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하나의 안경테로 두가지를 활용하고 자.즉 수영할때 물안경, 레저용으로 사용할수 있도록 한 고안 하나의 안경테으로 두가지 기능을 할수 있도록 하는 즉, 패키지를 활용하여 수영을 할때는 물안경으로, 또는 다양한 레저용 썬그라리스으로 사용할수 있도록 고안으로써 실용신안등록을 획득(심사등록)하였읍니다. 관심 있으시면 귀사의 성원 부탁드립니다. _3884tyh@hanmail.net 019-377-7002tyh3884@netian.com
볼펜은 수성펜과 달리 뚜껑이 없고 터치식인 관계로 한손으로 펜심을 돌출하여 필기하고 사용이 끝난 후에는 터치식으로 다시 펜심을 집어 넣을 수 있다.이와 반대로 수성펜류는 펜심의 잉크가 증발하기 때문에 이를 방지하기 위한 펜 뚜껑이 있으며 사용하고자 할 때에는 한손은 펜대를 잡고 다른 한손으로 펜뚜껑을 잡아 당겨서 펜을 개방하고 이 개방된 뚜껑은 펜대의 뒷부분에 꽂은 후 필기를 하며 사용이 끝난 후에는 펜대의 뒷부분에 붙였던 펜뚜껑을 다시 펜심부위로 가져다 붙여서 밀폐시켜야 하는데 매 사용순간마다 이 작업을 병행하여야 한다결과적으로 일반 볼펜에 비하여 수성펜의 사용은 훨씬 불편한 점이 있음수성펜류의 이와같은 단점을 개선하기 위한 방안으로 뚜껑과 동등한 수준으로 펜심을 밀폐시킴과 동시에 한손으로 쉽게 펜을 개방하여 사용하고 사용후에는 다시 한손으로 닫을수 있는 수성펜을 개발하였기에 이 방안을 특허[실용신안]으로 등록하였음기존의 펜류는 뚜껑이 덮혀 있고 이를 사용시 양손을 사용하여 뚜껑을 열고 사용 중지시에는 뚜껑을 닫아야 하나, 보유하고 있는 특허 기술에 의하면 한손으로도 수성펜을 개폐하여 사용할 수 있고 , 뚜껑 타입과 동일한 밀폐효과를 냄과 동시에 제품을 만드는 방법 또한 간단하여 제조비용이 저렴한 것을 특징으로 함- 본 고안의 핵심 기술 : (특허 본문 참조)1) 수성펜의 펜심부분을 밀폐시키는 뚜껑 대신, 얇은 튜브를 장착한다2) 장착된 튜브의 한쪽은 펜대에 밀착시키고 다른 쪽은 펜심부분을 덮을 수 있는 길이가 되도록하여 장착한다 [ 펜대에는 튜브를 밀착시키며 펜심부분은 트브자체는 개방되어 있다 - 펜심부분의 튜브는 펜심 굵기정도만 돌출될수 있을정도의 굵기면 된다 ] 3) 튜브는 신축성이 있거나 , 한쪽이 자바라가 부착되어 길이방향으로 신축 및 수축할 수 있도록 한다4) 수성펜을 사용하지 않고 보관할 때(밀폐시킬 때) 튜브를 길이방향으로 신축시켜 펜심을 덮도록 한 후 외부에 장착된 집게로 압착시켜 밀폐시킨다5) 수성펜을 사용시에는 튜브의 외부에 장착된 집게를 개방함과 동시에 길이방향으로 수축시켜 펜심을 돌출시켜 필기를 한다6) 사용이 끝난 수성펜은 다시 집게를 길이방향으로 전진시켜 튜브가 펜심을 덮도록한 후 집게의 힘으로 튜브를 밀착시켜 밀폐시킨다7) 이 모든 동작이 한손만 사용하여 손가락으로 밀고 당기며 수성펜을 개폐할 수 있다8) 단순하게 얇은 튜브와 집게를 조합하여 펜대에 장착한 것만으로 펜심의 잉크가 증발하는 것을 기존의 뚜껑타입과 동일하게 밀폐효과를 발휘함 [ 튜브의 펜대밀착부위는 고정으로 밀폐된 상태이며 펜심부분만 사용시 개방되나 보관시에는 집게로 튜브를 압착시킨다 ]9) 집게와 튜브가 한몸체를 이루도록 설계되어 개방하고 밀폐시키는 공정이 간단하여 , 수시로 개방하고 밀폐하여야 하는 수성펜종류를 볼펜처럼 수월하게 사용할 수 있도록 고안된 점을 특징으로 함
본 기술은 촉매 개질을 위하여 이루어진 것으로서, 이산화티타니아(TiO2)의 에너지 띠간격 사이에 산화 환원 전위를 갖는 전이, 란타나이드계, 귀금속이온을 도핑시켜 이 금속이온들이 격자내에서 전자 또는 정공의 포획지역(trap site)으로 작용하여 전하쌍 재결합 속도를 지연시키고, 띠간격에너지를 낮추어 광화학반응에서의 태양광의 가시광선 파장영역까지의 광 활용을 증가시켜 주는 역할을 하도록, 상용화되고 있는 광원은 물론 태양광 활용을 증가시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.이를 위하여 이산화티타니아(TiO2)의 에너지 띠간격 사이에 산화 환원 전위를 갖는 금속이온을 도핑시켜 이 금속이온들이 격자내에서 전자 또는 정공의 포획지역(trap site)으로 작용하여 전하쌍 재결합 속도를 변화시키고, 띠에너지를 낮추어 광화학반응에서의 태양광의 가시광선 영역까지의 광은 물론 상용화되고 있는 광원의 유용성을 증가시켜 주는 역할을 하도록 하는 것과, 다양한 전이, 란타나이드, 귀금속 출발물질 중에서 MxCly(Metal Chloride 계의 전구체 시약)를 낮은 온도의 증류수에 주입하여 교반시킨 후 TiCl4를 혼합하여 금속 산화물/이산화티타니아(M/Ti)의 입자성장을 위해 교반시키면서 반응시키며, 이 콜로이드(colloid)의 이온강도(ionic strength)를 감소시킴으로써 안정성을 증가시키고 분말형성을 용이하게 하기 위하여 Spectra/Por Membrane(MWCO:6-8000)을 사용하여 투석(dialyzing)한 후, 투석(dialyzing)한 용액을 회전식 감압증발기(Rotary evaporator)에 넣은 후 감압증발(evaporation)하며, 용액이 있는 항온조(water bath)의 온도는 콜로이드(colloid)의 온도 상태를 상온으로 유지하면서 고진공을 만들어 주는 것과 제조된 나노메터 크기의 금속이 도핑된 나도입자 금속 산화물/이산화티타니아(M/TiO2)는 수용액에 풀었을 경우 투명하였으며, 0.51g/l의 농도인 콜로이드 상태로 UV/VIS 흡수파장 및 투과도를 측정하여 가시광선 영역으로의 이동(red-shift)을 확인함과 동시에 자외선(Ultra violet:UV) 차단재로의 가능성을 확인하고, 1∼50몰 % 금속 산화물/이산화티타니아(M/TiO2)의 경우에는 500나노메터 이상의 장파에서도 흡수가 일어나는 것을 확인하는 것으로 구성되어져 태양광 활용을 위한 5∼10 나노메터 이하 크기의 금속이온이 도핑된 나노입자 금속 또는 이외 산화물/이산화티타니아(M/TiO2) 혼합광촉매 조성과 제조 방법 및 응용을 제공할 수 있다.이산화티타니아(TiO2)에 다양한 전이금속, 귀금속, 란타나이드계의 금속이온을 도핑시켜 태양광 및 가시광영역에서 광기능 재료로 이용이 가능하게 한다.이산화티타니아(TiO2)의 에너지 띠간격 사이에 산화 환원 전위를 갖는 전이, 란타나이드계 귀금속이온을 도핑시켜, 띠간격에너지를 낮추어 광화학반응에서의 상용화되고 있는 광원은 물론 태양광의 가시광선 영역까지 활용을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 플라즈마 형성방법으로 균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 제작하는 것에 관한 것이다. 본 기술의 목적은 플라즈마 화학기상증착방법을 이용하여 균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 전극 위에만 선택적으로 증착하는 것이다. 본 기술은 고밀도 플라즈마 화학기상증착법을 이용한다. 나노튜브 제작시 기판의 온도는 500 oC ~ 800 oC로 유지하며, 나노튜브의 생성 기판으로써 전이금속(Ni, Co 등)이 있는 실리콘 기판이나 전이금속(Ni, Co 등)이 증착된 절연기판을 사용한다. 나노튜브의 균일성과 생성밀도를 높이기 위하여 절연기판 위에 전이금속(Ni, Co 등)이 증착된 다결정 실리콘을 증착하여 기판으로 사용한다. 나노튜브 제작시 사용되는 가스는 CH4, C2H2, C2H6, C3H8 등(이하 CH4로 표기)의 탄소를 포함한 탄화수소 계열을 사용하며, 플라즈마 생성 및 나노튜브 공정을 최적화시키기 위하여 He, H2, N2, CF4 등을 사용한다. 나노튜브의 높은 생성밀도를 이루기 위해, 탄소 나노튜브를 증착하는 모우드와 증착시에 포함된 흑연상을 없애기 위한 에칭 모우드로 구성된, 증착ㆍ에칭ㆍ증착ㆍ에칭의 공정이 반복되는 층ㆍ층ㆍ층 증착방법과, 동시에 플라즈마를 형성하는 전극과 기판 사이에 한 개 이상의 금속 그물망을 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 제조한다. -CH4가스를 사용하여 500 oC ~ 800 oC의 온도에서 탄소 나노튜브를 기판 위에 선택적으로 패턴된 금속 위에만 제작 가능-균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 제작 가능-탄소 나노튜브를 전계효과 디스플레이(FED)의 전계방출 소자로 응용 가능-다양한 변경 실시가 가능
본 기술은 박막트랜지스터-액정디스플레이(TFT-LCD)의 제조방법에 있어서 불소가 함유된 실리콘 산화막(SiOF)를 식각마스크 및 이와 동시에 층간 절연막으로 사용하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 역스테거드형 박막트렌지스터를 사용한 TFT 어레이 제조에 있어서 게이트전극, 게이트절연막, 채널활성층 및 SiOF 채널식각마스크가 절연기판상에 형성된다. 제조된 TFT 어레이에서 SiOF 층은, TFT의 채널 상단 부위에서는 채널식각마스크의 역할을 수행하며, 배선의 교차지점에서는 배선간의 층간절연막의 역할을 동시에 수행한다.-계면 특성을 좋게함-층간정전용량이 크게 줄임-대면적의 TFT-LCD 패널의 설계가 크게 용이-화질 개선-고해상도
본 기술은 비반응성 기체를 이용한 플라즈마를 사용하여 금속 입자를 비정질 실리콘에 입사 시킨다. 그 후 UV를 조사시키면서 전계를 인가하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 플리즈마에 의한 금속의 형성과 전계을 인가하면서 UV에 의한 열처리로 비정질 막을 결정화 한다. 유리기판 위에 절연막을 형성하고 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 5x1012 ~ 5x1014cm-2의 금속 입자들을 입사시킨다. 파장이 100~400nm 사이의 UV를 조사한 상태에서 1~1000V/cm 사이의 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 시키거나, UV를 조사시키고 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 한다.-전계와 UV을 이용하여 결정화 시간을 단축-대면적 기판에 적용함에 따른 기판 변형의 문제 최소화-낮은 온도에서 박막 전체를 균일하게 결정화 가능-저온에서 제작 가능-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
본 기술은 인(P) 이온 도핑된 비정질 막 상에 니켈 등의 아주 얇은 금속 층을 비정질 막 전체에 형성시켜 전계를 인가하면서 열처리하여 비정질 실리콘을 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 인 이온을 도핑하여 금속 유도 결정화 방법으로 비정질 막을 결정화 하는데 있다. 유리 등의 절연기판 위에 인 이온을 포함된 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 얇은 금속층을 증착하고, 전기장을 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 금속 유도 결정화 한다-다결정 실리콘의 결정성을 향상-박막내의 잔류 금속의 양을 최소화 -박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD), 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정 실리콘 박막으로 대체 가능-저온에서 제작-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
본 기술은 액정 표시소자(LCD)에 사용하는 박막 트랜지스터의 제작 공정에 필요한 마스크 수를 줄이는 방법 및 고농도 불순물층과 화소 전극 사이에 니켈 실리사이드 혹은 니켈 실리사이드와 금속층(Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd. Ag 등)이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터(TFT)구조에 관한 것이다. 본 기술의 TFT는 절연 기판상에 게이트, 활성층 및 소오스/드레인 전극이 형성된 TFT에 있어서, 소오스/드레인 전극이 실리사이드 혹은 실리사이드와 금속층으로써 형성된다. TFT 제작에 있어서 기존 공정보다 1∼2 장의 마스크 수를 감소시켜서 스윗칭 소자인 TFT를 형성할 수 있다. 소오스/드레인 전극은 실리사이드층 및 투명전극 혹은 실리사이드층, 금속층 및 투명전극의 적층으로 이루어진다.- 저 마스크수 공정에 의한 TFT를 제작 가능- 생산성 향상- LCD 제작 비용을 크게 절감
본 기술은 금속 박막의 위 아래에 얇은 알루미늄 질화막(AlN)을 형성하여 박막 격리 방지에 관한 것이다. 본 기술은 알루미늄 질화막을 전체적으로 증착하여 형성한다. 형성된 알루미늄 질화막은 패턴형성을 하지 않고 남겨둔 상태에서 다른 금속(게이트 금속)을 증착한다. 알루미늄 질화막은 다른 박막에 전혀 영향을 주지 않으면서 쉽게 제거가 가능하다. 이러한 방법에 의해 복잡한 공정과 금속의 특성 저하없이 유리와 금속의 접착력을 향상시키고, 금속의 확산도 막을 수 있다. 이 기술은 새로운 게이트 금속 물질인 APC(Ag-Pd-Cu)합금과 구리의 접착력 향상과 확산 방지에 알루미늄 질화막을 사용하여 박막 트랜지스터를 제조한다.-접착력, 확산및 금속의 변형이 우려되는 금속을 알루미늄 질화 버퍼층을 이용하여 유리 기판 위에 증착하여 후속 공정시의 신뢰도를 높임-대부분의 금속이 특성변화 없이 게이트 금속 사용을 가능-낮은 저항 금속들 중의 일부인 구리와 APC가 유리 기판에 접착력이 우수한 금속 특성을 보임
본 기술은 고분자계 전계 발광(Electroluminescence, 이하 EL이라 칭함)소자의 제조시 발광재료로서, 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함한 PPV계 유도체 및 이를 발광재료로서 사용한 전계 발광 소자에 관한 것이다. 지금까지 많이 연구된 E L소자로서는 GaAs와 같은 무기계 반도체를 들 수 있는데 이들은 작은 크기, 낮은 소모전력 등의 장점으로 현재 작은 면적의 디스플레이, 발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하 LED라 칭함)램프 및 반도체 레이저 등으로 사용되고 있다. 그러나 이들 소자는 넓은 면적의 LED를 제조하기가 곤란하며 금속 화합물의 형광이온이 첨가된 무기반도체 및 이들을 고분자에 분산시킨 무기계 EL 소자의 경우 구동 전압이 높을 뿐아니라 높은 전기장에서 작동되어 반도체의 안정성에 문제점을 갖고 있다. 본 기술에 사용한 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함한 PPV계 유도체의 중합도 및 이의 제조방법은 특별히 한정시킬 필요는 없다. 유도체의 중합도는 유기용매에 가용성이 있어서 스핀코팅 방법으로 박막이 형성될 수 있는 정도이면 된다. 단지 본 기술은 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함한 PPV계 유도체를 형성한다.- PLED 소자로의 응용 가능- 광 스위치나 모듈 및 광흡수체 등으로 응용 가능- 본 기술은 고분자계 EL 소자를 제조할 때 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함하는 PPV계 유도체를 발광재료로 사용하는 것을 특징임- 발광 재료를 함유하는 전계 발광 소자를 제조함
본 기술은 수소 플라즈마를 사용하여 니켈 등의 아주 얇은 전이금속층을 비정질 실리콘 박막 위에 형성시킨 후, 전계를 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 방법에 관한 것이다, 본 기술은 유리등의 절연기판 위에 비정질 실리콘 박막을 증착하고, 반도체 층위에 수소(H2)가스를 사용하여 RF 또는 DC 플라즈마를 노출시킨 후, 전기장을 가해주면서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화한다. 이 때, RF 또는 DC 플라즈마의 세기, 노출시간, 반응로 내부의 압력등을 조절하여 박막내의 금속량을 조절하게 된다. 결정화 속도를 증가시키기 위하여 DC 또는 AC 전압을 플라즈마 노출상태에서 가하거나, 플라즈마 노출이 종료된 후에 비정질 실리콘의 양단에 가해준다. 플라즈마에 의해 특정 금속만이 비정질 실리콘 층위에 도포하기 위하여, 반응로 내부에 금속봉 또는 금속판을 통해 플라즈마를 생성시킨다. 이 때 사용되는 금속물질로는 Au, Ag, Al, Sb, In 등의 귀금속과 Ni, Mo, Pd, Ti, Cu, Fe, Cr 등의 실리사이드를 형성하는 전이금속을 사용한다.-결정화시간을 단축-낮은 온도에서 박막전체를 균일하게 결정화-다결정실리콘 표면 혹은 바닥에 존재하는 니켈량을 수소(H2) 플라즈마의 조건으로부터 조절가능-저온에서 제작 이점
본 기술은 니켈 등의 아주 얇은 금속 층을 비정질 막 전체 형성시키고 그 위의 일부분 위에 제2금속 층을 형성한 후, 전계를 인가하면서 열처리하여 비정질 실리콘을 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 유리 등의 절연기판위에 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 얇은 금속층을 증착하고 전기장을 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 금속 유도 결정화 한다- 결정화된 다결정 실리콘의 결정성을 향상- 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD), 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정 실리콘 박막으로 대체 가능- 저온에서 제작할 수 있다는 이점- 고온고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
본 기술은 유기 전기 발광 소자의 발광층, 정공 주입 및 수송층, 전자 주입 및 수송층 모두에 적용될 수 있는 저분자 적색 발광 유기 화합물 및 이를 함유하는 고효율의 유기 전기 발광 소자에 관한 것이다. 화학식(첨부)에서D1, D2는 각각 공명(resonance)에 의하여 전자를 공여할 수 있는, 방향족 아민계 그룹(group), 카바졸 그룹(group), 카바졸 유도체 그룹(group) 등이고 A1, A2는 각각 중심의 벤젠고리와 컨쥬게이션(conjugation)을 하는 이중결합, 중심의 벤젠고리 및 이중결합과 컨쥬게이션(conjugation)을 하는 사이아노(cyano)기, 사이아노기와는 컨쥬게이션(conjugation)을 하지 않고 중심의 벤젠고리 및 이중결합과 컨쥬게이션(conjugation)을 하는 헤테로 고리 방향족 그룹(group), 벤젠계 방향족 그룹(group)등으로 구성된다. 본 기술의 발색 유기 화합물은 공명(resonance)에 의하여 전자를 공여할 수 있는 방향족 아민계 그룹(group), 카바졸 그룹(group), 카바졸 유도체 그룹(group)이 대칭적으로 위치하고 발광 영역이 조절될 수 있도록 중심의 벤젠고리와 컨쥬게이션(conjugation)을 하는 이중결합에 결합되어있는 사이아노(cyano)기, 중심의 벤젠고리 및 이중결합과 컨쥬게이션(conjugation)을 하지만 사이아노(cyano)기와는 컨쥬게이션(conjugation)을 하지 않는 헤테로 고리 방향족 그룹(group), 벤젠계 방향족 그룹(group)을 함께 포함하는 그룹(group)이 대칭적으로 위치하면서 각각 D1, D2와 중심 벤젠고리를 통하여 컨쥬게이션(conjugation)을 하는 구조이다. 방향족 아민계 그룹(group), 카바졸 그룹(group), 카바졸 유도체 그룹(group)은 상기 발색 유기 화합물의 분자내 전자 공여 능력을 유발하며 사이아노기 및 헤테로 고리 방향족 그룹(group), 벤젠계 방향족 그룹(group)은 공여되는 전자를 수용하여 발광 영역을 조절하는 역할을 수행한다. 또한 전자를 공여하는 작용기 및 사이아노기의 위치와 헤테로 고리 방향족 그룹, 벤젠계 방향족 그룹 등을 변형 또는 변화 시킴으로서 발색 유기 화합물의 발색 특성 및 발색 유기 화합물이 포함된 전자 소자의 전기적 특성을 변화 시킬 수 있다.-정공 수송층, 전자 수송층 및 발광층 모두에 적용-발색 유기 화합물을 유기 전기 발광 소자에 사용할 경우 정공 수송층, 전자 수송층의 역할을 각기 수행하고 동시에 발광층으로서의 역할도 수행-다른 종류의 발색 유기 화합물을 함께 사용하여 다양한 색상의 구현 가능
전자 부품의 융착, 또는 기판 재료로 응용이 되는 분말 유리로서 유리의 조성을 변화시켜 열팽창계수를 다양하게 조절하여 필요한 용도에 적용이 가능하다. 특히 유리의 결정화에 따라 수축율을 조절하고 화학적 내구성을 증진시킨다.- 기존 기판유리가 필요로 하는 열에 의한 수축율 감소- 기판에서 발생하는 열을 외부의 케이스까지 전달되지 못하도록 열전도도 감소- 저온 소결화 (750∼780℃)- 전기절연성 우수(1013Ω 이상)- 유전상수를 낮출수 있음＊ 기대효과- 저온 소결에 의한 에너지 소모량 감소.- 수축율의 조절에 의한 제품의 불량율 감소.- 결정화 유리의 결정상 조절에 따른 열팽창 조절.
- 본 기술은 미세한 금속 분말을 제조하는 기계장치에 관한 것이다. 금속 주괴를 용융시킴이 없이 특별히 고안된 줄을 이용하여 한번의 공정으로 순수 미세 마그네슘 분말 뿐만아니라 알루미늄, 아연, 티타늄 분말을 용이하게 제조할 수 있는 분말 제조장치가 개시되어 있다. 작업대 위에 설치된 바이스에 해당 금속 주괴를 고정시킨후 공기 압축기와 공압장치를 작동시켜서 작업대를 점진적으로 상승시키고, 이와 동시에 모터를 작동시켜서 작업대 윗쪽에 설치된 줄을 수평방향으로 왕복운동시킨다. 바람직하게는, 30∼300회/분의 속도록 줄을 왕복운동시킨다. 작업대가 줄 근처까지 상승하면, 주괴의 최상부면이 수평 왕복운동을 하는 줄에 마찰 접촉하게 되고, 이에 의해 주괴가 분말의 형태로 분해된다. 금속 주괴를 용융시킴이 없이 특별하게 고안된 줄을 이용하여 한번의 공정으로 미세한 순수 합금분말을 용이하게 제조할 수 있는 금속 분말의 제조장치에 관한 것이다.- 금속 주괴를 용융시킴이 없이 특별히 고안된 줄을 이용하여 기계적 방법으로 한번의 공정으로 쉽게 순수 미세 마그네슘 분말 뿐만아니라 알루미늄, 아연, 티타늄 분말을 제조 가능- 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음
본 기술은 수열 합성법을 이용하여 마그네슘-페라이트 복합분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 자체 연소 반응법을 이용하여 텅스텐(W)을 제련하는 과정에서 산에 의한 침출의 결과로서 발생되는 마그네슘(Mg) 폐액으로부터 마그네슘(Mg)을 회수하기 위해서 하소공정없이 수열 합성법을 이용하여 단분산성 구형의 초미립자들을 직접 제조함으로써 결정성이 우수한 마그네슘-페라이트 복합분말을 제조하는 방법으로 출발원료인 Fe2+, H2O, 폐산중의 Mg 이온을 일정만 몰비로 혼합한 후 pH 조절제로서 KOH를 첨가하여 수산염 형태로 침전을 시킨다. 이때, 마그네슘(Mg) 폐액으로부터 마그네슘을 회수하기 위해서 2가 철염(FeC12·6H2O)을 사용한다. 다음에는, 생성된 공침물을 압력 반응용기 내에 장입한 후 130∼240℃의 온도에서 수열반응시킨다. 그런 후에는, 반응 종료후의 잔류 Fe2+, Fe3+, Mg2+ 등을 제거하기 위해 열수로 충분히 수세하고, 분말의 응집을 막기 위해 최종단계에서 메틸 알코올을 첨가하여 초음파 세척기로 분산시킨다. 그리고, 생성물을 여과하여 산화 방지를 위해 90℃의 진공 건조로에서 24시간 건조시킨다. 그 결과, 스피넬(spinel) 구조의 마그네슘-페라이트 복합분말을 제조하는 방법- 마그네슘-페라이트 복합분말의 제조방법에서는, SHS를 이용하여 텅스텐(W)을 제련하는 과정에서 산에 의한 침출의 결과로서 발생되는 마그네슘(Mg) 폐액으로부터 마그네슘(Mg)을 회수하기 위해서 하소공정없이 수열 합성법을 이용하여 단분산성 구형의 초미립자들을 직접 제조하여 타방법으로는 제조하기 어려운 산화물들을 비교적 간단하게 합성할 수 있음. 경제적고, 분산성이 우수하여 공업화 가능
- 본 기술은 순수 마그네슘 분말 또는 마그네슘 합금 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 원료 분말로서 순수 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 준비하여 쌍 롤 장치의 용해로에 장입한후, 분위기 가스로서 육플루오르화황(SF6) 가스와 이산화탄소(CO2) 가스를 1:45 ∼ 1:150의 혼합비로 불어넣어 준 용해로 내에서 마그네슘을 용해하고, 그 결과로서 생성된 용탕을 턴디쉬로 넣는다. 이때, 턴디쉬는 공기압에 의해서 왕복운동할 수 있게 하고, 턴디쉬의 도가니에는 2∼5mm 크기의 배출구멍을 뚫어서 용탕이 쌍 롤로 흘러들어갈 수 있도록 하였다. 턴디쉬로 주입된 용탕은 턴디쉬의 배출구멍 사이로 빠져나가서 400∼3,000rpm으로 회전하는 쌍 롤에 닿게되고, 그 결과 급속응고된 플레이크가 제조된다. 이렇게 제조된 플레이크는 아르곤(Ar) 가스 분위기가 조성된 플레이크 파쇄장치 내에서 1회, 2회, 3회, 4회 파쇄되어 미세한 분말로서 제조된다. 본 기술은 쌍 롤(twin roll)법을 이용하여 마그네슘 플레이크를 제조한후 이를 파쇄하여 미세분말을 제조함으로써, 순수 마그네슘을 산화시키지 않고서 순수 마그네슘 분말을 안전하게 얻을 수 있는 제조방법에 관한 것이다.- 순수 마그네슘을 산화시키지 않고서 쌍 롤을 이용하여 마그네슘 플레이크를 제조한후, 플레이크 파쇄장치를 이용하여 마그네슘 플레이크를 파쇄하여 미세 분말을 제조함으로써, 순수 마그네슘 분말을 안전하게 얻을 수 있음- 제조공정이 간단하여 순수 마그네슘 분말뿐만 아니라, 마그네슘 합금의 미세분말을 대량으로 생산 가
- 본 기술은 연속식 수열합성 반응기를 이용하여 나노 전자재료분말인 BaTiO3, I.T.O 등을 제조하는 방법에 관한 것이다. 기존의 수열합성기는 원료의 장입, 반응, 배출등의 공정을 진행하기 위해 장시간이 소요되며, 반응기의 승온, 냉각시에 에너지소모가 많은 단점이 있었다. 본 기술에서는 이러한 단점을 극복하고, 연속적으로 양산할 수 있는 수열합성 반응기를 제조하였다. BaTiO3분말의 경우 TiCl4와 Ba(OH)2, H2O등을 수열합성 반응기에 장입한 후 80∼180℃에서 수열합성 시킨다. 그 결과로서 생성된 생성물을 수열합성 반응기로부터 취출하여 수세한 후 100℃에서 48시간 진공·건조시키면 BaTiO3분말을 얻을 수 있다. BaTiO3분말의 경우 TiCl4와 Ba(OH)2, H2O등을 수열합성 반응기에 장입한 후 80∼180℃에서 수열합성 시킨다. 그 결과로서 생성된 생성물을 수열합성 반응기로부터 추출하여 수세한 후 100℃에서 48시간 진공·건조시키면 BaTiO3분말을 제조할 수 잇는 방법에 관한 것이다.-공정이 단순해지고 양산 가능-연료 효율을 혁신적으로 발전 가능-본 반응기를 통하여 나노 전자재료분말의 제조 가능
- 본 기술은 연속식 수열합성 반응기를 이용하여 순수 금속(Co, Ni, Cu)분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 기존의 수열합성기는 원료의 장입, 반응, 배출등의 공정을 진행하기 위해 장시간이 소요되며, 반응기의 승온, 냉각시에 에너지소모가 많은 단점이 있었다. 본 기술에서는 이러한 단점을 극복하고, 연속적으로 양산할 수 있는 수열합성 반응기를 만들었으며, 본 반응기를 이용하여 수소환원법을 이용하여 금속염 수용액으로부터 금속 금속(Co, Ni, Cu)분말을 석출시켜 순수 금속(Co, Ni, Cu)분말을 제조하였다. Autoclave에 의한 수소환원법의 경우에는 비교적 저온에서 단시간에 고순도의 금속 석출을 얻을 수 있어 관심이 집중되고 있는 공법이다. 그러나 고온 고압의 수용액 내에서의 핵생성 현상과 성장이론은 아직 명확히 규명된 바가 없어 주로 시행착오에 의하여 실험이 진행되었다. 본 기술에 따르면, 금속염 수용액과 각각의 환원제 및 첨가제를 수열합성 반응기에 장입한 후 증류수를 첨가하여 150∼200℃로 반응시키면서 고순도의 수소 gas를 취입한다. 그 결과로서 생성된 생성물을 수열합성 반응기로부터 취출하여 수세한 후 100℃에서 진공·건조시키면 순수 금속(Co, Ni, Cu)분말을 얻을 수 있다. 본 반응기를 이용하여 수소환원법을 이용하여 금속염 수용액으로부터 금속 금속(Co, Ni, Cu)분말을 석출시켜 순수 금속(Co, Ni, Cu)분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. - 본 기술명에 따른 연속식 수열합성 반응기의 개발은 기존의 공법에 비해 제조공정을 연속적으로 진행시키므로 공정이 단순해지며, 양산할 수 있음- 한번 Heating시킨 후 일정 온도만 유지시켜주면 되므로 연료 효율을 혁신적으로 발전시키게 됨- Co분말은 금속탄화물, 질화물, 붕화물 등의 융점과 경도가 높아 주로 고 경도 소재나 절삭가공 및 절삭 wheel소재로 활용되고 있는 고 융점 고 경도 분말들을 결함(consolidation)시키기 위한 결합제(binder)로 사용됨. 전기접점소재원료, oilless 베아링 소재원료 등으로 사용되고 있으나, 국내에서는 전량 수입에 의존하고 있는 실정임. 본 반응기를 통하여 순수 Co 및 Ni 분말을 제조함으로서 국제 경쟁력강화는 물론 국가경제발전에 크게 이바지할 수 있음
- 본 기술은 산화텅스텐(WO3), 알루미늄(Al) 및 탄소(C)로부터 순수한 Al2O3-WC 복합분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 원료 물질로서 산화텅스텐(WO3), 알루미늄(Al) 및 탄소(C)를 일정한 몰비로 혼합한다. 다음에>는, 혼합된 분말을 4∼14ton의 성형 압력을 가해서 직경 20㎜, 높이 12∼18mm의 펠렛을 만든다. 이렇게 성형된 펠렛을 자체 연소 반응기 내에 위치시킨 후, 아르곤(Ar) 가스 분위기하에서 먼저 70℃의 온도로 충분히 건조시킨다. 다음에는, 예열된 펠렛을 점화·연소시킨다. 그 결과로서 순수한 Al2O3-WC 및 중간상인 W2C가 생성되면, 10∼50%의 질산(HNO3) 또는 불산(HF)을 혼합하여 침출시킨다. 다음에는, 거름종이를 이용하여 중간상인 W2C를 용해시키고 침전되어있는 Al2O3-WC를 회수한다. 그런 후에는, 약 3∼6회에 걸쳐서 Al2O3-WC를 세척하고 건조기 내에서 60∼70℃의 온도로 충분히 건조시킨다. 그 결과로서 생성된 연소 생성물인 Al2O3-WC 복합분말은 99.99% 이상의 고순도를 나타내는 Al2O3-WC 복합분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. - 본 기술에 따른 Al2O3-WC의 복합분말의 제조방법에서는, 산화텅스텐을 원료물질로 사용하고 알루미늄(Al)과 탄소(C)를 이용하여 이들의 혼합물을 만들면서 반응식 몰비를 변화시켜 혼합·성형한 다음, 자체 연소 반응기 내에서 점화·연소시킨다. 따라서, 기존의 복합분말 제조방법에서 요구되는 고온 반응로가 불필요해지고, 제조 공정이 단순해짐.- 기존의 제조기술은 고진공, 고온의 로를 요구하는데 비해서, 본 제조방법에서는 이러한 설비가 없어도 동일한 품질 또는 그 이상의 품질을 갖는 화합물을 합성할 수 있음- 자체 발열량에 의해서 반응물의 연소 반응이 자동적으로 진행되므로 에너지 효율이 높고, 99.99% 이상의 고순도를 나타내는 생성물을 얻을 수 있음