일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 양자구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 양자구조 형성방법은 건식식각을 사용하여 기판에 손상을 주어 광전소자의 특성을 저하시키거나, 원하는 분포 및 위치의 조절이 용이하지 않아 광전소자의 광범위한 응용이 불가능한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와: 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 성장시키는 양자구조 성장단계로 구성되어 특정한 패턴이 형성된 갈륨산화막을 성장마스크로 사용하여 양자구조가 형성될 위치와 크기를 제한하여, 양자구조의 크기 및 분포를 용이하게 조절할 수 있게 됨으로써, 광전소자로의 응용분야를 확대시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막(Ga₂O₃)을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이(PMMA. PolyMethylMethAcrylate)를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와; 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 선택적으로 성장시키는 양자구조 성장단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.2. 제1항에 있어서, 상기 갈륨산화막은 스퍼터링법, 양극산화법, 전자선 증착법중 하나의 방법으로 30-70nm의 두께가 되도록 증착하는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.3. 제1항에 있어서 갈륨산화막의 페터닝은 전자선 리소그라피법 또는 레이저 홀로그라픽 리소그라피법 또는 레이저 홀로그라픽 리소그라피법을 사용하여 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.4. 제1항에 있어서, 양자구조 성장단계는 기판온도를 430-540℃로 유지하며, 빔상당압력(beam equivalent pressure)이 3족원소 대 5족원소의 비를 약 10~20으로 하고, 약 1*10...torr인 비소 속(flux)하에서 실시하는 분자선 에피탁시법에 의해 양자구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.5. 제1항에 있어서 상기 양자구조 성장단계는 분자선 에피탁시법 또는 화학선 에피탁시법 또는 유기금속화학기상증착법으로 양자구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.6. 제1항에 있어서, 상기 양자구조 성장단계로 양자구조가 형성된 후, 패턴이 형성된 갈륨산화막을 계속 잔존시켜, 광전소자의 제조시 전류차단층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.
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통신 > 기타 통신
본 발명은 여러 위치에 있는 유한개의 카메라로부터 획득한 영상으로부터 각 화소의 깊이 정보를 조밀하게 추출하고, 그를 이용하여 무한개의 중간 영상을 효율적으로 합성하는 방법을 제공하는 것이다.종래의 다기선 스테레오 정합법(Multiple-Baseline Stereo)은 정합의 정확도는 다른 방식에 비해 높지만 계산 시간이 스테레오 쌍의 개수에 비례하여 증가하며, 정합창의 크기를 고정시킴으로써 구한 깊이 맵(depth map)의 경계선 연장 문제(boundary overreach)가 일어나게 되고 이로 인해 합성한 영상의 화질이 저하된다. 본 발명에 의한 다해상도 다기선 스테레오 정합방법은 다기선 스테레오 정합방법을 다해상도 방식으로 구현하여 처리 시간과 깊이 맵에서의 경계선 연장 문제를 개선하고, 다해상도 방식에 있어 이웃 후보 선택 방식을 사용하여 불연속 부분에 대한 정합의 오차를 감소시킴과 동시에, 적응적 폐색(occlusion) 영역 처리 방법을 제공하므로써 임의의 카메라 배치 상황에서도 정합의 오차가 줄어들지 않도록 하였고 폐색 영역을 검출한 뒤 처리하여 정보의 손실을 줄임으로써, 기준영상의 각 화소에 대한 깊이정보를 정밀하게 구할 수 있다.1. 하나의 물체에 대한 다수 카메라로부터의 입력 영상을 다해상도로 분해한 후, 가장 저해상도 영상에 대하여 완전탐색에 의한 다기선 스테레오 정합(MBS) 및 폐색 영역 처리를 수행하여 각 부(父)노드의 깊이 정보를 구하는 제 1단계;상기 제1단계에서 구해진 각 부(父)노드의 깊이 정보가 다음 해상도 단계의 자(子)노드로 전달되고, 상기 전달된 깊이 정보를 기초로 하여 다기선 스테레오 정합 및 폐색영역 처리를 수행하며, 상기 다기선 스테레오 정합과정 도중에 상기 전달된 부노드의 깊이 정보를 확인함으로써, 각 자노드의 깊이 정보를 구하는 제2단계; 및상기 제2단계에서 구하여진 깊이 정보를 이용하여 제2단계에서와 같은 방식으로 최고 해상도까지 계층적으로 진행함으로써 원 해상도 기준 영상의 각 화소의 깊이 정보를 구하는 단계 등으로 이루어지는 조밀한 깊이정보 추출방법.2. 제1항에 있어서, 상기 부(父)노드의 깊이 정보가 자(子)노드로 전달될 때, 부노드외에 부노드에 이웃하는 8개의 이웃노드의 깊이정보도 함께 전달되고, 상기 이웃노드의 깊이정보까지 고려한 다기선 스테레오 정합을 수행하여 정합 수직
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재료 > 기타 세라믹재료
다음 조정식, SR1-2XBIXTI1-YWYO3 이때, X=0.05~0.3MOL% BI2O3 Y=0.15~0.9MOL% WO3로 이루어짐을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용유전체 자기 조성물.1.다음 조성식, (Sr1-2xBixTi1-yWy)O3 이때, x=0.0005∼0.003 y=0.0015∼0.009으로 이루어지는 경계층 콘덴서용유전체 자기 조성물.2.주성물 Sr1-2xBixTi1-yO3(x=0.0005∼0.003, y=0.0015∼0.009)에 Bi2O3 -WO3 프릿을 습식으로 혼합·건조하여 성형한 후, 이를 환원분위기에서 1,400∼1,470℃ 온도로 1차 소성하고, 1,250℃에서 2차 열처리함을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.3.제2항에 있어서, 환원첨가제로서 Bi2O3와 WO3의 혼합비를 1 : 3의 몰비로 혼합하고 용융시킨후 급냉하여 미세분말로 분쇄한 Bi23-WO3 프릿을 사용하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.4.제3항에 있어서, 용융조건으로 900℃에서 10분간 용융하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.5.제2항에 있어서, 성형조건은 1,500kg/cm2의 성형압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.6.제2항에 있어서, 환원분위기로 h2:n2의 비가 10 : 100[sc cm] 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.7.제2항에 있어서, 1차 소성시간으로 4시간 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.8.제2항에 있어서, 2차 열처리 시간으로 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기조성물의 제조방법
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 지르코니아 발열체의 내열충격성을 개선하여 그 수명을 향상시키기 위해 외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조; 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체가 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 1개의 발열체인 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조 및 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1cm인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조를 제공한다.1.외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조.2. 제1항에 있어서, 개재되는 상기 발열체는 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조.3. 제1항에 있어서, 개재되는 상기 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1㎝인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 소결온도가 1500℃ 이상인 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 있어서, 높은 소결온도의 단점을 개선하기 위한 소결방법에 관한 것이다. 상기 유전체 세라믹 조성물은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지고 있으나 소결온도가 높은 것이 단점이다. 본 발명에서는 상기 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3)로 구성된 첨가제를 첨가함으로써 소결온도를 기존의 소결온도(1500℃)보다 최대 300℃까지 낮출 수 있는 새롭고도 진보된 마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법에 관한 것이다.1. Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3) 중에서 단독 또는 두가지 혼합물을 선택하여 첨가하여 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결 방법.2. 제1항에 있어서, 산화 안티몬(Sb2O5)을 0.1 ~ 5.0 몰% 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3유전체 세라믹 조성물의 소결방법.3. 제1항에서 있어서, 산화 붕소(B2O3)를 0.1 ~ 5.0몰% 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결방법.4. 제1항에 있어서, 산화 붕소(B2O3) 0.1 ~ 5.0 몰%와 산화 붕소(B2O3) 0.1 ~ 5.0 몰% 범위의 혼합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결방법.5. 제1항에 있어서, 1,200 ~ 1,350℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹조성물의 소결방법
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 바리스터의 전극설계에 관한 것이며, 특히 저전압용 ZnO, SrTiO3계 바리스터 제조를 위한 전극설계에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상의 바리스터 상하표면에 각각 동일 면적의 양단 전극을 형성하는 종래의 기술과는 달리, 바리스터 디스크시편 상하면중 일면에 부착된 전극의 일부분을 타면까지 연장하여 그 타면의 일부에 부착하고, 그 타측면의 나머지 부분에는 상기 연장 부착된 전극과 소정의 간격을 가지는 전극을 부착하여 양단 전극을 형성하므로서, 본래의 유전율을 유지하는 동시에 비직선계수값이 크며 저전압에서 항복전압(breakdown voltage)을 나타내는 저전압용 ZnO, SrTiO3계 바리스터의 제조방법에 관한 것이다.1. 세라믹 소결체와;상기 세라믹 소결체의 상하면중 일면에 부착되며, 상기 일면의 반대쪽에 있는 타면의 일부에 부착된 연장부를 가지는 제1 전극과;상기 타면의 일부에 부착된 상기 제 1 전극의 연장부와 상기 타면상에서 간극을 가지고, 상기 제 1 전극의 연장부가 부착된 부분을 제외한 상기 타면의 나머지 부분에 부착되는 제 2 전극; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전압용 세라믹바리스터.2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극의 연장부 및 제 2 전극의 상기 간극은 0.05㎜ 내지 0.1㎜인 것을 특징으로 하는 저전압용 세라믹 바리스터
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.1. 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD 법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm 이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는미세 실리콘 결정립의 제조 방법. 3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법
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화학공정 > 기타 화학공정
[구성]-디플루오로에탄의 정제방법202911염화비닐 불순물에 함유된 1,1-디플루오로에탄을 공지의 흡착제인 활성탄층과 접촉시켜 흡착법에 의해 흡착 제거하여 염화비닐의 함량을 감소시키는 것이 특징인 1,1-디플루오로에탄(hfc-152a)의 정제 방법.1. 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD 법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm 이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는미세 실리콘 결정립의 제조 방법. 3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명에서는 고분자 다공막 지지체와, 그 위에 2개 이상의 히드록실 반응기를 갖는 다가 페놀의 수용성과 2개 이상의 반응기를 갖는 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액 또는 그 위에 2개 이상의 히드록실 반응기를 갖는 다가 페놀의 수용액의 2개 이상의 아민 반응기를 갖는 방향족 아민의 수용액을 혼합하여 제조한 혼합 수용액과 2개 이상의 반응기를 갖는 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한, 가교된 방향족 폴리에스테르 활성층 또는 방향족 폴리에스테르와 방향족 폴리아미드의 공중합체 활성층으로 이루어지는 역삼투용 복합막이 제공된다. 본 발명의 역삼투용 복합막은 역삼투용 분리막으로 응용하는데 필요한 조건들, 즉 수투과도, 내염소성, 산화 안정성, 염배제율, 내구성 등을 고루 갖추고 있다.1. 고분자 다공막 지지체와, 그위에 하기 일반식(I)의 가다 페놀의 수용액과 하기 일반식(II)또는 (III)으로 표시되는 방향족 아실할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 방향족 폴리에스테르 활성층으로 이루어지는 역삼투용 복합막상기식에서 Rf는 알킬렌, 알킬리덴, 시클로알킬리덴, 아릴렌이거나, 또는 에테르, 카르보닐, 아민, 황, 인을 포함하는 결합 고리이며, Ar 및 Ar’는 각각 아렌기이고, Y는 Ar 또는 Ar’의 수소를 치환할 수 있는 기로서, 브롬, 염소,히드록실기,알킬기 또는 알콕시기이며, d는 0이상이고, X는 염소, 브롬이거나, 또는 알킬, 아릴, 시클로알킬로 부터 유도될 수 있는 1가 탄화수소이며, e는 0내지 Rf 의 치환가능한 수소의 개수를 나타내며, aa, bb 및 cc는 0이상인데, 다만, aa,bb및 cc가 동시에 0인 경우 및 aa 및 ㅊㅊ가 동시에 0인 경우는 제외되며, bb가 0일때는 Ar과 Ar’ 직접 탄소결합을 하고, h는 2이상이고, I는 4이하이고 Y’는 가교된 방향족 폴리에스테르나 또는 가교된 방향족 폴리아미드를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서 수소,브롬,염서,히드록실기,알킬기알콕시기,카르복실산기 또는 카르복실레이트기이며, j 및 k는 각각 아실할라이드의 갯수를 나타내는 것으로서 j및 k의 합은 2이상이다.2. 제1항에있어서, 상기 다가 페놀 수용액은 pH 8~13인것인 역삼투용 복합막.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다가 페놀 및 방향족 아실 할라이드 단량체외 농도가 각각 0.01내지 10 중량%인 역삼투용 복합막.4. 제1항에 있어서, 상기 복합막은 추가로 황산과 글루타르산 디알데히드의 혼합 수용액에 침지시킨 후 건조시킨 것을 역삼투용 복합막.5. 제1항에 있어서 상기 고분자 다공막 지지체는 부직포 보강 폴리슬폰막인 역삼투용 복합막6. 고분자 다공막 지지체와, 그위에 하기 일반식 (I)의 다가 페놀의 수용액에 하기 일반식(IV)로 표시되는 방향족 아민의 수용액을 혼합하여 제조한 혼합 수용액과 하기 일반식 (II)또는 (III)으로 표시되는 방향족 아실할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 방향족 폴리에스테르와 방향족 폴리 아미드의 공중합체 활성층으로 이루어지는 역삼투용 복합막.상기식에서 Rf는 알킬렌, 알킬리덴, 시클로알킬렌, 시클로알킬리덴, 알릴렌을 나타내거나, 또는 에케르, 카르보닐, 아민, 황, 인을 포함하는 결합 고리이며, Ar 및 Ar’는 각각 아렌기이고, Y는 Ar 또는 Ar’의 수소를 치환할 수 있는 기로서, 브롬,염소, 히드록실기,알킬기 또는 알콕시기이며,d는 0이상이고, X는 염소,브롬이거나,또는 알킬,아릴,시클로알킬로부터 유도될 수 있는 1가 탄화수소이며, e는 0내지 Rf의 치환가능한 수소의 개수를 나타내며, aa, bb 및 cc는 0이상인데, 다만 aa,bb및 cc가 동시에 0인경우 및 aa 및 cc가 동시에 0인 경우는 제외되고, bb가 0일때는 Ar과 Ar’이 직접 탄소 결합을 하고, h는 2이상이고,I는 4이하이고,Y’는 가교된 방향족 폴리에스테르나 또는 가교된 방향족 폴리아미드를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서 수소,브롬,염소, 히드록실기,알킬기,알콕시기,카르복실산기 또는 카르복실레이트기이며, j및 k는 각각 j+k >=2를 만족하는 수이고, Ar’’은 아민기를 제외한 아실 할라이드 반응기와 반응하지 않는 방향족환이며, 이 방향족환에서 아민기가 없는 위치의 수소는 알킬, 알콕시, 슬폰산기, 슬포네이트기,카르복실산기,카르복실레이트기,아미노, 아실, 히드록실, 할로겐 또는 니트로기로 치환도리 수 있고, b는 2이상이다.7. 제6항에있어서, 상기 다가 페놀 및 방향족 아실 할라이드 단량체의 농도는 각각 0.01 내지 10 중량%인 역삼투용 복합막8. 제6항에 있어서, 하기식으로 표시되는 상기혼합 수용액 중의 다가 페놀과 아민 단량체의 중량비는 0.05 내지 1인 것인 역삼투용 복합막다가페놀/(다가페놀+아민단량체)9. 제6항에 있어서, 상기 복합막은 추가로 황산과 글루타르산 디알데히드의 혼합 수용액에 침지시킨 후 건조시킨 것인 역삼투용 복합막10. 제6항에 있어서, 상기 고분자 다공막 지지체는 부직포 보강 폴리슬폰막인 역삼투용 복합막
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 다공성 지지막 및 그 위에 폴리 m-아미노스티렌의 수용액과 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 가교된 폴리 m-스티렌아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막을 제공한다. 또한, 본 발명은 고분자 다공막 지지체 및 그 위에 폴리 m-아미노스티렌의 수용액과 방향족 아민의 수용액을 혼합하여 제조한 혼합 수용액과 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 가교된 폴리 m-스티렌아미드/방향족 폴리아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막을 제공한다. 본 발명에 의해 제공된 복합막은 수투과도 및 염배제율이 모두 우수하다.청구항 1. 고분자 다공막 지지체 및 그 위에 하기 일반식(1)의 폴리 m-아미노스티렌과 하기 일반식(II) 또는 (III)의방향족 아실 할라이드의 계면 중합에 의해 형성된 가교된 폴리 m-스티렌아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막.식 중, n은 3내지 100,000의 정수이고, a는 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, 2 이상의 정수이며, Y는 가교된폴리 m-스티렌아미드를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서, 브롬, 염소, 히드록실기, 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 카르복실레이트기로 부터 선택되는 것이고, b는 0 내지 4의 정수이며, c 및 d는 각각 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, c+d는 2 이상의 정수이다.청구항 2. 제1항에 있어서, a가 2 내지 4의 정수이고, c+d는 2내지 4의 정수인 역삼투 복합막.청구항 3. 제1항에 있어서, 상기 폴리 m-아미노스티렌은 0.01 내지 10 중량% 수용액으로 사용되고, 상기 방향족 아실할라이드는 유기 용매 중의 0.01 내지 10 중량% 용액으로 사용되는 것인 역삼투 복합막.청구항 4. 고분자 다공막 지지체, 및 그 위에 하기 일반식(I)의 폴리 m-아미노스티렌 및 하기 일반식(IV)의 방향족아민의 혼합물과 하기 일반식(II) 또는 (III)의 방향족 아실 할라이드의 계면 중합에 의해 형성된 가교된 폴리 m-스티렌아미드/방향족 폴리아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막.식 중, n은 3내지 100,000의 정수이고, a는 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, 2이상의 정수이며, Y는 가교된폴리 m-스티렌아미드/방향족 폴리아미드 아로이를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서, 브롬, 염소, 히드록실기, 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 카르복실레이트기로부터 선택되는 것이고, b는 0내지 4의 정수이며, c 및 d는 각각 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, c+d는 2 이상의 정수이고, Ar'은 아민기를 제외하고는 아실 할라이드와 반응하지 않는 방향족 환이고, 이 방향족 환에서 아민기가 없는 위치의 수소는 알킬, 알콕시, 술폰산기, 술포네이트기, 카르복실산기, 카르복실레이트기, 아미노기, 아실, 히드록시기, 할로겐 또는 니트로기로 치환될 수 있고, e는 2 이상의 정수이다.청구항 5. 제4항에 있어서, a가 2 내지 4의 정수이고, c+d는 2 내지 4의 정수인 역삼투 복합막.청구항 6. 제4항에 있어서, 상기 폴리 m-아미노스티렌 및 방향족 아민은 각각 0.01 내지 10 중량% 수용액으로 사용되는 것이고, 폴리 m-아미노스티렌과 방향족 아민의 합계량에 대한 폴리 m-아미노스티렌의 중량비는 0.05내지 1이고, 상기방향족 아실 할라이드는 유기 용매 중의 0.01 내지 10 중량% 용액으로 사용되는 것인 역삼투 복합막
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
구조식(I)의 5-고리 복소환 단량체인 피롤을 수용액상에서 도데실벤젠술폰산을 도판트로, 암모늄 퍼술페이트를 산화제로 사용하여 중합시키는 것으로 이루어진 다음 구조식(II)의 가용 전기전도성 폴리피롤의 제조방법.1. 다음 구조식(I)의 5-고리 복소환 단량체인 피롤을 수용액상에서 도데실벤젠술폰산을 도판트로, 암모늄퍼술페이트를 산화제로 사용하여 중합시키는것으로 이루어진 다음 구조식(II)의 가용 전기전도성 폴리피롤의 제조방법.2. 제1항에 있어서 산화제인 암모늄퍼술페이트의 농도가 피롤 단량체의 몰수에 대해 몰비로 0.05~0.5인 것이 특징인 제조방법3. 제1항에 있어서 도판트인 도데실벤젠술폰산의 농도가 피롤 단량체의 몰수에 대해 몰비로 0.1~1.0인 것이 특징인 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
높은 품질 계수와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다. <구성>SrTiO3 및 CaTiO3와 LaZn(1/2)Ti(1/2)O3 및 LaMg(1/2)Ti(1/2)O3를 주성분으로 하며, 조성식이 일반식(I)과 같은 유전체 조성물. 식 중, x, y, z는 0<=x<=0.1, 0.01<=y<=0.99, 0.4<=z<=0.7의 범위이다.하기 조성식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
높은 품질 계수와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다. <구성>SrTiO3와 LaZn(1/2)Ti(1/2)O3 및 LaMg(1/2)Ti(1/2)O3를 주성분으로 하며, 조성식이 일반식(I)과 같은 유전체 조성물. 식 중, x, y, z는 0<=x<=0.99, 0.4<=y<=0.9의 범위이다.하기 조성식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
유전율이 40 이상으로 크면서도 유전 손실이 적은 마이크로파용 유전체 조성물을 제공하고 ,공진 주파수의 온도계수를 0ppm/C를 중심으로 +와 -쪽으로 필요에 따라 용이하게 조정할 수 있도록 한다. <구성>순도 99.9%의 SrCO3, CaCO3, Nd2O3, TiO2 및 MgO를 일정한 조성이 되도록 혼합하고 혼합 분말을 대기중에서 섭씨 1050도의 온도에서 10시간 정도 하소 및 분쇄한 후, 다시 섭씨 1200-1300도에서 6기간 동안 재하소하여 페로브스카이트 구조를 갖는 고용체를 합성한다. 합성 분말을 잘 분쇄한 후 원판형 시편으로 가압 성형하여 대기중에서 섭씨 1500-1650도의 온도에서 2-6시간 동안 소결시킨다. <효과>유전율이 약 30-60이고 Qxfo가 약 9,500-50,000기가 헤르쯔이며, 공진 주파수의 온도 계수가 약 -60에서 +60ppm/도이므로 마이크로파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용할 수 있다.. 하기 조성식으로 나타내어지는 마이크로파용 유전체 조성물.(1－y)(Sr1－xCax)TiO3－yNd(Mg1/2Ti1/2)O3식 중, 0.01≤x≤1.0, 0.3≤x≤0.6이다
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 마이크로파 대역에서 높은 품질 계수와 유전율을 가지며 공진 주파수의 온도 계수가 안정한 고주파용 유전체 자기 조성물로서, (1-x)(La1/2Na1/2)TiO3-xCa(Fe1/2Nb1/2)O3(식중, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)로 나타내지는 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ca(Fe1/2Nb1/2)O3의 함량을 조절함으로써 공진 주파수의 온도 계수의 조정이 용이해서, 유전체 공진기 소재로서의 응용이 적합하다.. 다음의 화학식,(1-x)(La1/2Na1/2)TiO3 - xCa(Fe1/2Nb1/2)O3 (단, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물.2. 제 1 항에 있어서, 상기 x의 범위가 0.55 ≤ x ≤ 0.60인 고주파용 유전체 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 x(Ba0.85Ca(1-W)Mgw)O-yNd2O3-zTiO2+vBi2O3를 기본 조성으로 하는 x의 범위는 0.13 내지 0.16몰, y는 0.25몰, z의 범위는 0.59 내지 0.62몰, w의 범위는 0.01 내지 0.1몰, 첨가물 Bi2O3인 v의 함량은 10 내지 11중량 %인 고주파용 유전체 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ba, Ti와 Ca, Mg의 함량과 첨가몰 Bi2O3의 함량을 조절함으로써 유전율이 78 내지 92이고, Q·f0 (GHz)가 2730 내지 5780이며 공진 주파수의 온도계수는 0 내지 +33ppm/℃로서, 공진 주파수의 온도계수 조정이 용이하여 유전체 공진기 소재로 응용이 적합하다.1. 이동 통신용 대역통과 필터용 유전체 시편의 특성을 테스트하는 테스트 지그에 있어서,상기 유전체 시편을 그 위에 배치하도록 되어 있고 원형 구멍이 뚫려 있는 금속 바디 위에 고정되어 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 다수의 구멍이 뚫려 있는 제1 원형 도체판;상기 금속 바디와 상기 제1 원형 도체판에 뚫려 있는 상기 다수의 구멍을 관통하도록 되어 있는 다수의 금속 원기둥;상기 금속 바디와 결합형으로 제작되고, 계측기와 신호를 주고 받는 안테나, 및상기 금속 원기둥이 관통하도록 되어 있는 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 구멍이 뚫려 있고 상기 제1 원형 도체판위에 간격을 두고 배치되어 그 사이에 상기 유전체 시편을 배치하도록 되어 있는 제2 원형 도체판을 구비하여,상기 원형 구멍과 상기 원기둥들간에 슬라이드 공차를 주어 상기 유전체 시편 두께에 따른 자유로운 측정이 가능한 것을특징으로 하는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.2. 제1항에 있어서, 상기 안테나는 나사에 의한 높이 제어가 가능하고 오른 나사와 왼 나사가 동시에 작동하여 한쪽 방향의 회전으로 안테나의 좌우 운동이 동시에 이루어지는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원형 도체판에 상기 원기둥이 관통하여 슬라이드 공차에 의해서 상기 제2 원형 도체판의 상하 이동이 가능하고 상기 금속 바디에 연결된 지지대에 설치된 나사에 의한 안테나의 높이 제어와 오른 나사 및 왼 나사가 가공되어있는 봉에 의해 좌우 동시운동이 가능하도록 한 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 1000℃ 이상의 초고온에 가동되는 육상 발전용 터빈 블레이드를 비롯하여 고온에서 높은 강도와 내산화성을 요구하는 각종 장치의 핵심부품에 응용할 수 있는 주조용 Ni기 초내열 합금에 관한 것으로, 고온 특성중의 하나인 크립 파단 수명이 월등하게 향상된 Ni기 초내열 합금에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명의 조성은 Ni을 기본 조성으로 하여 여기에 Cr 6∼10%, W 8∼13%, Mo 1∼4%, Al 3∼7%, Ti 0.5∼3%, Nb 0.5∼3%, Co 8∼12%, Ta 3∼7%, Hf 0.05∼2.0%, Zr 0.05∼2.0%, B 0.01∼0.1%, C 0.01∼0.5%로 이루어지는 것이다.이러한 본 발명 합금의 성분 한정 이유는 Cr은 내산화성을 향상시키기 위하여 첨가되는 것이고, W은 합금의 크립 변형을 억제하여 크립 파단 수명을 향상시키는 역할을 하는 것이며, Mo은 W과 함께 기지에 고용되어 크립 파단 수명을 향상기도록 한 것이다. 또한, Al과 Ti는 사용하고자 하는 용도에 적절하게 합금의 고온 강도를 증대시키고, Nb는 본 발명의 특징적 첨가원소의 하나로서, 입계 강화 효과를 가지며, Co는 고용강화 및 탄화물 형성에 의한 석출 강화 효과 뿐만 아니라 고온에서의 내식성을 향상시키게 되고, Ta는 고용강화 및 석출강화 효과와 크립 파단 수명을 향상시키게 된다. Hf는 미량의 첨가에도 불구하고 합금의 입계강화 및 결정립 미세화에 의한 연성을 향상시켜 크립성질을 크게 개선시키게 된다.청구항 1. Ni을 기본 조성으로 하여 여기에 Cr 6∼10%, W 8∼13%, Mo 1∼4%, Al 3∼7%, Ti 0.5∼3%, Nb 0.5∼3%, Co8∼12%, Ta 3∼7%, Hf 0.05∼2.0%, Zr 0.05∼2.0%, B 0.01∼0.1%, C 0.01∼0.5%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 주조용니켈기 초내열 합금
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
통신 > 광전송 기술
전송 매체(2)를 통해 화상 신호를 직접 전송하는 장치에 있어서,백색광 점광원(1); 상기 점광원(1)로부터의 광을 통과시켜 1차원스펙트럼을 형성하기 위한 하나의 회절 격자(11); 상기 회절 격자(11)과 격자의 방향이 수직으로 배열되어 상기 회절 격자(11) 로부터의 1차원 스펙트럼을 2차원적으로 연속 분리 분포시킴으로써 2차원 화상의 각 화소에 대응시키기 위한 다수의 회절 격자로구성된 다열 회절 격자(12);전송될 화상 신호를 포함하고, 이 화상 신호에 따라 상기 다열 회절 격자(12)로부터 회절된 광을 선택적으로 통과시키기 위한 입력장치(3);상기 입력 장치(3)을 통과한 광을 접속하여 상기 전송 매체(2)로 입사시키기 위한 수단으로 구성되는 송신단과, 상기 송신단으로부터 상기 전송 매체(2)를 통하여 전송된 화상 신호를 수신하여 상기 입력 장치(3)를통과한 스펙트럼을 재생하기 위한 수신단을 포함하는 것을 특징 으로 하는 직접 화상 전송 장치1. 전송매체(2)를 통해 화상 신호를 적접 전송하는 장치에 있어서, 백색광 점광원(1); 상기 점광원(1)로부터의 광을 통과시켜 1차원 스펙트럼을 형성하기 위한 하나의 회절 격자(11); 상기 회절 격자(11)과 격자의 방향이 수직으로배열되어 상기 회절 격자(11)로부터의 1차원 스펙트럼을 2차원적으로 연속 분리 분포시킴으로써 2차원 화상의 각 화소에대응시키기 위한 다수의 회절 격자로 구성된 다열 회절 격자(12); 전송될 화상 신호를 포함하고 이 화상 신호에 따라 상기 다열 회절 격자(12)로부터 회절된 광을 선택적으로 통과시키기 위한 입력 장치(3); 및 상기 입력 장치(3)을 통과한 광을 집속하여 상기 전송매체(2)로 입사시키기 위한 수단으로 구성되는 송신단과, 상기 송신단으로부터 상기 전송매체(2)를통하여 전송된 화상 신호를 수신하여 상기 입력 장치(3)를 통과한 스펙트럼을 재생하기 위한 수신단을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치. 2. 제 1항에 있어서, 상기 다열 회절 격자(12)는 띠 모양으로 서로 평행하게 인접되어 한 평면 상에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 백색광 점광원(1)은 제논등인 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.4. 제 1항에 있어서, 상기 전송 매체(2)는 광섬유인 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.5. 제 1항에 있어서, 상기 다열 회절 격자(12)를 구성하는 각 회절 격자의 격자 주기가 일정한 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.6. 제 1항에 있어서, 상기 다열 회절 격자(12)를 구성하는 각 회절 격자의 격자 주기가 일정 법칙에 따라 증가 또는 감소되는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.7. 제 1항에 있어서, 상기 다열 회절 격자(12)를 통과하는 1차 회절빔은 동일 방향으로 진행하는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.8. 제 1항에 있어서, 상기 화상 신호를 광 정보로 하여, 병렬식 광 정보 전송 장치로 사용되는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.9. 스펙트럴 코딩 방식을 이용하여 전송매체(2)를 통해 화상 신호를 직접 전송하는 장치에 있어서, 상기 화상 신호를 송신하는 송신단 및 상기 화상 신호를 수신하는 수신단을 포함하고, 상기 송신단은 점광원(1)을 형성하기 위한 수단; 상기 점광원(1)로부터 방사되는 빛을 다열 회절 격자(12)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단; 상기 다열 회절 격자(12)로부터 회절된 빛을 입력 장치(3)에 집속시키기 위한 회절 빔 집속 수단; 상기 입력 장치(3)을 통과하여 방사되는 빛을 다열 회절 격자(13)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단 ; 및 상기 다열 회절 격자(13)을 통과한 빛을 집속하여 상기 전송 매체(2)로 입사시키기 위한 수단을 포함하고, 상기 수신단은, 상기 전송 매체(2)로부터 출력되는 빔을 다열 회절 격자(16)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단; 상기 입력 장치(3)의 스펙트럼을 재생시키기 위하여 상기 다열 회절 격자(16)을 통과한 회절 빔을 집속시키기 위한 수단 ; 및 상기 집속 수단에 의해 집속된 회절빔을 수신하는 화상 수신 수단(4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.10. 제 9항에 있어서, 상기 전송 매체(2)는 광섬유인 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.11. 제 9항에 있어서, 상기 전송 매체(2)로부터 출력되는 빔을 다열 회절 격자(16)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단은, 상기 전송 매체(2)로부터 출력되는 빔을 상기 수신단의 점광원으로 형성하기 위한 수단; 및 상기형성된 점광원으로부터 방사하는 빔을 다열 회절 격자(16)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단을 포함하는 것을특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.12. 제 9항에 있어서, 상기 송신단에 있어서의 상기 점광원(1)을 형성하기 위한 수단은 광원(5), 구형 렌즈(24, 25) 및 핀 홀(51)을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.13. 제 11항에 있어서, 상기 전송 매체(2)로부터 출력되는 빔을 상기 수신단의 점광원으로 형성하기 위한 수단은 슬릿(52)로 구성되는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송장치.14. 제 9항에 있어서, 상기 입력장치(3)은 공간 광 변조기로 구성되고, 상기 화상 수신 수단(4)는 CCD장치를포함하는 것을 특징으로 하는 직접 화상 전송 장치.15. 제 9항에 있어서, 상기 점광원(1)로부터 방사되는 빛을 다열 회절 격자(12)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단; 및 상기 다열 회절 격자(12)로부터 회절된 빛을 입력 장치(3)에 집속시키기 위한 회절빔 집속 수단의 배치는, 상기 입력 장치(3)을 통과하여 방사되는 빛을 다열 회절 격자(13)에 전송할 평행광으로 전환시키기 위한 수단; 및상기 다열 회절 격자(13)
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
[cox fe1-x]1-n [bysil-y]n의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 비정질 자성 합금을 200-460도씨의 온도 구간에서 대기 중에서 1분 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조 방법.1.［COX Fe1-X］1-n［By Si 1-y］n의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 비정질자성 합금을 200~460˚C의 온도 구간에서 대기 중에서 1분이상 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서제조방법.2.제1항에있어서, 상기 열처리 단계는 외부 자장을 영에 가깝게 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조방법.3.제1항에있어서, 상기 비정질 자성 합금은 5atomic%까지의 Cr,Ni,Mn등의 제 3혹은 제 4의 금속원소를 함유한 비정질 자기 합금인 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조 방법.4.제1항에 따른 방법에 의해 제조된 자기 센서 소자.5.제4항에 있어서, 상기 자기센서 소자는 외부 교류자장이 한 주기만큼 변할때 두개의 주피크와 두개의 부피크를 나타내는 것을 특징으로 하는 자기 센서 소자.6.주파스 발진 수단, 특정 주파수의 정현파를 생성하는 수단, 상기 정현파를 전류 증폭하여 자기장을 발생시키는 수단, 상기 자기장 주위에 있으며 이자기장이 가해지는 제4항에 따른 특성을 가지는 자기 센서 소자,상기 자기 센서 소자에 인접하여있고, 상기 자기센서 소자를 감지한 신호를 수신하는 수신기 수단, 상기 수신기 수단에 접속되어 상기 수신기 수단에서 나온 센서 신호의 파형을 기준으로 하여 구형파를 생성하는 제어 신호 발생 수단, 상기 발진기 수단에 결합되어 상기 주파수 발진기 수단에서 나온 신호에 의해 제어신호를 발생하는 제어 신호 발생수단, 상기 제어 신호발생 수단과 상기 구형파 생성 수단사이에 결합되어, 상기 제어 신호의 주파수와 상기 구형파 생성수단에서 나온 신호의 주파수와 펄스의 갯수를 비교하는 비교 수단, 및 상기 비교 수단에 결합되어, 상기 비교수단에서 나온 센서 존재 유무 판정 신호를 받아 경보를 울리는 경보 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 도난 방지 시스템.7.제6항에 있어서, 상기 센서 존재 유무 판정은 외부 교류 자장이 한 주기만큼 변할 때 2개의 주피크와 2개의 부피크를 나타내는 신호를 감지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도난 방지 시스템
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 생활가전기기 (F43)
음료수캔(6)이 장입되는 냉각/가열슈 (7)와 상기 냉각/가열슈(7)를 열전달매체로 하여 간단한 직류전원의 공급만으로 음료수캔 (6)을 냉각 또는 가열시키는 열전모듈(8)과, 흡열된 열을 흡수하는 히트캐파시타 (9)와 상기 히트캐파시타(9)의 열을 외부로 방출시키는 방열핀(11)과, 상기 방열핀(11)의 열 방출효과를 증대시키기 위한 방열팬(12)으로 구성된것이 특징인 열전냉각식 음료수캔쿨러1. 음료수캔(6)이 장입되는 냉각/가열슈(7)와, 상기 냉각/가열슈(7)를 열전달매체로 하여 간단한 직류전원의공급만으로 음료수캔(6)을 냉각 또는 가열시키는 열전모듈(8)과, 흡열된 열을 흡수하는 히트캐파시타(9)와, 상기 히트캐파시타(9)의 열을 외부로 방출시키는 방열핀(11)과, 상기 방열핀(11)의 열방출효과를 증대시키기 위한 방열팬(l2)으로 구성된 것이 특징인 열전냉각식 음료수 캔쿨러.2. 제1항에 있어서, 상기 히트캐파시타(9)는 그의 내부에 물로 채우는 공간이 형성되고 그의 외부에는 방열핀(11)을 구성하여 된 것이 특징인 열전냉각식 음료수 캔쿨러,
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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