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재료 > 전자기 기능재료
본 발명은, 차세대 비휘발성 메모리 소장 중의 하나인 Resistive Random Access Memory (ReRAM) 소자에 응용되는 메탈 전극 기판위에 이원 산화 물질 박막을 remote oxidation 방법을 이용하여 다층구조로 증착하는 방법에 관한 것으로서, 기판상에 금속 전극을 증착시키는 단계, 전극 층 상에 금속막을 증착시키는 단계, 상기 금속막을 Remote oxidation 방법을 이용하여 이원 산화 물질 층으로 형성하는 단계, 이원 산화 물질 층이 원하는 다층구조가 될 때까지 상기 금속막 증착, 산화 단계를 반복하는 단계, 기판 및 이원 산화 물질 층을 어닐링하는 단계, 상부전극을 증착 하는 단계 및 ReRAM 장치를 완성하는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면, 진공상태에서 remote oxidation 방법을 이용하여 이원 산화 물질을 다층 성장하여 균일한 이원 산화 물질을 높은 재현성으로 형성할 수 있다. 또한, 이를 거대 저항변화 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자에 응용함으로써 종래의 perovskite 물질보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대할 수 있으며, 재현성도 우수하여 실제 양산화공정에 효과적으로 적용될 수 있다. 이러한 이원 산화 물질 다층 박막 형성방법은 비휘발성 메모리소자 제조방법으로 응용되어, 보다 큰 효과를 제공할 수 있다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
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재료 > 전자기 기능재료
본 발명에서 제시하는 유기발광소자에 사용하는 격자형태를 가진 전극은 모든 지역의 발광층에서 형성되는 삼중항엑시톤 (triplet exciton)이 존재하지 않고 격자형태의 양극과 음극에만 국소적으로 형성된 엑시톤은 유기발광층의 수직방향과 수평방향으로 확산되기 때문에 삼중항 엑시톤(triplet exciton)의 밀도를 낮출 수 있기 때문에 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸확률을 낮추어서 고효율의 인광성 유기발광소자 제작을 가능하게 하는 소자제작방법 제시하고 있다. 유리기판위에 성장된 양극전극을 도 1과 같이 격자형태로 식각한 후 정공전달층, 인광성 발광물질을 첨가한 발광층, 정공차단층 및 전자전달층, 음극전극을 연속적으로 성장한다. 음극전극도 양극전극과 동일한 형태로 위치를 조절하여 격자형태로 식각한다. 이렇게 제작된 격자형태의 전극은 인광성 유기발광소자의 효율저하 원인인 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸현상을 감소시켜 고효율 인광성 유기발광소자 제작을 가능하게 한다. 격자형태를 가진 전극을 사용한 새로운 구조의 인광성 유기발광소자는 차세대 고효율 유기발광소자제작에 새로운 방법을 제시한다.격자형태를 가진 전극을 사용하는 새로운 구조의 인광성 유기발광소자는 평면형태의 전극과는 다른 독특한 형태의 전극을 사용한다. 그림 2의 다 지역에서 삼중항 엑시톤이 형성되고 정공차단층에 가로막힌다. 약 1~100μsec 의 수명을 갖는 삼중항 엑시톤은 삼중항 엑시톤이 형성되지 않는 그림 2의 라 지역으로 확산된다. 삼중항 엑시톤의 확산은 삼중항 엑시톤의 밀도는 낮추어 그림 2의 다 지역에서 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸의 확률을 감소시킨다. 격자형태의 전극을 사용하는 새로운 구조의 인광성 유기발광소자는 평면형태의 전극을 갖는 인광성 유기발광소자보다 높은 양자효율을 보여준다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
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기존의 유기발광소자에서 음극전극으로 Mg 원자와 Ag 원자의 비율이 10:1인 Mg:Ag 합금박막층을 증착한 후 Ag 박막층을 증착하는 두 단계의 형성방법으로 제작하여 사용하였다. Al 박막을 음극전극으로 사용할 경우 LiF 완충층을 사용하여야 하는 단점이 있다. 본 발명에서는 5:95 의 비율을 갖는 Mg와 Ag 의 합금단일층을 유기발광소자의 음극전극으로 사용함으로써 음극전극에서 유기발광소자의 발광층에 주입되는 전자주입 효율을 증진시키는 새로운 음극제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 5:95의 비율을 갖는 Mg:Ag 단일층 음극전극을 사용한 유기발광소자의 효율이 증가하고 공정이 단순하여 차세대 유기발광소자에 응용될 경우 유기발광소자의 제작비용을 상당히 절감할 수 있는 고효율 전자주입을 위한 Mg:Ag 박막을 사용한 음극전극 형성 방법을 제시한다.본 발명에서는 Mg 원자와 Ag 원자의 합성비율을 5:95로 합성한 Mg:Ag 합금박막을 이용해 단 한번의 증착과정으로 Mg:Ag 합금박막층과 Ag 박막층을 형성하는 효율적인 전자주입을 위한 유기발광소자의 음극전극 제작 방법을 제시하고 있다. 5:95 비율을 갖는 Mg:Ag 단일층 음극 전극을 사용한 유기발광소자의 효율이 증가된 동시에 공정상의 단순화로 인하여 차세대 유기발광소자제작에 응용할 수 있다. 공정상의 단순화과정을 통하여 유기발광소자 제작비용을 상당히 절감할 수 있으며 고효율 유기발광소자를 제작할 경우 연간 수천만불을 획득할 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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본 발명은 차본 나노 파이버를 이용한 연료전지용 니켈 담지 촉매 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 그 구성은 , 차본 나노 파이버의 불순물을 제거하기 위하여, 다수의 카본 나노 파이버가 담가져 산세 처리되는 질산용액이 수용되어 있는 산세 처리조 ; 다수의 상기 카본 나노 파이버 간 엉김을 방지하기 위하여 , 상기 질 산용액에 담가진 상기 카본 나노 파이버에 초음파를 분산하는 초음파 발생기 ; 상기 산세 처리조가 담가지는 60 ℃ 내지 80 ℃의 물이 수용되어 있는 항온조; 상기 산세 처리조에 담가진 상기 카본 나노 파이버에 잔류하는 질산용액을 제거하기 위한 여과기 ; 질산용액이 제거된 상기 카본 나노 파이버가 담가져 수세 처리되는 증류수가 수용되어 있는 수세 처리조 ; 수세 처리된 상기 차본 나노 파이버의 잔류 수분을 제거하기 위하여 , 상기 카본 나노 파이버를 100 ℃ 내지 150 ℃ 정도로 가열하여 건조시키는 제 1 오븐부재 ; 건조된 상기 차본 나노 파이버가 담가지며 , 니켈수화물이 투입되어 초음파 세척기에 의해 분산된 니켈이온이 포함된 아세톤 용매가 수용되어 있는 수조 ; 상기 카본 나노 파이버가 상기 니켈이온을 충분히 흡착할 수 있도록 하고 , 불순물의 함입을 막기 위하여 , 상기 카본 나노 파이버가 담가진 상기 수조를 밀봉하는 밀봉부재 ; 상기 수조 내의 아세톤 용매를 증발시키기 위하여 , 65 ℃ 내지 100 ℃로 상기 수조를 물중탕 처리하는 로터리 이베포레이터 ; 상기 니켈이온이 흡착된 상기 차본 나노 파이버를 건조시키기 위하여 , 상기 카본 나노 파이버를 100 ℃ 내지 120 ℃ 정도로 가열하여 건조시키는 제 2 오븐부재 ; 및 상기 차본 나노 파이버에 흡착된 상기 니켈이온을 니켈로 환원시키는 수소 환원 장치 ; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며 , 이로부터 고성능, 고효율, 고안정성의 니켈 담지 촉매를 제조할 수 있고, 니켈입자들끼리의 결합력으로 인한 응집력을 최대한 배제하며 균일 분산 처리됨에 따라 담체의 수용능력을 극대화할 수 있으며 니켈이온을 더 이 흡착시킬 수 있어 흡착능력이 향상될 수 있는 효과가 있다 .본 발명의 차본 나노 파이버를 이용한 연료전지용 니켈 담지 촉매 제조 장치 및 방법에 따르면 , 다음과 같은 효과가 있다 . 질산용액의 산세처리는 니켈이온이 카본 나노 파이버의 담체 표면에 더 많이 담지될 수 있도록 하며, 고성능 , 고효율 , 고안정성의 니켈 담지 촉매를 제조할 수 있으며, 제조원가가 절감될 수 있다. 또한 , 카본 나노 파이버와 니켈의 무게비가 1 : 0.2 로 구성됨으로써 , 고농도하에서도 니켈입자들끼리 응집이 잘 일어나지 않으므로 니켈입자들끼리의 결합력으로 인한 응집력을 최대한 배제하며 균일 분산 처리됨에 따라 담체의 수용능력을 극대화할 수 있다 . 나아가, 카본 나노 파이버가 헬리컬 타입의 카본 나노 파이버로 구성됨으로써, 니켈이온을 더 많이 흡착시킬 수 있어 흡착능력이 향상될 수 있다 .
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- 부산대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 카본 나노 파이버를 이용한 연료전지용 철 -백금 담지 촉매 및 코발트 -백금 촉매 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 그 구성은, 카본 나노 파이버의 불순물을 제거하기 위하여, 다수의 카본 나노 파이버가 담가져 산세 처리되는 질산 용액이 수용되어 있는 산세 처리조 ; 다수의 상기 가본 나노 파이버 간 영김을 방지하기 위하여, 상기 질산용액에 담가진 상기 카본 나노 파이버에 초음파를 분산하는 초음파 발생기; 상기 산세 처리조가 담가지는 60 ℃ 내지 80 ℃의 물이 수용되어 있는 항온조;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 이로부터 고성능, 고효율, 고안정성의 철-백금 담지 촉매 및 코발트-백금 촉매를 제조할 수 있고, 제조원가가 절감될 수 있는 효과가 있다.본 발명은 제조원가가 절감될 수 있는 카본 나노 파이버를 이용한 연료전지용 철-백금 담지 촉매 및 코발트-백금 촉매 제조 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명의 카본 나노 파이버를 이용한 연료전지용 철-백금 담지 촉매 및 코발트-백금 촉매 제조 장치에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다. 질산용액의 산세처리는 철이온 및 백금이온 또는 코발트 이온 및 백금 이온이 카본 나노 파이버의 담체 표면에 더 많이 담지될 수 있도록 하며, 고성능, 고효율, 고안정성의 철-백금 담지 촉매를 제조할 수 있고, 제조원가가 절감될 수 있다.
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- 부산대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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재료 > 전자기 기능재료
전자총 (electron gun)에서 나오는 전자 빔은 별도의 function box에 가해지는 200 us 구형파 펄스에 의해 제어되며, 이 펄스는 이온 검출기들의 동기신호로도 사용된다. Ortec 556H 고전압 공급기에서 발생된 전압은 제작된 고저항 전압분배기를 통하여 micro channel plate (MCP)의 입력과 출력단자에 연결된다. 시편에서 탈리된 이온은 미세 금선으로 가공된 망 (mesh)과 증폭 효율이 105인 MCP를 통하여 pre-amplifier로 연결되었다. 증폭된 MCP 이온 출력은 컴퓨터에 내장된 microchannel scaler와 자체 프로그램에 의해서 ASCII 파일로 저장하기도 하고 컴퓨터에서 바로 분석도 가능하다. 그림 1은 자체 설계로 제작된 실험장치 개략도이고 그림 2는 Cu 표면에서 탈착된 이온이 MCP까지의 비행시간 (time of flight) 예이며 그림 3은 저온 Cu 표면에 흡착된 Kr에 전자총을 쏘아서 MCP를 통과한 이온의 비행시간 측정결과이다. 자체 설계된 이 장치는 저온 표면에 물리 흡착된 희가스 이온들의 비행시간 측정이 약 5 % 오차범위 이내에서 가능한 기술이다<장점> 보통 시편에서 탈착된 이온의 수가 충분하지 않으면 검출이 어렵거나 불가능하지만 본 기술에서는 이온 통과효율을 높이기 위하여 미세 금그믈망 (gold mesh)을 사용하였을 뿐만 아니라 이온 증폭율이 십만 배에 달하는 MCP를 사용하여 탈리된 이온의 증폭이 가능하므로 검출효과를 극대화 할 수 있다. <기대 효과> 현재 열음극 전리진공게이지의 그리드나 에노드 등에서 방출되는 전자충격 이온 때문에 초고진공이나 극고진공 측정 계측기 개발에 어려움을 겪고 있으나, 이 기술을 이용하면 금속표면에서의 전자충격탈리 이온에 대한 연구가 가능하므로 궁극적으로는 초고진공이나 극고진공 계측이 가능한 게이지 개발에 활용될 수 있다.
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2007-02-15
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
- 목적 : Au-Sn 공정합금을 스트립캐스팅 공정을 통하여 연속적으로 인성이 있는 솔더용 스트립으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. - 구성 : Au와 Sn을 용해한 용탕을 2개의 주조 롤을 구비한 스트립캐스팅 주조기에 공급하는 용탕공급과정, 용탕공급과정 후 상기 두개의 주조롤에 의한 스트립캐스팅시 상기 주조롤에 의행 상기 스트립의 냉각속도를 조절하여 취성이 강한 AuSn 상이 5μm 이하의 크기고 형성되도록 미세조직을 제조하는 주조과정으로 구성된다. - 효과 : 스트립캐스팅 공정을 이용하고 냉각속도를 적절히 조정하여 취성이 강한 AuSn(δ)상을 5μm 이하의 크기로 형성시킴으로써 기지상인 Au5Sn(ζ)상이 인성을 갖도록 하고, 주조시 주조롤을 70℃ 이상으로 가열하여 주조공정 중에 발생할 수 있는 크랙의 방지와 주조롤 표면에 원주방향으로 스크래치를 내어 스트립 주조 표면에 길이방향의 주조 스크래치를 형성시켜 주조 후 발생할 수 있는 크랙이 스트립의 절단방향으로 전파되는 것을 방지함으로써, 취성이 아주강한 Au-20%Sn 공정합금을 스트립 형상으로 제조 할 수 있다.전자부품의 솔더용 합금으로 사용되는 Au-Sn 합금은 취성이 강하여 스트립 주조가 어려우므로 전기도금이나 진공증착과 같은 방법으로 부착시켜 솔더용 재료로 사용하고 있으나, 이 방법에 의한 솔더용 재료는 손실량이 많으며, 생산성이 낮은 단점이 있다. 본 기술은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 것으로 Au-Sn 공정합금을 스트립캐스팅 공정을 통하여 연속적으로 인성이 있는 솔더용 스트립으로 제조할 수 있는 방법에 대한 기술이다.본 기술의 제조방법에서는 스트립캐스팅 주조기에 2개의 주조 롤을 구비하고 있으며, 이 주조 롤의 간격과 회전속도의 조절을 통해 스트립의 냉각속도를 조절하여 AuSn 미세조직이 5㎛ 이하의 크기로 형성되도록 제어함으로써 스트립의 인성을 향상시킬 수 있다. 또한, 주조 롤을 70~120 ℃로 가열하여 주조함으로써 주조 시 소재 취성에 의한 크랙을 방지할 수 있는 장점이 있다.주조 롤 표면에 원주방향으로 스크래치를 형성하여 주조 후 스트립 표면에 길이 방향으로 스크래치 형상을 갖도록 주조하는 것이 특징인데, 이는 스트립 제조 후에도 강한 충격에 의하여 크랙이 발생하였을 때 크랙의 전파에 의하여 스트립이 절단되지 않도록 크랙의 전파를 방해하는 역할을 한다.
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- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2007-11-02
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
ㅇ 목적 : 용접방법의 하나인 용사법을 적극 활용하되, 플라즈마 특성을 병행함으로써 자기특성도 우수하면서 그 두께도 수십 내지 수백 μm를 갖고 경제적이면서 효율적으로 희토류 박형자석을 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 함에 주된 목적이 있다.ㅇ 구성 : 원심분무에 의해 Nd-Fe-B계 또는 Sm-Co계 희토류 자성분말을 구비하는 과정과, 구비된 자성분말을 챔버내부에 마련된 기판상에 플라즈마 용사를 실시하여 일정두께를 갖는 박형자석을 제조하는 과정을 포함하여 구성된다. 본 기술은 플라즈마 특성을 병행한 용사법을 이용하여 희토류 박형자석을 제조하는 방법에 대한 것으로, 개발기술은 종래 기술상의 한계를 극복하여 경제적이면서 효율적으로 희토류 박형자석을 제조할 수 있게 하였다. 희토류 자석은 자기특성이 우수하여 모터나 액추에이터 등 전자기기 부품에 사용되는데, 전자기기의 소형화와 고성능화에 따라 자석도 박형이 요구되고 있으나, 종래의 분말야금법은 수백 ㎛의 박형화에 한계가 있으며, 박형화시키기 위해 연마를 거쳐야 하므로 생산성에 문제가 있다. 본 기술은 물체의 표면에 금속 또는 비금속을 분사하여 코팅하는 방법인 용사법을 활용하되, 이것을 아르곤과 수소의 반응가스를 통하여 플라즈마를 형성한 상태에서 실시하는 것이 특징이다. 원심분무에 의해 Nd-Fe-B계 또는 Sm-Co계 희토류 자성분말을 구비하고, 구비된 자성분말을 챔버 내부에 고정시킨 기판상에 플라즈마 용사를 실시하여 일정 두께를 갖는 박형자석을 제조하는 과정을 포함하고 있으며, 여기에 사용되는 기판은 자성분말과 반응하기 어렵고 화학적으로 안정한 재료인 흑연판 등을 사용할 수 있다. 본 기술의 방법에 따르면 연마 등 별도의 처리없이 간단한 공정으로 자기특성이 우수한 희토류 박형자석을 제조할 수 있으므로 경제성과 생산성이 향상되는 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2007-11-02
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
ㅇ 목적 : 페라이트 수지 복합재료에 비정질 소재의 분말 또는 플레이크를 첨가함으로써, 1~5 기가헤르츠[GHz] 영역의 고주파수 대역에서 우수한 전자파 흡수 특성을 가지면서도 기존의 페라이트-고분자 전자파 흡수재에 비하여 얇은 두께를 가질 수 있는 전자파 흡수재를 제공함에 그 목적이 있다.ㅇ 구성 : Fe-Si-B계, Fe-Si-B-Cu-Nb계, Fe-Ni-Si-B계, Ni-Si-B계, Fe-Ni-Mo-B계, Fe-Co-Si-B계, Fe-Co-Cr-Si-B계, Fe-Co-Ni-Nb-Si-B계, Co-Fe-Si-B계 등에서 급냉응고법을 통하여 제조된 분말이나 플레이크 형태의 비정질 합금소재와 Ni-Zn계, Mn-Mg계, Mn-Zn계 등의 페라이트 소재를 혼합하여 얻은 혼합 자성체에 에폭시계, 페놀계의 열경화성 수지 또는 폴리에스테르계, 폴리설파이드계의 열사소성 수지 결합재를 첨가하여 이루어진다.ㅇ 효과 : 페라이트 수지 복합재료에 비하여 훨씬 얇고 1~5 GHz 영역의 고주파수대역에서 사용이 가능하며, 1~5 GHz 주파수 영역에서 인위적으로 제어가 가능하게 하는 이점이 있다.본 기술은 전자파 흡수재에 대한 것으로, 본 기술로 제조된 전자파 흡수재는 1~5 기가헤르츠[GHz] 영역의 고주파수 대역에서 우수한 전자파 흡수 특성을 가지면서도 얇은 두께를 가지는 것이 특징이다.전자파 흡수재는 상용화가 가능한 20[dB](99% 흡수효율) 이상의 전자파 흡수 효율을 나타내야 하는데, 현재까지 가장 광범위하게 사용되고 있는 페라이트-고분자 전자파 흡수재는 20[dB] 이상의 흡수 특성을 나타내고 있으나, 주파수의 증가에 따라 투자율의 급속한 감소를 나타내고, 이에 따라 흡수 특성을 나타내기 위해서는 8[mm] 이상의 두께를 가져야 한다는 단점이 있다. 본 기술의 전자파 흡수재는 페라이트-수지 복합재료에 비정질 소재를 첨가함으로써 이루어지는 것이 특징이며, 기존의 페라이트-고분자 전자파 흡수재와 비교하였을 때, 전자파 흡수 효율이 50 dB 이상으로 우수한 특성을 나타내고 두께는 획기적으로 얇게 만들 수 있는 장점이 있다.비정질 금속 합금 소재로는 Fe-Si-B 계, Fe-Si-B-Cu-Nb 계 등을 사용할 수 있으며, 페라이트 소재의 경우에도 Ni-Zn 계, Mn-Mg 계, Mn-Zn 계의 어느 것이라도 무방하고, 수지 결합재의 경우에는 에폭시계, 페놀계의 열경화성 수지 또는 폴리에스테르계, 폴리설파이드계의 열가소성 수지를 사용할 수 있는 것이 특징이다.
- 보유기관
- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2007-11-02
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 기술은 난연 및 대전방지 특성을 갖는 나노복합체 조성물 및 이것의 제조방법에 대한 것으로, 특히 올레핀계 폐플라스틱 수지와, 탄소 분말과, 무기계 난연제 및 나노 단위의 층상구조를 가지는 유기화 층상실리게이트 화합물이 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 난연 및 대전방지 특성을 갖는 나노복합체 조성물이다. 본 기술은 전기전도성 충전제가 포함된 복합 소재에 있어서, 종래와 같은 할로겐계 난연제를 사용하는 것이 아니라 친환경적인 무기계 난연제를 사용하는 것이고, 이에 따라 감소해지는 난연성능과 기계적 강도의 저하 문제를 상기 유기화 층상실리게이트 화합물에 의해 나노복합체로 구성함으로써 해결할 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2007-12-10
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
고강도ㆍ고전도성의 동합금 및 부품은 컴퓨터, 휴대전화등 정보통신산업의 비약적인 발전으로 그 수요가 증대되고 있다. 지금까지 도전성 재료의 고강도화는 합금원소 첨가에 의한 고용 및 석출강화와 가공경화에 의존하고 있으며 고용강화는 전기전도도의 감소를 초래한다. 본 기술은 전기전도도의 감소를 최소화하면서 강도 및 연신율을 동시에 증가시킬 수 있는 기술이며, 결정립을 나노크기(170nm이하)로 미세화시켜 강도, 성형성 등 제반 기계적 특성이 우수하고, 전기전도도가 높은 동합금 판재를 제조하는 것이다.
- 보유기관
- 한국재료연구원
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 가전제품이나 전자제품의 각 단자에 사용하여 산화막 형성을 억제함으로써 고음질과 고화질 상태의 처음의 성능을 그대로 유지할 수 있는 도전성 페이스트 조성물에 관한 것으로, 100㎚~10㎛ 크기의 은 분말 50~60중량%와 불포화탄화수소인 스쿠알렌 40~50중량%로 이루어진 것이다.상기 본 발명의 도전성 페이스트는 도전성 필러인 은 분말을 비이클인 스쿠알렌에 콜로이드 상태로 분산시킨 것으로 친환경적이며, DVD, TV, 홈씨어터 등의 고급 가전제품이나 전자제품의 금속 단자 혹은 금단자에 사용 시 산화막의 형성을 억제하면서 전기적 특성을 부여할 수 있다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2007-12-28
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 NiFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 NiFeSiB 단일층 이거나 NiFeSiB/Ru/NiFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2008-07-04
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 CoFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 CoFeSiB 단일층 이거나 CoFeSiB/Ru/CoFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2008-07-04
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 자기 기록 디스크 드라이브 또는 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)디바이스 기술에 관한 것으로, 구체적으로는 이러한 자기 기록 디스크 드라이브의 자기 저항 센서나 자기 랜덤 액세스 메모리 디바이스의 자기기억소자(DRAM 의 캐패시터에 대응되는 역할을 하는)에 적용되는 스핀 밸브(spin valve) 또는 터널접합(tunnerl junction) 자기 저항(magnetoresistance) 구조에 관한 것이다. 자기 기록 디스크 드라이브나 자기 랜덤액세스 메모리 디바이스를 작동시킬 때에 자기 바이어스 포인트(magnetic bias point) 조절이 중요한 요소가 된다. 자기 바이어스 포인트는 자기 저항 전달 곡선 (magnetoresistive transfer curve)의 중간지점으로 정의된다. 자기 저항 전달 곡선은대개 자기 기록 디스크 드라이브에 대해서는 선형의 모습을 하며, 자기 랜덤 액세스 메모리에 대해서는 직각 모양을 한다.기존에 사용되는 합성 반강자성체 기반의 스핀 밸브{synthetic antiferromagnet-based spin-valves(SSV)} 자기 저항구조에서 고정층(pinned layer)이 CoFe / Ru / CoFe 의 세층 구조로 되어 있는 것을 CoFe / Ru / CoFe / Ru / CoFe 로 변경하여 SSV의 자기 바이어스 포인트 조절이 용이하게 된다. 즉, 개량된 합성 반강자성체 기반 스핀 밸브(Modified SSV:MSSV) 자기 저항의 구조는 자유층(free layer)(NiFe / CoFe) / 사이층(spacer) (Cu) / 고정층(CoFe / Ru / CoFe / Ru /CoFe) / 반강자성체층(IrMn)을 포함하게 된다. 터널 접합 자기저항 구조에서는 사이층으로 Al2O3가 사용된다. 단위 셀의 크기가 감소할수록 SSV의 경우에는 바이어스 포인트가 고정층의 두 번째 CoFe층의 정자기 자기장 (magnetoststic field)으로 인해 지수함수적(exponentially)으로 증가하게 된다. 반면에 MSSV 에서는 단위 셀의 크기에 관계없이 거의 일정하게 0값을 유지한다. 또한 MSSV에서는 바이어스 포인트를 고정층의 세번째 CoFe층의 두께를 변화시켜서 조절할 수 있다.더우기, MSSV 의 유효 교환 자기장 (effective exchange field)은 SSV의 유효 교환 자기장보다 훨씬 더 크다. 단위 셀의 크기가 감소함에 따라 SSV의 자기 저항 전달 곡선 (magnetoresistive transfer curve)은 포물선 모양이 되자만 MSSV 에서는 직각모양을 유지한다. 이는 MSSV 에서는 자유층(free layer)이 더 날카롭게 회전함을 의미한다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2008-07-04
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<기술의 개요>본 기술은 전자파 플라즈마장치를 통해 알루미늄 및 철 나노분말을 제조할 때 상기한 플라즈마의 온도, 프리커셔의 공급량, 유도코일과 노즐과의 간격, 가스의 주입량 등을 제어하여 보다 균일한 입도를 가진 나노분말을 제조할 수 있도록 개발된 기술이다.<기술의 특징> - 나노분말을 보다 균일하게 생산, - 종래의 방법에 비하여 시간당 생산성이 높아 대량생산 가능 - 생산된 알루미늄 나노분말의 경우 얇은 투명필름 위에 도포 또는 증착하여 도전성 전도막을 형성함으로써 전자파 차폐기능을 가진 투명필름으로 제조
- 보유기관
- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2008-07-09
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o 기술 개요SrTiO3/BaTiO3 인공초격자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 펄스레이저증착(PLD)장치의 챔버 내에 실리콘(Si)기판을 제공하는 단계, 상기 실리콘 기판상에 질화티타늄(TiN) 버퍼층을 증착하는 단계 및 상기 질화티타늄 버퍼층이 증착된 실리콘 기판상에 SrTiO3박막과 BaTiO3박막을 교대로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판 상에 에피성장할 수 있는 이점을 제공한다.o 기술특징 및 효과- 질화티타늄 버퍼층을 이용함으로써 에피성장을 하는 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 실리콘 기판상에 제조가능- 결정성이 우수할 뿐만 아니라 유전상수를 증가시켜 전기적 특성이 우수한 SrTiO3/BaTiO3 인공초격자를 제조
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-08-19
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o 기술 요약 및 특징본 발명은 주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 알루미늄 양극산화 과정을 이용하여 나노패턴이 형성된 실리콘 산화막(SiO2)을 형성하는 단계와 상기 기판이 배치된 수열합성용 용액을 일정 온도로 유지하여 상기 기판상에 산화아연 나노막대 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 함. 수열합성법과 양극 알루미늄 나노패턴을 이용함으로써, 저온에서 저가의 간단한 공정으로 산화아연 나노막대 어레이를 제조할 수 있음o 관련기술정보 및 현황 - 1차원적 나노사이즈의 재료들은 최근 그들의 고유한 광학적, 전기적인 특성과 함께 전자공학, 광전자공학에서의 잠재적인 사용으로 인하여 많은 연구 진행중임 - 산화아연 나노구조는 높은 압전특성과 화학적 감지특성(sensing properties)을 가지고 있기 때문에 나노스케일의 기계적 장치나 센서에도 사용될 수 있기 때문에 산화아연 나노막대를 합성하는 방법에 대해 활발한 연구가 진행중임 - 종래에는 산화아연 나노막대를 펄스레이저증착법(PDL법)이나 유기금속화학증착법이나 분자선증착법 등과 같은 방법을 이용하였음
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
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재료 > 전자기 기능재료
o 기술 요약 및 특징종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, CVD 방법을 사용한 인-시츄 공정으로 다른 부가적인 공정이 없이 C, N 등의 불순물이 인-시츄로 도핑된 티타늄 산화막의 광촉매를 제공함과 동시에 기상 반응에 따른 미립자의 생성을 방지하여 고품질을 유지할 수 있는 티타늄 산화막 및 그 제조방법을 제공o 관련기술정보 및 현황 - 저온에서 결정화된 TiOx 박막을 제조하는 방법을 사용하여 실용성이 우수함. - 소량의 이종 물질을 정량적으로 내재시킬 수 있어 TiOx막의 물성을 용도에 맞게 제어가 가능함.
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
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o 기술 요약 및 특징종래의 방법에 따르면, 그 제조 방법이 인-시츄로 이루어지지 않고 엑-시츄(ex-situ)로 이루어지는 이유 즉, TiO2 막 증착 후 도핑 단계를 거치는 2단계로 구성이 되어 있기 때문에 제조 공정이 매우 복잡한 문제가 있으므로, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 화학기상증착법(chemical vapordeposition)을 이용한 인-시츄 방법으로 C, N 등을 TiO2에 도핑시킴에 따라 가시광선 영역에서도 광학 활성도가 우수한 티타늄 산화막을 얻을 수 있는 티타늄 산화막의 제조방법을 제공하며, 또한 부가적인 공정이 없이 C, N 등의 불순물이 인-시츄로 도핑된 티타늄 산화막의 광촉매를 제공하기 위함o 관련기술정보 및 현황 - 저온에서 결정화된 TiOx 박막을 제조하는 방법을 사용하여 실용성이 우수함. - 소량의 이종 물질을 정량적으로 내재시킬 수 있어 TiOx막의 물성을 용도에 맞게 제어가 가능함.
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
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