 증류탑의 탑정에서 주가되는 무수 불화수소산과 접촉 및 정류시켜 주된 성분이 무수 불화수소산인 저휘발성 물질은 반응기(1)로 재순환시키고 유기물과 무수 불화수소산의 공비 혼합물,염화수소산 등의 고휘발성 물질은 관(7)을 통해 응축기(8)로 보내어 응축시키는 공정, (c) 응축기를 통과한 액체-기체 혼합물을 관(9)를 통해 층분리기(10)으로 도입시켜 무기물층(HF), 유기물층 및 기체층(HCl)으로 분리시킨 후, 무기물층은관(11)을 통하여 증류탑의 상부로 재순환시키고, 기체층은 관(13)을 통하여 충분리기의 정부를 통하여 배기시키고, 유기물층은 관(12)를 통해 배출시키는 공정, 그리고 (d) 층분리기에서 배출된 유기물층을 통상의 방법에 따라 분리 정제하여1,1-디클로로-1-플루오로에탄을 얻는 공정으로 이루어지는 1,1-디클로로-1-플루오로에탄의 제조 방법
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화학공정 > 기타 화학공정
1,1,1-트리클로로 에탄과 무수 불화 수소산을 액상에서 반응시킬 때 부산물의 생성을 가능한한 억제하여 촉매없이 높은 선택도와 고수율로 1,1-디클로로-1-플루오로 에탄을 연속적으로 제조하는 방법을 제공한다. <구성>제 1도와 같은 반응기 내에서 1,1,1-트리클로로 에탄과 무수 불화 수소산을 100:1 내지 1:1의 몰비로 3-15바의 압력 및 60-200도씨의 온도에서 연속적으로 액상 반응시키고, 혼합 기체를 증류탑 하부로 도입하여 증류탑 탑정에서 환류되는 액체와 접촉시켜 저휘발성 물질을 재순환시키고 고휘발성 물질은 응축시키며, 응축기를 통과한 혼합물을 층분리기에 도입하여 무기물층, 유기물층, 기체층으로 분리하여 정제함으로써 1,1-디클로로-1-플루오로 에탄을 제조한다.1.반응기 내에서 1,1,1-트리클로로에탄과 무수 불화수소산을 100 : 1 내지 1 : 1의 몰비로 3 내지 15바의 압력및 60 내지 200℃의 온도에서 연속적으로 액상 반응시키는 것으로 이루어지는 1,1-디클로로-1-플루오로에탄의 제조 방법.2.제1항에있어서,1,1,1,-트리클로로에탄과 무수불화수소산의몰비가50 : 1내지3 : 1인방법.3.제1항에 있어서, 반응온도가 70-170℃인방법.4.제1항에 있어서, 반응 압력이 5-10바인 방법.5.(a) 과량의 1,1,1-토리클로로에탄 및 무수 불화수소산을 각각 관(2) 및 관(3)을 통해 반응기(1)에도입시켜3 내지 15바의 압력 및 60 내지 200℃의 온도에서 연속적으로 액상 반응시키는 공정,(b) 반응생성물과 미반응물의 혼합기체를 관(4)를 통해 증류탑(6)의 하부로 도입시키고, 도입된 기체를 증류탑의 탑정에서 환류되는 액체와 접촉 및 정류시켜 고비점 물질은 반응기(1)로 재순환시키고, 고휘발성 물질은 응축기로 보내어 응축시키는 공정,(c) 응축기(8)을 통과한액체-기체 혼합불을 층분리기(10)에 도입시켜 무기물층, 유기물층 및 기체층으로 분리시긴 후, 무기물층과 일부의 유기물층은 증류탑의 상부로 제순환시키고, 나머지 유기물층은 관(12)를 통해 배출시키고, 기체층은 관(13)을 통하여 층분리기의 정부를 통하여 배기시키는 공정, 그리고 (d) 층분리기에서 배출된 유기물층을 통상의 방법에 따라 분리 정제하여 1,1-디클로로-1-플루오로에탄을 얻는 공정으로 이루어진, 연속 액상 반응에 의한 1,1-디클로로-1-플루오로에탄의 제조 방법
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 2-알킬-2-옥사졸린 단량체를 출발물질로 히드록실기가 말단에 존재하는 일반식(I)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)을 제조한 후 여기에 락타이드 또는 글리콜라이드 등의 락톤계 고리 화합물과 공중합시킴으로써 신규한 일반식(II)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화 화합물의 블록 공중합체를 제조하는 새롭고도 진보된 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 블록 중합체는 인체, 동물 등의 체내에 삽입된 약물을 일정 시간마다 지속적으로 조절 방출하도록 조절할 수 있는 약물 조절 방출 재료로 이용되는 유용한 고분자 재료이다.상기식에 있어서, R은 메틸, 에틸 또는 프로필을 표시하며, n은 10∼100까지의 정수이고, m은 10∼200까지의 정수이며, R은 지방족 탄화수소로서 -CH2-, -CH(CH3)-. -CH2CH2-, -CH2CH(CH3)-, -CH2CH2CH(CH3)-, -(CH2)5-로 표시되며, R는 -CH2CH2CH2-로 표시되며,(추가) 평균 분자량이 1,000∼50,000 범위이다.1. 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체.일반식(Ⅱ)에 있어서, R은 메틸, 에틸 또는 프로필을 표시하며, n은 10~100까지의 정수이고, m은 10~200까지의 정수이며, R`은 -CH2-,-CH(CH3)-,-CH2CH2-,-CH2CH(CH3)-,CH2CH2C(CH3)-또는 -(CH2)5-로 표시되며, R″는 -CH2CH2CH2-로 표시되며, (추가)평균 분자량이 1,000~50,000범위이다.2. 2-알킬-2-옥사졸린 클로로벤젠 용매하에 중합하고 염기를 기하여 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)의 말단에 작용기를 갖는 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)블록을 제조하는 제 1공정과, 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)블록과 락톤계 고리 화합물을 공중합체시키는 제 2공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.상기 식에 있어서, R은 메틸, 에틸 또는 프로필을 표시하며, n은 10~100까지의 정수이고, m은 10~200까지의 정수이며, R`은 -CH2-,-CH(CH3)-,-CH2CH2-,-CH2CH(CH3)-,CH2CH2C(CH3)-또는 -(CH2)5-로 표시되며, R″는 -CH2CH2CH2-로 표시되며, (추가)평균 분자량이 1,000~50,000범위이다.3. 제 2항에 있어서, 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)의 알킬이 메틸, 에틸, 프로필기 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체에서 알킬이 메틸, 에틸, 프로필기 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.5. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 중합 개시제가 메틸-파리-토루엔설포네이트, 메틸 노실레이트, 벤질 클로라이드, 벤질 브로마이드, 메틸아이오다이드 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 신류한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.6. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 용매가 아세토니트릴을 사용하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.7. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 용매가 아세토니트릴을 사용하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.8. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 중합온도가 40~81℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.9. 제 2항에 있어서, 제 1공정에서 2~100시간인 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.10. 제 2항에 있어서, 제 2공정에서 락톤계 고리 화합물 단량체가 L형 락타이드, D형 락타이드, L형과 D형이 혼합된 라세미형 락타이드, ...-부티로락톤, ....-발레로락톤, 글라이콜라이드, 트리메틸렌 카르보네이트,...-카프로락톤 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.11. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 조성비가 1:0.05~1:10의 몰비로 이루어진 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.12. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 개환 중합용 촉매가 옥토산 주석 디부틸디메톡시 주석, 디에틸 아연, 디클로로 아연, 트리클로로 철, 트리클로로 알루미늄, 트리메틸 알루미늄, 트리이소프로폭시 알루미늄 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.13. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 클로로벤젠을 용매로 하는 것을 특징으로 하는 신규한 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리(2-알킬-2-옥사졸린)과 락톤계 고리화합물의 양쪽성 AB형태의 블록 공중합체의 제조방법.14. 제 2항에 있어서, 제 2공정의 공중합시 50~137℃의 중합온도에서 반응시키
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- 2000-12-15
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기계 > 기타 산업·일반기계
본 발명의 목적은 연속주조용 주형의 진동폭 및 연속주조 공정 중에 실시간으로 동시에 독립적으로 제어함과 동시에 공명 현상의 발생을 방지할 수 있는 진동 장치 및 진동 제어 방법을 제공하는 것이다.본 발명은 연속주조용 주형의 외벽 바깥에 전자석을 설치하여 주형의 진동을 유발하는 연속 주조용 전자기 주형 진동 장치에 있어서, 상기 주형의 외측벽에 부착되어 상기 주형의 길이 방향과 수직 방향으로 연장되는 하나 이상의 자기철심판과, 상기 자기철심판의 상하에 설치되는 복수개의 전자석을 가지고, 상기 복수개의 전자석에 공급되는 전류를 제어함으로써 상기 주형 및 자기철심판의 진동을 제어할 수 있는 연속주조용 주형 전자기 진동 장치를 제공한다.1.연속주조용 주형(1)의 외벽 바깥에 전자석(3)을 설치하여 주형(1)의 진동을 유발하는 연속 주조용 전자기 주형 진동 장치에 있어서, 상기 주형(1)의 외측벽에 부착되어 상기 주형(1)의 길이 방향과 수직 방향으로 연장되는 하나 이상의 자기철심판(2)과, 상기 자기철심판(2)의 상하에 설치되는 복수개의 전자석(3)을 가지고, 상기 복수개의 전자석(3)에 공급되는 전류를 제어하므로서 상기 주형(1)및 자기철심판(2)의 진동을 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 연속주조용 주형 전자기 진동 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 자기철심판(2)에 수평 방향의 진동을 최소화하기 위한 선형 운동 가이드(6)가 설치되는 것을 특징으로 하는 연속주조용 주형 전자식 진동 장치.3. 제 2항에 있어서, 상기 선형 운동 가이드(6)에 상하 진동 보정용 스프링(5)이 설치되는 것을 특징으로 하는 연속주조용 주형 전자기 진동 장치.
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은, 액상 소결시 생길 수 있는 성형체의 불균일한 수축을 없애고, 저비용으로 단순히 텅스텐 분말만을 사출 성형함으로써, 텅스텐 골격 구조 및 상기 골격 구조를 포함하는 텅스텐-구리 복합 재료를 제공하기 위하여, 크기가 2 내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9 이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm) 미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와; 상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계;로 이루어지는텅스텐 골격 구조의 제조 방법 및 상기 텅스텐 골격 구조를 이용한 텅스텐-구리 복합재료의 제조 방법을 제공한다.1.크기가 2내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9%이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm)%미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와;상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와;상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 텅스텐 골격 구조의 제조방법.2.크기가 2내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9%이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로0.06(600ppm)%미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와;상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와;상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 텅스텐 골격 구조를 1000~1500℃의 온도범위에서 0.5내지 5시간 동안 소결하여 15~40%기공도를 가지는 텅스텐 골격 구조를 제조하는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면위에 동판애를 올려놓고 1150~1250℃에서 2시간 이하 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 텅스텐-구리 복합재료의 제조방법.
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 시료를 위치시키고, 진공조 내에 가스를 도입하여 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키고, 부(-)의 고전압 펄스를 시료에 가臼 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 고분자 시료의 표면에 주입되도록 하는 것이 특징인 고분자 소재의 표면 개질 방법 및 그를 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 따르면, 입사되는 이온의 에너지가 종래의 플라즈마를 이용한 고분자 표면 개질 방법에서의 이온 에너지보다 매우 높으므로 표면 개질 효율이 탁월하고 표면 이하 깊은 층까지 개질시 킬 수 있어 처리 후 시간에 따른 표면 특성 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 고분자 표면 개질 방법은 대면적의 시료를 단시간내에 용이하게 균일 처리할 수 있으며, 고전압 펄스를 조절하여 이온 에너지를 쉽게 변화시킬 수 있을 뿐 아니라 장치의 구조 또한 매우 단순화시키므로 대량 생산 장치에 유리하다.1. 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 소재를 위치시키는 단계, 진공조 내에 플라즈마원 가스를 도입하는 단계, 도입된 플라즈마원 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키는 단계, 펄스 전압이 -1kV내지 -20kV이고, 펄스-오프 시의 전압이 0V내지 -1kV이면, 펄스 폭이 1μsec내지 50μsec이고, 펄스 주파수가 10Hz내지 500kHz인 부(負)의 고전압 펄스를 상기 고분자 소재 시료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 상기 시료의 표면에 주입되도록 하는 단계로 이루어진 것이 특징인 고분자 소재의 표면 개질 방법.2.제 1항에 있어서, 고분자 소재 시료의 표면을 플라즈마원 가스로서의 질소, 산소,아르곤 일산화탄소, 헬륨 또는 그들의 혼합가스를 사용하여 처리함으로써 친수 특성을 향상시키는 것이 특징인 방법.3. 제 1항에 있어서, 고분자 소재 시료의 표면을 플라즈마원 가스로서의 메탄 또는 CF₄가스를 사용하여 처리함으로써 소수 특성을 향상시키는 것이 특징인 방법.4. 제 1항에 있어서, 플라즈마원 가스로서 상기 제2항 및 제 3항에 기재된 가스들의 혼합 가스르르 사용하거나 교대로 사용하여 고분자 소재 시료의 표면을 처리하는 것이 특징인 방법.5. 접지된 진공조(1)및 진공 펌프(2), 이 진공조 내에 가스를 도입하는 가스 도입 장치(3), 진공조 내에 시료를 지지하는 시료대(8), 시료에 가할 부(負)의 호전압 펄스를 발생시키는 고전압 펄스 발생 장치(9)로 이루어진 고분자 표면 개질용 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 시료대(8)의 고분자 시료 상면에만 플라즈마 이온이 대면적으로 균일하게 주입되도록 시료대가 플레이트 모양인 것이 특징인 고분자 표면 개질용 플라즈마 이온 주입 장치.6. 제 5항에 있어서, 플라즈마가 진공조 내의 안테나(5)와 RF전력 공급 장치(7)및 매칭 네트워크(6)에 의해 진공조 내에 도입된 가스로부터 발생되는 것이 특징인 장치.7. 제 5항에 있어서, 플라즈마가 시료에 대향하여 접지된 진공조의 내벽을 이용하여 시료에 고전압 펄스가 가해질 때 시료와 접지체 사이에 형성되는 강한 전기장에 의해 진공조 내에 도입된 가스로부터 발생되는 것이 특징인 장치.
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일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
본 발명의 목적은 광경화 수지를 액적(droplet) 형태로 분사하고 경화시켜 시제품을 신속하게 제작하는 기구 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따라, 광경화 수지 저장 수단에 연결되고 3차원 위치 구동 수단에 장착된 분사 수단을 통해서 광경화 수지 액적을 시제품 제작대 상으로 분사시키고, 이와 동기하여 분사된 광경화 수지를 경화 수단에 의하여 경화시키고, 이러한 일련의 반복되는 과정을 거치게 됨에 따라 액적 크기의 덩어리가 연속적으로 달라붙는 형태의 공정이 반복되면서 제작하려고 하는 시제품의 형상 및 구조가 차츰 형성되어 최종적으로는 원하는 형상 및 구조를 가지는 3차원 형상의 시제품이 제작된다. 이러한 본 발명에 따르면, 시제품의 제작에 필요한 양 만큼만의 광경화 수지가 사용되므로 시제품 제작 재료의 사용이 아주 경제적이고, 작업 시간이 단축되며, 어떤 방향으로든지 액적을 더해나갈 수 있으므로 시제품의 제작에 있어 구조와 형상에 대한 적응성이 크고, 강력한 자외선을 이용하여 완전한 고화를 이루게 되므로 사후 경화 과정이 필요 없게 되어 제작되는 시제품의 변형이 최소화되는 등의 효과가 있다.1. 시제품을 신속하게 제작한은 시제품 신속 제작 기구에 있어서, 광경화 수지를 저장 및 공급하는 광경화 수지 저장 수단과, 위치 및 방향 제어가 가능한 3차원 위치 구동 수단과, 상기 3차원 위치 구동 수단에 장착되며 소정의 연결 수단을 통하여 상기 광경화 수지 저장 수단으로 연결된 광경화 수지 분사 수단과, 상기 광경화 수지 분사 수단에 의해 분사된 광경화 수지가 경화되어 시제품이 형성되는 시제품 제작대와, 분사된 광경화 수지를 경화시키는 경화 수단과, 상기 3차원 위치 구동 수단 및 상기 분사 수단과 상기 경화 수단에 연결되어 상기 구동 수단에 장착된 분사 수단이 소정의 광경화 수지 분사 위치에 놓이도록 상기 3차원 위치 구동 수단의 위치 및 방향을 제어하고 상기 분사 수단 및 경화 수단의 작동을 제어하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 시제품 신속 제작 기구.2. 제 1항에 있어서, 상기 분사 수단은 노즐 또는 니이들로 구성되는 것을 특징으로 하는 시제품 신속 제작 기구.3. 제 1항에 있어서, 상기 경화 수단은 자외선 스트로보인 것을 특징으로 하는 시제품 신속 제작 기구.4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 수단은 분사된 액적의 고화를 위하여 자외선 스트로보의 작동이 액적의 형성 및 부착과 동기화 되도록 프로그램된 것을 특징으로 하는 시제품 신속 제작 기구.5. 시제품을 신속하게 제작하는 시제품 신속 제작 방법에 있어서, 3차원 위치 구동 수단의 위치 및 방향을 제어하여 3차원 위치 구동 수단에 장착된 분사 수단을 시제품 제작대 상의 소정의 광경화 수지 분사 위치로 이동시키는 단계와, 광경화 수지 저장 수단에 연결되고 상기 3차원 위치 구동 수단에 장착된 분사 수단을 통해서 광경화 수지 액적을 상기 소정의 광경화 수지 분사 위치에 분사하는 단계와, 분사된 광경화 수지를 경화 수단에 의하여 경화시키는 단계를 포함하고, ㅔ품 형상이 완성될 때까지 분사 수단의 위치를 이동시켜가며 상기 단계들이 반복되도록 제어수단에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 시제품 신속 제작 방법.6. 제 5항에 있어서, 분사되는 액적의 입경을 50㎛로 한 것을 특징으로 하는 사제품 신속 제작 방법.7. 제 5항에 있어서, 분사되는 액적의 입경을 50㎛로 한 것을 특징으로 하는 사제품 신속 제작 방법.8. 제 5항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 분사된 액적의 고화를 위하여 자외선 스트로보의 작동이 액적의 형성 및 부착과 동기화되는 것을 특징으로 하는 시제품 신속 제작 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학 > 기타 무기화학
알릴알킬실록시기와 디오르가노실록시기를 동시에 갖는 공중합체형태의 다음 일반식(I)의 고리형 또는 직쇄형 실리콘 오일. (상기 식 중, M은 H 또는 SiMe3를 나타내고 M이 H인 경우, 球阜I)의 실리콘 오일은 양말단이 SiOH로 끝맺음된 직쇄형일 수도 있 고 양말단의 SiOH가 서로 축합하여 고리형을 이룰소도 있으며; R은 수소, 탄소수 3내지 20의 알킬, 클로로알킬, 시아노알킬, 플 루오로알킬, 및 페닐알킬 중에서 선택되고; R1과 R2는 같을 수도있고 다를 수도 있는데 독립적으로 수소 또는 메틸, 페닐기를 표시하며; x와 y의 합은 2 내지 200 사이의 값으로, y와 x의 비는 1:0.01부터 1:100의 어떠한 비율로도 가능하다.)1. 알릴알킬실록시기와 디오르가노실록시기를 동시에 갖는 공중합체 형태의 다음 일반식(1)의 고리형 또는 직쇄형 실리콘 오일. (상기 식 중, M은 H 또는 SiMe3를 나타내고 M이 H인 경우, 일반식(1)의 실리콘 오일은 양말단이 SiOH로 끝맺음된 직쇄형일 수도 있고 양말단의 SiOH가 서로 축합하여 고리형을 이룰수도 있으며; R은 수소, 탄소수 3 내지 20의 알킬, 클로로알킬, 시아노알킬, 플루오로알킬, 및 페닐알킬 중에서 선택되고; R1과 R2는 같을 수도 있고 다를 수도 있는데 독립적으로 수소 또는 메틸, 페닐기를 표시하며; x와 y의 합은 2 내지 200 사이의 값으로, y와 x의 비는 1:0.01부터 1:100의 어떠한 비율로도 가능하다)2. 제1항에 있어서, 고리형인 것이 특징인 다음 일반식(1`)의 실리콘 오일. (식중, R, R1, R2는 상기 정의한 바와 같다.)3. 다음 일반식(2)의 알릴알킬디클로로실란과 다음 일반식(3)의 디오르가노디클로로실란의 혼합물을 유기 용매하에서 또는 유기용매 없이 가수분해하는 것으로 됨을 특징으로 하는 일반식(1`)의 고리형 실리콘 오일과 M이 수소인 일반식(1)의 직쇄형 실리콘 오일의 제조방법. (상기 식 중, R3은 페닐, 시아노, 클로로메틸, 시아노메틸, 트리플루오르메틸, 2, 2, 2-트리플루오르에틸, 프로필, 및 헥사테실기중에서 선택된 기를 나타내고, R1과 R2는 독립적으로 수소, 메틸기, 또는 페닐기를 나타낸다.)4. 제3항에 따른 일반식(2)와 일반식(3)의 실란의 혼합물에 트리메틸클로로실란을 혼합하여 유기용매하에서 또는 유기용매 없이 가수분해하는 것으로 됨을 특징으로 하는 M이 SiMe3인 상기 일반식(1)의 직쇄형 실리콘 오일의 제조방법.5. 일반식(1`)의 고리형의 실리콘 오일에 헥사메틸디실록산을 혼합하고 진한 황산이나 CF3SO3H를 촉매로 사용하여 평형시키는 것으로 됨을 특징으로 하는 M이 SiMe3인 상기 일반식(1)의 직쇄형실리콘 오일의 제조방법.6. 제3항 또는 4항에 있어서 R3가 페닐인 것이 특징인 방법.7. 제3항 또는 4항에 있어서, R3가 시아노 또는 시아노메틸인 것이 특징인 방법.8. 제3항 또는 4항에 있어서, R3가 클로로메틸인 것이 특징인 방법.9. 제3항 또는 4항에 있어서, R3가 트리플루오르메틸 또는 2,2,2-트리플루오르에틸인 것이 특징인 방법.10. 제3항 또는 4항에 있어서, R3가 CnH2nCH3(n=1-15)인 것이 특징인 방법.11. 제3항 또는 4항에 있어서, R1과 R2가 각각 메틸기인 것이 특징인 방법.12. 제3항 또는 4항에 있어서, R1과 R2가 각각 수소와 메틸기인 것이 특징인 방법.13. 제3항 또는 4항에 있어서, R1과 R3가 각각 메틸기와 페닐기인 것이 특징인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
이중 모드의 고전압 펄스를 사용하는 플라즈마 이온 주입 장치와 이 장치를 이용한 물체의 표면개질방법이 제공된다.1. 접지된 진공조, 이 진공조 내에 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 형성하기 위한 수단, 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 전도성 시료대, 시료에 부(-)의 이중 모드 고전압 펄스를 가하기 위한 고전압 펄스 발생 장치, 및 상기 플라즈마 형성 수단을 사이에 두고 상기 시료대와 대향하여 위치하는 코팅원 및 이 코팅원의 전원 장치로 이루어진 것이 특징인 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치.2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 수단이 안테나인 것인 장치.3. 접지된 진공조, 이 진공조 내에 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 형성하기 위한 수단, 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 전도성 시료대, 시료에 이중 모드의 고전압 펄스를 가하기 위한 고전압 펄스 발생 장치, 및 상기 플라즈마 형성 수단을 사이에 두고 상기 시료대와 대향하여 위치하는 코팅원 및 이 코팅원의 전원 장치로 이루어진 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치의 시료대에 시료를 위치시키는 단계, 진공조 내에 주입 이온원을 도입하는 단계, 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 발생시키는 단계, 플라즈마 발생과는 별도로, 발생된 플라즈마 이온이 시료에 충돌하여 시료 표면에 이온을 주입시키기에 충분한 이온 에너지를 가지고 시료를 향해 가속되도록 시료에 부(-)의 이중 모드 고전압 펄스를 가하는 단계, 및 시료에 가해지는 고전압 펄스를 오프시켜 시료에 가해지는 전압을 단순 직류 전압으로 전환시키고 코팅원에 전원을 연결하여 이온 주입된 시료 표면에 코팅층을 형성하는 단계로 이루어진 것이 특징이 ㄴ물체의 표면 개질 방법.4. 제3항에 있어서, 상기 이중 모드의 고전압 펄스가 펄스 전압-10kV~-150kV, 펄스-오프시 전압 -50V~-10kV, 펄스폭 5μsec~50μsec 및 펄스 주파수 10Hz~1kHz를 갖는 것인 표면 개질 방법.5. 제3항에 있어서, 상기 코팅원이 전자빔원, 스퍼터원 또는 ECR 이온원인 표면 개질 방법.6. 제3항에 있어서, 질소 주입 이온원으로부터 질소 가스를, 탄소 주입 이온원으로서 메탄 가스가 사용되는 것인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
메탄술폰(CH3SO3H)과 트리플로로메탄술폰산(CF3SO3H)을 발생하는 새로운 광산발생형 고분자의 단량체인 N-메탄술폰일옥시말레이미드와 N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. [구성]무수말레인산과 퓨란, 톨루엔을 넣고 환류, 여과 건조하여 구조식(III)의 3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈릭 무수물을 얻고, 히드록실아민-메탄올용액을 만들어 구조식(III)의 화합물을 천천히 교반하면서 24시간 동안 반응시킨 후, 여과 건조하여 N-히드록실기로 치환된 흰색분말의 구조식(IV)의 N-히드록시-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로 프탈이미드 화합물을 얻으며, 이를 피리딘과 교반시켜 메탄술폰일 클로라이드를 가하고 5분간 실온에서 반응 후, 여과 건조하여 구조식(V)의 N-(메탄술폰일옥시)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈 이미드가 생성되고, 이를 감압하면서 열분해시킨 후, 클로로포름으로 재결정하여 일반식(I)의 N-메탄술폰일 옥시 말레이미드(MsOMI)를 제조하며, 구조식(IV)의 화합물과 피리딘 및 트리플로로 메탄술폰일 클로라이드를 반응시켜 트리플로로 메탄술폰일기가 치환된 구조식(VI)의 N-(트리플로로메!탄술폰일)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드 화합물을 수득 후, 감압하에 열분해시킨 후 벤젠과 헥산으로 재결정하여 구조식(II)의 N-트리플로로메탄 술폰일옥시 말레이미드(TfOMI)를 제조한다.1. 다음 구조식(1)의 N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMl)및 다음 구조식(2)의 N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMl).2. 다음 구조식(4)의 N-히드록시-3,6-에폭시-1,2,3,6-태트라히드로프탈이미드와 메탄술폰일클로라이드를 반응시켜 다음 구조식(5)의 N-(메탄술폰일)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조하고 구조식(5)의 화합물을 150-200℃로 가열분해하는 다음 구조식(1)의 N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMl) 제조방법.3. 구조식(4)의 N-히드록시-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드와 트리플로로메탄술폰일클로라이드를 반응시켜 다음 구조식(6)의 N-(트리플로로메탄술폰일)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조하고 구조식(6)화합물을 105-110℃로 가열분해하는 구조식(2)의 N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMl) 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
합금을 구성하는 원소 중에서 가장 중요한 원소 중의 하나인 Cr의 함량을 21-25%로 높임으로써 1000도C, 2Kg/mm2 응력하에서 크립 파단 수명을 3배이상 향상시킴과 동시에 단조 및 압연가공성이 우수하여 봉재 및 판재로의 가공이 용이하고 기계가공성도 우수한 니켈기 초내면 합금을 제공하는 것이다. <구성>중량비로 Cr 21-25%, w 20-25%, Ti 0.5-2.0%, Al 1-5%, C 0.025-05%, B 0.2%이하 Zr 0.3% 이하 Ta 0.3-3.0%, 나머지 Ni로 구성한다.1. 중량비로 Cr 21~25%, W 20~25%, Ri0.5~2.0%, Al 1~5%, C 0.025~0.5%, B0.2% 이하, Zr0.3%이하, Ta 0.3~3.0%, 나머지 Ni로 이루어짐을 특징으로 하는 니켈기 초내열 단조합금.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장 발광소자는 하부 절연층으로 비정질 또는 다결정 BaTiO3를 사용하여 하부 절연층을 증착한 이후의 공정에서 고온을 사용하는 경우 그 특성이 열화되어 누설전류가 증가되고, 항복 전기장강도가 저하되어 전기장 발광소자의 구동을 목적으로 전기장을 인가하는 경우 그 전기장 발광소자가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 하부 절연층을 유전상수값이 큰 다결정 BaTiO3와 절연특성이 우수한 비정질 BaTiO3를 적층하여 형성함으로써, 휘도의 포화가 일어나는 고전압에서도 파괴되지 않고 안정된 동작을 하는 효과와 아울러 그 휘도특성이 우수하여 저전압에서 사용이 가능한 효과가 있다.1. 유리기판의 상부에 형성한 투명전극과, 상기 투명전극의 상부에 증착한 하부 절연층과, 상기 하부 절연층의 상부에 순차적으로 형성한 발광층, 상부 절연층, 알루미늄전극을 포함하는 전기장 발광소자에 있어서, 상기 하부 절연층은 순차적으로 증착된 다결정 BaTiO3, 비정질 BaTiO3로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자. 2. 제 1항에 있어서, 상기 발광층의 두께는 400~700nm인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자.3. 제 1항에 있어서, 상기 상부 절연층은 SiOXNY인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자.4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 상부 절연층의 두께는 300nm인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자. 5. 유리기판상에 투명전극을 증착하는 단계와; RF 반응성 스퍼터 장치를 이용한 스퍼터링방법을 사용하여 상기 투명전극의 상부에 다결정 BaTiO3, 비정질 BaTiO3를 순차적으로 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계와; 상기 하부절연층상에 ZnS을 증착하여 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 박막 결정성 향상을 위하여 진공 열처리하는 단계와; 상기 발광층상에 상부 절연층을 증착하는 단계와; 상기 상부 절연층의 상부에 열증착법으로 알루미늄을 증착한후 패터닝하여 상호 소정 간격으로 이격되도록 다수의 알루미늄전극을 형성하는 단계로 이루어 진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.6. 제 5항에 있어서, 상기 유리기판은 직경 4인치, 두께 1/4인치의 BaTiO3 세라믹 소결체를 사용하여 된 것을특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.7. 제 5항에 있어서, 상기 하부 절연층을 증착하는 단계는 알에프 전력밀도 2.5W/cm2, 기체 압력 8mtorr, 반응기체로 주입된 산소분압 약 10%, 기판온도 550℃의 공정 분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.8. 제 5항에 있어서, 상기 하부절연층을 증착하는 단계가 완료된 시점에서의 기판온도는 약 280℃인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.9. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는 진공도 5×10-5torr, 기판온도 180~220℃의 공정분위기에서 전자선증착법으로 Mn으로 도핑된 ZnS를 450~700nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.10. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는 Pr, Ce를 각각 0.1~0.3 mol % 첨가한 ZnS를 450~700nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.11. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성한 후 진공열처리 하는 단계는 1시간동안 기판의 온도를 450℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.12. 제 5항에 있어서, 상기 상부 절연층을 증착하는 단계는 SiOXNY를 300nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 전기장 발광소자 제조방법.13. 제 5항에 있어서, 상기 알루미늄전극을 형성하는 단계는 열증착법으로 알루미늄을 150nm두께로 증착하고,그 증착된 알루미늄을 리프트 오프공정으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
오염화 안티몬과 사염화 주석 또는 사염화 티탄의 혼합 촉매하에티클로로메탄과 무수불화수소산을 연속적으로 액상반응시키는 것으로 이루어진 디플루오로메탄의 제조방법.1.오염화 안티몬과 사염화 주석 또는 사염화 티탄의 혼합 촉매하에 디클로로메탄과 무수불화수소산을 연속적으로 액상반응시키는 것으로 이루어진 디플루오로메탄의 제조방법.2.제1항에 있어서, 혼합 촉매의 오염화 안티몬과 사염화 주석 또는 사염화 티탄의 몰비가 95:5 내지 20:80인것이 특징인 디플루오로메탄의 제조방법.3.제1항에 있어서, 반응 온도가 70∼170℃인 것이 특징인 디플루오로메탄의 제조방법.4.제1항에 있어서, 반응 압력이 6-30 기압인 것이 특징인 디플루오로메탄의 제조방법
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일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
<목적>친수성과 산소 투과성이 현저히 개선된 콘택트 렌즈 제조에 적합한 플루오로알킬기를 가지는 단량체를 제조하는 방법에 관한 것이다. <구성>플루오로알킬카르복실산 또는 플루오로알킬카르복실산 할라이드 또는 플루오로알킬술폰산 또는 플루오로알킬술포닐 할라이드를 히드록실기 또는 아민기 또는 히드록실기와 아민기를 동시에 함유하는 아크릴계 단량체 또는 히드록실기 또는 아민기를 함유하는 스티렌계 단량체, 또는 히드록실기를 가지는 비닐에테르계 단량체와 에스테르화 반응 또는 아미드화 반응을 시켜서 플루오로알킬기를 가지는 단량체를 제조하고, 이 단량체를 단독 중합하거나 또는 이 단량체 5-100중량% 미만을 실리콘을 함유하는 단량체 0-60중량%, 비닐계 단량체 0-60중량%, 가교 단량체 0-10중량% 및 친수성 단량체 0-5중량%와 공중합시킴을 특징으로 한다.1. 플루오로알킬 카르복실산 또는 플루오로알킬 카르복실 할라이드 또는 플루오로알킬 술폰산 또는 플루오로알킬술포닐 할라이드를 하이드록실기 또는 아민기, 또는 하이드록실기 및 아민기를 동시에 함유하는 아크릴계 단량체, 또는 하이드록실기 또는 아민기를 함유하는 스티렌계 단량체, 또는하이드록실기를 가지는 비닐 에테르계 단량체와 반응시키는 것을 특징으로 하는 플루오로알킬기 함유 단량체의 제조 방법.2.제1항에 있어서, 상기 플루오로알킬 카르복실산의 하기 식으로 표시되는 화합물인 방법.R-(C=O)OH식중, R는 1 내지 41개의 불소를 함유하는 탄소수 1~20개의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬이거나 또는 1 내지 5개의 불소를 함유하는 페닐기이다.3.제1항에 있어서, 상기 플루오로알킬 카르복실 할라이드가 하기 식으로 표시되는 화합물인 방법.R-(C=O)X식중, R는 1 내지 41개의 불소를 함유하는 탄소수 1~20개의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬이거나 또는 1 내지 5개의 불소를 함유하는 페닐기이고, X는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이다.4.제1항에 있어서, 상기 플루로알킬 술폰상이 하기 식으로 표시되는 화합물인 방법.R-(O=S=O)OH식중, R는 1 내지 41개의 불소를 함유하는 탄소수 1~20의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬이거나 또는 1 내지 5개의 불소를 함유하는 페닐기이다.5.제1항에 있어서, 상기 플루오로알킬 술포닐 할라이드가 하기 식으로 표시되는 화합물인 방법.R-(O=S=O)X식중, R는 1 내지 41개의 불소를 함유하는 탄소수 1~20개의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬이거나 또는 1 내지 5개의 불소를 함유하는 페닐기이고, X는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이다.6.제1항에 있어서, 상기 하이드록실기를 함유하는 아크릴계 단량체가 하기 일반식(Ⅰ)로 나타내어지는 화합물이거나 또는 2-하이드록시-3-클로로프로필 아크릴레이트 또는 2-하이드록시-3-클로로프로필 메타크릴레이트인 방법.식중, R1는 수소, 메틸기 또는 -CH2(C=O)O(CH2)nOH이며, n은 1 내지 6의 정수이다.7.제1항에 있어서, 상기 아민기를 함유하는 아클릴계 단량체가 하기 일반식(Ⅱ)로 나타내어지는 아크릴계 단량체인 방법.식중, R2는 수소, 메틸기 또는 -CH2(C=O)NGR3이며, R3은 수소 또는 탄소수 1~6의 알킬기이다.8.제1항에 있어서, 상기 하이드록실기 및 아민기를 동시에 함유하는 아크릴계 단량체가 N-2-하이드록시에틸아크릴아미드, N-2-하이드록시에틸 메타크릴이미드, 파라하이드록시페닐 아크릴아미드, 파라하이드록시페닐 메타크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드 또는 N-메틸올메타크릴아미드의 단량체인 방법.9.제1항에 있어서, 상기 하이드록실기를 함유한 스티렌계 단량체가 4-하이드록시메틸 스티렌 또는 4-하이드록시 스티렌인 방법.10.제1항에 있어서, 상기 하이드록실기를 함유한 비닐에테르계 단량체가 하이드록시부틸 비닐 에테르인 방법.11. 제1항에 있어서, 상기 아민기를 함유하는 스티렌계 단량체가 4-아미노 스티렌인 방법.12. 제1항의 방법으로 제조한 플루오로알킬기 함유 단량체 5~100중량%, 실리콘을 함유하는 단량체 0~60중량%,비닐계 단량체 0~60중량%, 가교 단량체 0~10중량% 및 친수성 단량체 0~5중량%를 단독 중합 또는 공중합시켜 제조한 산소투과능이 개선된 콘택트 렌즈 제조용 중합체.13.제12항에 있어서, 상기 실리콘을 함유하는 단량체가 하기 일반식(Ⅲ)으로 나타내는 단량체인 중합체.식중, R5'는 중합 가능한 불포화기이며, R4'는 0 내지 10개의 탄소 원자를 가지는 2가의 탄화수소(divalent hydrocarbon)이고, R5는 수소 또는 중합 가능한 불포화기이며, R4는 0 내지 10개의 탄소 원자 또는 페닐기를 가지는 2가의 탄화수소이다.A는 페닐기와 Z기로 치환된 탄소수 1~5의 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬기(여기서, Z기는 트리메틸실록시, 펜타메틸디실록사닐, 헵타메틸트리실록사닐, 노나메틸테트라실록사닐, 비스(트리메틸실록시)메틸실록사닐 및 트리스(트리메틸실록시)실록사닐 중에서 선택된 것임)이고, x는 0 내지 10의 정수이고, x의 합은 최소한 2이며, y는 0 내지 10의 정수이다. 그러나, R4, R4', R5, R5', x, A 및 Z로 표현되는 각각은 동일하지 않을 수도 있다.14. 제12항에 있어서, 상기 비닐계 단량체가 하기 알빈식(Ⅳ)로 나타내는 아클릴계 단량체, 및 스티렌 또는알파 메틸스티렌인 중합체.식 중, R6는 수소, 메틸기 또는 CH2(C=O)OR7이며, R7는 1 내지 20개의 탄소를 갖는 탄화수소이다.15. 제12항에 있어서, 상기 가교 단량체가 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 글리세롤 트리메타크릴레이트 또는 디비닐벤젠인 중합체.16.제12항에 있어서, 상기 친수성 단
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
불화수소와 반응 공정에서 생성된 부산물 및 중간 생성물이 포함된 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134A) 혼합물에서 순수한 HFC-134A를 분리, 정제하는 방법에 관한 것이다. <구성>HFC-134A 제조 공정에서의 반응 생성 혼합물은 HFC-134A, HCFC-133A, 염화수소 및 HF를 주성분으로 구성되어 있으며, 이 외에도 부산물로 HFC-32, HFC-125, HFC-143A 등의 저비점 화합물을 포함하고 있다. 1,1,1,2-테트라플로오로에탄 혼합물로부터 HFC-134A를 분리하는 방법은 HFC-134A 혼합물로부터 1,1,1-트리플루오로클로로에탄(HCFC-133A)과 HF의 혼합물을 분리하고, 증류탑의 탑정에서 유출되는 HFC-134A 혼합물을 물과 접촉시켜 HF를 제거한 뒤, HFC-134A 혼합물을 중화액을 이용한 충전탑에서의 중화 공정을 거치고, HFC-134A 혼합물의 98% 황산을 이용한 건조 공정 및 혼합물에 혼입된 황산을 흡착 장치로 제거하는 공정과 마지막으로 HFC-134a 혼합물부터 저비점 화합물을 제거하는 단계로 이루어진다1.1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134a) 혼합물로부터 HFC-134a를 분리하는 방법에 있어서, HFC-134a 혼합물로부터 1,1,1-트리플루오로클로로에탄(HCFC-133a)과 HF의 혼합물을 분리하는 단계, 상기 증류탑의 탑정에서 유출되는HFC-134a 혼합물을 물과 접촉시켜 HF를 제거하는 단계, HFC-134a 혼합물을 중화시키는 단계, HFC-134a 혼합물을 건조시키는 단계 및 HFC-134a 혼합물로부터 저비점 화합물을 제거하는 단계로 이루어지는 HFC-134a의 정제방법.2.제1항에 있어서, 상기 HCFC-133a 분리 단계가 3.0-10.0kg/㎠ 압력에서 운전되는 증류탑에서 수행되는 HFC-134a 정제방법.3.제1항에 있어서, 상기 HF 제거 단계에서 회수되는 HF 수용액의 농도가 20-40무게%인 HFC-134a 정제방법.4.제1항에 있어서, 상기 중화 단계가 중화액을 이용한 충전탑에서 수행되며, 상기 중화액을 순환시키는 것으로 이루어지는 HFC-134a 정제방법.5.제1항에 있어서, 상기 건조 단계가 98% 황산을 이용한 충전탑에서 수행되며, 상기 황산을 순환시키는 것으로 이루어지는 HFC-134a 정제방법.6.제5항에 있어서, 상기 건조 단계에서 HFC-134a 혼합물에 혼입되는 황산을 흡착장치로 제거하는 HFC-134a정제방법.7.제1항에 있어서, 상기 저비점 화합물 제거 단계가 15kg/㎠ 이하의 압력에서 운전하는 증류탑에서 수행되는HFC-134a 정제방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
콜룸브석 합성 공정을 개선하여 PMN계 세라믹의 이차상 생성을 억제시킴으로써 유전률이 높은 PMN계 세라믹스를 안정적으로 제조할 수 있게 한다. <구성>MgO와 Nb2O5를 동일한 몰수만큼 칭량한 후 이들을 혼합하고 건조한다. 건조 분말을 섭씨 1,000도에서 2시간 동안 1차 하소시킨후 하소된 분말을 유발에서 분쇄하고 1,100, 1,200, 1,300도에서 2시간 동안 2차 하소시킨다. <효과>소결성이 월등하고 유전률도 높은 PMN계 세라믹 캐패시터를 제조할 수 있다.1. a)MgO와 Nb2O5의 화합물을 1,000℃에서 1차 화소 시키는 단계 b) 하소된 분말을 분쇄하는 단계, c) 분쇄물을 1,200℃이상, 1,500℃ 이하의 온도 범위에서 2차 하소시켜 MgNb2O6를 생성시키는 단계, 및 d) 생성된 MgNb2O6를 PbO와혼한한 후, 800℃ 내지 900℃의 온도에서 하소시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 Pb (Mg1/2Nb2/3)O3의 이차상 생성의억제 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서 MgO와 Nb2O3를 동몰수로 혼합하는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 단계 (d)에서 MgNb2O6와 PbO 1:3의 비율로 혼합하는 것인 방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
분말의 응집화현상을 효과적으로 방지하고자 지르코니아와 안정화제를 수산화물상태로 침전시킨후 함께 끊는 증류법으로 수분을 효과적으로 제거하도록 한다. <구성>수용성인 지르코늄염과 이트륨 또는 세륨을 함유하는 안정화제 염의 수용액을 pH가 일정하게 유지된 암모니아 수용액에 침전시켜 침전물을 수용액으로부터 분리한 다음, 수세하고, 이를 물과 함께 끓는 혼합물을 형성시키는 유기용매에 분산시켜 함께 끓는 증류한다. 이를 통해 미립자 표면에 흡착 응축된 수분을 제거한 후, 지르코늄을 함유하는 미립자를 유기용매로부터 분리시켜 섭씨 500-1200도 온도에서 열 처리 한다. <효과>지르코니아 분말에 함유된 수분이 완전히 제거됨에 따라 소결체의 치밀화를 이룰 수 있고 강하게 응집된 입자들이 없기 때문에 열 처리후 분쇄 공정을 생략할 수 있어 경제적이다.1.수용성인 지르코늄염과 이트륨 또는 세륨을 함유하는 안정화제 염의 수용액을 pH가 일정하게 유지된 암모니아 수용액에 침전시켜 침전물을 수용액으로부터 분리한 다음, 수세하고, 이를 물과 함께 끓는 혼합물을 형성시키는 유기용매에 분산시켜 함께 끓는 증류를 행함으로써 미립자 표면에 흡착 응축된 수분을 제거한 후, 지르코늄을 함유하는 미립자를 유기용매로부터 분리시켜 500~1200℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법.2.제1항에 있어서, 6~12의 pH 범위에서 침전시키는 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법.3.제1항에 있어서, 침전완료 후 침전용액을 10분 내지 5시간 동안 반응시키는 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법.4.제1항에 있어서, 유기용매는 n-부탄올 또는 톨루엔인 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 우선배향된 금속박막의 산화특성 측정방법에 관한 것으로, 종래에는 금속박막의 산화특성 측정시 측정시간이 많이 소요되는 문제가 있었다.본 발명은 측정대상 금속박막의 우선배향된 방향의 X선 피크가 반가폭을 측정하여 금속박막의 산화특성을 경험적으로 예측할 수 있도록 함으로써 측정방법이 간단하고, 측정이 신속하게 이루어지도록 한 것이다.이러한 본 발명의 이론적 배경은 진공증착법, 스파터링법, 화학기상성장법 등으로 성막된 금속박막이 금속조직학적으로 특정방향으로 우선배향된 미세조직을 갖게 되고, 이는 박막의 표면에너지를 낮추려는 경향에 기인한 것으로 통상의 금속박막에서 용이하게 관찰되며, 한편으로 금속박막의 부식은 입계면에서부터 시작되는데 이는 입계면이 다른 결정방향을 갖는 단결정의 계면으로 간주할 수 있어 이에 따라 입계면의 자유에너지가 높아지므로 입계면의 자유에너지가 이웃한 결정의 결정방향의 차가 클수록 커지기 때문에 금속박막 입계면의 결정방향 차를 X선 회절법으로 측정한다면 금속박막의 산화특성을 예측할 수 있다는 것에 근거한 것이다.1. 측정대상인 우선배향된 금속박막에 대한 X선 회절파 반가폭을 측정함으로써, 상기 금속박막의 산화특성을예측하는 것을 특징으로 하는 금속박막 산화특성 측정방법.2. 제1항에 있어서, 상기 측정대상 금속박막이 아연증착 플라스틱 필름 콘덴서에 사용되는 아연증착 플라스틱필름인 것을 특징으로 하는 금속박막 산화특성 측정방법.3. 제1항에 있어서, 상기 측정대상 금속박막이 자기기록용, 자기소자용 부품 내의 진공증착법, 스퍼터링법 및화학기상 성장법에서 선택되는 하나의 방법에 의하여 성장된 금속박막인 것을 특징으로 하는 금속박막 산화특성 측정방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 발명은 촉매특성 분석장치에 관한 것으로, 유통식 반응기에 체적식 분석장치를 결합함으로써 촉매를 공기중에 노출시키지 않을 뿐만 아니라 촉매의 특성을 변화시킬 염려가 있는 전처리 조작없이 체적식 흡착방법에 의하여 촉매의 특성을 분석할 수 있어 실제 반응상태에서의 촉매특성을 정확히 측정할 수 있게 되도록 한 것이다. 또한 본 발명은 유통식 반응기에 체적식 분석장치와 아울러 유통식 분석장치를 결합함으로써 보다 다양한 촉매의 특성을 보다 정확하게 분석할 수 있으며, 반응도중에 촉매의 특성을 연속적으로 또는 교대로 분석할 수 있도록 한 것이다.1. 반응기와 반응/운반가스 공급원으로 구성되는 유통식 화학반응기와, 분기관에 표준체적관과 흡착가스 공급원과 고진공펌프 및 절대압력계가 각각 연결된 체적식 흡착장치가 결합되어 구성됨을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치.2. 제1항에 있어서, 상기 표준체적관과 흡착가스 공급원 및 고진공펌프는 각각 밸브를 통하여 분기관에 연결되며, 상기 반응기는 상기 분기관에 시료관 밸브를 통하여 연결되고, 상기 반응/운반가스 공급원은 상기 시료관 밸브와 반응기의 중간에 반응/운반가스 공급밸브를 통해 연결됨을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치.3. 제1항에 있어서, 상기 반응기와 반응/운반가스 공급원 사이에는 유통식 분석장치가 결합되어 구성됨을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치.4. 제3항에 있어서, 상기 유통식 분석장치는, 상기 반응/운반가스 공급원과 반응/운반가스 공급밸브사이 및 상기 반응기 출구에 위치한 배출밸브 후단에 각각 설치된 2개의 4-방향밸브를 통하여 열전도도 검출기에 연결되고, 상기반응/운반가스 공급원의 도중에는 시료주입밸브가 설치된 것임을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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