일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
일반적으로 다른 연료에 비해 석탄이나 유류에는 원소 수은이 많이 함유되어 있으며 이러한 연료의 연소시에 원소 수은은 승화되어 배기가스와 함께 대기중으로 배출되는 것으로 알려져 있다. 대기중에 배출된 수은이 원소의 형태로 일단 물이나 지면에 축적되면 곧 메틸화되어 메틸수은의 형태로 존재하게되며, 이는 원소수은보다 더 큰 독성을 가지므로 토양 오염 및 해양 오염을 일으키게 된다. 특히, 해양먹이사슬에 심각한 악영향을 미치게 되며, 부연하면, 어패류가 유기 수은으로 오염되고 이를 섭취하는 고등 포식자의 체내에 수은이 농축되는 결과를 초래하므로 인간이 이러한 오염된 어패류를 섭취하면 체내에 수은에 축적되어 중추신경계가마비되는 미나마타병 등을 유발할 가능성이 크다. 메틸수은은 평균 70∼80일간의 잔류시간을 가지며 잔류 메틸수은은 혈관과 뇌를 포함하는 모든 인체 조직으로 흡수된다. 본 기술은 펄스 코로나 방전 플라즈마를 이용한 혼합기체로부터의 원소수은의 선택적인 분리방법에 관한 것이며 더욱 상세하게는, 다양한 연료를 사용하는 발전소 제철소 및 석유화학 공장 등과 같은 대규모 설비의 가동에 수반하여 배출되는 배기가스 중에 함유된 유해 중금속, 특히 수은을 펄스 코로나 방전 플라즈마 장치를 이용하여 선택적으로 제거하는 분리방법인 것이다.본 기술은 발전소 등과 같은 대규모 환경오염물질 배출원의 배기가스 중에 함유된 중금속 특히, 수은을 선택적으로 제거하는 방법에 대한 것으로서, 그 구성은 펄스 코로나 방전을 통해 플라즈마를 생성하는 단계와, 펄스 코로나 방전 플라즈마 장치를 이용하여 원소상태의 승화성 수은으로부터 산화수은을 만드는 단계와, 이를 습식탈황장치를 이용하여 효율적으로 용이하게 분리하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이와같이 발전소, 제철소 및 석유화학 공장 등과 같은 설비의 가동에 수반하여 배출되는 배기가스 중에 함유된 유해 중금속, 특히 승화성 원소수은 은 승화성이 커서 대기 수분 또는 토양에 존재하게 되면 결국 인체나 동물의 체내에 흡입 축적됨으로써 먹이 사슬을 통해 수은 중독을 유발하고 인체에 치명적인 영향을 미치는 물질로 알려져 있어 취급에 많은 문제점이 있었으나 본 기술에 따른 펄스 코로나 방전 플라즈마 산화처리 단계를 통해 간편하고도 안전하게 제거하는 것이 가능하므로 이용 가치가 매우 높다. 본기술명에 따른 펄스 코로나 방전 플라즈마 산화처리 단계는 원소수은을 펄스 코로나 방전 플라즈마 발생장치를 통해 산화시켜 수용성인 산화수은을 만든 다음 습식 처리 단계에서 제거하기 때문에 원소수은에 의한 수은중독의 우려를 효율적으로 제거할 수가 있다.
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- 2006-03-14
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
일반적으로 가공선로의 구성은, 실제 수용가에 공급되는 전력을 수송하기 위한 전력선과, 낙뢰로 인해 전력선에 유기되는 뇌전압을 감소시키기 위한 가공지선 으로 구성되어 있으며, 가공선로를 지지하기 위한 장주는 상기 전력선의 지지방식에 따라, 크게 지지형 장주와 내장형 장주 두가지로 나뉘어 질 수 있는데, 상기 두가지의 장주 중에서 내장형 장주는, 하나의 연속적인 전선으로 되어 있는 상기 가공선로로부터 소정 길이만큼 절단해낸 후, 가공선로를 지면으로부터 소정 높이 위에 이격위치시키기 위한 철탑 장주의 양측에서, 절연성 애자련의 끝단에 구비된 내장 클램프를 통해 상기 가공선로의 각 절단부를 각각 고정지지하고 , 고정지지된 가공선로를 상호 전기적으로 접속하기 위하여 양측 가공선로에 각각 연결되는 점퍼선을 구비된 구성으로 이루어진다.본 기술은 점퍼장치와 철탑암 사이에 섬락현상을 유도시킬 경우, 애자장치 금구류의 코로나 현상을 방지하고, 전선인접 애자의 열화를 방지할 수 있도록 한 구성된 기술이다.본 기술은 내장형 장주에 일단이 지지연결된 애자련의 타단 외측을 둘러싸는 쉴드링 본체와 쉴드링 본체에 일단이 고정된 지지수단이 구성되고, 지지수단의 타단에 구비되되, 애자련의 타단이 연결된 외부 요크에 착탈자유롭도록 부착결합되는 부착수단을 포함하여 구성으로 이루어진다.이와같은 구성으로 본 기술은 송전선로 내장철탑의 양측 애자장치에 연결되어 애자의 분단전압을 균등하게 해주고, 전선지지용 금구류에서 발생할 수 있는 코로나 현상을 방지하는 것은 물론, 애자의 오손으로 인한 전기적 섬락 사고시 아크에 의해 애자가 파손되는 것을 방지할수 있도록 하였다.
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- 2006-03-14
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
최근 VLSI 기술이 발달함에 따라 디지틀 시스템뿐만 아니라 아날로그 시스템도 함께 집적화함이 필요하게 되었다. 이는 디지털 기술이 더 이상 컴퓨터와 같이 국한된 장소나 용도에만 사용되는 것이 아니라, 떨어진 장소간의 통신방식이나 사용자 접속부의 인간화 혹은 신경망의 구현이라는 새로운 분야등으로 종합적 적용이 요구되기 때문이다. 이러한 배경에서 고전적인 의미의 연산이라는 측면과 실제 외부와 접속 혹은 모의구현이라는 측면에서 기존 VLSI 기술의 주종인 디지틀 회로 혹은 시스팀의 한계가 나타나고 있다. 이는 기존의 VLSI 기술로 모든 신호처리 과정의 기본이 되는 곱셈기능 구현에 있어, 소요 칩 면적의 엄청난 증가와 동기식 동작에 따른 속도제한이라는 문제점이 생기기 때문이다. 한편, 현재까지의 아날로그 집적회로 방식은 제한된 정밀도와 설계의 난이도 때문에 일반적으로 VLSI화에 어려운 문제점이 있다. 따라서 본 발명은 디지털 시스템 구현에 유리한 기존의 VLSI 기술과 새로운 아날로그 집적회로로 높은 정밀도의 곱셈 연산기능을 함께 제공하여, 새로이 요구되는 종합적 적용 분야에 존재하는 종래의 문제점을 해결할 수 있도록 한 것이다.본 발명은 곱셈연산기에 있어서, 대칭형 입력전압에 따라 전류 미러에 의해 MOSFET 오프셋 전압을 상쇄시켜 전체전류가 선형적으로 변화하게 하는 MOSFET 저항성 제어형 선형수단과, 상기 MOSFET 저항성 제어형 선형수단과 접지간에 접속되는 임피던스소자로 구성되는 것을 특징적인 기술내용으로 담고 있다.이러한 본 발명에 의하면 높은 정밀도의 곱셈연산 기능을 수행할 수 있을뿐 아니라 신경망 구현에 효과적인 아날로그-디지틀 혼합형의 인공신경고리를 제공하여 차세대 컴퓨터 구현을 가능케 할 수 있다.
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- 2006-03-14
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 기술은 Co/Cu 다층박막 자기저항 재료를 구비한 자기저항 소자에 관한 것으로, 거대 자기저항을 유지하면서 낮은 포화저장을 갖도록 하는 구조의 자기저항 소자에 관한 것으로서, 일반적으로 자기저항 재료의 특성은 자기저항 재료의 자기저항 이력곡선과 특성 비교 그래프로 판별된다. 자기저항효과는 자기장의 변화에 따른 전기저항의 변화율로써 나타내는데 다음과 같이 정의한다.자기저항효과(%)=(Rmax-Rmain)/Rmin×100여기에서 Rmax는 최대저항, Rmin는 최소저항을 나타낸다. 또한 포화자장은 전기저항이 최소값에 이르는 문턱자장을 나타낸다.종래의 자기정보 해독장치로는 유도방식 헤드와 Fe-Ni, Ni-Co 등의 합금 재료를 이용한 자기저항 소자가 있다.유도방식 헤드의 경우, 자기기록 밀도가 수 Giga bit/in2로 초고밀도화되면 정보해독 능력이 현저히 감소할 뿐만 아니라, 출력이 기록매체와의 상대속도에 의존하므로 소형 HDD(Hard Disk Driver)에서는 출력이 너무 낮아지는 문제점이 있다.또한 하이웰(Honeywell)에 의해 개발된 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)비휘발성 기억소자의 경우, 2%정도의 낮은 자기저항비로 인해 호출 속도가 매우 느리며, 이를 보상하기 위한 방법으로 여러 개의 단위 소자를 연결하는 방법을 제안하였으나 이로 인한 집적도의 손실이 너무 큰 것이 문제점이다.한편, 최근에 발견된 인공초격자에서 나타나는 거대 자기저항 현상은 수십 %의 높은 자기 저항 변화율을 보이나, 이러한 거대 자기저항 효과를 얻기 위해서는 수백~수천 Oe정도 이하의 누설 자계를 감지해야 한다는 점을 감안하면 포화자장이 너무 큰 것이 문제점이다.합금 자기저항 재료의 낮은 자기저항 효과로 인한 산업상의 문제점을 극복하고, 기록정보의 초고밀도화와 자기정보 기록매체의 초고밀도화와 자기정보 기록매체의 소형화로 인한 유도방식 헤드의 문제점을 근원적으로 해결하며, 비휘발성 기억소자의 호출속도를 증가시키고 집적도를 향상시키기 위하여 100 Oe이하의 낮은 자장 범위에서 20% 정도의 높은 자기저항 값을 갖는 다층구조의 고감도 자기저항 소자를 제공하는데 그 목적이 있으며, 이 목적을 달성하기 위하여 본 기술의 자기저항 소자는 실리콘 기판, 실리콘 기판 상에 형성되는 Cu-Ni 층 및 Cu-Ni 층상에 형성되며, Co층과 Cu층이 교대로 다수번 적층된 다층구조의 자기저항층을 구비하는 것을 특징으로 한다
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- 2006-03-14
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
일반적으로 초고압 가공선로의 구성은, 실제 수용가에 공급되는 전력을 수송하기 위한 전력선과, 낙뢰로 인해 발생되는 피해를 감소시키기 위한 가공지선으로 구성되어 있다. 이와같이 구성된 가공선로를 지지하기 위한 철탑에는 전력선의 지지방식에 따라, 크게 현수형 철탑과 내장형 철탑 두가지로 나뉘어 질 수 있는데, 두가지의 철탑 중에서 내장형 철탑은, 하나의 연속적인 전선으로 되어 있는 가공선로로부터 소정 길이만큼 절단해낸 후, 가공선로를 지면으로부터 소정 높이 위에 이격위치시키기 위한 철탑 장주의 양측에서, 절연성 애자에 구비된 내장 클램프를 통해 가공선로의 각 절단부를 각각 고정지지하는 한편, 고정지지된 가공선로를 상호 전기적으로 접속하기 위하여 철탑 장주 양측에 고정된 가공선로에 각각 연결되는 점퍼선을 구비하고 있다.본 기술은 6도체 방식의 가공송전선로 내장애자장치에서 6개 전선을 모두 지지할 수 있고, 아울러 점퍼장치도 지지할 수 있다.본 기술을 보면 상하 양끝단부에 각각 삼각요크를 연결시키는 삼각요크 연결부와 점퍼장치 결합용 연결구멍을 설치하고, 중앙위치에 삼각요크 연결부를 설치한 수직부재 및 수직부재의 중앙위치에서 십자모양으로 돌출형성되고, 그 십자모양에서 직교하는 두 길이 방향중 보다 긴 길이 방향쪽의 양끝단에 애자련 지지요크를 결합하는 결합용 연결구멍이 형성된 수평부재를 포함한 구성으로 이루어진다.이와같은 구성으로 이루어진 본 기술은 지지되는 6도체 전선의 인장력을 한 곳에 집중시킴으로써, 애자련 지지요크와 삼각요크의 연결이 보다 용이하며, 또한 수직부재가 상하 대칭구조로 되어 있어서 설치작업시 상하방향을 구별할 필요가 없이 간편하게 설치할 수 있게 되었다.
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- 2006-03-14
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
일반적으로 각 수용가에 공급되는 전력의 대부분은 도시와 교외 등 거의 모든 지역에 걸쳐 포설되어 있는 송전선로를 통하여 이루어지고 있는데, 이러한 송전선로의 종류에는 땅속에 직접 전력선을 매설하는 지중선로와, 콘크리트 장주 및 절연애자를 이용하여 지상에서 소정 높이 위의 공중에 전력선을 지지설치하는 가공선로 두가지가 있으나, 이중에서 지중선로는 부가적인 보조장치들이 필요치 않아서 설치가 간단하다는 장점은 있지만, 별도의 절연 매개물 없이 땅속에 매설되어 대지와 직접 접촉되므로, 매설되는 전력선 자체적으로 써어지 전압 및 상용주파수 전압에 대한 절연이 가능하도록 제조해야 하기 때문에 고가의 비용이 든다는 문제점이 있어서, 현재는 가공선로가 송전선로의 주류를 이루고 있으며 앞으로도 가공선로의 비율이 지속적으로 높아질 것으로 예상되고 있다.본 기술은 바람에 의한 횡진동 등 외부로부터의 불균형 요인 발생시에도 연결된 3개의 애자련 각각에 균일한 하중이 부담될 수 있도록 한 것이다.본 기술은 각기 양 끝단부에 애자련 결합구멍이 형성되고 상호 이웃하게 설치되고, 그 각각의 양 끝단부중 이웃하는 끝단부의 애자련 결합구멍이 상호 중첩되게 설치되어, 그 애자련 결합구멍을 통해 3개의 애자련과 상호 결합되는 동일 크기의 요크가 구성되며, 요크에각기 착탈가능하게 일단이 결합되고, 각각의 타단은 외부 전선 지지금구에 결합되는 금구연결수단으로 구성되어 있다.이와같은 구성으로 이루어진 본 기술은 3련 내장애자장치에 있어서 바람에 의한 횡진이나 불평균 하중이 작용할 경우에도 각각의 애자련에 작용하는 하중을 균일하게 분담시켜 애자련 또는 전선 지지금구의 파손을 방지하고, 단조나 주조 등에 의한 복잡한 제작과정 없이, 일반 철판의 절삭 및 가공만으로도 제작이 가능하도록 설계되어 제작이 간편한 것은 물론, 아킹링도 자체적으로 용이하게 부착가능하여 설치작업이 간편하다.
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- 한국전력공사
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- 2006-03-14
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
일반적으로 최소 방전전력 50 W/cc 이상에서 황 방전구에 특정영역의 파장대의 방전광을 발생시키는 첨가물질을 황에 첨가함으로써 상관색온도를 조절하는 방법과, 방전광의 분광분포는 방전시 방전구의 온도에 따라 바뀐다는 사실을 이용한 것으로, 방전광의 분광분포 또는 광도를 측정하여 이 값을 기준으로 방전구 냉각용 압축냉각공기를 조절하고, 그 결과로 방전구의 온도를 변화시킴으로 써 한 개의 무전극 전등으로 상관색온도를 가변할 수 있다. 방전광이 특정한 파장대만을 통과시키는 필터를 통과하게끔 만들어 상관색온도를 조절하는 방법이 있다.본 기술은 무전극 황전등의 푸른색 계열의 방전광은 약화시키고 녹색에서 붉은색 영역을 형광으로 보강하여 전체 무전극 황전등의 상관색 온도를 조절하므로서 다양한 용도로 활용할 수 있도록 한 것이다.본 기술은 황 방전등의 방전구의 내벽에, 조명광의 파장을 변화시키는 매체로서 340 nm에서 550 nm 사이의 빛을 받아 500 nm에서 650 nm 사이의 형광을 방출하는 형광체를 황과 함께 봉입하여 도포한 후, 방전구가 물렁해지는 연화점까지 가열하여 형광체가 물렁해진 방전구 내벽으로 침식되어 고정되도록 처리하거나 형광체 위에 SiO 2 나 Al 2 O 3 박막을 코팅하여 처리하는 기술이다.이와같은 방법으로 된 본 기술은 형광체를 도포 또는 첨가함으로써 시감효능의 현저한 저하 없이 무전극 황전 등의 분광분포를 임의로 조절하여 상관색온도를 폭넓게 변화시킬 수 있어 다양한 분위기의 연출이 필요한 스튜디오나 백화점 등에 상관색온도 가변 무전극황전등을 쓸 수 있다.
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- 2006-03-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
종래의 안전시스템은 일단 "방범"기능을 '온'한후에는 센서가 물체의 이동을 감지하면 즉시 경보음을 울리거나 지정된 장소로 이를 통보하여 적절한 보안조치를 취하도록 하였다. 외부인의 침입과 내부인의 이동을 구별할 수 없었기 때문에, 일단 "방범"기능이 '온'된 상태에서 내부인이 센서에 감지되어도 즉시 경보음이 울려 불필요한 경보가 발생하는 문제점이 있었다. 종래의 문제점을 해결하기 위하여 내부인의 이동과 외부인의 침입을 구별할 수 있는 개선된 안전시스템을 제공하는데 있다.상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안의 장치는 소정의 출입수단의 외부와 내부에 각각 설치되어 물체의 이동을 감지하는 적어도 한 쌍 이상의 센서부: 상기 센서부의 출력을 수신하여 겸파하는 고주파 수신기: 상기 고주파수신기의 출력을 입력하여 상기 센서부에서 감지된 물체의 이동순서가 상기 출입수단을 기준으로 내부에서 외부이면 내부인으로 판단하고, 외부에서 내부이면 외부인으로 판단하며, 상기 판단이 외부인이면 소정의 경보수단을 발생하도록 하는 제어신호를 출력하는 중앙처리장치부 : 및 상기 중앙처리장치부의 제어에 따라 경보음을 울리거나 지정된 장소로 외부인의 침입을 통보하는 경보처리부를 구비한 것을 특징으로 한다. 외부센서가 먼저 물체를 감지하고 이어서 내부센서가 물체를 감지하면 물체의 이동방향이 외부로부터 내부인 것을 알수 있고, 반대로 내부센서가 먼저 동작하고 이어서 외부센서가 동작하면 이동방향이 내부에서 외부인 것을 알 수 있다. 따라서 내부에서 외부로의 이동은 내부인의 이동으로 판단하고, 외부에서 내부로의 이동은 외부인의 침입으로 판단하여 경보를 발생한다. 또한 내부에서 내부로의 이동은 내부인의 이동으로 판단하여 경보를 발생하지 않도록 한다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 고안은 제어장치의 이상상태 감시장치에 관한 것으로서, 특히 로보트등과 같은 장치를 프로그램에 따라 전반적으로 제어하는 시스템콘트롤러에 이상상태가 발생되었을 경우 이를 감지하여 시스템의 동작을 정지시킴으로써 인명피해가 발생하는 것과 주변장치나 로보트가 파괴되는 것을 미연에 방지할 수 있기 위하여, 기준클록신호를 출력하는 기준신호출력회로와, 상기 기준신호출력회로로부터 기준클록신호를 받아서 정상적인 제어신호를 출력하는 시스템콘트롤러와, 상기 시스템콘트롤러에서 출력되는 제어신호를 입력받아서 상기 시스템콘트롤러가 정상상태일 경우 정상상태를 표시하는 정상상태표시신호를 출력하고 상기 시스템콘트롤러에 이상이 있을 경우 이상상태표시신호를 출력하는 펄스감시회로와, 상기 펄스감시회로로부터 출력된 정상상태표시신호를 입력받아서 시스템을 정상적으로 유지시키고 상기 펄스감시회로로부터 출력된 이상상태표시신호를 입력받아서 시스템의 동작을 정지시키는 제동수단으로 이루어진 것을 특징으로 한다.기준클록신호를 출력하는 기준신호출력회로와, 상기 기준신호출력회로로부터 기준신호를 받아서 정상적인 제어신호를 출력하는 시스템콘트롤러와, 상기 시스템콘트롤러에서 출력되는 제어신호를 입력받아서 상기 시스템콘트롤러가 정상상태일 경우 정상상태를 표시하는 정상상태표시신호를 출력하고 상기 시스템콘트롤러에 이상이 있을 경우 이상상태를 표시하는 이상상태표시신호를 출력하는 펄스감시회로와, 상기 펄스감시회로로부터 출력된 정상상태표시신호를 입력받아서 시스템을 정상적으로 유지시키고 상기 펄스감시회로로부터 출력된 이상상태표시신호를 입력받아서 상기 시스템의 동작을 정지시키는 제동수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 제어장치의 이상상태감지장치.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
일반적으로 실린더형 전극의 플라즈마 배연처리장치의 반응기에서 전기방전 플라즈마 배연처리용 실린더 전극의 구조는 실린더 내부에 설치되어 접지 역할을 수행하는 실린더형 접지전극과, 그 실린더 내부에 설치된 핀형 방전전극으로 이루어진다. 그리고 배기가스가 두 전극사이로 흐르게 하여 전기방전이 실린더 내부에서 일어나도록 하였다. 본기술은 발전, 제철, 소각 등 각종 연소공정에서 배출되는 산성 배기가스의 주성분인 황 및 질소산화물을 정화하는 전기방전에 의한 플라즈마 배연 처리장치에서, 반응기 내부에 설치되는 핀-실린더형 전극의 구조를 변경하여 배기가스의 흐름과 배기가스의 냉각을 탄력적으로 수용하고, 처리하고자 하는 효율에 따라 전극의 수 조정이 용이하게 하는 기술이다.본 기술은 전기방전 반응기내에 유입되는 산성 배기가스를 핀형 방전전극과 실린더형 접지전극사이의 전기방전에 의해 그 산성 배기가스에 포함되어 있는 황산화물과 질소산화물을 건식으로 제거하는 플라즈마 배연처리장치에서, 핀형 방전전극이 실린더형 접지전극의 외부에 설치되고, 접지전극과 방전전극이 서로 일정한 거리를 두고 마주하면서 전기방전 반응기 상부에 고정되게 설치되어, 전기방전 반응기내로 유입되는 배기가스가 그 진행방향을 그대로 유지하여 전기방전 반응기내에서 흐를 수 있도록 구성으로 이루어진다. 또한, 본 기술에 의하여 방전전극을 접지전극 외부로 배치함으로서 실용화시 배기가스의 흐름의 방향을 반응기에 유입되는것과 같이 수평방향으로 유지할 수 있을 뿐 만 아니라, 유입 배기가스의 오염물질과 배출 농도에 따라 배치 전극 수의 변경이 가능하므로 장치 설계가 용이하다.
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- 한국전력공사
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 기술은 BiFET 및 그 제조방법 중 선택적 에피택시 성장법을 이용하여 형성된 J-FECFET과 HBT를 한 기판위에 집적해서 BiFET는 한번의 에피성장으로 각 층들이 형성될 때 각각의 소자가 최적의 성능을 보이기 어려웠으며, 제작 공정이 복잡하여 수율이 떨어지며 재현성이 낮은 문제점을 선택적 에피 성장법에 의해 개선하여, 각 소자의 동작 특성을 향상시키고 ,제작 공정이 간단하고 재현성이 우수한 이종 접합 바이폴라 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터가 하나의 기판 상에 편성되어 있는 BiFET의 제조방법이다.이종접합 바이폴라 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터가 하나의 기판상에 편성되어 있는 바이 펫에 있어서, BiFET은, 반절연 반도체 기판 한쪽에 형성되어 있는 HBT와, 타측에 형성되어 있는 오믹층과 채널층 및 게이트층 이것의 하부의 일정 두께에 형성되어 있는 삼각 형상의 J-FECFET 공동부를 가진다.HBT와 접합 부동 전자 채널 FET를 형성하되, 반절연 반도체 기판상에 일정 방향의 유전체막 패턴을 형성한 후에 선택적 에피택시 성장 방법으로 오믹층이 되는 서브콜렉터층과, 채널층이 되는 콜렉터층과, 게이트층이 되는 베이스층과, 에미터층 및 에미터캡층을 순차적으로 형성하고, 후속 공정을 진행하여 삼각 형상의 공동을 주요 특징으로 하는 J-FECFET과 통상의 HBT를 집적한 기판이다. 본 기술에 따른 BiFET 및 그 제조 방법은 선택적 에피택시 성장법을 이용하여 형성된 공동을 주요 특징으로 하는 J-FECFET과 통상의 HBT를 한 기판위에 집적하였으므로, 제작 공정이 간단하고 수율이 향상되고 각 소자의 동작 특성이 향상되는 이점이 있다.
- 보유기관
- (주)케이티
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 기술은 화산형 전계 방출 소자 제조 방법에 대한 것으로, 전계 방출 팁은 다이아몬드상 카본을 코팅하여 저항이 낮고 재질이 단단하며 열전도가 좋아 수명이 길어지게 되며, 코팅이 된 팁의 조정 거리에 게이트를 형성하여 낮은 게이트 전압으로 팁에서 방출되는 전류를 조절 가능한 화산형 실리콘 전계 방출 소자 제조 방법이다. 반도체 팁을 형성하여 이 팁의 탑 부위를 산화시켜 다이아몬드상 카본막을 형성하고 이에 절연막을 형성하여 이 절연막 상에 게이트용 금속막을 형성한다. 전체 구조를 덮도록 감광막을 도포하고 금속막이 나타나도록 에치백하여 게이트가 형성될 부위만에 잔류 감광막 패턴을 형성한다.이를 마스트로 하여 노출된 금속막, 절연막을 식각하고 이 패턴을 제거하여 화산형 전계 방출 소자를 제조한다.전계 방출 이극관에 빛이 쪼이면 음극의 팁과 아노드의 비대칭 전기장 때문에 정류 현상이 일어나는데 이 현상을 이용하여 만들어진 초기 방법은 실리콘 전계 방출 팁은 저항이 높고 재질이 무르며 열전도가 나빠 팁의 수명이 길지 못하다. 또한 전계 방출 효과가 떨어지는 문제점이 있었다.본 기술은 앞에서 언급한 문제점을 해결하기 위하여 전계 방출 팁의 재질을 단단하게 하고 열전도를 좋게 하며, 그 형상을 날카롭게 형성하는 화산형 전계 방출 소자 제조 방법을 제공하고, 전계 방출 팁을 게이트에 자기정렬 방식으로 형성되도록 하여 팁에서 방출되는 전류를 게이트 전압으로 조정 용이한 화산형 전계 방출 소자 제조 방법을 제공하는데 있다. 본 기술에 의해 제조되는 화산형 전계 방출 고사의 전계 방출 팁은 다이아몬드상 카본을 코팅하여 저항이 낮고 재질이 단단하며 열전도가 좋아 수명이 길어지게 된다. 또한 코팅 된 팁의 조정 거리에 게이트를 형성하여 낮은 게이트 전압으로 팁에서 방출되는 전류를 조절할 수 있다.
- 보유기관
- (주)케이티
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 기술은 디지털 비디오 레코더(DVR;digital video recorder) 환경에서 압축된 저해상도 영상들을 초해상도 영상으로 복원 및/또는 재구성하는 방법에 관한 것이다.저해상도 영상으로부터 고해상도 영상을 복원 재생하는 방법에 있어서,복수 개의 독립적 블록으로 분할되어 DCT 변환되어 양자화된 저해상도 영상에 대한 DCT 계수의 양자화 잡음을 가우시안 분포를 갖는 이산 변수로 모델링하고, 저해상도 영상들 사이의 부화소 단위의 움직임은 기준 영상을 정한 뒤에 나머지 영상들 사이의 움직임 파라미터를 테일러 급수 전개를 통해 최소자승 추정치를 얻어 추정하고, 고해상도 영상의 사전 지식을 나타내는 평활화 속박 조건을 비정적 가우시안 분포로 나타내어 잡음 평균치가 영(ZERO)으로 하는 적응적 평활화 속박 조건을 인가함으로써 영상의 윤곽선을 보존하면서 압축 잡음을 제거하는 초해상도 영상 복원 방법.초해상도(SUPER-RESOLUTION) 영상 복원 및/또는 재구성 방법에 관한 것으로, 특히 디지털 비디오 레코더(DVR; DIGITAL VIDEO RECORDER) 환경에서 압축된 저해상도 영상들을 초해상도 영상으로 복원 및/또는 재구성하는 방법에 관한 것이다. 디지털 비디오 레코더(DVR) 감시 시스템에서 카메라의 소형화에 따른 광학적 한계, CCD/CMOS 이미지 센서의 화소 수 부족으로 인한 공간 해상도의 한계, 영상 압축, 전송 및 저장 과정에서 발생하는 잡음으로 인한 비디오 시퀀스의 흐림(BLUR) 현상을 제거함으로써, 저해상도 영상(특히, 범인의 인상 착의 또는 자동차 번호판의 숫자)에 고주파 성분을 복원시켜 초해상도의 영상으로의 복원 및 재구성을 가능하게 한다. 그 결과, 디지털 비디오 레코더에 저장된 저해상도의 영상을 사후에 관심 영역에 대해 고해상도로의 확대를 가능하게 하고, 저가의 저해상도 카메라를 사용하여도 고가의 고해상도 카메라를 사용하는 것과 같은 효과를 발생시킨다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 발명은 압전체(piezoelectric material) 및/또는 음극축전기 분기회로를 이용하여 진동 및/또는 소음 등을 다중모드로 감쇠시킬 수 있는 음극축전기 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 가볍고 설치가 용이하고 제조 및 설치단가가 저렴한 압전체 재료를 사용하여 스키, 테니스라켓, 골프채 등과 같은 스포츠용품과 자동차, 선박, 항공기, 우주선 등의 소음과 진동을 다중모드로 감쇠할 수 있는 음극축전기 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 저항 소자와 음극축전기 소자로 이루어진 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 있어서, 힘과 압력 및 스트레스와 같은 기계적 에너지에 의해 진동과 소음을 일으키는 구조물과; 상기 구조물에 부착되며 상기 진동 및 소음으로 인한 스트레스에 의해 전기에너지를 발생하고 소정의 전기에너지가 그 자신에 인가될 때 형태의 변형을 일으키는 압전체; 및 상기 압전체에 연결되어 상기 압전체에서 발생된 전기에너지를 상기 압전체에 피드백시켜 상기 압전체의 변형을 유도하는 분기회로 수단;을 포함하여 된 것을 특징으로 한다.저항 소자와 음극축전기 소자로 이루어진 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 있어서, 힘, 압력 및 스트레스와 같은 기계적 에너지에 의해 진동과 소음을 일으키는 구조물; 상기 구조물에 부착되며 상기 진동 및 소음으로 인한 스트레스에 의해 전기에너지를 발생하고 소정의 전기에너지가 그 자신에 인가될 때 형태의 변형을 일으키는 압전체; 상기 압전체에 연결되어 상기 압전체에서 발생된 전기에너지를 상기 압전체에 피드백시켜 상기 압전체의 변형을 유도하는 분기회로 수단;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 음극축전기 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기.
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
*원리 및 구성상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 물질 및 이를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 하기 화학식 (1) 또는 (2)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질을 제공한다:Bi 4-x R x Ti 3 O 12 (1)Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (2)상기 식에서 R 은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, T는 Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속이고, x= 0.1 ∼ 3이고, y = 0.001 ∼ 3 이다.*개발배경상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 물질 및 이를 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.*중요성 및 독창성비스무스 (Bi), 희토류 금속 (R = Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물), 티타늄 및 선택적으로 전이금속 (T = Ti, Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물)을 함유하고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (x = 0.1 ∼ 3, y = 0.001 ∼ 3)로 상온 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 특징을 가지고 있다.*응용분야본 기술은 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 트랜스듀서 등의 각종 전자장치에 활용할 수 있다.*특징 및 장점-비스무스 (Bi), 희토류 금속 (R = Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물), 티타늄 및 선택적으로 전이금속 (T = Ti, Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물)을 함유하고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (x = 0.1 ∼ 3, y = 0.001 ∼ 3)로 상온 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 효과를 가지고 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
인덕터의 철심구조에 관한 것으로, 이 철심구조는 압연방향에 대해 수평 또는 수직으로 자속이 교차하도록 내측에 중공을 갖는 사각형상의 중공 코어편과, 이 중공 코어편의 일측에서 돌출된 상태로 중공 코어편을 가로지르도록 설치된 봉 형상 코어편으로 인덕터의 철심이 이루어지는 것이다. 그리고, 상기 봉 형상 코어편의 양단부가 절곡형성되어 상기 중공 코어편에 결합되는 봉 형상 코어편이 C자형 철심을 이루도록 된 것이다. 또한, 상기 중공 코어편과 상기 봉 형상 코어편이 결합되는 지점에서 자속이 상기 압연방향과 수직으로 교차함으로써 철손부위가 2개소에서 나타나는 것이다.본 발명은 종래의 기술에 따른 인덕터의 철심구조를 개선하기 위하여 안출된 것으로, 인덕터의 철심에서 발생되는 열손실 부위를 최소화함으로써 인덕터를 사용하는 장치의 효율을 향상시킬 수 있도록 된 인덕터릐 철심구조를 제공하에 그 목적이 있는 것이다. 본 발명의 구조를 갖는 철심을 이용하여 누설용 인덕터를 구성함으로써 방향성 규소강판의 압연방향에 대해 철심의 자속이 수직되는 것을 최소화 할 수 있다. 이에 따라 철심에서 발생되는 철손 즉 인덕터의 열손실을 최소화하며, 상기 열 손실의 최소화로 인덕터의 효율을 향상시키고, 상기 누설용 인덕터가 적용되는 각종 제품의 시스템 효율을 향상시킬 수 있는 것이다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 기술은 게이트 턴-오프 사이리스터(GTO)를 이용한 3레벨 인버터 또는 컨버터용 스너버 회로에 관한 것으로 3레벨 GTO 인버터 또는 컨버터에서 GTO의 턴-온, 턴-오프시 도통 전류의 상승률 및 소자 양단의 전압 상승률을 제한하기 위한 스너버(SNUBBER) 회로에 관한 것이다.일반적으로 GTO는 사이리스터의 일종으로 게이트 단자로 입력되는 신호에 따라 동작되며, 기존의 사이리스터와는 달리 고전압, 대전류를 제어할 수 있고 턴-오프 기능이 있어 대용량 파워 시스템의 전력 변환 장치인 인버터 또는 컨버터의 스위칭 소자로 많이 이용되고 있다. 그 예로 GTO소자의 동작 특성을 이용하여 서로 다른 두가지 또는 세가지의 상태를 출력하는 인버터를 구성할 수 있다. 그러나 GTO소자는 턴-온시 초기 과도한 도통전류가 흐르므로 이를 제한하여야 하며, 또한 턴-오프시에는 GTO양단의 전압상승에 의한 갑작스런 히트 펄스(HEAT PULSE)발진 및 내부 충전 에너지에 의해 GTO가 턴-온되는 것을 방지하기 위하여 전압 상승률을 제한하여야 한다. 이러한 역할을 담당하기 위하여 GTO 인버터 또는 컨버터에서는 스너버 회로가 필요하다.일반적으로 스너버 회로는 GTO 턴-오프시 전압상승률을 제한하기 위한 병렬 캐패시터 및 GTO 턴-온시 전류 상승률을 제한하기 위한 직렬 인덕터로 구성된다.기존 RCD-RLD 구조의 스너버 회로는 회로가 복잡하고 많은 소자가 사용되므로 인버터 또는 컨버터의 회로구성을 복잡하게 한다. 더욱이 회생회로를 구현할 경우 각 암(ARM)당 4개의 회생 회로가 필요하게 된다. 또한 이러한 RCD-RLD구조의 스너버 회로는 내측 GTO소자의 턴-오프 스너버에 과전압 방전 경로가 없음으로 인하여 외측 GTO소자 및 내측 GTO소자간의 저지 전압 불균형 문제를 유발하며, 이러한 전압 불균형은 내측 GTO 소자부에 과도한 스트레스를 유발하여 소자 파괴의 원인이 된다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 기술은 3레벨 GTO 인버터 또는 컨버터에 사용되는 스너버 회로의 구조를 간략화시켜 사용되는 소자의 수를 감소시킴으로써 인버터 또는 컨버터의 가격 및 점유 면적 크기를 소형화할 수 있으며, 사너버 캐패시터의 용량을 일반적인 RCD-RLD 스너버 회로에 비해 1/2정도로 줄일 수 있으며, 스너버 캐패시터의 2차 다이나믹스 형성에 의한 방전으로 소자의 과전류를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 내측 GTO소자와 외측GTO소자간의 저지 전압 불균형 문제를 해소할 수 있다. 또한, 회생 스너버 구조로 변경시 회생시킬 에너지를 한곳으로 집중하여 회생 회로를 간단화할 수 있으므로 경제적인 이점이 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
기존 방법에 의하여 소오스 전극과 드레인 전극을 형성한 후, 단차가 생긴 기판에 미세한 게이트 전극 형성용 포토레지스트막 패턴을 형성하는 경우, 기판 표면의 소오스 전극과 드레인 전극사이에 위치하는 포토레지스트막의 두께가 그 이외의 부분에 비해 두껍기 때문에 미세화된 게이트 전극 패턴 형성이 용이하지 않을 뿐만 아니라 공정의 재현성이 떨어지게 된다. 따라서 게이트 전극을 얇은 선폭의 미세 패턴으로 형성하는 것이 어렵게 되므로, 반도체 소자의 설계시 설정된 디자인 룰(design rule)을 만족시키기가 어렵다는 문제점을 갖고 있다.본 기술은 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공하며, 이 제조방법은 기판상에 비도핑된 GaN 반도체층과 AlGaN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계, 에칭하여 소자를 분리해내는 단계, 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계, 표면처리하는 단계 및 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의하면, 게이트 전극을 오믹 전극 전에 제작하므로 게이트 전극 형성을 위해 실시되었던 오믹전극 사이에 게이트 전극을 정렬해야 하는 어려움을 극복할 수 있다. 따라서 오믹전극에 의해 유발된 기판의 단차를 없앨 수 있으므로, 게이트 전극 형성을 위한 포토리지스트막 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극의 정렬도를 향상시킬 수 있다.게이트 전극을 오믹 전극 전에 제작하므로 게이트 전극 형성을 위해 실시되었던 오믹전극 사이에 게이트 전극을 정렬해야 하는 어려움을 극복할 수 있다. 따라서 오믹전극에 의해 유발된 기판의 단차를 없앨 수 있으므로, 게이트 전극 형성을 위한 포토리지스트막 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극의 정렬도를 향상시킬 수 있다. 또한, 오믹전극 층의 형성 전에 AlGaN 반도체층 표면을 유도결합 플라스마로 표면 처리함으로써 오믹 전극 형성용 금속의 증착 상태에서 오믹 특성이 얻을 수 있어서 열처리과정이 불필요하다. 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 AlGaN/GaN HFET 소자는 최대 트랜스컨덕턴스와 최대 드레인 전류가 모두 우수하여 증폭 능력이 양호하다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 발명은 유도기전력이 처리용 챔버내로 깊숙이 침투하지 못함에 따라 균일한 대면적의 플라즈마를 고 밀도로 발생시킬 수 없는 플라즈마 처리장치의 결점을 해소하기 위한 것으로서, 나선형으로 수회 감겨진 평면형 안테나(11), 안테나(11)에 전력을 인가하는 전력공급원(12), 낮은 압력의 처리(식각 또는 증착) 용 챔버(13), 안테나(11)와 처리용 챔버(13)를 격리시키되 안테나(11)의 유도기전력은 통과시키는 석영 창(14), 식각 또는 증착을 위한 전극(15), 안테나(11)의 임피던스 정합회로(16), 전극(15)에 바이어스를 인가하기 위한 라디오 주파수 전력공급원(17), 그 안테나(11)에 대한 라디오 주파수 차폐막(18), 그리고 안테나(11)의 평면과 수직을 이루는 외부자장 발생용의 2쌍의 전자석(19)을 포함하는 본 발명의 외부자 장이 가해지는 평면형 고주파 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공한다.본 발명은 외부자장이 가해지는 평면형 고주파 유도결합 플라즈마 처리장치. 보다 상세하게는 외부자장 에 의해 플라즈마를 자화시켜 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생시킬 수 있는 평면형 고주파 유도 결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 플라즈마 처리장치의 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 유도기전력을 처리챔버내에 깊게 침투시켜서 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해 플라즈마를 자화시키는 장치를 만들어내기 위한 것 이다. 발명자들의 연구결과, 수회의 나선형으로 감겨진 평면형 안테나를 사용하고, 적어도 2쌍의 전자석 에 의해 안테나와 수직방향의 자장을 처리챔버에 가해 플라즈마를 효과적으로 자화시킬 수 있었다. 본 발명의 플라즈마 처리장치의 구조상 자기장의 방향과 평행하게 놓여지는 처리용 챔버의 벽이 플라즈 마내 전지가파의 성질 및 모양을 결정하지 않으며, 특정항 파장 및 모드를 가지는 전자기파를 강제적으 로 여기시키지 않는다는 점에서 여러가지 형태의 다른 헬리콘 플라즈마와 구별된다.
- 보유기관
- 부산대학교
- 등록일
- 2006-05-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
기존의 강유전성 액정을 구동시키는데 있어서, 강유전성 액정이 가지고 있는 자발분극의 영향으로 강유전성 액정에 실질적으로 걸리는 데이터 전압은 인가된 전압보다 낮게 걸리게 된다. 종래에는 이를 보상하기 위하여 엔프레임 쿼지디씨(N frame Quasi-DC)의 방법으로 구동시키고 있다. 그러나 이 방법에서도 강유전성 액정에 걸리는 데이터 전압이 전압인가후 포화투과율에 도달하기 위하여 일정한 시간이 요구되는 단점을 가지고 있다. 이것을 다른 방법으로 보상하기위하여 스토리지 캐패시턴스(Storage Capacitance)를 부착하여 사용하나 이것 또한 픽셀의 개구율 감소가 발생하여화면 투과율에 큰 영향을 미치게 되며, 컨트라스트(Contrast)에도 치명적인 영향을 준다. 본 발명에서는 이러한 문제를 개선하기 위하여 새로 발명한 엠(M)분활 블록디씨(Block DC)방법으로 스캔할 전화면의 전체라인을 엠(M)번 분할하여 첫번째 블록의 스캔라인을 엔(N)번 스캔주사하고, 다음번 블록을 같은 방법으로 엔(N)번 스캔주사하고, 마지막블록의 스캔라인도 엔(N)번 스캔주사방법으로 구동시킴으로써 강유전성 액정의 투과율을 극소의 시간범위안에 포화시킴으로, 실질적인 데이터 전압크기가 그대로 액정에 걸리게 하는 방법으로, 스토리지 캐패시턴스를 부착하지 않아도 되며, 고전압을 가하지 않아도 되는 효율적인 구동방법을 발명하였다.본 발명을 함으로서 얻을 수 있는 효과는 첫째, 기존의 쿼지디씨구동과 비교할 때 약2배의 실효적인 투과율이 향상되어밝은 화상실현을 시킬 수 있는 장점을 가지며, 둘째로는 종래방식2인 쿼지디씨 방법으로 발명한 N플레임블록디씨방법과 같은 투과율을 얻기 위해서 높은 전압을 인가할 필요가 없게 된다. 이렇게 하려면 고전압 IC를 사용하거나 스토리지캐패시턴스를 사용하여 상대적으로 액정에 걸리는 전압을 많게 하는 방법이 연구되고 있지만 그러한 방법과 비교하여도 본 발명한 구동법에서는 기존의 저전력IC와 스토리지 캐패시턴스도 사용하지 않고도 고투과율 실현이 가능하므로,높은 개구율실현이 가능한 장점을 가진다.셋째로는 강유전성액정의 전원이 온(ON)상태시에 투과율이 향상되므로, 기존방식과 동등 투과율을 얻으려면 상대적으로 백라이트의 휘도를 밝게 해야 하므로, 본 발명은 소비전력감소 및 컨트라스트가 배로 증가하는 효과를 실현시킬 수있게 되는 특징을 가진다. 이렇게 함으로서 강유전성액정의 과제중의 하나인 양호한 시인성을 실현할 수 있게 되는 장점을 가진다.
- 보유기관
- 부산대학교
- 등록일
- 2006-05-10
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