일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 광신호처리 시스템이나 광통신선로 등에서 사용되는 반도체, 유전체, 또는 광섬유로 구성되는 격자와 방향성결합기로 이루어진 광집적 소자의 해석/설계를 위한 컴퓨터 알고리듬에 관한 것으로, 광집적소자의 설계에 기본이 되는 시간의존 결합파동방정식을 연산자 분리기법을 사용하여 안정화된 컴퓨터 알고리듬으로 구현하는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 의한 알고리듬은 시간의존 결합파동방정식(time-dependent coupled-wave equations)을 연산자 분리기법(split-step method)을 사용하여 안정되고 정확한 컴퓨터 알고리듬으로 유도하는 것으로, 시간의존 결합파동방정식에서 벗어남 인자 연산자 분리단계, 역방향 결합 연산자 분리단계, 방향성 결합 연산자 분리단계의 세 가지 기본분리단계와, 기본분리단계 간에 삽입되는 이동된 전계복원단계, 그리고 설계소자의 경계조건 충족단계와 같은 5개의 단계와 앞의 5개의 단계를 반복하는 반복단계로 구성된다.- 본 기술은 격자와 방향성 결합기로 이루어진 광집적소자의 해석 및 설계 방법에 관한 것으로서, 시간의존 결합파동방정식을 연산자 분리기법을 이용하여 분리하고, 각각의 분리된 결합파동방정식을 전산구현함으로써 적은 계산 시간으로 매우 정확한 설계 결과를 산출해낼 수 있음- 본 기술에 의한 알고리듬은, 기존의 해석적인 접근 방법에서 발생하게 되는 복잡한 광집적 소자의 설계의 어려움과 제한을 극복하여, 보다 쉽고 다양한 광집적 소자 구조를 해석하고 설계할 수 있음
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-07-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 광신호처리 시스템이나 광통신선로 등에서 사용되는 반도체, 유전체, 또는 광섬유로 구성되는 격자형 광집적 소자의 해석/설계를 위한 컴퓨터 알고리듬에 관한 것으로, 광집적소자의 설계에 기본이 되는 시간의존 결합파동방정식을 연산자 분리기법을 사용하여 안정화된 컴퓨터 알고리듬으로 구현하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 재료의 특성을 고려하기 위한 순수 이득 및 벗어남 인자 연산자 분리단계, 이동된 전계의 원위치 환원을 위한 전계복원단계, 도파로 구조에 의한 결합도를 고려하기 위한 역방향 전계간의 상관관계 연산자 분리단계, 설계소자의 경계조건 만족을 위한 경계조건충족단계 및 반복단계로 구성되며, 연산자 분리기법을 이용한 격자형 광집적 소자 해석 및 설계 방법이다.- 본 기술은 시간의존 결합파동방정식을 유한차분법을 이용하여 전산화하는 종래의 알고리듬과 비교하여 오차가 거의 발생하지 않고, 계산 시간을 상당히 줄일 수 있음- 연산자 분리기법을 사용함으로써, 파라미터가 불필요하게 출력에 주는 영향을 배제시키고, 본래의 기능을 충실히 수행케 함으로써 적은 섹션수로 정확한 결과를 얻을 수 있음
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-07-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
□개요/General사람의 눈에 의지하고 있는 외관 검사등을 자동화할 경우 우선적으로 처리가 되어야 하는 것은 화상 처리 장치입니다. 그러나 사람의 눈을 대신한다는 것은 무척 어렵습니다.CIP 시리즈는 사람의 눈과 같은 칼라 처리장치를 장착한 컴퓨터 정밀 측정기로서 사람 눈의 개인차, 피로에 따른 불균형을 없앤 뛰어난 외관 검사 장치입니다. [반도체안의 discrete vision 검사를 바탕으로 초고속 외관검사를 실시하는 기술]■ CIP-1200은 반도체에 초점을 맞추었으며, 이를 위한 다양한 소프트웨어를 구비하고 있습니다. ■ CIP-2000은 DSP를 채용한 고성능 범용 화상 처리 장치입니다 ■CIP-2000의 특징과 사양/Features and specification1. 고해상도 1024 × 512의 고해상도를 지원하며, RGB 256 단계의 명도을 가지며 IP-1000 시리즈의 2배의 면적을 서포트하므로 신뢰성의 높은 처리가 가능. 2. 고속 처리 메인 프로세서에 DSP를 탑재하고 있으므로 명령당 40 nsec의 고속처리가 가능합니다. 화상 메모리는 리니어에 매핑되고 있기 때문에 DSP의 특징을 살린 연속 액세스로 고속화를 실현. 3. 조작성 조작 팬던트는 손바닥에 쏙 들어가는 초소형. 간단히 조작할 수 있는 DOS와 같은 OS로부터 다양한 기능을 호출할 수가 있습니다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2003-07-30
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 절연게이트 구조의 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 역 채널구조에서 캐소드와 애노드 사이에 p채널을 형성함과 아울러 p플러스 영역을 지정하여 그 위에 게이트 단자를 만들어 래치업 성능을 향상시키고, 테일전류특성을 차단하여 스취칭을 고속으로 수행할 수 있도록 한 아이지비티의 제조방법에 관한 기술이다.산업의 발전에 따라 소형전력변환 장치에 대한 수요가 급증하고 있다. 전력변환장치는 응용범위의 확대에 따라, 소형 경량화, 고효율화 등이 중요시 되어지고 있는데 기존의 전력 반도체 소자의 한계가 나타나고 있는 것이 현실이다. 본 기술은 MOSFET가 높은 입력임피던스와 바이폴라 트랜지스터가 갖는 낮은 온 저항 특성을 가지는 전력반도체 소자이다.
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- 밸류넷코리아
- 등록일
- 2003-07-01
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전기·전자 > 기타 반도체
disparity chip설계를 통한 최대 신뢰성 영역 설계를 핵심으로 하는 12단계 알고리즘 구현반도체 제조 공정 중 발생한 결함이 수율 손실에 미치는 영향의 정확한 분석관련 S/W 및 H/W 개발각각의 제조공정에서 발생한 결함이 최종 EDS 수율에 미치는 영향의 정량적 분석반도체 제조 공정시 결함에 의한 손실비용 및 관리비용의 20%를 개설할 수 있는 TOOL제공
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 도파로 형태의 PnpN(NpnP) 구조의 반도체 소자로서, 빛에 의해 스위칭 및 논리기능을 수행하는 광 싸이리스터(optical thyristor) 및 그 제조방법에 관한 것이다. 도파로 형태의 광 싸이리스터는 광 통신 시스템에 적용하기 위해서 애노드와 캐소드에 에너지 밴드 갭이 큰 물질(예컨대 애노드로서 P+층, 캐소드로서 N+층)을 사용하고, 가운데는 에너지 밴드 갭이 작은 p층과 n층으로 되어, 전체 구조는 이중 이종 접합 구조(두개의 광 싸이리스터가 하나의 전극으로 연결됨)로 구성된다. 이러한 도파로 광 싸이리스터를 스위칭 하기 위해, 하나의 전극으로 연결되어 있는 두개의 광 싸이리스터의 각각의 윗면의 일부분에 빛을 입사시킬 수 있도록 금속판을 입히지 않고, 빛을 소자의 윗면에 입사시켜서 광 싸이리스터를 스위칭하도록 한다. 본 기술의 일 측면에 따른 수직 입사형 도파로 광 싸이리스터는, 광 스위칭 및 광 논리 기능을 수행할 수 있는 이중 이종 접합 광 싸이리스터(DHOT)로서, 소자의 윗면에 있는 금속판의 전극층의 일부분이 오픈된 개구부를 갖도록 함으로써, 스위칭 시에 수직으로 빛을 입사시킬 수 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.- 본 기술에 따른 수직 입사광으로 스위칭되는 차분 도파로 광 싸이리스터는 높은 스위칭 효율과 쉽게 스위칭을 할 수 있는 기능을 제공함에 따라 일정한 진폭을 유지시켜주는 광 하드 리미터(optical hard-limiter), ATM 패킷 헤더 프로세싱을 위한 광 ATM 패킷 스위칭, 파장 분할 다중화(WDM) 광전송 시스템에서 파장 라우팅을 위한 파장 변환기 등의 많은 광통신 응용분야에 적용할 수 있
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-07-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
광음향은 빛 근원으로부터의 열의 불안정한 추가에 의한 음향 파동의 여자이다. 이런 경우에 컨테이너는 가스로 차게 된다. 누출된 가스는 레이저 빛과 열에 의해 여자되고 음향 파동을 발사하며 퍼져나간다. 그 다음 탐지기와 데이터 분석은 누출 근원의 위치를 결정한다. 단일 마이크로폰을 사용하는 제안된 기술과는 달리, 이 발명은 누출 근원의 위치를 더 잘 파악하기 위해 다수의 마이크로폰, 멀티플 신호 주파수, 정합 분야 프로세싱 (MFP)을 사용한다. 거품 시각화 장치와 헬륨-다수 분광계와 같은 기존의 누출 탐지와 위치 측정 기술보다 더욱 빠르고 정확하다. 광음향 탐지는 실온과 실압에서 사용될 수 있으며, 냉각제와 난방기 제조 분야에도 활용된다.
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- 중앙대학교
- 등록일
- 2003-07-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
칩 기반 분자 진단에 현저한 변화를 나타내는 많은 생화학 분석에서 빠른 움직임은 결정적이다. 새로 개발된 동전기적 불안정성 마이크로믹서는 흐름 불안정성을 "Lab-on-a-Chip"식 포맷에서 생물학 거대분자의 빠르게 움직이는 마이크로 스크린에 이용한다. 본 장치는 마이크로 전자공학 산업에서 일반적인 사진석판기술을 이용하여 유리 기질에 초소형 제작되었다. 교류 전기 필드는 마이크로 채널 네트워크로 통합된 믹싱실 내부 불안정성 흐름을 유도한다.- 더욱 빠르게 믹싱 작업을 할수있다. - 유리 기질의 초소형 크기, 샘플 크기 축소되었다. - 제조가 용이하다. - 제조비가 저렴하다.
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- 중앙대학교
- 등록일
- 2003-07-21
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
임시기억장치(RAM)의 synchronous operation과 데이터 직접 입력 방식을 사용하는 고주파 단위의 대용량 디지털 신호생성 기술로, 메모리를 최적으로 사용할 수 있게 하는 기술입니다. 이 기술을 이용할 경우 중간 저장 장치인 캐쉬의 사용이 필요 없으며 PC 100 동기 DRAM으로 100 MS/s의 속도를 낼 수 있으며, ferro electric 판막 필름 측정 장치에 이용 할 수 있습니다.기존의 램/회로 디자인에서 보다 더욱 빠른 데이터 전송 속도가 가능하며, 적은 비용으로 고주파 단위의 대용량 디지털 신호 생성 할 수 있으며, ferro electric 판막 필름 측정 장치에 사용이 가능합니다. 16 비트 단위의 word 당 100 MS/s의 샘플 속도와 1 Mio. word 보다 적은 buffer depth가 측정되었습니다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
국내 CHIP LED 반도체 급속한 성장과 신규개발 제품의 신속한 제품 출시에 문제점으로 대두되는 양산설비의 국산화에 기여하고자 MOLD PACKAGE 금형개발로 수입설비의 대체 이루어짐. 또한 국내 최소형의 금형으로 적은 공간과 저소음의 PRESS 개발로 작업자 안전 사고 제거 및 신규 LED 제품의 개발 성공 진단을 기간내 TEST 실시 가능한 설비임.* CHIP LED MOLD PACKAGE 금형중 국내 초소 SIZE(10mm*66mm*126mm)* 금형 일체형으로 최소 공차 적용(5㎛)* 금형의 무 BOLT 체결형으로 금형 조립 공차 제거* 액상 EMC 적용으로 EMC 소모량 적다* 품질 안정 및 제조 비용이 저렴하다(금형 1set 220만원)* 신규 package 개발 기간 7일내 제작 완료* 국내 최소형 금형으로 작업 공간 확보가 용이하다.* 수입 설비 대체 효과가 매우 크다(국산 부품화 100%)
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- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2003-08-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
최근 CMOS 아날로그 회로에서 문제가 되고 있는 저주파 대역의 노이즈를 줄일 수 있는 기술로, CMOSFET 아날로그 회로에서 바이어스용 MOSFET 최근 CMOS 아날로그 회로에서 문제가 되고 있는 저주파 대역의 노이즈를 줄일수있는 기술로, (metal- oxide semiconductor field effect transistor) 의 동작점을 주기적으로 on/off 시킴으로서, 전체적인 회로의 저주파 노이즈를 최소화하는 기술이다. 저주파 대역의 노이즈를 줄일수 있는 방법으로, 별도의 부가적인 회로 없이, Switching Bias 기법을 이용하여 MOSFET 자체의 저주파 노이즈를 줄일수 있으며, 아주 만족스러운 결과를 가진다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2003-08-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체를 이용한 여러 IC 소자에 있어 발생하는 배선공정의 문제인 고전류 흐름에 의한 배선 원자의 이동(Electromigration)을 지연시키는 방법에 관한 것이다. Cu 배선구조에서는 Cu의 확산을 막는 확산방지막이 필요하며, 확산방지막으로 현재 TiN, TaN 등이 사용되어지고 있다. 그러나, 이러한 물질은 공기중의 산소와 결합하여 Cu와 확산방지막 경계면에 산소를 포함하는 오염층을 형성한다. 이와 같은 오염층으로 인해 기판의 저항을 증가 시켜 Cu의 성장률을 낮추고 Cu와 확산방지막 사이에 불순물이 존재하여 낮은 접합력을 가지게 하여 electromigration의 저항성을 악화시킨다. 본 기술은 리모트 수소 플라즈마를 이용하여 확산방지막 표면에 존재하는 산소 성분 및 불순물을 제거하여 높은 증착률 및 높은 접합력을 가지게 하여 electromigration에 관하여 높은 저항성을 가지게 한 방법이다.- 본 기술은 수소 플라즈마를 이용하여 확산방지막의 오염층을 건식 세정을 하며, 또한 수소 플라즈마에 의해 표면에 catalytic active point를 형성하여 높은 성장률을 가지며, 동시에 더 큰 결정립을 형성하고 (111/200)의 peak intensity를 높여 electromigration에 대하여 높은 저항성을 가지게 함- RP(remote plasma)방식은 부수적인 장비가 필요없이 간편하며, 일괄공정이 가능한 장점이 있음- 수소 플라즈마를 발생시키는 장소를 반응기 위에서 발생시켜 반응기내를 오염시키지도 않음
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 전해도금 공정에서 매우 얇은 seed layer 층을 가지는 대면적 기판에 균일한 금속 도금을 하는 방법에 관한 것이다. 일반적인 도금장치는 음극에 기판을 고정시키고 전해용액속에서 전류를 가하면 기판표면에 원하는 금속이 도금된다. 반도체 소자 제조시 사용되는 실리콘 기판에 구리와 같은 금속을 도금하려면 실리콘 표면에 전류를 흘려주어야 한다. 이를 위해 대개 실리콘 가장자리에 전류 공급을 위한 접촉기구를 사용한다. 접촉된 실리콘 기판위에는 전류를 실리콘 표면 전체로 골고루 전달할 수 있는 전도층 물질이 증착되어 있다. 이를 seed layer 라 하며 대개 같은 물질인 구리를 물리적 기상 증착 또는 화학적 기상 증착 방법을 이용한다. 이 seed layer 는 매우 얇고 또한 요철이 있는 기판에 증착되었으므로 두께 균일도가 매우 나쁘므로, 이 층을 통한 전류 또한 불균일하게 된다. 이 때문에 전해용액을 통해 흐르는 전류차이로 도금되는 막의 두께 역시 불균일하게 되어 양질의 소자 제조가 불가능하게 된다. 기존 도금 장치의 문제점을 해결하기 위해 본 기술장치는 기존 장치와의 가장 큰 차이는 자장을 도금조에 인가하는 자기장 발생기를 가졌다는 것이다. 자장을 가하는 방법은 영구자석과 전자석이 있으며, 도금조내에 임의의 자장분포를 위해서는 여러 가지 형태의 자기장 발생기의 배치가 가능하다. 액상중의 이온 분포를 효과적으로 조정하기 위해 자장을 가하면서 변형된 양극을 설계하였다. 또한 본 기술 장치는 도금조에 편향 코일을 채용해서 임의의 도금 두께 조절을 할 수 있다. 편향코일을 채용한 도금조의 특징은 기판에 도착하는 이온의 분포를 편향 코일에 가해주는 신호에 의해 조정할 수 있다. 이는 전자총을 가진 음극선관과 비슷한 형태이다. 전자총에 해당하는 부분이 편향 코일용 양극이고, 스크린에 해당하는 부분이 음극, 즉 기판이다. 이를 이용하면 기존 장치의 문제점인 도금 막의 두께 불균일 문제점을 해결 할 수 있다.- 본 기술의 반도체 공정에 채택된 구리, 백금(Pt), 룻세늄(Ru) 등의 금속을 300mm 이상의 대면적 실리콘 기판에 도금할 때 매우 균일한 막을 형성할 수 있는 장치와 공정임- 반도체 소자 제조용 구리 도금 장비 및 공정에 특히 대면적 실리콘 기판과 얇은 seed layer 를 사용하는 기판의 도금에 유용함- 도금 기술을 도입한 반도체 장비 산업 및 공정의 핵심 및 원천 기술이므로, 이의 확보는 차세대 초고속 소자의 양산 시기를 앞당기는 계기가 될 것임
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체를 이용한 여러 IC소자에 있어 배선공정에서의 일어나는 문제점 중에 하나인 고전류 흐름에 의한 배선 원자의 이동(Electromigration)을 지연시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 소자의 특성을 저하시키지 않고 종래의 배선에서 발생되어지는 문제점인 Electromigration에 대하여 TiN위에 Al을 증착하여 높은 저항성을 가지는 배선구조를 갖게 하는것이다. Al의 두께가 고속 스위칭속도에 미치지 않는 범위까지 증착하는 기술이 필요로 되어진다. 본 기술은 Sputter법에 의하여 증착된 TiN위에 진공증착법에 의하여 Al을 배선의 저항이 증가하지 않는 범위까지 얇게 수백∼수천Å 증착한 후 화학 기상 증착법(CVD), 또는 전기도금법(Electroplating)으로 Cu를 완전하게 성장시킨다.- 본 rltnf은 단순히 Electromigration에 대한 저항성을 향상시키는 것 외에 표면의 전기전도도가 높은 물질일수록 화학 기상 증착법(CVD), 전기도금법(Electroplating)에 있어 Cu가 증착이 잘되기 때문에 기존의 TiN보다는 전기전도도가 우수한 Al위에서의 Cu증착이 보다 높은 증착율을 가질 수 있음- 앞으로의 배선구조의 형태가 될 trench구조에서는 TiN의 면적이 보다 더 커지므로 본 기술로 인하여 차세대 반도체 공정에 있어 electromigration대하여 더 높은 저항을 가질수 있음
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 교류 플라즈마 표시기(AC PDP)의 고 휘도, 고 효율화, 저 소비전력화에 발맞추어 기존의 방전유지 전극 형태를 대체할 수 있는 톱니형태의 방전유지 전극을 가지는 플라즈마 표시기에 관한 것이다, 교류 컬러 플라즈마 평판 표시기의 동작원리는 먼저 상판유리의 두 방전유지 전극간에 표면 방전이 발생하면 방전에 의해 생성된 진공 자외선이 하판유리위에 있는 형광체를 여기시켜 사람의 눈으로 볼 수 있는 가시광을 만들게 된다. 이것을 상판 유리 쪽에 위치한 관측자가 관측하게 되는 원리이다. 본 기술방법은 기존의 전극구조를 개선하여 두 전극이 톱니형태로 맞물리는 구조이다. 톱니형태의 방전유지 전극을 가지는 플라즈마 평판 표시기의 상판은 같은 크기의 방전 전극간격을 가지는 기존의 전극구조와 비교할 때, 실제 발광에 유효한 면적을 늘이는 효과가 있어 플라즈마의 생성량을 최대화 할 수 있다. 따라서, 방전전극 간격 사이에서 주로 발생하는 진공자외선을 최대한으로 이용할 수 있고, 전계집중점을 도입하여 방전전압의 크기와 방전 늦음 현상도 줄일 수 있어 휘도 및 효율의 향상을 기대할 수 있다.- 본 기술은 벽걸이 텔레비전 및 탁상용 모니터용으로 적합한 플라즈마 표시기의 전극구조를 개선하기 위해 톱니형태 및 양, 음각이 맞물리도록 한 전극구조로 전극을 형성할 경우 TV나 모니터 및 각종 표시장치의 교류 플라즈마 표시기에서 휘도, 효율 뿐 아니라 방전늦음 현상까지 개선할 수 있음- 플라즈마 표시기의 품질 향상에 기여하여 대형 평판 디스플레이 시장에서 플라즈마 표시기가 다른 평판 디스플레이 기술보다 유리하게 됨
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 평판 디스플레이 소자 중의 하나인 플라즈마 표시기(plasma display panel)에 관한 것이다. 본 기술은 플라즈마 표시기의 고 휘도, 고 효율, 대형화 및 고 정세화에 발 맞추어 기존의 여러 격벽 제조공정들을 대체할 수 있는 고 종횡비를 가지는 실리콘 고무 소프트 몰드에 의한 격벽 성형방법을 제시한 것이다. 이 방법은 기존의 가압법을 개선하여 몰드로 저 표면에너지, 고 탄성을 가지는 실리콘 고무를 사용함으로서 기존 가압법의 문제점인 격벽용 페이스트(paste)의 비 매입, 격벽 파단, 몰드의 고 질량, 유리기판의 파단 등의 문제점을 해결할 수 있다 그리고, SU-8등의 두꺼운 감광제를 자외선으로 노광, 현상한 형상을 실리콘 고무로 채워서 몰드를 제조하기 때문에 고 종횡비를 가지는 모든 형태의 격벽 형상을 성형할 수 있다. 여기서 소프트 몰드는 현상된 두꺼운 감광제 또는 UV-LIGA 공정을 이용하여 제조된 금속 몰드에 실리콘 고무를 채운 뒤 건조하여 제조한다.- 본 기술은 벽걸이 텔레비전 및 탁상용 모니터용으로 적합한 플라즈마 표시기의 제조공정을 개선하기 위해 기존의 가압법을 변화시킨 방법임- 본 기술방법은 제조 공정이 매우 단순하며, 생산성이 높고, 고정세화가 유리한 격벽 제조 공정을 확립할 수 있음- 생산비 절감과 양산성 향상 뿐만 아니라 휘도, 고정세화등 품질 향상에도 기여하여 대형 평판 디스플레이 시장에서 플라즈마 표시기가 다른 디스플레이 기술보다 유리하게 됨
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 플라즈마 평판 표시기의 고휘도, 고효율화, 대형화 및 고정세화에 발 맞추어 기존에 여러 격벽 제조공정들을 대체할 수 있는 회전-가압법에 관한 것이다. 본 기술은 회전-가압법에서 금형의 제조방법과 무거운 실린더와의 접합으로서, 얇은 금속판 위에 LIGA 또는 UV-LIGA 공정으로 Ni 금형을 만들고, 이것을 굽혀서 곡률반경이 큰 무거운 원통에 접합시켜 회전시킬수 있는 금형을 제조한다. 먼저 얇은 금속판 위에 evaporator나 sputter등을 이용하여 Ni seed layer를 형성한뒤 그 위에 PMMA 또는 두꺼운(수 백 ㎛) PR을 도포한다. 그 후 마스크를 제작하여 X-ray 혹은 UV 사진식각법을 이용하여 Ni 금형의 음각모양인 틀을 형성한다. 형성된 PMMA 또는 두꺼운 PR 틀 위에 Ni 전기도금을 행하면 seed layer가 노출된곳 위에만 선택적으로 Ni이 증착된다. 여기서 PMMA 또는 두꺼운 PR을 제거하면 Ni 금형이 제조되는 것이다. 얇은 금속판위에 제조된 Ni 금형을 무거운, 곡률반경이 큰 원통과 접합하면 금형이 최종적으로 제조된다.- 본 기술방법을 이용하여 제조 공정이 매우 단순하며, 생산성이 높고, 고정세화가 유리한 격벽 제조 공정을 확립할 수 있으며, 금형은 얇은(0.2∼0.8 ㎛) 스테인레스 기판이나 니켈기판 위에 LIGA(Lithographie, Galvanoformung, Abformung) 또는 UV-LIGA 공정을 이용하여 제조할 수 있음- 생산비 절감과 양산성 향상 뿐만 아니라 휘도, 고정세화등 품질 향상에도 기여하여 평판 디스플레이 시장에서 플라즈마 표시기가 액정 디스플레이와 전계 방출 디스플레이 기술보다 유리하게 됨
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
워터마킹되어질 영상을 오토스테레오그램으로 생성하여 이를 원래의 영상에 삽입함으로써 상기 오토스테레오그램을 통해 다양한 저작권 정보를 은닉시켜 원래의 영상에 워터마킹을 행하는 기술입력영상을 DCT 변환하여 입력영상에 대한 DCT 산출을 계싼하고 워터마킹 되어질 영상에 대한 오토스테레오그램을 생성하여 이를 DCT 변환하여 오토스테레오그램에 대한 DCT 계수를 산출하며 입력영상 DCT 계수와 오토스테레오그램 DCT 계수를 합산하여 입력영상에 오토스테레오 그램을 삽입하고 합산된 DCT 계수를 역 DCT 변환하여 입력영상에 오토스테레오그램을 워터마킹 처리한 영상을 생성하는 기술.입력 영상에 소정 정보가 은닉된 오토스테레오그램을 워터마킹할 수 있게 됨에 따라, 워터마크 검출부 측에서 검출된 오토스테레오그램을 통해 저작권을 효과적으로 보호할 수 있음입력영상을 DCT 변환하여 입력영상에 대한 DCT 산출을 계싼하고 워터마킹 되어질 영상에 대한 오토스테레오그램을 생성하여 이를 DCT 변환하여 오토스테레오그램에 대한 DCT 계수를 산출하며 입력영상 DCT 계수와 오토스테레오그램 DCT 계수를 합산하여 입력영상에 오토스테레오 그램을 삽입하고 합산된 DCT 계수를 역 DCT 변환하여 입력영상에 오토스테레오그램을 워터마킹 처리한 영상을 생성하는 기술.
- 보유기관
- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
반도체 직접회로를 설계하고 성능을 검증하는 기능을 수행하는 컴퓨터 모의 실험에서는 반도체 직접회로 구조에 대한 정확한 메쉬 생성기술이 요구되며, 육면체 구조를 사용하여 3차원 구조를 정의하면서 육면체를 사면체로 분할하는 메쉬 생성 방식이 사용되고 있다. 3차원 구조의 표면 영역에 놓이는 육면체에 대하여는 표면 곡면이 육면체를 분할하는 면을 따라서 육면체를 분할하는 방법을 사용하는데, 다중영역으로 구성되는 집적회로 구조의 표면 곡면 및 각 영역의 경계면의 곡면에 대한 메쉬를 생성하는 데 있어서 둔각 및 예각을 포함한 삼각형 요소를 많이 생성하게 되어, 수치해석 계산 수행시 오차를 유발시킨다는 문제점이 있다. 또한 집적회로 공정을 수행하는 단계에서 복잡하게 진화를 거듭하여 생성된 구조에 대한 표면 영역 및 경계면에 대한 정확한 곡면을 정의하기 어렵다는 문제점이 있다. 복잡한 집적회로 구조에 대한 메쉬 생성에 있어서 구조 형상에 대한 육면체 분할 방식을 사용한 메쉬 생성 방법을 사용하지 않고, 표면 영역 및 경계면 영역에 대한 곡면정의를 통한 비구조형 메쉬 생성 방법이 요구된다. 본 발명에서는 3차원 구조물 영역에 대하여 작은 사면체 영역으로 메쉬를 구성하는 방법에서 다각형에 대한 곡면정의 데이터가 존재하는 경우 곡면을 생성하고, 다각형을 구성하는 삼각형 메쉬의 노드들을 곡면상의 위치로 이동시키고, 다면체 내부 영역을 사면체 영역으로 분할하여 사면체 메쉬를 생성하게 된다.본 기술의 사면체 메쉬 생성 기술은 사용자가 최소한의 데이터를 사용하여 3차원 구조를 정의하도록 하여 소요되는 시간과 노력을 단축시키고, 3차원 구조물에 대하여 생성하는 사면체 메쉬를 구성하는 사면체들 사이의 연결 구조에 규칙성을 가지고 있는 구조형 메쉬 생성 방법을 사용하지 않으므로, 복잡한 곡면 구조를 포함하는 임의의 3차원 구조에 대한 메쉬 생성에 있어서도 사면체 메쉬 생성 기능을 제공한다.3차원 구조를 정의하는 데이터 작성 및 복잡한 3차원 구조에 대한 수치해석 계산의 수행을 위한 사면체 메쉬를 생성하는 데 소요되는 시간과 노력을 감소시킬 수 있다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2004-05-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
반도체 공정중에 발생하는 독성 유해 가스처리장치로서 다공성쳄버를 사용하여 내면의 오염을 감소시키고 heatingelements 를 사용하여 유입되는 가스를 burining 시켜일차적으로처리하고 부산물을 wet 방식을 사용하여 가스의 처리 효율을증가시킴..사용하는 고객에 따라 쳄버를 cooling 하는 것을 water 나 water 를 사용하지않고 blower 를 사용하여 제품을 제작일본시장에 효과적으로 대응하고..기존 시장에 형성되어잇는type은 잦은 고장과 2차 wet 처리 방식에서 오는 문제점으로인해 잦은 a/s 로 인해 새로운 개념의 처리방식이 요구되고잇으며,다만 시장형성과 진입에 따른 marketing 등의 문제만 근본적으로해결돼면 반도체 가스를 저 비용으로 효과적으로 처리할수잇음...일본은 폐수문제로 인해 기존의 water 를 사용하여 처리하는방식에서 탈피하여 blower 를 사용하여 cooling 을 하는 방식으로 전환하고잇는 상황임..다공성쳄버내부에 미세 가공을 형성시켜 공기를 주입 쳄버내부로유입되는 유해가스와분리 시켜 내부벽면의 오염을 최소화하고기존 burining type으로 가스를 처리하는방식..=============================반도체 공정중에 발생하는 독성 유해 가스처리장치로서 다공성쳄버를 사용하여 내면의 오염을 감소시키고 heatingelements 를 사용하여 유입되는 가스를 burining 시켜일차적으로처리하고 부산물을 wet 방식을 사용하여 가스의 처리 효율을증가시킴..사용하는 고객에 따라 쳄버를 cooling 하는 것을 water 나 water 를 사용하지않고 blower 를 사용하여 제품을 제작일본시장에 효과적으로 대응하고..기존 시장에 형성되어잇는type은 잦은 고장과 2차 wet 처리 방식에서 오는 문제점으로인해 잦은 a/s 로 인해 새로운 개념의 처리방식이 요구되고잇으며,다만 시장형성과 진입에 따른 marketing 등의 문제만 근본적으로해결돼면 반도체 가스를 저 비용으로 효과적으로 처리할수잇음...
- 보유기관
- (주)세미안테크놀러지
- 등록일
- 2004-05-10
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