일반기술
화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 다결정실리콘(polycrystalline silicon)의 제조방법 및 장치에 관한 것으로서, 유동층 반응기를 이용하여 입자형태의 다결정실리콘을 대량으로 생산하는데 있어 염화수소를 포함하는 에칭가스를 공급하는 노즐을 장치함으로써 반응가스 공급수단의 표면에 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 효율적으로 방지하여 반응기를 연속적으로 운전할 수 있게 하는 다결정실리콘의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.고순도 다결정실리콘은 반도체웨이퍼용 실리콘 단결정이나 태양전지용 실리콘 박판 소재의 원료로서 사용된다. 반도체 응용을 위해 사용되는 다결정실리콘의 상업적 대량생산을 위하여, 지금까지 종형(bell-jar type)의 반응기가 주로 사용되어오고 있다. 종래의 종형 반응기를 사용하여 다결정성실리콘을 제조하는 방법은 제조된 다결정실리콘을 연속적으로 생산할 수 없고, 전력소모 또한 크며, 제품으로 사용시 후처리 공정을 거쳐야 하는 문제점이 있고, 이를 대체하기 위해 사용된 유동층 반응기는 상기 문제점은 어느 정도 해결하나 반응가스 공급수단의 표면에 실리콘이 석출되어 누적되어 반응기를 연속적으로 가동할 수 없는 문제를 지니고 있는 바, 반응가스 공급수단의 표면에 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 방지하여 반응기를 연속적으로 가동할 수 있는 장치 및 제조방법의 개발이 절실히 요구되고 있는 실정이다. 따라서, 본 발명은 종래의 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해, 유동층 반응기의 반응가스 공급노즐 표면에 염화수소를 포함하는 에칭가스를 주입하는 방법으로 반응가스 공급수단의 표면에 실리콘이 석출되어 누적되는 것을 방지함으로써 반응기를 연속적으로 가동할 수 있도록 하는 개량된 제조방법과 그 장치를 제공한다.유동층 반응기를 이용하여 입자형태의 다결정실리콘을 대량으로 생산함에 있어, 반응가스의 공급수단이 유동층에 노출되어 실리콘 입자들과 접촉하게 되는 반응가스 공급수단의 반응가스 출구 쪽 표면에 실리콘이 석출하여 누적되는 것을 효율적으로 방지할 수 있는 방법과 장치를 제공하여 유동층 반응기를 연속적으로 가동시킬 수 있는 경제적인 효과를 얻을 수 있다.본 기술은 입자형태의 다결정 실리콘을 제조함에 있어 발생하는 반응가스 공급수단의 출구 표면에서의 실리콘 석출 및 누적으로 인한 반응기 조업의 중단을 방지하여 반응기의 연속적인 운전을 가능하게 한다. 또한 반응 부산물로 생성되는 염화수소를 에칭가스로 활용함으로써 불순물 오염이 없이 고순도의 다결정 실리콘을 대량생산할 수 있게 해준다
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2004-03-25
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일반기술
화학공정 > 무기합성 공정 기술
정밀화학 및 생물 산업의 발전으로 나노 세공을 갖는 무기재료가 최근 대량으로 사용 하게 되었으며 각 용도별로 특성에 맞는 물성을 제어하는 것이 가장 중요한 기술적 과제이다. 특히 다공성 무기재료의 경우 세공크기에 따라 용도가 달라지며 세공크기를 재현성 있게 제어하는 것은 부가가치를 높이는 요소이다. 그러므로 본기술을 이러한 분야에 진출하고자 하는 연구소 혹은 기업에서 반드시 필요한 기술로 판단된다.축중합 반응에 의해 생성된 무기재료를 pH, 온도, 용매 등의 선택에 의해 수열합성 시키고 수열합성의 조건에 따라 나노 세공을 갖는 세공의 표면에 존재하는 실라놀 혹은 알루미놀 등의 용해 혹은 축중합에 의해 제어함으로서 세공 크기를 조절할수 있으며 , 출발물질의 종류에 따라 조건을 변화 시켜야 한다. 또한 제어된 재료의 분석 평가를 통해 세공크기를 확인할 수가 있다.
- 보유기관
- 경기기술이전센터
- 등록일
- 2004-11-11
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일반기술
화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 기술은 염화물계의 도금용액에서 도금밀착성, 철 석출률, 표면외관을 양호하게 하여, 품질을 향상시키고, 우수한 아연 - 철 합금전기도금강판을 제조할 수 있는 도금용액을 제공하는 데 그 목적이 있다.; 본 기술에 따르면, 강판의 전기도금에 이용되는 도금용액 첨가제에 있어서, 5 ~ 15 중량%의 폴리에틸렌글리콜과, 2 ~ 10 중량%의 메톡시폴리에틸렌글리콜과, 0.1 ~ 0.5 중량%의 안식향산 및, 0.1 ~ 0.5 중량%의 에틸라민(C 2 H 7 N)을 함유하며, 상기 폴리에틸렌글리콜은 H(OCH 2 CH 2 ) n OH의 분자식을 갖고 중합도 n 수가 10 ~ 20 인 제 1 폴리에틸렌글리콜과 20 ~ 30인 제 2 폴리에틸렌글리콜이 1:2 ~ 1:5의 중량비로 혼합된 것이며, 상기 메톡시폴리에틸렌글리콜은 CH 3 (OCH 2 CH 2 ) n OH의 분자식을 갖고 중합도 n 수가 10 ~ 40이고, 상기 혼합 폴리에틸렌글리콜과 상기 메톡시폴리에틸렌의 함량의 합은 8 ~ 22 중량%이며, 상기 안식향산과 에틸라민의 중량비는 1 : 1 인 것을 특징으로 하는 도금용액 첨가제가 제공된다.강판의 전기도금에 이용되는 도금용액 첨가제에 있어서, 5 ~ 15 중량%의 폴리에틸렌글리콜과, 2 ~ 10 중량%의 메톡시폴리에틸렌글리콜과, 0.1 ~ 0.5 중량%의 안식향산 및, 0.1 ~ 0.5 중량%의 에틸라민(C 2 H 7 N)을 함유하며, 상기 폴리에틸렌글리콜은 H(OCH 2 CH 2 ) n OH의 분자식을 갖고 중합도 n 수가 10 ~ 20 인 제 1 폴리에틸렌글리콜과 20 ~ 30인 제 2 폴리에틸렌글리콜이 1:2 ~ 1:5의 중량비로 혼합된 것이며, 상기 메톡시폴리에틸렌글리콜은 CH 3 (OCH 2 CH 2 ) n OH의 분자식을 갖고 중합도 n 수가 10 ~ 40이고, 상기 혼합 폴리에틸렌글리콜과 상기 메톡시폴리에틸렌의 함량의 합은 8 ~ 22 중량%이며, 상기 안식향산과 에틸라민의 중량비는 1 : 1 인 것을 특징으로 하는 도금용액 첨가제 제조기술임.
- 보유기관
- (주)포스코
- 등록일
- 2006-07-26
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일반기술
화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 기술은 크로메이트 용액의 적정성분 및 함량을 제어 함으로써 내식성, 표면외관 및 도막밀착성이 우수한 특히, 크롬 용출이 최대한 억제되는 크로메이트용액 및 이 용액을 이용하여 크로메이트강판을 제조하는 방법을 제공하는 기술이 특징임. 본 기술의 크로메이트 용액은 크롬성분, 크롬환원비를 조정하고, 인산,불소,실리카 및 실란커플링제를 첨가하여 제조하며, 이용액을 강판에 도포한후 120~200도사이의 온도에서 건조하여 크로메이트 피막을 형성하는 기술임.본 기술은 크로메이트 용액에 있어서, 크롬성분이 10-40g/l이고 크롬환원비가 0.3-0.7인 크롬용액에 인산:3.0-25.0g/l, 불소:1.0-5.0g/l, 실리카:3.0-15.0g/l, 및 실란커플링제:0.05-3.0중량%가 첨가되어조성되는 것을 특징으로 하는 크롬용출이 억제되는 크로메이트 용액이며, 이 제조된 용액을 이용하여 강판에 도포한후 120~200도사이의 온도에서 건조하여 크로메이트 피막을 형성시켜 크롬용출이 억제되는 크로메이트 강판의 제조기술을 특징으로 함
- 보유기관
- (주)포스코
- 등록일
- 2006-07-26
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 유기금속 화학 증착법을 이용한 (Ba, Sr)TiO 3 박막의 제조방법에 관한 것으로, 알콜 용매에 하기 화학식 1의 바륨 화합물, 화학식 2의 스트론튬 화합물 및 화학식 3의 티탄 화합물을 용해시켜 얻은 용액을 전구체로 사용하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 방법에 따르면 분자간의 뭉침현상이 없을 뿐만 아니라 탄소의 함량이 저하된 (Ba, Sr)TiO 3 형 박막을 수득할 수 있다. ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; [화학식 2] [IMAGE 2] ; [화학식 3] [IMAGE 3] 유기금속 화학 증착법을 이용하여 (Ba, Sr)TiO 3 형 박막을 제조하는데 있어서, 하기 화학식 1의 바륨 화합물, 하기 화학식 2의 스트론튬 화합물 및 하기 화학식 3의 티탄 화합물을 1-x:x:1+y(0≤x≤1, y≥0)의 몰비로 알콜 용매에 용해시킨 후, 이 전구체 용액을 240 내지 280℃의 온도에서 기화시키고, 생성된 전구체 기체를 산화 기체와 함께 300 내지 650℃의 온도로 가열된 기재와 접촉시키는 것을 특징으로 하는, (바륨, 스트론튬)삼산화티탄 박막의 제조방법. 화학식 1 [IMAGE 7] 화학식 2 [IMAGE 8] 화학식 3 [IMAGE 9]
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 구리 박막을 화학증착에 의해 형성할 때 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1의 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 본 발명에 따르는 유기 구리 전구체는 상온에서 액체로 존재하여 구리의 저온 화학증착에 특히 적합하면서도 불순물이 없으며 우수한 층 덮힘 및 홀(hole)-충진 특성을 가진 구리 박막을 형성할 수 있다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, ; R 1 은 C 3-8 사이클로알킬기이고,; R 2 및 R 3 는 각각 독립적으로 C 1-4 알킬 또는 불소-치환된 C 1-4 알킬기이다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 구리(I) 화합물. 화학식 1 [IMAGE 4] 상기 식에서, R 1 은 C 3-8 사이클로알킬기이고, R 2 및 R 3 는 각각 독립적으로 C 1-4 알킬기 또는 불소-치환된 C 1-4 알킬기이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 알루미늄 박막의 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride, DMAH) 액체의 점도 저하 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 방향족 아민을 첨가함으로써 디메틸알루미늄 하이드라이드의 점도를 현저히 저하시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 디메틸알루미늄 하이드라이드 혼합 용액은 유기금속 화학 증착법에 의한 박막의 제조에 있어 유기금속 전구체(metal-organic precursor)로 사용될 경우 버블러형 전구체 이송 시스템에서의 버블링 효과가 뛰어날 뿐 아니라 직접 액체 주입형 이송 시스템에의 적용이 용이하고 단위 시간당 증기화되는 디메틸알루미늄 하이드라이드 양이 증가되어 알루미늄 박막의 대량생산에 유용하다. 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 방향족 아민을 0.5 내지 2 몰% 범위의 양으로 첨가하여 디메틸알루미늄 하이드라이드의 점도를 저하시키는 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 알루미늄 박막의 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride, DMAH)의 점도 저하 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 포스핀을 첨가함으로써 디메틸알루미늄 하이드라이드 액체의 점도를 현저히 저하시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 디메틸알루미늄 하이드라이드 혼합 용액은 유기금속 화학 증착법에 의한 박막의 제조에 있어 유기금속 전구체(metal-organic precursor)로 사용될 경우 버블러형 전구체 이송 시스템에서의 버블링 효과가 뛰어날 뿐 아니라 직접 액체 주입형 이송 시스템에의 적용이 용이하고 단위 시간당 증기화되는 디메틸알루미늄 하이드라이드 양이 증가되어 알루미늄 박막의 대량생산에 유용하다. 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 트리벤질포스핀을 0.1 내지 5 몰%로 첨가하여 디메틸알루미늄 하이드라이드 액체의 점도를 저하시키는 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 반도체 소자 등의 금속배선시에 사용되는 구리 박막의 식각 방법에 관한 것으로, 구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키거나, 구리 박막을 산화시킴과 동시에 식각 반응 기체와 반응시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 구리 박막의 식각 방법은 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 종래기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다. 구리 박막을 산화시키고 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체를 사용하여 식각시키는 방법에 있어서, 구리박막을 산소 플라즈마 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 반도체 소자의 회로용 구리 도선을 화학증착에 의해 형성할 때 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1의 유기 구리(I) 착화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따르는 유기 구리 전구체는 상온에서 액체로 존재하며 안정성과 증기압이 높아 구리의 화학증착에 특히 적합하면서도 우수한 증착 특성을 나타낸다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, ; R 1 은 C 1-4 알킬기이고, ; R 2 는 수소 또는 C 1-4 알킬기이며,; R 3 및 R 4 는 각각 C 1-4 알킬 또는 플루오로-치환된 C 1-4 알킬이다. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 유기 구리(I) 착화합물: 화학식 1 [IMAGE 4] 상기 식에서, R 1 은 C 1-4 알킬기이고, R 2 는 수소 또는 C 1-4 알킬기이며, R 3 및 R 4 는 각각 C 1-4 알킬 또는 플루오로-치환된 C 1-4 알킬이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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화학공정 > 무기합성 공정 기술
본 발명은 구리 박막을 화학증착에 의해 형성할 때 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1의 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 본 발명에 따르는 유기 구리 전구체는 상온에서 액체로 존재하고 높은 증기압과 열안정성을 갖기 때문에 높은 증착속도로 구리를 화학증착시킬 수 있으며, 증착된 박막은 낮은 비저항치를 갖는다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, ; R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 C 1-4 알킬기이고,; R 3 는 수소 또는 C 1-4 알킬기이고,; R 4 및 R 5 는 각각 독립적으로 C n F 2n+1 또는 C n H 2n+1 (n=0 내지 7)이다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 구리(I) 화합물. 화학식 1 [IMAGE 4] 상기 식에서, R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 C 1-4 알킬기이고, R 3 는 수소 또는 C 1-4 알킬기이고, R 4 및 R 5 는 각각 독립적으로 C n F 2n+1 또는 C n H 2n+1 (n=0 내지 7)이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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