산업기술 통합검색
본 기술은 활성물질이 인캡슐레이션 되어 있는 나노캐리어의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 키토산, 히알루론산(hyaluronic acid), 카라기난 등의 친수성을 가지는 천연 다당류 고분자와 라우릭산, 에틸렌 글리콜 등의 소수성 화합물을 포함하는 수화 겔 자기 집합체를 나노캐리어로 이용하여 활성물질을 안정화시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따라 제조된 나노캐리어는 생체학적으로 안정하여 수용액에서 용해성이 낮고 활성도가 급격히 감소하는 알카로이드류 또는 단백질류 등의 활성물질의 용해성 및 안정성을 높일 수 있으며, 피부친화성 및 피부투과도가 기존 포스페이트 콜린으로 제조된 리포좀에 비하여 우수한 성질을 나타낸다.
본 기술은 도광판의 마이크로렌즈 제조방법에 있어서, 빛이 통과되는 제1 영역과 빛이 통과되지 않는 복수 개의 제2 영역으로 이루어진 마스크를 포토레지스트가 코팅된 기판 상에 정렬시켜 노광하는 제1 단계, 노광된 기판을 현상하여 기둥 형태를 가진 다수의 포토레지스트를 얻는 제2 단계, 기둥 형태의 포토레지스트를 리플로우 공정을 통해 만곡시키되, 기둥 형태의 포토레지스트들이 일 방향의 이웃하는 포토레지스트들과 연결되어 연속마이크로렌즈 형상을 이룰 때까지 리플로우 공정을 수행하는 제3 단계, 연속마이크로렌즈 형상의 포토레지스트가 음각되도록 하는 음각 스탬퍼를 제작하는 제4 단계 및 음각 스탬퍼를 금형으로 하여 연속마이크로렌즈가 양각된 도광판을 성형하는 제5 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.상술한 설명에 따르면 본 기술은 리플로우 공정을 통해 이웃하는 포토레지스터 간에 오버랩 되도록 한 연속마이크로렌즈를 제작시킴으로써, 간단한 제조 공정으로 미세한 연속마이크로렌즈 어레이 패턴을 제조할 수 있으며, 그에 따라 비용을 줄이고 제조 시간을 단축시키는 효과가 있다.
본 기술은 로봇의 물체 탐색 및 인식을 위한 스테레오 비젼 장치 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 그 목적은 물체에 엑티브태그(Active-tag)를 부착하고 이를 스테레오 비젼 장치에서 감독 관리하여 적외선 램프(IRED)의 점멸에 의하여 추출된 상이한 영상정보를 바탕으로 스테레오 비젼 장치와의 상관관계를 계산하여 물체의 위치를 측정하고 인식할 수 있는 스테레오 비젼 제어장치 및 제어방법을 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 기술은 스테레오 비젼을 사용하여 물체를 인식하는 방법에 있어서, 물체에 부착되고 IRED가 장착되어 있는 엑티브 태그와, 엑티브 태그를 인식하여 이와 네트워크 연결을 한 후 엑티브 태그에 IRED 점멸 신호를 보내는 제어부와, 제어부의 신호에 의해 점멸되는 IRED를 감지하여 물체를 인식하는 스테레오 비젼으로 구성되고, 엑티브 태그가 부착된 물체에 대한 이벤트가 발생할 때 로봇이 엑티브 태그로 신호를 보내면서 자율주행하며 엑티브태그를 탐색하는 단계, 로봇이 엑티브 태그를 찾으면 로봇은 엑티브 태그로 IRED 점멸 신호를 보내는 단계, 신호를 수신한 엑티브 태그가 IRED 를 점멸시키는 단계,; 로봇은 점멸되고 있는 IRED를 감지하고 팬-틸트를 조절하여 IRED가 중앙에 오도록 스테레오 비젼을 조절한 후 IRED가 ON 일때의 영상과 OFF 일때의 영상을 비교하여 상관관계를 추출하는 단계, 추출 결과에 따라 물체를 인식을 하고 거리측정을 하여 물체의 위치를 확인하는 단계; 물체의 위치를 확인한 로봇은 좌표를 계산하여 부여된 이벤트를 처리하는 단계;를 거쳐 물체 인식 및 탐색을 할 수 있는 것을 특징으로 하는 로봇의 물체 탐색 및 인식을 위한 스테레오 비젼장치 및 그 제어방법에 관한 것을 기술적 요지로 한다.
스테레오 잔여 영상 부호화 방법 및 그 장치가 개시된다.본 발명에 따른 스테레오 잔여 영상 부호화 방법은 스테레오 영상의 잔여 영상을 웨이브릿 변환하고, 상기 변환된 영상의 웨이브릿 서브밴드의 에지 경향도를 연산하는 단계, 상기 연산된 에지 경향도로부터 임계값을 설정하는 단계, 상기 설정된 임계값보다 상기 웨이브릿 서브밴드의 계수의 절대값이 큰 경우 상기 웨이브릿 서브밴드를 주부호화 하는 단계 및 상기 주부호화된 서브밴드 계수와 상기 스테레오 영상의 계수간의 차가 상기 주부호화된 서브밴드 계수에 대응되는 주부호화 되지않은 서브밴드 계수와 상기 스테레오 영상의 계수간의 차보다 작아질 때 까지 상기 주부호화된 서브밴드에 종속 부호화를 적용하는 단계를 포함한다.본 발명에 따른 스테레오 잔여 영상 부호화 장치는 스테레오 영상의 잔여 영상을 웨이브릿 변환하고, 상기 변환된 영상의 웨이브릿 서브밴드의 에지 경향도를 연산하는 경향도 연산부, 상기 연산된 에지 경향도로부터 임계값을 설정하는 임계값 설정부, 상기 설정된 임계값보다 상기 웨이브릿 서브밴드의 계수크기가 큰 경우 상기 웨이브릿 서브밴드를 주부호화 하는 주부호화부 및 상기 주부호화된 서브밴드 계수와 상기 스테레오 영상의 계수간의 차가 상기 주부호화된 서브밴드 계수에 대응되는 주부호화 되지않은 서브밴드 계수와 상기 스테레오 영상의 계수간의 차보다 작아질 때까지 상기 주부호화된 서브밴드에 종속 부호화를 적용하는 종속 부호화부를 포함한다.본 발명에 따른 스테레오 잔여 영상의 효율적인 부호화 방법에 의하면, 스테레오 잔여 영상의 특성에 따라 정보저장 순서를 변경함으로써, 보다 적은 비트율에서 고품질의 스테레오 영상의 복원을 할 수 있는 효과가 있다.
발명은 디지털 카메라 충전 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휴대폰과 디지털 카메라를 케이블로 연결하여 휴대폰의 배터리 전원으로 디지털 카메라의 배터릴 충전하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 휴대폰의 배터리를 이용한 디지털 카메라 충전 장치는 소정의 케이블을 통하여 휴대폰의 전원과 연결된 디지털 카메라로써, 상기 소정의 케이블을 통하여 수신되는 상기 휴대폰 배터리의 전원을 상기 디지털 카메라의 배터리 충전 전원으로 변환시켜 상기 디지털 카메라의 배터리로 출력하는 신호처리수단을 포함한다. 본 발명에 따르면, 휴대폰과 디지털 카메라를 데이터 통신을 위한 케이블로 연결하고 휴대폰 배터리를 전원 소스로 사용하여 디지털 카메라의 배터리를 충전하도록 하여 지정된 충전 장치가 없더라도 휴대폰을 이용하여 디지털 카메라를 편리하게 충전할 수 있다.
프로그래머블 클럭 발생기 및 프로그래머블 클럭 발생기를 이용하는 파이프라인 변환기가 개시된다.본 발명은 입력단이 기준 클럭에 연결되고, 소정의 제어 전압에 따라 상기 기준 클럭을 반전시키는 구간을 가변시키는 제1 프로그래머블 반전부, 상기 기준 클럭에 연결되어 상기 기준 클럭을 반전시키는 인버터부, 상기 인버터부에 입력단이 연결되고, 소정의 제어 전압에 따라 상기 입력단 신호를 반전시키는 구간을 가변시키는 제2 프로그래머블 반전부, 셋 입력이 상기 기준 클럭에 연결되고, 리셋 입력이 상기 제1 프로그래머블 반전부의 출력에 연결된 제1 래치 회로 및 셋 입력이 상기 인버터부에 연결되고, 리셋 입력이 상기 제2 프로그래머블 반전부의 출력에 연결된 제2 래치 회로를 포함한다.본 발명에 의하면, 파이프 라인 ADC 회로의 선형성을 유지하면서, 고 해상도 ADC를 구현할 수 있게 하면서도 전력 소모를 낮출 수 있고, 전력 소모에 따라 제어 전압을 변경시켜 최적의 듀티비를 갖는 클럭 신호를 사용함으로써, 전력 소모를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 질화물 반도체 제조 방법 및 질화물 반도체를 개시한다. 본 발명의 질화물 반도체 제조 방법은, 종래의 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 상에 직접 질화물을 증착하여 질화물 반도체를 제조하는 경우에, 기판과 질화물간의 격자 상수 차이 및 열팽창 계수 차이로 인하여 발생하는 문제점을 해결하기 위해서, 질화물 반도체 제조용 기판과 질화물간의 격자 상수 차이 및 열팽창 계수 차이를 경감시키도록 기판 상에 격자 정합을 제어할 수 있는 중간층을 희토류계 원소를 이용하여 형성하고, 형성된 중간층상에 질화물을 에피 성장시킴으로써 제조된다.따라서, 본 발명은 질화물 성장 시 발생하는 격자 결함을 억제하여 품질이 양호한 질화물 반도체를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 사이즈가 큰 실리콘 기판을 질화물 반도체 기판으로서 사용할 수 있으므로 질화물 반도체의 생산성을 현저하게 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 전왜 폴리머의 팽창력을 수축력으로 변환하는 다층 폴리머 액추에이터에 관한 것으로서, 수직으로 적층된 다수의 전왜 폴리머층과 다수의 전왜 폴리머층 사이에 교대로 개재되는 다수의 제1 전극층 및 제2 전극층과 제1 전극층 및 제2 전극층에 각각 전기적으로 연결되어 전왜 폴리머층을 전왜 변형시키기 위한 전압이 인가되는 도체부와 다수의 전왜 폴리머층, 제1 전극층 및 제2 전극층으로 이루어진 폴리머 적층체의 최상단 및 최하단에 접하여 이를 지지하는 두 개의 지지 플레이트와 두 개의 지지 플레이트를 연결하여 플레이트간 거리를 유지하며 다수의 전왜 폴리머층이 전왜 변형되어 측면으로 팽창할 때 그 외주를 따라 만곡되어 플레이트간 거리를 단축시키는 연결 수단을 포함한다. 이 때, 다수의 제1 전극층 및 제2 전극층은 그 외주가 전왜 폴리머층의 외주와 일치하며, 수직 방향으로 제1 전극층 및 제2 전극층 상호간에 중첩되지 않는 비전극 영역이 각각 형성된다. 본 기술에 따르면, 지지 플레이트와 이를 연결하는 연결 수단을 통해 폴리머 액추에이터의 측면 팽창력을 수축력으로 변환할 수 있으며, 특히 지지 플레이트가 전왜 폴리머층을 상하에서 수직으로 지지함에 따라 전압 인가시 전왜 폴리머층의 중심이 부풀어 오르는 현상을 효과적으로 억제하여, 측면 팽창을 보다 효과적으로 유도할 수 있다.
본 기술은 히트파이프 기능을 갖는 히트싱크에 관한 것으로, 히트싱크 내부에 충진된 작동유체가 발열체의 열원에 대해 빠르게 반응되어 증발될 수 있을 뿐만 아니라 방열판 내부에서 증발된 작동유체 증기가 방열핀을 통하여 외부 공기로 열전달 되면서 응축되고 모세관력에 의해 다시 방열판으로 귀환되는 순환과정이 신속히 이루어질 수 있다. 이에 대한 기술적인 수단으로 방열판은 그 내부가 중공형태로 발열체의 열원에 대해 신속히 반응되어 증발될 수 있는 작동유체가 충진되며, 공기와 접촉되는 방열핀도 그 내부가 방열판의 내부와 일체 공간인 중공형태로 형성되되, 발열체로부터의 열원에 대해 반응되는 작동유체의 증기가 증발되어 공기와의 열교환에 의해 응축되면서 다시 방열판 으로 원활하게 귀환될 수 있도록 그 내부 벽면에 일정간격으로 다수의 모세관홈이 형성되거나 또는 메쉬구조물이 장착되는 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.
분할형 애노드를 갖는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 실리콘의 전면층에 불순물을 주입하여 생성된 캐소드 영역, 상기 실리콘의 전면층에서 상기 캐소드 영역에 접하여 게이트 절연물질 및 게이트 도전체로 형성된 게이트, 상기 실리콘의 후면층에 복수의 트렌치가 형성되고, 상기 형성된 트렌치에 채워진 절연물질에 의해 복수의 영역으로 분할된 분할형 애노드 영역 및 상기 캐소드 영역 및 상기 분할형 애노드 영역 사이의 캐리어를 전달하는 드리프트 영역을 포함한다. 본 발명에 의하면, 절연 물질에 의해 분할된 애노드 영역을 구비함으로써, 별도로 정공을 제거하지 않고도 트랜지스터의 스위칭 속도를 향상시키고, 온 상태의 저항을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 소각되는 시료를 검사하는 전기로에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 고정된 상태의 시료에 전기로가 승강하여 각기 다른 온도를 제공하여 각기 다른 온도에 따른 시료의 변화를 측정할 수 있는 승강기능을 갖는 전기로 관한 것이다. 본 발명은 내부에 히팅공간을 갖는 전기로와 상기 전기로를 제어하는 전기로제어부와 상기 전기로에 에어를 공급하는 에어공급부와 상기 에어공급부에서 공급되는 에어를 분배하는 에어분배부와 상기 에어분배부에서 분배되는 에어를 예열하는 에어예열부와 상기 에어예열부에 의해 예열된 에어와 상기 전기로의 히팅열에 의해 소각되는 시료가 수용되는 용기와 상기 용기에 수용된 상태로 소각되는 시료에 대해 열천칭하는 열천칭부와 상기 용기에 수용된 상태로 소각되는 시료에서 발생되는 연소가스를 채집하는 가스채집부와 상기 가스채집부에서 채집된 연소가스를 분석 및 측정하는 가스측정부를 포함한다.
본 기술은 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘 웨이퍼에 관한 것으로, 종래 활용되지 않는 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치를 제조함으로서 칩 자체에 전원을 갖출 수 있으므로 반도체칩의 전력원으로 사용될 수 있게 되어 반도체칩의 효율을 배가시킬 수 있고 또한 반도체칩이 아니라 웨이퍼에 전원공급장치를 설치함으로써 제조공정이 매우 간단하고 어떤 형태의 칩에도 전지를 장착할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
본 기술은 통상의 황화철(FeS)전극의 활물질인 황화철 표면에 특정한 방법을 이용하여 금속을 도금함으로써 황화철 전극의 표면에 형성되는 방전생성물인 리튬설파이드(lithium sulfide, Li2S)의 뭉침으로 인한 부도체 영역의 증가와 이에 따른 전극 저항의 증가에 의해 전지의 수명이 저하되는 문제점을 해결한 무전해 도금법으로 제조된 황화철분말이 첨가된 리튬/황화철이차전지용 황화철 전극에 관한 것으고, 본 기술의 무전해 도금법으로 제조된 황화철분말이 첨가된 리튬/황화철이차전지용 황화철 전극은 통상의 황화철분말에 무전해 도금법(electroless plating, 無電解鍍金)으로 Li, Na, Mn, Fe, Ni, Cu에서 선택된 금속을 도금하여 제조됨을 특징으로 하는 황화철분말을 사용하여 황화철 전극이 제조된다.본 기술의 니켈 무전해 도금한 황화철분말을 이용하여 제조된 리튬/황화철이차전지용 황화철전극은 양극 활물질인 준안정상의 황화철에 금속이 도금됨으로써 구조적 안정성을 형성할 뿐 아니라 방전 시 생성되는 부도체 영역을 형성하는 리튬설파이드에 전도성을 제공하여 리튬/황화철이차전지의 사이클 특성을 향상시킬 뿐 아니라 또한 본 발명에 따른 황화철전극은 종래의 리튬/황화철이차전지의 사이클 특성을 현저히 개선시킴으로 인해 상용화에 기여할 수 있는 유용한 기술이다.
본 기술은 리튬/유황 이차전지의 사이클 특성을 향상시키기 위해 첨가재로 써멀(Thermal) CVD법으로 직접 제조한 탄소나노튜브(Multiwalled carbon nanotubes, MWNT)와 탄소나노섬유(graphitic nanofibes, GNF)를 양극 첨가재로 도전재와 함께 이용하여 상온에서 사이클 특성이 개선된 리튬/유황 이차전지에 관한 것으로, 본 발명의 유황전극은 기존의 도전재와 직접 제조한 첨가재인 MWNT 또는 GNF를 무게중량비 20:5로 첨가하여 전극 활물질의 표면적을 넓게 함으로서 리튬/유황이차전지의 사이클 특성을 개선시킴을 특징으로 한다.본 기술의 리튬/유황이차전지의 사이클 특성을 향상시키기 위해 첨가재로 MWNT와 GNF를 이용한 유황전극은 써멀 CVD법으로 제조된 MWNT와 GNF 첨가재를 자기적교반법과 기계적교반법으로 유황양극에 고르게 분산시켜 구조적으로 안정하고 높은 비표면적을 가지는 유황전극을 형성할 수 있으며, 이렇게 제조된 유황전극은 높은 초기 용량과 향상된 사이클 수명을 가짐으로서 유황전지의 효율을 극대화시킬 수 있다.
본 기술은 통상의 유황전극에 기상성장탄소섬유(Vapor Grown Carbon Fibers : VGCFs)를 첨가하여 충/방전 시 활물질인 유황과 도전재인 아세틸렌 블랙(Acetylene black)의 뭉침에 의해 발생되는 전극 구조의 변화와 활물질의 이용률 감소에 의해 리튬/유황 전지의 사이클 수명이 저하되는 문제점을 해결하여 전지의 수명을 향상시킨 기상성장탄소섬유가 첨가된 리튬/유황 이차전지용 유황 전극에 관한 것이다.본 기술의 기상성장탄소섬유가 첨가된 리튬/유황 이차전지용 유황 전극은 유황전극에 기상성장탄소섬유를 일정량으로 첨가함으로 리튬/유황이차전지의 사이클 특성을 향상시킨다. 또한, 본 기술에 따른 유황 전극은 종래의 리튬/유황이차전지의 사이클 특성을 현저히 개선시킴으로 인해 상용화에 기여할 수 있는 유용한 기술이다.
본 발명은 폴리실올, 폴리저몰 및 실올-저몰의 공중합체에서 선택되는 어느 하나의 유도체를 포함하는 나노응집체상의 유기 고분자 전자발광 화합물을 이용한 LED용 전자발광소재 및 그의 발광효율 증진방법에 관한 것이다.본 발명의 LED용 전자발광소재는 폴리실올, 폴리저몰 및 실올-저몰의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유도체 및 페닐메틸폴리실란으로 혼합된 나노응집체로 이루어지며, 상세하게는 나노응집체 상에서 페닐메틸폴리실란으로부터 폴리실올, 폴리저몰 및 실올-저몰의 공중합체에서 선택되는 어느 하나의 유도체로 에너지 전이되어, 종래보다 발광효율이 증진된 LED용 전자발광소재를 제공할 수 있다.
본 발명은 편광유지 광섬유 정렬 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 편광유지 광섬유에 빛을 조사하여 투과된 이미지를 분석하여 간단하게 편광유지 광섬유의 편광축을 정렬할 수 있는 편광유지 광섬유 정렬 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 편광유지 광섬유 정렬 장치는, 편광유지 광섬유의 편광축을 요구되는 방향으로 정렬하기 위한 편광유지 광섬유 정렬 장치에 있어서, 베이스와, 상기 베이스 양측에서 서로 마주보게 설치되어 편광유지 광섬유가 베이스의 상부를 가로지르게 위치되도록 그 편광유지 광섬유를 파지하고, 파지된 광섬유와 일체로 회전되게 상기 베이스의 상부에 설치된 클램핑수단과, 상기 클램핑수단을 회전시키기 위한 회전수단과, 이송대와, 일방으로 빛을 조사하도록 상기 이송대에 장착된 램프와, 상기 램프와 마주보는 위치에서 상기 램프로부터 조사된 빛에 의해 형성된 이미지를 촬영하도록 상기 이송대에 장착된 카메라가 구비된 촬영수단과, 상기 촬영수단의 램프와 카메라 사이에 상기 클램핑수단에 의해 파지된 편광유지 광섬유의 일부가 위치되도록 상기 이송대를 이송시키기 위한 이송수단과, 상기 촬영수단에 의해 촬영된 이미지를 분석하여 편광유지 광섬유의 편광축의 틀어진 정도를 측정하여 출력하는 컴퓨터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 한 쌍의 전극 사이에 구비되어 있는 유기막을 포함하고 있는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes : OLED)에 관한 것이다.본 기술에 따른 OLED는 소자 구동시 발생하는 구동열에 의한 열화 문제와 유기막 형성용 물질의 낮은 순도와 파이-스태킹(π-stacking)으로 인한 발광 특성 저하 문제를 해결함으로써 발광 효율이 개선되는 동시에, 소자의 안정성이 향상되고, 그 결과 발광 효율이 개선 된다.
강자성체, 상자성체, 강자성체와 상자성체가 혼재된 구조물의 결함을 탐상하는 장치 및 이에 이용될 수 있는 자기 센서가 개시되어 있다. 장치는 피측정체에 선 전류 또는 면 전류를 인가하기 위한 유도 전류 인가 수단; 상기 선 전류 또는 상기 면 전류에 의해 상기 피측정체로부터 발생되는 자기장을 감지하고, 감지된 자기장의 세기에 대응하는 자기장 감지 신호를 발생시키기 위한 자전 변환 수단; 상기 자전 변환 수단으로부터의 자기장 감지 신호로부터 소정 대역의 신호를 검파 및 증폭하기 위한 신호 처리 수단; 상기 신호 처리 수단으로부터의 증폭된 신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 신호 변환 수단; 및 상기 신호 변화 수단으로부터의 상기 디지털 신호를 저장 및 연산하여, 상기 피측정체의 자기장 세기 분포를 수치화하기 위한 데이터 처리 수단을 포함한다.
본 발명은 수소 생성용 플라즈마 개질장치로서, 반응기절연체의 내부에 전기적 에너지를 공급하는 부채꼴 형상의 다수의 전극(103)을 포함한다. 또한 전극의 수를 3개로 함으로써 플라즈마 반응 영역의 극대화는 물론 안정화를 도모할 수 있고, 더 나아가 다양한 노즐 타입을 적용하여 복합적인 연료 개질이 가능하며, 부분 산화를 적용하여 시동성 및 에너지 효율이 높은 플라즈마 개질 장치를 개시한다.