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일반기술 전기·전자 > 전기전자재료

에이에프엠 리소그라피를 이용한 미세 채널 길이를 가지는유기 박막 트랜지스터의 제조 방법

본 발명은 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 기판위에 성막된 게이트 절연막 위에 금속 패턴을 증착하는 단계; b) 상기 금속패턴을 AFM(atomic force microscopy) 리소그라피에 의하여 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 미세 채널을 형성하는 단계; c) 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 미세 채널 사이에 유기 활성층을 성막하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법은 간편하면서도 정확하게 채널 길이를 형성할 수 있어 저가로 유연성 유기 표시소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.1)본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법은 유기 박막 트랜지스터의 구동 전압을 낮추고 응답 속도를 빠르게 하기 위해 필수적인 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 미세 채널을 복잡하고 비용이 비싼 광리소그라피법, 전자선 리소그라피법, 나노임프린팅 및 실리콘 에칭과 같은 공정 대신 AFM 리소그라피법이라는 쉬우면서도 정확한 기술을 이용하여 미세 채널을 형성할 수 있는 획기적인 방법이다. 2)광리소그라피나 전자선 리소그라피법은 유기 재료에 치명적인 손상을 미칠 수 있어 유기박막 트랜지스터를 위한 유기 재료는 우수한 기계적 성질, 내화학약품성 및 내열성이 요구되어 유기 박막 트랜지스터의 제조에 사용되기 위해선 특별한 구조를 가지는 극히 일부의 재료만이 응용될 수 있어 유기 소자 공정에는 적합하지 않으나, 본 발명에서 사용한 AFM 리소그라피법은 유기 재료 선택의 폭을 넓혀 주는 기능을 하여, 유기 재료를 이용하고 인쇄 및 스핀코팅과 같은 도포 기술을 함께 적용하면 대면적 소자화, 유연한 표시 소자의 구동 회로의 단순화 및 저가격 생산이 가능하다. 3)본 발명의 유기 박막 트랜지스터의 미세 채널 형성 방법은 복잡하고 고가의 제조 공정을 단순화 및 저가격화 시킬 수 있고 유기 재료의 선택폭을 넓히는 효과가 있다.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)

전자 주개로 기능화된 아미노테트라올 화합물 및 이를 수용액 중에서 제조하는 방법

*원리 및 구성본 발명은 질소와 같은 전자 주개 원자로 기능화된 아미노테트라올 화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 단일과 이종 금속의 금속 또는 금속 산화물을 제조하기 위한 선구 물질인 금속 착화합물의 원료로서 알콕사이트 라간드인 아미노테트라올 화합물을 수용액 중에서 고수율 및 저비용으로 쉽게 제조하는 방법에 관한 것이다.*배경 - 박막 제조 기술로는 금속 유기물 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)이 다양한 산화물 박막을 제조하는데 가장 널리 이용되고 있다. MOCVD 공정은 장치가 비교적 간단하고, 코팅이 균일하게 이루어지며 성분 조절이 용이하여 대면적 박막 제조에 적합하다.MOCVD공정을 이용하는 박막 제조 공정에서는 사용되는 선구 물질의 개발이 매우 중요하고 필수적이다. MOCVD용 선구 물질은 낮은 온도에서 증기압이 충분히 높아야하고, 기화시키기 위해 가열하는 동안 분해되지 않을 만큼 열적으로 충분히 안정해야 하는 한편, 높은 온도에서 유기 물질 등의 분해 없이 신속히 분해되는 특성이 있어야 한다. 또한 취급과 저장이 용이해야 하고, 인체에 유해하지 않아야 하며 합성법이 간단하고 원재료의 단가가 낮아야 하는 부수적인 조건도 필요하다. - 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조하기 위하여 MOCVD용 선구물질로 사용되는 금속 착화합물로는 할로겐화 금속, 금속 질산염, 금속 알콕사이드, 금소 ℬ-디케토네이트 화합물 등이 있다. 이들 선구 물질은 리간드에 따라 장단점을 갖는데, 예를 알콕사이드 리간드는 그 형태에 따라 단핵성, 휘발성, 용해도, 염기도, 가수 분해 반응에 대한 안정성 등에 영향을 준다.1)금속과 결합하여 착화합물의 배위 자리를 만족시키고 안정화시킬 수 질소와 같은 전자 주개 원자로 기능화된 알콕사이드 리간드인 알킬아미노테트라올을 설계하고 합성함.2)반응을 수용액에서 실시하고 마무리 단계가 간단하며 수율이 매우 높기 때문에 경제적이고 환경친화적임.3)본 발명에 의한 리간드를 사용하여 제조된 금속 착화합물은 열적으로 안정하여 금속 또는 금속 산화물 제조용 선구 물질로 활용 가능함.4)금속 또는 금속 산화물 형태를 포함하는 촉매, 무기 재료, 금속 박막, 금속 나노 입자, 금속을 포함하는 복합재용 리간드로 이용 가능함.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)

삼차 아민을 포함하는 디올 화합물 및 이를 수용액 중에서 제조하는 방법

*원리 및 구성본 발명은 삼차 아민을 포함하는 디올 화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 금속 또는 금속 산화물을 제조하기 위한 선구 물질인 금속 착화합물의 원료로서 알콕사이드 리간드인 아민디올 화합물을 수용액 중에서 고수율 및 저비용으로 쉽게 제조하는 방법에 관한 것이다.*배경 - 박막 제조 기술로는 금속 유기물 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)이 다양한 산화물 박막을 제조하는데 가장 널리 이용되고 있다. MOCVD 공정은 장치가 비교적 간단하고, 코팅이 균일하게 이루어지며 성분 조절이 용이하여 대면적 박막 제조에 적합하다.MOCVD공정을 이용하는 박막 제조 공정에서는 사용되는 선구 물질의 개발이 매우 중요하고 필수적이다. MOCVD용 선구 물질은 낮은 온도에서 증기압이 충분히 높아야하고, 기화시키기 위해 가열하는 동안 분해되지 않을 만큼 열적으로 충분히 안정해야 하는 한편, 높은 온도에서 유기 물질 등의 분해 없이 신속히 분해되는 특성이 있어야 한다. 또한 취급과 저장이 용이해야 하고, 인체에 유해하지 않아야 하며 합성법이 간단하고 원재료의 단가가 낮아야 하는 부수적인 조건도 필요하다. - 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조하기 위하여 MOCVD용 선구물질로 사용되는 금속 착화합물로는 할로겐화 금속, 금속 질산염, 금속 알콕사이드, 금소 ℬ-디케토네이트 화합물 등이 있다. 이들 선구 물질은 리간드에 따라 장단점을 갖는데, 예를 알콕사이드 리간드는 그 형태에 따라 단핵성, 휘발성, 용해도, 염기도, 가수 분해 반응에 대한 안정성 등에 영향을 준다.1)금속과 결합하여 착화합물의 배위 자리를 만족시키고 안정화하는 삼차 아민을 포함하는 디올계 리간드를 설계하고 합성함.2)반응이 수용액에서 이루어지고 마무리 단계가 간단하며 수율이 매우 높기 때문에 경제적이고 환경 친화적임.3)본 발명에 리간드를 사용하여 제조하는 금속 착화합물은 휘발성이 뛰어나고 열적으로 안정하여 금속 또는 금속 산화물 박막 제조용 선구 물질로 활용할 수 있음.4)금속 또는 금속 산화물 형태를 포함하는 무기 재료, 금속 박막, 금속 나노 입자, 금속을 포함하는 복합재용 리간드로 이용할 수 있음.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)

휘발성 인듐 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법

*원리 및 구성본 발명은 신규한 인듐 3가지 알콕사이드 화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인듐을 포함하는 물질을 제조하는데 선구 물질로서 유용한 인듐 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.*배경인듐은 전기 도금을 통한 인듐 코팅분야에 있어 마모에 대한 저항력이 뛰어난 점과 알루미늄 전선에 접촉 시 저항이 낮다는 특성 때문에 유용하게 활용되고 있으며 유럽 지역에 있어 나트륨 가스램프(sodium vapor lamp)의 내부 코팅 재료로 산화 인듐이 이용되기도 한다. 또한 산화 인듐과 산화 주석-인듐 필름은 유리나 세라믹의 전도성을 띤 코팅 재료와 전자 발광 패널에도 이용된다.또한 산화 인듐은 열 전연체로서 이용될 수 있고 태양 전지나 반도체 산업에도 응용될 수 있다.또한 광전극 물질, 액정 표시 장치, 광기전 장치 등에도 이용 가능하다.1)종래에 알려진 인듐 3가 화합물은 충분하지 못한 휘발성, 외부로부터 산소의 공급, 제조된 막에 생기는 탄소 및 염소의 오염 등의 문제점을 가지고 있다. 따라서, 높은 휘발성을 갖고 있어 산화 인듐 박막 제조에 사용될 수 있는 선구 물질로서 인듐 3가 화합물의 개발은 그 의미가 상당히 크다고 할 수 있다.2)인듐과 할로겐 원자의 직접 결합을 가지지 않는 신규의 인듐 선구물질의 합성.3)휘발성이 뛰어나고 열적으로 안정한 신규의 인듐 선구 물질의 합성4)낮은 온도에서 순수한 산화 인듐 제조 가능.5)불소나 염소를 포함하지않는 인듐 아미노 알콕사이드 화합물6)코팅 재료, 전자 발광 패널, 열 절열체, 태양 전지, 반도체 산업, 광전극 물질, 액정 표시 장치, 광기전 장치 등에 이용 가능.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)

원자층 침착법을 이용한 비휘발성 RRAM 소자용 니켈 산화물 박막의 제조 방법

*원리 및 구성본 발명은 니켈 산화물 박막을 원자층 침착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 메모리 소자인 RRAM의 니켈 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 물리적 침착 방법으로 제조하는 니켈 산화물 박막에 비하여 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보이는 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있어 이를 RRAM 소자로 잘 응용할 수 있다.*배경니켈 산화물(Ni oxide)은 우수한 전기적, 자기적, 광학적 특성으로 말미암아 현재 p-형 투명 전도성 박막, 화학 센서, 전기 변색 디스플레이, 스핀 밸브 박막의 반상자성 층, 리튬 이온 전지의 코팅 재료, 그리고 리튬과 알루미늄의 도핑에 의한 고유전율 물질 등으로 그 응용이 다양하다.본 발명에 따른 원자층 침착법에 의한 니켈 산화물 박막의 제조 방법은 1)기존의 물리적 침착 방법에 비하여 박막의 표면 거칠기가 아주 작음.2)낮은 온도에서 공정이 가능.3)얇은 박막에서도 그 두께 의 조절이 아주 용이한 장점.4)조성이 정확한 대면적 박막과 고랑이나 구멍 등이 있는 삼차원 구조의 기질에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수있음.5)우수한 저항 전환 현상을 보임으로써, 본 발명의 니켈 산화물 박막은 비휘발서 RRAM 소자의 제조에 적용될 수 있음.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

형광체 잉크조성물 및 이를 이용한 형광막을 포함하는 디스플레이 패널

본 발명은 형광체를 포함하는 잉크 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 잉크젯 방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)용 형광막 제조에 유리하게 사용될 수 있는 잉크 조성물에 관한 것이다.*플라즈마 디스플레이 패널은, 불활성 기체의 방전시 발생되는 플라즈마로부터 발출되는 진공 자외선( 파장 약 147nm)이 형광막에 충돌하여 가시광 영역의 적색, 녹색 및 청색광 등으로 바뀌는 현상을 이용한 평판 표시장치의 하나로서, 풀컬러 표시가 가능하고, 빠른 응답속도를 가지며, 시야각이 넓고, 40인치 이상의 대형 표시장치 구현이 용이하다는 점에도 고해상도 텔레비전(HDTV) 등의 차세대 디스플레이의 하나로 주목받고 있다.-기존의 PDP용 형광막 형성 방법이 가지고 있는 문제점을 개선하여 압전형의 잉크젯 노즐을 통해 토출이 가능하도록 나노크기의 형광체 분말을 제조하고, 또한 이 나노크기의 형광체 분말을 이용하여 형광체 잉크 제조시 형광체 분말의 용매 내에서의 균일한 분산을 가능케하는 분산제, 실란커플링제, 이온부여제로 구성된 조성물 즉 바인더 폴리머를 포함하지 않는 형광체 잉크 조성물 및 이를 사용하여 잉크젯 방식에 의한 PDP용 형광막을 얻는 방법을 개발하였다.-본 발명에 따른 수성 형광체 잉크 조성물은 잉크젯 방식에 의한 분사시 노즐 막힘이 없고, 분산성이 우수하며, 한경 친화적이고, 소성 후 잔류 카본이 없으므로 휘도가 높은 고해상도 PDP용 형광막 제작에 유리하게 사용될 수 있다.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)

원자층 침착법으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법

본 발명은 하프늄 선구물지 Hf(mp)4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(Ⅳ)]를 하프늄의 원료 호합물로 사용하여 원자층 침착법(ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로1)Hf(mp)4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착 시키는 단계, 2) 반응하지않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.1)본 발명에 따른 Hf(mp)4를 사용하는 하프늄 산화물 박막의 ALD 제조방법은 다루기 어려운 고체 선구 물질 HfCl4 또는 HfI4 를 쓰거나, 반응성이 너무 강한 Hf(OtBU)4를 쓰거나, 분해 온도가 비교적 낮은 Hf(NR1R2)4를 쓰거나, 또는 구조가 복잡한 Hf(mmp)4, Hf(dmae)4 등을 쓰는 ALD 공정에 비하여 더 유리함.2)Hf(mp)4 선구 물질은 물성이 뛰어나 다루기에 매우 편리함.3)Hf(mp)4를 사용하는 ALD공정에서는 다른 선구 물질들을 쓰는 공정과는 달리 진정한 ALD 특성이 나타나며 물 또는 산소 플라스마를 산소 원으로 사용하여 탄소오염이 아주 적은 질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 만들 수 있음.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 전기전자재료

가용성 폴리이미드 수지를 함유한 절연막 및 이를 이용한 전유기 박막 트랜지스터

본 발명은 가용성 폴리이미드 수지를 함유한 절연막 및 이를 이용한 전유기 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 특정의 감광성 향상기를 함유하는 방향족 디아민과 저극성기를 함유한 디아민 단량체 및 특정의 테트라카르복실산 이무수물을 중합하여 제조된 가용성 폴리이미드 수지와, 폴리아믹산 유도체가 포함되어 이루어진 것으로서 내열성, 표면경도, 투명성 및 전기절연특성이 우수한 신규의 절연막과, 그리고 상기한 신규 절연막이 증착되어 전계효과전기이동도가 향상된 전유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.-용해성과 감광 특성이 우수하고, 개시제 사용 없이도 자회선 조상에 의한 미세패턴 형성이 가능하며 전계효과 전하 이동도가 우수성을 갖는 특정의 가용성 폴리이미드 수지와, 폴리아믹산 유도체 용액을 혼합하여 우수한 전기절연 특성을 갖는 신규한 폴리이미드계 절연막을 개발.-우수한 내열성, 투명성 및 액정의 수직 배향성, 용해성과 낮은 표면장력 및 전기 절연성을 갖는 신규한 절연막을 제공.-절여막이 증착되어 우수한 전기 전계 효과 등의 물성을 가지면, 150~ 180 ℃ 범위 의 저온 공정 수행이 가능한 전유기 박막 트랜지스터 제공.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계금속 나노 졸의 미세라인 형성방법

본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100nm 이하 크기의 고종도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고종도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.-소수성 기판을 친수처리 하는 간단한 방법으로 미세라인을 형성할 수 있기 때문에 평판디스플레이 패널용 전극 소재로서 매우 유용할 것으로 기대되며, 이외에서 미세전극을 필요로 하는 각종 소자에 적용 가능할 것으로 기대된다.-최근, 잉크젯 기법을 PDP 뿐만 아니라 LCD,OLED,FED 등과 같은 모든 평판 디스플레이 분야의 전극형성을 비롯하여 기타 제조 공정에 이용하려는 움직임이 활발히 진행되고 있어 디스플레이에서 잉크젯 기법의 시장은 더욱 확산 될 것임.

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한국화학연구원
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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

전자장비 냉각용 열확산기

본 발명은 전자장비에 박판형으로 부착되어 좁은 공간에서 열원의 열을 흡수하여 전면적으로 골고루 확산시켜 냉각성능을 향상시키도록 한 것으로, 박판형으로 중앙 내부에 액체가 수용되어 열원(1)으로부터 열을 흡수하기 위한 일정한 공간의 증발영역을 갖는 증발부(17)와, 상기 증발부(17)에서 주변부로 방사상으로 뻗어나간 유로(14)를 갖는 응축부(16)와, 상기 응축부(16)에서 응축된 액체를 상기 증발부(17)로 유도하는 유체공급유로(15)를 포함하고, 상기 응축부(16)와 상기 유체공급유로(15)는 서로 대향되게 박판형의 케이스(18)내에 배치된 것을 특징으로 한다.열원(1)으로부터 발생되는 열을 균일하게 넓은 면적으로 확산시키는 전자장비 냉각용 열확산기로서, 박판형으로 중앙 내부에 액체가 수용되어 열원(1)으로부터 열을 흡수하기 위한 일정한 공간의 증발영역을 갖는 증발부(17)와; 상기 증발부(17)에서 주변부로 방사상으로 뻗어나간 유로(14)를 갖는 응축부 (16)와; 상기 응축부(16)에서 응축된 액체를 상기 증발부(17)로 유도하는 유체공급유로(15)를 포함하고; 상기 응축부(16)와 상기 유체공급유로(15)는 서로 대향되게 박판형의 케이스 (18)내에 배치된 것을 특징으로 하는 전자장비 냉각용 열확산기.

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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

열 이송 장치

본 발명은, 열 이송 장치에 관한 것으로서, 특히, 최소 0.1mm 이하의 두께를 가진 증발부재(15)를 사용하여서 1.0mm이하의 두께를 갖는 증발기(9)의 제작이 가능하고 액체유로(11)와 증기유로(12)를 사용하여 증발기(9)와 응축기(10)(19)를 분리함으로써 히트파이프를 사용하는 종래의 기술보다 큰 냉각 능력을 발휘하고 비교적 먼 열이송 거리를 확보하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다. 또한, 상기 증발기(9)의 분배유로(16)(20)를 확보함으로써 액체유로(11)를 통하여서 액체상태의 냉매가 증발부재(15)로 이송되어질 때, 열원(1)으로 부터 급격하게 공급된 고온의 열에도 불구하고 유막의 끊어짐 없이 유체를 공급할 수 있는 장점을 지닌다.열원에서 발생된 열을 액체 상태의 냉매가 증발하여 기체화되면서 흡수하여 제거하는 증발기와; 상기 증발기에서 흡수된 열을 지닌 기체상태의 냉매가 이동하도록 하는 증기유로와; 상기 증기유로를 통하여 이송된 기체상태의 냉매를 응축하여 냉각핀을 통하여 외부로 배출하도록 하는 응축기와; 상기 응축기에서 열을 외부로 배출하여 기체 상태에서 액체 상태로 전환된 냉매를 이송하여서 상기 증발기로 재차 공급하도록 하는 액체유로로 이루어진 열이송장치에 있어서, 상기 증발기는, 상기 액체유로에서 유입되어진 액체 냉매를 상기 열원에서 발생된 열을 흡수하도록 하는 증발부재와; 상기 증발부재를 증발기 내에서 증기챔버와 분리하도록 하는 평면판 및 격자망을 형성한 분리막을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 열 이송 장치.

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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

히트 스프레더의 제조방법

본 발명은 전자소자에서 발생되는 열을 외부로 방출시켜 주기 위해 전자소자의 표면에 접촉 설치하는 히트 스프레더의 제조방법에 관한 것이다. 상기 목적은 히트 스프레더를 제작함에 있어서, 전해동박을 제조하는 공정을 이용하여 위크 구조를 형성하는 단계, 위크 구조가 형성된 상부와 하부 박판 사이에 일정한 공간을 형성시켜 주는 구조물을 삽입하는 단계, 상부와 하부 박판의 테두리 부분중 내부를 진공으로 만들고 작동 유체를 주입하기 위한 부분을 제외하고 밀봉하는 단계, 내부를 진공으로 하고 작동 유체를 주입하는 단계, 작동 유체 주입구를 밀봉하는 단계로 이루어지는 히트 스프레더의 제조 방법에 의해 달성된다. 이러한 조건을 만족시키기 위한 전해액의 조성은 Cu2+ = 50 ~ 150g/l, H2SO4 = 50 ~ 200g/l, Cl- = 50 ~ 2000ppm 이며 온도는 30 ~ 80℃ 이다.상부와 하부 박판 사이에 작동 유체의 이동 공간을 만들어 주기 위한 구조물은 역시 열전도율이 좋은 구리판을 이용할 수 있다.히트 스프레더를 제작함에 있어서, 전해동박을 제조하는 공정을 이용하여 박판에 위크 구조(13)를 형성하는 단계; 위크 구조(13)가 형성된 상부와 하부 박판(11,12) 사이에 작동유체의 이동 공간(9)을 형성시켜 주는 구조물(10)을 삽입하는 단계; 상부와 하부 박판(11,12)의 테두리 부분 중 내부를 진공으로 만들고 작동 유체를 주입하기 위한 부분을 제외하고 밀봉하는 단계; 내부를 진공으로 하고 작동 유체를 주입하는 단계; 및 작동 유체 주입구를 밀봉하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한 히트 스프레더의 제조 방법.

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2006-11-08
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

단일 윅 구조를 갖는 열 확산기

본 발명은 단일 윅 구조를 갖는 열 확산기에 관한 것이다. 이를 위해, 열원(1)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 열 확산기로서, 내부가 밀폐되고 상기 열원에 밀착된 케이스(11); 상기 케이스(11)의 내부에 채워진 제 1 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 윅(12); 상기 열원으로부터 전달된 열에 의해 상기 작동유체로부터 기화된 증기가 압력차에 의해 균일하게 이동가능하도록 하기 위해 상기 케이스(11)의 중심영역에서 방사형으로 형성된 복수개의 증기 유로(13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 단일 윅 구조를 갖는 열 확산기를 포함한다.열원(1)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 열 확산기로서, 내부가 밀폐되고 상기 열원에 밀착된 케이스(11); 상기 케이스(11)의 내부에 채워진 제 1 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 윅(12); 상기 열원으로부터 전달된 열에 의해 상기 작동유체로부터 기화된 증기가 압력차에 의해 균일하게 이동가능하도록 하기 위해 상기 케이스(11)의 중심영역에서 방사형으로 형성된 복수개의 증기 유로(13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 단일 윅 구조를 갖는 열 확산기.

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2006-11-08
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이중 윅 구조를 갖는 열 확산기

본 발명은 이중 윅 구조를 갖는 열 확산기에 관한 것이다. 이를 위해, 열원(1)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 열 확산기로서, 내부가 밀폐되고 상기 열원에 밀착된 케이스(11); 상기 케이스(11)의 내부 하단측에 채워진 제 1 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 하부윅(12); 상기 하부윅(12) 상에 위치하고, 상기 열원(1)이 위치하는 부분에 개구부(16)가 형성되어 있는 분리막(14); 상기 분리막(14) 상에 채워진 상기 하부윅(12)보다 더 높은 공극을 갖는 제 2 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 상부윅(22); 상기 열원으로부터 전달된 열에 의해 상기 작동유체로부터 기화된 증기가 압력차에 의해 균일하게 이동가능하도록 하기 위해 상기 상부윅(22)의 중심영역에서 방사형으로 형성된 복수개의 증기 유로(13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 이중 윅 구조를 갖는 열 확산기를 포함한다.열원(1)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 열 확산기로서, 내부가 밀폐되고 상기 열원에 밀착된 케이스(11); 상기 케이스(11)의 내부 하단측에 채워진 제 1 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 하부윅(12); 상기 하부윅(12) 상에 위치하고, 상기 열원(1)이 위치하는 부분에 개구부(16)가 형성되어 있는 분리막(14); 상기 분리막(14) 상에 채워진 제 2 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 상부윅(22); 상기 열원으로부터 전달된 열에 의해 상기 작동유체로부터 기화된 증기가 압력차에 의해 균일하게 이동가능하도록 하기 위해 상기 상부윅(22)의 중심영역에서 방사형으로 형성된 복수개의 증기 유로(13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 이중 윅 구조를 갖는 열 확산기.

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열 확산기

본 발명은 열 확산기에 관한 것이다. 보다 상세하게는 각종 소형 전자장비 등에서 발생하는 열을 효과적으로 넓은 면적에 확산시킴으로써, 열 확산 효율을 증가시킬 수 있다이를 위해, 열원(1)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 열 확산기로서, 내부가 밀폐되고 상기 열원에 밀착된 케이스(11); 상기 케이스(11)의 내부에 채워진 제 1 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 윅(12); 상기 열원으로부터 전달된 열에 의해 상기 작동유체로부터 기화된 증기가 압력차에 의해 이동가능하도록 하기 위해 상기 윅(12)사이에 형성된 복수개의 증기 유로(13)를 포함한다.본 발명의 제 1 목적은 열원이 하나 이상인 고집적화된 전자장비에도 적용 가능한 열 확산기를 제공하는 것이다.본 발명의 제 2 목적은 별도의 부가장치 없이 작은 부피를 차지하면서도, 넓은 면적에 열을 효과적으로 확산시켜 열확산 효율을 높일 수 있는 열 확산기를 제 공하는 것이다.상기와 같은 본 발명의 목적은 열원(1)에서 발생되는 열을 방출하기 위한 열 확산기로서, 내부가 밀폐되고 상기 열원에 밀착된 케이스(11); 상기 케이스(11)의 내부에 채워진 제 1 다공질의 모세관 구조이고 다공 내에 작동 유체가 주입된 윅(12); 상기 열원으로부터 전달된 열에 의해 상기 작동유체로부터 기화된 증기가 압력차에 의해 이동가능하도록하기 위해 상기 윅(12) 사이에 형성된 복수개의 증기 유로(13)를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 열확산기에 의해 달성될 수 있다.

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판형 열전달장치 및 그 제조방법

본 발명은 전자장비에 채용되는 판형 열전달장치에 관한 것으로서, 상세하게는 냉각장치 케이스의 찌그러짐을 방지하는 동시에 증기유로를 확보함으로써 제품의 신뢰성 확보와 함께 열전달 성능을 향상시킬 수 있는 판형 열전달장치와 그러한 장치의 제조방법에 관한 것이다.최근, 노트북 컴퓨터나 PDA와 같은 전자장비는 고집적화 기술의 발전으로 크기가 소형화되고 두께도 점차 얇아지고 있다. 아울러, 전자장비의 고응답성(higher responsivess)과 기능 향상에 대한 요구가 높아짐으로써 소비전력 또한 점차 증가하고 있는 추세이다. 따라서, 전자장비의 작동 중에 그 내부의 전자 부품으로부터 많은 열이 발생하는데, 이러한 열을 외부로 방출하기 위해 다양한 판형 열전달장치가 채용되어 왔다.상기와 같이 전자 부품을 냉각하는 장치의 일 예로서 히트 파이프가 널리 알려져 있다. 히트 파이프는, 공기가 차단되도록 밀봉된 용기 내부를 진공 상태로 감압하고 냉매(working fluid)를 주입한 후 밀봉한 구조를 갖는다. 동작에 있어서, 상기 히트 파이프가 설치된 열원 부근에서 냉매는 가열되어 증기화된 후 냉각부로 유동한다. 냉각부에서 상기 증기는 열을 외부로 방출하면서 다시 응축되어 액체 상태가 되어 본래의 위치로 복귀하게 된다. 이러한 순환구조에 의해 열원으로부터 발생된 열은 외부로 방출됨으로써 장비가 냉각될 수 있는 것이다.열원과 열방출부 사이에 설치되며, 상기 열원에서 열을 흡수하면서 증발하고 상기 열방출부에서 열을 방출하면서 응축되는 냉매가 수용된 열전도성 판형 케이스;및 상기 케이스 내부에 설치되며, 와이어들이 상하로 번갈아 교차됨으로써 형성된 적어도 한 층의 메쉬;를 포함하고, 상기 메쉬의 상기 교차지점으로부터 상기 와이어의 표면을 따라 상기 냉매가 증발된 증기가 유동가능한 증기유로가 형성된다.바람직하게, 상기 메쉬의 눈금폭[M=(1-Nd)/N, 단. N은 메쉬수, d는 와이어직경(inch)]은 0.19∼2.0mm 이고, 메쉬와이어의 직경은 0.17 ∼ 0.5 mm이다.또한, 상기 메쉬의 눈금 면적은 0.036 ∼ 4.0mm 2 인 것이 바람직하다.바람직하게, 상기 메쉬의 메쉬수는 ASTM 사양 E-11-95를 기준으로 60 이하이다.본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 냉매의 증기에 대한 유로를 제공하는 적어도 한 층의 성긴 메쉬; 및 상기 성긴 메쉬의 메쉬수보다 상대적으로 더 큰 메쉬수를 가지며, 상기 냉매의 액체에 대한 유로를 제공하는 적어도 한 층의 조밀 메쉬;를 포함한다.바람직하게, 상기 조밀 메쉬의 눈금폭[M=(1-Nd)/N, 단. N은 메쉬수, d는 와이어직경(inch)]은 0.019∼0.18mm이다

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고발열 전자장비용 열확산기

본 발명은 온도가 급상승하는 컴퓨터의 CPU의 온도상승을 방지하거나 반도체장치의 제조에 사용되는 웨이퍼의 가열 등과 같이 일정한 온도로 극히 정밀하게 제어되어 가열되어야 할 필요가 있는 경우에 사용되는 고발열 전자장비용 열확산기에 관한 것으로, 상부가 개방된 하부케이스와, 상기 하부케이스의 내부에 방사상으로 설치되는 복수개의 격벽과, 상기 각 격벽 사이에 수용되도록 상기 격벽에 형상적으로 대응되는 삼각형태의 윅셀 및 상기 하부케이스의 개방된 부위에 결합되는 상부판으로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.본 발명의 제 1목적은, 국부적으로 발생되는 열을 균일하게 분포시킬 수 있는 고발열 전자장비용 열확산기를 제공하는 것이다. 그리고 본 발명의 제 2목적은, 내부로 액상의 작동유체를 충진하여 수냉식으로 열을 방출할 수 있는 고발열 전자장비용 열확산기를 제공하는 것이다. 이러한 본 발명의 목적들은, 전기적으로 연결되어 자체로 열이 발생하는 발열체의 상부에 부착되는 상부가 개방된 하부케이스와, 일측은 상기 하부케이스 안측 각 모서리 및 상기 각 모서리의 사이인 변에 복수등분되어 연결되고, 타측은 중심부위를 향하도록 방사상으로 설치되는 격벽과, 상기 각각의 격벽에 형상적으로 대응 삽입될 수 있도록 소정 메쉬단위로 이루어진 윅셀 및 상기 하부케이스의 개방된 부위에 형상적으로 대응되어 결합되는 상부판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고발열 전자장비용 열확산기에 의해서 달성된다.

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판형 히트 파이프

본 발명은 판형 히트 파이프에 관한 것으로, 중앙에 사각의 중공단면이 길이방향을 따라 연속되는 케이스와, 상기 케이스의 내부벽면에 밀착되는 윅 및 상기 윅의 사이로 삽입되어 상기 윅이 상기 케이스의 내벽면에 밀착되어 케이스에 가해지는 외력에 대해 케이스 및 윅 사이에 공백이 생기지 않도록 지지하는 지지부를 포함하여 이루어진다. 이 때 상기 케이스는 상판 및 하판으로 분리되는 형태 또는 일체형으로 이루어진 형태를 가지며, 윅은 구리 또는 알루미늄 분말을 소결하여 이루어진 소결타입 또는 그물망을 권취하여 이루어진 메쉬타입인 것이 바람직하다.중앙부위는 결합되면서 상호 일정한 높이로 이격되어 폭방향을 따라 형성되는 사각의 중공단면이 길이방향을 따라 연속되고, 각 양단부위는 대응하여 밀착 결합되도록 이격방향에 수직하게 연장 또는 절곡 형성되는 형태의 제 1케이스(100) 및 제 2케이스(110); 상기 결합된 각 케이스(100,110)의 각 내벽면에 형상적으로 대응하여 밀착되는 윅(300); 및 상기 윅(300)의 안측에 길이방향을 따라 삽입되고 폭방향을 따라 일정간격으로 병렬 배치되어 상기 윅(300) 및 각 케이스(100,110)의 안측을 높이방향을 따라 지지하는 구리 또는 알루미늄 봉 형태의 다수의 지지부(400);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 판형 히트 파이프.

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이동통신용 단말기용 안테나

본 고안은 이동통신 단말기가 현대인의 필수품으로 자리 잡으면서 양질의 서비스를 제공하기 위해 통신 장비 중에서 핵심부품에 속하는 안테나 기술을 고안 하여다. 즉 기지국이나 단말기에 부착된 안테나는 통화품질을 결정하는 중요한 요소라 할 수 있는데, 이동통신 단말기의 소형화와 집적화에 따라 안테나 역시 소형, 경량, 다기능을 기능을 필요로 하여진다. 그리하여 본 발명은 단말기용 안테나를 초방형의 형태로 단말기에 내장하기 용이하고 우수한 방사특성을 나타내어 보다 광대역에서 이용될 수 있는 이동통신 단말기용 안테나를 고안 하였다.본 고안은 기존의 이동통신 단말기용 안테나를 개량 또는 기능을 추가 하는 것으로, 단일 인쇄회로기판 상에 방사부와 급전부를 설치하고 방사 부를 인쇄형 루프 형태로 형성하며 급전부에 대해서는 접지부와 동일 평면상에 설치하는 코플래이너 도파로 구조로 제작한 것이다. 단일 인쇄회로기판에 방사부와 급전부를 설치하여 보다 소형화할 수 있고 단말기에 내장하기 용이하면서도, 급전부를 코플래이너 도파 구조로 제작하여 매우 이상적이고 양호한 방사 특성을 나타내게 되어 보다 광대역을 목표로 고안 하였다. 이러한 코플래너 도파로 구조의 근접방식은 종래의 마이크로스트립 구조 의 도파로를 이용한 급전방식에 비해 급전부에서의 방사를 최대한 억제할 수 있어 측정결과 상대적으로 현저히 우수한 방사특성을 나타내었고 이로 인해 보다 광대역의 특성을 가진다.

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(재)광주테크노파크
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소화기를 내장한 세대분전반

주택내의 배선용차단기에서 발화하는 화재가 증가하고 있다. 세대의 평형 및 세대수의 대형화에 의해 세대분전반의 회로 수 증가 세대사용부하의 증가에 따라 세대분전반에서의 전기사고가 많이 발생되고 있으며 현실적으로 세대 입주자가 전원 및 부하 접속 상태를 확인하기는 어려운 상태임. 기존 세대분전반은 E.L.B(누전차단기),NO FUSE BREAKER(배선용차단기),단자대, 케이스로 구성되어 있으며 전류 ,누전 ,단락사고 시 차단기가 자동으로 신속하게 차단이 되어야 하며 사고전류의 검출방식은 전자회로를 이용하여 불평형 전류나 지락전류를 감지하는 전자식과 바이메탈을 이용하여 과열을 감지하여 동작하는 열동식으로 구성되어 있음. 나사이완으로 배선과 나사 고정 형 단자의 접속부 과열로 배선과 단자의 접속면적이 작아지면 전기저항이 증가 되여 발열이 되는 경우, 트래킹 현상 ,차단기 부 동작시는 세대분전반이 발화점이 되는 경우가 발생한다. 이러한 종류의 사고를 막기 위해 함 내부에 바이메탈을 이용한 열 감지부를 설치하여 함 내부 온도가 상승되면 세대분전반에 내장된 소화가스가 방출되어 더 이상 불꽃발생이나 착화가 안 되도록 자동 소화하는 장치임.2)발명의 구성1-1:세대분전반 :현재사용하는 세대분전반에 분사노즐과 휴대용소화기가 설치가능토록 함.1-2:휴대용소화기: 휴대용소화기1-3:분사노즐:열센서에서 받은 기계적 힘에 의해 노즐을 open 시켜 소화가스가 방출되도록 함.1-4:열센서:주위의 온도가 설정치 이상인 경우에 바이메탈의 기계적인 변형으로 노즐이 동작하도록 함. 1-5:판형스프링:휴대용소화기를 고정시킴. 3)발명의 효과 실질적으로 발생되는 세대분전반 화재를 막을 수 있음.

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한솔건설
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2006-11-08
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