산업기술 통합검색
본 기술은 다수의 마이크로폰을 배열한 어레이를 이용, 소음원의 공간적 위치를 규명하고 그 궤적을 추적하는 기술이다. 마이크로폰에서 측정하는 음압신호의 크기와 위상차를 이용하여 소음원의 공간적 위치정보를 탐지하는 장치로서 마이크로폰을 구성하는 방법과 측정한 음압신호로부터 소음원의 위치정보를 추적하는 신호처리기술이 포함된다.외국에서도 일부 기업만이 상용화를 시도하는 신기술임. 외국의 경우 교통, 대규모 소음발생시설, 군사적 목적 등으로 폭넓게 응용되고 있는 기술임.● 활용가능분야- 교통, 수송기계, 일반기계장치 등에서 소음원 규명(군사적 이용포함)- 산업 공정에서 기계이상신호 탐지- 상시 원격감시 시스템 설계 및 제작- 화상회의, 원격교육 등에서 말하는 사람 자동추적장치 제작
본 기술은 60 Hz 부근의 극저주파 전기장을 피 측정 전기장의 왜곡을 최소화하면서 측정할 수 있는 기술이다. 일반적으로 피측정 전기장(E-filed )는 측정기의 삽입에 의해 왜곡되므로 국소 전기장을 측정하는 것이 어려운데 본 기술에서는 측정전류의 감도 및 속도를 높임으로써 센서의 크기를 소형화하여 전기장 측정의 공간 분해능을 높이는 동시에 3축 전기장을 단번에 측정 할 수있어서 측정지점에서 전기장의 크기와 방향을 알아낼 수 있다.기술의 장점-국소 E-filed 도 왜곡없이 측정가능하며 3축 전기장을 측정하므로 측정 지점에서 전기장의 크기와 방향을 알아낼 수 있다.활용가능 분야- ELF meter- 작업장의 전자파 환경 요건 시험- 전기 기구의 전자파 발생 특성 측정
본 고안은 램프를 전기적으로 접속시킴과 동시에 이를 지지하는 소켓에 관한 것으로, 특히 램프를 지지하는 탄성체를 소켓에 일체로 형성하여 부품수 및 조립공정을 줄이고 그에 따른 생산성을 향상과 제조비용 절감효과를 얻도록 한 램프 고정용 탄성체가 일체로 된 소켓에 관한 것이다.일반적으로 형광등은 양측에 접속단자를 갖는 막대형 구조로 되어 있어 이를 결합 지지하는 소켓은 양측 단자에 대응되도록 두 개의 몸체로 구성되고 각 몸체에는 단자가 삽입되는 두 개의 슬롯과 이와 연결되어 삽입된 단자를 전기적으로 연결시키면서 접속된 상태를 유지하도록 하는 스프링단자로 구성된 구조로 된 단순한 구조로 되어 있다.종래의 형광등은 양쪽에 접속단자가 형성되어 있기 때문에 형광등의 탈장착이 용이치 않은 단점이 있고, 또 길이가 길기 때문에 설치시 장소에 제약을 받는 단점이 있었다. 또한 결합홈 내에 장착되는 탄성체가 소켓과 별도의 몸체로 이루어져 있기 때문에 제조시 탄성체를 별도로 제조해야 하고, 또 이를 일일이 결합홈 내에 삽입시켜 조립해야 하는 공정이 수반되므로 소켓 제조공정이 늘어나 제품의 생산성이 떨어지고, 제품의 제조비용이 상승되는 단점이 있다. 또 결합홈 내에 결합된 램프 몸체를 분리시킬 때 탄성체가 외부로 함께 이탈되는 현상이 발생하여 다시 조립해야 하는 번거로움이 있다.본 고안은 양측에 걸림턱을 구비한 램프몸체가 장탈착되는 결합홈을 갖고, 상기 결합홈의 양측에 램프의 접속단자가 접속되는 접속단자가 설치된 소켓에 있어서, 상기 램프몸체의 걸림턱과 대응되는 상기 소켓의 결합홈 내측 바닥 양측부에 개구부 방향으로 입설되면서 그 단부에 걸림턱을 지지하는 걸림돌기가 구비된 탄성체가 일체로 형성되어 달성된다. 따라서 본 고안은 램프를 전기적으로 접속시킴과 동시에 이를 지지하는 효과를 나타낸다.램프를 전기적으로 접속시킴과 동시에 이를 지지하는 효과
본 고안은 건물내부의 화재나 재난사고 등으로 인한 정전발생시 신속한 대피를 위해 실내의 휴대용 비상조명등이 자동 점등되게 함과 아울러 대피시 휴대용 비상조명등을 휴대 가능케 구성하므로 안전사고에 의한 인명피해를 최소화 함에 그 큰 목적을 가지는 휴대용 비상조명장치에 관한 것이다.통상적으로 건물내부에는 화재나 기타 안전사고 등으로 인한 정전에 대비하여 정전과 동시에 점등될 수 있는 비상등과 휴대용 후레쉬가 일정위치 마다 비치되어 자체 비상 전원공급장치에 의해 점등 가능케 하는데 이는 기타 안전사고에 의하여 비상전원 공급장치의 파손시에는 무용지물의 결과를 가져 오므로 그 사용상 별 효과를 가지지 못하는 폐단이 있었으며 또 소건물(일반 상가 또는 지하층 다중 야간업소, 다수 대주택) 등에는 자체 비상전원 공급장치가 구비되지 않은 곳이 많아 사실상 비상등의 사용이 불가피한 실정이었다.그리고 상기 휴대용 후레쉬는 건물내의 일정위치에 다수개 설치하여져 있어 위와 같이 비상등의 점등이 이루어 지지 않을 경우 그 위치 파악이 어려워 사용상 매우 불편함이 있으며, 또한 일회용 건전지나 충전식용 건전지를 내장하여 장시간 비치 시킴에 따라 그 전원 소모로 인한 비상상황에서 점등이 이루어 지지 않은 폐단까지 발생할 수 있는 우려가 있어 더 많은 인명피해를 가져 오는 크나큰 문제점을 가졌던 것이다.본 고안은 통상 사용되는 충전식 비상등의 전원공급부로 전원의 "IN/OUT"따라 선택 동작되는 릴레이를 마련한 다음 이를 AC전원을 공급하는 충전거치대에 탈부착 가능케 설치함에 있어, 상기 충전식비상등은 릴레이를 가지는 작동선별부와 AC전원을 DC로 변환시켜 주는 어댑터 및 충전지로 구성하고 어댑터와 충전지 사이에는 릴레이의 작동에 따라 선택 점등되는 발광부를 마련하여서 된 휴대용 비상조명장치를 구성하므로, 충전식 손전등을 탈부착 가능케 충전거치대로 건물내 일정위치에 다수 설치하여 항상 소등상태에서 AC전원의 공급으로 인한 충전상태를 유지하고, 안전사고 등의 발생으로 인한 건물내 정전시(AC전원 차단)에는 손전등의 릴레이가 작동하여 충전지에 의한 손전등의 자동점등이 이루어지게 함은 물론 휴대가 가능하여 안전사고에 따른 인명피해를 보다 최소화 시킬 수 있도록 한 것이다.건물내 정전시(AC전원 차단)에 충전지에 의한 손전등의 자동점등 가능.휴대가 가능.안전사고에 따른 인명피해를 보다 최소화 효과.
본 기술은 10 ㏁이상의 고저항을 10 V 이하의 저전압에서 정확히 측정하는 기술이다. 일반적인 저전압 고저항 측정의 경우 제로옾셋 근처의 미약한 전류를 측정해야하므로 노이즈 차폐에 많은 비용이 소요되고 측정의 신뢰성이 낮은 데 비해 본 기술은 제로옾셋의 영향을 근본적으로 제거하여 간단하면서도 정확한 측정이 가능하다.- 고저항 반도체 웨이퍼 비저항 측정- LCD 소재 저항 측정- 정밀측정 기기 절연 특성 측정- 각종 재료의 저전압 절연 특성 측정- 고저항 측정기기
본 기술은 백금, 금, 팔라듐 순금속으로 고정밀도 열전대 센서를 제작하는 기술로서 현재 상용화된 열전대에서 나타나는 열기전력의 불균질성을 제거하였으므로 장기간 사용하여도 측정값의 변화가 극히 적고, 정확도를 10배 이상 향상 시키었다. 정확한 온도 제어가 필요한 산업 분야에서 사용할 수 있으며, 또한 기존의 표준백금저항온도계 갖는 한계점을 극복하였으므로 대체 표준기로도 사용이 가능하다.기술의 장점→최고 정밀도의 열전대 온도센서를 제작하는 고급 기술로써 반도체 확산로 공정에 사용이 가능하고 현장교정시 기준기로 사용할 수 있음. 모든 산업분야. 특히 반도체, 초자, 철강 산업 등과 같이 주기적인 온도센서의 교정 및 교체작업이 필요한 분야에서 활용이 기대됨. 그리고 국가교정기관 및 교정전문 업체에 대한 보급이 가능
본 기술은 자장 안에 놓인 자성체에 작용하는 토크를 자장(방향 및 세기)의 함수로 측정할 수 있는 토크자력계를 제작하는 기술이다. 토크자력계는 강자성 박막을 비롯하여 벌크재에 이르기까지 다양한 자성재료의 자기이방성을 정밀하게 측정할 수 있는 데 본 기술에서는 저진동 회전테이블과 내진동프레임을 채용하여 두께가 10- 10,000 나노미터이고 지름이 1 cm 인 니켈박막의 자기적 특성을 1 % 의 잡음수준으로 측정 가능하다.기술의 장점 : 저진동회전테이블, 내진동프레임 채용으로 두께가 10-10,000 nm 이고 지름이 1 cm 인 니켈박막의 자기적 특성을 1 % 의 잡음수준으로 측정가능
본 기술은 야외시험장의 적합성 평가용으로 사용할 안테나 및 EMI/ EMC 측정용 안테나를 제작하기 위한 기술이다. 단일 주파수에서 쓰이는 공진다이폴 안테나와 모노폴 안테나의 공진 길이를 구하는 방법과 안테나 발룬의 제작기법, 공진 다이폴 안테나 인자 계산 software 등이 있으며, 넓은 주파수대역에서 쓰이는 바이코니칼 안테나와 대수주기 안테나의 안테나 설계 제작기술 및 발룬 제작기술이 있다. 광대역 주파수 특성을 갖는 안테나 제작이 가능하고 EMI/ EMC 측정용 안테나의 국내제작에 의한 수입대체효과를 기대할 수 있다기술의 장점 : 광대역 주파수 특성을 갖는 안테나 제작이 가능기대효과 : EMI/EMC 측정용 안테나의 국내제작에 의한 수입대체효과
본 기술은 고전력 측정기기를 정확하게 교정하기 위한 시스템을 구성하는 기술이다. 교정에 사용되는 표준 전력감지기가 전력의 크기에 따라 비선형 특성을 갖고있기 때문에 정확한 측정을 위해서는 측정전력의 크기에 따른 특성변화를 측정하여 사용해야 한다. 이 기술은 10 mW에서 교정된 표준 전력감지기와 전력 측정범위에 맞게 방향성 결합기를 연결하여 고전력 측정기를 정확하게 교정할 수 있으므로 통신산업에서의 통화 품질 및 반도체 산업의 제품의 수율 향상에 기여할 수 있다.기술의 장점 : 10 mW에서 교정된 표준 전력감지기를 이용하여 넓은 전력 범위에서 고전력계의 교정이 가능기대효과 : 통신산업에서의 통화 품질 및 반도체 산업의 제품의 수율 향상
본 기술은 전자파 재료의 복소 유전율 및 투자율을 측정하기 위한 기술로서 RF 및 MW 주파수 대역에서 전자파 재료의 형태(분말, 고체, 액체)에 따른 측정방법과 측정 및 유전율 투자율 계산에 필요한 software가 개발되어 있다. 광대역 주파수에서 측정가능한 방법은 단락 전송선로법, 동축형 전송선로법, 개방단말 프로브법 등이 있고, 단일주파수에서는 reentrant cavity를 이용한 방법이 있다.기술의 장점 : 광대역 주파수 범위에서 측정이 가능기대효과 : 전자파 재료 이용 제품의 성능향상 및 신소재 개발비용의 절감
본 기술은 가스 시료량이 적어 일반적인 가스분석 방법인 가스크로마토그래피나 전용기기 분석 방법을 사용할 수 없을 때 정밀가스 질량분석기를 이용하여 가스량 및 가스의 구성성분을 알아낼 수 있는 방법이다. 고체에서 발생되는 가스, 액체속에 녹아있는 가스, 저진공 가스 등 시료의 양이 mL이하로 있는 경우 진공 하에서 시료를 포집할 수 있는 방법과 포집된 시료를 정량적으로 구성 분압을 측정하는 기술이며 세계적으로 서비스가 되지 않는 유일한 측정방법으로 관련 기업의 활용도가 아주 크다.- 고분자 생산업체 : 고분자에서 발생하는 가스량 측정- 반도체관련 업체 : 독성가스 제거장치 효율 측정, 작업환경 측정에 사용- 대기환경 측정 및 분석기관 : 환경오염물질의 제거장치 측정, 대기오염 직접 측정가능
가시 스펙트럼과 UV광탐지자의 청색과 황색 영역에 있는 발광 다이오드 (LED)와 레이져 다이오드 (LD) 처럼 다양한 반도체 장치들은 III-V 질화물 (InN, GaN, AlN 그리고 그밖의 합금)을 기초로 하여 제조된다. III-V 질화물들은 화학적 안정성, 방사선에 대한 저항 그리고 높은 열 전도도와 함께 조정 가능한 밴드갭 때문에 반도체 재료로 각광받고 있다. 그러나, GaN의 단일 결정은 녹는점과 증착 성장 온도에서 N2의 큰 평형 해리 압력 때문에 액체 형상 에피탁시 (LPE)를 사용한 용해된 상태에서 성장시키는 것은 불가능하다. 그렇기 때문에, GaN 단일 결정들은 이질의 핵 자리로서 활동하는 단일 결정 기질 위에 에피탁셜하게 성장된다. GaN과 다른 결정성의 단일 결정 III-V 물질에 대한 성장 방법은 열이 가해진 기질 표면에 대해 원자나 분자 종이 천천히 첨가되는 것을 조절하는 증착 수송 (vapor transport)에 초점을 맞추고 있다. 분자 빔 에피탁시 (MBE)와 금속 유기 화학적 증착 침전 (MOCVD)와 같은 현재의 방법들은 초기의 장비 설비가 비싸고 지속적인 유지 비용이 많이 든다는 등의 많은 문제점이 있다. 본 기술은 단일 결정 기질 위에 다른 III-V 질화물들에도 적용 가능한 결정성의 에피탁셜 GaN 필름을 생산하는 특별한 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 상당히 적은 자본과 동작 비용으로 단일 결정 기질 위에 전조 (precursor)의 비결정질 층을 형성하여 단순하고 직접적인 침전에 의해 GaN 필름을 생산하는 것이다. - 적은 초기 설비 및 유비 비용- 필름 두께 조절 가능- 다른 III-V 질화물 합금에도 적용 가능
제조 과정에서 p형 GaN필름 안으로 과도한 수소 삽입은 도펀트의 부동태 피막 형성을 초래한다. 저 에너지 전자 방사 (LEEBI) 또는 열처리 처럼 과도한 수소를 제거하기 위하여 필요로 하는 전통적인 후성장 처리는 표면에서 질소의 손실이 발생하기 때문에 본질적으로 필름에 손상을 주게 된다. 본 기술은 제조 과정 동안 수소의 삽입을 예방하기 위한 특별한 개발 기술이다. 우수한 특성의 p-GaN 필름과 p-n 접합 장치는 에피탁셜 층의 어떤 후성장 처리가 필요없는 본 기술의 방법으로 얻어졌다. 본 기술은 전자와 광전자 장치를 위한 p형 GaN 필름을 적층할 때 여러가지 유용성을 가지고 있다. 본 기술은 고체 상태의 반도체 장치 뿐만 아니라 청색, UV 그리고 전 색상 발광 다이오드의 제조가 간편하고, 향상된 특성을 나타낸다. 본 기술은 앞에서 언급한 문제점을 최소화하기 위하여, p형 갈륨 질화물을 제조하는데 강력하고 생산적인 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 기술은 현재의 제조 과정 기술에 대한 포괄적이고 통합적인 기술이라 할 수 있다. 본 기술은 도펀트를 활성화시키기 위한 후성장 제조 과정 단계를 거치지 않고 도프된 갈륨 질화물 을 성장시키는 방법을 제시하므로써 기존의 문제점들을 해결하였다. 본 기술은 성장 과정이 멈추기 전에 성장 과정에서 수소를 제거하므로써 결정 구조 안으로 유입되는 수소의 양을 줄이는 방법이다. 그러므로, 본 기술은 갈륨 질화물 필름의 성장 후에 열이나 전자 빔 처리의 필요성을 줄이게 된다. 본 기술의 원리는 챔버 안으로 기질을 두고 기질을 열처리 하는 단계를 포함한다. 기질에 대한 전처리 후에, 일반적으로 암모니아인 갈륨 질화물을 성장시키기 위한 물질과 함께, 전형적인 트라이메틸 갈륨의 도펀트 가스가 챔버 안으로 유입된다. 그 후, 수소를 포함하는 가스는 기질을 냉각시키기 전에 꺼지게 된다.- 후성장 처리가 불필요- 필름의 손상을 초래하지 않음- 청색, UV. 전 색상 다이오드의 제조가 간편- p형 갈륨 질화물 제조의 강력한 기술
전통적인 CMOS 정지 논리 회로는 높은 안정성 때문에 현재의 IC 회로 설계에 많이 사용되고 있다. 한편, 다양한 형태의 활동성 논리 회로는 게이트 부하 캐패시턴스를 최소화하고 회로 동작을 제어하기 위하여 클럭을 사용하므로써 이와 같은 회로의 속도를 향상시키고자 하였다. 게이트 부하 캐패시턴스를 줄임으로써, 활동성 논리 회로는 CMOS 정지 논리 회로에 비해 30%이상 속도를 높일 수 있다. 그러나, 클럭은 여러가지 입력 조합에 대해 어떤 회로의 동작없이 불필요하게 전력 소비를 일으키게 된다. 본 기술은 활동성과 플립 플롭 구조를 동시에 가지고 있어 불필요한 회로와 전력 소비를 막을 수 있는 특별한 이벤트 반응형 활동성 논리 회로를 개발한 기술이다. 본 기술은 집적 회로의 설계에 응용할 수 있는 특성을 가지고 있다.- 전력 소비를 줄임- 정지 논리 회로에 비해 처리 속도 향상- 활동성과 플립 플롭의 동시 구조
본 기술은 반도체 제조 과정에 있어서 에너지 보존 방법에 관한 기술이다. 제조 과정에서 이온 주입 과정에 뒤따르는 높은 온도의 열처리 방식의 필요성을 줄일 수 있도록 높은 전류 밀도에 의하여 이온 주입과 활성화가 강화된다. 이온 주입은 얇은 접합 장치를 만들기 위해 실리콘을 도프시키기 위해 많이 사용되고 있다. 그러나, 이온 주입에 의해 손상된 주 격자는 도펀트를 활성화시키고 캐리어 이동도를 회복시키기 위하여 열처리에 의하여 복구된다. 이온 주입 후에, 열처리-일반적으로 800-1000oC에서 30분 열처리 또는 1100oC에서 1분 열처리-는 도펀트 이온 주입에 대해 격자 손상을 회복하기 위하여 행해진다. 그러나, 3제곱 면적당 1020 이온 또는 그 이상과 같이 다량의 실리콘을 도핑하게 되면, 이와 같은 열처리 방법은 도펀트의 완전한 활성화를 이루기가 불가능하게 된다. 비록 열처리 온도를 올리면 도펀트들을 더 활성화시킬 수 있겠지만, 온도를 더 높이면 열적 손실이 증가하고 형성된 접합들의 간격이 벌어지게 된다. 접합의 간격이 벌어지면 작은 장치들에 있어서는 문제를 야기할 수도 있다. 최근은 더 작은 소형화 장치를 요구하는 추세이기 때문에 반도체 제조 과정을 위하여 더 낮은 온도 열처리가 필요하다. 반도체에서 에너지 효율이 높은 도펀트 활성화는 도펀트를 가진 반도체 물질을 과포화시키는 단계를 포함하여 반도체 물질에서 도펀트를 활성화시키고 과포화된 반도체에 대해 미리 정해진 활성화 문턱 이상으로 높은 전류 밀도를 가해주는 방법이다. 이와 같이 하면, 반도체 물질에서 과포화된 도펀트들이 활성화 된다. 본 기술의 가장 큰 특징은 낮은 열처리 단계에서 도펀트를 부분적으로 활성화시키시고 실온에서 높은 전류밀도를 적용하는 것이다. 도펀트를 가지고 반도체 물질을 과포화시키는 단계는 반도체 물질에 대해 고체의 비용해성으로 제한된 양 이상으로 도펀트를 이온 주입하는 단계를 포함한다. 본 기술은 높은 전류 밀도를 가하기 전에 과포화된 반도체 물질에 도펀트를 부분적으로 활성화시키는 단계를 행한다.- 열처리 온도를 낮출 수 있음.- 열처리 동안 접합의 벌어지는 현상 방지 예방.- 고체의 제한된 용해도를 넘어서 과포화 이온 주입 가능.
본 고안은 전열선에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포장, 보관, 수송, 설치작업 등이 용이하도록 포장된 난방용 전열선에 관한 것이다.일반적으로 난방용 전열선은 각종 발열체에 이용되며, 발열체는 전기난로나 전기곤로 또는 가열로 등에 사용되는 소정 굵기의 저항선으로 이루어지는 선상 발열체와, 전기 다리미, 전기담요, 침대 또는 온열치료기 등에 사용되는 소정 두께 이하의 저항선으로 이루어지는 판 형식의 면상 발열체가 있다. 그리고, 대부분의 면상 발열체는 가는 저항선을 나선형으로 감은 전열선을 씨줄 또는 날줄로 사용하여 직조한 직물 발열판과 이를 보호하는 외부의 패널로 구성되어 있다. 면상 발열체의 일부를 구성하는 상기 직물 발열판은, 소정의 섬유가 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 직조되고,동 소정의 섬유에 저항선인 니크롬선을 나선형으로 감은 복수의 전열선을 설치하되, 전류를 인가하는 인입선에 병렬로 연결되도록 소정의 간격으로 배치함으로써 직조된다. 이 때 상기한 소정의 섬유로는 폴리에스테르나 그라스 얀 등이 사용된다.종래에는 전열선이 별도의 고정이나 포장이 없이 공급됨으로써, 전열선이 내장된 발열판이나 판넬의 제조시 전열선을 일일이 골고루 펼쳐야 하며 전열선을 펼치는 경우에 포장시 꼬여진 상태에 의하여 꼬임 현상이 빈번하게 발생하는 등 시공이나 작업이 매우 어렵고 작업능률이 떨어지는 등의 결점이 있었다.본 고안은 실리콘 전열선을 비닐테이프 등과 같은 보호테이프 상에서 전열선의 굵기와 발열량에 따라 사이의 간격과 위치를 결정한 후 배열하여 위치시킨 후 접착비닐을 부착하여 전열선을 고정한다. 이때 배치 간격이나 배치의 간격은 최종완제품이나 사용목적을 위해 공급되는 전압의 크기 등을 감안하여 다양한 형태로 이루어질 수 있다. 또한 접착비닐과 보호테이프의 어느 한쪽에 사용되는 점착제는 적당한 정도의 접착력과 함께 열에 의하여 열화되기 어렵고, 내구성이 있는 것 중에서 선택하는 것이 바람직하다. 전열선에는 인입선을 통한 전기에너지가 공급되므로 시공시 인입선에 외부로부터의 전기가 공급되도록 연결하면 된다.이와 같이 적당한 간격으로 배치되어 상, 하부의 접착비닐과 보호테이프에 의해 접착, 포장한 전열선을 이용할 경우, 발열판을 접거나 구부리는 경우에 발열판 또는 전선이 압박되거나 찌부러짐으로써 파손하거나 단선되는 일이 없으므로 운반이나 보관이 매우 편리할 뿐 아니라, 작업 시에도 전열선을 펼치기가 쉽고 펼침의 간격도 일정하며 작업 중 전열선이 꼬이는 일이 없으므로 누구라도 쉽게 시공 또는 작업을 할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.- 파손하거나 단선되는 일이 없으므로 운반이나 보관이 매우 편리함.- 작업 중 전열선이 꼬이는 일이 없으므로 누구라도 쉽게 시공 또는 작업을 할 수 있는 효과를 얻을 수 있음.
본 고안은 자계파를 차폐할 수 있는 전열선에 관한 것으로서, 특히 실리콘의 수명이 길 뿐 아니라 니크롬선의 인장력이 우수해지도록 한 전열선에 관한 것이다.종래로부터 사용되고 있는 전열선은, 발열체인 니크롬선의 외주면에 실리콘(규소고무)층이나 테프론층이 압출성형되고, 상기 실리콘층이나 테프론층의 외주면에 동으로 이루어진 편조층이 씌워진 다음, 최종 피복층으로서 합성고무 또는 PVC층이 구비된 구조로 되어 있다. 그러나, 이와 같이 구성된 종래의 전열선은 발열선인 니크롬선에 발생한 열이 실리콘에 곧바로 전달됨으로써 열에 의한 실리콘의 변형이 빈번하게 일어나며 전열선을 설치할 때 인장력을 보완하지 못하므로, 결국 전열선을 전기 매트, 온열치료기 또는 뜸질기 등에 사용할 경우 제품의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.본 고안은, 열을 발생시키는 니크롬선, 니크롬선을 보호하며 니크롬선에서 발생한 열이 실리콘에 간접적으로 전달되도록 하는 석면 편조층, 1차로 절연기능을 수행하는 실리콘층, 니크롬선에서 발생한 자계를 차폐시키는 동 편조층, 그리고 전기적인 절연을 유지시켜 안전하게 사용할 수 있도록 하는 최종 피복층으로서 합성고무층이나 PVC층으로 순차구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 니크롬선, 실리콘층, 동 편조층 및 최종 피복층으로서 합성고무층이나 PVC층으로 구성되어 있는 종래의 전열선에 있어서, 실리콘층과 동 편조층의 사이에 석면 편조층을 추가함으로써, 실리콘층의 변형이나 손상을 방지하며 니크롬선의 인장력이 우수해지도록 하여 단선을 방지하도록 하는 것을 특징으로 한다.본 고안에 따르면, 석면 편조층의 게재에 의해 실리콘의 손상이 일어나지 않으며 니크롬선의 인장력을 강화시켜 전선의 내구성과 수명이 길어지게 된다.- 자계파 차폐가능.- 석면 편조층의 게재에 의해 실리콘의 손상이 일어나지 않으며 니크롬선의 인장력을 강화시켜 전선의 내구성과 수명이 길어지게 됨.
본 발명은 가스레인지에 장착되는 태엽식자동타임설정스위치에 의한 전자자동안전가스차단밸브에 관한 것으로서, 지금까지 사용되고 있는 가스레인지기구의 자체에 자동안전가스차단시스템장치가 구비 및 설치되어 있지 않아서 사용(취급)자의 부주의로 인해 깜박한 방심탓에 가스레인지기구의 불판위에 올려놓은 냄비가 가열되면서 담은 음식물이 다태워버리게되는 현상이발생하여 이로 인한 아주 위험한 화재 및 가스폭발사고 또는 인명피해까지이어질 우려가 있고, 이러한 문제점을 보다 완벽하게 개선하기 위한 가스레인지기구의 내면에 형성되어 있는 (=)가스송수관(일명:파이프)을 이용하여이부분을 (/=/)절단하여 바로 전자자동안전가스차단밸브로 연결 설치하고,그리고 설치된 전자자동안전가스차단밸브를 자동으로 (열림/닫힘)작동 효과로 발휘하기 위해 가스레인지기구의 외면 정면에 형성되어 있는 좌,우 점화스위치의 중간 위치에 구멍을 천공하여 바로 태엽식자동타임설정스위치로끼워서 설치하고, 이와 같이 전체 설치된 전자자동안전가스차단밸브의 (+)전기단자와 태엽식자동타임설정스위치의 (+)전기단자 등에 (+)전기일선으로연결하고, 다음은 전자자동안전가스차단밸브의 (-)전기단자에는 전원플러그의 (-)전기선으로 연결하고, 또 태엽식자동타임설정스위치의 (+)전기단자에는 전원플러그의 (+)전기선으로 연결하게 되면은 결국 (+)(-)전기선에 의해서 전체 하나의 시스템이 구성되므로, 이와 같이 설치로 형성된 가스레인지기구의 자체에 자동안전가스차단시스템장치가 구비 및 설치되어 있기 때문에 특히 타이머방식으로서 음식물데우기 위해 먼저 필요한 시간을 설정하여 그 설정된 시간에 따라서 자동으로 전원이 차단되는 동시 자동안전가스차단밸브가 닫힘으로 작동하여 안전하게 가스공급를 차단하게 된다.본 발명의 가스레인지에 장착되는 태엽식자동타임설정스위치에 의한 전자자동안전가스차단밸브에 있어서의 가장 특징적인 것이 즉 기존 가스레인지기구의 내면에 형성된 (=)가스송수관(일명:파이프)을 이용하여 바로 전자자동안전가스차단밸브를 설치된 것이며, 또 정면에 형성되어 있는 좌,우 점화스위치가 설치되 중간에다가 태엽식자동타임설정스위치를 설치하여 이러한 장치가 전기전자방식으로서 특히 기계적 태엽이 탄력(힘)과 기어들이 구성되어 있어서 자동으로 전원을 차단되는 방법이 가장 특징이다.
산화물과 공기 Aperture Formation는 반도체 레이져와 디텍터의 실행 특성을 향상시킨다. 그러나, 충분한 두께의 높은 산화성 물질에 대해 에피탁셜한 증착을 받아들이지 않는 물질 시스템에 있어서는 이와 같은 Aperture Formation를 만들어내는 것은 어려운 일이다. 특히, AlGaInAsP 시스템에서는 더욱 힘들다. 이와 같은 과정에서 물질의 낮은 산화율이나 제한된 두께는 광학적 또는 전류 Aperture Formation로서 사용이 엄격히 제한된다. 본 기술은 이질적인 조성의 산화물 Aperture Formation를 개발한 기술이다. 본 기술에서, Aperture Formation의 형태나 크기는 최대의 효과를 내기 위하여 개별적인 층들의 조성이나 두께를 변화시키므로서 자유스럽게 제어될 수 있다. 본 기술은 반도체 레이져, 디텍터 그리고 트랜지스터 특히 InP 위에 차차 가늘어지는 형태를 가진 공기 Aperture Formation와 같은 산화물 그리고 공기 Aperture Formation를 제조하는데 이용할 수 있다.- Aperture Formation의 형태나 크기를 자유롭게 할 수 있음- 이질적 조성의 산화물 Aperture Formation- 강화된 산화율
높은 전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)는 일반적으로 실리콘이나 갈륨 아세나이드로 제조된다. 그러나, 실리콘은 낮은 전자 이동도를 가지며, HEMT의 실행 이득을 감소시키는 높은 소스 저항을 만들어 내는 단점을 가진다. GaAs 기반 HEMT는 레이다, 휴대폰, 인공 위성 등에서 시그널 증폭에 대한 표준으로 사용되며, Si 기반의 장치에 비하여 높은 전자 이동도와 낮은 소스 저항을 보인다. GaAs 기반 HEMT가 높은 주파수에서 기능을 발휘하지만, GaAs의 상대적으로 낮은 밴드갭과 절연파괴 전압은 GaAs-기반 HEMT가 높은 주파수에서 고 전력을 만들어내지 못하도록 한다. 본 기술은 쌍극자 층에서 유도된 박막 분극을 포함하는 새로운 HEMT구조를 개발한 기술이다. 경계 높이가 증가하고 경계 안으로 전자파 함수의 침투가 감소되므로서, 새로운 배열을 가지는 본 기술은 특히 저온에서 전자 이동도를 향상시킨다. 본 기술은 높은 주파수, 높은 온도, 높은 전력을 필요로 하는 전자 장치에 응용이 가능하다.- 고 전력을 만들어내는 것이 가능- 저온에서 전자 이동도 향상- 높은 주파수, 높은 온도, 높은 전력을 필요로 하는 장치에 응용 가능