일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>프린팅 용지의 두께를 검출하여 인자판 두께를 최적값으로 자동 조정하는 프린터를 제공한다. <구성>기판에 고정되어 인자판 표면에 붙이고 떼는 것이 가능한 레버부재(26), 레버부재의 인자판 표면에서의 변위량을 광량으로 변환하는 발광소자(52)와 수광소자(53)로 된 변위 검출수단, 이들로부터 신호를 기준값과 비교하여 그 차이를 출력하는 광량 검출수단, 측정 동작시의 시정수가 크게 또는 측정 동작 해제시의 시정수가 작게 세팅된 시정수 세팅수단, 시정수 세팅수단을 사이에 두고 출력하는 광량 검출수단에서의 신호로 발광소자에의 전력을 조정하는수단을 갖추고 인자판으로부터 검출레버의 변위를 광량변화로 변환하여 프린팅 용지의 종이질에 상관없이 용지 두께를 광량으로 변환할 수 있고 또한 검출레버의 변위를 광량으로 변환하기 위해 용지 두께의 변화와 광량변화를 가급적으로 직선성을 갖게 한다.1. 용지 두께에 따라 프린팅 헤드와 판(platc)사이를 조정하도록 캐리지 가이드 축의 회전을 제어하는 수단(13,20,47:13,50,72).프린팅 헤드와 판 사이의 거리를 조정하도록 회전할 수 있는 캐리지 가이드 축(7)상에 징착되고 프린팅 헤드를 품는 캐리지(16),프린팅 헤드(17), 판(1), 지지 프레임(5,6,33)을 갖는 프린터에 있어서, 제어 수단은 판에 대한 레버의 위치를 표시하는 신호를 발생하는 감지 수단(37:54)과 함께 동장하도록 배열되고 판으로부터 떨어져 있으며 회전 방향에 대해 지지 프레임 상의 고정 위치에 장착된 레버(28)와, 제 1신호를 발생하는 감지 수단과 판을 연동하는 레버가 있는 제 1위치로 레버를 회전시키고 그 다음에 제 2신호를 발생하는 감지 수단과 판상에서 용지를 연동하는 레버가 있는 제 2위치로 레버를 회전시키는 솔레노이드 (30)오, 제 1 및 제 2신호에 응답하여 용지 두께를 결정하고 편심 축의 회전을 제어하는 출력을 발생하는 검출 수단(47:72)을 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터.2. 제 1항에 있어서, 감지 수단은 압력 감지 소자(37)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터. 3. 제 1항에 있어서, 감지 수단은 발광 소자(52)와 수광 소자(53)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프린터. 4. 제 3항에 있어서, 수광 소자의 출력을 감지하는 광랑 감지 회로(62), 감지 동안은 보다 큰 시정수 그리고 감지 완료후는 보다 작은 시정수를 발생하는 시정수 세팅 회로(64), 감지가 일어나지 않을때 수광 소자의 출력을 유지시켜서 발광 및 수광 소자 저하로 인한 에러를 회시시키도록 발광 소자로 사용시 전원을 조정하는 시정수 발생 수단과 감시 수단에 의해 제어된 수단(67,70,56)을 특징으로 하는 프린터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에핑층을 성장할때 CCl4를 도핑(doping)하므로써, 1) 상 기 CCl4유입량에 따라 에핑층의 측면 성장율을 조절할 수 있으며, 또한 소자의 평탄화도 보다 쉽게 이루어질 수 있고, 2) 이를 이용하여 양자세선을 제조할 수 있을 뿐 아니라 상기 양자세선은 ①평면의 양자우물 두께에 비하여 양자세선의 두께가 현격한 차이를 나타내므로 광여기 발광파장(photoluminescence) 또한 큰 차이를 가지게 되어 양자세선의 광학적 성질을 양자우물과 독립적으로 연구할 수 있고, ② 양자세선과 양자우물의 광여기 발광 강도비(IQWR/IQWL)는 여기된 지역의 양자세선과 양자우물의 부피비(VQWR/VQWL)에 비례하는데 본 발명에 의해 제조된 양자세선의 경우는 부피비가 최소 5배이상 향상되므로 광여기 발광 강도비 또한 크게 향상될 수 있으며(여기서 IQWR 및 IQWL는 양자세선의 발광강도 및 양자우물의 발광강도를 나타내며, VQWR 및 VQWL는 양자세선의 부피비 및 양자우물의 부피비를 나타낸다), ③ 양자우물의 두께를 아주 얇게 하여도 양자세선의 두께를 충분히 두껍게 할 수 있으므로 IILD(impurity induced layer disordering) 기법으로 상기 양자우물을 없애버릴 경우 완전히 고립된 가장 이상적인 형태의 양자세선을 제작할 수 있다는 장점을 지녀 고신뢰성의 반도체 소자를 구현할 수 있게 된다.1. 반도체 제조공정에 있어서, 각각의 크기가 100마이크로 이하의 크기로 패터닝된 GaAs기판 위에 유기금속화학증착법에 의해 온도범위 500-900℃에서 에피층을 성장할때 CCl₄를 가스유량조절기로 유입범위(CCl₄유입량/3족원료 유입량=0.01~100)에서 상기 유기금속증착장치의 반응한 것을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 GaAs기판은 광노광봅 및 습식식각으로 에칭하여 100마이크로미터 이하로 패터닝됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 에피층은 3족 유기금속 원료인 트리메틸갈륨 및 트리메틸알루미늄과 5족 원료인 비소가스를 이용한 유기금속화학증착법으로 형성됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.4. 제 1항에 있어서, 패터닝된 상기 GaAs기판은 메사 형태 또는 V층 형태 또는 이들의 조합중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.5. 제 4항에 있어서, V홈 형태를 갖는 상기 GaAs기판 상에 형성된 에피층은 GaAs양자우물에만 CCl₄가 도핑됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, V홈 형태를 갖는 상기 GaAs기판에는 CCl₄를 도핑하여 성장시킨 양자우물을 이용하여 양자세선이 형성됨을 특징으로 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명에 의한 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치는, 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어져, 1) 쌍코일 장치의 영점조정과 시편 박막인 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리(magnetic penetration depth) λ의 절대 크기를 단일한 측정에서 이룰 수 있게 되어 영점조정시 발생되는 기계적인 문제점을 해결할 수 있고, 2) 드라이브 코일을, 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수가 이와 역 방향으로 탑 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수보다 더 많은 구조를 가지도록 제작해 주므로써, 박막 가장자리에서의 Js를 제거할 수 있게 된다.1. 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 납이나 나이오븀, 또는 상기 대면적 고온초전도체 박막보다 낮은 전이온도를 갖는 고온초전도체 물질 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 동 물질이 초전도 상태에서 가지는 자기장 침투거리 ...보다는 5배이상 크고, 동 물질이 정상 금속 상태일 때 가지는 스킨 뎁쓰보다는 1/10-0이하의 크기를 가지도록, 그 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.4. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 그 표면에 포토레지스트가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.5. 제 1항에 있어서, 상기 시편 홀더는 플렉시그라스와 같은 부도체 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.6. 제 1항에 있어서, 교류자기장 대신 직류자기장을 사용할 경우, 상기 검출 코일 대신 스퀴드 센서가 장착되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.7. 제 6항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 동 물질이 초전도 상태에서 가지는 자기장 침투거리...보다 5배이상 큰 크기로, 그 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.8. 제 6항에 있어서, 상기 시편 홀더는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.9. 제 1항에 있어서, 상기 드라이브 코일은 쌍극자 코일 성분과 사중극자 코일 성분이 중첩되도록 연결된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.10. 제 9항에 있어서, 상기 드라이브 코일은 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨지는 코일의 회전수보다 이와 역방향으로 탑 섹션에 감겨지는 코일의 회전수가 더 적은 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.11. 제 6항에 있어서, 상기 스퀴드 센서는 스캐닝 가능하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내어 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.1. 실리콘, 유리, 수정 및 몰리브덴 중에서 선택되는 어느 하나의 기판 위에 금속인듐을 80~200nm의 두께로 증착시키고, 상기 금속인듐을 증착된 기판을 질소가스분위기에서 500~900℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 후열처리함으로써, 상온에서 안정된 오렌지색(1.95eV)의 발광특성이 있는 40~60nm크기의 미소 결정립을 갖는 다결정 산화인듐 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 오렌지색 발광 산화인듐 박막의 형성방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 고안은 표면실장이 가능한 적층 칩(chip)형태의 인덕터(inductor)구조에 관한 것으로,특히 복수매의 시트상 자성체층 사이에 형성되는 코일용 도전패턴의 인접 자성체층간 전회궤적에 차이를 두되 한층 걸러서는 통일한 권회궤적을 취하도록 하여 내부전극의 합선우려를 배제토록 한 칩 인덕터에 관한 것이다.일반적인 형태의 인덕터 구조는 페라이트 코어의 주위에 도선을 권회한 형태로 이루어져 있어 그 부피가 크기때문에 소형화가 곤란하고 특히 콘덴서 부품과 결합하여 회로를 구성하여야 할 경우에는 결합소자들 간의 구조상의 차이점에 기인하여 회로구성이 곤란하다는 문제점이 있다.한편, 최근에 이르러 대부분의 전자지기들이 고집적화의 경향을 취하고 있으며,또한 제조공정의 자동화를 위하여 구성부품을 인쇄기판상에 집적시키는 표면실장화의 추세로 나아가고 있는 실정을 감안하여 볼때 상기 인덕터가 지니고 있는 구조상의 문제점은 커다란 결점으로작용하게 된다.(11)좌측반부를 커버하는 크기의 자성체층(12)이 적층되어(B)와 같이 도전패턴(h)의 일부분만이 노출된 상태가 된다.다음,(C)에서와 같이 일부분만 남아있는 도전패턴(h)의 단부에 다시"J"자 형상의 도전패턴(i)이 인쇄된 후에 이번에는 우측반부를 커버하는 자성체층(13)이 적층되어 도전패턴(i)의 일부분만이 남겨진 상태로 된(D)와 같이 된다.이어서, 도전패턴(i)의 단부에 "J"자형상의 또 다른 도전패턴(j)이 연장형성됨에 있어(E)에 도시된 바와 같이 상부의 원호상 도전패턴부가 이루는 궤적이 상기(A)단계와 공정에서 인쇄된 그 아래층의 도전패턴(h)의 궤적에 비해 적어도 도전패턴의 폭만큼 안쪽이나 바깥쪽으로 치우치게 유지되도록 형성되도록 한다.이후, 앞서 설명된 바의 공정과 동일한 공정을 반복적으로 수행하여 차례로 자성체층(14-17)과 도전패턴(h-n)을 형성시켜 나아가되 인접하는 자성체층 상하부에 인쇄되는 도전패턴의 궤적중 원호상부분이 수직으로 일직선상에 놓이지 않게끔 형성함과 동시에 한층 건너서는 동일한 도전패턴의 궤적을 유지하도록 하여 (F)공정에서부터 (M)공정에 이르기까지 적층작업을 수행하게 된다.특히 (M)단계에서 도전패턴(n)은 그단부가 자성체층(17) 의 외측으로 노출형성되며 도전패턴(n)의 인쇄후에 마지막으로 최하층의 자성체층(11)과 동일한 크기의 자성체층(18)이 복개되어 일단 적층체의 적층이 완료된다.본고안에서의 자성체층과 도전 패턴의 적층 및 인쇄과정은 각각 자성체층을 순차적으로 적층시켜 가면서 도전패턴을 형성시키는 형태를 취하거나, 각기 상용하는 도전패턴이 형성된 자성체층을 150-300 ㎏/㎠의 압력으로 50~100℃의 온도에서 일괄하여 적층하는 형태를 택하여 수행하는 것이 바람직한 바, 이와 같은 적층체의 단면구조는 제3도의 (M)에 대한 C-C선 단면도인 제4도에 나타나 있다.제4도에 도시된 바와같이,자성체층(11-17)의 사이사이에 위치하는 도전패턴(i)(m)은 대략 자성체층의 두께길이 만큼 떨어진 위치에 형성된다.도전패턴을 포함한 자성체층의 적층이 완료되면 적층체를 소정의 크기로 절단하여 약500℃에서 24시간 내지 48시간 가량 유지시킴으로써 자성체 내부의 유기 결합제를 제거하고, 이어서 850~950℃에서 적층체의 동시소결을 수행함으로써 적층소결체의 제조가 완료된다.다음, 이같이 소결이 완료된 소결체는 그 양단부에 니켈등으로 와부전극(19)(19')이 도굴되어 제5도에 도시된 바와같은 본 고안 칩 인덕터가 얻어지게 된다.본고안의 칩인덕터는 적층구조를 이루는 자성체층 사이사이에 형성된 도전패턴의 층간 인쇄궤적에 변화를 가하여 도전패턴의 접촉에 의한 합선의 우려를 배제하고 있을뿐만 아니라 적층사성체층이 서로 겹쳐지지 않도록 하여 종래의 칩인덕터가 지니고 있는 결점인 탈층화나 변형의 위험에서 벗어나게 되므로 제품의 신뢰도가 향상된다는 이점이 있다.본고안의 인접층간의 전극패턴이 서로 겹쳐지지 않기 때문에 겹쳐지는 상하전극의 면적이 거의 없고 전극간의 간격도 크게 증가하기 때문에 기생 캐퍼시턴스값을 최소화 할 수 있고, 이에 따라 같은 인덕턴스 값을 갖는 인덕터인 경우 종래의 인덕터에 비하여 사용가능 주파수를 고주파대역으로 확장할 수 있다.제7도는 같은 원료를 사용하여 6회 권선하여 1.0μH를 구현한 것으로서 종래의 방법으로 만든 인덕터와 본 고안에 의한 인덕터의 주파수에 따른 임피던트값의 변화를 나타낸 것으로 상술한 일본특허 및 실용신안에 의한 것에 비하여 사용가능한 주파수 대열이 고주파 대역으로 확장됨을 알 수 있다.1.복수매의 자성체중을 순차 교호 적층하며 각층마다 "J"자형 도전패턴을 90˚씩 변위시켜 형성하는 것에의해 도전패턴이 코일사의 내부전극을 구성하도록 한 것에 있어서, 상기 도전패턴들의 궤적이, 인정하는 자성체층에서는 상이하며, 한층 걸러서는 도전채턴 전체부위가 동일하도록 배열하여 도전패턴의 겹쳐지는 면적을 좁게 함과 아울러 패턴간의 거리를 넓게 하여서 됨을 특징으로 하는 칩 인덕터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>적층칩 LC필처 제조시 유전체부를 이루는 자기 조성물에 관한 것으로 특히 내부 전극으로사용되는 Ag 전극의 소성 온도와 일치하는 소성 온도 범위를 갖는 적층칩 LC필처용 유전체부 자기조성물을 제공한다. <구성>유전체부 자기 조성물은 (TiO3)100-x(CuO)x계를 기본 조성(이때 1<=x<=5, x:wt%)으로 하고 여기에 SiO2와 MnO2가 소량 첨가된 것으로 900-950도C의 소성 온도를 나타낸다. <효과>본 조성물을 이용하여 온도 보상용 적층 세라믹 콘덴서를 제작하는 경우 순 Ag전극 사용이용이하여 제조 비용을 낮출 수 있고 Ag전극과 자기 조성물의 소성온도 일치에 따라 상호 확산의발생이 배제되어 신뢰성의 향상이 기대되며 높은 Q값과 적은 부(-)의 온도 계수를 나타내어 양호한소자 특성을 지니는 장점이 있다.1. (TiO2)100-X(CuO)X계의 1≤x≤5(x : wt%)를 주성분으로 하여, 여기에 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt%이하 첨가되어이루어진 것을 특징으로 하는 적층칩 LC필터제조용 자기조성물
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>주성분 원료와 첨가물의 조성을 변화시킴으로써 저온 소결이 가능하고 온도와 고주파 특성이 우수한 고주파 인덕터용 자심재료를 제조하기 위함이다. <구성>이 자심재료는 Fe2O3 47.5-51.5 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, NiO 15-35몰퍼센트, ZnO 5.5-25.5몰퍼센트조합에 첨가물 Co2O3 0.01-3 중량퍼센트 나 WO3 0.01-1 중량퍼센트를 혼합한 조성으로 이루어진다.1. Fe2O3 47.5~51.5몰%, CuO 5~15몰%, NiO 15~30몰% 및 ZnO 5.5~25.5몰%로 이루어진 주성분에 Co2O3나 WO3가 소량첨가되어 이루어진 조성의 고주파 인덕터용 자심재료.2.제 1 항에 있어서, Co2O3의 첨가량이 0.01~3wt%인 고주파 인덕터용 자심재료.3.제 1 항에 있어서, WO3의 첨가량이 0.01~1wt%인 고주파 인덕터용 자심재료
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>소성온도를 900 도C 이하로 낮추어 내부도체로 은을 사용할 수 있는 인덕터 제조용 페라이트를 제조하기 위함이다. <구성>이 페라이트는 Fe2O3 48.5-50.5 몰퍼센트, NiO 5-30 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, ZnO 5.5-35.5 몰퍼센트의 조성으로 되어 있다1. Fe2O3 48.5~50.5몰%, NiO 5~35몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 칩 인덕터 제조용 페라이
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>고주파 대역에서 높은 임피던스와 손실 특성을 유지하면서도 노이즈제거 주파수의 제어가 가능한 필터조성으로서의 Ni-Cu-Zn계를 기본조성으로 하여 MnO2와 Co2O3가 소량 첨가되어 이루어진 고주파대역 EMI 노이즈 필터 조성물을 제공한다. <구성>(FE2O3)X (NIO)Y (ZNO)W (CUO)Z를 X=49.065 Y=9.82-24.90 W=20.31-35.39 Z=5.73(단, X,Y,W,Z=몰%) 주 성분으로 하여 MN2O3가 0.2-3WT% 첨가되어 구성하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물로 구성된다. <효과>Ni-Cu-Zn계 페라이트 원료조성에 MnO2나 Co2O3를 첨가하여 고주파대역(<10MHz)에서 높은 임피던스 및 손실 특성을 유지하면서도 소정의 주파수 대역으로 노이즈 제거 주파수의 이동이 가능하며, MnO2와 Co2O3를 동시에 첨가하는 경우에는 투자율과 손실 증가의 효과와 Co2O3에 의한 공진 주파수 상승의 효과를 발휘하게 된다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Mn2O3가 0.2∼3wt% 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물.청구항 2. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Co2O3가 0.2∼3wt% 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물.청구항 3. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Mn2O3가 0.2∼3wt%와 Co2O3가 0.2∼3wt%가첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI)노이즈 필터 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>세라믹스 원료 분말의 표면을 고분자성 무기 고분자(inorganic polymer)나 콜로이드로 코팅하여 혼합 원료 분말의 균질화와 소결능을 향상시킴으로써 저온 소결을 통해 치밀한 미세 구조를 갖는 고주파용 유전체 공진기를 제조한다. <구성>원료 분말의 균일한 혼합을 도모하고 소결 조작의 치밀화 및 소결 온도의 저하를 위해 세라믹스 원료 분말에 Al(OC4H9)3(aluminum-sec-butoxide: ASB)와 같은 고분자성 무기 폴리머와 실리카 콜로이드 단독 또는 혼합(ASB 21.13-84.52 중량%, 콜로이드 실리카 5.1-10.14 중량%)하여 졸-겔 코팅한 후, 건조와 분쇄 과정을 거쳐 하소하고, 소정 형상으로 성형한 후 1,200-1,300도C로 소결하여 고주파 유전체 공진기를 제조한다. 여기에서 분말을 폴리머 졸로 코팅함으로써 분말 표면에 삼투압 효과에 의한 혼합 구조의 안정화에 기인한 분산 효과와 이로 인한 균일한 성형체가 가능하고, 코팅에 의해 PbO의 휘발을 방지할 수 있고 소결후 입성장을 억제하여 균일하고 치밀한 미세 구조를 얻을 수 있고, 점성 소결에 의한 저온 소결이 가능하다.1. 세라믹 유전체 분말의 표면에 고분자성 무기폴리머를 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의제조방법.2.제1항에 있어서, 고분자성 무기 폴리머가 Al(OC4H9)3인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.3.세라믹 유전체 분말의 표면에 콜로이드를 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.4.제3항에 있어서, 콜로이드가 콜로이드 실리카인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.5.세라믹 유전체 분말의 표면에 고분자성 무기폴리머와 콜로이드를 혼합하여 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.6.제5항에 있어서, 고분자성 무기폴리머가 Al(OC4H9)3이고, 콜로이드가 콜로이드 실리카로서 두 성분의 혼합중량비가 Al(OC4H9)3 21.13~84.52wt%이고, 콜로이드 실리카 5.1~10.14wt%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>고손실 페라이트와 유전체를 동시에 소성하여 고주파 대역에서 높은 전자 감쇠능을 갖는다. <구성><(Fe2O3)x(NiO)y9ZnO)w(CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체, 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950도(섭씨)에서 동시 소성하여 고주파 대역 이엠아이필터를 만든다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950℃에서 동시 소성(co-firing)함을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터:상기식에서 x=49y=9-25w=20-35z=5.7(단, x,y,w,z=mol%)2. 제1항에 있어서, 유전체 페이스트의 조성은 (TiO2)100-x(CuO)x계를 기본 조성으로 할 때 x는 1≤x≤5의 범위이고, 여기에 첨가재로서 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt% 이하로 첨가됨을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 저온소결 페라이트의 제조방법에 관한 것으로 특히 하소된 페라이트 분말에 별도로 혼합 및 열처리를 행한 저온소결용 액상형성조제를 첨가하여 소결함으로써 가능하면서도 내부전극과의 반응이 없는 페라이트 소결체를 제조하는 방법에 관한 것이다.최근, 컴퓨터산업 및 전자통신산업들에 사용되는 주요부품들은 전자화로l 집적화, 고성능화에 대응하기 위하여 소형화 및 칩화의 추세로 나아가고 있으며, 이를 수용하기 위하여 표면상장기술의 이용이 날로 확대되고 있는 실정이다.이와 같이 칩화되고 있는 많은 전자부품중에서 페라이트를 사용하고 잇는 부품의 수가 증가되고 있는데, 페라이트를 사용하고 있는 부품의 대표적인 예로는 노이즈필터(noise filter),인덕터(inductor)등이 알려지고 있다. 페라이트는 그 조성에 따라 다소의 차이가 있긴 하나 대략 1200~1300℃ 온도에서의 소결을 통해 제조되고 있다.한편,페라이트 재료를 사용하고 칩부품을 제작함에 있어서는 페라이트 내부로 전극이 통과하여야 하므로 페라이트의 조성과 소결조건등은 전극의 선정에 매우 중요한 역할을 하게 된다. 칩부품의 제조를 위해 전극과 세라믹을 동시에 소결하는 경우로서 우수한 전기적 특성을 갖는 칩부품을 열기위해서는 다음과 같은 문제점이 고려되어야 한다.첫째, 내부전극의 산화환원반응으로 인한 부피변화로 전기 전도성과 구조적 결합의 발생,화학반응등의 문제점.둘째, 동시소결시 전극과 세라믹간의 수축을 차이로 인한 박리(delamination)의 문제점.셋째,내부전극과 세라믹간의 화학반응으로 인한 체면에서의 새로운 상의 생성이나 상호확산으로 인한 특성저하의 문제점.1.하소된 페라이트 분말에 Bi2O3와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 백상형 성조제를 첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2.제1항에 있어서, 액상형성조제의 Bi2O3와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750~850℃사이인 조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3.제2항에 있어서,다른 산화물은 CeO2,ZrO3,TiO,SiO3,MgO,CuO,CaO,BaO,Al3O3 또는 SnO인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>액상 형성 조제로서 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킴으로써 저온 소결 페라이트를 제조한다. <구성>산화물을 적절한 비율로 혼합하여 이를 열처리하여 안전된 상을 형성한 액상 형성 조제를 하소한 페라이트 분말에 첨가하여 소결하는데 기술적 특징이 있다. 여기서, 액상 형성 조제는 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시키게 된다. <효과>저온 소결이 가능하고 내부 전극인 Ag와 반응하지 않으며 우수한 전기적 특성을 나타냄으로써 EMI 노이즈 필터, 적층칩 인덕터 및 하이칩 임피더 등의 재료에 활용될 수 있다.1. 하소된 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 액상형성조제를첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 액상형성조제의 V2O5와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750∼850℃ 사이인조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 다른 산화물은 ZrO2, ZnO, Y2O3, SrO, SiO2, MgO, CuO, CaO, BaO 또는 Al2O3인것을 특징으로하는 저온소결 페라이트의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
[구성]본 발명은 CoxCryPzMw(식 중, M은 백금 또는 니켈임)의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 재료는 코발트계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막으로서, 보자력과 각형비가 높으며, 이러한 우수한 자기적 특성으로 인하여 고밀도 자기 기록에 유리하다.본 발명은 새로운 조성의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더 상세히 설명하자면, 본 발명은 코발트계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막에 관한 것으로, 이에 의하여 높은 보자력과 각형비를 얻을 수 있으며, 이러한 자기적 특성은 고밀도 자기 기록에 있어서 유리한 특성이다.최근, 컴퓨터 하드 디스크나 VTR 등의 자기 기록 및 재생 장치 분야에서 기록 신호의 고밀도화가 추진되고 있다. 기록 밀도를 높이기 위해서 기록 매체의 고보자력화와 동시에 초박막화가 요구되고 있으며, 또한 신호 대 잡음비를 높이는 방안도 추진되고 있다.기존의 자기 기록용 박막 재료로는 코발트계 합금이 가장 많이 사용되고 있는데, 하드 디스크용 자성 박막으로는 Co-Cr-Ta계가 현재 가장 많이 쓰이는 합금이다. 이 박막의 보자력을 증가시키는 방법으로는 기판의 온도를 200℃ 이상으로 가열한 후에 스파터링(sputtering)시키거나 증착시키는 방법과, 스파터링이나 증착시에 기판에 바이어스(bias)를 가하는 방법등이 사용되고 있다. 그러나, 이 조성의 박막으로 얻을 수 있는 보자력은 기판 가열 시에는 1600 Oe, 기판을 가열하고 바이어스를 가할 경우에도 최대 1800 Oe 정도에 불과하다.이러한 박막의 보자력 향상 방법은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 우선 기판 가열 방식은 Al 기판을 사용했을 경우에는 가열에 의해 기판이 흰다거나 비정질 Ni-P층이 결정화될 우려가 있어서 온도를 올리는 데 한계가 있다. 한편, 기판바이어스 방식을 적용하기 위해서는 기판이 반드시 전기를 통할 수 있는 전기 전도체이어야 하기 때문에, 기판의 선택이자유롭지 못하다. 최근, 고밀도 자기 기록용 하드 디스크용 기판으로 사용되는 재료로는 유리 또는 세라믹 기판이 가장유리한 것으로 알려져 있는데, 이들은 모두 전기적으로 부도체이어서 기판 바이어스 방식을 적용하여 고보자력을 얻어내기는 곤란하다. 기록 밀도를 높이기 위해서는 잔류자속 밀도 x 자성층 두계(Mr·t)를 줄임에 따라 예상되는 재생 신호의약화를 보상하기 위해서 헤드와 매체 간의 거리를 감소시키려는 추세인데, 이때 기판의 편평도가 매우 중요하다. 따라서,편평도 유지 면에서 Al 합금보다 양호한 유리 또는 세라믹 소재의 기판이 채택될 전망이다. 뿐만 아니라 사용되는 Al 합금 디스크의 두께도 점점 얇아지는 경향인데, 이 때문에 가열시에 휘어질 가능성이 더 커진다.본 발명의 목적은 위와 같은 종래의 재료들이 안고 있는 문제점을 해결하기 위해서 제조 방법이 간단하면서돈 자기적 특성이 우수한 새로운 조성의 코발트계 박막 합금을 제공하는 데 있다.본 발명자들은 전술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 예의 연구 검토한 결과, 코발트계 합금에 인을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 또는 Co-Cr-P-Ni 합금으로 스파터링 증착하여 박막을 형성하면 기판 가열 없이도 고보자력을 얻을 수 있고, 또한 Al 합금 디스크를 기판으로 사용할 경우 뿐만 아니라 유리 등을 기판으로 사용할 경우에도 유리하다는 것을 발견하였다본 발명은 새로운 조성의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더 상세히 설명하자면, 본 발명은 코발트계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막에 관한 것으로, 이에 의하여 높은 보자력과 각형비를 얻을 수 있으며, 이러한 자기적 특성은 고밀도 자기 기록에 있어서 유리한 특성이다.최근, 컴퓨터 하드 디스크나 VTR 등의 자기 기록 및 재생 장치 분야에서 기록 신호의 고밀도화가 추진되고 있다. 기록 밀도를 높이기 위해서 기록 매체의 고보자력화와 동시에 초박막화가 요구되고 있으며, 또한 신호 대 잡음비를 높이는 방안도 추진되고 있다.기존의 자기 기록용 박막 재료로는 코발트계 합금이 가장 많이 사용되고 있는데, 하드 디스크용 자성 박막으로는 Co-Cr-Ta계가 현재 가장 많이 쓰이는 합금이다. 이 박막의 보자력을 증가시키는 방법으로는 기판의 온도를 200℃ 이상으로 가열한 후에 스파터링(sputtering)시키거나 증착시키는 방법과, 스파터링이나 증착시에 기판에 바이어스(bias)를 가하는 방법등이 사용되고 있다. 그러나, 이 조성의 박막으로 얻을 수 있는 보자력은 기판 가열 시에는 1600 Oe, 기판을 가열하고 바이어스를 가할 경우에도 최대 1800 Oe 정도에 불과하다.이러한 박막의 보자력 향상 방법은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 우선 기판 가열 방식은 Al 기판을 사용했을 경우에는 가열에 의해 기판이 흰다거나 비정질 Ni-P층이 결정화될 우려가 있어서 온도를 올리는 데 한계가 있다. 한편, 기판바이어스 방식을 적용하기 위해서는 기판이 반드시 전기를 통할 수 있는 전기 전도체이어야 하기 때문에, 기판의
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 플라즈마 발생시 생성되는 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는 방법으로서, 가스펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마의 과도적 특성을 조사하여 서로 다른 플라즈마 종들의 과도적 광방출(transient optical emission) 모습으로부터 일정한 시간폭을 갖는 두 세 가지 다른 시간영역을 도입하는 것을 포함한다. 또한 가스펄스 도입시, 의무주기의 변화에 따라서도 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는데, 이는 가스펄스 플라즈마의 과도적 특성과 밀접한 관련이 있다. 즉, 가스 펄스 도입시간 영역에서는 비교적 낮은 전자 온도(1.2 eV)가 관측되고, 가스펄스 도입중단 후 약 0.65초 후의 시간영역에서는 비교적 높은 전자온도(2.5 eV)가 관측되는데, 이는 플라즈마와 중성분자간의 재결합 충돌이 영향을 주므로써 나타나는 현상이다. 따라서 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는 적절한 시간영역 및 의무주기를 선택함으로서 플라즈마 관련 반도체 제조공정을 비롯한 산화물 및 질소화합물 등의 결정성장분야에서 유용하게 사용될 수 있다.본 발명은 가스 펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마에서, 시간에 따라 변화되는 과도적 특성을 가지는 플라즈마 변수를 이용하여 활성이온 및 활성분자(또는 활성 원자)의 생성율을 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 가스 펄스 전자싸이크로트론 공명 플라즈마에서의 활성이온 및 활성분자(또는 활성원자) 생성율 제어 방법을 제공한다.상기 시간의 시간영역을 구분하기 위하여, 반도체공정 등에서 사용되는 플라즈마 장치의 밸브 또는 셔터를 이용하여 가스펄스 플라즈마의 특성이 달라지도록 할 수 있다. 플라즈마 변수로는 전자 및 이온의 온도나 밀도, 플라즈마의 공간분포등 여러 가지가 있을 수 있는데, 본 발명은 시간에 따라 변화되는 과도적 특성을 가지는 플라즈마 변수를 이용하며, 본발명의 실시예에서는 전자의 밀도가 온도를 사용하였다.가스펄스 플라즈마는 플라즈마원의 방전공동(discharge cavity)내에 유도된 압력변화에 의해 플라즈마 변수가 시간에 따라 변하게 되므로써 과도적 특성을 띄게 되는데, 이를 분석하면 가스 펄스 방식에 의한 반도체 결정성장 및 반응공정에매우 유용하게 사용할 수 있다. 실제 본 발명에 의하여, 질소 및 산소가스를 사용하여 활성 이온 즉, N2+, O2+, O+ 등에 대한 활성분자(혹은 활성원자) 즉, N2*, O*, 의 비를 달리할 수 있는 시간영역을 규정해 줌으로써, 활성종들을 선택적으로얻을 수 있었다.의무주기 또는 진공챔버내의 압력(가스주입량)에 따라서 이온 전류의 값도 변화하므로, 이러한 압력과 의무주기에 대한이온전류를 측정함으로써, 활성종들을 선택적으로 얻을 수 있게 된다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^발명의 명칭 : 휴대폰의 착신을 알려주는 작동구출원번호 : 10-2000-75162출원일 : 2000년 12월 11일내용 : 출원명세서(도면 포함)를 아래아 한글 파일 형식으로파일전송(첨부파일)에 상세한 내용이 있습니다.참고 : 휴대폰 수신을 알려주는 주 기능 외에 기타 다양하게 응용하여 사용될 수 있습니다."새해 복 많이 받으십시오!"2001. 01. 01.이향제. 드림.^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^발명의 명칭 : 휴대폰의 착신을 알려주는 작동구출원번호 : 10-2000-75162출원일 : 2000년 12월 11일내용 : 출원명세서(도면 포함)를 아래아 한글 파일 형식으로파일전송(첨부파일)에 상세한 내용이 있습니다.참고 : 휴대폰 수신을 알려주는 주 기능 외에 기타 다양하게 응용하여 사용될 수 있습니다."새해 복 많이 받으십시오!"2001. 01. 01.이향제. 드림.
- 등록일
- 2001-01-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 제품은 운행중의 과열이나 충돌로 인한 화재 발생시 자동으로 소화기가 작동되어 발생한 장소에 분사하여 초기에 진화하여 대형사고를 예방할 수 있는 자동소화장치이다.자동차의 직류전기를 이용하여 소화기를 자동개방장치와 공급관을 통하여 엔진룸의 감지기를 전자장치와 결부시킨 경보회로를 설치하여 소화기가 작동. 불의의 사고시 운전자 의식과 관계없이 소화가 이루어지므로 인적 물적 피해를 줄일 수 있는 특징이 있다.
- 보유기관
- 제일화재해상보험
- 등록일
- 2001-02-08
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일반기술
전기·전자 > 생활가전기기 (F43)
본 장치는 외부에서 전화가 걸려오는 경우 착신 링 신호를 미리 검출하여 자동음성안내 응답기를 구동하고, 이를 통하여 송화자가 원하는 사람 또는 번호를 선택하여 번호를 누르는 경우에, 눌러진 번호의 신호를 검출하여 선택된 전화기로 신호를 무선으로 전송하도록 하여 사용상의 편의성을 극대화 하고 및 개인의 프라이버시의 침해를 최소화한 장치이다.본 장치는 자동음성 안내기능이 있는 응답기와 이것을 인식하기 위해 각각의 전화기에 부착되어 고유의 ID 지정이 가능한 기능을 갖는 무선 착신수신기로 되어 있다. 외부의 전화는 무선 착신수신기의 ID를 인식해서 해당 전화기에만 연결되고 또한 착신음이 울리게 되어 통화할 수 있게 된다.
- 보유기관
- 세원테크(주)
- 등록일
- 2001-02-08
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일반기술
전기·전자 > 고압대용량 전력변환 기술
변압기 고장검출 장치에 관한 것으로서 특히 전력용 변압기의 진동을 실시간으로 상시 측정하여 변압기의 현재상태와 고장의 진전상태를 감시하기 위한 변압기 고장검출 장치에 관한 것이다.변압기의 상태들을 감지해서 연산수행부에서 그 정보를 제공하여 변압기의 상태가 상시 검사되도록하는 변압기 고장검출 장치에 있어서 변압기에 장착되어 그 변압기의 출력전압, 출력전류, 내부 온도와 주위 온도 및 압전소자를 이용해 진동을 감지 하는 변압기 상태 감지 수단과 변압기 상태 감지수단으로 부터 감지된 신호들을 소정 크기의 전압신호로 변환하는 신호 변환수단과 신호 변환수단에서 변화된 신호들중 제1제어신호에 따라 하나의 신호를 선택하고 제2제어신호에 따라 그 선택된 신호를 변환하여 출력하고 직접 메모리 접근방식 요청신호를 발생시키는 멀티플렉싱 및 변환수단과 원천 동기신호와 클럭신호를 입력으로 하여 멀티 플렉싱 및 변환수단에 감지신호 선택을 위한 제1제어신호와 신호변환을 위한 제2제어신호를 공급하고 데이터 요청을 위한 제3제어신호를 공급하는 제어신호 발생수단 및 멀티플렉싱 및 변환수단으로부터 출력된 신호와 직접 메모리 접근 신호가 과대신호인 경우에는 차단하고 정상신호인 경우에는 통과시키는 포토커플러와 이 포토커플러를 통해 직접 메모리 접근 방식 요청신호를 받고 제3제어신호를 받아 연산수행부에 데이터 요청신호에 대한 연산수행부로부터의 응답신호의 논리곱 결과에 따라온(on)되어 포토커플러에서 출력되어 임시 저장된 데이터를 연산수행부에 전송하는 신호 전송수단을 포함하는것이다.
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- 전력연구원
- 등록일
- 2001-02-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
에너지관리시스템(EMS)의 원격단말장치(RTU)에 과한 것으로 특히 RTU의 기능을 보강하는 방법과 그 장치에 관한 것이다. 원격단말장치(RTU)는 에너지관리시스템(EMS)으로 전송되는 데이터신호를 읽어서 기억장치에 저장하거나 RTU로부터 입력되는 데이터 신호를 기억장치에 저장하거나 RTU로부터 입력되는 데이터 신호를 기억장치에 저장된 데이터로 교체하여 EMS로 전송하는 EMS통신부, 데이터를 외부장치로 전송하거나 입력되는 데이터신호를 기어장치에 저장하는 외부장치 인터페이스부를 구비하고 EMS통신부는 비정상상태 발생시 RTU로부터 전송되는 데이터 신호를 차단하여 직접 EMS로 전송되게 하는 고장진단처리부, TTL신호로 변환시키는 신호레벨변환부를 포함하는 EMS통신프로그램 메모리, 인터럽트 신호에 의해 EMS통신프로그램을 수행하는 EMS CPU를 포함한 EMS CPU보드로 구성된 장치에 관한 것이다.전력계통 운용전반에 관한 사항을 중앙에서 감시하며 효율적인 전력계통 운용을 위하여 발전소 및 변전소를 총괄통제하는 에너지관리 시스템과, 에너지관리 시스템과 연결되며 발전 및 송배선에 관련된 데이타신호들을 에너지관리 시스템으로 전송되고 에너지관리 시스템의 명령에 의해 개페기를 온/오프시키는 원격단말장치로 구성되는 시스템에 있어서 원격단말장치는 에너지관리 시스템으로 전송되는 데이타신호를 읽어서 기억장치에 저장하거나 원격단말장치로부터 입력되는 데이터 신호를 기억장치에 저장된 데이터로 교체하여 에너지관리 시스템으로 전송하는 에너지관리시스템통신부 및 기억장치에 저장된 데이터를 외부장치로 전송하거나 외부장치로부터 입력되는 데이타신호를 기억장치에 저장하는 외부장치 인터페이스부를 구비하고 에너지관리 시스템의 통신부는 비정상상태 발생시 원격단말장치로부터 전송되는 데이타신호를 차단하여 직접 에너지관리 시스템으로 전송되게 하는 고장진단처리부와 원격단말장치로부터 전송되는 데이타신호를 TTL신호로 변환시키는 신호레벨 변환부를 포함하는 에너지관리 시스템 통신보드 및 데이타신호에 의해 인터럽트신호를 발생시키는 인터럽트 컨트롤러와 에너지관리 시스템 통신프로그램을 저장하는 통신프로그램 메모리와 인터럽트 컨트롤러가 발생시키는 인터럽트신호에 의해 통신프로그램을 수행하는 CPU를 포함하는 CPU보드로 구성되는 것을 특징으로 하는 에너지관리 시스템 단말장치의 기능보강장치이다.
- 보유기관
- 전력연구원
- 등록일
- 2001-02-19
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