일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 충분히 큰 사이즈의 웨이퍼를 열처리하는 경우에도 균일 가열이 이루어질 수 있고 , 온도의 급격한 증가가 가능하며 증착 박막의 결정성도 향상시킬 수 있는 새로운 형식의 세라믹 박막의 열처리 방법을 제공하기 위하여; 지지수단위에 박막이 성막된 재료를 위치시키고, 상기 박막에 마이크로파를 인가하여, 상기 박막을 급속 가열하고 온도측정수단을 이용하여 온도를 측정하고, 원하는 온도에서 마이크로파의 발생을 정지시키는 것으로 이루어지는 마이크로파를 이용한 세라믹 박막의 급속 열처리 방법을 제공한다.1. 지지수단위에 박막이 성막된 재료를 위치시키고, 상기 박막에 마이크로파를 인가하여 상기 박막을 급속 가열하고, 온도특정수단을 이용하여 온도를 측정하고, 원하는 온도에서 마이크로파의 발생을 정지시키는 것으로 이루어지는 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 지지수단 위에 상기 재료의 지지부를 추가적으로 형성하여 상기 재료가 그 위에 위치할 수 있게하는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.3. 제2항에 있어서, 상기 온도측정수단으로 열전대를, 상기 지지부의 뒷면을 식각하고, 그 안으로 상기 열전대를 삽입, 고정시켜 온도를 측정하는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.4. 제2항에 있어서, 상기 온도측정수단으로 열전대를, 상기 지지부를 두 장 이상 겹치게 하고, 그 겹쳐진 지지부의 사이로 상기 열전대를 삽입, 고정시켜 온도를 측정하는, 마이크로파를 이요鉢강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 열전대는 쉴딩 처리된 열전대 라인을 가지는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 온도측정수단이 파이로미터인 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.7. 제1항에 있어서, 상기 가열이 단열구조내에서 이루어지는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명에는 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. -(Ma)x-(Mb)y-(Mc)u-(Md)v-식 중, Ma는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 이고,Mb는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 이며,Mc는 전자 결핍성 단량체로서 이고,Md는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 이며,R1 및 R2는 서로 독립적으로 H 또는 산소 원자수 1 내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3, 메틸 에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라닐 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며,R3은 O, N-H 또는 N-CH2CH3이고,R4는 H 또는 CH3이고,R5는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH2CH3 또는 C(CH3)3이며,x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로,x는 0 내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고,y는 0.25 내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며,u는 x+y이고,v는 0.1 내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.이러한 지환족 유도체는 ArF 엑시머 레이저 영역에서의 투명성, 고해상도 및 고감도를 갖고, 기존의 노볼락 수지와 대등한 건식 엣칭 내성을 가지며, 기존의 알칼리 현상액을 적용할 수 있고, 특히 웨이퍼에 대한 접착성 및 현상성이 개선된다. 그러므로, 이러한 지환족 유도체를 사용하여 ArF 엑시머 레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료를 제조할 수 있다.1. 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체.--(M(a))(x)-(M(b))(y)-(M(C))(z)-(M(d))v-식 중 M(a)는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서...........이고, M(b) 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서.................이며, M(c)는 전자 결핍성 단량체로서.............이고, M(d)는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서...........이며, R1및R2는 서로 독립적으로 H또는 산소 원자수 1내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며, R3은 O, N-H또는 N-CH2CH3이고, R4는 H 또는 CH3이고, R5는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH2CH3또는 C(CH3)3이며, x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로, x는 0내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고, y는 0.25내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며, u는 x+y 이고, v는 0.1내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.2. 제 1항에 있어서, R1및 R2가 서로 독립적으로 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트인 지환족 유도체.3. 제 1또는 2항에 있어서, 전자 결핍성 단량체가 무수 말레산 및 말레이미드로부터 선택되고, (메트)아크릴산 에스테르 단량체가 메타크릴산메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸 및 아크릴산 t-부틸 카르보네이트인 지환족 유도체.4. 제 1또는 2항에 있어서, 지환족 유도체의 분자량이 3000 내지 15000인 지환족 유도체.5. 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 M(a), 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 M(b), 전자결핍성 단량체로서 M(c) 및 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 M(d)를 50내지 150℃의 온도 범위에서 라디칼 중합 개시제를 사용하여 3내지 24시간 동안 불활성 기체 분위기하에 용매 중에서 라디칼 중합시키는 것을 포함하는, 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체의 제조방법. --(M(a))(x)-(M(b))(y)-(M(C))(z)-(M(d))v-식 중 M(a)는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서...........이고, M(b) 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서.................이며, M(c)는 전자 결핍성 단량체로서.............이고, M(d)는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서...........이며, R1및R2는 서로 독립적으로 H또는 산소 원자수 1내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며, R3은 O, N-H또는 N-CH2CH3이고, R4는 H 또는 CH3이고, R5는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH2CH3또는 C(CH3)3이며, x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로, x는 0내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고, y는 0.25내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며, u는 x+y 이고, v는 0.1내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다6. 제 5항에 있어서, R1및 R2가 서로 독립적으로 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트인 지환족 유도체의 제조방법.7. 제 1또는 제 2항 기재의 지환족 유도체로 제조되는 ArF엑시머레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
소자제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와의 저항성 접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층 구조 금속 배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 탄탈륨실리나이트라이드 (TaSiNx)의 삼원소계 확산 방지막을 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산 방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적 특성의 열화를 막을 수 없는데 반하여 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지할 수 있으며, 전기적 특성을 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는 특징이 있다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억 소자의 제조방법에서 새로운 다층 금속 배선 구조로써 기존의 확산 방지막을 사용한 다층 금속 배선보다 월등히 우수한 특성을 가진다.1. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막내의 질소 농도가 0내지 43원자농도%로 제어되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨실리나이트라이드 박막 제조 방법.2. 제 1항에 의하여 제조되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막을 두께 500-2000Å로 증착하여, 실리콘(Si),갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 어느 하나와의 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법.3. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 28원자농도%이하인 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 확산방지 및 접착력 향상을 위하여, 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자.4. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 0내지 43원자농도%가 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 반도체 소자중의 층간절연층 및 하부금속사이에 확산 방지막으로 사용되므로써, 층간절연층/탄탈확사낭지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층이상으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자.5.탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 40원자농도%이상이 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 구리금속아래에 직접 접촉하는 금속 배선을 구비하는 집적 반도체 소자.6. 제 1항에 의하여 제조된 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 단계 및 상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정.7. 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 제 1단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2단게와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 제 4단계와, 상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5단계와, 상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6단계와, 상기 드레인 측의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 탄탈확산방지막을 도포하는 제 7단계와, 상기 탄탈확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8단계 및 층간절연막/탄탈확산방지막/주배선금속층이 2층이상이 되도록, 상기 6내지 8단계를 2회鵑반복한 후, 그 위에 보호마ㅏㄱ을 형성시키는 제 9단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다층 금속배선 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 고진공 장치 내에서의 유리기판 사이의 접합을 이용한 전계방출표시소자의 진공 실장(Vacuum Packaging)에 관한 것으로, 종래의 배기용 관을 사용하는 경우에 발생하는 여러 가지 문제점, 즉, 봉입시 발생하는 미세한 가스에 의해서도 패널 내부의 진공도가 크게 영향을 받게 되며, 또한 배기용 관의 일부가 전계방출표시소자에 남아 패널의 두께가 두꺼워지게 되고, 관의 길이와 구멍 크기에 의해서 가스 배기가 방해를 받는 등의 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 의한 전계방출표시소자 진공실장(Vacuum Packaging) 장치 및 방법은 배기를 할 수 있는 구멍이 미리 형성되어 있는 전계방출표시소자를 고진공 장치 내부에 장착하고, 고온 배기를 통해 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자를 모두 배기한 후, 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 구멍에 맞닿게 하고 일정한 온도에서 직류 전압을 인가하여 유리-유리 접합을 수행하므로써, 전계방출표시소자의 진공 실장이 이루어진다.이로써, 전계방출표시소자의 진공실장이 용이하게 달성될 수 있고, 소자 패널 사이의 진공도가 향상되는 등 우수한 특성의 전계방출표시소자 제공할 수 있다.1. 챔버(1)와, 상기 챔버를 고진공 상태로 만드는 진공펌프(3), 상기 챔버내부의 일측에 배치되어 있는 전계방출표시소자 수용부로서, 상기 수용부는 양 패널중 하나에 배기용 구멍이 형성되어 있는 전계방출표시소자(14)를 가열하기 위한 소자 가열장치(6)와, 전계방출표시소자를 지지하기 위한 고정대(10)를 포함하는 전게방출표시소자 수용부와, 상기 전계방출표시소자 수용부에 대향하여 상기 챔버내에 배치되며, 전계방출표시소자의 상기 배기용 구멍에 접합될 유리기판 조각(17)를 지지하는 유리기판 조각 고정대(11)와, 상기 유리기판 조각 고정대를 상기 전계방출표시소자 수용부방향으로 구동하기 위한 고정대 구동 받침대(12)및 상기 유리기판 조각을 가열하기 위한 유리기판 조각 가열장치(7)를 포함하는 유리기판 조각 수용부와, 상기 소자 가열장치(6)와 전계방출표시소자 고정대(10)에 연결되어, 상기 소자의 온도를 측정하고 소자 가열장치를 통하여 소자를 소정온도로 조절하는 소자 온도 조절장치(5)와, 상기 유리기판 조각 가열장치(7)와 유리기판 조각 고정대(11)에 연결되어, 유리기판 조각의 온도를 측정하고 유리기판 조각 가열장치를 통하여 유리기판 조각을 소정온도로 조절하는 유리기판 조각온도 조절장치(4), 및 상기 전계방출표시소자에는 양극(+)이, 접합되어야 하는 유리기판 조각에는 음극(-)이 연결되어 소자 및 유리기판 조각에 직류전압을 공급하기 위한 전원공급장치(13)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 장치가 상기 전계방출표시소자 고정대(10)에 부착되어 전게방출표시소자(14)의 온도를 측정하기 위한 센서(8)및 상기 유리기판 조각 고정대(11)에 부착되어 유리기판 ㅗㅈ각(17)의 온도를 측정하기 위한 센서(9)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 장치.3. 상기 제 1항 또는 2항에 의한 장치를 사용하여 전게방출표시소자를 진공실장하는 방법으로서, 상기 전계방출표시소자의 양 패널 중 하나에 배기를 할 수 있는 배기용 구멍을 미리 형성하는 공정과, 상기 전계방출표시소자의 배기용 구멍이 형성된 캐소드 뒷면에 상기 배기용 구멍을 둘러싸는 전극용 금속 박막을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막상에 접합에 관여하는 실리콘 박막을 형성하는 공정과, 상기 전계방출표시소자 및 구멍을 실장하기 위한 유리 기판 조각을 진공챔버 내부에 장착하는 공정과,상기 챔버내부가 10/(8)~3×10/(8)torr의 진공도를 가지도록 상기 챔버내부를 배기하고, 350℃~400℃의 온도에서 상기 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자 및 유리기판 조각 내부의 가스분자를 모두 고온 배기하는 공정과, 상기 전계방출표시소자와 유리기판 조각의 온도를 서서히 감소시켜 250~300℃정도의 유리-유리 접합온도를 유지하는 공정과, 상기 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 배기용 구멍에 맞닿게 하는 공정과, 상기 전계방출표시소자측과 접합될 유리기판 조각 사이에 200~400V의 직류 전압을 인가함으로써 유리-유리 접합을 수행하는 平ㅐ막이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.4. 제 3항에 있어서, 드릴을 이용한 방법 및 아크를 이용한 바업ㅂ중에서 선택되는 한 방법에 의하여 상기 배기용 구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 배기용 구멍을 1내지 4개 형성하는 것을 특징으로 하는 전게방출표시소자 진공 실장 방법.6. 제 3항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 및 유리기판 조각을 상기 전계방출표시소자 고정대 및 유리기판 조각 고정대에 각각 고정시키므로써 챔버내에 장착하는 것을 특징으로 하는 전게방출표시소자 진공 실장 방법.7. 제 3항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 고정대를 이용하여 상기 전게방출표시소자의 전극용 금속 박막에 양극(+)을 인가하고, 유리기판 조각 고정대를 이용하여 유리기판 조각에 음극(-)을 인가하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.8. 제 3항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 고정대 및 유리기판 조각 고정대에 온도 센서를 장착하여 전계방출표시소자 캐소드 뒷면 및 유리기판 조각의 온도를 측정하고, 상기 온도조절장치 및 가열 장치를 이용하여 전계방출표시소자 및 유리기판 조각을 소정 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.9. 제 3항에 있어서, 상기 유리-유리 접합시 전계방출표시소자와 유리 기판 조각의 온도를 같게 유지하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.10. 제 3항에 있어서, 상기 진공펌프로 로타리 펌프, 터보 펌프, 크라이오 펌프에서 선택되는 하나의 펌프를
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
PECVD와 같이 플라즈마상태속에서 반도체등의 기판표면에 금속을 증착할 경우 플라즈마의 간섭현상, 금속박막에 의한표면반사도변화등에 의해서 PYROMETER, 열전대등으로 기판의 온도를 정확히 알아내기 어렵다. 본특허는 기판에 열전대를 삽입할 수 있는 최적의 구멍을 뚫어서 그안에 열전대를 매몰시켜서 플라즈마 및 금속증착과정에 상관 없이 기판의표면온도를 측정할 수 있도록 구성된 기구이다.1. 반응기(1)내부에 확산전극(2)과 열선(3)으로 가열되는 열판(4)이 구비된 플라즈마 화학증착장치에 있어서, 증착용 실리콘웨이퍼(5)와 함께 표면에 홈(5a′)(5a″)이 형성된 두개의 측정용 실리콘웨이퍼(5)(5′)를 열판(4)상에 위치시킨 상태에서 고주파전자기장 차단을 위한 보호용판(6)(6′)관으로 둘러싸인 열전대(7)(7′)를 상기 측정용 실리콘웨이퍼(5′)(5″)의 홈(5a′)(5a″)에 직접 삽입하는 한편 반응기(1의 외측으로 연장된 보호용관(5)(6′)을 접지시켜 증착용 실리콘 웨이퍼(5)의 표면온도를 측정하도록 구성됨을 특징으로 하는 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 고집적 실리콘 반도체 소자의 금속 배선 형성에 관한 것이다. 최근에 개발된 저압 화학 증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착시키는 금속 배선 기술은 열적 안정도, 일렉트로 미그레이션, 스탭 커버리지 등이 우수한 반면 실리콘, 산화막 및 산화막/실리콘 계면에서 침식이 발생 함으로써 텅스텐이 산화막/실리콘 계면으로 파고 들어 가거나 실리콘 기판 내부로 침투하게 되어 결과적으로 누설 전류가 높아지고 정선의 단락이 발생하여, 절연 파괴 전압이 낮아지는 등의 문제점이 발생하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 텅스텐 박막의 형성 이전에 플라스마 화학 증착법을 이용하어 텅스텐 질화 박막을 증착시키는 방법을 제공한다.텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로써 NH /WF 의 입력 분압 조성비를 0.25-2로 하고, 300-600도C의 증착 온도에서 0.1-1 Torr의 증착 압력하에서 플라스마 화학 증착하여 70-300μΩ-㎝의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화 박막을 5-10μm의 두께로 성장 시킴으로써 전압 화학 증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속 배선을 형성하는 공정시에 F원자 들에 의한 실리콘, 산화막 및 산 실리콘 계면의 침식을 방지 하도록 한 고집적 실리콘 반도체 소자의 금속 배선 형성용 텅스텐 질화 박막 증착법이다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
실리카겔에 비하여 흡습성능이 우수하고 종래의 염화물계 흡습제보다 적고 균일한 입격을 갖는 식품이나 의약품 포장용 방습제 및 그 제조방법을 제공하고, 천연광물인 저가의 자연산 규조토를 주원료로 사용하여 제조비용의 절감을 가져올 방습제를 제공한다. <구성>입경이 0.1-3mm인 자연산 규조토를 중량비 5-80% 정도의 핵으로 하고,비표면적이 50제곱미터/g 이상인 실리카나 제올라이트를 중량비 10.8%로하여 보습모재로 하고 200메쉬 이하의 벤토나이트를 중량비 5-50%로하여 점결제 및 보습재로하여 냄새제거제와 혼합해서 분말을 제조 후, 염화물 수용액과 함께 조립하여 150-200도C에서 건조시켜 얻는다. <효과>실리카겔에 비하여 수분흡수능력이 뛰어나며, 저가의 원료를 사용하기 때문에 제조비용이 크게 절감된다. 또하 평균 입경이 0.2-4mm 정도를 유지하므로 소형상품의 자동연속포장에 적합하다.1. 규조토 입자의 주위에 실리카나 제올라이트와 벤토나이트 및 활성탄소의 혼합물층이 형성된 입경 0.2-4mm의 구상 염화물 담지체로 이루어진 것을 특징으로 하는 방습제.2. 입경이 0.1-3mm인 자연산 규조토 5~80중량%를 핵으로 하고, 비표면적이 50m<2>/g이상인 미립의 실리카나 제올라이트 10-80중량5를 보습모재로, 200매쉬 이하의 벤토나이트 5-50중량%를 점결제 및 보습제로, 상기 모재중량을 기준으로 0.1-10%의 분말상 활성탄소를 냄새제거제로 하여 이들 보습모재와 점결제 및 냄새제거제를 균일하게 혼합해서 혼합모재 분말을 제조한 다음, 상기 핵과 혼합모재분말을 조립기중에서 염화물 수용액과 함께 조립하여 입경이 0.2-4mm인 구상으로 조립한 후 150-250℃에서 건조시킴을 특징으로 하는 방습제의 제조방법.3. 제 2항에 있어서, 염화물 수용액은 핵과 모재 모두에 염화칼슘이 5-50중량% 함유되도록 농도를 20-40%로 유지시킴을 특징으로 하는 방습제의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 염화물이 염화칼슘, 염화리튬 또는 염화마그네슘인 것을 특징으로 하는 방습제의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
새로운 단량체인 N-t-부톡시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체 제조방법 및 이 공중합체의 감방사선을 이용하여 고집적 반도체 및 전자 디바이스 미세가공 공정에서 고감도 고해상성으로 내열성 레지스트 화상을 형성한다. <구성>실리콘 웨이퍼상에 N-t-부톡시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체와 오니움염을 클롤벤젠에 용해한 용액을 스핀 도포한 다음 전열처리하고 원자외선 노광후 후열처리한 다음 현상하는 것으로 구성한다.1. N-t-부록시카르보닐말레이미드 단량체와, 스티렌계 유도체를 라디칼 공중합시켜 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 몰비가 1:1인 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 스티렌 유도체가 스티렌, P-아세톡시스티렌, P-메틸스티렌, P-염화스티렌, m-염화메틸스티렌, P-t-부톡시카르보닐옥시스티렌, P-트리메틸시릴메틸스티렌, P-트리메틸실릴스티렌인 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체 제조방법.3. 실리콘 웨이퍼상에 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체와 오니움어을 클로로벤젠에 용해한 용액을 스핀 도포한 다음, 전열처리(prebaking)하고 원자외선 노광후 후열처리한 다음 현상하는 내열성 포지티브 레지스트 화상형성방법.4. 제 3항에 있어서, 현상액이 트리메틸암모늄 히드록시드 수용액, 아니솔, 톨루엔, 메틸이소부틸케톤, 클로로포룸인 것이 특징인 내열성 포지티즈 레지스트 화상형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선 택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아본드막의 성장 방법.1. Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.2. (100) Si 기판 상에, <100> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드 (100) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 (100) 다이아몬드면으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.3. (111) Si 기판 상에, <111> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드(111) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 (111) 다이아몬드만으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 기타 자동화 기술
본 발명은 구형(球刑)이나 복잡한 형상의 속이 빈 금속용기를 제조하는 장치에 관한 것으로, 종래의 성형장치는 정밀도가 떨어지고, 제조공정이 복잡하며, 생산비가 비싼 문제점이 있었바, 초소성 재료의 금속관이 장착되며 내부에 제조하고자 하는 성형용 공간이 다수 개 일렬로 배열되어 있는 금형과, 내부에 열선이 설치되어 상기 금형을 가열하는 전기로와, 상기 금형과 전기로를 상하로 압축 및 분리하는 프레스와, 상기 금형의 온도를 일정하게 유지하도록 전기로의 온도를 제어하는 온도제어기와, 상기 금형의 내부로 압축기체를 공급하는 압축공기 발생장치와, 상기 압축공기 발생장치에서 공급되는 기체의 압력을 조절하는 압력제어기로 구성되는 본 발명을 제공함으로써, 단한번의 공정으로 형상이 복잡한 성형품을 젝조할 수 있어 생산성이 향상되고, 생산비가 절감되며, 성형품의 내구성이 증가하는 한편, 디자인이 다양화되어, 금형설계가 용이해지고, 성형품의 치수가 정밀해지는 효과가 있다.1. 초소성 재료의 금속관(P)이 장착되며, 내부에 제조하고자 하는 성형용 공간이 다수개 일렬로 배열되어 있는 금형(1)과; 내부에 열선이 설치되어 상기 금형을 가열하는 전기로(2)와; 상기 금형과 전기로를 상하로 압축 및 분리하는 프레스(3)와; 상기 금형의 온도를 일정하게 유지하도록 전기로의 온도를 제어하는 온도제어기(4)와; 상기 금형의 내부로 압축기체를 공급하는 압축공기 발생장치(5)와; 상기 압축공기 발생장치에서 공급되는 기체의 압력을 조절하는 압력제어기(6)로 구성함을 특징으로 하는 금속관 성형장치.2. 제1항에 있어서, 상기 금형(1)은 중앙에 설치되며, 다수 개의 금속관(P)이 설치되도록 성형공간이 형성되어 있는 대형의 내부금형(11)과; 상기 내부금형 주위에 환상으로 내부금형의 성형공간과 결합 및 분리가 가능하게 설치되는 다수 개의 소형의 외부금형(13)으로 구성되며, 상기 전기로(2)는 상기 내부금형의 중앙에 설치되는 내부전기로(12)와; 상기 외부금형의 외측을 둘러싸고 설치되는 외부전기로(14)로 구성된 것을 특징으로 하는 금속관 성형장치.3. 제1항에 있어서, 상기 금형(1)은 중앙에 설치되며, 다수 개의 금속관(P)이 설치되어 있는 내부금형(12)과; 상기 내부금형 상하측에 내부금형의 성형공간과 대칭되는 성형공간을 갖고 결합 및 분리가 가능하게 설치되는 외부금형(23,25)으로 구성되며, 상기 전기로(2)는 중앙에 설치되는 내부전기로(22)와; 상기 외부금형의 외부에 설치되는 외부전기로(24,26)로 구성된 것을 특징으로 하는 금속관 성형장치.4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금형(1)에 설치되는 금속관(P)의 일단부에는 금속관의 일단부를 폐쇄하는 막음부재(9)가 설치되고, 타단부에는 금속관을 팽창시키는 기체가 주입되는 기체주입관(10)이 설치된 것을 특징으로 하는 금속관 성형장치.5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속관(P)의 양단부와 접촉되는 금형의 내측면에는 금속관의 미끄러짐을 방지하고, 기체주입관(10)과의 밀착을 증대시키는 돌기부(7)가 형성된 것을 특징으로 하는 금속관 성형장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
통신 > 광전송 기술
화소화된 입력 화상으로부터의 광을 평행광으로 형성하기 위한 제1 렌즈 수단(6C)와 광 정보를 전송하기 위한 전송 매질(2A)와 전송 매질(2A)의 왜에 관한 정보를 포함하는 홀로그램 기록 매체(1A)와 입사광을 반사시키기 위한 반사경(7)과 상기 제1렌즈수단(6C)로부터 상기 홀로그램 기록 매체(1A)를 투과한 평행광을 반사경(7)로 집속시키며, 상기 반사경(7)로부터 반사된 광을 다시 평행광으로 형성하는 제2렌즈 수단(6D)와 상기 제2렌즈 수단으로부터의 평행광에 의해 상기 홀로그램 기록 매체(1A)로부터 재생된 위상 공액파를 상기 전송 매질(2A)로 접속시키기 위한 제3렌즈 수단(6A, 6B) 및 상기 전송 매질(2A)로부터의 광 정보를 표시하기 위한 영상 출력기(4)로 구성되는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.1. 화소화된 입력 화상으로부터의 광을 평행광으로 형성하기 위한 제1렌즈 수단(6c)와 광정보를 전송하기 위한 전송 매질(2a)와 전송 매질(2a)의 왜에 관한 정보를 포함하는 홀로그램 기록 매체(1a)와 입사광을 반사시키기 위한 반사경(7)과 상기 제1렌즈 수단(6c)로부터 상기 홀로그램 기록 매체(1a)를 투과한 평행광을 반사경(7)로 집속시키며, 상기반사경(7)로부터 반사된 광을 다시 평행광으로 형성하는 제2렌즈 수단(6d)와 상기 제2렌즈 수단으로부터의 평행광에 의해상기 홀로그램 기록매체(1a)로부터 재생된 위상 공액파를 상기 전송 매질(2a)로 집속시키기 위한 제3렌즈 수단(6a,6b) 및상기 전송 매질(2a)로부터의 광 정보를 표시하기 위한 영상 출력기(4)로 구성되는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송장치.2. 제1항에 있어서, 상기 제1렌즈 수단(6c)가 상기 홀로그램 기록 매체(1a)와 상기 제2렌즈 수단(6d) 및 반사경(7)은 일직선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.3. 제1항에 있어서, 상기 제3렌즈 수단 및 상기 홀로그램 기록 매체는 상기 전송 매질(2a)의 입력단 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.4. 제1항에 있어서, 상기 전송 매질(2a)로부터의 광을 분할하여 상기 영상 출력기(4)로 광 경로를 바꾸어 주는 빔 분할기(5)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.5. 제1항에 있어서, 상기 홀로그램 기록 매체(1a)는 홀로그램 건판 또는 광굴절성 결정인 것을 특징으로 하는광화상 직접 전송 장치.6. 제1항에 있어서, 상기 전송 매질(2a)는 광섬유인 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.7. 제1항에 있어서, 상기 영상 출력기(4)는 전하 결합 소자(CCD)로 구성되는 것을 특징으로 하는 광화상 직접전송 장치.8. 화소화된 입력 화상으로부터의 광을 평행광으로 형성하기 위한 다수의 제1렌즈 수단(6c)와 광정보를 전송하기 위한 전송 매질(2a)와 전송 매질(2a)의 왜에 관한 정보를 포함하는 다수의 홀로그램 기록 매체(1a)와 입사광을 반사시키기 위한 다수의 반사경(7)과 상기 다수의 제1렌즈 수단(6c) 각각으로부터 상기 다수의 홀로그램 기록 매체(1a) 각각을 투과한 다수의 평행광을 반사경(7)로 각각 집속시키며, 상기 다수의 반사경(7) 각각으로부터 반사된 광을 다시 평행광으로 형성하는 다수의 제2렌즈 수단(6d)와 상기 다수의 제2렌즈 수단으로부터의 평행광에 의해 상기 다수의 홀로그램 기록매체(1a)로부터 재생된 위상 공액파를 상기 전송 매질(2a)로 집속시키기 위한 제3렌즈 수단(6a,6b) 및 상기 전송 매질(2a)로부터의 광 정보를 표시하기 위한 영상 출력기(4)로 구성되는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.9. 제8항에 있어서, 상기 다수의 제1렌즈 수단(6c)와 상기 다수의 홀로그램 기록 매체(1a)와 상기 다수의 제2렌즈 수단(6d) 및 상기 다수의 반사경(7) 각각은 일직선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.10. 제8항에 있어서, 상기 제3렌즈 수단 및 상기 다수의 홀로그램 기록 매체는 상기 전송 매질(2a)의 입력단측에 일직선으로 배열되는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.11. 제8항에 있어서, 상기 전송 매질(2a)로부터의 광을 분할하여 상기 영상 출력기(4)로 광 경로를 바꾸어주는 빔 분할기(5)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.12. 제8항에 있어서, 상기 다수의 홀로그램 기록 매체(1a)는 홀로그램 건판 또는 광굴절성 결정인 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.13. 제8항에 있어서, 상기 전송 매질(2a)는 광섬유인 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.14. 제8항에 있어서, 상기 영상 출력기(4)는 전하 결합 소자(CCD)로 구성되는 것 특징으로 하는 광화상 직접 전송 장치.15. 화소화된 입력 화상으로부터의 광을 평행광으로 형성하기 위한 제1평행광 형성 단계와 상기 제1평행광 형성 단계에 의한 평행광을 전송 매질(2a)의 왜에 관한 정보를 포함하는 홀로그램 기록 매체(1a)로 투과시켜서 반사경(7)로집속시키는 단계와 상기 반사경(7)로부터 반사된 광을 다시 평행광으로 형성하기 위한 제2평행광 형성 단계와 상기 제2평행광 형성 단계에 의한 평행광을 상기 홀로그램 기록 매체(1a)로 투과시켜 위상 공액파를 형성하는 단계와 상기 위상 공액파를 전송 매질(2a)로 집속시키는 단계 및 상기 전송 매질(2a)로부터의 광 정보를 영상 출력기(4)에 표시하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 방법.16. 제15항에 있어서, 상기 제1평행광 형성 단계에 의한 평행광과 상기 제2평행광 형성 단계에 의한 평행광은진행 방향이 서로 반대인 것을 특징으로 하는 광화상 직접 전송 방법.17. 제15항에 있어서, 상기
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
환경 > 기타 환경오염제어·관리 기술
본 발명은 필터를 세척하는 제트 분사 시스템을 갖는 정수 장치에 관한 것으로, 노즐형 분사구(1a, 1b)를 통해서 수도관에 연결되고 하부면 중앙부에 정수된 물이 배출되는 배출구(2a)가 형성되고 주연 방향 하단에 필터 세척시의 물이 배출되는 배출구(11a)가 형성된 정수통(2)과, 이 정수통(2) 내의 물을 정수하여 정수통의 배출구(2a)를 통해서 배출하도록 배치된 세라믹 튜브(3)와, 밸브(6d) 및 적절한 관을 통해서 정수통(2)에 연결되고 주연 방향 하단에 배출구(11b)를 갖춘 저장통(4)을 포함한다. 또한, 역세척 제트 분사 시스템을 갖는 정수 장치는 상기 구성에 더하여, 수돗물이 유입되도록 밸브(6a)를 거쳐 수도관에 연결되고 주연 방향 하단부에 배출구(11c)를 갖춘 역세척통(5)과, 이 역세척통(5) 안에 들어 있고 밸브(6d) 및 적절한 관을 통해서 정수통의 배출구(2a)에 연통된 수축 및 확장가능한 백(8)을 포함한다. 이로써, 수돗물만에 의한 낮은 수압으로도 필터를 역세척 할 수 있게 된다.1. 물이 공급되는 노즐형 분사구(1a,1b), 정수된 물이 배출되는 제1배출구(2a), 필터 세척시의 물이 배출되는 제2배출구(11a)가 마련된 정수통(2)과, 내부의 세라믹 지지체(3b)와 그 위에 코팅된 필터막(3a)으로 이루어지고, 상기 제1배출구가 그 내부에 오도록 정수통(2)의 내부에 배치되는 세라믹 튜브(3)와, 제1밸브(6d)를 거쳐 정수통(2)의 제1배출구(2a)와 연통하고 정수된 물을 배출하기 위한 제3배출구(11b)를 갖춘 저장통(4)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정수 장치.2. 제1항에 있어서, 노즐형 분사구가 2개 이상이며 이들이 주연 방향으로 동일 간격으로 이격 배치된 것을 특징으로 하는 정수 장치.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 노즐형 분사구가 정수통(2)의 상하로 이격 배치된 것을 특징으로 하는 정수 장치.4. 물이 공급되는 노즐형 분사구(1a,1b), 정수된 물이 배출되는 제1배출구(2a), 필터 세척시의 물이 배출되는 제2배출구(11a)가 마련된 정수통(2)과, 내부의 세라믹 지지체(3b)와 그 위에 코팅된 필터막(3a)으로 이루어지고, 상기 제1배출구가 그 내부에 오도록 정수통(2)의 내부에 배치되는 세라믹 튜브(3)와, 제1밸브(6d)를 거쳐 정수통(2)의 제1배출구와 연통하고 정수된 물을 배출하기 위한 제3배출구(11b)를 갖춘 저장통(4)과, 제2밸브(6a)를 거쳐 물의 공급원과 연통하고 제4배출구(11c)를 갖춘 역세척통(5)과, 이 역세척통(5) 안에 들어 있고 제1밸브(6d)를 거쳐 정수통(2)의 배출구(2a)에 연통된 수축 및 확장가능한 백(8)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정수 장치.5. 제4항에 있어서, 노즐형 분사구가 2개 이상이며 이들이 주연 방향으로 동일 간격으로 이격 배치된 것을 특징으로 하는 정수 장치.6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 노즐형 분사구가 정수통(2)의 상하로 이격 배치된 것을 특징으로 하는 정수 장치.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
산화물 소결조제와 α-Si3N4 분말의 혼합물로부터 제조된, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 갖는 내부와, 이 내부와 동일한 소결조제와 β-Si3N4의 혼합물로부터 제조된, 상기 내부 보다 상대적으로 미세한 구조를 갖는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 갖는 질화규소 소재 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 이층 미세구조를 질화규소 소재는 재료 전체의 파괴 인성이 우수함과 동시에 표면부의 강도가 우수하고, 기계 가공 후 표면 조도가 작은 장점이 있기 때문에, 베어링 메카니칼 씰 등의 각종 내마모 부품에 응용할 수 있다.1. α-Si3N4 분말에 산화물 소결조제, 유기 바인더 및 용매를 첨가하여 볼밀링하고 건조시켜 질화슈고 소결체의 내부용 원료 혼합물을 준비하는 공정, 상기 내부용 원료 혼합물을 성형하여 내부 성형체를 제조하는 공정, β-Si3N4 분말에 소결조제, 유기 바인더, 분산제 및 용매를 첨가하여 볼밀링하여 질화규소 소결체의 표면부용 슬러리를 제조하는 공정, 상기 내부 성형체에 표면부용 슬러리를 피복시킨 후 건조 및 성형하여 내부는 α-Si3N4, 표면부는 β-Si3N4로 이루어진 이층 구조체를 제조하는 공정, 상기 이층 구조체를 소결시키는 공정을 포함하는, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 가지는 내부와, 이 내부에 비하여 상대적으로 미세한 구조를 가지는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 가지는 질화슈고 소결체의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 산화물 소결조제는 Y2O3 1-15 중량%와 Al2O5 1-12 중량%, 또는 Yb2O5 1-18중량%와 SiO2 1-12중량% 중에서 선택되는 어느 하나의 군을 세라믹 중량에 대하여 1-20%의 양으로 첨가하는 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 내부용 원료 혼합물의 유기 바인더로서 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리비닐알콜을 세라믹 중량에 대하여 0.1-3중량%의 양으로 첨가하는 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 내부용 원료 혼합물의 용매로서 증류수 또는 에틸알콜 또는 메틸알콜을 건조 고체 중량에 대하여 30-90중량%의 양으로 첨가하는 방법.5. 제1항에 있어서, 상기 내부 성형체가 건조된 내부용 원료 혼합물을 100-500kg/㎠의 압력 하에 일축 가압 성형한 다음, 100-3,000kg/㎠의 압력으로 정수압 성형하거나 또는 일축 가압 성형 공정을 거치지 않고 100-3,000kg/㎠의 압력의 정수압 성형에 의해 성형되는 것인 방법.6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 소결조제가 상기 내부용 원료 혼합물의 소결조제와 동일한 것인 방법.7. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 유기 바인더로서 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리비닐알콜을 세라믹 중량에 대하여 약 0.3-3%의 양으로 첨가하는 방법.8. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 분산제로서 디메틸아민을 세라믹 중량에 대하여 약0.1-2%의 양으로 첨가하는 방법.9. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 용매로서 증류수를 건조 고체 중량에 대하여 30-90%의 양으로 첨가하는 방법.10. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리를 상기 내부 성형체 위에 피복시키는 공정을 약 1기압, 상온에서 원하는 두께에 따라 상기 표면부용 슬러리에서 약1-30분간 첨지시킴으로써 수행하는 방법.11. 제1항에 있어서, 상기 이층 구조체의 성형을 1,000-3,000kg/㎠의 압력 범위에서 내부 성형체를 성형할 때와 동일하거나 더 큰 압력으로 정수압 성형하는 방법.12. 제1항에 있어서, 상기 이층 구조체의 소결을 1,650-1,850℃ 온도 범위에서 약 1기압의 질소 분위기 하에 1-8시간 동안 상압 소결하거나, 또는 1,850-2,000℃ 온도 범위에서 2-100기압의 질소 압력 하에 1-10시간 동안 가스압 소결하는 방법.13. 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 가지며, 길이 10-30㎛ 및 직경 2-8㎛으로 성장한 주상 β-Si3N4가 전체 부피의 40% 이상을 차지하는 미세구조를 가지는 내부와, 이 내부에 비하여 상대적으로 미세한 구조를 가지며, 평균 결정립 크기 0.5-8㎛의 β-Si3N4로 이루어진 표면부로 구성된, 이층 미세구조를 가지는 질화규소 소재.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 질산칼슘 수화물[Ca(NO3)2.4H2O]과 질산납[Pb(NO3)2] 및 인산암모늄 [(NH4)3PO4]을 증류수에 각각 0.01 M 이상의 농도로 용해시켜 pH 9 이상의 염기성으로 조정한 다음, 공침전시키고 생성된 침전물을 5∼20시간 동안 유지시키고 소성하여 다음의 화학식, Ca10 PbX(PO4)6(OH)2 (식중에서, 0 x 10, 보다 바람직하게는 0 x 3)을 갖는, 메탄 이량화용 Pb치환 하이드록시아파타이트 촉매를 제조하는 방법과, 본 발명의 촉매를 이용한 고온에서의 메탄 이량화 반응에 있어 높은 수율로 C2 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다.1. 질산칼슘 수화물[Ca(NO3)2, 4H2O]과 질산납[Pb(NO3)24)3PO410Pb(x)(PO4)6(OH)2 (단, O x 10).2. 제 1항에 있어서, 상기 화학식에서 x의 범위가 0 x 3인 제조 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 pH가 10.2~10.8인 제조 방법.4. 제 1항에 있어서, 상기 소성 단계가 산소 분위기 하에서 200~500℃로 일차 소성하고, 600~1000℃로 이차 소성하는 것으로 이루어진 제조방법.5. 메탄, 산소 및 He기체를 함유하는 혼합 기체를, 제 1항에 의한 메탄 이량화용 Pb치환 하이드록시아파타이트 촉매 존재 하에서 접촉 시간 6.48~16.2min/L의 조건으로 반응시키는 것으로 이루어진 C2화합물 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학 > 기타 무기화학
다음 화학식 1로 표시되는 (폴리아릴알킬)실란 화합물 및 화학식 2의 벤젠 유도체와 화학식 3의 폴리클로로알킬실란을 루이스 산 촉매 존재하에 반응시키는 것에 의한 그의 제조방법이 제공된다.(식 중, m, p, 및 q는 각각 0 또는 1; n과 y는 각각 0, 1 또는 2; X1, X2, X3, X4 및 X5는 각각 수소, 플루오로, 또는 클로로를 나타내며 이들은 서로 같거나 다를 수 있고; R은 C1-12 알킬기를 나타내며; 단, n=0이면, m=0이고, n=1 또는 2이면, X1, X2, X3, X4 및 X5 중 적어도 2개는 클로로 또는 플루오로기를 나타낸다)1. 다음 화학식 1로 표시되는 (폴리아릴알킬)실란 화합물.(식 중, m,p및 q는 각각 0또는 1;n과 y는 각각0,1또는 2;X<1>,X<2>,X<3>,X<4>,및 X<5>는 각각 수소, 플루오로, 또는 클로로를 나타내며 이들은 서로 같거나 다를 수 있고; R은 C(1-12)알킬기를 나타내며; 단, n=0이면, m=0이고, n=1또는 2면, X<1>,X<2>,X<3>,X<4>및 X<5>중 적어도 2개는 클로로 또는 플루오로기를 나타낸다)2. 제 1항에 있어서, [비스(2.5-디클로로페닐)메틸]메틸디클로로실란, [비스(플루오로페닐)메틸]메틸디클로로실란, (트리페닐메틸)메틸디클로로실란, (트리페닐메틸)트리클로로실란, [2.2-비스(2.5-디클로로페닐)에틸]트리클로로실란, (3.3-디페닐프로필)트리클로로실란, [3.3-비스(플루오로페닐)프로필]트리클로로실란, (2.2-디페닐에틸)트리클로로실란, [2.2-비스(2.5-디클로로페닐)에틸]트리클로로실란, [2.2-비스(2.4-디클로로페닐)에틸]트리클로로실란, [2.2-비스(트리클로로페닐)에틸]트리클로로실란, [2.2-비스(2,3,4,5-테트라클로로페닐)에틸]트리클로로실란, (3.3-디페닐프로필)트리클로로실란, [3.3-비스(플루오로페닐)프로필]트리클로로실란, (3.3-디페닐부틸)트리클로로실란, 및 [3.3-비스(2.4-디클로로페닐)부틸]트리클로로실란 중에서 선택되는 것이 특징인 (폴리아릴알킬)실란 화합물.3. 다음 화학식 2의 벤젠 유도체와 다음 화학식 3의 폴리클로로알킬실란을 0-200℃반응 온도에서 루이스 산 촉매 존재하에 반응시키는 것을 특징으로 하는 다음 화학식1의 (폴리아릴알킬)실란 화합물의 제조방법.(상기 식들 중, m,p및 q는 각각 0또는 1;n과 y는 각각0,1또는 2;X<1>,X<2>,X<3>,X<4>,및 X<5>는 각각 수소, 플루오로, 또는 클로로를 나타내며 이들은 서로 같거나 다를 수 있고; R은 C(1-12)알킬기를 나타내며; 단, n=0이면, m=0이고, n=1또는 2면, X<1>,X<2>,X<3>,X<4>및 X<5>중 적어도 2개는 클로로 또는 플루오로기를 나타낸다) 4. 제 3항에 있어서, 루이스 산 촉매가 알루미늄 클로라이드 또는 알루미늄인 방법.5. 제 3항에 있어서, 루이스 산 촉매를 화학식 3의 폴리클로로알킬실란 화합물에 대해 1ㄴ내지 100몰 퍼센트의 양으로 사용하는 방법.6. 제 3항에 있어서, 화학식 2의 벤젠 유도체를 화학식3의 폴리클로로알킬실란에 대해 몰비로 1내지 20배의 양으로 사용하는 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 고압 수은등용의 고효율 형광체의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 고압 수은등용 형광체로 쓰일 수 있는 이트리움 바나데이트를 주바탕질로 하고, 여기에 여러 금속 산화물을 도프하여 발광 효율이 높은 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.1. 이트리움 산화물, 이트리움 질산염 또는 이트리움 염화물로부터 선택된 이트리움 화합물, 동몰량의 V2O5,및 최종 생성물중 Dy농도가 0.1몰 내지 2몰%가 되게하는 양의 Dy2O3를 혼합하고, 이를 5내지 20시간의 총 가열 시간으로 800 내지 1000℃에서 1차로, 1000내지 1200℃에서 2차로 가열시키는 것을 특징으로 하는 YVO4:Dy의 제조 방법.2. 이트리움 산화물, 이트리움 질산염 또는 이트리움 염화물로부터 선택된 이트리움 화합물, 동몰량의 V2O5, 최종 생성물중 Dy농도가 0.1몰 내지 2몰%가 되게하는 양의 Dy2O3, 및 최종 생성물중 A농도가 0.1몰 내지 2몰%가 되게 하는 양으 A2O3(여기서, A는 Al,Ga또는 As임)를 혼합하고, 이를 5내지 20시간의 총 가열 시간으로 800 내지 1000℃에서 1차로, 1000 내지 1200℃에서 2차로 가열시키는 것을 특징으로 하는 YVO4:Dy(여기서, A는 Al, Ga또는 As임)의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
산소 또는 공기로 표면 처리한 루테늄 촉매의 존재 하에 유기 용매 중에서, 방향족 디아민을 수소화 반응시키는 것으로 되는 시클로 지방족 디아민을 제조하는 방법으로서, 종래 기술에 비해 반응 시간이 단축되고 그 수율이 향상되는 효과가 있다.1.공기 또는 산소로 표면 처리한 루테늄 촉매의 존재 하에 유기 용매 중에서, 방향족 디아민을 고리 수소화 반응시켜 시클로 지방족 디아민을 제조하는 방법.2. 제 1항에 있어서, 공기 또는 산소에 의한 상기 루테늄 촉매의 표면 처리 온도가 50~200℃인 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 수소화 반응 온도 및 압력이 각각 50~250℃, 300~4000psig인 방법.4. 제 3항에 있어서, 상기 수소화 반응 온도 및 압력이 각각 100~200℃, 500~2000psig인 방법.5. 제 1항에 있어서, 상기 표면 처리된 루테늄 촉매의 양이 원료 아민에 대해 0.1~5wt%인 방법.6. 제 1항에 있어서, 상기 루테늄 촉매를 활성탄, 탄산칼슘, 세리아, 알루미나, 지르코니아 타이타니아, 실리카로 이루어진 군 중에서 선택된 담체에 1~10wt%의 담지량으로 담지시켜 사용하는 방법.7. 제 1항에 있어서, 상기 유기 용매가 디에틸에테르, 이소프로필에테르; 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올; 및 테트라하이드로퓨란, 다이옥산으로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.8. 제7항에 있어서, 상기 유기 용매가 이소프로필알코올이나 n-부탄올인 방법.
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 다층구조 금속 연결배선에 관한 것으로, 특히, 그에 사용되는 새로운 구조의 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 소자 제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와 저항성접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층구조 금속배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 상호확산을 막을 수 있는 확산방지막으로서, 본 발명에서 제안된 삼원소계 확산방지막인 텅스텐보론나이트라이드 (WBxNy)를 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확산방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적특성의 열화를 막을 수 없느데 반하여, 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지하였으며, 전기적 특성의 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 제조 방법에서 새로운 다층금속배선 구조중의 확산방지막으로 텅스텐보론나이트라이드를 사용하므로써, 기존의 확산방지막을 사용한 경우보다 월등히 우수한 전기적특성을 가지는 다층금속배선을 제공한다.1. WF6(육불화텅스텐)의 유량을 2~10sccm, H2(수소)의 유량을 50~300sccm로 하고 B10H14(데가보레인)/NH3(암모니아)가스의 유량비를 2~5까지 변화시키면서, 이 원료기체를 진공반응기에 넣고 압력 1~10/(1)Torr하에서 기판온도를 40~300℃범위에서 가열하는 것으로 이루어지는 텅스텐보론나이트라이드(WB(x)N(y))제조 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 데가보레인과 암모니아 가스의 유량비를 조절하므로써, 상기 텅스텐보론나이트라이드 박막의 비저항을 200μΩcm이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 텅스텐보론나이트라이드박막 제조방법.5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한항에 의한 방법으로 제조된 두께 500-2000Å의 텅스텐보론나이트라이드 박막을, 실리콘(Si),갈륨비소(GaAs),갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 하나와 저항성 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법.6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자의 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 확산방지막으로 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자.7. 제 1항 내지 제 4항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자중의 층간절연층 및 하부금속 사이에 확산 방지막으로 사용되고, 상기 층간절연층/텅스텐보론나이트라이드 확산방지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층 내지 10층으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자.8.제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서, 반도체 기판상에 분리 산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 일산화막으로 덮는 단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 도포하는 단계 및 상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정.9. 제 1항 내지 제 4항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 일산화막으로 덮는 제 1단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 4단계와, 상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5단계와, 상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6단계와, 상기 드레인 축의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 7단계와, 상기 확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8단계 및 층간절연막/텅스텐보론나이트라이瀁源姸嗤주배선금속층이 2내지 10층이 되도록, 상기 6내지 8단계를 2회 내지 10회 반복한 후, 그 위에 보호막을 형성시키는 제 9단게로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 다층 금속배선 방법.
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
다음 화학식 1로 표시되는 폴리포스파젠계 고분자 및 그의 제조방법이 제공된다.[화학식 1]본 발명에 따른 폴리포스파젠계 고분자는 온도감응성과 생체분해성을 동시에 가지므로 약물전달시스템을 중심으로 하는 의료용재료분야, 환경분야 및 화장품분야와 같은 다양한 분야에서 응용이 가능하며, 분자내 메톡시폴리에틸렌 및 아미노산에스테르의 조성, 메톡시폴리에틸렌글리콜의 분자량, 아미노산에스테르의 종류에 따라 폴리포스파젠계 고분자의 저임계용액온도와 분해속도를 응용목적에 맞게 조절할 수 있다.1. 다음 화학식 1로 표시되는 폴리포스파젠계 고분자.(식 중 NHA는 아미노산기로서 글라이신기(-NHCH2COO-),알라닌기(-NHCH(CH3)COO-), c-알라닌기(-NHCH2CH2COO-), 아미노말론산기(-NHCH(COO-)2), 아스파르트산기(-NHCH2CH(COO-)COO-),및 글루타민산기(-NHCH(CH2CH2COO-)COO-)중에서 선택되며, R은 메틸기, 에틸기 및 벤질기 중에서 선택되고, m은 폴리에틸렌글리콜의 반복단위로서 2, 7및 16중에서 선택된 정수이고, x는 폴리에틸렌글리콜의 몰 함량으로서 0.2~1.8의 값을 가지며, n은 폴리포스파젠의 중합도로서 10~100의 값을 갖는다)2. 다음 화학식 3의 폴리포스파젠을 화학식 4의 폴리에틸렌글리콜 또는 화학식 5로 표시되는 폴리에틸렌글리콜의 알칼리 금속염과 1:0.2~1.8의 몰비로 유기용매 중에서 먼저 반응시킨 후 여기에 화학식 6의 아미노산에스테르를 미치환 염소(1.8~0.2몰)에 대하여 2당량 반응시켜 화학식 1의 폴리포스파젠계 고분자 물질을 제조하는 방법.(식 중 NHA는 아미노산기로서 글라이신기(-NHCH2COO-),알라닌기(-NHCH(CH3)COO-), c-알라닌기(-NHCH2CH2COO-), 아미노말론산기(-NHCH(COO-)2), 아스파르트산기(-NHCH2CH(COO-)COO-),및 글루타민산기(-NHCH(CH2CH2COO-)COO-)중에서 선택되며, R은 메틸기, 에틸기 및 벤질기 중에서 선택되고, m은 폴리에틸렌글리콜의 반복단위로서 2, 7및 16중에서 선택된 정수이고, x는 폴리에틸렌글리콜의 몰 함량으로서 0.2~1.8의 값을 가지며, n은 폴리포스파젠의 중합도로서 10~100의 값을 갖는다)3. 제 2항에 있어서, 화학식 4및 화학식 5의 폴리에틸렌글리콜은 m=2,7,16중에서 선택된 수용성 알코올이며 화학식 6의 아미노산에스테르는 글라이신, 알라닌, ...-알라닌, 아미노말론산, 아스파르트산, 글루타민산의 메틸에스테르나 에틸에스테르 또는 벤질에스테르 중에서 선택된 소수성 아미노산에스테르인 것이 특징인 방법.4. 제 2항에 있어서, 화학식 3의 폴리디클로로포스파젠과 화학식 4의 폴리에틸렌글리콜을 반응시킬 때 화학식 4의 2당량에 해당하는 트리에틸아민을 넣고 상온에서 반응시키는 것이 특징인 방법.5. 제 2항에 있어서, 화학식 3의 폴리디클로로포스파젠과 화학식 5의 폴리에틸렌글리콜의 ㅇ알카리금속염을 반응시킬 때 미리 화학식 4의 폴리에틸렌글리콜과 화학식 4의 1.5당량의 금속나트륨을 반응시켜 화학식 5의 알카리 금속염으로 바꾼후 화학식 3의 폴리디클로로포스파젠과 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제 2항에 있어서, 화학식 3의 폴리디클로로포스파젠과 먼저 화학식 4의 폴리에틸렌글리콜 또는 화학식 5의 그 알카리금속염을 반응시킨 후 미치환 염소에 대하여 2당량에 해당하는 화학식 6의 아미노산을 트리에틸아민존재하에 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.7. 제 2항에 있어서, 반응용매로 테트라히드로퓨란, 톨루엔, 벤젠과 같은 유기용매를 사용하는 것이 특징인 방법.8. 제 2항에 있어서, 화학식 3의 폴리디클로로포스파젠과 화학식 4의 폴리에틸렌글리콜 또는 화학식 5의 폴리에틸렌글리콜의 알카리금속염 및 화학식 6의 아미노산을 반응시킨 후 과량의 에틸에테르 또는 헥산을 가하여 고분자 생성물을 침전시키는 것이 특징인 방법.9. 제 8항에 있어서, 얻은 침전물을 물에 녹여 투석막(통과분자량＜3500)을 사용하여 투석정제하는 것을 특징으로 하는 방법.
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본 발명은, 인공관절의 상대운동 부위에 사용되는 UHNWPE의 표면에 크기가 작고 생체에 무해한 이온을 선택하여 이온주입하고, 첨가하는 이온 입자의 종류, 침투되는 깊이와 갯수를 제어함으로써 UHNWPE의 내마모성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 UHNWPE의 표면 개질방법에 관한 것으로, 본원발명의 이온주입법에 의해 내마모성이 향상된 UHMWPE는 인공관절의 수명을 연장시켜, 인공관절 대치 수술을 받을 환자들의 신체적 통증 및 경제적 부담을 감소시키는 효과가 있다.1. 인공관절의 상대운동 부위에 사용되는 UHNWPE의 표면에 크기가 작고 생체에 무해한 이온을 선택하여 0.5-1.5keV의 이온가속에너지로 이온주입하고, 분위기 가스로 산소를 사용하여 UHNWPE의 표면을 개질시킴으로써 UHNWPE의 내마모성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 UHNWPE의 표면 개질방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 이온은 Ar+ 및 O+로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 UHNWPE의 표면 개질방법.3. 제1항 또는 제2항중 어느 한항에 있어서 상기 이온주입을 10....ions/㎠-10....ions/㎠의 이온주입량으로 수행되는 것을 특징으로 하는 UHNWPE의 표면 개질방법.4. 제1항 또는 제2항중 어느 한 항에 있어서 상기 이온주입은 4scm의 산소 유속 2*10...Torr의 압력. 1㎂ per 4.5 π㎟의 이온 범전류 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 UHNWPE의 표면 개질방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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