일반기술
전기·전자 > 제어·자동화
본 발명은 순응 중심 가변형 원격 순응 중심 장치에 관한 것으로서, 아래판(10)과 위판(20)과, 상기 아래판(10)과 위판(20) 사이에 설치되는 복수의 탄성체(30)를 구비하는 원격 순응 중심 장치에 있어서, 상기 각 탄성체(30)의 하단과 결합되며 상기 아래판(10)의 중심과 상기 위판(20)의 중심을 지나는 중심축(1a)과 나란한 회전축(2a)을 가지고 상기 아래판 (10)에 회전 가능하게 결합되는 복수의 하부 회전판(100)과, 상기 각 탄성체(30)의 상단과 결합되며 상기 하부 회전판(100)의 회전축(2a)상에서 상기 위판(20)에 회전 가능하게 결합되는 복수의 상부 회전판(200)을 구비하고, 상기 각 탄성체(30)의 중심축(3a)은, 그 탄성체(30)가 결합된 하부 회전판 (100) 및 상부 회전판(200)의 회전축(2a)에 대해 경사져 있는 것을 특징으로 한다.; 본 발명에 따른 순응 중심 가변형 원격 순응 중심 장치에 의하면, 크기가 다른 여러 개의 물체들을 조립할 경우에도, 물체의 크기에 맞는 RCC를 교체할 필요 없이, 회전판과 탄성체의 소정 각도의 회전만으로도 손쉽게 작업을 시행할 수 있으므로, 조립작업시의 시간과 비용을 절감할 수 있다. 아래판(10)과 위판(20)과, 상기 아래판(10)과 위판(20) 사이에 설치되는 복수의 탄성체(30)를 구비하는 순응 중심 가변형 원격 순응 중심 장치에 있어서, 상기 각 탄성체(30)의 하단과 결합되며, 상기 아래판(10)의 중심과 상기 위판(20)의 중심을 지나는 중심축(1a)과 나란한 회전축(2a)을 가지고, 상기 아래판 (10)에 회전 가능하게 결합되는 복수의 하부 회전판(100)과, 상기 각 탄성체(30)의 상단과 결합되며, 상기 하부 회전판(100)의 회전축 (2a)상에서 상기 위판(20)에 회전 가능하게 결합되는 복수의 상부 회전판(200)을 구비하고, 상기 각 탄성체(30)의 중심축(3a)은, 그 탄성체(30)가 결합된 하부 회전판 (100) 및 상부 회전판(200)의 회전축(2a)에 대해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 순응 중심 가변형 원격 순응 중심 장치.
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 화학식 1로 표시되는 청색 발광 화합물 및 그 제조방법 및 이 청색 발광 화합물을 채용하고 있는 표시소자를 제공한다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기식중, ; [IMAGE 2] ; 이고, X는 -O-, -S-, -NH-, -NCH 3 -, -NCH 2 CH 3 -, -NCH 2 (CH 2 ) n CH 3 -, -NCOOCH 3 -이고, n은 1 내지 20의 정수이고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 서로에 관계없이 페닐기, 알킬페닐기, 비페닐기, 알킬비페닐기, 나프틸기 및 알킬나프틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화학식 1의 화합물은 청색 영역의 형광을 방출하는 물질로서, 이 물질은 유기 전자발광소자의 홀수송층, 전자수송층, 또는 발광층 형성 재료로 매우 유용하다. 따라서, 이러한 화학식 1의 화합물을 이용하면 유기 전자발광소자의 발광 효율, 구동개시전압, 휘도 등의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 화학식 1의 화합물은 각종 표시소자의 발색 재료로서 응용가능하다. 화학식 1로 표시되는 청색 발광 화합물: <화학식 1> [IMAGE 15] 상기식중, [IMAGE 16] 이고, X는 -O-, -S-, -NH-, -NCH 3 -, -NCH 2 CH 3 -, -NCH 2 (CH 2 ) n CH 3 -, -NCOOCH 3 -이고, n은 1 내지 20의 정수이고 Y1, Y2, Y3 및 Y4는 서로에 관계없이 페닐기, 알킬페닐기, 비페닐기, 알킬비페닐기, 나프틸기 및 알킬나프틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 발명은, MEMS (Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용해 낮은 열 유속 범위에서도 높은 감도와 정확도 및 공간 분해능을 가지는 미세 열 유속센서 (Micro Heat Flux Sensor) 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 미세 열 유속센서는 열 유속이 측정될 물체의 벽면에 접촉되는 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 상면에 형성되는 금 박막층과, 상기 금 박막층 위에 형성되는 구리 도금층으로 이루어진 수용부와; 상기 수용부의 구리 도금층으로부터 전달되는 열을 중심으로 모아서 상측으로 이동시키는 원기둥 형상의 열 이동부와; 상기 열 이동부의 측면을 둘러싸는 형태로 상기 수용부의 구리 도금층 상면에 형성되는 단열층과; 상기 단열층의 상면에 상기 원기둥 형상의 열 이동부로부터 전달되는 열을 중심으로부터 방사 방향으로 분산시키기 위해 중심이 상기 열 이동부와 접하도록 형성되고, 상면 중앙부와 주변부에 각각 제1온도측정지점과 제2온도측정지점이 형성된 측정부와; 상기 측정부의 제1 및 제2온도측정지점의 온도차를 측정하는 온도계를; 포함하는 미세 열 유속센서 및 그 제조방법을 제공한다. 따라서 열경로의 저항을 줄이고, 단열층의 단열효과를 높임으로써 높은 정확도와 감도로 열 유속을 측정할 수 있는 등의 효과를 가진다. 열 유속이 측정될 물체의 벽면에 접촉되는 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 상면에 형성되는 금 박막층과, 상기 금 박막층 위에 형성되는 구리 도금층으로 이루어진 수용부와; 상기 수용부의 구리 도금층으로부터 전달되는 열을 중심으로 모아서 상측으로 이동시키는 원기둥 형상의 열 이동부와; 상기 열 이동부의 측면을 둘러싸는 형태로 상기 수용부의 구리 도금층 상면에 형성되는 단열층과; 상기 단열층의 상면에 상기 원기둥 형상의 열 이동부로부터 전달되는 열을 중심으로부터 방사 방향으로 분산시키기 위해 중심이 상기 열 이동부와 접하도록 형성되고, 상면 중앙부와 주변부에 각각 제1온도측정지점과 제2온도측정지점이 형성된 측정부와; 상기 측정부의 제1 및 제2온도측정지점의 온도차를 측정하는 온도계를; 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금을 이용한 초소형 열유속 센서.
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전기·전자 > 제어·자동화
본 발명은 물체 표면에서 다방향 유동을 발생시키는 액츄에이터에 관한 것으로, 유체를 저장할 수 있도록 오목하게 공동이 형성되는 케이스와, 서로 대면한 자유단부의 교차되는 자유진동에 의해 끝단부 사이의 틈새로 유체를 흡입하거나 배출할 수 있도록 케이스의 일단에 구비되는 적어도 2개 이상의 캔틸레버 구동수단으로 이루어져 캔틸레버 구동수단을 공동 바깥쪽으로 움직여 캔틸레버 구동수단 위쪽에 있던 외부 유체를 공동으로 흡입한 후에 캔틸레버 구동수단을 공동 안쪽으로 움직여 공동에 흡입된 유체를 다시 배출하는 작업을 반복함으로서 캔틸레버 구동수단 위쪽면 근처에서 유동을 발생시키는 것이다. 물체 표면에서 여러 방향으로 유동을 발생시키는 액츄에이터에 있어서, 유체를 저장할 수 있도록 오목하게 공동이 형성되는 케이스와, 판상을 이루어 상기 케이스의 일단에 각각 외팔보 형상으로 지지되어 그 자유단부들 사이에 틈새가 형성되며, 상기 자유단부들이 자유진동할 수 있도록 설치되는 한쌍의 캔틸레버 요동판과, 상기 요동판을 자유진동시키기 위해 상기 요동판의 각각의 일단면에 면접촉되게 설치되는 압전 변형부와, 상기 압전 변형부에 전원을 인가하여 기계적인 변형을 일으킬 수 있도록 설치되는 전원부로 이루어지는 캔틸레버 구동수단을 포함하며, 서로 대면하는 각 자유단부의 일측부터 순차적으로 상승및 하강하도록 위상차를 주면, 상기 유체는 상기 틈새를 통해 타측방향에서 흡입되고, 타측방향으로부터 배출되는 것을 특징으로 하는 표면 유동 발생 액츄에이터.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 산소-함유 기체 또는 유기물의 주입라인을 기재 표면 중앙 지점으로부터 1 내지 5cm 앞에 위치시키고, 1 내지 10torr의 압력, 250 내지 700℃의 내부온도 및 냉벽(cold wall) 반응기 조건하에서 기재 위에 막을 성장시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 우수한 광학 특성을 갖는 레이저용 산화아연계 박막을 제조할 수 있다. 1 내지 10torr의 압력, 250 내지 700℃의 내부온도 및 냉벽(cold wall)으로 유지된 반응기에서 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물과 기재를 접촉시킴을 포함하며, 이때 산소-함유 기체 또는 유기물이 별개의 라인을 통해 반응기에 주입되고 각 주입라인 말단이 기재 표면 중앙지점으로부터 1 내지 5cm 이격되어 위치된 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의 제조방법.
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전기·전자 > 제어·자동화
본 발명은, 순응중심 가변형 원격순응중심장치에 관한 것으로서, 아래판과, 위판과, 상기 아래판과 위판의 사이에 결합되는 복수의 탄성체를 구비하여 이루어지는 원격순응중심장치에 있어서, 순응중심의 위치를 중심축선상에서 조절 가능하도록, 상기 탄성체의 외주면 둘레에 밀착 결합되어 상기 탄성체의 결합된 부분의 탄성변형을 억제하는 탄성조절기를 구비하는 것을 특징으로 한다.; 본 발명에 따른 순응중심 가변형 원격순응중심장치는, 상기 복수의 탄성체의 외주면상에 탄성조절기를 적절히 가감 결합하여, 각 탄성체의 탄성계수를 조절 가능하게 함으로써 쉽게 순응 중심의 위치를 바꿀 수 있다. ; 따라서, 본 발명에 따른 순응중심 가변형 원격순응중심장치에 의하면, 길이가 다른 여러 개의 물체들을 조립할 경우에도, 물체의 길이에 맞는 RCC를 교체할 필요없이, 탄성조절기를 가감 결합하는 것만으로도 손쉽게 작업을 시행할 수 있다. 즉, 조립작업시의 시간과 비용을 절감할 수 있다. 아래판(10)과, 위판(20)과, 상기 아래판(10)과 위판(20)의 사이에 결합되는 복수의 탄성체(30)를 구비하여 이루어지는 원격순응중심장치에 있어서, 순응중심(Z)의 위치를 중심축선상에서 조절 가능하도록, 상기 탄성체(30)의 외주면 둘레에 밀착 결합되어 상기 탄성체(30)의 결합된 부분의 탄성변형을 억제하는 탄성조절기(40)를 구비하는 것을 특징으로 하는 순응중심 가변형 원격순응중심장치.
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 광반응특성의 곁가지형 디아민 유도체를 포함하는 폴리아미드이미드 광배향성 물질 및 이를 이용함으로 인해 액정의 배향 및 프리틸트각을 임의대로 조절가능한 액정표시소자에 관한 것으로서, 상기 액정표시소자는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 1,제 2 기판사이에 형성된 액정층과, 상기 제 1 기판 및/또는 제 2 기판 상에 형성된; ; [IMAGE 1] ; 로 표시되는 광배향성 물질을 포함하는 배향막으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 하기 화학식 1에 나타내어진 광반응특성의 곁가지형 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광배향성 물질. 화학식 1 [IMAGE 8] [상기 식중, a 및 b는 각각 0 내지 4의 정수이고, X 1 및 X 2 는 각각 -CH 2 -, -O-, -COO-, -OOC-, -NHCO-, -CONH-로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1 및 R2는 각각 수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 탄소수 1내지 100의 알킬기, 할로알킬기, 시아노알킬기, 니트로알킬기, 히드록시알킬기, 시아노할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노니트로알킬기, 히드록시할로알킬기, 시아노히드록시알킬기, 히드록시니트로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 알킬아릴기, 할로아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로아릴기, 니트로알킬아릴기, 시아노아릴기, 시아노알킬아릴기, 니트로아릴기, 니트로알킬아릴기, 히드록시아릴기, 히드록시알킬아릴기, 시아노할로아릴기, 시아노할로알킬아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.]
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전기·전자 > 제어·자동화
본 발명은 싸이라트론의 진단 및 자동 조절장치와 그 방법에 관한 것으로, 특히 이 장치는 히터 전류를 측정하는 센서와, 레저버에 내부 기체를 이온화시키기 위한 전압을 인가하는 컨버터와, 레저버의 전압을 감지하는 감지부와, 제 1스위칭 신호에 응답하여 센서를 통해 측정된 전류와 설정된 초기 전류값을 비교하고 두 값이 동일할 때까지 컨버터를 제어해서 레저버의 전압을 증가시키고, 제 2스위칭 신호에 응답하여 감지부를 통해 측정된 전압과 설정된 기준 전압값이 동일할 때까지 컨버터를 제어해서 레저버의 전압을 소정값으로 증가시키고 센서를 통해 히터 전류값을 측정하는 제어부를 구비한다. 그러므로, 본 발명은 독립적으로 작동하는 히터 전원과 레저버 전원사이의 대류에 의한 열손실로 시간이 경과함에 따라 히터 전류가 레저버 전압에 비례하여 떨어지는 것을 이용하여 레저버 내부의 기체 손실을 진단할 수 있고 히터 전류의 손실에 따라 레저버 전압을 높여 싸이라트론에서 초기 설정한 레저버 내부의 기체 압력을 자동으로 조절할 수 있다. 히터 및 레저버를 갖는 싸이라트론에 있어서, 상기 히터 전류를 측정하는 센서; 상기 레저버에 내부 기체를 이온화시키기 위한 전압을 인가하는 컨버터; 상기 레저버의 전압을 감지하는 감지부; 제 1스위칭 신호에 응답하여 상기 센서를 통해 측정된 전류와 설정된 초기 전류값을 비교하고 두 값이 동일할 때까지 상기 컨버터를 제어해서 상기 레저버의 전압을 증가시키고, 제 2스위칭 신호에 응답하여 상기 감지부를 통해 측정된 전압과 설정된 기준 전압값이 동일할 때까지 상기 컨버터를 제어해서 상기 레저버의 전압을 소정값으로 증가시키고 이때 상기 센서를 통해 히터 전류값을 측정하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 싸이라트론의 진단 및 자동 조절장치.
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 발명의 목적은 CCD카메라에 의하여 얻어진 데이터를 이용하여 이상 면을 생성 및 비교하여 굴곡의 범위 및 양을 산출하여 품질의 정도 확인 및 합부 판정을 하는 외관 굴곡 측정 시스템 및 측정방법을 제공하는 것이다.; 본 발명에 따른 외관 굴곡 측정 시스템은, 투사광을 발생시키는 광원, 이 광원으로부터 발생된 투사광으로 사인 패턴을 발생시키는 패턴 발생기, 이 패턴 발생기에서 발생되어 투사되는 사인 패턴이 투영되는 피사체, 이 피사체로부터 반사되는 피사체의 사인 패턴을 촬영하는 CCD 카메라, 이 CCD 카메라의 촬영 데이터를 수집하여 피사체 형상 데이터를 생성하는 제어부, 이 제어부의 피사체 형상 데이터를 분석하여 피사체 굴곡부의 이상 곡면을 생성하고, 이 이상 곡면과 피사체의 굴곡부의 차이를 비교하여, 굴곡량을 산출하여 적합 여부를 판정하는 분석부를 포함하여 구성된다.투사광을 발생시키는 광원, 상기 광원으로부터 발생된 투사광으로 사인 패턴을 발생시키는 패턴 발생기, 상기 패턴 발생기에서 발생되어 투사되는 사인 패턴이 투영되는 피사체, 상기 피사체로부터 반사되는 피사체의 사인 패턴을 촬영하는 CCD 카메라, 상기 CCD 카메라의 촬영 데이터를 수집하여 피사체 형상 데이터를 생성하는 제어부, 상기 제어부의 상기 피사체 형상 데이터를 분석하여 상기 피사체 굴곡부의 이상 곡면을 생성하고, 이 이상 곡면과 피사체의 굴곡부의 차이를 비교하여, 굴곡량을 산출하여 적합 여부를 판정하는 분석부를 포함하되, 상기 광원은 제1스텝핑 모터에 의하여 제어되고, 상기 제1스텝핑 모터는 상기 제어부에 의하여 제어되는 모터 드라이브에 의하여 구동됨을 특징으로 하는 외관 굴곡 측정 시스템.
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전기·전자 > RF 소자* (F63)
본 발명은 온-칩 캐패시터에 충전된 전하를 이용하여 스위칭 노이즈를 감쇄시키는 온-칩 캐패시터를 이용한 CMOS 풀스윙 출력구동회로에 관한 것이다.; 본 발명에 따른 온-칩 캐패시터를 이용한 CMOS 풀스윙 출력구동회로는, 입력신호를 입력받아 상기 입력신호에 반전되지 않은 제1 구동신호 및 상기 입력신호에 반전된 제2 구동신호를 발생하는 입력수단; 상기 입력수단에서 제공되는 제1 구동신호 및 제2 구동신호를 입력으로 하여 캐패시터를 충전하거나 방전하는 캐패시터 충전방전수단; 및 상기 입력수단에서 제공되는 제1 구동신호를 입력받고, 상기 캐패시터 충전방전수단으로부터 캐패시터에 충전된 전하를 입력받아 그 출력단자에 출력신호를 출력하는 메인 구동수단;을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명의 온-칩 캐패시터를 이용한 CMOS 풀스윙 출력구동회로는 온-칩 캐패시터에 충전된 전하를 이용하여 스위칭시간을 단축하면서 스위칭노이즈도 감소시키며, 종래의 2차 LRC 등가회로가 아닌 3차 이상의 고차 LRC 등가회로를 제공함으로써 LRC ringing에 의한 overshoot를 감소시키고 고속동작이 가능하다. CMOS 풀스윙 출력구동회로에 있어서, 입력신호를 입력받아 상기 입력신호에 반전되지 않은 제1 구동신호 및 상기 입력신호에 반전된 제2 구동신호를 발생하는 입력수단; 상기 입력수단에서 제공되는 제1 구동신호 및 제2 구동신호를 입력으로 하여 캐패시터를 충전하거나 방전하는 캐패시터 충전방전수단 으로서, 상기 캐패시터 충전방전수단은 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터, 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터와 제1 및 제2 캐패시터를 포함하고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 게이트가 공통으로 접속되어 상기 입력수단에서 제공되는 제1 구동신호를 입력받고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 게이트가 공통으로 접속되어 상기 입력수단에서 제공되는 제2 구동신호를 입력받으며, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스에는 상기 제2 캐패시터에 접속되어 전원전압에 접속되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인 및 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스가 공통으로 접속되어 상기 제1 캐패시터에 접속되며, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인 및 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인이 공통으로 접속되어 출력단자에 접속되고, 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스 및 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인이 공통으로 접속되어 상기 제2 캐패시터에 접속되며, 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 소스는 상기 제1 캐패시터에 접속되어 접지전압에 접속되는 캐패시터 충전방전수단 ; 및 상기 입력수단에서 제공되는 제1 구동신호를 입력받고, 상기 캐패시터 충전방전수단으로부터 캐패시터에 충전된 전하를 입력받아 그 출력단자에 출력신호를 출력하는 메인 구동수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 온-칩 캐패시터를 이용한 CMOS 풀스윙 출력구동회로.
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, ZnO막을 형성하는 방법을 제공한다. ZnO타깃을 제공하여 스퍼터링장치내에 사용가스에 노출시키는 단계; 적어도 하나의 반응성가스를 상기 스퍼터링장치에 공급하는 단계; 전원을 상기 스퍼터링장치에 공급하여 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 플라즈마의 작용에 의하여 25∼350℃온도에서 사파이어 기판상에 ZnO막을 1∼200Å두께로 증착하는 단계; 및 상기 증착단계이후에 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막위에 ZnO막을 1Å~5㎛ 의 두께로 증착하는 단계를 포함한다. 진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, 상기 사파이어 기판에 ZnO막을 형성하는 방법으로서: 상기 사파이어 기판의 온도를 25∼350℃로 유지하면서 상기 사파이어 기판 상에 2차원 성장된 1차 ZnO막을 형성하는 저온 증착 단계; 및 상기 사파이어 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막 상에 2차 ZnO막을 형성하는 고온 증착 단계를 포함하는 스퍼터링증착법을 이용한 ZnO막의 제조방법.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 전기전자재료
열전도형 진공 게이지에 관한 것으로, 특히 펠티어 효과를 이용한 진공 게이지에 관한 것이다.; 본 발명에 의한 펠티어 효과를 이용한 진공 게이지는 진공 용기의 진공도를 측정하는 장치에 있어서, 열 발생 패턴 신호를 발생시키기 위한 신호 발생기; 상기 신호 발생기에 연결되어, 전류를 측정하기 위한 전류계; 상기 전류계에 연결된 상이한 전도선의 접합으로 이루어지고, 상기 전도선의 접합 부분은 상기 진공 용기의 내부로 삽입되는 펠티어 검침 형태로 구성된 브리지 회로; 및 상기 브리지 회로의 대칭점의 양 단자에 연결되어, 상기 펠티어 검침에 의하여 검출되는 신호의 온도 진동에 의한 전압을 증폭하여 진공 용기의 진공도를 검출하기 위한 고정 주파수 증폭기를 포함함을 특징으로 한다.; 본 발명에 의한 열전도형 진공 게이지는 펠티어 효과를 이용하여 1) 구조가 간단하고, 2) 넓은 진공 영역에서 고감도로 작동하며, 3) 필요에 따라 초소형으로 사용 가능한 새로운 개념의 열전도형 진공 게이지로서 진공도 측정의 분해능을 향상시키고, 필요에 따라서는 국소 진공 측정이나 빠른 진공 측정에 적합하다는 등의 효과를 가진다.청구항 1항 진공 용기의 진공도를 측정하는 장치에 있어서, 열 발생 패턴 신호를 발생시키기 위한 신호 발생기; 상기 신호 발생기에 연결되어, 전류를 측정하기 위한 전류계; 상기 전류계에 연결된 전도도가 상이한 전도선의 접합으로 이루어지고, 상기 전도선의 접합 부분은 상기 진공 용기의 내부로 삽입되는 펠티어 검침 형태로 구성된 브리지 회로; 및 상기 브리지 회로의 대칭점의 양 단자에 연결되어, 상기 펠티어 검침에 의하여 검출되는 신호의 온도 진동에 의한 전압을 증폭하여 상기 진공 용기의 진공도를 검출하기 위한 고정 주파수 증폭기를 포함함을 특징으로 하는 펠티어 효과를 이용한 진공 게이지
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 상기 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, 팔라듐(Pd) 함유층과 니켈(Ni) 함유층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 한다. 본 발명의 Pd/Ni 오믹 전극은 열처리시 형성된 NiO가 Pd 갈라이드의 형성을 촉진시켜 GaN계 반도체층과 전극과의 접촉 계면에 갈륨 빈자리(gallium vacancy: V Ga )가 생성되면서 접촉 저항이 보다 낮아지며, 계속된 Pd 갈라이드의 생성과 NiO의 확산 방지막으로서의 역할로 인해 전극이 열적으로 안정하다. 따라서 이러한 Pd/Ni 오믹 전극을 채용하면 신뢰성이 개선된 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자를 얻을 수 있게 된다. 기판; 상기 기판 상부에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 상기 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, 팔라듐 갈라이드로 이루어진 팔라듐(Pd) 함유층과 니켈 옥사이드로 이루어진 니켈(Ni) 함유층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공하며, 이 제조방법은 기판상에 비도핑된 GaN 반도체층과 AlGaN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 결과물을 에칭하여 소자를 분리해내는 단계; 상기 단계로부터 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 결과물을 표면처리하는 단계; 및 상기 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 게이트 전극을 오믹 전극 전에 제작하므로 게이트 전극 형성을 위해 실시되었던 오믹전극 사이에 게이트 전극을 정렬해야 하는 어려움을 극복할 수 있다. 따라서 오믹전극에 의해 유발된 기판의 단차를 없앨 수 있으므로, 게이트 전극 형성을 위한 포토리지스트막 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극의 정렬도를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 오믹전극 층의 형성 전에 AlGaN 반도체층 표면을 유도결합 플라스마로 표면 처리함으로써 오믹 전극 형성용 금속의 증착 상태에서 오믹 특성이 얻을 수 있어서 열처리과정이 불필요하다. 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 AlGaN/GaN HFET 소자는 최대 트랜스컨덕턴스와 최대 드레인 전류가 모두 우수하여 증폭 능력이 양호하다. (a) 기판상에 비도핑된 GaN 반도체층과 AlGaN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 결과물을 에칭하여 소자를 분리해내는 단계; (c) 상기 (b) 단계로부터 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계; (d) 상기 결과물을 N 2 , Ar, Cl 2 , BCl 3 , H 2 , HBr, O 2 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용한 유도 결합 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 단계; 및 (e) 상기 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터(HFET) 소자의 제조방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 제어·자동화
본 발명은 MEMS 공정에 의한 모세관, 저장부, 세포 감지부를 포함하는 초소형 세포 계수장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 세포 계수장치는, 실리콘 기판 위에 형성되고 상기 계수하고자 하는 세포가 포함된 액체가 이동하는 통로인 모세관; 상기 모세관 일단에 형성되고 상기 모세관에 주입되는 세포가 포함된 액체가 저장되는 주입세포 저장부; 상기 모세관 타단에 형성되고 상기 모세관에서 유출되는 세포가 포함된 액체가 저장되는 유출세포 저장부; 및 상기 실리콘 기판 내에 형성되고 상기 모세관의 소정의 부위 하부에 위치하며 상기 모세관을 이동하는 세포의 염색 정도에 따라 투과되는 빛의 투과량에 따라 변화되는 보론의 전기저항을 측정함으로써 세포의 개수를 감지하는 세포 감지부를 포함하고, 상기 세포 감지부는 보론(boron)이 도핑되어 형성된 영역이다. 따라서, 본 발명에 따른 세포 계수장치는 MEMS 공정을 사용하여 일체화되고 소형화되어 고가의 기존 대형 세포 계수기를 대체할 수 있다. 또한, 세포 감지부로서 빛에 반응하는 전기저항 검출기를 이용하여 살아있는 세포와 죽어있는 세포의 수를 신속하면서도 정확하게 차별 계수하는 기능을 제공함으로써 기존의 복잡한 생화학적 차별 계수 방법을 대신할 수 있다. 세포를 염색하고 조사된 빛의 투과량에 따라 세포를 계수하는 세포 계수장치에 있어서, 실리콘 기판 위에 형성되고 상기 계수하고자 하는 세포가 포함된 액체가 이동하는 통로인 모세관; 상기 모세관 일단에 형성되고 상기 모세관에 주입되는 세포가 포함된 액체가 저장되는 주입세포 저장부; 상기 모세관 타단에 형성되고 상기 모세관에서 유출되는 세포가 포함된 액체가 저장되는 유출세포 저장부; 및 상기 실리콘 기판 내에 형성되고 상기 모세관의 소정의 부위 하부에 위치하며 상기 모세관을 이동하는 세포의 염색 정도에 따라 투과되는 빛의 투과량에 따라 변화되는 저항을 측정함으로써 세포의 개수를 감지하는 보론(boron)이 도핑된 세포 감지부를 포함하고, 상기 모세관, 주입세포 저장부, 유출세포 저장부 및 세포 감지부는 마이크로 전자 기계 장치(MEMS, Micro Electro Mechanical System) 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 세포 계수장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 LIGA 공정을 이용한 광학용 초소형 프리즘 어레이의 금형 제작 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 LIGA 공정으로 X-선 마스크에 대한 정렬없이 경사노광하는 방법으로 프리즘 어레이 형태를 만들고, 상기 어레이 형태에 전기도금을 함으로써 표면조도가 우수하고 임의 형태의 가공이 탁월한 프리즘 어레이를 사출성형할 수 있게 하는 초소형 프리즘 어레이 금형 제조방법에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 방사광 가속기의 싱크로트론 방사광(Synchrontron Radiation; 이하 '방사광 또는'X-선'이라 칭한다)을 이용하여 소정의 패턴을 갖는 광학용 프리즘 어레이를 제조할 수 있는 초소형 프리즘 어레이 금형의 제조방법에 관한 것이다. ; 이를 위한 본 발명은 LIGA 공정을 이용하여, 광학용 프리즘 어레이를 사출성형하기 위한 초소형 프리즘 어레이의 금형 제조방법에 있어서, X-선 마스크를 이용하여 경사노광을 몇번 하는 경사 노광단계과; 상기 노광단계에서 노광된 시편을 현상하여 원하는 프리즘 어레이 형태의 PMMA를 제작하는 PMMA 제작단계과; 상기 제작된 PMMA 형상에 니켈 도금을 한 후 상기 PMMA를 녹여 실리콘 기판을 제거하여 해당하는 프리즘 어레이 형태의 니켈 금형을 얻는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 한다. LIGA 공정을 이용하여, 광학용 프리즘 어레이를 사출성형하기 위한 프리즘 어레이의 금형 제조방법에 있어서, X-선 마스크를 이용하여 경사노광을 몇번 하는 경사 노광단계; 상기 노광단계에서 노광된 시편을 현상하여 원하는 프리즘 어레이 형태의 PMMA를 제작하는 PMMA 제작단계; 상기 제작된 PMMA 형상에 니켈 도금을 한 후 상기 PMMA를 녹여 실리콘 기판을 제거하여 해당하는 프리즘 어레이 형태의 니켈 금형을 얻는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 초소형 프리즘 어레이 금형 제조방법.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 미세 U형 골 구조물의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 방사광 X-선을 이용하여 2번의 X-선 경사노광과 현상공정으로 기본적인 골 구조물을 만든 후, 한번의 X-선 노광을 더 한 뒤, 열처리를 하여 미세 U형 골 구조물 성형틀을 만들고, 상기 미세 U형 골 구조물 성형틀위에 성형물을 굳혀서 미세 U형 골 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.; 본 발명의 미세 U형 골 구조물 제조방법은 (가) 실리콘기판(10)위에 PMMA판(40)를 접합하여 PMMA판(40)를 접합한 기판을 만드는 단계와, (나) X-선 노광시 상기 PMMA판(40)를 접합한 기판위에 밀착시킬 X-선 마스크를 만드는 단계와, (다) 상기 X-선 마스크를 상기 PMMA판(40)이 접합된 기판위에 밀착시키고 2번의 X-선 경사노광과 현상공정을 함으로써 PMMA 구조물을 만드는 단계와, (라) 상기 PMMA 구조물의 윗부분을 X-선 수직노광한 후 열처리를 함으로서, 미세 U형 골구조물 성형틀을 만드는 단계 및 (마) 상기 미세 U형 골구조물 성형틀에 성형물을 부은 후, 굳혀서 미세 U형 골 구조물을 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 변형된 LIGA 공정을 이용한 미세 U형 골구조물 제조방법에 있어서, (가) 실리콘기판(10)위에 PMMA판(Polymethylmethacrylate sheet)(40)을 접합하여 PMMA(PolymethylMethacrylate)판을 접합한 기판을 만드는 단계; (나) X-선 노광시 상기 PMMA(Polymethylmethacrylate)판(40)을 접합한 기판위에 밀착시킬 X-선 마스크를 만드는 단계; (다) 상기 X-선 마스크를 상기 PMMA판(40)이 접합된 기판위에 밀착시키고 2번의 X-선 경사노광과 현상 공정을 함으로서 PMMA 구조물을 만드는 단계; (라) 상기 PMMA 구조물의 윗부분을 X-선 수직노광한 후 열처리를 함으로써, 미세 U형 골구조물 성형틀을 만드는 단계; 및 (마) 상기 미세 U형 골구조물 성형틀에 성형물을 부은 후, 성형하여 미세 U형 골 구조물을 만드는 단계를 포함하고, 상기 (마)단계의 성형물은 유연한 중합체를 포함하고, 상기 (다)단계의 PMMA 구조물은 삼각형태 또는 사다리꼴 형태인 것을 특징으로 하는 미세 U형 골구조물 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 리가 공정을 이용한 삼각 산맥 구조물과 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 상부에 X-선 감광제를 접합하고, X-선 투과층 상부에 삼각 산맥 구조물의 영역을 정의하는 X-선을 흡수하는 물질로 이루어진 마스크 패턴을 형성하고, X-선 감광제와 마스크 패턴을 밀착시키고 X-선 투과층에 서로 다른 입사방향의 경사진 각도로 2번 노광을 실시하고, X-선 노광을 한 뒤에 X-선 마스크와 감광제를 분리한 후 X-선 감광제를 현상하여 기판 상부에 삼각 산맥 구조물 패턴을 형성하고, X-선 감광제 상부에 시드층을 형성하고 금속층을 두껍게 형성한 후에, 삼각 산맥 구조물 패턴 및 기판을 모두 제거하여 삼각 산맥의 피크 끝 부분이 날카로운 미세 삼각 산맥 구조물의 성형틀을 제작할 수 있다. 그리고, 본 발명은 삼각 산맥 구조물의 성형틀에 연성의 성형물질을 붓고 이를 성형한 후에, 성형틀에서 굳은 성형물질을 분리하여 항력을 효율적으로 감쇠시키면서 곡면 등에도 적용할 수 있는 피크가 날카로운 유연한 미세 삼각 산맥 구조물을 제조한다. 또한 금속 물질로 제조된 성형틀은 사출 성형, 압출 성형 또는 핫 엠보싱 공정 등의 금형 공정에 사용할 수 있으므로 금형 공정들을 통해 미세 삼각 산맥 구조물의 대량생산도 가능하다. 두개 이상의 삼각 산맥 피크와 그 사이에 적어도 하나 이상의 골짜기가 있으며 상기 삼각 산맥 피크 및 골짜기는 병렬로 배치된 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법에 있어서, 기판 상부에 X-선 감광제를 접합하는 단계; X-선 투과층 상부에 삼각 산맥 구조물의 영역을 정의하기 위하여 X-선을 흡수하는 물질로 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 X-선 감광제와 상기 마스크 패턴을 밀착시키고 상기 X-선 투과층에 서로 다른 입사 방향의 경사진 각도로 2번 노광을 실시하는 단계; 상기 마스크 패턴 및 X-선 투과층을 분리하고 상기 노광된 X-선 감광제를 현상하여 상기 기판 상부에 삼각 산맥 구조물 패턴을 형성하는 단계; 상기 삼각 산맥 구조물 패턴이 형성된 기판 상부에 금속층을 두껍게 형성하는 단계; 및 상기 삼각 산맥 구조물 패턴 및 기판을 모두 제거하여 상기 금속층으로 이루어진 삼각 산맥 구조물의 성형틀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리가 공정을 이용한 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물 및 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 (100) 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하고, 제 1절연막 상부에 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 감광막 패턴을 제거하고, 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공으로 삼각 골짜기를 형성하고, 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀을 형성한다. 이러한 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀에 성형물질을 붓고 이를 성형한 후에, 성형틀에서 굳은 성형물질을 분리하여 삼각 산맥 구조물을 제조한다. 또한, 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀로 사출 성형, 압출 성형, 또는 핫 엠보싱 공정 등을 위한 금속 형틀도 만들 수 있어 위 공정들을 통한 삼각 산맥 구조물의 대량 생산도 가능하다. 그러므로, 본 발명은 기판 미세 가공 기술을 이용하여 항력을 효율적으로 감쇠시키면서 곡면 등에도 적용할 수 있는 피크가 날카로운 유연한 미세 삼각 산맥 구조물을 대량으로 생산할 수 있다. 두개 이상의 삼각 산맥 피크와 그 사이에 적어도 하나 이상의 골짜기가 있으며 상기 삼각 산맥 피크 및 골짜기는 병렬로 배치된 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1절연막 상부에 상기 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액으로 식각하는 기판 미세가공 기술을 이용하여 삼각 골짜기를 형성하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 상기 삼각 산맥 구조물의 성형틀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물의 성형틀 제조방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
역률을 개선한 하프 브리지형 컨버터가 개시된다. 본 발명에 따른 하프 브리지형 컨버터는, 브리지 다이오드부(bridge diodes), 전압 평활부, 스위칭부 및 역률 개선부를 포함한다. 브리지 다이오드부는 역률 개선부에 전류 통로를 제공하며 에너지를 전압 평활부로 전달한다. 전압 평활부는 브리지 다이오드부에서 전달되는 에너지를 저장한다. 스위칭부는 전압 평활부의 양단 간에 직렬 연결된 두 개의 스위치들을 포함하고, 역률 개선부는 스위칭부를 구성하는 스위치들의 공통 연결점 및 입력 전압원의 양단 사이에 각각 연결되어 입력 전압을 분배하는 두 개의 입력 커패시터들을 포함하며, 스위칭부를 구성하는 스위치들의 공통 연결점을 입력 커패시터들의 공통 연결점에 궤환하여, 입력 전압원에서 공급되는 입력 전류를 입력 전압의 변화에 따라 증감시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 하프 브리지형 컨버터에 의하여, 스위칭 부에서 발생되는 도통 손실을 줄이면서 동시에 입력단의 역률을 개선할 수 있다. 소정의 입력 전압원에 접속되는 역률 개선부와, 전기 에너지의 전압을 평활시키는 전압 평활부, 상기 역률 개선부에 전류 통로를 제공하며 상기 역률 개선부를 경유한 전기 에너지를 상기 전압 평활부로 전달하는 브리지 다이오드(bridge diodes)부, 상기 전압 평활부와 상기 브리지 다이오드부 사이에 개재되며 상기 전압 평활부의 양단 간에 직렬 연결된 두 개의 스위치들을 포함하는 스위칭부를 포함하는 하프 브리지형 컨버터에 있어서, 상기 역률 개선부는, 상기 스위칭부를 구성하는 스위치들의 공통 연결점 및 상기 입력 전압원의 양단에 각각 연결되어 상기 입력 전압원에서 공급되는 전압을 분배하는 두 개의 입력 커패시터들; 상기 스위칭부의 스위치들의 공통 연결점을 상기 입력 커패시터들의 공통 연결점에 궤환하는 궤환 인덕터; 및 상기 입력 전압원의 일단 및 상기 브리지 다이오드부의 일단 사이에 1차측 권선이 연결되고 상기 입력 전압원의 타단 및 상기 브리지 다이오드의 타단 사이에 2차측 권선이 연결되며, 상기 1차측 권선 및 상기 2차측 권선이 상호 결합된 결합 인덕터를 포함하고, 상기 스위칭부의 스위치들의 공통 연결점을 상기 두 개의 입력 커패시터들의 공통 연결점에 궤환하여 상기 입력 전압원에서 공급되는 입력 전류를 입력 전압의 변화에 따라 증감시키도록 된 것을 특징으로 하는 고역률 하프 브리지형 컨버터.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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