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알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자 및 그 제조방법

본 발명의 알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자는 기판, 기판의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 1 자성박막, 제 1 자성박막의 상면에 원자층 증착법에 의해 형성되는 알루미늄 산화막, 알루미늄 산화막의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 2 자성박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.기판의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 1 자성박막, 제 1 자성박막의 상면에 원자층 증착법에 의해 형성되는 알루미늄 산화막, 알루미늄 산화막의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 2 자성박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 액세스 메모리 소자를 만들 수 있다. 알루미늄 산화막 증착방법은 원자층 증착법 또는 플라즈마 원자층 증착법일 수 있으며, 알루미늄 산화막의 알루미늄 소스는 TMA(Trimethylaluminum) 또는 DMAI(Dimethylaluminumisopropoxide)일 수 있다. 알루미늄 산화막의 증착온도는 100℃ 내지 250℃일 수 있으며, 원자층 증착법에 적용되는 반응가스는 O2, O3, N2O, H2O, H2O2 중 어느 하나일 수 있다. 제 1 및 제 2 자성박막은 CoFe, Co, NiFe 중 어느 하나일 수 있다 상․하부의 양 자성막 사이에 알루미늄 산화막을 원자층 증착법 또는 플라즈마를 이용한 원자층 증착법으로 1Å단위의 정밀한 두께조절과 함께, 저온 공정을 위해 DMAI 소스를 이용함으로써 고온 공정에 의한 자성막의 열화를 원천적으로 방지할 수 있다.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 본 발명의 목적은 원자층 증착법과 TMA 및 DMAIP 소스를 적용함으로써, 저온 증착을 실현하며, 증착되는 산화막의 밀도를 향상시킬 수 있는 알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자를 제공하고자 하는데 있다.본 발명의 다른 목적과 특징들은 이하에 서술되는 바람직한 실시예를 통하여 보다 명확하게 이해될 것이다

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한양대학교
등록일
2004-05-12
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일반기술 재료 > 기타 재료

매핑 타원해석기

본 발명은 매핑 타원해석기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대형 LCD, PDP와 같은 대면적 시편의 두께, 또는 이러한 시편의 표면의 광학적 또는 미세 구조적 균일도 분포 등을 측정할 수 있는 타원해석기 헤드 및 그를 이용한 매핑 타원해석기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 타원해석기의 광부품을 소형모듈로 일체화 시킨 타원해석기 헤드와, 이를 x-y 이동스테이지에 부착하여 움직이면서 시편을 측정하는 매핑 타원해석기를 제공하는 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 매핑 타원해석기는 시편을 지지하는 시편장착대와, 상기 시판 장착대에 수직으로 이격되어 설치된 x-y 이동스테이지와, 상기 x-y 이동스테이지에 장착되어 상기 시편의 검사면에 평행한 2개의 교차축을 따라 이동 가능한 일체형 타원해석기 헤드와, 상기 타원해석기 헤드와 연결되어 이를 구동시키는 타원해석기 헤드 구동부를 포함하며, 상기 타원해석기 헤드는 발광부와 수광부를 포함한다.기존 기술에서의 문제점은 시편을 움직이기 때문에 시편크기의 4배에 해당하는 측정공간이 필요하게 된다. 반면 본 발명품은 시편크기의 공간만 필요로 하므로 공간상 4배의 이득이 발생하고 또한 대면적 시편을 움직일 필요가 없기 때문에 장비의 타원해석기 및 이동 스테이지의 크기 또한 크게 축소가 된다.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 타원해석기의 광부품을 소형모듈로 일체화 시킨 타원해석기 헤드와, 이를 x-y 이동스테이지에 부착하여 움직이면서 시편을 측정하는 매핑 타원해석기를 제공하는 것이다.

보유기관
한양대학교
등록일
2004-05-12
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일반기술 재료 > 기타 재료

반영구적인 플라스틱 리드

본 고안은 섹스폰을 불때에 입으로 떨림을 내는 리드로서, 종래에 대나무로 리드를 만들어 쓰는 것을 플라스틱으로 재질에 알맞는 연질과 강질을 지닌 다양한 플라스틱을 선택하여 리드를 만들었으므로 원래의 섹스폰 소리보다 더 특이하고 다양하게 소리를 다르게 낼 수 있으며 떨림의 소리를 내는 리드의 끝부분이 부러지거나 마모되지 않는다. 본 고안에 의하면 섹스폰을 불적에 떨림의 소리를 내는 대나무 리드를 재질이 다양한 각종 플라스틱으로 넓이와 두께를 크게 작게 만들어서 색다른 소리를 다양하게 나도록 하였고 리드를 플라스틱으로 만들었으므로 섹스폰 초보자도 삼단계 고음 소리를 쉽게 낼 수 있다. 지금까지의 대나무 리드는 전문가도 어렵게 삼단계 고음소리가 나온다. 그리고 조금 쓰다보면 떨림의 소리를 내는 대나무 리드의 바람을 부는 끝이 잘 마모되어 소리가 바르게 나지않아 자주 교체하는 문제점이 있었다. 기존의 대나무로 만들어진 리드를 이색적인 소리를 플라스틱으로 다양하게 낼 수 있도록 하였고 전문가도 잘 낼 수 없는 3 옥타브 고음 소리를 잘 나오도록 하는 특징이 있다. 전통적인 기존의 대나무로 만들어진 리드의 소리만의 소리를 탈피하여 이색적인 소리를 다양하게 낼 수 있고 삼단계 고음소리가 잘 나오며 반영구적인 플라스틱리드를 사용할 수 있다.

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한국발명진흥회
등록일
2004-05-12
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일반기술 재료 > 기타 재료

폴리아닐린과 시아노레진의 블렌드 조성물과 그의 제조방법

본 발명은 폴리아닐린과 시아노레진의 블렌드 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 용매에 대한 용해성 및 기계적 강도가 향상된 폴리아닐린/시아노레진 블렌드 조성물 및 그의 제조방법이 제시된다.본 발명의 폴리아닐린/시아노레진 블렌드 조성물은 폴리아닐린 0.01-70중량%와, 하기 [화학식 1]의 시아노에틸 풀루란 (cyanoethyl pullulan) (이하, CR-S라 함), [화학식 2]의 시아노에틸 PVA (cyanoethyl PVA) (이하, CR-V라 함), 상기 CR-S와 CR-V의 공중합체 (이하, CR-M이라 함), 이들의 유도체, 또는 이들의 혼합물에서 선택되는 시아노레진 30-99.99중량%로 이루어진다.본 발명에 따른 블렌드 조성물은 m-cresol을 용매로 사용하였을 때 기존의 polyaniline에 비하여 향상된 용해성을 나타내며, 필름 casting 방법으로 제조된 블렌드 필름은 우수한 기계적 물성을 보유한다.[발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명의 목적은 용매에 대한 용해성이 우수하고, 필름으로 제조하였을 때 기계적 물성 (인장강도, 신장율 등)이 우수한 폴리아닐린/시아노레진 블렌드 조성물 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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일반기술 재료 > 기타 재료

나노 무기 실리카 입자를 포함하는 폴리에스테르 수지 및 그 제조방법

본 발명은 디카르복실산계 성분, 디올계 성분, 촉매, 및 나노 무기 실리카 입자를 투입하여 인-시츄 중합법(In-situ polymerization)으로 제조되며, 평균 입경이 5 nm 내지 30 nm이고 비표면적이 50 m2/g 내지 450 m2/g인 나노 무기 실리카 입자를 최종 폴리에스테르 수지에 대해 0.01 중량% 내지 3.0 중량% 포함하고, 190℃ 내지 230℃에서의 등온결정화 시간(반결정화시간, t1/2)이 상기 나노 무기 실리카 입자를 포함하지 않은 폴리에스테르 수지의 등온결정화 시간의 2배 내지 6배인 폴리에스테르 수지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 폴리에스테르 수지는 나노 무기 실리카 입자의 분산성이 향상되어 결정화 속도의 지연효과와 인성(Toughness, Energy to Break Point)이 우수한 특징을 갖는다.기존 중합법을 이용, 분산성이 향상된 나노 실리카를 포함하는 폴리에스테르를 제조하여 기존대비 결정화 속도 지연 및 연신성이 우수한 중합체 개발.[발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 나노 무기 실리카 입자를 폴리에스테르 수지 내부에 균일하게 분산시킴으로써 결정화속도가 느리고, 인성(Toughness, Energy to Break Point)이 우수한 폴리에스테르 수지를 제공하는 것이다. 본 발명의 목적은 또한 인-시츄 중합법을 이용한 상기 폴리에스테르 수지의 제조방법을 제공하는 것이다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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일반기술 재료 > 기타 재료

폴리에틸렌 메타크릴산계 공중합체 이오노머를 이용한 폴리락트산계 수지 조성물 및 이를 함유하는 성형체

본 발명은 폴리에틸렌 메타크릴산계 공중합체 이오노머를 이용한 폴리락트산계 수지 조성물 및 이를 함유하는 성형체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 폴리락트산에 특정의 이온기가 함유된 폴리에틸렌 메타크릴산계 공중합체 이오노머를 소량 첨가하여, 이온간의 인력을 야기하여 융점강하 유발없이 인장강도, 신장율 등의 기계적 성질 및 결정화 속도와 결정화도를 월등하게 향상시켰고, 더불어 친수성이 증가하여 가수분해성이 향상되어 생체 적합성이 우수한 폴리락트산계 수지 조성물 및 이를 함유하는 성형체에 관한 것이다.소량의 이온그룹을 포함하는 이오노머와의 배합으로부터 기존의 발명에 비해 우수한 연신성과 결정성을 보이는 블렌드물 생산가능. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명자들은 상기와 같은 생분해성 소재인 폴리락트산의 여러 가지 한계를 해결하고자 연구 노력한 결과, 상기 폴리락트산에 비극성 고분자 사슬에 특정의 이온기가 함유된 폴리에틸렌 메타크릴산 공중합체 이오노머를 소량 함유하여, 융점강하 유발없이 인장강도, 신장율 등의 기계적 성질 및 결정화 속도와 결정화도를 월등하게 향상시켰고, 더불어 이온간의 물리적 가교로 친수성이 증가하여 가수분해성이 향상됨을 알게됨으로써 본 발명을 완성하게 되었다.따라서, 본 발명은 효율적으로 기계적 특성이 향상된 생체 적합성 폴리락트산계 수지 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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일반기술 재료 > 기타 재료

적외선 감지형 박막 NTC 서미스터의 제조방법

본 발명은 적외선 감지형 박막 NTC 서미스터의 제조방법에 관한 것으로, NTC 박막 및 전극을 포함한 적외선 감지부가 장착되는 기판으로서 실리콘 웨이퍼(실리콘 기판)의 상하 양면에 각각 SiO2/Si3N4/SiO2를 차례로 증착하여 이루어진 ONO 실리콘 웨이퍼를 사용하고, 적외선 감지부 위로 적외선 흡수층을 형성하여 제조함으로써, 웨이퍼 하면의 ONO층을 식각하여 형성한 창을 통해 실리콘을 완전히 식각, 제거할 수 있음으로 해서 웨이퍼 상면의 ONO층만으로 이루어진 완전 열적 고립형태의 멤브레인 구조를 형성할 수 있고, 결국 응답속도 및 감도 등에서 보다 향상된 적외선 감지특성은 물론 상기 적외선 흡수층의 소자 보호 역할에 의해 수명 연장 효과까지 제공할 수 있는 보다 개선된 적외선 감지형 박막 NTC 서미스터 제조방법에 관한 것이다.멤브레인 구조의 구현 및 흡수층증착을 통해 향상된 특성을 갖는 서미스터의 제조 가능, ONO wafer를 사용하여 실리콘 식각시 별도의 보호 마스크가 필요 없음【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, NTC 박막 및 전극을 포함한 적외선 감지부가 장착되는 기판으로서 실리콘 웨이퍼(실리콘 기판)의 상하 양면에 각각 SiO2/Si3N4/SiO2를 차례로 증착하여 이루어진 ONO 실리콘 웨이퍼를 사용하고, 적외선 감지부 위로 적외선 흡수층을 형성하여 제조함으로써, 웨이퍼 하면의 ONO층을 식각하여 형성한 창을 통해 실리콘을 완전히 식각, 제거할 수 있음으로 해서 웨이퍼 상면의 ONO층만으로 이루어진 완전 열적 고립형태의 멤브레인 구조를 형성할 수 있고, 결국 응답속도 및 감도 등에서 보다 향상된 적외선 감지특성은 물론 상기 적외선 흡수층의 소자 보호 역할에 의해 수명 연장 효과까지 제공할 수 있는 보다 개선된 적외선 감지형 박막 NTC 서미스터 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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수산화아파타이트 나노 입자의 제조 방법

본 발명은 수산화아파타이트 나노 입자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 초음파 분무 열분해법을 이용한 수산화아파타이트 나노 입자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 초음파분무 열분해법의 이점을 살리면서 비교적 간단한 공정을 사용하여 화학양론적이며 결정성도 우수한 수산화아파타이트 나노 입자를 대량으로 얻을 수 있는 수산화아파타이트 나노 입자의 제조방법을 제공하는 것이다. 특히, 고농도의 전구체를 사용하면서도 일차입자들의 응집을 억제하는 수산화아파타이트 나노 입자의 제조 방법을 제공한다. 상기한 목적을 달성하기 위해 수산화아파타이트 나노 입자의 제조 방법은 Ca원과 P원을 용매에 용해하여 전구체를 마련하는 단계와, 상기 전구체에 염을 첨가하고, 교반하여 분무액을 마련하는 단계와, 상기 분무액을 초음파 분무기로 분무하는 단계와, 분무된 액적을 미리 가열된 챔버로 분사시키는 단계와, 상기 분사물을 열분해시키는 단계와, 상기 열분해 후 생성된 합성 분말을 포집하는 단계와, 상기 포집된 합성 분말을 세정하는 단계와, 상기 세정된 합성 분말을 건조하는 단계를 포함한다.본 합성 방법은 전구체에 염을 첨가해 초음파분무열분해법을 이용하므로써 나노입자를 제조할수 있었으며 제조된 나노입자들은 좁은 입도 분포를 보이며 좋은 화학양론성을 보였다. 또한 높은 결정성의 단결정을 형성하였다. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 초음파분무 열분해법의 이점을 살리면서 비교적 간단한 공정을 사용하여 화학양론적이며 결정성도 우수한 수산화아파타이트 나노 입자를 대량으로 얻을 수 있는 수산화아파타이트 나노 입자의 제조방법을 제공하는 것이다. 특히, 고농도의 전구체를 사용하면서도 일차입자들의 응집을 억제하는 수산화아파타이트 나노 입자의 제조 방법을 제공한다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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일반기술 재료 > 기타 재료

위생적이고 쉽게 개방이 가능한 일회용 종이컵

본 고안은, 종이컵에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 상대적으로 개구부를 쉽게 개방시킬 수 있도록 함으로써 사용에 편리하고 비위생적인 문제를 극복할 수 있도록 한 종이컵에 관한 것이다.헬스장이나 백화점의 식당 코너나 병원, 혹은 대형 빌딩에 보면 식수를 공급하는 정수기가 설치되어 있으며, 정수기에는 일회용 종이컵이 마련되어 있는 것을 흔히 볼 수 있다.이들에 마련되는 종이컵은 크게 컵모양으로 이루어진 것과 납작하게 포개진 상태로 되어 층상으로 적층되는 것이 있는데, 많은 사람들이 이용해야 한다는 점과 더불어 개당 종이컵의 비용을 줄여야 하고 좁은 장소에 설치가 가능해야한다는 점에서 후자의 것(이하, 이를 "종이컵"이라 함)이 많이 채용된다.이러한 종이컵을 사용하고자 할 경우에는, 우선 종이컵이 마련된 포장용구의 상단이나 하단으로부터 하나의 종이컵을 인출한 다음, 양측변 영역을 반경방향 내측을 향해 가압한다. 그러면, 종이컵의 일단에 형성된 개구부가 벌어지게되므로 벌어진 개구부를 통해 물을 담아 식용할 수 있게 된다.그러나, 종래에 공지된 종이컵은, 한 손으로 종이컵의 양측변 영역을 가압하더라도 개구부가 쉽게 벌어지지 않기 때문에 다른 한 손을 이용하여 강제로 개구부 영역을 벌려주어야만 하므로 이용에 있어 상당히 불편할 뿐만 아니라 개구부에 손을 넣어 개방시켜야 하므로 위생상 좋지 못하다는 단점이 있다.본 고안의 목적은, 상대적으로 개구부를 쉽게 개방시킬 수 있도록 함으로써 사용에 편리하고 비위생적인 문제를 극복할 수 있도록 한 종이컵을 제공하는 것이다.[편리함]포장용기에서 컵을 꺼내면 역Y자 형으로 접혀진 선의 탄성에 의해 자동으로 약간 벌어지게 되며 이어서 한 손으로 쥐고 양끝을 살짝 누르기만 해도 입구 부분이 완전 개방됨.[위생적]단지 한 손만으로 컵을 개방함으로써 컵이 위생적임[독점성]특허받은 제품으로 시장에 독점 공급함으로써 안정적으로 이윤창출에 기여.[상세설명]상기 목적은, 본 고안에 따라, 일측은 개방된 개구부가 형성되고 타측은 폐쇄된 폐쇄부를 이루는 본체부와; 상기 본체부의 개구부의 중앙영역으로부터 상기 폐쇄부를 향해 형성된 수직접는선과; 상기 수직접는선의 단부에서 각각 상기폐쇄 부의 양모서리를 향해 형성된 경사접는선을 포함하는, 종이컵에 의해 달성된다.여기서, 상기 폐쇄부로부터 상기 경사접는선이 상호 맞닿는 영역까지의 길이에 비해 상기 수직접는선의 길이가 상대적으로 길게 형성되는 것이 유리하다.그리고, 상기 수직접는선의 일측에 상기 개구부로부터 상기 폐쇄부를 향해 형성된 더미접는선을 추가로 포함할 수 있다. 이 때, 상기 더미접는선은 상기 수직접는선을 중심으로 양측에 한 쌍으로 배치되며, 그 단부는 상기 경사접는선과 이격될 수 있다.한편, 상기 목적은, 본 고안에 따라, 일측은 개방된 개구부가 형성되고 타측은 폐쇄된 폐쇄부를 이루는 본체부와; 상기본체부의 개구부의 중앙영역으로부터 상기 폐쇄부를 향해 형성된 수직접는선과; 상기 수직접는선을 중심으로 적어도어느 일측에 상기 개구부로부터 상기 폐쇄부를 향해 형성된 더미접는선을 포함하는, 종이컵에 의해서도 달성된다.여기서, 상기 수직접는선 및 더미접는선의 단부는 상기 폐쇄부로부터 이격되도록 형성될 수 있다

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2004-06-08
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리튬이차전지의 양극활물질로서 3v급 스피넬 산화물, 그 제조방법, 및 그것을 이용한 리튬이차전지

본 발명은 Li1+x[MyMn(2-y)]O4(0≤x≤0.1, 0≤y≤0.5, M=Mn, Ni, Mg, Cr, Co, Fe, 또는 Cu)의 조성식을 가지는 3V급 스피넬 산화물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 3V급 스피넬 산화물을 초음파 열분해 및 소결에 의해 제조하는 방법을 제공한다. 마지막으로 본 발명은 상기 3V급 스피넬 산화물을 포함하는 3V 리튬이차전지에 관한 것이다. 본 발명의 3V급 스피넬 산화물은 입자의 크기가 균일하고, 입자의 형태가 구형이며, 이것을 포함하는 리튬이차전지는 3V전위에서의 평탄면이 우수하고, 전지의 수명특성도 우수하다. 또한 짧은 시간에 제조가 가능하다.본 발명은 리튬이차전지의 양극활물질의 원재료의 제조에 관한 기술로써, 리튬이차전지용 양극물질을 구형의 1차 분말로 제조하여 적용한 기술로써, 산화물 형태의 안정한 3V급 스피넬 복합산화물의 제조가 용이하고, 이를 이용한 리튬이차전지의 제조가 가능하다.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명은 3V급 리튬이차전지의 양극활물질로서 사용되는 조성식 Li1+x[MyMn(2-y)]O4(0≤x≤0.1, 0≤y≤0.5, M=Mn, Ni, Mg, Cr, Co, Fe, 또는 Cu)의 3V급스피넬 산화물을 제공하는 것을 목적으로 한다.또한, 초음파 열분해법을 이용하여 제조시간이 짧고 제조공정이 간단한 상기 3V급 스피넬 산화물의 제조방법을 제공하고자 한다.마지막으로, 본 발명은 상기 3V급 스피넬 산화물을 포함하는 3 V전위에서의 평탄면이 우수하고, 수명특성 및 고온특성이 우수한 리튬이차전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.

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2004-06-08
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원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 포토 마스크 제작 방법

본 발명은 차세대 노광 공정 마스크 중의 하나로 접촉형 원자력간 현미경(Contact Atomic Force Microscope;NT-MDT)의 캔틸레버 팁과 금속{티타늄(Ti), 크롬(Cr)}/Quartz 기판 혹은 PBET/금속{티타늄(Ti), 크롬(Cr)}/Quartz 기판과의 양극산화법을 이용하는 제1단계와 튀어나온 티타늄 옥사이드를 식각하는 제2단계를 포함하는 노광 마스크(Optical Mask) 제작방법 및 이때 제작되는 마스크를 제공한다. 본 발명은 투과형 노광 마스크로서 기존의 노광 포토 마스크에 비해 패턴 사이즈를 수 nm(40 nm 이하)까지의 패턴 사이즈를 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다.기존의 포토 마스크의 미세 패턴은 electron beam을 이용하여 30 nm이상 미세 패턴 구현한 것에 비해서 본 발명은 AFM 리소그래피를 이용하여 패턴 사이즈를 수 nm 이하로 줄일수 있으며 패턴의 모양 또한 원하는 여러 모양으로 얻을수 있는 것을 특징으로 함. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, 기존 전자선 묘화 방식의 미세 선폭 구현의 한계를 벗어나 최소 수 nm 까지의 미세 패턴을 구현할 수 있는 포토 마스크 제작방법을 제공함으로써, 마스크의 패턴 사이즈를 획기적으로 줄일 수 있을 뿐만 아니라 패턴의 모양 또한 여러 가지의 모양으로 제작할 수 있고, 또한 마스크 제작공정도 간단하게 할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 포토 마스크 제작방법은 투명한 유리석영 기판 위에 티타늄이나 크롬의 금속 박막을 스퍼터링을 통해 증착하는 단계와, 원자력간 현미경을 이용하여 캔틸레버 팁과 상기 박막 구조의 기판에 각각 전계를 인가하여 기판에서 소정의 높이와 폭을 갖는 티타늄 옥사이드나 크롬 옥사이드 물질의 산화막을 형성하는 단계와, 상기 옥사이드 물질의 식각처리 후 레지스트 물질을 세정하여 초 미세 선폭의 포토 마스크를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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한양대학교
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2004-06-08
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광촉매제용 이산화티타늄 분말 제조방법 및 그로부터 제조된 이산화티타늄 분말

본 발명은 광촉매제용 이산화티타늄 분말의 제조방법에 관한 것으로서, TiSO4를 염기성 용액으로 중화시켜 TiOH4를 생성하는 단계; 및, 이산화티타늄(TiO2)분말이 형성되도록 상기 TiOH4를 건조시키는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면, 비교적 취급이 용이하면서 저렴한 TiSO4를 출발물질로 사용하여 간단한 중화공정과 건조공정만으로 원하는 TiO2분말을 제조할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 이산화티타늄분말 제조방법은 다른 종래의 제조방법에 비해 공정의 안정성이 높고, 공정이 간소하므로, 실제 산업에 쉽게 응용될 수 있다는 잇점이 있다.TISO4에 염기성 물질을 중화시켜 빠른 시간안에 대량의 광촉매를 생산할 수 있으며 각종 도핑 금속의 치환이 용이하다. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명은 상기 기술적 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 TiSO4를 출발물질로 이용하여 보다 안정되고 간단한 공정을 통해 전이금속이 도핑될 수 있는 이산화티타늄 분말(TiO2)을 제공하는데 있다.【발명의 구성】상기 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은 TiSO4를 염기성 용액으로 중화시켜 TiOH4를 생성하는 단계와, 이산화티타늄(TiO2)분말이 형성되도록 상기 TiOH4를 건조시키는 단계를 포함하는 이산화티타늄분말 제조방법을 제공한다.

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2004-06-08
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복수개의 전이금속이 도핑된 이산화티타늄 분말 및 그 제조방법

본 발명은 전이금속이 도핑된 이산화티타늄 분말과 그 제조방법에 관한 것으로서. 사염화티탄산(TiCl4)을 이용하여 티타닐클로라이드(TiOCl2) 수용액을 마련하는 단계와, 상기 티타닐클로라이드(TiOCl2) 수용액을 80℃-150℃의 온도에서 유지하여 준안정상태의 티타늄수산화물(TiO(OH)2)을 형성하는 단계와, 상기 수거된 티타늄수산화물(TiO(OH)2)을 적어도 2개의 서로 다른 전이금속과 혼합하는 단계와, 상기 티타늄수산화물(TiO(OH)2)과 상기 적어도 2개의 전이금속의 혼합물을 볼밀링함으로써 복수개의 전이금속이 도핑된 이산화티타늄-여기서, 상기 이산화티타늄분말은 그 에너지 밴드갭 내에 도핑된 전이금속에 의한 추가적인 에너지레벨이 형성됨-을 형성하는 단계를 포함하는 이산화티타늄 분말 제조방법를 제공한다.본 발명의 제조방법으로 얻어진 이산화티타늄 분말은 입자크기 30㎚이하의 미세한 입자구조를 형성하여 비표면적이 증가하여 광활성화가 향상될 뿐만 아니라, 2개의 전이금속이 도핑되어 에너지 밴드갭 내에 새로운 에너지 레벨을 형성함으로써 생성된 전자와 정공의 재결합을 억제하여 가시광선대역 파장의 흡수가능하므로, 광활성 및 광효율 측면에서 매우 우수한 광촉매제로 사용될 수 있다.두 개의 전이금속을 도핑시켜 에너지밴드갭에 새로운 준위의 에너지 준의를 형성, 가시영역에서 반응가능하며 대량의 광촉매를 생산할 수 있고 각종 도핑 금속의 치환이 용이하다. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명은 상기 기술적 문제를 해결하기 위해서 안출된 것으로, 그 목적은 적어도 두개의 전이금속을 도핑시켜 에너지밴드갭 내에 새로운 에너지 준위를 형성함으로써 가시광선대역의 파장에서도 빛을 흡수하며 우수한 광활성화를 갖는 광촉매제로 작용할 수 있는 이산화티타늄을 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 비표면적을 증가시켠서 새로운 에너지 준위를 갖는 적어도 두개의 전이금속이 도핑된 이산화티타늄 분말을 제조하기 위한 새로운 방법을 제공하는데 있다.

보유기관
한양대학교
등록일
2004-06-08
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서류철

본 제품은 기존의 기계제본기, 흑끈, 구두끈을 이용한 서류철을 보다 더 향상시켜 아주 쉽고 편리하게 서류나 전표 등 제본이 필요한 것들을 파일펀치만 있으면 어디에서든지 누구나 손쉽게 제본할 수 있게 만들었다.1. 고정대에는 안내구멍을 형성하여 걸림이빨을 형성하고2. 밴드 양면에는 경사방향이 서로 반대인 톱니이빨을 형성하여 밴드를 고정대 안내구멍에 끼우고 고정대를 상하로 이동시켜 고정시킬 수 있도록 한 서류철이다.3. 제본 후 남은 밴드는 재활용 가능.본 제품은 기존의 기계제본기, 흑끈, 구두끈을 이용한 서류철을 보다 더 향상시켜 아주 쉽고 편리하게 서류나 전표 등 제본이 필요한 것들을 파일펀치만 있으면 어디에서든지 누구나 손쉽게 제본할 수 있게 만들었다.1. 고정대에는 안내구멍을 형성하여 걸림이빨을 형성하고2. 밴드 양면에는 경사방향이 서로 반대인 톱니이빨을 형성하여 밴드를 고정대 안내구멍에 끼우고 고정대를 상하로 이동시켜 고정시킬 수 있도록 한 서류철이다.3. 제본 후 남은 밴드는 재활용 가능.

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한국발명진흥회
등록일
2004-05-25
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서류철

본 제품은 파일펀치만 있으면 손쉽게 제본하도록 만들었다.1. 제본한 서류를 추가 및 삭제할 수 있다.2. 기존 철 바인더로는 제본이 어려운 13센티미터 이상의 서류도 제본을 할 수 있다.3. 남은 밴드를 계속 사용할 수 있도록하여 소비자에게 경제적이다.4. 재활용 가능.5. 현재 시제품 생산중이며 OEM방식에 의해 사업화를 희망하고 있음.6. 현재 특허 출원 중으로 기술평가 신청 고려 중._________________________1. 화스너의 몸체의 양측에 끼움구멍과 경사방향이 반대인 톱니이빨을 형성 : 화스너의 몸체와 Tie의 톱니이빨을 서로 이맞춤시키고 화스너 몸체를 위아래 같이 사용하기 위해 양측에 톱니이빨이 형성.2. 화스너의 몸체의 중간 좁은 부분을 따라 양쪽 넓은 부분으로 화스너의 몸체 아래쪽에 형성 : 서류 추가 삭제시 화스너 ㄷ 자형의 이동을 자유롭게 하기위해3. Tie양면에는 경사방향이 서로반대인 톱니이빨을 형성 : 하나의 화스너의 몸체로 위아래 같이 사용하고, 제본 후 남은 Tie는 재사용.4. 화스너 ㄷ 자형에 안내턱이 형성 : 화스너 몸체 중간 부분에 화스너 ㄷ 자형을 끼워 화스너 ㄷ 자형의 안내턱을 화스너 몸체의 안내부를 따라 이동시켜 화스너 몸체와 Tie를 고정시키기 위해5.Cap 안에 안내구멍에 걸림이빨이 형성 : 밴드의 양면의 톱니이빨을 고정시키기 위해본 제품은 파일펀치만 있으면 손쉽게 제본하도록 만들었다.1. 제본한 서류를 추가 및 삭제할 수 있다.2. 기존 철 바인더로는 제본이 어려운 13센티미터 이상의 서류도 제본을 할 수 있다.3. 남은 밴드를 계속 사용할 수 있도록하여 소비자에게 경제적이다.4. 재활용 가능.5. 현재 시제품 생산중이며 OEM방식에 의해 사업화를 희망하고 있음.6. 현재 특허 출원 중으로 기술평가 신청 고려 중._________________________1. 화스너의 몸체의 양측에 끼움구멍과 경사방향이 반대인 톱니이빨을 형성 : 화스너의 몸체와 Tie의 톱니이빨을 서로 이맞춤시키고 화스너 몸체를 위아래 같이 사용하기 위해 양측에 톱니이빨이 형성.2. 화스너의 몸체의 중간 좁은 부분을 따라 양쪽 넓은 부분으로 화스너의 몸체 아래쪽에 형성 : 서류 추가 삭제시 화스너 ㄷ 자형의 이동을 자유롭게 하기위해3. Tie양면에는 경사방향이 서로반대인 톱니이빨을 형성 : 하나의 화스너의 몸체로 위아래 같이 사용하고, 제본 후 남은 Tie는 재사용.4. 화스너 ㄷ 자형에 안내턱이 형성 : 화스너 몸체 중간 부분에 화스너 ㄷ 자형을 끼워 화스너 ㄷ 자형의 안내턱을 화스너 몸체의 안내부를 따라 이동시켜 화스너 몸체와 Tie를 고정시키기 위해5.Cap 안에 안내구멍에 걸림이빨이 형성 : 밴드의 양면의 톱니이빨을 고정시키기 위해

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한국발명진흥회
등록일
2004-05-25
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칩 접합방법

본 발명은 칩 접합방법에 관한 것으로, 융점이 서로 다른 솔더범프 간, 또는 솔더범프와 금속범프 간의 상호확산을 통해 조성의 변화를 가져와 두 범프의 융점 이하의 온도에서 부분적인 용융반응에 의해 칩을 기판(또는, 다른 칩)에 접합시킴으로써 공정온도와 접합하중(압력)을 낮추어 신뢰성있는 칩 접합부를 형성할 수 있는 방법이 개시된다. 솔더범프를 이용하여 저온에서 저하중의 공정으로 칩을 접합하는 기술원천기술로서 광범위한 정보디스플레이기기의 적용 가능 공정의 용이하며 전기적, 기계적 특성이 우수한 저가격 기술【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 상기에서 설명한 종래기술에 따른 플립 칩 접합기술들에서 발생되는 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 특히 종래기술에 따른 플립 칩 접합기술들에서 필수 불가결하게 접합공정에서 적용하고 있는 고온 및 고하중(고압력)의 공정조건에 의해 발생되는 칩 접합의 신뢰성의 저하를 개선시키는데 그 목적이 있다. 또한, 본 발명은 솔더범프를 이용한 금속학적인 접합방법을 개선하여 솔더범프 및/또는 금속범프 간의 상호확산을 통해 조성의 변화를 가져와 두 범프의 융점 이하의 온도에서 부분적인 용융반응에 의해 칩을 기판에 접합시킴으로써 종래기술에 비해 공정온도와 접합하중(압력)을 낮추어 신뢰성있는 칩 접합방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법

본 발명은 화학기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 형성되는 나노토포그라피(nanotopography)의 효과를 보상할 수 있는 슬러리 조성물과 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법에 관한 것이다.화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)는 가압된 웨이퍼와 연마패드 사이에 존재하는 연마제에 의한 기계적인 가공과 슬러리의 케미컬에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 반도체 가공기술의 한 분야로서, 서브마이크론 스케일의 반도체 칩의 제조에 있어서 광역평탄화(Global Planarization) 기술의 필수 공정으로 자리잡고 있다.슬러리 조성물을 사용하여 반도체소자의 표면을 평탄화하는 방법을 제공하는 데【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 표면에 존재하는 나노토포그라피 효과를 최대로 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 상기 본 발명의 슬러리 조성물을 사용하여 반도체소자의 표면을 평탄화하는 방법을 제공하는 데 있다.

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한양대학교
등록일
2004-06-08
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잉크 경화식 인쇄 방법 및 이를 이용하여 제작된 컬러 필터

【요약】본 발명은 잉크 경화식 인쇄 방법 및 이를 이용하여 제작된 컬러 필터에 관한 것으로서, 기판에 컬러 필터의 R, G, B컬러 패턴 등을 정밀하게 인쇄할 수 있는 인쇄 방법 및 이를 이용한 컬러 필터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 전술된 본 발명의 목적을 달성하기 위한 인쇄 방법은, 주형을 마련하는 단계, 상기 주형의 오목면에 잉크를 도포하는 단계, 상기 주형에 도포된 잉크를 기판에 전사 및 경화시키는 단계, 상기 주형을 기판에서 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명은 마이크로 트랜스퍼 몰딩방법을 이용하여 LCD용 칼라필터의 제조방법에 대한 것이다. 기존에 칼라필터는 고가의 장비와 까다로운 조작 조건 등을 요하는 광식각(photolithography) 방식에 의하여 제조해 왔으나 본 발명의 몰딩 공정을 이용하면 저비용으로 칼라패턴의 제작이 가능하다.대용량 칼라필터의 구현이 가능.제작이 간단하다.제작 단가가 낮다.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명의 목적은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에 컬러 필터의 R, G, B컬러 패턴 등을 정밀하게 인쇄할 수 있는 인쇄 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 기존에 알려진 컬러 필터의 복잡한 제조 방식에서 탈피하여 간단한 제조 공정에 의하여 저가로 패턴의 형성을 가능하게 하는 방식을 제공하고, 이 방식을 이용하여 제조한 컬러 필터를 제공하는 것이다.

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한양대학교
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2004-06-08
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전기화학적 환원에 의한 나노금속분말의 제조방법

본 발명은 금속산화물을 전기화학적으로 환원처리함으로써 입자성장이 억제된 나노금속분말을 환경친화적으로 얻을 수 있는 나노금속분말의 제조방법에 관한 것으로서, 금속산화물 분말을 준비하는 시료준비단계와; 환원제가 용해된 수용액이 담겨진 반응조 내에서, 상기 금속산화물과 음극전극을 직접 접촉시킨 후, 상기 반응조에 전압을 인가하여 상기 금속산화물 분말을 환원반응시키는 환원단계와; 상기 환원단계에서 얻어진 수득물을 여과 및 건조하는 건조단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.전기화학을 이용하여 환경친화적으로 나노금속분말을 제조기존 공정의 단점들을 보완한 공정이며 다양한 응용가능성을 가지고 있다【발명의 구성】상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기화학적 환원에 의한 나노금속분말의 제조방법은, 금속산화물 분말을 준비하는 시료준비단계와; 환원제가 용해된 수용액이 담겨진 반응조 내에서, 상기 금속산화물과 음극전극을 직접 접촉시킨 후, 상기 반응조에 전압을 인가하여 상기 금속산화물 분말을 환원반응시키는 단계와; 상기 환원단계에서 얻어진 수득물을 여과 및 건조시키는 건조단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.여기에서, 상기 음극전극은 상기 금속산화물 분말에 의해 전체적으로 덮여진 상태로 유지되는 것이 바람직한데, 그 이유는, 음극전극이 수용액에 직접적으로 노출될 경우 음극전극면에 발생하는 기공에 의해 금속산화물이 날려서 환원반응이 제대로 이루어지지 않기 때문이다.

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한양대학교
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2004-06-08
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FALC 공정을 이용한 poly-Si TFT-LCD array 기판 제조 방법

본 발명은 비정질 실리콘 TFT-LCD array 기판에 소스와 연결되어 있는 데이터 라인과 드레인과 연결 되어 있는 ITO 공통 전극을 통해 전압을 인가하면서 열처리를 하는 전계 유도 방향성 결정화를 통한 다결정 실리콘 TFT-LCD array 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 현재 양산 중에 있는 비정질 LCD 공정 중에 나노 두께의 금속층이 소스 및 드레인에 선택적으로 증착하는 추가 공정을 도입하여 소스와 연결 되어 있는 데이터 라인과 드레인과 연결 되어 있는 ITO 공통전극 라인을 이용하여 양단에 전기장을 형성시키면서 동시에 열적 어닐링을 수행하여 다결정 실리콘 TFT-LCD array 기판을 제작함으로써, 종래의 다결정 실리콘 박막 제조방법에 비해 비정질 실리콘 TFT-LCD 기술과 친화적이므로 수율이 높아지고 원가가 절감되는 효과를 기대 할 수 있을 것이다. 또한 나노 제어 기술 및 전계인가를 통해 원하는 형태와 크기의 결정질 실리콘을 형성할 수 있고, 또한 공정 시간을 단축하여 양산 공정에 응용 시 기존의 비정질 실리콘 및 금속을 이용한 다른 결정화 방법보다 높은 전계 효과와 이동도를 가지고 있어 빠른 응답속도와 고해상도의 구현이 가능하도록 하는 다결정 실리콘 TFT-LCD array 기판 제조방법에 관한 것이다.다결정 실리콘막을 형성하기 위해 상용화된 비정질 실리콘 TFT에 공통전극을 통한 전기장을 인가하면서 열처리 시행.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】 본 발명은 한국출원 10-1998-0036208의 개량 발명으로서, 종래의 기술에 대한 문제점을 해결 할 수 있는 비정질 실리콘 TFT를 현재 상용중인 양산 공정에 적용하여 다결정 실리콘 TFT를 제조하고자 한다. 또한, 전계를 인가할 전극을 따로 형성하지 않고 기존 공정뿐만 아니라 양산 공정에 있어 신호배선 설계 및 화소전극과 축적용량 설계 시 소스 및 드레인 영역에 선택적으로 금속 증착 공저을 도입하여 공통으로 묶여있는 데이터 라인 및 투명 전도막인 ITO(indium tin oxide)를 이용하여 (+)와 (-)전압을 인가하여 열처리와 동시에 채널지역을 비정질 실리콘을 측면 결정화 빠르게 진행할 수 있는 방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 N형, P형, CMOS형태의 TFT를 제작하기 위하여 효과적으로 사용될 수 있다. 따라서 본 발명은 기존 양산공정에 사용되는 비정질 실리콘 TFT; Top Gate 구조, Bottom Gate 구조뿐만 아니라 어떠한 형태의 TFT 구조에 적용가능함을 제공하고자 한다. 또한 새로운 마스크 설계를 하여 전압을 소스 및 드레인에 직접 인가하는 방식의 TFT 제조에 적용하고자 한다. 한국특허 제232100호 및 출원 10-1998-0036208은 대면적에 적용 시 전계 분포에 의한 고르지 않은 결정화 거동이 초래되는 바, 따라서 본 발명은 종래 방법에 비해 직접접촉의 전계 효과와 열처리를 이용해 보다 나은 원하는 형태와 크기의 결정질 실리콘을 형성하는 효과뿐만 아니라 이로써 제작된 다결정 실리콘 TFT가 다른 결정화 방법보다 높은 전계 효과와 이동도를 가지고 있어 빠른 응답속도와 고해상도의 구현이 가능한 개선된 다결정 실리콘 TFT를 제공하는데 그 목적이 있다.

보유기관
한양대학교
등록일
2004-06-08
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