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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

저소비전력을 위한 MPEG 영상의 메모리 저장방법 및 그에 따른 프레임 버퍼구조

본 기술은 MPEG 영상을 디램으로 구성된 프레임 버퍼에 저장하는 데 있어 분산된 9-타일 맵핑 방식을 사용하고 9-뱅크 및 부분 활성화가 가능한 세그먼트 구조를 가진 프레임 버퍼를 사용하여 MPEG 영상 부호 / 복호 시 필요한 메모리 엑세스에 소비되는 전력을 감소시킨다.본 기술의 특징은1. EML (Embedded Memory Logic) 기술2. 9-타일 맵핑을 통한 저소비전력화 구현이며, PDA등 휴대가전기기에 특히 적용하여 저소비전력으로 멀티미디어 데이터 처리가 가능할것으로 본다.

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한국과학기술원
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2004-12-10
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자기 유변체를 이용한 능동 및 반능동형 반력 구현 장치

본 기술은 자기장에 따라서 유변학적 성질이 바뀌는 자기 유변 유체와 모터를 이용하여 능동 및 반능동 형태의 반력을 동시에 구현할 수 있는 반력 장치에 관한 것이다.능동 및 반능동 형태의 반력을 동시에 구현할 수 있으며 그 구조가 간단하다. 모터만으로 구현하기 힘든 반능동형에 반력을 쉽게 구현할 수 있으며 역전달로 인한 모터의 손상 등을 보호할 수 있어 많은 반력 기구에 적용이 가능할 것으로 기대된다.

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2004-12-10
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이중-게이트 FinFET 소자 및 그 제조방법

벌크 실리콘 웨이퍼를 이용한 이중-게이트 소자구조를 기술하였고, 바디기 기판에 연결되도록 하였다. 자기정렬형으로 소스/드레인에 에피층을 성장한 구조이다.- 제조 공정 및 소자 구조가 간단함. - 값싼 벌크 실리콘 웨이퍼 사용.- 기존 이중-게이트 문제 해결. -15 nm 급 CMOS 소자 가능

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2004-12-10
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이중-게이트 플레쉬 메모리소자 및 그 제조방법

플래쉬 메모리 소자의 집적도, 프로그램 특성을 크게 개선하는 이중-게이트 메모리 소자 구조. 값이 싼 벌크 기판을 사용하여 구현하였다. 소자의 바디(또는 채널)가 기판에 연결되어 있어 전기 및 열적으로 안정하다.제조 공정 및 소자 구조가 간단하며 메모리의 제반 특성을 개선할 수 있고, 집적도를 증가 시킬 수 있다.

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2004-12-10
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위상 반전을 이용한 스프레드 스펙트럼 클럭 발생기

톱니 파형의 변조 프로파일에 의한 위상 반전을 이용한 스프레드 스펙트럼 클럭 발생기에 관한 것이다.회로의 복잡성과 복사성 전자기파 감쇄 정도를 절충한 최적의 변조 프로파일로 톱니 파형을 제시, 변조 신호를 모를 때에도 정주기 클럭을 완전하게 복조할 수 있다.

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2004-12-10
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엇물린 외팔보를 이용한 마이크로 미터 디바이스 및 그 응용소자

본 기술은 정전기력에 의해 미러를 회전 구동하여 입사되는 빛을 반사시키는 각도를 조절하여 빛의 진행 경로를 바꾸는 마이크로미러 디바이스이다. 기판과 기판 위에 위치한 복수의 지지대, 미러 아래면에 붙은 역시 복수의 지지대가 얇은 금속지지판에 의해 엇물린 형태로 연결되는 2단 구조를 이루며 미러를 지지하여 양방향으로 회전을 가능하게 되고 매우 안정하게 미러를 지지하고 구동할 수 있다. 입사되는 빛을 반사시키는 미러와 기판 위에 놓인 전극 사이의 전압 차에 의한 정전기력과 복수의 지지대 사이에 연결된 수평 지지판의 탄성 복원력에 의해 미러를 양방향으로 회전하게 구동할 수 있으며 회전 각도를 조절할 수 있다. 지지대가 매우 간단한 구조를 이루며 엇물린 구조에 의해 미러가 두 개의 안정된 구동 상태를 가지는 것을 그 특징으로 한다.

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2004-12-10
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양자선 채널 FET에서의 양자선 제작 방법

본 기술은 전자선 묘화기법을 사용하지 않고 희생층과 일반 사진기법을 이용한 양자 세선 제작에 관한 것이다.이 양자선을 광검출기로 사용하는 경우에는 희생층이 광집속기 역할을 하기 때문에 소자의 성능향상을 기대할 수 있다. 이러한 양자 세선의 제작방법은 종래에 사용하던 양자 세선 제작방법에 비해 간단하며, 생산 속도를 늦추는 재결정성장이나, 전자선 묘화를 사용하지 않기 때문에 생산 속도를 높일 수 있는 장점을 갖고 있다.

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2004-12-10
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아크용접의 용접품질 평가 방법

본 기술은 용접전압과 전류 및 아크 빛 세기의 용접신호(V)와 용접신호의 시간에 대한 변화율(dV/dt)을 이용하여 매 주기마다 신호의 경로를 추적하여 용접품질을 평가하는 것이다.기존의 방법보다 정확하게 용접품질을 평가할 수 있고, 실시간으로 용접품질을 평가하는데 적합하고, 용접시 용접품질을 실시간으로 평가하여 용접불량을 줄일 수 있다.

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2004-12-10
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선형 푸시브룸센서에서 촬영한 스트레오 영상에서 에피폴라 특성 곡선 추출방법

Linear Pushbroom 센서에서 촬영한 스테레오 영상의 Epipolar 특성곡선을 추출하는 기법과 이 특성곡선의 특징을 이용, 스테레오 영상의 처리방법에 관한 것이다.기존에 알려지지 않았던 Linear Pushbroom 센서의 Epipolar 특성곡선을 수학적으로 유도한다.

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2004-12-10
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비휘발성 자기메모리 소자인 엠램에 있어서 압전박막층을 이용한 스핀스위칭 구동방법 및 장치

랜덤억세스 자기기록메모리 소자로 사용되는 MRAM 있어서 스핀방향 스위칭 구동방식을, 전류의 흐름에 의한 유도자기장이 아니라 압전박막층을 이용하여 전압을 가해 인장응력을 유발시키고 이를 이용한 스핀방향 용이축을 수평에서 수직으로 변화시키는 방식에 관한 내용이다. 이를 이용하여 MRAM의 자기저항을 이용한 기존의 재생방식과 FRAM의 기록방식인 압전박막을 이용한 장점을 복합적으로 활용하여 1 미크론 크기 이하의 셀 에레이를 제작하는 것이다.기존의 자기기록소자는 유도자기장을 인가하여 자구의 스핀방향을 반전하여 기록하지만 이는 stray field를 방생하여 메모리소자의 초소형화시 초고집적 한계에 도달한다. 하지만 본 기술은 기록비트가 압전기판과 자성박막들로 이루어져 있어 각 셀의 자구 스핀방향만 전압을 가해 자화반전시켜 초고밀도 집적시 유용한 방식이다. 특히 기존의 기술인 FRAM과 MRAM의 장점만을 혼합하여 고효율 자기기록소자를 단기간에 달성할 수 있고 적층구조가 기존의 랜덤억세스 메모리소자보다 간단하다.

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2004-12-10
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비접촉식 충전장치

본 기술은 고주파 자계를 발생시켜 유도결합을 통하여 휴대폰용 축전지를 충전하기 위한 장치의 구조 및 제어회로에 관한 것이다.기존의 휴대폰 충전지는 끝부분에 금속 접촉단자가 부착되어 있어 이를 통해서 충전 본체에 의해 충전이 이루어진다. 이러한 접촉에 의한 단점들 즉, 방수성의 결여, 범용화의 어려움, 디자인의 제한성, 단락의 위험성 등을 해결하고자 유도결합을 통해 전지를 충전시키고자 한다.

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2004-12-10
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배열형 사그냑 간섭계 음향센서 및 음향신호 검출방법

본 기술은 depolarizer를 채택한 광섬유 Sagnac 간섭계를 최초로 배열한 형태의 음향센서이며 특히 간섭광간에 일정한 위상차를 더해 줌으로써 일반적인 광섬유 센서와는 달리 전기적인 신호처리없이 음향감지가 가능하도록 하였다.본 기술에 의한 배열형 센서에서는 단일 센서에서와는 달리 입사광을 펄스 형태로 할 때 Sagnac loop에서 양 방향으로 진행하는 두 광펄스가 loop의 한 가운데가 아닌 비대칭적인 지점을 서로 다른 시간에 지난다는 점을 이용하여 두 광펄스간에 인위적으로 만큼의 위상차를 고정적으로 더해 줌으로써 간섭된 출력광의 세기 변화가 감지된 음향신호와 같은 파형을 가지도록 하여 일반적인 간섭계에서 복잡한 신호처리가 필요한 것과는 달리 전기적인 신호처리가 필요 없도록 하고 기존의 신호처리에 의한 것보다 높은 감도를 가진다.

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2004-12-10
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반능동 구동기를 이용한 전기 조향 장치의 조향휠

본 기술은 자기 유변 유체를 이용한 감쇠기등의 반능동 구동기와 비틀림 스프링을 이용하여 조향휠을 구현함으로써, 기존에 있던 능동형 구동기를 이용한 조향휠이 가지고 있는 운전자 입력 제거 시에 구동기로 인하여 조향휠이 가속되어 발생하는 조향의 안정성 문제를 해결하고 반능동의 부드러운 조향감을 운전자에게 전달 할 수 있다.운전자의 입력이 갑자기 사라지는 순간에도 구동기의 에너지가 시스템에 인가되지 않기 때문에 조향휠이 가속되지 않고, 반능동의 부드러운 조향감을 운전자에게 전달하고, 기존의 전기 조향 장치의 조향휠에 내재된 운전자 입력 제거시의 안전성 문제를 해결하여, 운전자의 불안 요소를 제거함으로써 전기 조향 장치의 보급을 앞당길 수 있을 것으로 본다.

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한국과학기술원
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2004-12-10
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고전압 전해 축전지용 양극 전극의 제조방법

본 기술은 고전압 전해축전지용 (high volt electrolytic capacitor) 전극을 위한 고면적의 알루미늄 산화막을 제조하는 방법이다. 본 기술에서는 기존 공정과는 달리 우선적으로 일정조건에서 아노다이징 (anodizing) 을 통해 균일한 두께에 산화피막을 얻은 후, 선택적으로 etching 된 부분을 재산화 (re-anodizing) 하여 제조하는 것을 특징으로 한다. 이러한 제조방법에 의한 표면적 증가 효과를 극대화하기위한 용액의 온도조건과 황산이온 (sulfate ion) 농도 조건을 확립하였다. 또한 본 기술에서 제조된 산화피막의 표면적 측정을 위하여 교류 임피던스 (ac impedance) 측정법을 이용하였다.본 기술의 기술적 특징은 우선적으로 일정조건에서 아노다이징을 통해 균일한 두께에 산화피막을 얻은 후, 선택적으로 etching 된 부분을 재산화 하여 제조한 것에 있다. 이러한 방법으로 제조된 전극의 증가된 정전용량 및 표면적을 교류임피던스장치를 이용하여 단시간에 정확하게 측정함으로써 용액의 온도조건 및 황산이온 농도 조건을 확립하였다.

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2004-12-10
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다중입출력 버퍼를 둔 분할형 크로스바 스위치

본 기술 하나의 스위치 대신에 크기가 작은 여러 개의 스위치 소자를 사용하여 스위치 내부에서 셀의 충돌을 줄이는 분할형 크로스바 스위치 구조에 관한 것이다.하나의 크로스바 스위치 대신 여러개의 크로스바 스위치를 사용함으로써 입력단과 출력단에서 발생하는 셀의 충돌률을 떨어뜨려서 스위치 성능 향상시키며, 입력 링크 속도에 비해 크게 빠른 메모리를 필요로 하지 않기 때문에 고속 및 고성능 스위치로 구현이 될 수 있고, 라우터의 스위칭 스위칭 core로 사용되는 경우에는 라우터의 고속화와 대용량화에도 기여가능하다.

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2004-12-10
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화학적-기계적-연마 방법을 이용한 측면형 전계 방출 소자 제조 방법

화학적-기계적-연마 방식을 이용하는 측면형 전계 방출 소자 제조에 관한 것이다. 탐침 간의 간격이 산화막 두께에 의해 결정 되기 때문에 매우 짧다. 그래서 저전압 구동이 가능하며 간격이 산화막 두께에 의해 결정되기 때문에 매우 균일하고 재현성을 가진다.

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2004-12-10
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형광등용 전자식 안정기의 역률개선회로

기존의 능동 역률개선회로와는 달리 전류원 방식의 공진형 인버터의 전력 트랜스포모의 2차측과 변형된 밸리필 구조를 결합한 직류 전압원과 전하펌프 커패시터를 이용하여 저비용, 고역률의 형광등용 전자식 안정기를 구성하게 한 역률 개선 회로이다.본 기술은 능동소자나 제어회로가 필요없이 기존의 공진형 인버터와 수동 소자만을 이용하여 간단히 구성하여 저비용으로 구성할 수 있다.

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2004-12-10
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하나의 배열 도파로형 격자를 이용한 광분기/결합기

본 기술은 하나의 도파로형회절격자를 이용한 광분기/결합기에 관한 것이다. 기술된 광분기/결합기는 사용된 배열도파로형격자의 포트를 최대로 활용하여 최대의 광신호 채널을 수용할 수 있다.뿐만아니라, 간단한 광수동소자인 광단향기를 사용할 경우 기술된 광분기/결합기의 성능을 더욱 향상시킬 수 있도록 한 기술이다.본 기술은 파장분할다중방식 광통신망의 핵심 장치인 광분기/결합기를 하나의 도파로형회절격자와 간단한 수동 소자를 이용하여 최대의 수용 효율을 갖도록 한다.

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한국과학기술원
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2004-12-10
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전기 이중층 캐패시터 전극 및 그의 제조방법

본 기술에서는 전기이중층 캐패시터의 전극 두께를 기존 대비 약 20% 내지 30%로 낮추었으며 도전제를 최적화하여 단위 부피 또는 단위 무게당 축전용량을 극대화하였다.본 기술로부터 제조된 전지이중층 캐패시터는 단위 부피 또는 단위 무게당 축전용량의 향상이 가능하다.

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2004-12-10
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