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재료 > 기타 고분자재료
레지스트 재료의 중요한 세가지의 기본 특성, 즉 감도, 해상도 반응성 이온 식각 내성이 동시에 향상된 X선, 전자선 특히 원자외선 및 엑사이머 레이저 리소그라피용 레지스트 재료를 제공하는 것이다. <구성>방향환을 포함하는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 t-부톡시카르보닐(t-BOC)기로 보호된 포스파젠 화합물을 5 내지 40중량부와 광산 발생제를 1 내지 20중량부로 조성되고 t-BOC기로 보호된 포스파젠 화합물이 일반식(I)로 표시된 것인 보호 포스파젠 화합물을 용해 억제제로 사용하고 광산 발생제로는 오니움염과 유기술폰산 에스터, 피로갈를 술폰산 에스터 화합물을 적어도 1종 사용하여 구성한다. <효과>RIE속도가 노블락 수지를 기본으로 한 포지티브 레지스트 재료에 지교하여 우수하거나 유사하였고, 특히 산소 RIE 시험에서는 내성이 기존 레지스트보다 2배 정도 우수하다.반도체 가공용 포토레지스트의 감광체
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
아민계 광중합 개시제 화합물 및 이를 함유하는 광경화성 및 화학 경화성 조성물이 기재되어 있다.[화학식 1][화학식 2]식 중, X는 수소 원자, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타내고, Y는 메틸, 에틸 또는 프로필기를 나타내며, Z는 페닐렌, 메틸렌 또는 에틸렌기를 나타내고, i는 0 또는 1의 정수를 나타낸다.상기 화합물은 중합 개시 효율이 높고, 경화후에는 경화물 내에 가교된 형태로 존재하기 때문에 용출되거나 산화에 의한 변색이 잘 일어나지 않으므로, 특히 치과 분야에서의 수복용 복합 재료나 접착재의 중합 개시제 성분으로서 유용하다.치과용 경화성 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
HFC-134A 혼합물을 정제할 때 정제탑에서 HF의 공비 혼합물은 탑의 상부에, 수분은 탑의 하부에 모이는 특성을 이용하여 불순물을 함유하는 HFC-134A 혼합물로부터 HF 및 수분을 효율적으로 제거하는 방법에 관한 것이다. <구성>1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134A) 제조 공정에서 분리된 HFC-134A는 정제를 위하여 중화, 건조 공정을 거쳐 HFC-134A 정제탑에 투입된다. 중화 공정에서 완전히 중화되지 못하고 남은 미량의 HF는 생성물인 HFC-134A와 혹은 부생성 물질인 HFC-125, HFC-143A 등의 저비점 화합물과 공비 혼합물을 형성하는데, 이런 공비 화합물은 목적하는 생성물인 HFC-134A보다 비점이 낮으며, HFC-134A 정제탑의 상부에 모인다. 한편 정제탑에 유입된 HFC-134A중 건조 공정에서 제거되지 못한 수분은 정제탑의 하부에 농축된다는 점을 이용하여, HF는 거의 존재하지 않으며 수분이 농축된 탑저의 HFC-134A를 액상으로 분자체 등의 흡수체 등을 통과시켜 효과적으로 수분을 제거한 후 정제탑에 순환시키거나 제품으로 생산한다.1. 1, 1, 1, 2-테트라플로오로에탄(HFC-134a)를 고순도로 정제하기 위하여, HFC-134a 정제탑으로 탑정 제품을분리하여 중화 및 건조하여 불화수소(HF)를 제거하고, 탑저 제품을 분리하여 건조시켜 수분을 제거하는 것으로 이루어지는 HFC-134a의 고순도 정제방법.2. 제1항에 있어서, 상기 정제를 위한 HFC-134a가 HF 100ppm 이하 및/또는 수분 100ppm 이하를 함유하는 것이특징인 정제방법.3. 제2항에 있어서, 상기 정제를 위한 HFC-134a가 저비점화합물을 함유하는 것이 특징인 정제방법.4. 제2항에 있어서, 상기 정제탑이 1-10kg/cm2의 압력에서 운전되는 것이 특징인 정제방법.5. 제3항에 있어서, 상기 정제탑이 15kg/cm2 이하의 압력에서 운전되는 것이 특징인 정제방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
HCFC-133A를 이용하는 HFC-134A 제조 반응에서의 촉매의 활성 저하를 방지하여 HFC-134A의 제조 수율을 높일 수 있는 HFC-134A 제조 방법에 관한 것이다. <구성>제조 공정은 HFC-134A 제조 반응기, HCFC-133A 제조 반응기, 염화수소, 수분, 저비점 화합물 등의 분리 장치 및 예열기를 거치는 것으로 이루어져 있다. 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄(HCFC-133A) 제조 반응기에서 트리클로로에틸렌(TCE)과 HF를 반응시켜 얻은 HCFC-133A 혼합물로부터 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134A)과 염화수소를 분리하고, 잔존 혼합물에 존재하는 미반응 TCE를 다시 HF와 반응시켜 HCFC-133A를 생성시키고, 생성된 HCFC-133A 혼합물을 HFC-134A 제조 반응기 유출물에 TCE를 혼합하여 앞의 HCFC-133A 제조 반응기로 공급하는 것으로 이루어지는 순환적 제조 공정으로서 공정 중의 TCE를 효과적으로 제거하여 촉매 활성에 영향을 주지 ㅇ는 농도 이하로 낮추는 방법이다.1. 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄(HCFC-133a) 제조반응기에서 트리클로로에틸렌(TCE)와 HF를 반응시켜 얻은 HCFC-133a 혼합물로부터 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134a)과 염화수소를 분리하고, 잔존 혼합물에 존재하는 미반응 TCE를 HF와 반응시켜 HCFC-133a를 생성시키고, 생성된 HCFC-133a 혼합물을 HFC-134a 제조반응기로 공급하여 HF와 반응시켜 HFC-134a를 제조하고, 이 HFC-134a 제조반응기 유출물에 TCE를 혼합하여 상기 HCFC-133a 제조반응기로 공급하는 것으로 이루어지는 순환적 HFC-134a 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 미반응 TCE와 HF의 반응이 압력 6-10kg/cm2, 온도 200-300℃에서 수행되는 HFC-134a제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 HFC-134a 제조반응기로 공급되는 혼합물중의 TCE 농도가 100ppm 이하인 HFC-134a 제조방법.4. 제1항에 있어서, 상기 TCE와 HF의 반응 전 또는 후에 추가로 HF를 첨가하는 HFC-134a 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 불화수소(HF)와 트리클로로에틸렌(TCE)을 출발 물질로하여 중간 체인1-클로로-2, 2, 2-트리플루오로에탄(HCFC-133a)을 거쳐 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄(HFC-134a)을 제조하는 방법에 있어서, 반응 원료중 HF의 일부를 HCFC-133a 반응기로의 유입전에 hfc-134a 제조 반응 생성물과 접촉시키고, 나머지 HF 및 TCE 원료를 HCFC-133a 제조 반응기에 2개소 이상의 구간으로 분할하여 공급함으로써 반응을 효율적으로 수행하는 방법이 제공된다. 즉, hcfc-133a 제조 반응 전반에 걸쳐 반응기 내부 온도의 변화폭을 좁게 유지시킴으로써 촉매 활성의 제한, 다량의 부산물 생성 및 낮은 수율 등의 문제점이 크게 개선된다.1. 1. 불화수소(HF)와 트리클로로에틸렌(TCE)을 출발 물질로하여 중간체인 1-클로로-2, 2, 2-트리플루오로에탄(HCFC-133a)을 거쳐 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄(HFC-134a)을 제조하는 방법에 있어서, 반응 원료중 일부분의 HF를HCFC-133a의 제조 반응기에 유입시키기 전에 HFC-134a 제조 반응 생성물과 혼합 공급하고, 나머지 HF를 TCE와 함께 HCFC-133a의 제조 반응기에 유입하기 전 및 HCFC-133a 제조 반응기의 2개소 이상의 구간에 분할하여 공급함을 특징으로 하는1,1,1,2-테트라플루오로에탄의 개선된 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 분할하여 공급되는 HF 및 TCE 원료의 최초 분할 공급분을, 상기 HCFC-133a 제조 반응 생성물 및 그와혼합 공급되는 일부분의 HF와 함께 HCFC-133a의 제조 반응기에 유입하기 전에 공급하는 것인 방법.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반응 원료 중의 HF 의 55 내지 65%를 HCFC-133a 제조 반응기로 유입시키기 전에 HFC-134a제조 반응 생성물과 혼합 공급하고, 나머지 HF를 TCE와 함께 HCFC-133a의 제조 반응기에 유입하기 전 및 2 개소 이상의HCFC-133a 제조 반응기에 균등하게 분할하여 공급하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, HCFC-133a의 제조 반응기의 온도 상한을 300℃이하로 유지하고, 반응기 내의 반응 혼합물의 온도 변화폭을 40℃ 이내로 유지시키는 것인 방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
세라믹스 분말, 폴리 비닐부티랄, 폴리 에틸렌글리콜, 디부틸프탈레이트 및 용매를 분쇄하며 혼합한 후 성형, 건조시켜 밀도가 향상되고, 균열이나 휨의 발생이 없어 연료 전지, 고체 전해질형 산소 센서 분야 등에 유용한 지르코니아 쉬트를 제공한다. [구성]세라믹스 분말 72.5-60.0중량%, 폴리 비닐부티랄 3.0-9.0중량%, 폴리 에틸렌글리콜 2.0-5.0중량%, 디부틸프탈레이트 1.0-4.0중량% 및 용매인 메틸에틸케톤이 용매 총중량에 대해 40중량%와 에탄올 60중량%의 혼합 용매 10-22중량%를 분쇄하며 혼합한 후 슬러리 점도를 21,000cps로 조절하고, 성형하고 섭씨 600도에서 탈지시키고 섭씨 1,500도에서 소결시켜시켜 지르코니아 쉬트를 제조한다.1. 세라믹스 분말 72.5-60.0wt%, 폴리비닐부티랄 3.0-9.0wt%, 폴리에틸렌글리콜 2.0-5.0wt%, 디부틸프탈레이트 1.0-4.0wt% 및 용매 10-22wt%를 동시에 분쇄하며 혼합한 후 성형하고 건조하는 것으로 이루어지는 지르코니아 쉬트 제조방법.2. 제2항에 있어서, 상기 세라믹스 분말이 8Y-ZrO2 분말 또는 (8Y-ZrO2)1-x(CeO2)x 분말(0.1X0.6)인 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 용매가 메틸에틸케톤(40wt%)과 에탄올(60wt%)의 혼합용매인 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
단의 토출관의 밸브를 개방하여 봉입가스의 팽창에 의해 발생하는 내압에 의해서 토출관으로부터 내부의 모발염료를 토출하도록되어 있는 용기의 상단에 장착되고, 이러한 장착에 의해서 중공형의 브러시헤드(brushhead)의 내부공간이 상기 토출관과 연통될 수 있는 형태의 브러시를 갖는 모발염료 도포기구에 있어서, 상기 브러시에서, 실질적으로 브러시털을 형성하는 핀(pin)이 브러시헤드의 좌우측단부에서 브러시의 길이방향으로 정렬되는 동시에, 핀의 선단이 브러시헤드의 내부로 삽입된 형태를 갖고, 상기 핀의 좌우렬로 둘러싸인 영역내에서 브러시헤드의 전면 벽판에서 브러시헤드 내부공간으로 연통되는 개구가 친공됨을 특징으로 하는 모발염료 도포기구.1.에탄올과 톨루엔의 공비 혼합용매내에서 감마-리튬알루미네이트 세라믹스 분말을 기재로 하고, 이세라믹스 분말에 대해, 분산제로서 KD1 0.01-2.25 중량%, 결합제로서 폴리비닐부티랄(PVB) 76,79 7.0-20.0 중량% 및 기소제로서 폴리에틸렌글리콜 5.0중량% 이하와 디부틸 프탈레이트 4.0-18.0중량 %로 이루어진 감마-리튬알루미네이트 그린쉬트 성형용 세라믹스 조성물.2.닥터 블레이드 캐스팅 방법에 의해 제1항의 조성물을 성형시킨 균일한 기공특성과 67%이상의 기공율을 가진 연료전지 전해질 매트릭스용 세라믹스 그린쉬트.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
코디어라이트 분말을 함유하는 안정화 또는 부분 안정화 지르코니아로 이루어지는 확산 장벽 조성물 및 이를 사용한 히터 일체형 산소 센서 및 이의 제조방법을 제공한다. [구성] 닥터 블레이드 방법을 응용하여 코디어라이트 분말을 9 중량% 이하로 함유하는확산장벽층용 지르코니아-코디어라이트 혼합분말과 고체 전해질층용 안정화 지르코니아 분말에 각각 유기물 첨가제 조성물과 용매를 한꺼번에 혼합, 분쇄하여 슬러리를 만든 후 그린쉬트를 제조하고, 그린쉬트의 한면에는 양극, 다른 한면에는 음극의 다공성 전극을 형성시키고 확산장벽층에는 섭씨 500-700도용 히터용 후막을 형성시킨 다음 후막이 형성된 지르코니아-코디어라이트 확산장벽층을 음극 윗면에 적층하고 음극이 형성된 고체 전해질 그린쉬트 중 지르코니아-코디어라이트 확산장벽층이 적층되지 않은 부분은 전체 전해질 그린쉬트로 적층하고 프레스한 뒤 소성함으로써 히터 일체형 산소센서를 제조한다.1. 세라믹스 분말 72.5-60.0wt%, 폴리비닐부티랄 3.0-9.0wt%, 폴리에틸렌글리콜 2.0-5.0wt%, 디부틸프탈레이트 1.0-4.0wt% 및 용매 10-22wt%를 동시에 분쇄하며 혼합한 후 성형하고 건조하는 것으로 이루어지는 지르코니아 쉬트 제조방법.2. 제2항에 있어서, 상기 세라믹스 분말이 8Y-ZrO2 분말 또는 (8Y-ZrO2)1-x(CeO2)x 분말(0.1X0.6)인 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 용매가 메틸에틸케톤(40wt%)과 에탄올(60wt%)의 혼합용매인 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 생리활성 농약물질 제조공정 기술 (L23)
본 발명은 하기 화학식 3의 신규한 실릴알킬벤조산 유도체, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 식 중에서, R은 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,n은 1 또는 2이고,X는 수소, 메타 또는 파라-플루오로, 클로로 또는 메틸기를 나타낸다.본 발명의 화합물은 벤조아미드계 화합물을 제조하는데 중요한 전구체로 사용할 수 있고, 또한 그자체로도 우수한 생물 활성을 나타낸다.1. 하기 화학식 3의 실릴알킬벤조산 유도체.<화학식 3>상기 식에서, R은 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, n은 1 또는 2 이고, X는 수소 또는 메타 또는 파라-플루오로, 클로로 또는 메틸기이다.2. a) 하기 화학식 1의 실릴알킬화 벤젠 유도체를 메틸 그리냐르 시약과 반응시켜 하기 화학식 2의 트리메틸실릴알킬벤젠 유도체를 제조하고,b) 이어서, 산소 분위기 하에서 아세트산코발트를 촉매로 하여 산화반응시키는 것을 포함하는 제1항 기재의 화학식 3의실릴알킬벤조산 유도체의 제조 방법.<화학식 1><화학식 2><화학식 3>상기 식에서, R, n, 및 X는 제1항에 정의된 바와 같다.3. 제2항에 있어서, 단계 a)에서 반응 온도가 0 내지 50 ℃의 범위인 방법.4. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 반응 온도가 100 내지 150 ℃의 범위인 방법.5. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 반응 촉매인 아세트산코발트를 실릴알킬화벤젠 유도체에 대해 5 내지 30 중량%의 양으로 사용하는 방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본원발명은 제1단계 반응에서 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄과 불화수소와 염소를 반응시켜 HFC-134a와 HFC-125를 함께 제조하고, 제2단계 반응에서 제1단계 반응생성 물에 트리클로로에틸렌을 첨가하여 HCFC-133a를 제조한 다음, 제2단계 반응생성물에서 HFC-134a와 HFC-125 및 염화수소를 분리하고, 그 나머지 혼합물을 상기 제1단계 반응으로 순환시키는 것으로 이루어지는 HFC-134a와 HFC-125를 동시에 제조하는 방법에 관한 것이다.1. 제 1 단계 반응에서 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄(HCFC-133a)과, 불화수소(HF) 및 염소를 불소화 촉매존재 하에서, 반응 온도 300∼450℃로 접촉시간 1∼60 초 동안 반응시켜 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134a)과 펜타플루오로에탄(HFC-125)을 함께 제조하고, 이때, 상기 불화수소의 양은 HF/HCFC-133a의 몰비를 1∼30, 상기 염소의 양은 염소HCFC-133a의 몰비를 0.001∼0.05으로 하며, 제 2 단계 반응에서 제 1 단계 반응 생성물에 트리클로로에틸렌(TCE)을 HF/TCE의 몰비가 1∼50이 되도록 첨가하여 HCFC-133a를 제조한 다음, HFC-134a 와 HFC-125 및 염화수소를 분리하고, 그 나머지 혼합물을 상기 제 1 단계 반응으로 순환시키는 것으로 이루어지는, HFC-l34a와 HFC--l25를 동시에 제조하는 방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 불소화 촉매가 산화불화크롬과 불화 마그네슘을 주성분으로 하는 제조 방법
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- 2000-12-15
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기계 > 기타 산업·일반기계
음극의 형태를 복수개의 U자형 필라멘트가 일렬로 배열되도록 구성하고, 이 U자형 필라멘트 음극의 온도를 고온으로 유지시켜 양광주(positive column)가 대면적 기판위에 균일하게 형성되게 하고, 그 양광주를 장시간 안정되게 유지함으로써 고밀도 직류 글로우 방전에 의한 대면적 고품위의 다이아몬드 막을 증착시키는 방법을 제공한다. <구성>음극으로서 직경 0.5-1MM의 고융점 금속(텅스텐, 탄탈륨 등)의 도선을 절곡시켜 U자형으로 가공한 U자형 필라멘트(20)는 양측 양단부가 필라멘트 홀더(21)에 형성되어 있는 삽입구멍(21a)에 끼워진 상태에서 필라멘트 홀더의 윗쪽으로 돌출된 단부(20a)가 다시 수평방향으로 절곡됨으로써 필라멘트 홀더에 단순히 매달린 상태를 유지하도록 하여 탄화된 필라멘트가 필라멘트 홀더로부터 기계적 구속을 받지 않도록 한다. 각 U자형 필라멘트는 필라멘트 홀더의 양 외측에 일렬로 형성된 각 삽입구멍을 통해 지지됨에 따라 전체적인 U자형 필라멘트의 배열상태는 등간격을 유지한 채 일렬로 평행하게 걸려있는 상태로 된다. U자형 필라멘트 음극의 온도를 2100-2300도C 이상으로 하여 합성중 전극간 아크발생이 방지되도록 하며, 반응가스중에 산소를 소량 첨가하여 고상 탄소 증착온도의 하한을 낮춘다. <효과>U자형 필라멘트의 플라즈마와 접촉하는 부위의 온도를 2100-2300도C 이상의 고온으로 유지함으로써 고상 탄소의 증착을 방지하고 돌발적인 아크 발생을 방지한다.1. 글로우-아크 천이 영역에서의 고밀도 직류 글로우 방전에 의해 반응용기 내부의 음극과 양극 사이의 공간에 플라즈마를 형성시켜 기판상에 다이아몬드막을 증착시키는 방법에 있어서, 단선을 절곡가공한 U자형 필라멘트 복수개를 일열로 평행하게 배열한 음극을 사용하고, U자형 필라멘트 음극의 온도를 2100~2300℃ 이상으로 하여 합성중 전극간아크발생이 방지되도록 한 것을 특징으로 하는 고밀도 직류 글로우 방전에 의한 다이아몬드막 증착방법.2. 제1항에 있어서, U자형 필라멘트는 양단부가 필라멘트 홀더의 삽입구멍에 헐겁게 삽입되어 매달린 상태로지지되는 것을 특징으로 하는 고밀도 직류 글로우 방전에 의한 다이아몬드막 증착방법.3. 제1항에 있어서, 반응가스중에 산소를 소량 첨가하여 고상탄소 증착온도의 하한을 낮추도록 한 것을 특징으로 하는 고밀도 직류 글로우 방전에 의한 다이아몬드막 증착방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 성형 온도 및 모합금내의 Si 조성을 적절히 조절하여 전신재 SiC/6000 계열 Al 합금 복합 재료를 계면 반응 없이 성형할 수 있도록 복합재료의 화학적 성분, 액상률, 성형 온도 등의 공정 변수를 제공하며, 또한 이와 같은 공정 변수를 이용하여 계면 반응을 억제하면서 복합 재료를 성형할 수 있는 복합재료의 성형방법을 제공한다.청구항 1. ASTM 6000 계열의 Al 합금에 총 Si의 조성이 1-5 원자%가 되도록 Si이 첨가된 모재로부터 얻어지는 반응고성형용 전신재 SiC/(6xxx Al+Si) 복합재료.청구항 2. ASTM 6000 계열의 Al 합금에 총 Si의 조성이 1-5 원자%가 되도록 Si이 첨가된 모재로부터 얻어진 SiC 강화복합재료를 560-620℃의 온도 범위로 유지시켜 40-70 부피%의 액상율을 얻은 뒤 반응고 성형하는 것을 특징으로 하는 반응고 성형용 전신재 SiC/(6xxx Al+Si) 복합재료의 성형방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
<목적>저항체로 질화티탄을 사용하고 질화규소 기판의 열 팽창 계수를 다양하게 변화시켜 저항체 주위의 기판과 저항체간의 열 팽창 계수는 서로 근접된 값을 나타내도록 하는 한편 기판의 외부 표면으로 갈수록 기판의 열 팽창 계수가 점진적으로 변화하도록 하여 저항체와 기판간의 열 팽창 계수 차이로 인한 피로 현상과 이에 따른 균열 발생 현상을 제거하여 고온 강도와 열 충격 저항성을 향상시킨 판상 세라믹 발열체를 제공한다. <구성>질화규소 1-30 wt%, 산화어비움 또는 산화이터비움 1-5wt%, 산화규소1-10wt%, 그리고 잔부가 질화티탄으로 이루어지는 질화티탄계 저항체와 소결조제 1-18wt%, 열 팽창 계수 조질제로서 규화몰리브데늄 또는 탄화텅스텐 1-20wt% 및 잔부가 질화규소로 구성되어 상기 저항체의 주위로부터 표면까지 열 팽창 계수가 점진적으로 변화되는 질화규소계 절연성 기판으로 이루진다. <효과>질화티탄 저항체에 질화규소와 산화이트륨 및 산화알루미늄을 5-20wt%첨가한 시편이 첨가하지 않은 시편보다 저항 변화가 적고 우수한 발열체가 되며, 본 발명에 의해 제조된 시편은 균열이 발생하지 않고, 평균 저항변화도 매우 적다.1. 질화규소 1~30중량, 산화어비움(Er2O3) 또는 산화이터비움(Yb2O3) 1~15중량%, 산화규소(SiO2) 1~10중량%, 그리고 잔부가 질화티탄으로 이루어지는 질화티탄계 저항체와, 소결조제 1~18중량%, 열팽창계수 조절제로서 규화몰리브데늄또는 탄화텅스텐 1~20중량% 및 잔부가 질화규소로 구성되어 상기 저항체의 주위로부터 표면까지 열팽창계수가 점진적으로변화되는 질화규소계 절연성 기판으로 이루어짐을 특징으로 하는 판상세라믹 발열체.2. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 산화이트륨(Y2O3) 1~15중량%와 산화알루미늄(Al2O3) 1~10중량%, 산화어비움 1~15중량%와 산화규소 1~10중량%, 또는 산화이터비움 1~15중량%와 산화규소 1~10중량% 중에서 선택되는 하나의 군인것을 특징으로 하는 판상세라믹 발열체.C
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
질화규소 및 질화알루미늄의 테이프성형에 적합한 슬러리 조성으로서 건조시 균열이 발생 하지 않는 우수한 분산특성의 세라믹스 슬러리 조성물을 제조한다. <구성>0.2-0.3 macro meter 범위의 입도분포를 갖는 질화 규소 분말에 소결조제로서 산화이르비움 및 산화규소, 분산제로서 폴리옥시카보닐펜타메틸렌을 첨가하고 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 이소프로필알콜을 용매로하고 폴리프로필렌 볼밀과 질화규소볼을 사용하여 8시간 동안 볼밀링하여 1차 슬러리를 제조한다. 이 슬러리에 폴리비닐부틸알과 가소제로서 폴리에틸렌글리콜 및 벤질부틸프탈레이트를 넣고 24시간 동안 밀링한후 진공탈포기를 사용하여 200rpm의 속도 및 1torr의 진공으로 1시간 탈포후 섭씨 22도전후의 온도와 70% 전후의 습도에서 0.3m/min 의 속도로 테이프 성형공정을 거처 실온에서 7일간 건조하여 질화규소 페이프를 제조하였다. <효과>분산특성이 우수하여 슬러리 제조후 48시간 경과 후에도 세라믹 분말이 침강되지 않으며, 테이프성형 후의 건조단계에서 균열이 발생하지 않는다.1. 세라믹 분말에 소결조제와 분산제를 첨가하고 용매를 가하여 볼밀링하여 얻어진 1차슬러리에 바인더와 가소제를 첨가하여 다시 볼밀링하여 제조되는 테이프성형용 세라믹스 슬러리 조성물.2. 제1항에 있어서, 세라믹 분말은 0.2~3.0㎛의 입도분포를 갖는 질화규소 분말 또는 질화알루미늄 분말인 테이프성형용 세라믹스 슬러리 조성물.3. 제1항에 있어서, 소결조제로 Ca, Al, Si, Y, Mg, Sc, Nb, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm,Yb, Hf, Ta 등의 산화물 중 선택되는 1가지 이상의 산화물이 1~18% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물.4. 제1항에 있어서, 분산제로 폴리옥시카보닐펜타메틸렌이 0.1~6중량% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물. 5. 제1항에 있어서, 용매로 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔, 아세톤, 이소프로필알콜, 씨클로헥사논중의 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 건조고체량에 대하여 20~90% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물.6. 제1항에 있어서, 바인더로 폴리비닐부틸알이 건조고체량에 대하여 1~20%중량% 첨가된 테이프성형용 세라믹슬러리 조성물.7. 제1항에 있어서, 가소제로 폴리에틸렌글리콜, 벤질부틸프탈레이트 디옥틸프탈레이트 디부틸프탈레이트 중1가지 또는 2가지 이상이 건조고체량에 대하여 1~20중량% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
흑연 기재, 흑연-탄화규소 복합 재료층 및 탄화규소 피복층으로이루어지고, 상기 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에 있는 흑연-탄화규소 복합재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소 피복층에 이르기까지 점진적으로 증가하는구배를 갖는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복흑연 치구.1. 흑연 기재, 흑연-탄화규소 복합 재료층 및 탄화규소 피복층으로 이루어지고, 상기 흑연 기재와 탄화규소피복층 사이에 있는 흑연-탄화규소 복합 재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소 피복층에 이르기까지 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구.2. 제1항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층의 두께가 전체 피복층 두께의 25 내지 75%인 흑연 치구.3. 제2항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층의 두께가 약 17 내지 900㎛이고, 탄화규소 피복층의 두께가 50 내지 300㎛인 흑연 치구.4. 제1 내지 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층이 복합 재료 중의 탄화규소함량이 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 20% 이하로부터 80% 이상으로까지 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 것인 흑연 치구.5. a) 적절한 형상으로 가공된 흑연 기재를 고온에서 할로겐화 기체를 사용하여 고순도화시키는 단계, b) 흑연 전구체로서 메탄(CH4)을, 그리고 탄화규소의 전구체로서 메틸트리클로로실렌(CH3SiCl3)을 사용하는 화학 증착법으로 흑연-탄화규소 복합 재료를 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소층에 이르기까지 점진적으로 증가하도록 증착시키는 단계, c) 그 위에 탄화규소층을 다시 화학 증착법으로 증착시키는 단계로 이루어진 것이 특징인 반도체 웨이퍼처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 제조 방법.6. 제5항에 있어서, 상기 단계 a)를 1250℃ 이상의 온도에서 HCl 기체를 사용하여 열처리함으로써 행하는 것이 특징인 방법.7. 제5항에 있어서, 상기 단계 b)를 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서, 공급 기체의조성을 CH4 2 내지 24%, CH3SiCl3 2 내지 13% 및 H2 45 내지 90%로 하되, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 CH4의 농도는낮추고 CH3SiCl3의 농도는 증가시켜 복합 재료 중의 탄화규소 함량이 점차적으로 증가하도록 증착시킴으로써 행하는 것이특징인 방법.8. 제5항에 있어서, 상기 단계 c)를 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서, 공급 기체의조성을 CH3SiCl3 5 내지 15% 및 H2 85 내지 95%로 하여 탄화규소층을 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층 상에 증착시킴으로써 행하는 것이 특징인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
기존의 다이캐스팅 장치에 설치되어 있는 추출장치를 이용하여 금형공가 내에 충진된 국부적인 압력을 가도록한 스퀴즈 다이캐스팅장치를 제공하는데 있다. <구성>매립볼트를 이용하여 바닥에 고정설치되는 지지대(1), 사출실린더 지지대(2), 고정금형 지지대(3), 토글 지지대(4), 상하 타이바(5)의 안내로 수평 이동이 가능한 이동 금형 지지대(6), 고정금형 지지대와 고정금형(14)을 수평으로 관통하는 사출슬리이브(15), 용탕의 도입을 위한 용탕공급부(16), 용탕을 금형 공간(17)내로 사출시키는 탕구(18) 등으로 구성되어 있다. <효과>공동의 발생을 크게 감소시켜 형상이 복잡하고 제품의 두께차이가 많이 나는 제품의 주조를 용이하게 하는 효과가 있다.1. 사출플랜저(7)의 사출슬리이브(15)내 이동에 의해 탕구(18)를 거쳐 이동금형(20)과 고정금형(14)사이의 금형공간(17) 내부로 충진된 용탕을 탕구(18) 이외의 부위에서 국부가압 하도록 구성된 스퀴즈 타이캐스팅 장치에 있어서,일단부가 가압이 요구되는 금형공간(17)을 향하며 타단부가 압출봉(23)을 통해 압출실린더(25)와 연동하는 압출판(22)에지지 고정된 복수개의 압출핀(21)을 이동금형(20)의 내부에 유동 가능하게 관통설치하여 압출편(21)에 의한 용탕의 가압과 응고된 주조제품의 추출이 이루어지도록 구성된 것을 특징으로 하는 스퀴즈 다이캐스팅 장치.o
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
다이캐스트 장치를 이용한 용탕 주입공정에서 발생하는 용탕에 공기 혼입으로 인한 다이캐스트 제품 특성 저하를 방지하기 위하여 사출 슬리브 내부가 용탕만으로 완전하게 채워진 상태에서 사출 플랜저를 전진시켜서 용탕내 가스 혼입을 제거한다. <구성>사출 슬리이브(24) 내부로 용탕을 주입시킨 다음 사출 플랜저(13)를 전진시켜 금형 공간(29)으로 용탕의 사출이 이루어지도록하여, 용탕 주입구(25)를 통해 사출슬리이브의 내부로 주입되는용탕이 사출 플랜저와 금형공간의 게이트(5) 사이의 사출 슬리이브 내의 전공간에 가득 채워지게 하여 사출슬리브 내부에가스나 공기가 없는 상태에서 사출플랜저를 전진시켜 금형공간으로 용탕의 사출이 이루어지도록 한다. <효과>수평 사출 방식을 채택하고 있는 다이캐스팅이나 스퀴즈 캐스팅 머신을 비롯한 사출성형기에 적용하여 사출시의 가스 혼입에 따른 제품내 기공을 완전히 배제할 수 있다.1. 사출제어장치(15)에 의해 제어되는 사출피스톤(20)과 연결설치된 사출플랜저(13)가 사출슬리이브(24)내의전공간에 가득 채워지도록 주입된 용탕을 용탕주입구(25)를 지나기 전까지 저속으로 가압시키다가 사출플랜저(13)가 용탕주입구(25)를 지나는 위치에서부터 고속으로 가압하여 금형공간(29)으로 용탕(39)의 사출이 이루어지도록 하는 다이캐스팅 용탕주입방법에 있어서, 사출플랜저(13)의 저속사출시 용탕주입구(25)를 통해 외부로 토출되는 용탕(39)을 일시적으로급탕관(30)에 잔류시키고, 사출플랜저(13)의 고슥사출시 급탕관(30)에 잔류되어 있던 잔탕(39a)이 사출슬리이브 내부로낙하되도록 한 후, 용탕주입후 복귀되는 사출플랜저(13)가 사출슬리이브(24)의 내부로 낙하되어 응고된 잔탕(39c)을 사출슬리이브(24)의 후방측 저면에 형성된 잔탕배출구(31)로 제거시키도록 한 것을 특징으로 하는 다이캐스트 성형용 용탕주입시 발생되는잔탕의 제거방법.2. 사출슬리이브(24) 내부로 주입된 용탕(39)을 사출플랜저(13)로 가압하여 금형공간(29)으로 용탕(39)의 사출이 이루어지도록 하는 수평사출방식의 다이캐스팅 장치에 있어서. 용탕주입구(25) 위에 상광하협의 원추형 급탕관(30)을 설치하고, 사출슬리이브(24)의 금형측 반대편 바닥면에는 잔탕배출구(31)를 형성함을 특징으로 하는 다이캐스트 성형용 용탕주입시 발생되는 잔탕제거장치.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
두께 변화가 많고 형상이 복잡한 고밀도, 고품질의 주조 제품을 제조하기 위하여 금형 공간내에 충전된 용탕을 국부 가압할 수 있으며 특히 금형의 상하, 측면의 모든 방향에서 국부 가압을 할 수 있는 수직 스퀴즈 캐스팅 주조기를 제공하는 데 있다. <구성>이동 금형(11)이 하강할 때 동시에 하부 가압 플런저(13)를 같은 이동 속도로 대략 5mm정도의 약간의 이동 변위 만큼 위쪽으로 상승시키면 주조 제품은 하부 이동 금형(11)에서 이탈되면서 하부 가압 플런저는 상승시켜 주조 제품(31)에서 두 개의 가압 플런저를 이탈시킨 다음 다시 상부 가압 플런저(17)를 하강시키면 주조 제품은 고정 금형(18)에서 이탈 취출되도록 구성된다.1. 금형 내에 형성된 금형 공간 내에 충전된 용탕을 국부 가압하기 위한 수직 스퀴즈 캐스팅 주조기에 있어서, 상기 금형(11,18)의 상부 및 하부 그리고 측면으로 상기 금형 공간(14)까지 관통 연장되고 금형 공간에 대하여 왕복 변위되도록 구성되어 금형 공간 내의 용탕을 가압하는 상부 및 하부 그리고 측면 가압 플런저(17,13,26)와, 상기 플런저들을 각각 작동시키기 위한 상부 및 하부 그리고 측면 가압 피스톤(16,9,25)과, 상기 측면 가압 플런저(26) 상부에 형성되고 이 측면 가압 플런저의 금형 관통 구멍을 통해 용탕을 공급하기 위한 용탕 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는수직 스퀴즈 캐스팅 주조기.2. 제1항에 있어서, 상기 용탕 공급 장치 금형 분할면과 50°각도로 경사진 런너(22)와 런너 단부에 위치된용탕 풀(21)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 스퀴즈 캐스팅 주조기.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
환경 > 대기오염제어·관리 기술 (N32, F36)
폐수중의 COD 함량, 색도 및 냄새 등을 낮추거나 완전히 제거하는데 적합한 전기 산화법을 이용한 산업 폐수 및 매립지 침출수의 정화 처리 방법을 제공한다. <구성>산업 폐수나 매립지 침출수 등의 폐수에 NaCl을 10중량% 이하 첨가한 다음 폐수의 pH를 4-10으로 조절하여 티타늄 전극인 양극과 스테인레스강 전극인 음극이 설치된 전해조 중에서 1-200mA/cm2의 전류 밀도로 전기 산화 처리하는 산업 폐수 및 매립지 침출수의 정화 처리 방법.1. 산업폐수나 매립지 침출수 등의 폐수에 NaCl을 10중량% 이하 첨가한 다음 폐수의 pH를 4∼10으로 조절하여양극과 음극이 설치된 전해조 중에서 1∼200mA/㎠의 전류밀도로 전기산화처리함을 특징으로 하는 산업폐수 및 매립지 침출수의 정화처리방법. 2. 제 1 항에 있어서, 폐수의 pH를 6∼8로 조절함을 특징으로 하는 산업폐수 및 매립지 침출수의 정화처리방법.3. 제 1 항에 있어서, 양극이 티타늄 전극이고, 음극이 스테인레스강 전극인 것을 특징으로 하는 산업폐수 및매립지 침출수의 정화처리방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 기타 에너지·환경기계
본 발명은 산업 폐수를 증발 농축기를 사용하여 처리하는 경우에 있어서 야기되는 농축기 내의 스케일 부착 방지 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 증발 농축기에 유입될 폐수에 대해 pH를 2 내지 10 범위로 조절하여 상온 내지 50 ℃ 범위에서 염화바륨을 첨가하여 30 분 내지 2 시간 동안 교반시켜 폐수 중의 황산 이온을 침전 제거시키고, 이어서 계면 활성제를 폐수 기준으로 10 ppm 내지 0.1 중량% 첨가시켜 표면 장력을 35 dyne/cm 이하로 감소시키는 처리를 수행하는 것으로 이루어진다. 본 발명의 방법에 따르면, 스케일 제거를 위해 농축기의 가동을 중지시키는 일이 없이 장기간 처리 효율을 유지시킬 수 있으며, 처리 비용이 매우 저렴하고 장치 부식 문제를 전혀 야기시키지 않는다.1. 증발 농축기로 유입될 폐수를 pH 2 내지 10의 범위로 조절하고, 여기에 상온 내지 50 ℃ 범위에서 염화바륨을 0.2 내지 4 중량% 첨가하여 30분 내지 2시간 동안 교반하여 폐수 중의 황산 이온을 침전 제거시키고, 이어서 계면활성제를 폐수 기준으로 10 ppm 내지 0.1 중량% 첨가하여 표면 장력을 35 dyne/cm 이하로 감소시키는 처리를 수행하는 것으로 이루어지는 폐수 증발 농축기 내의 스케일 부착 방지 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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