요소를 이용한 균일침전법에 의한 YIG분말 제조방법
YIG 화학양론적 조성에 맞게 이트리윰 및 철의 질산염 및 황산염 용액을 첨가하고 가수분해가 일어나도록 요소를 첨가시킨 용액을 서서히 가열하여 침전시켜 이를 세척, 건조 및 소성하여 균질한 YIG분말을 제조경제적으로 저렴하면서도 균질한 YIG분말 제조기술
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- 한국에너지기술연구원
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- 2000-11-22
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39 / 213 페이지큐리온도가 300도 이상인 반도성 BaTiO3 세라믹스의 제조방법
큐리온도가 300, 360, 400도인 반도성 BaTiO3 세라믹스를 powder bed 없이 제조 가능발열온도가 300도 이상인 자기발열 세라믹스의 제조공정 개발 가능
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- 한국에너지기술연구원
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- 2000-11-22
후막형 기체센서 특성설계 및 제조방법
후막인쇄기술을 이용한 각종 기체검출기술흡탈착특성이 우수한 각종 기체센서의 대량생산 가능
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- 한국에너지기술연구원
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- 2000-11-22
알루미늄 산화피막형성 방법
알루미늄 평판의 표층을 악 알카리 수용액을 사용하여 얇은 피막을 형성시켜, 기존의 알루미늄의 물성을 변환시켜, 가볍고 전기전도성이 양호한 알루미늄 소재를 다양하게 이용할수 있는 기술.1. 양도체로서 알루미늄을 전기 절연체로 만들어 전자제품의 PCB 기판 대용으로 사용가능2. 내마모성 및 강도의 증가 모스경도의 약 9도 정도로 다양한 산업분야의 응용력을 갖춤. - 알루미늄을 섬유질화하여 방탄조끼, 차량 표면에 부착하여 방탄차량, 가벼운 소재로서 자동차 구조물의 강도강화, 피스톤 실린더 링으로 사용시 우수한 내마모성.3.골프채 IMPACT 부문에 사용시 비거리 20~30% 증가.4.해수 및 강산성 환경에 적용시 탁월한 내 부식성.5. 기타 산업 전반
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- 2000-10-30
금속기판을 이용한 열전냉온반도체 제조방법
알루미늄 기판을 이용한 열전냉온반도체 모듈 제조 기술 - 차세대 가정용 및 산업용등 모든 냉동 기기에 소요될 필수 냉각 장치 - 고유가 시대를 Ю鎌臼차세대 대체 에너지원으로서 온도차를 이용한 반도체 발전기.1. 값싸고 열전달이 우수한 알루미늄을 이용한 차세대 모든 냉각 시스템 적용2. 현재 상용화된 세라믹열전반도체 모듈보다 10배이상 우수한 효율 구현.3. 알루미늄을 절연화 시킨 금속기판과, 반도체 소자의 특수 제조공법등 원천기술 보유.4. 150도 이하의 저온에서의 모든 산업폐열과 태양열을 이용할 수있는 우수한 성능의 발전기기로 이용 가능(Seaback Effect).
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- 특허법인충정
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- 2000-10-30
키토산과 나일론으로 조성된 수지 조성물과 그 제조법
생체친화성, 항균성, 항취성 등 여러 가지 인체에 유익한 성질을 가진 것으로 알려져있는 기능성 천연 고분자재료인 키토산과 현재 범용의 용도로 널리 사용되고있는 고분자 재료인 나일론을 혼합하여 키토산의 기능성과 나일론의 물성을 가진 신소재와 그 제조법키토산과 나일론의 아민기과 아마이드기의 2차 분자간 결합력을 이용하므로 키토산의 기능성이 반영구적으로 지속시키는 것이 가능하고 물리적인 물성은 나일론을 따르므로 기존의 나일론을 적용하는 여러 가지 적용분야에 손쉽게 적용이 가능하다. 또한 비교적 적은 양의 키토산 함량으로 우수한 키토산의 기능성을 방출하는 것이 특징
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- 영남대학교
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- 2000-11-21
키토산 마이크로 미립자 분산액과 그 제조방법
본 기술은 키토산을 용매에 용해시켜 키토산용액을 제조하고 이를 전단력을 가함과 동시에 용매의 용해도를 떨어트려 키토산을 용매중에 미세한 팽윤된 입자의 형태로 석출시켜 분산시킨 분산액이 제공된다.기존의 키토산을 이용하는 코팅공정에서 문제점이던 키토산용액의 높은 점도의 문제가 해결되고 기지 상의 내부구조를 변화시키지 않고 전체적으로 코팅시키는 것이 가능하여 코팅 후 기지(종이, 직물, 의류, 섬유)의 물성이 유지되며 키토산을 이용하는 화장품의 원료물질로 적용 시 다양한 적용이 용이하다. 특히 제지산업에서 기존의 제지공정에 본 기술의 분산액을 펄프에 혼합하여 항균지의 생산이 가능하며 이렇게 얻어진 종이는 여수도, 촉감의 변화는 없고 건,습강도는 증진되는 특징이 있다.
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- 영남대학교
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- 2000-11-21
정밀소재 핵심기술 개발
전자부품 및 철강공업용 정밀소재로서의 기능소재를 개발하기 위하여 세라믹쉬트 및 분말형태의 여러 신소재와 이의 제조공정을 요소별로 구분 확보하여 각 과제별 핵심소재 개발 기술 및 이의 산업화기술의 국내업체 이전을 적극 도모하여 유망 중소업체의 기술력고도화 및 국제 경쟁력 강화를 목표로 연구를 수행하였다. 정밀소재 핵심기술개발의 2차년도 연구개발의 연구결과를 기술하면 다음과 같다. 한계전류형 희박연소제어 및 산소농도 분석기의 개발에 관한 연구는 크게 산소센서 소자를 제작하기 위한 세라믹스 그린쉬트의 제작과 세라믹스 그린쉬트를 이용한 산소센서 소자의 설계 및 제작 그리고 전시·제어 기능을 수행하는 회로의 설계 및 시작품 구성으로 구분할 수 있다. 우선 세라믹스 그린쉬트를 제조를 위한 실험에서 고체전해질용 지르코니아 및 확산장벽용 지르코니아-코디어라이트 그린쉬트를 제작하기 위한 독자적인 세라믹스 성형기술을 확보 특허를 출원하였으며, 그린쉬트의 적층 및 Burn-out 조건과 Aperture형 및 다기공성 산소센서 소자를 제작하여 고체전해질/전극/확산장벽의 동시 소성기술을 개발 특허화 하였다. 센서소자의 전류-전압 특성에 영향을 미치는 확산홀의 크기, 전극면적, 펌핑셀 두께의 영향, 코디어라이트 함량에 따른 특성변화등 제반 여러가지 변수들을 최적화하였으며, 센서소자의 산소농도 의존성 및 온도 의존성에 대한 측정결과 산소센서 소자의 실제 응용시 최적 작동온도는 600℃로 결정하였고, 검출 가능한 산소함량의 범위는 0%-75%로 결정하였다.
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- 한국생산기술연구원
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- 2000-12-12
적층형 복합소자 및 그 제조방법
본 발명은 적층형 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 후막적층기법을 사용하여 공정이 복잡한 문제점과, 회로의 전기적 특성을 미세 조정하는 것이 용이하지 않은 문제점 및 이종 재료간의 동시소성에 의한 박리 및 열팽창률의 차이에 따라 휨이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 인덕터 패턴과 캐패시터 패턴이 형성된 후막을 그 성질이 다른 후막이 상호 성질이 같은 후막의 사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층하여 소성에 의한 휨을 감소시키는 효과가 있다.1.다수개의 인덕터패턴을 포함하는 인덕터 후막과, 캐패시터패턴을 포함하는 캐패시터 후막을 적층하여 구성되는 적층형 복합소자에 있어서, 상기 인덕터 후막과 캐패시터 후막을 성질이 다른 하나의 후막이 성질이 같은 두 개의 후막 사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층한 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 인덕터패턴은 3/4회전인 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자.3.그린 시트에 은을 도포하여 인덕터패턴 및 캐패시터패턴과 인덕터 및 캐패시터 내부전극을 형성하는 단계와; 상기 인덕터패턴 및 캐패시터패턴이 형성된 그린 시트에 스루홀 방법을 사용하여 천공하고 각 패턴을 연결하여 인덕터 후막 및 캐패시터 후막을 형성하는 단계와;상기 인덕터 후막과 캐패시터 후막을 그 성질이 다른 하나의 후막을 상호 성질이 같은 두 개의 후막사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층하는 단계와;상기 적층된 후막에 은을 도포하여 외부전극을 형성하고 소성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.4. 제 3항에 있어서, 그린 시트는 Ni-Zn-Cu계의 연자성 세라믹 조성과 TiO₂계 저온소결 유전체 세라믹 조성의 합성 원료 분말을 40~60W/O의 유기바인더와 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.5.제 3항에 있어서, 적층된 후막을 동시 소성하는 단계는 800~900℃에서 2시간동안 소성하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.6. 제 3항에 있어서, 외부전극을 소성하는 단계는 800℃에서 10분간 소성하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
몰리브덴의 내산화특성을 향상시키는 MO-MN-Si 3원계 피복층 및 그의 제조 방법
본 발명은 고온에서의 기계적 성질은 우수하나 내산화성이 열악한 몰리브덴 금속에 고온 내산화성을 부여하기 위한 몰리브덴-규소-망간 3원계 합금으로 구성된 피복층 및 몰리브덴 금속 표면에 상기 몰리브덴-규소-망간 3원계 합금으로 구성되는 피복층을 형성시키는 방법에 관한 것이다.1. 망간이 피복층의 총원자량 백분율로 0.2%~40%범위로 함유된 것을 특징으로 하는, 몰리브덴 재료 상에 피복된 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층.2. (Si 1~70 중량%)-(Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 10~97 중랑%)팩으로 망간과 규소를 몰리브덴 재료 상에 동시에 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 0.2%~4.5%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.3. (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그위에 (Si 1~70 중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 20~98 중랑%)팩으로 규소를 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자랴야 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.4. (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 먼저 몰리브덴 재료상에 피복하고, 그위에 화학증착법으로 규소를 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.5. (Si 1~70 중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성데 1~10중량%)-(Al2O3 20~98 중랑%)팩으로 규소를 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그 위에 (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 방간을 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.6. 화학증착법으로 규소를 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그 위에 (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자랴야 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.7. 제 2항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성제가 NaF인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
텅스텐 - 구리계 재료의 제조 방법
용침법으로 제조된 텅스텐-구리 재료를 반복적으로 열처리하는 공정을 통해서 용침된 구리의 양을 변화시키는 한편 미세 조직을 균일하게 변화시키도록 한 텅스텐-구리계 재료의 제조 방법을 제공한다. <구성>용침법으로 제조된 텅스텐-구리계 재료의 미세 조직에서 비저항의 증가를 가져오는 텅스텐 입자간의 직접 접촉을 줄이면서 구리의 함량을 65 내지 85 퍼센트 범위로 조절하는 것과 동시에 용침후에 잔류하는 기공을 제거하기 위해 전해동 혹은 무산소동이 용침된 텅스텐-구리 계 재료를 구리의 용융 온도인 섭씨 1083도 보다 높은 섭씨 1150도까지 빠르게 가열한 후에 5분 이상 유지한 다음, 섭씨 800도까지 빠른 속도로 냉각하는 것을 1회 이상 반복하여 열처리하는 공정으로 구성되며, 용융과 응고시 텅스텐과 구리의 서로 다른 부피 변화를 이용하여 텅스텐 입자 사이에 있던 잔류 기공 속으로 구리가 채워져 들어가도록 해서 잔류 기공의 제거가 이루어지도록 구성된다.1. 용침법으로 제조된 W-Cu 계 재료의 미세조직에서 비저항의 증가를 가져오는 텅스텐 입자간의 직접 접촉을 줄이면서 Cu의 함량을 65-85% 범위로 조절하는 것과 동시에 용침후에 잔류하는 기공을 제거할 목적으로 전해동 혹은 무산소동이 용침된 W-Cu계 재료를 구리의 용융온도(1083℃)보다 높은 1150℃까지 빠르게 가열한 후에 5분 이상 유지한 다음, 800℃까지 빠른 속도로 냉각하는 것을 1회이상 반복하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-구리계 재료의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
다이아몬드 박막의 집합 조직 방향 조절 방법
기상에서 합성된 다이아몬드의 성장시 빠른 성장 속도를 갖는 입자의 결정 방향을 조절하여 다이아몬드 박막의 집합 조직의 방향과 박막의 표면을 구성하는 성장면의 종류 및 형상을 조절한다. <구성>적절한 흡착 원소를 이용하고, 표면 재구성 정도를 변화시킬 수 있는 적정 기판 온도를 변화시켜 단결정 입자의 형태를 원하는 형태로 변화시키고, 이를 기반으로 생성 선택법(evolutionary selection rule)에 기초한 집합 조직의 방향을 조절하는 것이다. 즉, 기상 합성법을 이용하여 다이아몬드 박막을 형성할 때, 기판 온도를 700도C에서 900도C까지 연속적으로 증가시키고, 수소와 탄화수소의 혼합 기체에 산소의 첨가량을 증가시켜 다이아몬드 입자를 구성하는 면의 흡착 정도를 변화시킴으로써, 다이아몬드 박막의 집합 조직 방향과 박막 표면 성장면의 종류를 변화시킬 수 있다.1. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 산소의 첨가량을 증가시켜 다이아몬드 입자를 구성하는 (111)면과 (100)면에서의 흡착정도를 변화시킴으로써 집합조직의 방향을 <100>에서 <1110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특징으로 한느 다이아몬드 박막의 집합조직 방향 조절방법.2. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 일정한 혼합기체의 조성하에서 기판의 온도를 700℃에서 900℃까지 연속적으로 증가시켜 다이아몬드 표면의 격자 재구성 정도의 상대값을 변화시킴으로써 집합조직의 방향을 <100>에서 <110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막의 집합조직 방향 조절방법.3. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 수소에 혼합된 메탄의 양을 줄여주어 다이아몬드 입자를 구성하는 (111)면과 (9100)면에서의 흡착정도를 변화시킴으로서 집합조직의 방향을 <100>에서 <110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특ㅈ이으로 하는 다이아몬드 박막의 집합좆기 방향 조절방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
자기 헤드용 철계 연자성 박막 합금 및 그 제조 방법
FE-HF 2원계 합금을 기본으로하여 C, N 및 O를 상호 조합하여 합금화시키므로써 MHZ 대역의 고주파 영역에서 고포화 자속밀도와 고투자율을 지니면서 내열성이 우수한 박막 합금을 제공한다. <구성>고주파 2극 마그네트론 스퍼터링 장치에서, 순철, FE-HF-C 합금 등의 타겟 위에 HF, HF의 질화물, HF의 산화물, HF의 탄화물 및 C의 소편을 배치하거나, FE-HF-C-N 또는 FE-HF-C-N-O 합금 등의 타겟을 불활성 스퍼터링 가스 중이나 AR 및 N2 분위기 중에서 300W의 전력과 1 MTORR의 혼합가스 압력하에서 열처리하여 철계 초미세 결성 연자성 박막합금을 제조한다.1. 다음의 조성식, Fe...Hf..C..N..O..이 때, x,y,z,v,w는 각각 원자%로서, 71≤x≤86 5.5≤y≤10.5 1≤z≤13 1≤v≤13 0≤w≤3 7.5≤z+v+w≤18.5 (단, x+y+z+v+w=100)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기헤드용 철계 연자성 박막합금.2. 순철, Fe-Hf 합금, Fe-Hf-C 합금 등의 타게트 위에 Hf, Hf의 질화물, Hf의 산화물, Hf의 탄화물 및 C의 소편을 배치하거나, Fe-Hf-C-N 또는 Fe-Hf-C-N-O 합금 등의 타게트를 불활성 스퍼터링 가스 중이나, 스퍼터링 가스 중에 C이나 N 또는 O을 함유하는 분위기 하에서 스퍼터링하여 박막을 형성한 후 진공중이나 Ar 및 N₂분위기 중에서 열처리하여 철계 초미세 결정 연자성 박막합금을 제조하는 것을 특징으로 하는 자기헤드용 철계 연자성 박막합금의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
전계 방출용 마이크로-팁 및 그 제조방법
본 발명은 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 모울드를 형성하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 뒤, 상기 기능성막 상에 반도체(또는 금속)팁을 형성하는 공정과; 상기 반도체(또는 금속)팁 상에 전도성 박막을 형성하는 공정과; 상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 공정을 포함하여 마이크로-팁 제조를 완료함으로써, 1) 기능성 막을 팁의 모양과 일치하도록 형성할 수 있게 되어 반도체 팁이 가지는 구조적인 장점들과 함께 기능성 막 재료의 장점들도 동시에 공유할 수 있을 뿐 아니라 2) 모울드의 모양을 매우 뾰족한 모양으로부터 둥그스름한 모양에 이르기까지 조절할 수 있어 기능성 막의 도포 방법에 따라 모울드의 모양을 유연성 있게 선택 사용할 수 있는 잇점을 갖는 고신뢰성의 전계 방출용 마이크로-팁을 구현할 수 있게 된다.1. 실리콘 모울드를 형성하는 모울드 형성 공정과;상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 후, 상기 기능성막 상에 팁을 형성하는 기능성박막이 코팅된 팁형 성공정과; 상기 팁의 일면에 전도성 박막을 형성하는 전도성 박막 형성공정과;상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 지지수단 형성공정과; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 기능성막 노출공정을 포함하느 ㄴ전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 모울드를 형성한 후, 그 실리콘 모울드에 산화막을 형성하여 이후에 형성되는 기능성막이 코팅된 팁의 형상을 조절하는 팁형상 조절공정을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 모울드형성공정은 결정방향이 100인 반도체 기판상에 결정방향이 110인 기판의 일면에 대하여, 수직 혹은 평행인 방향으로 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 패터닝하여 기판의 일부를 노출시킨 후, 그 노출되 ㄴ기판을 결정 의존성 식각하여 단면이 V형인 홈을 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하느 ㄴ전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.3.제 1항에 있어서, 상기 팁은 반도체 또는 금속 물질을 선택하여, 박막 증착법 또는 프린팅 법 또는 전기 도금법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.4. 제 1항에 있어서, 지지수단 형성공정에서 접합하는 기판은 반도체나 유리 혹은 금속기판중 어느 하나를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.5.제 1항에 있어서, 상기 팁형상 조절공정은 상기 실리콘 모울드의 상부에 열산화막을 성장시키는 단계와;상기 열산화막을 식각하여 이후에 형성하는 기능성막이 코팅된 팁의 끝부분을 둥글게 형성되도록 하는 열산화막 식각단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
중공구형 고분자 기공 전구체를 이용한 다공성 세라믹스의 제조방법
기공율, 기공 크기, 기공 형상 및 기공 기구를 조정할 수 있는 물리적 특성이 개선된 다공성 세라믹스를 제조한다. <구성>액상 매체 중에서 기공 전구체는 슬러리 내의 전체 고형 분말을 기준으로 약70부피% 이하의 양으로 첨가하고 슬러리 내의 전체 고형 분말의 부피 분율은 약25부피%-42부피%로 조정한다. 여기에 세라믹 분말을 혼합하여 구성 입자 간의 분리가 없는 슬러리를 형성하여 세라믹 분말/기공 전구체 분말의 복합 성형체를 얻는다. 그런 다음 복합 성형체를 탈지 및 소결한다.1. (a) 액상 매체 중에서 기공 전구체와 세라믹 분말을 혼합하여 구성 입자간의 분리가 없는 슬러리를 형성하는 단계, (b) 상기 슬러리를 성형하여 세라믹 분말/기공 전구체 분말의 복합 성형체를 얻는 단계, 및 (c) 상기 복합 성형체를 탄지 및 소결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹스의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 기공 전구체는 슬러리 내의 전체 고형 분말을 기준으로 약 70부피% 이하의 양으로 첨가하고, 슬러리 내의 전체 고형 분말의 부피 분율은 약 25부피% 내지 42부피%로 조정되는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체 분말로서 밀도 약 0.05g/㎤ 이하, 평균 입경 약 40㎛인 중공 구형 고분자 분말을 사용하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 분말이 알루미나, 지르코니아 및 질화 알루미늄 분말로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.5. 제1항에 있어서, 기공 전구체의 첨가량이 40부피% 미만인 방법.6. 제1항에 있어서, 기공 전구체의 첨가량이 40부피% 이상 65부피% 이하인 방법.7. 제1항에 있어서, 복합 성형체의 소결 선수축율이 순수한 세라믹 분말안의 소결 선수축율의 약 1.5%까지 조절될 수 있는 것인 방법.8. 제1항의 방법에 따라 제조된 기공율이 약 0.2% 내지 70%이고, 기공이 구형이며, 균일한 미세구조를 갖는 다공성 세라믹스9. 제8항에 있어서, 폐기공 상태의 기공 구조를 갖는 것인 다공성 세라믹스.10. 제8항에 있어서, 개기공 상태의 기공 구조를 갖는 것인 다공성 세라믹스.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
SIC 휘스커 강화 세라믹스 복합 재료의 제조 방법
혼합 분말 과립의 미세구조 조정에 의하여 일축 가압 소결에 의한 휘스커의 2차원적 배향성을 극대화시키는 새로운 방법을 제공한다. <구성>고형분율이 약 25부피% Al2O3 수용액 슬러에 3부피%의 SiC 휘스커 수용액 슬러리를 첨가하여 형성한 혼합 슬러리를 동결 건조하여 가압 소결용 혼합 과립을 제조한다. 이 과립을 금형에 체운 후 섭씨 1800도에서 45MPa의 압력으로 약 40-60분갼 아르곤 분위기하에서 가압 소결하여 SiC 휘스커(25부피%)/Al2O3 복합제로를 제조한다. <효과>휘스커의 이차원적 배향성을 촉진시켜 기계적 물성과 공정 재현성이 향상된 휘스커 강화 세라믹스 복합재료를 제조할 수 있게 된다.1. a) 열처리한 SiC 휘스커에 약 0.4-1.0중량%의 중성 고분자 PVA를 첨가하여 PVA 흡착량을 최대로 증가시키고 분산성이 우수한 SiC 휘스커 슬러리를 제조하는 단계, b) 상기ㅏ SiC 휘스커 슬러리를 pH 4에서 형성한 세라믹스 기재상 슬러리와 혼합하여 동결 건조시켜 균일하고 소밀한 충전 구조를 갖는 과립을 준비하는 단계, 및 c) 상기 과립을 가압 소결하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 SiC 휘스커 강화 세라믹스 복합 재료의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 단계 a)의 휘스커 슬러리는 500℃ 내지 700℃의 온도 및 공기 또는 아르곤 분위기 하에서 전기로에서 약 1시간 동안 열처리하여 수득한 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 가압 소결 단계 c)를 1800℃에서 45MPa의 압력에서 약 40내지 60분간 Ar 분위기 하에서 수행하는 것이 특징인 방법.4. 제1항에 있어서, 세라믹스 기재상 슬러리가 Al₂O₃ 또는 Al₂O₃ZrO₂인 것인 방법.
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- 2000-12-15
고인성.내저온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조 방법(1)
~90MOL%, ZRO2, 5~7MOL% Y2O3, 3~6MOL% NB2O5나 TA2O5보다 많이 첨가되어 제조된 비전이성 TZP에 93-97MOL% ZRO2, 2~4MOL% Y2O3, 1~3MOL% NB2O5또는 TA2O5로 이루어진 조성중 Y2O5가 NB2O5나TA2O5보다 많이 첨가된 조성을 갖는 전이성 TZP 60WT%이하로 혼합하여 소결함을 특징으로 하는 고인성.내정온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조방법.1. 비전이성 정방성 지르코니아(TZP)에 전이성 TZP를 비전이성 TZP에 대해 무게로 60% 이하 혼합.소결하는 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 보갛ㅂ체의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 비전이성 TZP가 몰%를 기준하여 ZrO₂:88-91%, Y₂O₃:5-7% 혼합된 혼합물에, Nb...O...:3-6% 또는 Ta₂O....:1-3% 첨가하여 된 것을 특징으로 하는 고인성.내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.3. 제1항에 있어서, 전이성 TZP가 몰%를 기준하여 ZrO₂: 93-97%, Y₂O₃: 2-4% 혼합된 혼합물에, Nb...O...: 1-3% 또는 Ta₂O....:1-3% 첨가하여 된 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.4. 제1항에 있어서, 소결조건으로 1550℃에서 2-10시간 소결하는 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.
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- 2000-12-15
중곡 구형 고분자 기공 전구체를 사용한 적층 세라믹스의 제조 방법
세라믹 분말과 중공 구형 고분자 기공 천구체 분말을 부피비 로 100:0 내지 30: 70 의 범위로 혼합하여 슬러리를 얻는 단계, 상기 슬러리를 테이프 캐스팅하여 세라믹 분말/기공 전구체 복합 테이프를 얻는 단상기 복합 테이프를 적층시켜 적층체를 형성하는 단계, 상기 적층체를 탈지시키는 단계, 및 상기 탈지된 적층체를 소결하여 소결 적층체를 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공질층을 포함하는 적층 세라믹스 의 제조방법.1. (a) 세라믹 분말과 중공 구형 ㄱ고분자 기공 전구체 분말을 부피비로 100:0 내지 30:70의 범위로 혼합시켜 슬러리를 수득하는 단계, (b) 상기 슬러리를 테이프 캐스팅시켜 세라믹 분말/기공 전구체 복합 테이프를 수득하는 단계, (c) 상기 복합 테이프를 적층시켜 적층체를 형성시키는 단계, (d) 상기 적층체를 탈지시키는 단계, 및 (e) 상기 탈지된 적층체를 소결시켜 소결 적층체를 수득하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 다공질층을 포함하는 적층 세라믹스의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 적층이 약 65℃의 가열 온도에서 약 10kg/㎠이하의 적층압으로 약 15분 동안 수행되는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 탈지가 약 50-110℃의 온도 구간에서 약 0.5℃/분의 승온 속도로 수행하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 다공질층이 약 0.2-55%의 기공율을 갖는 것인 방법.5. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체가 약 40부피% 이하의 양으로 사용되는 것인 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체가 50-70부피%의 양으로 사용되는 것인 방법.
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- 2000-12-15
표면에 관능기가 있는 분산 고분자의 제조 방법
동일한 반응기 내에서 입체 안정화제와 분산고분자를 동시에 제조할 수 있고, 입자 표면에 다양한 관능기를 도입시킬 수 있는 분산 고분자의 제조를위한 특수 중합방법을 제공한다. [구성]알킬알칼리 금속 개시제의 존재하에 환상 비극성 용매 및 펜탄, n-헥산, n-헵탄등의 비극성 탄화수소 용매중에서 식(I)의 스티렌계 단량체, 식(II)의 아크릴계 단량체 또는 식(III)의 디엔계 단량체를 리빙중합시켜 입체 안정화제를 얻는다. 알킬알칼리 금속 개시제를 추가로 혼합하고 섭씨 영하78-영상70도의 온도에서 입체 안정화제가 용해되지 않는 비닐계 또는 디엔계 단량체를 중합시켜 리빙분산 고분자를 얻는다. 동일 반응기 내에서 리빙분산 고분자를 카르복실기, 히드록실기 또는 술폰산기를 갖는 물질과 반응시켜 고분자 입자 표면에 다양한 관능기를 도입시킨다.1. (a) 알킬알칼리 금속 개시제 존재하에 환상 비극성 용매 및 CnH(2n+2) 계통의 파라핀계 비극성 탄화수소 용매 중에서 비닐계 또는 디엔계 단량체를 리빙 중합시켜 입체 안정화제를 얻는 단계, (b) 계속해서 알킬알칼리 금속 개시제를 혼합하고 상기 용매 중에서 상기 입체 안정화제가 용해되지 않는 비닐계 또는 디엔계 단량체를 중합시켜 리빙 분산 고분자를 얻는 단계, 및 (c) 동일 반응기 내에서 상기 리빙 분산 고분자를 카르복실기, 히드록실기 또는 술폰산기를 갖는 물질과 반응시키는 단계로 이루어진 것이 특징인 표면에 관능기가 있는 분산 고분자의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 알킬알칼리 금속이 하기 식으로 표시되는 화합물인 방법. R-Mt+식중, R는 메틸, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸 또는 디이소프로필아미노기를 나타내고, Mt는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 또는 세슘(Cs)을 나타낸다.3. 제1항에 있어서, 비닐계 단량체가 하기 식(1)의 스티렌계 단량체 및 하기 식(2)의 아크릴계 단량체중에서 선택되는 것인 방법. 식중, R1은 H 또는 CH3를 나타내고, R2는 C(CH3)3 또는 CH3를 나타낸다.4. 제1항에 있어서, 디엔계 단량체가 하기 식(3)으로 표시되는 단량체인 방법. CR1R2=CR3-CR$=CR5R6 식중, R1,R4 및 R5는 각각 수소 또는 메틸기를 나타내고, R3은 수소, 염소 또는 메틸기를 나타내며, R2 및 R6은 각각 수소를 나타낸다.5. 제1항에 있어서, 용매가 펜탄, n-헥산 및 n-헵탄으로 이루어진 군 중에서 선택된 파라핀계 비극성 탄화수소 용매인 방법.6. 제1항에 있어서, 용매가 시클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군 중에서 선택된 환상 비극성 용매인 방법.7. 제1항에 있어서, 입체 안정화제가 10,000 내지 100,000범위의 분자량 및 1.0*1/10exp4 내지 2.0*1/10exp2몰/리터 범위의 농도를 갖는 것인 방법.8. 제1항에 있어서, 카르복실기 함유 물질이 드라이 아이스 및 이산화탄소로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.9. 제1항에 있어서, 히드록실기 함유 물질이 에틸렌 옥사이드 및 케톤으로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.10. 제1항에 있어서, 술폰산기 함유 물질이 트리알킬아민 술포트리옥사이드 및 술폰으로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.
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- 2000-12-15
새로운 아크릴단 섬유의 제조 방법
80중량% 이상의 아크릴로니트릴 및 20중량% 이하의 공중합 가능한 단량체로 이루어지고, 점도 평균 분자량이 10,000 내지 1,000 000인 아크릴로니트릴 단독 중합체 또는 공중합체 100중량부와 물 및(또는) 친수성 고분자 20 내지 40중량부를 혼합하는 단계, 2)수화 아크릴 용융용 압출기와 슬릿 또는 원형 다이로 구성되고 밀폐 및 가열 보온이 가능한 압출기의 배럴 내에 상기 혼합물을 다져 놓고 165 내지 180도씨에서 완전히 용용시키는 단계, 3)유동체의 균일성을 향상시키기 위하여 상기 용융용 압출기와 압출 금형 사이에 레저버와 기어 펌프를 도입시켜 150 내지 180도씨 및 400 내지 1,000psi로 조정된 레저버에서 용융 균일성을 향상시키고, 150 내지 180도씨의 기어 펌프로 펌핑하는 단계, 및4)다이에서 140 내지 170도씨로 온도를 내려 슬릿 또는 원형 다이를 통하여 분당 3 내지 50m의 토출 속도로 상온 상압의 대기 중으로 직접 압출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 굵기가 0.1 내지 5마이크로m인 미소 섬유들이 가지런히 배열 집합된 내부 구조 및 x선 회절 패턴에서 배향도가 80 내지 97%, 비표면적이 1내지 20m2/g, 굵기 분포가 5 뼉500마이크로m 및 길이 대 굵기으 비(l/d)가 100 내지 100,000이고, 다양한 단면 모양과측면에 다수의 미세 균열 및 분지 섬유를 갖고 있는 아크릴 단섬유의 제조방법.1. 1) 80중량% 이상의 아크릴로니트릴 및 20중량% 이하의 공중합 가능한 단량체로 이루어지고, 점도 평균 분자량이 10,000 내지 1,000,000인 아크릴로니트릴 단독 중합체 또는 공중합체 100중량부와 물 및(또는) 친수성 고분자 20 내지 40중량부를 혼합하는 단계, 2) 수화 아크릴 용융용 압출기와 슬릿 또는 원형 다이로 구성되고 밀폐 가열 보온이 가능한 압출기의 배럴 내에 상기 혼합물을 다져 넣고 165 내지 180℃에서 완전히 용융시키는 단계. 3) 유동체의 균일성을 향상시키기 위하여 상기 용융용 압출기와 압출 금형 사이에 레저버와 기어 펌프를 도입시켜 150 내지 180℃ 및 400 내지 1,000psi로 조정된 레저버에서 용융 균일성을 향상시키고, 150 내지 180℃의 기어 펌프로 펌핑하는 단계, 및 4) 다이에서 140 내지 170℃로 온도를 내려 슬릿 또는 원형 다이를 통하여 분당 3 내지 50m의 토출 속도로 상온 상압의 대기 중으로 직접 압출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 굵기가 0.1 내지 5㎛인 미소 섬유들이 가지런히 배열 집합된 내부 구조 및 X선 회전 패턴에서 배향도가 80 내지 97%, 비표면적이 1 내지 20mz/g, 굵기 분포가 5 내지 500㎛ 및 길이 대 굵기의 비(L/D)가 100 내지 100,000이고, 다양한 단면 모양과 측면에 다수의 미세 균열 및 분지 섬유를 갖고 있는 아크릴 단섬유의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 단계 2)에서 밀폐 및 가열 보온이 가능한 램 압출기를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.3. 제1항에 있어서, 단계 2)에서 밀폐 및 가열 보온이 가능하고 호퍼(hopper)쪽 제1 미터링 구역(metering section)에 용융실(melt seal)을 형성할 수 있는 2단계 단축 스쿠루(two-stage single screw)로 이루어진 압출기를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.4. 제1항에 있어서, 단계 2)에서 밀폐 및 가열 보온이 가능하고 혼합 용융용 다축 스쿠루(multi-screw) 압출기와 미터링용 단축 스쿠루 압출기가 조합된 압출기를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
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- 2000-12-15