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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

유기전자소자 보호층의 투습율 및 투산소율 측정 장치 및 상기 장치를 이용한 측정 방법

해당 기술은 유기전자소자 보호층의 투습율 및 투산소율 측정 장치 및 상기 장치를 이용한 측정 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 유리 기판; 상기 유리 기판 상에 대향 적층된 한 쌍의 전극층; 상기 유리 기판 상에 적층된 칼슘층; 상기 칼슘층 상에 적층된 투습 및 투산소성 기판; 상기 투습 및 투산소성 기판 상에 적층되는 측정 대상 유기전자소자 보호층; 및 상기 측정 대상 유기전자소자 보호층의 외곽을 따라서 도포된 실링재를 포함하며, 상기 전극층의 일 말단은 상기 칼슘층에 매립되고, 다른 말단은 외부 저항측정장치에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 보호층의 투습율 및 투산소율 측정 장치 및 상기 장치를 이용한 측정 방법에 관한 것이다.해당 기술에따르면, 보호층이 투습 또는 투산소됨에 따라 측정장치의 전기적 특성이 변화하는 원리를 이용함으로써 보호층의 반사도 또는 투과도에 영향을 받지 않고, 각종 유기전자소자 보호층 공정에의 응용성을 높였으며, 기존기술과는 상이하게 장치 내부의 칼슘층에 대한 결함 평균화 작업을 수행할 필요가 없고, 신뢰성이 매우 높은 유기전자소자 보호층의 투습율 및 투산소율 측정 장치 및 상기 장치를 이용한 측정 방법을 제공할 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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태양전지의 제조방법

본 기술에서는 태양전지의 제조방법이 개시된다.해당 기술에 따른 태양전지의 제조방법은 (a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계 (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계 (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계 (d) 태양전지의 표면에 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계 (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 태양전지의 표면을 식각하는 단계를 포함하며, 해당 기술에 따르면, 제조비용을 절감하면서도 태양전지의 표면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광전변환 효율이 우수하고 태양전지에는 열에 의한 악영향을 미치지 않기 때문에 장수명을 갖는 태양전지를 제조할 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한유기발광다이오드 소자

인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기발광다이오드 소자에 관하여 개시한다. 인광물질은 금속착체 화합물에 카바졸기를 화학적으로 결합시켜 인광물질의 용융성과 호스트 물질과의 혼화성을 향상시켰다. 이로써, 유기발광다이오드 소자의 유기발광층을 진공증착공정 또는 습식공정을 통해 형성이 가능하며, 우수한 막 특성을 가질 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 용이한 공정을 통해 제조할 수 있어 유기발광다이오드 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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발진 회로를 이용한 온도 측정 장치 및 방법

해당 기술은 발진 회로를 이용한 온도 측정 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 온도 측정 장치는 온도에 민감한 제1 발진 회로; 온도에 민감하지 않은 제2 발진 회로; 상기 제1 발진 회로에서 출력되는 제1 주파수 신호 및 상기 제2 발진 회로에서 출력되는 제2 주파수 신호를 선택적으로 통과시키는 먹스; 및 상기 제1 주파수 신호 및 상기 제2 주파수 신호의 주파수 차이를 디지털 코드로 변환하는 주파수/디지털 변환기를 포함한다.

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고려대학교
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2009-01-22
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나노선­나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법

해당 기술은 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 나노선을 감싸도록 형성되는 터널링층 표면에 상기 나노선과 이종인 금속 나노입자를 형성하여 전하저장층을 구성함으로써, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 금속 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자를 이루는 구성수단은, 비휘발성 메모리 전자소자에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하는 반도체 나노선과, 상기 반도체 나노선을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 터널링층과, 상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열 증착시켜 얻어지는 금속 나노입자로 구성되는 전하저장층과, 상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과, 상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

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고려대학교
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2009-01-22
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반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법

해당 기술은 수직구조를 갖는 그룹 3-5족 화합물 반도체를 이용하여 고휘도 발광소자(high-brightness light emitting devices)용 준비된 지지기판, 상기 지지기판을 이용한 고휘도 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 상기 준비된 지지기판(Prepared Supporting Substrate;'||chr(39)||'PSS'||chr(39)||')은 선택된 지지기판(SSS)위에 순차적으로 적층되어 형성된 희생층, 히트 씽크층 및 본딩층으로 이루어진다. 상기 PSS를 이용한 고휘도 발광소자 제조 방법은, 사파이어와 같은 최초 성장기판의 상부에 반도체 다층 발광구조체를 적층하여 성장시킨 제 1 웨이퍼를 준비하는 단계, PSS를 준비하는 단계, 상기 제 1 웨이퍼와 상기 PSS를 웨이퍼 본딩시키는 단계, 상기 본딩된 결과물로부터 상기 제 1 웨이퍼의 최초 성장기판을 분리 제거하는 단계, 상기 결과물에 오믹접촉 전극 형성 및 열처리 공정등과 같은 후속 공정 진행하는 단계, 및 상기 PSS의 SSS를 분리 제거하고 단일칩으로 절단하는 단계를 구비한다.해당 기술에 의하여 별도의 PSS를 이용하여 최초 성장기판으로부터 분리(Lift-Off)된 반도체 단결정 다층구조체의 손상을 줄임으로써, 전체적인 성능이 향상된 수직구조의 그룹 3-5족 질화물계 반도체 발광소자를 제공할 수 있게 된다.

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고려대학교
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2009-01-22
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폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법 및 이에 의해 형성된 미세전극

해당 기술에따른 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법은, 폴리디메틸실록산의 프리폴리머와 경화제를 20:1 내지 5:1의 질량비로 혼합한 블렌드를 실리콘 웨이퍼 상에 스핀코팅하여 폴리디메틸실록산 기판을 형성하는 단계, 상기 폴리디메틸실록산 기판을 표면 전처리하는 단계, 상기 표면 전처리된 폴리디메폴틸실록산 기판의 상부에 티타늄 층 및 금 층을 순차적으로 증착한 후 미세전극을 패터닝하는 단계, 상기 패터닝 된 미세전극의 상부에 포토레지스트를 형성하고, 상기 포토레지스트가 형성되지 않은 폴리디메틸실록산 기판의 상부에 폴리디메틸실록산을 스핀코팅하는 단계, 및 상기 패터닝 된 미세전극의 상부에 형성된 포토레지스트를 제거한 후, 상기 패터닝된 금 층의 상부에 금 전기도금을 수행하여 미세전극을 패키징하는 단계를 포함한다.해당 기술에의하면, 포토리소그라피 공정 및 전극 부분의 도금을 통한 폴리디메틸실록산 미세전극의 패키징 방법을 제공함으로써 간단한 공정으로 인하여 비용을 절감시키고, 실패율을 감소시키며, 폴리디메틸실록산 기판의 전처리 및 증착 조건을 최적화시킴으로써 금속 미세패턴의 부착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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문턱 전압을 수렴시키는 광수신 장치, 이를 이용하는 광수신 오디오 장치 및 광통신 장치

문턱 전압을 수렴시키는 광수신 장치, 이를 이용하는 광수신 오디오 장치 및 광통신 장치가 개시된다.해당 기술은 수신되는 광 신호에 대응하는 전류신호를 생성하는 광검출기; 상기 전류신호를 대응하는 전압신호로 변환하는 전치 증폭기; 직렬 연결된 복수의 선형 뺄셈기로 구성되어 상기 전압신호의 옵셋을 제거하여 문턱전압을 수렴시키는 레벨 변환기; 상기 전압신호의 옵셋 변화에 비례하는 기준 전압을 생성하는 기준 전압 발생기; 및 상기 레벨 변환기의 출력과 상기 생성된 기준 전압을 비교한 결과에 따라 로직 레벨의 디지털 신호를 생성하는 비교기를 포함한다.해당 기술에의하면, 자동 전압 이득 조절 방법과 자동 문턱 전압 조절 방법의 단점을 보완하고, 시스템의 복잡도 감소, 소형화 및 저전력화를 구현하면서 펄스폭 왜곡을 최소화할 수 있으며, 고성능 디지털 인터페이스 등의 생산 비용을 절감시킬 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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자가 보정 기능을 갖는 지연 고정 루프 기반의 주파수 체배장치 및 방법

해당 기술은 자가 보정 기능을 갖는 지연 고정 루프 기반의 주파수 체배 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 주파수 체배 장치는 N개의 지연단을 가지는 전압 제어 지연선 및 버퍼단을 포함하며, 상기 버퍼단을 통과한 기준 클록 신호에 상기 전압 제어 지연선을 통과하여 상기 버퍼단을 지난 마지막 기준 클록을 록킹하고, 상기 록킹된 상태에서 상기 기준 클록 신호로부터 상기 지연단의 개수 N만큼 균등하게 분포된 N+1개의 차동 클록 신호들을 발생시키고, 상기 차동 클록 신호들을 상기 버퍼단을 통과시키는 지연 고정 루프; 상기 지연 고정 루프의 출력 신호인 상기 버퍼단을 통과한 상기 차동 클록 신호들의 미스매치를 보정하는 자가 보정 블록; 및 상기 자가 보정 블록에서 보정된 상기 차동 클록 신호들로부터 일정 배수 체배된 출력 클록을 발생시키는 에지 컴바이너를 포함한다.

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고려대학교
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2009-01-22
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질화물 발광소자 및 그 제조 방법

해당 기술은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 해당 기술은 박막 변환층을 기판상에 패터닝하고, 그 위에 저결함 밀도의 질화물층을 형성함으로써, 기존기술의 기판과 질화물층간의 격자 부정합으로 인하여 발생하는 결함 밀도를 현저하게 감소시켜 고효율 및 고신뢰성의 발광 소자를 얻을 수 있는 효과가 있다. 또한, 해당 기술은 발광 소자 제조 과정에서 빛의 파장을 변환할 수 있는 포스포 등으로 구현되는 박막 변환층을 삽입하여 발광 소자를 제조함으로써, 기존기술의 원하는 파장의 빛을 얻기 위해서 발광 소자 제조 공정이 완료된 후 별도로 파장 변환용 포스포 물질을 결합하는 부가적인 공정 또는 R,G,B 의 3 종류의 발광 소자를 각각 결합하여 구동해야 하는 공정을 생략할 수 있게 되었다. 따라서, 기존보다 조립이 간단하고, 가격이 저렴하면서도 수율이 높은 발광소자를 얻을 수 있는 효과가 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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광가교 및 열가교성 표면개질용 랜덤공중합체를 이용한 태양전지의 제조방법

광가교 및 열가교성 표면개질용 랜덤공중합체를 이용한 태양전지의 제조방법이 제공된다.해당 기술에 따른 태양전지의 제조방법은 (a) 광가교 또는 열가교 가능한 랜덤공중합체를 태양전지의 기판 표면에 코팅하고 광가교 또는 열가교시켜 뉴트럴 매트릭스를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 매트릭스의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막 중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 기판의 표면을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 방법에 따르면 간단한 공정을 통해 태양전지의 기판 표면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광전변환효율이 우수하고 태양전지에는 열에 의한 악영향을 감소시킬 수 있기 때문에 장수명을 갖는 태양전지를 제조할 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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파이프라인 시간 디지털 변환기의 스테이지 블록 회로, 이를 이용하는 파이프라인 시간 디지털 변환기 및 씨모스온도센서

파이프라인 시간 디지털 변환기의 스테이지 블록 회로, 이를 이용하는 파이프라인 시간 디지털 변환기 및 씨모스 온도센서가 개시된다. 해당 기술은 스테이지 입력 신호를 소정의 시간만큼 지연시키는 지연 라인; 상기 스테이지 입력 신호의 펄스 폭에서 기준 펄스 폭 만큼 축소시키는 감쇄 라인; 상기 지연 라인의 출력단 및 상기 감쇄 라인의 출력단 중 어느 하나의 신호를 스테이지 출력 신호로 선택하는 멀티플렉서; 및 상기 감쇄 라인 출력단 신호의 변화에 따라 전환되는 신호를 상기 멀티플렉서의 제어 신호로 인가하는 플립플롭을 포함한다. 해당 기술에의하면, 시간 디지털 변환기의 구조를 파이프라인 구조로 설계하고 각 스테이지의 설계를 새롭게 함으로써, 순환식 시간 디지털 변환기에 비해 동작 시간을 현저히 줄일 수 있고, 전력 소모도 감소시키며, 면적 또한 줄일 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법

하이브리드 나노임프린트 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법이 제공된다.해당 기술에따르면 전자빔 리소그래피를 사용하지 않고서도 정밀한 나노패턴을 형성할 수 있으며, 한번의 공정을 통해 나노패턴과 마이크로 패턴을 동시에 형성할 수 있어 공정효율이 우수하고, 소프트 리소그래피를 결함함으로써 나노재료로 이루어진 패턴이 통합되어 있는 전자소자를 우수한 공정효율로 제작할 수 있다.

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고려대학교
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2009-01-22
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피디엠에스 레이어를 이용한 심전도용 전극

해당 기술은 심전도 작성이나 신체의 상태 측정을 위하여 사용되는 전극에 관한 것으로 특히, 인체에 무자극인 PDMS(polydimethylsiloxane)를 활용한 PDMS 레이어를 이용한 심전도용 전극에 관한 것이다.해당 기술은 장시간 착용하더라도 피부에 부작용을 일으키지 않으며, 전극을 도전 젤리를 사용하지 않는 건식 방법으로 사용할 수 있도록 하기 위한 것으로, 이를 위하여 피부에 접촉 시 피부의 체액 혹은 분비액 등 수분에 의하여 금속원소의 총 유리량이 적은 금속으로 된 전극을 인체에 자극을 주지 않는 PDMS 소재의 레이어 위에 접착하되, 그 높이가 지지층에 의하여 돌출되도록 하고, 지지층의 양측에 통기성 소재의 직물 밴드나 벨트 등의 조임 수단을 부착, 고정하여 줌으로써, 신체의 해당 부위에 형성되는 활동 전류를 측정할 수 있도록 한 것이다.이에 따라 해당 기술은 신체의 해당 부위 피부가 돌출된 전극에 의하여 밀착되어 접촉됨에도 불구하고 피부에 일체의 부작용을 일으키지 않게 되므로, 별도의 도전 젤리를 사용할 필요가 없게 되어 심전도 작업이 간편하게 되고, 전극을 장시간 착용하더라도 피부의 가려움증이나 염증 반응을 유발하지 않으므로 민감성 피부를 가진 환자나 전극을 장시간 착용하여야 하는 중환자를 포함한 각종 환자들에게 안심하고 사용할 수 있게 되는 유용한 효과가 있으며, 전극 착용 상태에서 정상적으로 활동을 하면서 장시간 모니터링 하는 등의 용도로 활용할 수 있게 되는 효과가 있다.

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고려대학교
등록일
2009-01-22
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3상 교류 전동기 전력 공급 회로의 접촉 불량 검출 장치, 방법 및 상기 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 매체

3상 교류 전동기 전력 공급 회로의 접촉 불량 검출 장치, 방법, 및 상기 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능한 프로그램을 기록한 매체가 개시된다. 3상 교류 전동기 전력 공급 회로의 접촉 불량 검출 장치는 상전류 측정부, 역상 전류 산출부, 및 접촉 불량 검출부를 포함한다. 상전류 측정부는 3상 교류 전동기의 상전류를 측정하고, 역상 전류 산출부는 측정된 상전류를 이용하여 역상 전류 산출하며, 접촉 불량 검출부는 역상 전류가 존재하는 경우 역상 전류와 소정의 대응관계에 있는 상전류의 상을 접촉 불량이 발생한 상으로 확인한다. 이러한 구성에 의해 전동기를 멈추지 않고 기기의 운전 중에 접촉 불량의 검출을 수행할 수 있으며, 많은 계산량을 요구하지 않으면서도 간단하게 접촉 불량의 존재 여부뿐만 아니라 접촉 불량의 위치까지 확인할 수 있게 된다.

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고려대학교
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2009-01-22
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고주파 소자용 SiGe 이종접합 에피공정 기술

SiGe 고주파 반도체 소자 제작에 필요한 SiGe/Si 이종접합 에피성장 및 고온 실리콘 에피성장 그리고 실시간 도핑된 실리콘 다결정 박막성장의 공정기술임 □ 실시간 n-형 도핑된 Si 다결정 박막성장 공정기술 전수 - 실리콘 기판을 습식식각으로 세척하여 표면을 청결하게 하고, - 에피성장 시스템 (AP/RPCVD system)에 로드락 챔버를 통하여 실리콘 기판을 장입하고, - 챔버 내의 온도를 성장온도로 조절한 다음, - SiH4, PH3 가스의 주입량과 챔버 압력을 조절하여 n-형 불순물의 함량을 결정하고. - 단순하고 정확하게 실시간 n-형 도핑된 Si 다결정층을 성장하는 공정으로 - 성장이 완료되면 실리콘 기판을 성장시스템에서 제거하고, - 박막성장 공정기술에 관련하여 소자에 응용하는데 필요한 물성의 평가를 위하여 전기적, 물리적, 광학적 측정분석을 하고, - 신뢰성과 uniformity에 대한 기술검증을 제공함 <활용방안 및 기대성과> - 에피성장에 대한 공정기술을 적용하여 통신용 반도체 소자를 개발하고, 전수업체의 신뢰성 Test를 거쳐 양산화로 성공시킴으로써 국내에서 고주파 실리콘-게르마늄 반도체의 국내 산업기반을 조성함 - SiGe 에피기술을 이전받고, 필요한 시설과 장비를 추가적으로 구축한다면 RF통신용 HBT 단위소자는 물론 RFIC, 발광소자 기술로 빠르게 발전하여 고부가가치 통신부품의 국산화로 연계할 수 있음 - SiGe 이종접합의 에피성장에 대한 공정기술은 향후에 SiGe 고주파 소자를 제작하는데 사용될 수 있어 다양한 RF&광 통신용 고속-고성능 반도체 소자의 국산화에 기여할 수 있음 - 통신용 SiGe 반도체 소자는 0.1불 정도이므로, 5,000만대의 기기에 0.1불인 소자가 2개씩 장착된다면 가격만 1,000만불(100억원) 이며, 그 중에서 10%를 생산하여 공급할 경우 국산화를 통하여 연간 10억원대의 수입대체 효과를 낼 수 있고, 핵심부품의 수입가격을 하락 시킬 수 있어서 국익에 대한 파급효과가 큼 - 반도체 소자의 개발에 성공하여 수익성이 증빙될 경우 국내기업이 사업에 투자할 가능성이 높아, 고주파통신 시장이 급격히 커지는 상황에서 바람직함

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한국전자통신연구원
등록일
2009-01-22
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음향 지향 제어용 초박형 저전력 마이크로 스피커 소자 및 스피커 어레이 제작 기술

저전력 압전 마이크로 스피커 제조 기술 및 이를 이용한 방향지향성 마이크로스피커 어레이 제작 기술 초박형, 저전력 마이크로 스피커 소자를 제작하는 기술과 이 스피커 어레이 시스템을 통한 개인음향공간 형성을 위한 음향지향제어기술 이전을 통해 양산시스템을 갖는 업체로 하여금 스피커 소자 및 지향성 스피커 유닛 사업화 할수 있도록 함 휴대단말기의 다기능화에 따른 사용하는 시간이나 횟수 증가되고 있고 이에 따라 스피커 유닛의 전력소량이 증가되는데 반해 기존의 스피커는 전류구동형으로 전력소모가 크므로 이를 대체하는 저전력 마이크로 스피커 소자 양산화가 절실히 필요 Game, DMB, MP3등 이용시 주변에 영향을 주지 않는 개인음향공간 형성 기술에 대한 필요성이 증가하므로 마이크로 스피커 어레이 시스템을 통한 개인음향공간 형성 기술을 휴대단말기에 적용하는 것이 필요 휴대단말기의 초박화 흐름에 따른 초박형 마이크로 스피커 소자 제작 기술을 통하여 기존의 스피커를 대체하는 초박형 마이크로 스피커 양산이 필요<활용방안 및 기대성과>- 저전력 마이크로 스피커 유닛을 통한 휴대단말 사용시간 확대 - 초박형 마이크로 스피커 유닛을 통한 휴대단말기의 초박화 기술 가속 - 음향지향 제어를 통한 개인음향공간 형성기술을 이용하여 이어폰을 끼지 않고도 주변에 피해를 주지 않고 소리를 청취 가능 - TV나 Notebook 모니터에 스피커 어레이를 적용하여 개인음향공간 형성 하는 서비스

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한국전자통신연구원
등록일
2009-01-22
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고비표면적의 다공성 전극의 제조 방법

해당 기술은 다공성 전극의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 (a) 활성 탄소, 전도성 입자 및 고분자 바인더를 포함하는 물질을 유기용매와 혼합하여 전극 슬러리를 제조하는 단계; (b) 상기 전극 슬러리를 집전체에 도포하는 단계; 및 (c) 상기 전극 슬러리가 도포된 집전체를 비용매에 침지시켜 고분자 바인더의 상전이 및 유기용매를 제거하는 단계;를 포함하여 제조되는 특징이 있다. 해당 기술의 제조방법은 고분자 바인더의 상전이(solidification) 및 유기용매의 액상 분리를 통해 전극에 기공을 형성함으로써 전극의 비표면적을 획기적으로 증가시킬 수 있어 큰 축전 용량을 가지는 장점이 있다. 전극에 형성되는 기공의 양 및 기공의 크기를 손쉽게 조절할 수 있는 장점이 있으며, 균일한 분포의 기공을 얻을 수 있는 장점이 있다. 또한 전극의 전기 저항이 작으며, 대면적의 전극에서도 균일한 전기장이 형성되며, 전극 자체가 높은 물리적 강도를 갖는 장점이 있으며, 제조된 전극이 높은 탄성을 가지기 때문에 임의의 형상의 전극 또는 전기화학 셀을 제조할 수 있는 장점이 있다.

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(재)충남테크노파크
등록일
2009-01-28
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

통신망을 통해 레이드 시스템을 원격으로 관리하는 방법

해당 기술에 의하면, 호스트 시스템에 접속한 사용자가 상기 통신망을 통해 상기 레이드 시스템에 접속하고, 사용자의 요청에 의해 상기 레이드 시스템의 구성, 운영 상태, 사용자 관리 혹은 레이드 시스템의 유지 보수에 대한 데이터를 포함하는 정보를 요청하는 시스템 커맨드를 레이드 시스템에 전송하며, 시스템 커맨드를 수신한 레이드 시스템에서 시스템 커맨드에 대한 응답으로 레이드 시스템의 상태를 포함하는 응답 메시지를 호스트 시스템으로 전송하며, 호스트 시스템에서 응답 메시지를 수신하여 그 응답 메시지가 커맨드에 대응되는 응답 메시지이면 응답 메시지에 포함된 레이드 시스템에 대한 정보를 레이드 시스템의 상태에 따라 상기 사용자, 상기 사용자를 포함하는 상기 호스트 시스템에 접속한 사용자 혹은 다른 호스트 시스템에게 출력하여, 원격으로 레이드 시스템을 관리할 수 있다.인터넷과 같은 통신망을 이용하게 되어 기존의 레이드 시스템의 공간과 시간의 제약을 해결할 수 있어 관리자가 시간과 장소에 구애 없이 레이드 시스템의 상태를 검사하고 문제가 발생되면 즉각 대처할 수 있는 환경을 만들어 준다. 또한 여러 레이드 시스템의 관리를 단일의 공통된 환경으로 할 수 있어 통합 및 관리 기능이 향상된다.

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(재)충남테크노파크
등록일
2009-01-28
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플라이백 컨버터를 이용한 능동 전류 바이어스 방식 커런트 미러 회로

해당 기술은 정전류원을 공급하는 Current mirror 회로에 관한 것으로, 특히 Flyback Converter와 PWM 제어회로에 의하여 스위칭되는 수단을 이용하여 높은 전압, 대전류를 형성할 수 있도록 한 능동전류 바이어스 방식을 개시함. 이를 위하여 마스터 트랜지스터와 슬레이브 트랜지스터의 에미터에 전원을 연결하고, 슬레이브 트랜지스터의 콜렉터는 부하에 연결되며, 마스터 트랜지스터의 콜렉터에 플라이백 트랜스의 1차측 권선 및 PWM 제어부로 제어되는 스위칭 수단 및 검출저항을 연결하고, 플라이백 트랜스의 이차측은 다이오드를 통하여 마스터 트랜지스터와 슬레이브 트랜지스터의 에미터에 연결되도록 하여서 된 것임. 해당 기술은 효율이 낮고, 제어 가능 전류가 극히 제한되며, 제어 전압도 낮을 수 밖에 없는 저항 성분에 의한 전류 방식이 아닌 플라이백 컨버터를 이용한 PWM 제어 회로에 의한 스위칭으로 높은 전압과 큰 전류를 스위칭 할 수 있으므로, 슬레이브 트랜지스터에 연결된 여러 부하에 동일한 대전류, 고전압을 공급해야 하는 회로 등에서 여유 있는 최대값의 범위에서 일정하게 조절 할 수 있게 되는 유용한 효과가 있음. 또한, 해당 기술은 플라이백 컨버터의 2차측 권선에 의하여 역기전력을 이용하여 전원으로 활용할 수 있는 것이어서, 주 전원부의 전력 소비량을 절감할 수 있는 경제적 효과를 얻을 수 있음.

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(재)충남테크노파크
등록일
2009-01-28
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