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재료 > 기타 금속재료
금속재료를 클러스터 형성부분과, 이온화부분과, 그리고 가속화부분으로 이루어진 금속이온원의 도가니에 넣고 도가니의 압력을조정하는 단계와, 레이저 저울의 제조를 위한 기판을 진공장치에장착하는 단계와, 금속이온원에 전원을 공급하는 단계와, 도가니필라멘트를 작동시켜 열전자를 방출시키고 도가니 필라멘트와 도가니 사이에 고전압을 인가하고 도가니에 온도를 가열하여 금속 증기입자, 또는 클러스터를 발생시키는 단계와, 금속 증기 입자, 또는 클러스터를 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 이용하여 이온화시키는 단계와, 기판에 걸어준 가속 전압을 이용하여 금속 증기 입자, 또는 클러스터에 에너지를 부여하여 기판에 증착시키는 단계의 순으로 진행함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법.1.금속재료를 클러스터 형성부분과, 이온화부분과, 그리고 가속화부분으로 이루어진 금속이온원의 도가니에넣고 도가니의 압력을 조정하는 단계와, 레이저 거울의 제조를 위한 기판을 진공장치에 장착하는 단계와, 금속이온원에전원을 공급하는 단계와, 도가니 필라멘트를 작동시켜 열전자를 방출시키고 도가니 필라멘트와 도가니 사이에 고전압을인가하고 도가니에 온도를 가열하여 금속 증기입자, 또는 클러스터를 발생시키는 단계와, 금속 증기 입자, 또는 클러스터를 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 이용하여 이온하시키는 단계와, 기판에 걸어준 가속 전압을 이용하여 금속 중기 입자, 또는 클러스터에 에너지를 부여하여 기판에 증착시키는 단계의 순으로 진행함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을이용한 레이저 거울 제조방법.2.제1항에 있어서, 도가니 압력 조정단계에서 도가니의 압력을 10-6 torr 이하로 유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법.3.제1항에 있어서, 금속 증기 입자, 또는 클러스터를 발생시키는 단계에서 도가니의 온도를 1500-1600oC 로유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법.4.제1항에 있어서, 가속 전압을 3kV로 유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 고분자재료
(A)N-P-톨루엔술폰일옥시말레이미드(TsOMI), N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMI),N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMI) 중에서 선택한 광산 발생형 단량체 X-OMI와 N-t-부틸옥시카보닐말레이미드(t-BOCMI), 말레이미드(MI), N-히드록시말레이미드(HOMI) 중에서 선택한 말레이미드 단량체 Y-MI와 스티렌(St), 히드록시스티렌(HOSt), t-부틸옥시카보닐옥시스티렌(t-BOCSt) 중에서 선택한 스티렌 유도체(Z-St)를 라디칼공중합시켜 X-OMI:Y-MI:Z-St=0.7∼1.5:0.7∼1.5:1.5∼2.5 (몰%)의 조성을 가진 N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체 P(X-OMI/Y-MI/Z-St)의 제조방법 및 이를 이용한 내열성 레지스트 화상형성방법.1. N-P-톨루엔술폰일옥시말레이미드(TsOMI), N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMI), N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMI) 중에서 선택한 광산 발생형 단량체 X-OMI와 N-t-부틸옥시카보닐말레이미드(t-BOCMI), 말레이미드(MI), N-히드록시말레이미드(HOMI) 중에서 선택한 말레이미드 단량체 Y-MI와 스티렌(St), 히드록시스티렌(HOSt), t-부틸옥시카보닐옥시스티렌(t-BOCSt) 중에서 선택한 스티렌 유도체(Z-St)를 라디칼공중합시켜 X-OMI:Y-MI:Z-ST=0.7~1.5:0.7~1.5:1.5~2.5 (몰%)의 조성을 가진 N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체P(X-OMI/Y-MI/Z-St)의 제조방법.2. 제1항의 삼원공중합체를 유기용재에 1~30중량%되게 용해시켜 제조한 레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼에 스핀 도포한 다음 전열처리하고 원자외선 및 엑사이머 레이저 또는 전자선에 노광 후 가열처리 하고 현상하는 내열성 레지스트 화상형성방법.3. 제2항에 있어서, 현상액으로 가성소다 수용액, 트리메틸암모늄히드록시 수용액, 아니솔, 메틸이소부틸케톤, 클로로포름으로 구성된 군에서 선택하여 현상하는 내열성 레지스트 화상형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 충분히 큰 사이즈의 웨이퍼를 열처리하는 경우에도 균일 가열이 이루어질 수 있고 , 온도의 급격한 증가가 가능하며 증착 박막의 결정성도 향상시킬 수 있는 새로운 형식의 세라믹 박막의 열처리 방법을 제공하기 위하여; 지지수단위에 박막이 성막된 재료를 위치시키고, 상기 박막에 마이크로파를 인가하여, 상기 박막을 급속 가열하고 온도측정수단을 이용하여 온도를 측정하고, 원하는 온도에서 마이크로파의 발생을 정지시키는 것으로 이루어지는 마이크로파를 이용한 세라믹 박막의 급속 열처리 방법을 제공한다.1. 지지수단위에 박막이 성막된 재료를 위치시키고, 상기 박막에 마이크로파를 인가하여 상기 박막을 급속 가열하고, 온도특정수단을 이용하여 온도를 측정하고, 원하는 온도에서 마이크로파의 발생을 정지시키는 것으로 이루어지는 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 지지수단 위에 상기 재료의 지지부를 추가적으로 형성하여 상기 재료가 그 위에 위치할 수 있게하는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.3. 제2항에 있어서, 상기 온도측정수단으로 열전대를, 상기 지지부의 뒷면을 식각하고, 그 안으로 상기 열전대를 삽입, 고정시켜 온도를 측정하는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.4. 제2항에 있어서, 상기 온도측정수단으로 열전대를, 상기 지지부를 두 장 이상 겹치게 하고, 그 겹쳐진 지지부의 사이로 상기 열전대를 삽입, 고정시켜 온도를 측정하는, 마이크로파를 이요鉢강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 열전대는 쉴딩 처리된 열전대 라인을 가지는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 온도측정수단이 파이로미터인 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.7. 제1항에 있어서, 상기 가열이 단열구조내에서 이루어지는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.
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- 한국과학기술연구원
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재료 > 기타 고분자재료
본 발명에는 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. -(Ma)x-(Mb)y-(Mc)u-(Md)v-식 중, Ma는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 이고,Mb는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 이며,Mc는 전자 결핍성 단량체로서 이고,Md는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 이며,R1 및 R2는 서로 독립적으로 H 또는 산소 원자수 1 내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3, 메틸 에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라닐 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며,R3은 O, N-H 또는 N-CH2CH3이고,R4는 H 또는 CH3이고,R5는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH2CH3 또는 C(CH3)3이며,x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로,x는 0 내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고,y는 0.25 내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며,u는 x+y이고,v는 0.1 내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.이러한 지환족 유도체는 ArF 엑시머 레이저 영역에서의 투명성, 고해상도 및 고감도를 갖고, 기존의 노볼락 수지와 대등한 건식 엣칭 내성을 가지며, 기존의 알칼리 현상액을 적용할 수 있고, 특히 웨이퍼에 대한 접착성 및 현상성이 개선된다. 그러므로, 이러한 지환족 유도체를 사용하여 ArF 엑시머 레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료를 제조할 수 있다.1. 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체.--(M(a))(x)-(M(b))(y)-(M(C))(z)-(M(d))v-식 중 M(a)는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서...........이고, M(b) 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서.................이며, M(c)는 전자 결핍성 단량체로서.............이고, M(d)는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서...........이며, R1및R2는 서로 독립적으로 H또는 산소 원자수 1내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며, R3은 O, N-H또는 N-CH2CH3이고, R4는 H 또는 CH3이고, R5는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH2CH3또는 C(CH3)3이며, x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로, x는 0내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고, y는 0.25내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며, u는 x+y 이고, v는 0.1내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.2. 제 1항에 있어서, R1및 R2가 서로 독립적으로 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트인 지환족 유도체.3. 제 1또는 2항에 있어서, 전자 결핍성 단량체가 무수 말레산 및 말레이미드로부터 선택되고, (메트)아크릴산 에스테르 단량체가 메타크릴산메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸 및 아크릴산 t-부틸 카르보네이트인 지환족 유도체.4. 제 1또는 2항에 있어서, 지환족 유도체의 분자량이 3000 내지 15000인 지환족 유도체.5. 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 M(a), 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 M(b), 전자결핍성 단량체로서 M(c) 및 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 M(d)를 50내지 150℃의 온도 범위에서 라디칼 중합 개시제를 사용하여 3내지 24시간 동안 불활성 기체 분위기하에 용매 중에서 라디칼 중합시키는 것을 포함하는, 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체의 제조방법. --(M(a))(x)-(M(b))(y)-(M(C))(z)-(M(d))v-식 중 M(a)는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서...........이고, M(b) 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서.................이며, M(c)는 전자 결핍성 단량체로서.............이고, M(d)는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서...........이며, R1및R2는 서로 독립적으로 H또는 산소 원자수 1내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며, R3은 O, N-H또는 N-CH2CH3이고, R4는 H 또는 CH3이고, R5는 CH3, CH2CH3, CH2CH2CH2CH3또는 C(CH3)3이며, x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로, x는 0내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고, y는 0.25내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며, u는 x+y 이고, v는 0.1내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다6. 제 5항에 있어서, R1및 R2가 서로 독립적으로 H, COOH, CH2OH, COOC2H5, COOC(CH3)3,메틸에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라니리 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트인 지환족 유도체의 제조방법.7. 제 1또는 제 2항 기재의 지환족 유도체로 제조되는 ArF엑시머레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 고분자재료
새로운 단량체인 N-t-부톡시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체 제조방법 및 이 공중합체의 감방사선을 이용하여 고집적 반도체 및 전자 디바이스 미세가공 공정에서 고감도 고해상성으로 내열성 레지스트 화상을 형성한다. <구성>실리콘 웨이퍼상에 N-t-부톡시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체와 오니움염을 클롤벤젠에 용해한 용액을 스핀 도포한 다음 전열처리하고 원자외선 노광후 후열처리한 다음 현상하는 것으로 구성한다.1. N-t-부록시카르보닐말레이미드 단량체와, 스티렌계 유도체를 라디칼 공중합시켜 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 몰비가 1:1인 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 스티렌 유도체가 스티렌, P-아세톡시스티렌, P-메틸스티렌, P-염화스티렌, m-염화메틸스티렌, P-t-부톡시카르보닐옥시스티렌, P-트리메틸시릴메틸스티렌, P-트리메틸실릴스티렌인 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체 제조방법.3. 실리콘 웨이퍼상에 N-t-부록시카르보닐말레이미드와 스티렌 유도체의 공중합체와 오니움어을 클로로벤젠에 용해한 용액을 스핀 도포한 다음, 전열처리(prebaking)하고 원자외선 노광후 후열처리한 다음 현상하는 내열성 포지티브 레지스트 화상형성방법.4. 제 3항에 있어서, 현상액이 트리메틸암모늄 히드록시드 수용액, 아니솔, 톨루엔, 메틸이소부틸케톤, 클로로포룸인 것이 특징인 내열성 포지티즈 레지스트 화상형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
산화물 소결조제와 α-Si3N4 분말의 혼합물로부터 제조된, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 갖는 내부와, 이 내부와 동일한 소결조제와 β-Si3N4의 혼합물로부터 제조된, 상기 내부 보다 상대적으로 미세한 구조를 갖는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 갖는 질화규소 소재 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 이층 미세구조를 질화규소 소재는 재료 전체의 파괴 인성이 우수함과 동시에 표면부의 강도가 우수하고, 기계 가공 후 표면 조도가 작은 장점이 있기 때문에, 베어링 메카니칼 씰 등의 각종 내마모 부품에 응용할 수 있다.1. α-Si3N4 분말에 산화물 소결조제, 유기 바인더 및 용매를 첨가하여 볼밀링하고 건조시켜 질화슈고 소결체의 내부용 원료 혼합물을 준비하는 공정, 상기 내부용 원료 혼합물을 성형하여 내부 성형체를 제조하는 공정, β-Si3N4 분말에 소결조제, 유기 바인더, 분산제 및 용매를 첨가하여 볼밀링하여 질화규소 소결체의 표면부용 슬러리를 제조하는 공정, 상기 내부 성형체에 표면부용 슬러리를 피복시킨 후 건조 및 성형하여 내부는 α-Si3N4, 표면부는 β-Si3N4로 이루어진 이층 구조체를 제조하는 공정, 상기 이층 구조체를 소결시키는 공정을 포함하는, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 가지는 내부와, 이 내부에 비하여 상대적으로 미세한 구조를 가지는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 가지는 질화슈고 소결체의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 산화물 소결조제는 Y2O3 1-15 중량%와 Al2O5 1-12 중량%, 또는 Yb2O5 1-18중량%와 SiO2 1-12중량% 중에서 선택되는 어느 하나의 군을 세라믹 중량에 대하여 1-20%의 양으로 첨가하는 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 내부용 원료 혼합물의 유기 바인더로서 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리비닐알콜을 세라믹 중량에 대하여 0.1-3중량%의 양으로 첨가하는 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 내부용 원료 혼합물의 용매로서 증류수 또는 에틸알콜 또는 메틸알콜을 건조 고체 중량에 대하여 30-90중량%의 양으로 첨가하는 방법.5. 제1항에 있어서, 상기 내부 성형체가 건조된 내부용 원료 혼합물을 100-500kg/㎠의 압력 하에 일축 가압 성형한 다음, 100-3,000kg/㎠의 압력으로 정수압 성형하거나 또는 일축 가압 성형 공정을 거치지 않고 100-3,000kg/㎠의 압력의 정수압 성형에 의해 성형되는 것인 방법.6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 소결조제가 상기 내부용 원료 혼합물의 소결조제와 동일한 것인 방법.7. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 유기 바인더로서 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리비닐알콜을 세라믹 중량에 대하여 약 0.3-3%의 양으로 첨가하는 방법.8. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 분산제로서 디메틸아민을 세라믹 중량에 대하여 약0.1-2%의 양으로 첨가하는 방법.9. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 용매로서 증류수를 건조 고체 중량에 대하여 30-90%의 양으로 첨가하는 방법.10. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리를 상기 내부 성형체 위에 피복시키는 공정을 약 1기압, 상온에서 원하는 두께에 따라 상기 표면부용 슬러리에서 약1-30분간 첨지시킴으로써 수행하는 방법.11. 제1항에 있어서, 상기 이층 구조체의 성형을 1,000-3,000kg/㎠의 압력 범위에서 내부 성형체를 성형할 때와 동일하거나 더 큰 압력으로 정수압 성형하는 방법.12. 제1항에 있어서, 상기 이층 구조체의 소결을 1,650-1,850℃ 온도 범위에서 약 1기압의 질소 분위기 하에 1-8시간 동안 상압 소결하거나, 또는 1,850-2,000℃ 온도 범위에서 2-100기압의 질소 압력 하에 1-10시간 동안 가스압 소결하는 방법.13. 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 가지며, 길이 10-30㎛ 및 직경 2-8㎛으로 성장한 주상 β-Si3N4가 전체 부피의 40% 이상을 차지하는 미세구조를 가지는 내부와, 이 내부에 비하여 상대적으로 미세한 구조를 가지며, 평균 결정립 크기 0.5-8㎛의 β-Si3N4로 이루어진 표면부로 구성된, 이층 미세구조를 가지는 질화규소 소재.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
다음 조정식, SR1-2XBIXTI1-YWYO3 이때, X=0.05~0.3MOL% BI2O3 Y=0.15~0.9MOL% WO3로 이루어짐을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용유전체 자기 조성물.1.다음 조성식, (Sr1-2xBixTi1-yWy)O3 이때, x=0.0005∼0.003 y=0.0015∼0.009으로 이루어지는 경계층 콘덴서용유전체 자기 조성물.2.주성물 Sr1-2xBixTi1-yO3(x=0.0005∼0.003, y=0.0015∼0.009)에 Bi2O3 -WO3 프릿을 습식으로 혼합·건조하여 성형한 후, 이를 환원분위기에서 1,400∼1,470℃ 온도로 1차 소성하고, 1,250℃에서 2차 열처리함을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.3.제2항에 있어서, 환원첨가제로서 Bi2O3와 WO3의 혼합비를 1 : 3의 몰비로 혼합하고 용융시킨후 급냉하여 미세분말로 분쇄한 Bi23-WO3 프릿을 사용하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.4.제3항에 있어서, 용융조건으로 900℃에서 10분간 용융하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.5.제2항에 있어서, 성형조건은 1,500kg/cm2의 성형압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.6.제2항에 있어서, 환원분위기로 h2:n2의 비가 10 : 100[sc cm] 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.7.제2항에 있어서, 1차 소성시간으로 4시간 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.8.제2항에 있어서, 2차 열처리 시간으로 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기조성물의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 지르코니아 발열체의 내열충격성을 개선하여 그 수명을 향상시키기 위해 외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조; 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체가 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 1개의 발열체인 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조 및 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1cm인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조를 제공한다.1.외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조.2. 제1항에 있어서, 개재되는 상기 발열체는 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조.3. 제1항에 있어서, 개재되는 상기 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1㎝인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 소결온도가 1500℃ 이상인 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 있어서, 높은 소결온도의 단점을 개선하기 위한 소결방법에 관한 것이다. 상기 유전체 세라믹 조성물은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지고 있으나 소결온도가 높은 것이 단점이다. 본 발명에서는 상기 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3)로 구성된 첨가제를 첨가함으로써 소결온도를 기존의 소결온도(1500℃)보다 최대 300℃까지 낮출 수 있는 새롭고도 진보된 마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법에 관한 것이다.1. Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3) 중에서 단독 또는 두가지 혼합물을 선택하여 첨가하여 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결 방법.2. 제1항에 있어서, 산화 안티몬(Sb2O5)을 0.1 ~ 5.0 몰% 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3유전체 세라믹 조성물의 소결방법.3. 제1항에서 있어서, 산화 붕소(B2O3)를 0.1 ~ 5.0몰% 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결방법.4. 제1항에 있어서, 산화 붕소(B2O3) 0.1 ~ 5.0 몰%와 산화 붕소(B2O3) 0.1 ~ 5.0 몰% 범위의 혼합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결방법.5. 제1항에 있어서, 1,200 ~ 1,350℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹조성물의 소결방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 바리스터의 전극설계에 관한 것이며, 특히 저전압용 ZnO, SrTiO3계 바리스터 제조를 위한 전극설계에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상의 바리스터 상하표면에 각각 동일 면적의 양단 전극을 형성하는 종래의 기술과는 달리, 바리스터 디스크시편 상하면중 일면에 부착된 전극의 일부분을 타면까지 연장하여 그 타면의 일부에 부착하고, 그 타측면의 나머지 부분에는 상기 연장 부착된 전극과 소정의 간격을 가지는 전극을 부착하여 양단 전극을 형성하므로서, 본래의 유전율을 유지하는 동시에 비직선계수값이 크며 저전압에서 항복전압(breakdown voltage)을 나타내는 저전압용 ZnO, SrTiO3계 바리스터의 제조방법에 관한 것이다.1. 세라믹 소결체와;상기 세라믹 소결체의 상하면중 일면에 부착되며, 상기 일면의 반대쪽에 있는 타면의 일부에 부착된 연장부를 가지는 제1 전극과;상기 타면의 일부에 부착된 상기 제 1 전극의 연장부와 상기 타면상에서 간극을 가지고, 상기 제 1 전극의 연장부가 부착된 부분을 제외한 상기 타면의 나머지 부분에 부착되는 제 2 전극; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전압용 세라믹바리스터.2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극의 연장부 및 제 2 전극의 상기 간극은 0.05㎜ 내지 0.1㎜인 것을 특징으로 하는 저전압용 세라믹 바리스터
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명에서는 고분자 다공막 지지체와, 그 위에 2개 이상의 히드록실 반응기를 갖는 다가 페놀의 수용성과 2개 이상의 반응기를 갖는 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액 또는 그 위에 2개 이상의 히드록실 반응기를 갖는 다가 페놀의 수용액의 2개 이상의 아민 반응기를 갖는 방향족 아민의 수용액을 혼합하여 제조한 혼합 수용액과 2개 이상의 반응기를 갖는 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한, 가교된 방향족 폴리에스테르 활성층 또는 방향족 폴리에스테르와 방향족 폴리아미드의 공중합체 활성층으로 이루어지는 역삼투용 복합막이 제공된다. 본 발명의 역삼투용 복합막은 역삼투용 분리막으로 응용하는데 필요한 조건들, 즉 수투과도, 내염소성, 산화 안정성, 염배제율, 내구성 등을 고루 갖추고 있다.1. 고분자 다공막 지지체와, 그위에 하기 일반식(I)의 가다 페놀의 수용액과 하기 일반식(II)또는 (III)으로 표시되는 방향족 아실할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 방향족 폴리에스테르 활성층으로 이루어지는 역삼투용 복합막상기식에서 Rf는 알킬렌, 알킬리덴, 시클로알킬리덴, 아릴렌이거나, 또는 에테르, 카르보닐, 아민, 황, 인을 포함하는 결합 고리이며, Ar 및 Ar’는 각각 아렌기이고, Y는 Ar 또는 Ar’의 수소를 치환할 수 있는 기로서, 브롬, 염소,히드록실기,알킬기 또는 알콕시기이며, d는 0이상이고, X는 염소, 브롬이거나, 또는 알킬, 아릴, 시클로알킬로 부터 유도될 수 있는 1가 탄화수소이며, e는 0내지 Rf 의 치환가능한 수소의 개수를 나타내며, aa, bb 및 cc는 0이상인데, 다만, aa,bb및 cc가 동시에 0인 경우 및 aa 및 ㅊㅊ가 동시에 0인 경우는 제외되며, bb가 0일때는 Ar과 Ar’ 직접 탄소결합을 하고, h는 2이상이고, I는 4이하이고 Y’는 가교된 방향족 폴리에스테르나 또는 가교된 방향족 폴리아미드를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서 수소,브롬,염서,히드록실기,알킬기알콕시기,카르복실산기 또는 카르복실레이트기이며, j 및 k는 각각 아실할라이드의 갯수를 나타내는 것으로서 j및 k의 합은 2이상이다.2. 제1항에있어서, 상기 다가 페놀 수용액은 pH 8~13인것인 역삼투용 복합막.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다가 페놀 및 방향족 아실 할라이드 단량체외 농도가 각각 0.01내지 10 중량%인 역삼투용 복합막.4. 제1항에 있어서, 상기 복합막은 추가로 황산과 글루타르산 디알데히드의 혼합 수용액에 침지시킨 후 건조시킨 것을 역삼투용 복합막.5. 제1항에 있어서 상기 고분자 다공막 지지체는 부직포 보강 폴리슬폰막인 역삼투용 복합막6. 고분자 다공막 지지체와, 그위에 하기 일반식 (I)의 다가 페놀의 수용액에 하기 일반식(IV)로 표시되는 방향족 아민의 수용액을 혼합하여 제조한 혼합 수용액과 하기 일반식 (II)또는 (III)으로 표시되는 방향족 아실할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 방향족 폴리에스테르와 방향족 폴리 아미드의 공중합체 활성층으로 이루어지는 역삼투용 복합막.상기식에서 Rf는 알킬렌, 알킬리덴, 시클로알킬렌, 시클로알킬리덴, 알릴렌을 나타내거나, 또는 에케르, 카르보닐, 아민, 황, 인을 포함하는 결합 고리이며, Ar 및 Ar’는 각각 아렌기이고, Y는 Ar 또는 Ar’의 수소를 치환할 수 있는 기로서, 브롬,염소, 히드록실기,알킬기 또는 알콕시기이며,d는 0이상이고, X는 염소,브롬이거나,또는 알킬,아릴,시클로알킬로부터 유도될 수 있는 1가 탄화수소이며, e는 0내지 Rf의 치환가능한 수소의 개수를 나타내며, aa, bb 및 cc는 0이상인데, 다만 aa,bb및 cc가 동시에 0인경우 및 aa 및 cc가 동시에 0인 경우는 제외되고, bb가 0일때는 Ar과 Ar’이 직접 탄소 결합을 하고, h는 2이상이고,I는 4이하이고,Y’는 가교된 방향족 폴리에스테르나 또는 가교된 방향족 폴리아미드를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서 수소,브롬,염소, 히드록실기,알킬기,알콕시기,카르복실산기 또는 카르복실레이트기이며, j및 k는 각각 j+k >=2를 만족하는 수이고, Ar’’은 아민기를 제외한 아실 할라이드 반응기와 반응하지 않는 방향족환이며, 이 방향족환에서 아민기가 없는 위치의 수소는 알킬, 알콕시, 슬폰산기, 슬포네이트기,카르복실산기,카르복실레이트기,아미노, 아실, 히드록실, 할로겐 또는 니트로기로 치환도리 수 있고, b는 2이상이다.7. 제6항에있어서, 상기 다가 페놀 및 방향족 아실 할라이드 단량체의 농도는 각각 0.01 내지 10 중량%인 역삼투용 복합막8. 제6항에 있어서, 하기식으로 표시되는 상기혼합 수용액 중의 다가 페놀과 아민 단량체의 중량비는 0.05 내지 1인 것인 역삼투용 복합막다가페놀/(다가페놀+아민단량체)9. 제6항에 있어서, 상기 복합막은 추가로 황산과 글루타르산 디알데히드의 혼합 수용액에 침지시킨 후 건조시킨 것인 역삼투용 복합막10. 제6항에 있어서, 상기 고분자 다공막 지지체는 부직포 보강 폴리슬폰막인 역삼투용 복합막
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 다공성 지지막 및 그 위에 폴리 m-아미노스티렌의 수용액과 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 가교된 폴리 m-스티렌아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막을 제공한다. 또한, 본 발명은 고분자 다공막 지지체 및 그 위에 폴리 m-아미노스티렌의 수용액과 방향족 아민의 수용액을 혼합하여 제조한 혼합 수용액과 방향족 아실 할라이드를 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 계면 중합시켜 형성한 가교된 폴리 m-스티렌아미드/방향족 폴리아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막을 제공한다. 본 발명에 의해 제공된 복합막은 수투과도 및 염배제율이 모두 우수하다.청구항 1. 고분자 다공막 지지체 및 그 위에 하기 일반식(1)의 폴리 m-아미노스티렌과 하기 일반식(II) 또는 (III)의방향족 아실 할라이드의 계면 중합에 의해 형성된 가교된 폴리 m-스티렌아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막.식 중, n은 3내지 100,000의 정수이고, a는 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, 2 이상의 정수이며, Y는 가교된폴리 m-스티렌아미드를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서, 브롬, 염소, 히드록실기, 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 카르복실레이트기로 부터 선택되는 것이고, b는 0 내지 4의 정수이며, c 및 d는 각각 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, c+d는 2 이상의 정수이다.청구항 2. 제1항에 있어서, a가 2 내지 4의 정수이고, c+d는 2내지 4의 정수인 역삼투 복합막.청구항 3. 제1항에 있어서, 상기 폴리 m-아미노스티렌은 0.01 내지 10 중량% 수용액으로 사용되고, 상기 방향족 아실할라이드는 유기 용매 중의 0.01 내지 10 중량% 용액으로 사용되는 것인 역삼투 복합막.청구항 4. 고분자 다공막 지지체, 및 그 위에 하기 일반식(I)의 폴리 m-아미노스티렌 및 하기 일반식(IV)의 방향족아민의 혼합물과 하기 일반식(II) 또는 (III)의 방향족 아실 할라이드의 계면 중합에 의해 형성된 가교된 폴리 m-스티렌아미드/방향족 폴리아미드 활성층으로 이루어지는 역삼투 복합막.식 중, n은 3내지 100,000의 정수이고, a는 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, 2이상의 정수이며, Y는 가교된폴리 m-스티렌아미드/방향족 폴리아미드 아로이를 형성하는데 방해가 되지 않는 치환체로서, 브롬, 염소, 히드록실기, 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 카르복실레이트기로부터 선택되는 것이고, b는 0내지 4의 정수이며, c 및 d는 각각 아실 할라이드의 개수를 나타내는 것으로서, c+d는 2 이상의 정수이고, Ar'은 아민기를 제외하고는 아실 할라이드와 반응하지 않는 방향족 환이고, 이 방향족 환에서 아민기가 없는 위치의 수소는 알킬, 알콕시, 술폰산기, 술포네이트기, 카르복실산기, 카르복실레이트기, 아미노기, 아실, 히드록시기, 할로겐 또는 니트로기로 치환될 수 있고, e는 2 이상의 정수이다.청구항 5. 제4항에 있어서, a가 2 내지 4의 정수이고, c+d는 2 내지 4의 정수인 역삼투 복합막.청구항 6. 제4항에 있어서, 상기 폴리 m-아미노스티렌 및 방향족 아민은 각각 0.01 내지 10 중량% 수용액으로 사용되는 것이고, 폴리 m-아미노스티렌과 방향족 아민의 합계량에 대한 폴리 m-아미노스티렌의 중량비는 0.05내지 1이고, 상기방향족 아실 할라이드는 유기 용매 중의 0.01 내지 10 중량% 용액으로 사용되는 것인 역삼투 복합막
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 고분자재료
구조식(I)의 5-고리 복소환 단량체인 피롤을 수용액상에서 도데실벤젠술폰산을 도판트로, 암모늄 퍼술페이트를 산화제로 사용하여 중합시키는 것으로 이루어진 다음 구조식(II)의 가용 전기전도성 폴리피롤의 제조방법.1. 다음 구조식(I)의 5-고리 복소환 단량체인 피롤을 수용액상에서 도데실벤젠술폰산을 도판트로, 암모늄퍼술페이트를 산화제로 사용하여 중합시키는것으로 이루어진 다음 구조식(II)의 가용 전기전도성 폴리피롤의 제조방법.2. 제1항에 있어서 산화제인 암모늄퍼술페이트의 농도가 피롤 단량체의 몰수에 대해 몰비로 0.05~0.5인 것이 특징인 제조방법3. 제1항에 있어서 도판트인 도데실벤젠술폰산의 농도가 피롤 단량체의 몰수에 대해 몰비로 0.1~1.0인 것이 특징인 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
높은 품질 계수와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다. <구성>SrTiO3 및 CaTiO3와 LaZn(1/2)Ti(1/2)O3 및 LaMg(1/2)Ti(1/2)O3를 주성분으로 하며, 조성식이 일반식(I)과 같은 유전체 조성물. 식 중, x, y, z는 0<=x<=0.1, 0.01<=y<=0.99, 0.4<=z<=0.7의 범위이다.하기 조성식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
높은 품질 계수와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다. <구성>SrTiO3와 LaZn(1/2)Ti(1/2)O3 및 LaMg(1/2)Ti(1/2)O3를 주성분으로 하며, 조성식이 일반식(I)과 같은 유전체 조성물. 식 중, x, y, z는 0<=x<=0.99, 0.4<=y<=0.9의 범위이다.하기 조성식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
유전율이 40 이상으로 크면서도 유전 손실이 적은 마이크로파용 유전체 조성물을 제공하고 ,공진 주파수의 온도계수를 0ppm/C를 중심으로 +와 -쪽으로 필요에 따라 용이하게 조정할 수 있도록 한다. <구성>순도 99.9%의 SrCO3, CaCO3, Nd2O3, TiO2 및 MgO를 일정한 조성이 되도록 혼합하고 혼합 분말을 대기중에서 섭씨 1050도의 온도에서 10시간 정도 하소 및 분쇄한 후, 다시 섭씨 1200-1300도에서 6기간 동안 재하소하여 페로브스카이트 구조를 갖는 고용체를 합성한다. 합성 분말을 잘 분쇄한 후 원판형 시편으로 가압 성형하여 대기중에서 섭씨 1500-1650도의 온도에서 2-6시간 동안 소결시킨다. <효과>유전율이 약 30-60이고 Qxfo가 약 9,500-50,000기가 헤르쯔이며, 공진 주파수의 온도 계수가 약 -60에서 +60ppm/도이므로 마이크로파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용할 수 있다.. 하기 조성식으로 나타내어지는 마이크로파용 유전체 조성물.(1－y)(Sr1－xCax)TiO3－yNd(Mg1/2Ti1/2)O3식 중, 0.01≤x≤1.0, 0.3≤x≤0.6이다
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 마이크로파 대역에서 높은 품질 계수와 유전율을 가지며 공진 주파수의 온도 계수가 안정한 고주파용 유전체 자기 조성물로서, (1-x)(La1/2Na1/2)TiO3-xCa(Fe1/2Nb1/2)O3(식중, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)로 나타내지는 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ca(Fe1/2Nb1/2)O3의 함량을 조절함으로써 공진 주파수의 온도 계수의 조정이 용이해서, 유전체 공진기 소재로서의 응용이 적합하다.. 다음의 화학식,(1-x)(La1/2Na1/2)TiO3 - xCa(Fe1/2Nb1/2)O3 (단, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물.2. 제 1 항에 있어서, 상기 x의 범위가 0.55 ≤ x ≤ 0.60인 고주파용 유전체 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 x(Ba0.85Ca(1-W)Mgw)O-yNd2O3-zTiO2+vBi2O3를 기본 조성으로 하는 x의 범위는 0.13 내지 0.16몰, y는 0.25몰, z의 범위는 0.59 내지 0.62몰, w의 범위는 0.01 내지 0.1몰, 첨가물 Bi2O3인 v의 함량은 10 내지 11중량 %인 고주파용 유전체 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ba, Ti와 Ca, Mg의 함량과 첨가몰 Bi2O3의 함량을 조절함으로써 유전율이 78 내지 92이고, Q·f0 (GHz)가 2730 내지 5780이며 공진 주파수의 온도계수는 0 내지 +33ppm/℃로서, 공진 주파수의 온도계수 조정이 용이하여 유전체 공진기 소재로 응용이 적합하다.1. 이동 통신용 대역통과 필터용 유전체 시편의 특성을 테스트하는 테스트 지그에 있어서,상기 유전체 시편을 그 위에 배치하도록 되어 있고 원형 구멍이 뚫려 있는 금속 바디 위에 고정되어 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 다수의 구멍이 뚫려 있는 제1 원형 도체판;상기 금속 바디와 상기 제1 원형 도체판에 뚫려 있는 상기 다수의 구멍을 관통하도록 되어 있는 다수의 금속 원기둥;상기 금속 바디와 결합형으로 제작되고, 계측기와 신호를 주고 받는 안테나, 및상기 금속 원기둥이 관통하도록 되어 있는 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 구멍이 뚫려 있고 상기 제1 원형 도체판위에 간격을 두고 배치되어 그 사이에 상기 유전체 시편을 배치하도록 되어 있는 제2 원형 도체판을 구비하여,상기 원형 구멍과 상기 원기둥들간에 슬라이드 공차를 주어 상기 유전체 시편 두께에 따른 자유로운 측정이 가능한 것을특징으로 하는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.2. 제1항에 있어서, 상기 안테나는 나사에 의한 높이 제어가 가능하고 오른 나사와 왼 나사가 동시에 작동하여 한쪽 방향의 회전으로 안테나의 좌우 운동이 동시에 이루어지는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원형 도체판에 상기 원기둥이 관통하여 슬라이드 공차에 의해서 상기 제2 원형 도체판의 상하 이동이 가능하고 상기 금속 바디에 연결된 지지대에 설치된 나사에 의한 안테나의 높이 제어와 오른 나사 및 왼 나사가 가공되어있는 봉에 의해 좌우 동시운동이 가능하도록 한 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 1000℃ 이상의 초고온에 가동되는 육상 발전용 터빈 블레이드를 비롯하여 고온에서 높은 강도와 내산화성을 요구하는 각종 장치의 핵심부품에 응용할 수 있는 주조용 Ni기 초내열 합금에 관한 것으로, 고온 특성중의 하나인 크립 파단 수명이 월등하게 향상된 Ni기 초내열 합금에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명의 조성은 Ni을 기본 조성으로 하여 여기에 Cr 6∼10%, W 8∼13%, Mo 1∼4%, Al 3∼7%, Ti 0.5∼3%, Nb 0.5∼3%, Co 8∼12%, Ta 3∼7%, Hf 0.05∼2.0%, Zr 0.05∼2.0%, B 0.01∼0.1%, C 0.01∼0.5%로 이루어지는 것이다.이러한 본 발명 합금의 성분 한정 이유는 Cr은 내산화성을 향상시키기 위하여 첨가되는 것이고, W은 합금의 크립 변형을 억제하여 크립 파단 수명을 향상시키는 역할을 하는 것이며, Mo은 W과 함께 기지에 고용되어 크립 파단 수명을 향상기도록 한 것이다. 또한, Al과 Ti는 사용하고자 하는 용도에 적절하게 합금의 고온 강도를 증대시키고, Nb는 본 발명의 특징적 첨가원소의 하나로서, 입계 강화 효과를 가지며, Co는 고용강화 및 탄화물 형성에 의한 석출 강화 효과 뿐만 아니라 고온에서의 내식성을 향상시키게 되고, Ta는 고용강화 및 석출강화 효과와 크립 파단 수명을 향상시키게 된다. Hf는 미량의 첨가에도 불구하고 합금의 입계강화 및 결정립 미세화에 의한 연성을 향상시켜 크립성질을 크게 개선시키게 된다.청구항 1. Ni을 기본 조성으로 하여 여기에 Cr 6∼10%, W 8∼13%, Mo 1∼4%, Al 3∼7%, Ti 0.5∼3%, Nb 0.5∼3%, Co8∼12%, Ta 3∼7%, Hf 0.05∼2.0%, Zr 0.05∼2.0%, B 0.01∼0.1%, C 0.01∼0.5%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 주조용니켈기 초내열 합금
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레지스트 재료의 중요한 세가지의 기본 특성, 즉 감도, 해상도 반응성 이온 식각 내성이 동시에 향상된 X선, 전자선 특히 원자외선 및 엑사이머 레이저 리소그라피용 레지스트 재료를 제공하는 것이다. <구성>방향환을 포함하는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 t-부톡시카르보닐(t-BOC)기로 보호된 포스파젠 화합물을 5 내지 40중량부와 광산 발생제를 1 내지 20중량부로 조성되고 t-BOC기로 보호된 포스파젠 화합물이 일반식(I)로 표시된 것인 보호 포스파젠 화합물을 용해 억제제로 사용하고 광산 발생제로는 오니움염과 유기술폰산 에스터, 피로갈를 술폰산 에스터 화합물을 적어도 1종 사용하여 구성한다. <효과>RIE속도가 노블락 수지를 기본으로 한 포지티브 레지스트 재료에 지교하여 우수하거나 유사하였고, 특히 산소 RIE 시험에서는 내성이 기존 레지스트보다 2배 정도 우수하다.반도체 가공용 포토레지스트의 감광체
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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