일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 데이터 저장 장치와 나노 제로그래피와 같은 소정의 특정 패턴들로 다른 물질을 수용하는 표면을 제공하는데 사용된다. 마이크로콘택 프린팅 스탬의 변형체가 일렉트렉트 기판 상에 전하 패턴을 형성한다. 본 기술은 20초 이내에 110 나노미터 내지 100 마이크로미터 크키의 다수의 전하로 1평방센티미터의 영역의 기판을 덮음으로써, 광학 컴팩트 디스크보다 140배 이상 큰 7 Gbits/sq.cm에 이르는 면적 밀도를 제공할 수 있다. 이러한 트랩핑된 전하 패턴은 비트들을 기록하거나 소거할 수 있는 장점을 가지고 있는 비활성 디지털 저장 메모리로써 기능을 할 수 있다.본 기술은 20초 이내에 약 100 마이크로미터에서 100 나노 크키의 다수의 전하로 1cm2의 기판을 덮음으로써, 광학 방식을 사용하는 기존의 컴팩트 디스크(CD)보다 140배 이상 큰 면적 밀도를 제공할 수 있음을 특징으로 한다. 이러한 트랩핑된 전하 패턴은 비트들을 기록하거나 소거할 수 있는 장점을 가지고 있는 비활성 디지털 저장 메모리로써 기능을 할 수 있다. 본 기술은 붕소가 도핑된 실리콘 웨이퍼 상에 80 nm의 폴리층(메틸메타아키릴레이트층)을 이루어진 일렉트렉트 표면으로 인하여, 5 Gbits/sq.cm의 밀도에서 150 nm의 지름을 가지는 트랩핑된 전하들이 적어도 3주동안 지속될 수 있다. 본 기술은 또한 기판 상에 패터닝된 전하들이 소정의 패턴으로 단백질과 같은 다른 물질의 형성을 가이드하는 데 사용될 수 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 적어도 수 제곱센티미터의 넓은 영역에 간단하고 반복적인 마이크로 패턴을 저가로 생산할 수 있는 리소그래피 기술을 제공한다. 마이크로미터의 렌즈들의 어레이를 사용하여 렌즈 어레이로부터 마이크로미터 거리 내에 위치하는 영상면에 광학 패턴 어레이를 생성한다. 영상면에 위치한 포토레지스트층은 패턴들을 기록한다. 서로 다른 크기와 모양, 서로 다른 성분과 굴절률을 가지는 마이크로렌즈들은 해당 패턴을 노광 및 현상된 포토레지스트에 생성한다. 마이크로렌즈 어레이를 포함하는 다른 형태의 광학 소자들은 한번의 노광으로 넓은 영역에 균일한 마이크로 패턴들을 생성하도록 제조된다.본 기술은 렌즈 어레이를 사용하여 렌즈 어레이로부터 마이크로미터 거리 내에 위치하는 영상면에 광학 패턴 어레이를 생성하고, 영상면에 위치한 포토레지스트층은 패턴들을 기록할 수 있도록 하며, 서로 다른 크기와 모양, 성분 및, 굴절률을 가지는 마이크로렌즈들을 이용하여 해당 패턴을 노광 및 현상된 포토레지스트에 생성하도록 한 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의해 생성된 2차원의 마이크로 패턴 어레이는 주파수 선택 표면, 평판 디스플레이, 칼러 필터, 격자, 메모리 장치, 센서 어레이 및 바이오칩과 같은 간단하고 반복적인 어레이를 필요로 하는 응용분야에서 유용하게 사용될 수 있다. 본 기술은 기존의 포토리소그래피 기술에 비해 간단하면서도 저가인 것이 특징이다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 약 0.5 원자퍼센트 내지 약 1.5 원자퍼센트 범위의 평균 농도를 가지는 황 유입으로 도핑된 표면층을 가지는 실리콘 광검출기에 관한 것이다. 표면층은 기판의 하부와 다이오드 접합을 형성한다. 많은 전기적 접촉으로 인하여 접합부분에 역바이어스 전압이 인가되어 표면층의 발광에 응답하여 전기적 신호 예를 들어 광전류가 발생된다. 광검출기는 약 250 nm 내지 약 1050 nm 범위의 입사 파장에 대해 약 1 A/W 보다 큰 반응도를 보이며, 더 긴 파장 예를 들어 약 3.5 미크론에 대해서는 약 0.1 A/W 보다 큰 반응도를 보인다.일반적으로, 반도체 회로는 낮은 가격으로 제공되고 쉽게 산화될 수 있는 실리콘을 이용하여 생산되고 있다. 1.05 eV의 밴드갭으로 인하여 실리콘은 가시광선의 검출에 적합하며 태양광을 전기로 변화시키는 데 적합하지만, 무선통신에 사용되는 적외선 방출과 같은 긴 파장을 가지는 광선을 검출하는 데에는 적합하지 않은 문제점을 가지고 있다. 본 기술은 결정 실리콘의 밴드갭 이상의 파장에서 향상된 광흡수 특성을 가지며 광범위한 파장에서 광선을 검출하는 데 향상된 반응 성능을 가지는 광검출기를 특징으로 한다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 나노 스케일의 광통신 회로 소자를 위한 기본적인 네 개의 소자를 제공한다. 첫 번째 소자는 거의 손실이 없는 (약 1dB) 파장보다 더 작은 곡률반경을 가지는 급격한 굴곡부 주변으로 빛을 가이드할 수 있는 액티브 도파관이다. 두 번째 소자는 외부 광원의 사용없이 나노 와이어 도파관으로 빛을 국부적으로 주사하는 장치이다. 특히, 나노 와이어 도파관과 반대극성의 도핑으로 만들어진 다른 나노 와이어간의 교차점에 형성된 발광 다이오드는 빛을 도파관으로 효율적으로 주사한다. 나머지 두 소자는 나노 스케일 액티브 도파관과 전기광학식 변조 장치에서 한 방향으로만 빛을 통과시키는 전광(all-optical) 다이오드이다. 이러한 네 가지 소자 모두는 밴드갭 파장의 빛을 전송하는 액티브 도파관 역할을 하며 도파관 역할을 하기에 충분히 큰 지름을 가지고 있는 반도체 나노 와이어에 근거하고 있다.본 기술은 실리콘 기반의 마이크로 전자기술에서 속도, 크기 및 전력소모의 한계를 극복할 수 있는 집적화된 광통신 회로에 대한 새로운 가능성을 제시하며, 진보한 통신방식 및 획기적인 컴퓨팅 시스템의 응용을 가능하게하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 기술은 액티브 도파관에서 전송되고 있는 빛의 세기는 도파관에 전압을 인가하여 조절할 수 있는 특징을 가지고 있다. 그리고, 본 기술은 나노 스케일 광통신 회로에 새로운 해결방안이 될 수 있을 것이다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 포토닉스 크리스탈 캐비티에서 비선형 매질로써 EIT(electro-magnetically induced transparency)를 이용하는 포토닉스 크리스탈 시스템에 관한 것으로써, 대부분의 비선형 광학장치에서 보다 매우 작은 크기의 전력으로 동작하는 새로운 비선형 감도를 가지는 장치를 얻을 수 있다. 본 기술은 EIT에만 한정되지 않으며 어떠한 종류의 캐비티 양자전기역학도 이용할 수 있다. 본 기술은 또한 포토닉스 크리스탈의 비선형 특성을 증대시키기 위해 EIT를 나타내는 물질로 도핑된 포토닉스 크리스탈의 내부에 마이크로 캐비티 구조를 형성하는 방법을 제공한다.매우 큰 광학 비선형성이 중요한 역할을 하는 응용분야는 양자정보 및 양자계산의 분야이다. 주변환경과 최소한의 상호작용과 많은 매질에서 낮은 흡수 손실로 인하여, 광자들은 양자정보를 원거리까지 운반할 수 있는 가장 바람직한 캐리어이다. 양자정보는 한 시스템에서 다른 시스템으로 (양자에서 전자로) 전송될 수 있지만, 이와 같은 전송은 매우 어렵다. 이를 해결하기 위해, 단일의 양자 전력레벨로 유발될 수 있을 정도로 층분히 큰 비선형효과를 가져야만 한다. 낮은 디코헤어런스 속도로 인해 광자는 또한 양자계산을 구현하는 데 바람직한 방법이다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 광전자
○ E-PON 시스템을 위한 도파로 형태의 triplexer에서 박막형태의 WDM 필터는 Voice/Data(1.49um), Video(1.55um), Voice/Data(1.31um)의 분리에 사용되는 중요소자로서 저손실특성을 갖는 필터를 제작하는 기술임(433A3163)○ 광도파로 형태의 triplexer 파장분리용 필터 . 분리파장 : WDM Filter 1 (반사 1.55um, 투과 1.49um & 1.31um), WDM Filter 2(반사 1.49um, 투과 1.31um) 개발○ 실리카/ 폴리머 AWG 파장제어 기술 . 온도변화에따른 폴리머튜닝 특성변화 . 작동 파장이 ±0.15nm 이하인 AWG . 미세스트레스인가 장치 . 온도변화에따른 실리카튜닝 . 작동 파장이 ±0.1nm 이하인 AWG------------------------------------------------------------------------------
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2005-09-12
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 전기-광 초고속 신호변환기술이란 DC 성분의 레이저광에 신호가 실려있는 전계를 가함으로서 광출력을 전기신호와 일치시켜 변조시키는 기술로, 광통신에서 채널당 40Gbps 고속으로 신호변조, 높은 선형성으로 인해 중/장거리 통신 및 Ridge형 광도파로 구조를 가짐으로 인해 구동전압이 상용제품에 비해 20% 이상 낮은 초고속 광통신망의 송신단을 구성하는 핵심적인 기술(432A1771)1) 극저손실 LiNbO3 광도파로 형성 기술 : 증착 및 확산 기술2) 계단형 LiNbO3 광도파로 형성 기술 : 특수형태의 건식 식각 기술3) 전극 형성 기술 : 미세 금속 후막 패턴 기술4) 도파로/전극 설계 : 임피던스 매칭, 광/RF 위상 속도 동시 정합5) 초고주파 RF 부품 (커넥터, load terminator, feeder 등) : 광대역 (DC~40GHz) 임피던스 매칭 ► 기술사양 - 변조속도 : 40 Gbps - 구동전압 : 5 Volt 이하 - 삽입손실 : -4.5 dB이하 - 소광비 : 2 dB 이상 - 광반사손실 : -45 dB 이하
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2005-09-12
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일반기술
전기·전자 > 광전자
○ 본 기술은 10Gbps 이상의 초고속 통신에서는 반드시 해결해야 할 편광 분산 보상 기술임 - 편광모드 분산(Polarization mode dispersion, PMD) : 광통신에서 서로 다른 편광 모드의 위상 속도 차로 인해 야기되는 신호 파워의 분산으로, 신호간 간격이 좁아지는 10Gbps 이상의 고속 통신에서 피할 수 없이 발생하는 문제로서 고속 통신을 위해서 반드시 해결되어야 할 사항임.- 편광모드의존 손실(Polarization dependent loss, PDL)이 편광모드 분산과 결합하여 발생하는 문제 또한 고차 편광 모드 분산에 의한 효과와 비슷한 형태로 시스템의 성능을 저하시킴. 광전송 네트워크 내에 필요한 광증폭기, 파장 다중 분할기, 광교환기, 광분배기, 광절연기, Circulator 등의 소자들은 편광모드의존 손실이 서로 다르며, 광 신호가 이 소자들을 거치면서 편광모드 별로 다른 정도로 감쇄되면서 광섬유내의 편광모드 분산에 의해 왜곡되는 효과가 더해지고 서로 영향을 끼치고 있음.(443A1723)○ 40ps(pico-second) 이상의 편광 모드 분산을 보상할 수 있는 일체형 편광모드 분산 보상기 개발- 집적형 : LiNbO3 웨이퍼 상에 TE/TM 모드에 대해 단일 모드를 도파시키는 광도파로를 제작하고, 하나의 칩 상에 quarter waveplate - half waveplate를 집적화 시킴- 초고속 : 사용한 물질의 전광 효과(eleectro-optic) 특성을 이용함으로서, 응답 속도가 ns 급의 소자 구현○ 편광 모드 분산에 의해 발생하게 되는 두 모드 간의 시간 지연을 없애고, 수신단에서 두 모드가 시간상에서 중접되어 도착 할 수 있도록 하는 초고속 편광 제어기를 개발하였고, 수신단에서 두 모드가 시간상에서 중첩되어 도착 가능하도록 전광 효과의 응답속도가 나노 초(nano second)급인 LiNbO3를 waveplate - half waveplate - quarter waveplate를 한 번에 집적화 시켰으며, 입력광의 임의의 편광을 가지더라도 진행하는 편광 모드의 종류에 따른 손실, 즉 편광 의존 손실을 최소화하기 위해 웨이퍼의 결정 방향 및 진행파의 방향을 설정하였고, 도파로의 폭 및 확산 조건을 최적화시킴○ 결과적으로 제작된 소자의 총 삽입 손실은 2.5dB, 편광 의존 손실은 0.1dB 이하를 만족 시킴
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2005-09-12
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일반기술
전기·전자 > 광전자
- 바이오/환경/의료 분야에서 원격 센싱 또는 진단을 위해서는 근/중적외 파장의 레이저가 필요함. 그러나 아직 이 영역의 레이저는 크기가 지나치게 크고 고가이며 비전문가가 이용하기에는 복잡하며, 멀티 센싱을 위한 파장 가변 능력이 미비함. 제시되는 기술은 근/중적외 영역에서 파장 가변이 가능하도록 하는 집적형 비선형 광학 기술임.- 동일 기술 이용하여 레이저 프로젝션 디스플레이에 필수적인 소형 블루 레이저 제작도 가능함.(432A1771)- 파장 가변을 위한 비선형 광학 소자는 현재까지 벌크 형태로 이루어져, 실험실내에서 광학 테이블 상에서 구현되었음. 그러나 제안하는 기술은 집적형 광도파로 기술을 이용하여 콤팩트하며, 비선형 효율이 벌크 소자의 수 십 배에 달하므로 소형, 휴대형이 가능함.- 현재까지는 세계적으로 근/중적외 영역에서 파장 가변이 가능함 휴대형 레이저가 개발된 적이 없음.- 응용 가능 분야가 바이오, 환경, 의료, 광통신 등 매우 다양함
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2005-09-16
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 광도파로 소재의 광민감성을 높이고 자외선 레이저광을 이용하여 평판형 광소자를 제작하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 광분배기, 광결합기, WDM 광소자, 광스위치 등 평판형 광도파로 수동소자 및 광증폭기와 같은 능동소자를 제작하는데 있어 종래의 도파로 제작방법인 증착 및 식각 공정을 대폭 줄일 수 있고, 공정중의 이물질 인입과 결정상 형성되는 등의 문제점을 해결할 수 있으며 상부 클래드층을 열처리한 후 도파로 형성에 따른 코어 영역의 확산 및 코어의 굴절률 변화 등의 문제점을 해결할 수 있다. 결과적으로, 광도파로 제작 공정수를 줄이고 재현성을 향상시켜 광도파로의 전송효율과 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.평판형 도파로 광소자 제작방법에 있어서, 실리콘 혹은 실리카 기판, 알루미나 기판 상면에 에어로졸 화염가수분해증착(AFD)으로 하부 클래드층을 형성시키는 하부 클래드층 형성공정과, 상기 하부 클래드층 상면에 에어로졸 화염가수분해증착(AFD)으로 수 MOL% 이상의 게르마늄(GE) 또는 게르마늄과 희토류원소(ER, YB, NB 등)가 첨가된 다성분계 산화물박막의 코어층을 형성시키는 코어층 형성공정과, 상기 코어층 상면에 에어로졸 화염가수분해증착(AFD)으로 상부 클래드층을 형성시키는 상부 클래드층 형성공정과, 상기 코어층의 게르마늄(GE)과 UV선 간의 광민감성을 증가시키기 위해 증착 박막을 온도와 압력에 따라 수소처리하는 수소처리공정과, 수소 처리된 상기 상부 클래드층 상면에 포토마스크와 시준된 UV선을 조사하여 광도파로를 형성하는 광도파로 형성공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광민감성을 이용한 평판형 도파로 광소자 제작방법.
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- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2005-10-04
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 단일모드 광섬유를 측면 연마하여 용액의 굴절률을 측정하기 위한 센기 기술이다. 굴저률의 제한 범위가 웝고, 소자구조가 간단하며, 원거리 측정이 가능하다. 농산물의 당도나 음료의 품질 평가에 적용이 가능하다..............................................................................................................................................................................................................................................................................................본 발명은 측면 연마형 광섬유를 이용한 용액 굴절률 측정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 기판과, 기판에 삽입되되 코어층을 감싸는 클래드층이 길이방향을 따라 일부 연마된 연마 부분을 갖으며 연마 부분이 기판의 상면에 노출된 측면 연마형 광섬유와, 기판 상면에 측면 연마형 광섬유의 연장방향을 중심으로 연마부분을 벗어난 위치에서 일정 높이로 상호 이격되게 설치된 스페이서로 이로어 져 있다. 측면연마형 광섬유를 이용한 용액 굴절률 측정 장치 및 방법에 의하면 코어층보다 높은 굴절률을 갖는 용액의 굴절률 측정할 수 있다.
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- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2005-10-19
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일반기술
전기·전자 > 광전자
*원리 및 구성마이크로 밴딩 장주기 광섬유 격자를 이용한 광섬유 증폭기의 파장 가변 이득 평탄화용 필터의 제조 방법에 관한 것으로, 1)직경이 일정한 탄소봉을 평판 위에 주기적으로 배열하여 붙이고, 2)탄소봉이 주기적으로 배열된 평판 위에 어븀 첨가 광섬유 증폭기의 어븀 첨가 광섬유를 올리고 위에서 누르는 압력으로 광섬유 코어에 마이크로 밴딩(microbending)을 형성하고, 3)평판 위에 올려진 광섬유와 주기적으로 배열된 탄소봉 사이의 각(angle)을 이용하여 격자 주기를 변화시켜서 흡수대역의 중심파장을 어븀 첨가 광섬유 증폭기의 이득이 상대적으로 큰 파장과 일치하도록 조절(tuning)하고, 4)어븀 첨가 광섬유 증폭기의 증폭된 이득이 마이크로밴딩 장주기 광섬유 격자에 의한 흡수대역의 손실(loss)에 의해서 상쇄되어 파장에 따라 불규칙한 이득 스펙트럼이 일정하게 유지되도록 하는 파장 가변(tunable) 이득 평탄화용 필터(GFF)를 완성한다.*개발배경마이크로 밴딩 장주기 광섬유 격자를 이용하여 흡수 대역의 중심 파장과 깊이를 능동적으로 조절(tuning)하여 파장에 따라 불규칙한 이득을 증폭된 이득의 정도(level)와 여기 광원의 세기(pump power)에 상관없이 평탄화할 수 있는 마이크로 밴딩 장주기 광섬유 격자를 이용한 광섬유 증폭기의 파장 가변 이득 평탄화용 필터의 제조 방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성마이크로 밴딩 장주기 광섬유 격자(MLPFG)를 이용하여 제작이 쉽고 간단하면서도 효과적으로 광증폭기의 파장에 따라서 불규칙한 이득 스펙트럼을 평탄하게 하는 이득 평탄화용 필터(GFF)를 구현할 수 있다.*응용분야본 기술의 필터는 초고속 광통신을 위한 파장 분할 다중화 시스템에 반드시 필요한 동적인(dynamic) 이득 평탄화된 어븀 첨가 광섬유 증폭기 구현에 유용하게 이용될 수 있다.*특징 및 장점-격자 주기를 변화시켜 광흡수 대역의 중심 파장과 깊이를 자유롭게 조절하여 파장에 따라 불규칙한 광섬유 증폭기의 이득 스펙트럼을 능동적으로 평탄화 시킬 수 있는 효과가 있다.-격자의 주기와 누르는 압력을 조절하여 흡수 대역의 중심 파장과 깊이를 자유롭게 변화시킬 수 있어 증폭기의 이득이 상대적으로 큰 파장대역에서 광흡수 대역을 일치시켜 주면 증폭기를 통과한 광신호의 세기가 파장 영역에 따라 일정하게 유지되는 파장 가변(tunable) 이득 평탄화용 필터를 구현할 수 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-01-26
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일반기술
전기·전자 > 광전자
*기술개요본 발명에 따른 광 센서 및 광 센서 제조방법은 단결정 실리콘 기판의 하부중심부를 이방성 에칭(Etching)하여 20 - 200μm두께를 갖는 실리콘 다이어프램을 형성한 후, 이것을 다시 전기 화학적으로 에칭하여 다공질 실리콘 다이어프램을 수직 원통형 기공구조를 갖도록 제작하고, 다공질 실리콘 다이아프램 상부 및 기판의 하부전면에 캐소드와 애노드전극을 설치하여 가시광 및 자외선을 모두 검출할 수 있도록 한 것이다.본 발명에 따른 광 센서 및 광 센서 제조방법은 단결정 실리콘 기판의 하부중심부를 이방성 에칭(Etching)하여 20 - 200μm두께를 갖는 실리콘 다이어프램을 형성한 후, 이것을 다시 전기 화학적으로 에칭하여 다공질 실리콘 다이어프램을 수직 원통형 기공구조를 갖도록 제작하고, 다공질 실리콘 다이아프램 상부 및 기판의 하부전면에 캐소드와 애노드전극을 설치하여 가시광 및 자외선을 모두 검출할 수 있도록 한 것이다.*기술의 독창성과 중요성광 센서 및 광 센서 활용제품에 맞게 가시관선 및 자외선을 도무 검출할 수 있도록 한 특징을 가지고 있다.*기술의 특징하부의 중심부를 이방성으로 일정한 두께를 가지도록 에칭하여 실리콘 다이아프램이 형성된 기판과 상기 이방성으로 에칭된 기판의 중심부에 위치하고, 상기 기판 상부를 전기화학적으로 에칭하여 수직원통형 기공구조의 다공질 실리콘을 형성한 다공질 실리콘 다이아프램과 상기 다공질 실리콘 다이아프램 상부의 소정영역에 인을 열확산으로 n + 영역을 형성한 제 1 전극과 상기 다공질 실리콘 다이아프램 및 이방성 에칭된 기판하부의 전면에 보론을 주입하여 p + 영역을 형성한 제 2 전극으로 이루어짐을 특징으로 하는 광센서. * 기술제품 분야광센서 활용 제품
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 광전자
*기술개요본 기술은 광 패킷 압축을 위한 광소자의 수를 절감하고 반도체 광증폭기에서 발생하는 잡음누적을 감소시키며, 전광 신호처리를 이용하여 초고속 광 패킷을 확장할 수 있도록 한 광 패킷 압축, 확정장치 및 그 방법에 관한 것으로 본 발명에 따른 광 패킷 압축장치는 입력되는 광 패킷을 전방 진행형으로 압축한 후 다시 비트 궤환하여 압축하는 방법을 사용함으로써 종래의 압축장치에 비해 구현을 위해 요구되는 광소자의 수가 현저히 감소하며 반도체 광 증폭기에서 발생하는 잡음 누적을 감소시켜 장치의 성능향상이 가능하고, 패킷확장이 종래의 확장장치에 비해 고속으로 이루어진다. *제품의 중요성과 독창성종래의 압축장치에 비해 구현을 위해 요구되는 광소자의 수가 현저히 감소하며 반도체 광 증폭기에서 발생하는 잡음 누적을 감소시켜 장치의 성능향상이 가능하고, 패킷확장이 종래의 확장장치에 비해 고속으로 이루어진다.*기술의 특징입력되는 광 패킷 내의 비트들을 제어신호에 따라 압축하여 출력하는 광 커플러와 상기 광 커플러로부터 출력되는 광 패킷내의 비트들을 입력받아 상단포트와 하단포트로 신호를 분리하여 출력하는 스위치와 상기 스위치의 하단포트로부터 출력되는 광 패킷내의 비트신호를 T－Δt만큼 지연시키는 다수개의 광섬유 지연기와 상기 스위치의 상단포트와 상기 지연기로부터 출력되는 광 패킷내의 비트신호를 재결합 압축하여 출력하는 광 커플러와 상기 광 커플러에서 압축되어 출력되는 광 패킷내의 비트신호의 출력을 결정하는 온/오프 게이트 스위치와 상기 온/오프 게이트 스위치의 오프시 광 커플러에서 압축되어 출력되는 광 패킷내의 비트신호를 증폭하는 반도체 광 증폭기와 상기 반도체 광 증폭기로부터 출력되는 패킷 증폭신호를 T－Δt만큼 지연시켜 상기 광 커플러에 인가하는 다수개의 광섬유 지연기로 구성된 것을 특징으로 하는 광 패킷 압축장치.*기술 사용 분야공업용 패킷 확장 압축 장치*기술의 장점종래의 압축장치에 비해 구현을 위해 요구되는 광소자의 수가 현저히 감소하며 반도체 광 증폭기에서 발생하는 잡음 누적을 감소시켜 장치의 성능향상이 가능하고, 패킷확장이 종래의 확장장치에 비해 고속으로 이루어진다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 광전자
* 원리 와 구성 캐리어신호에 의해 입사광을 변조하는 광변조 수단, 변조된 광신호의 편광상태를 조절하는 편광조절 수단과, 편광조절기를 통과한 광신호를 상부암(UPPER ARM) 및 하부암(LOWER ARM)으로 분리하는 광스위치 수단, 상부암 및 하부암을 구성하며, 전파 속도가 다른 두 개의 편광모드, 즉 제1 및 제2모드로 작용하여 편광조절 수단을 통한 변조 광신호 전력을 각각 다른 속도로 전달하는 제1편광유지광섬유 수단 및 제2편광유지광섬유 수단, 제1편광유지광섬유 수단 및 제2편광유지광섬유 수단에서 제1모드 및 제2모드에 의해 다른 속도로 통과된 광신호를 검출하는 광검출 수단을 포함하여, 제1모드 및 제2모드의 전파 속도가 다르므로 광검출 수단에 도달하는 시간이 차이가 난다. * 개발배경종래의 벡터섬 광위상천이기의 단점을 개선하기 위하여, 종래에 사용된 네 개의 광변조기 대신에 하나의 광변조기와 하나의 편광조절기 그리고 두개의 편광유지 광섬유를 이용하여 벡터섬 광위상천이기 및 광위상천이 방법을 구현하였다.* 중요성및 독창성종래의 광위상천이기의 복잡한 구성을 단순화함으로써, 광위상천이기의 고장률을 줄이고 제조원가를줄일 수 있으며, 단순화한 구성으로부터 다양한 장점을 얻을 수 있다.* 적용제품 및 관련시장벡터섬 광위상천이기* 주요적용제품벡터섬 광위상천이기* 특징및 장점- 종래의 벡터섬 광위상천이기의 단점을 개선하기 위하여, 종래에 사용된 네 개의 광변조기 대신에 하나의 광변조기와 하나의 편광조절기 그리고 두개의 편광유지 광섬유를 이용하여 구현된 벡터섬 광위상천이기 및 광위상천이 방법에 관한 것이다. - 광위상천이기는, 캐리어신호에 의해 입사광을 변조하는 광변조 수단과, 변조된 광신호의 편광상태를 조절하는 편광조절 수단과, 편광조절기를 통과한 광신호를 상부암(UPPER ARM) 및 하부암(LOWER ARM)으로 분리하는 광스위치 수단과, 상부암 및 하부암을 구성하며, 전파 속도가 다른 두 개의 편광모드, 즉 제1 및 제2모드로 작용하여 편광조절된 변조 광신호 전력을 각각 다른 속도로 전달하는 제1편광유지광섬유 수단 및 제2편광유지광섬유 수단과, 제1편광유지광섬유 수단 및 제2편광유지광섬유 수단에서 제1모드 및 제2모드에 의해 다른 속도로 통과된 광신호를 검출하는 광검출 수단으로 구성된다.- 종래의 광위상천이기의 복잡한 구성을 단순화함으로써, 광위상천이기의 고장률을 줄일수있다.- 구성의 단순화로 제조원가를줄일 수 있으며, 단순화한 구성으로부터 다양한 장점을 얻을 수 있다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 나노막대 형태의 투명전극을 포함하는 전기 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광소자는, 발광층에 대해 수직 성장된 투명 전도성 나노막대를 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하며, 전극서 빛이 흡수되지 않고, 나노막대의 나노접합에 의해 터널링이 쉽게 일어나 전류주입(carrier injection) 효율이 증가되고, 내부전반사(total internal reflection)가 감소되어, 금속전극 또는 박막 형태의 투명전극을 포함하는 기존의 발광소자에 비해 발광특성이 매우 우수하다.본 발명에 따라, 전극으로 투명 전도성 나노막대를 포함하는 발광소자를 제작하면, 전극에서 빛이 흡수되지 않고, 내부 전반사가 감소되며, 나노막대의 나노접합에 의해 전류주입이 증가되어 소자의 크기가 커져도 소자의 효율이 감소하지 않아 고휘도 및 고효율의 대형 발광소자를 제조할 수 있다. 특히, 상기 투명 전도성 나노막대를 P/N 접합 질화물 반도체 발광소자에 이용할 경우, n-타입 전극을 제조하기 위한 건식 식각(dry etching) 공정을 수행하지 않아도 되므로 소자 제조공정을 단순화할 수 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 기재 상에 일방향으로 나노막대를 성장시켜 나노소재를 형성한 다음, 상기 나노막대의 팁 부위에 나노 형광체를 증착시킴으로써 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체를 제조하는 방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노 형광체 / 나노 소재 이종접합구조체를 제공한다. 기재 상에 일방향으로 성장된 나노막대를 포함하는 나노소재; 및 상기 나노막대의 팁 부위에 선택적으로 증착된 나노 형광체를 포함하는, 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체에 관한 발명이다.상기 기술적 과제를 달성하기 위해서 본 발명에서는,기재 상에 일방향으로 성장된 나노막대를 포함하는 나노소재 및 상기 나노막대의 팁 부위에 선택적으로 증착된 나노 형광체를 포함하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체가 제공된다.본 발명에서는 또한,기재 상에 일방향으로 나노막대를 성장시켜 나노소재를 형성하는 단계;및 상기 나노막대의 팁 부위에 나노 형광체를 증착시키는 단계를 포함하는,나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법을 제공한다.본 발명에 따르면,나노소재를 이루는 나노막대의 팁 부위에만 나노 형광체가 선택적으로 증착됨으로써 나노 형광체와 나노소재 사이의 계면이 매우 뚜렷한,나노 형광체/나노소재 이종접합구조체가 제조될 수 있다.또한,산화물,황화물 형광체 및 이들의 배합 증착이 가능하고,상기 이종접합구조체는 발광소자를 비롯한 디스플레이,백색광원,프로브 및 다양한 기록매체에 유용하게 이용될 수 있다.
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기에 관한 것이다. 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에 있어서 중요한 요소로 마이크로웨이브와 광 파 사이의 속도 정합을 들 수 있다. 소자의 대역폭을 결정 짓는 중요한 요소이며, 여기서 광 파의 속도는 광을 가이드 하기 위해 사용한 물질에 의해 속도가 결정이 되므로 마이크로웨이브의 속도를 광 파의 속도에 정합 되도록 해야 한다. 기존 소자의 경우, 마이크로웨이브의 속도 정합을 위해 고려할 수 있는 설계 파라미터로는 진성 영역(i-층)의 두께, 소자 혹은 신호 전극의 폭과 두께, 신호 전극과 접지 전극간의 간격 등이며, 이런 파라미터를 조정해서 얻을 수 있는 속도 정합에는 그 한계가 있다. 이에 반하여 본 발명의 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기는 도핑차에 의해 형성된 P+-n층 사이의 공핍층과 p-N+층 사이의 공핍층에 의해 전체 커패시턴스 값이 감소되어 마이크로웨이브의 위상속도()를 증가시키는 효과를 가져온다. 또한 형성된 공핍층은 바이어스에 의해 조정이 가능하다. 따라서, 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에서 마이크로웨이브와 광 파의 속도 정합이 이루어지게 하여 변조 신호의 선형성을 개선하여 소자의 대역폭을 향상시킬 수 있다. 본발명에의한P+-n-i-p-N+진행파형전계흡수광변조기는진행파형전계흡수광변조기(TW-EAM)에서각P+, n, p, N+ 층의도핑과구동전압의적절한선정으로발생되는공핍층두께의조정이가능하게되어속도조정의폭이커지므로, 바이어스전압조절에의한마이크로웨이브(microwave) 속도(Voltage-controlled microwave velocity) 조정이가능해지므로이런효과를이용하여마이크로웨이브와광파의속도정합이이루어지게되고, 이는변조신호의선형성을개선하여소자의대역폭을향상시킬수있는효과가있다.상기에서는본발명의바람직한실시예를참조하여설명하였지만, 해당기술분야의숙련된당업자는하기의특허청구범위에기재된본발명의사상및영역으로부터벗어나지않는범위내에서본발명을다양하게수정및변경시킬수있음을이해할수있을것이다.
- 보유기관
- 중앙대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 도파로 형태의 PnpN(NpnP) 구조의 반도체 소자로서, 빛에 의해 스위칭 및 논리기능을 수행하는 광 싸이리스터(optical thyristor) 및 그 제조방법에 관한 것이다. 도파로 형태의 광 싸이리스터는 광 통신 시스템에 적용하기 위해서 애노드와 캐소드에 에너지 밴드 갭이 큰 물질(예컨대 애노드로서 P+층, 캐소드로서 N+층)을 사용하고, 가운데는 에너지 밴드 갭이 작은 p층과 n층으로 되어, 전체 구조는 이중 이종 접합 구조(두개의 광 싸이리스터가 하나의 전극으로 연결됨)로 구성된다. 이러한 도파로 광 싸이리스터를 스위칭 하기 위해, 하나의 전극으로 연결되어 있는 두개의 광 싸이리스터의 각각의 윗면의 일부분에 빛을 입사시킬 수 있도록 금속판을 입히지 않고, 빛을 소자의 윗면에 입사시켜서 광 싸이리스터를 스위칭하도록 한다. 따라서 본 발명에 의한 수직으로 빛을 입사 시켜서 스위칭을 할 수 있는 도파로 광 싸이리스터는 기존의 측면에서 빛을 입사시키는 방법 보다 효율이 좋은 광 통신용 소자 개발과 쉬운 패키징(packaging) 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 수직 입사형 도파로 광 싸이리스터는, 광 스위칭 및 광 논리 기능을 수행할 수 있는 이중 이종 접합 광 싸이리스터(DHOT)로서, 소자의 윗면에 있는 금속판의 전극층(18; 28; 38)의 일부분이 오픈된 개구부(19, 19'; 29, 29' ; 39, 39')를 갖도록 함으로써, 스위칭 시에 수직으로 빛을 입사시킬 수 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 하며, 따라서, 높은 스위칭 효율과 쉽게 스위칭을 할 수 있는 기능을 제공한다.본 발명에 따른 수직 입사광으로 스위칭되는 차분 도파로 광 싸이리스터는 높은 스위칭 효율과 쉽게 스위칭을 할 수 있는 기능을 제공함에 따라 일정한 진폭을 유지시켜주는 광 하드 리미터(optical hard-limiter), ATM 패킷 헤더 프로세싱을 위한 광 ATM 패킷 스위칭, 파장 분할 다중화(WDM) 광전송 시스템에서 파장 라우팅을 위한 파장 변환기 등의 많은 광통신 응용분야에 적용할 수 있는 효과가 있다. 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 당업자가 용이하게 생각해 낼 수 있는 범위내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이며, 본 발명의 한계는 다음의 특허청구범위에 의해서만 한정되어야 한다.
- 보유기관
- 중앙대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 웨이브가이드 형태의 4층구조 PnpN(NpnP) 반도체 소자로서, 빛에 의해 스위칭 및 논리기능을 수행하는 광 싸이리스터에 관한 것이다. 광 통신을 위한 광 스위칭 소자 시스템에 있어서: 접지와 연결되고 에너지 밴드가 큰 N+층; 작은 에너지 밴드갭을 가진 p층 과 n층; 전압이 가해지는 금속과 연결되어 있는 P+층으로 구성된다. 그리고 이 광 싸이리스터를 상기 접지 도체 위의 좌측에 제 1 싸이리스터; 상기 접지 도체 위의 우측에 제 2 싸이리스터; 일정 전압을 제공받기 위해 전지(V)와 연결된 부하저항(RL)에 연결되어 전극이 공통으로 연결되고, P+-n-p-N+ 의 이중이종접합구조로 차분방식으로 적용된 상기 제 1 싸이리스터와 상기 제2 싸이리스터의 P+층 위에 전위를 가하기 위해 설치 한 금속판; 및 상기 제 1 싸이리스터 및 제 2 싸이리스터의 좌우측면의 빛이 새어나가는 것을 방지하기 위해 광 가이드를 하는 공기 또는 폴리마이드(PMMA) 등의 광굴절률이 상기 반도체의 굴절률보다 작은 물질로 구성된다. 따라서, 웨이브가이드 광 싸이리스터는 광통신용 소자의 개발에 있어 레이저 다이오드 동작이 가능한 고속 광스위칭 기능을 제공할 수 있다.본 발명에 의한 웨이브가이드 광 싸이리스터는 고속의 레이징(lasing)이 가능한 웨이브가이드(waveguide) 형태의 광 싸이리스터(thryistor)를 제시하여 주파수 특성을 개선하여 스위칭 속도를 향상시켜 높은 광흡수도를 유도하여 광수신효율과 광출력효율을 크게 향상시키며 광통신에 있어서 고속의 광스위칭 소자를 제공함에 따라 일정한 진폭을 유지시켜주는 광 하드 리미터(optical hard-limiter), ATM 패킷 헤더 프로세싱을 위한 광ATM 패킷 스위칭 등의 많은 광통신 응용분야에 적용할 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 중앙대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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